JP4621481B2 - 半導体チップの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ダイシング工程において、電極形成された半導体ウエハの裏面を研磨し、この研磨面にダイシングテープを貼り付けて、前記ウエハのみを分割して半導体チップとし、このチップが貼り付いたダイシングテープに紫外線照射を行い、該チップをダイシングテープから剥離する半導体チップの製造方法に係り、特に、紫外線照射後の半導体チップとダイシングテープとの密着性を緩和して剥離する半導体チップの製造方法に関する。

従来、半導体ウエハから半導体チップを製造する方法としては、電極形成された半導体ウエハの裏面を研磨し、この研磨面にダイシングテープに貼り付けて、この密着状態の半導体ウエハをダイシングすることで半導体チップに分割し、このチップが貼り付いたダイシングテープに紫外線を照射し、この半導体チップをダイシングテープから剥離（ピックアップ）する工程を行うことが一般的である。

たとえば、特許文献１には、粘着テープ上に貼り付けられた半導体ウエハを複数の半導体チップに分割し、粘着テープに対して所定のエネルギーを加えて粘着テープの硬度をチップ分割時よりも低くし、半導体チップをピックアップする半導体集積回路装置の製造方法が提案されている。

また、特許文献２には、ダイシングテープに貼り付けられた半導体ウエハをＩＣチップに分割し、ＩＣチップが貼り付いたテープ下面に対して先端が円錐台形状のペパーポットを押しあてて、該ペパーポット内に配置したニードルをテープ下面に対して略垂直方向に突き上げて、ＩＣチップをダイシングテープからピックアップするＩＣチップの取り扱いの方法が提案されている。

特開平５−２６７４５０号公報 特開平６−３１４７０９号公報

ところで、このような半導体ウエハは、パターニング工程において、ウエハのそり防止と強度確保の目的から、所定厚みを持たせる必要がある。そして、その後のウエハを分割した半導体チップの厚みは、製品ごとに規定されているので、上記パターニング工程後にその厚みを薄くする必要がある。そこで、半導体ウエハを分割して半導体チップにする前に、例えばダイヤモンドなどの砥粒を埋め込んだ砥石を高速回転で回転させて、上記パターニング処理を施していない面、すなわち電極形成された半導体ウエハの裏面（ウエハ裏面）を研磨している。

そして、この研磨面（ウエハ裏面）にダイシングテープを貼り付け、その後ダイシングテープから半導体チップを剥離させる前に、テープの粘着剤の架橋等の反応をさせて凝集力を上げ、粘着力を低下させる目的で、ダイシングテープに紫外線を照射させている。しかし、この研磨面は、表面エネルギーが高まって活性化しており、ダイシングテープとの親和性がよいので、通常のウエハ裏面よりも約１５０〜２００％近くの粘着力が上がることがわかっている。よって、このウエハ裏面は、たとえダイシングテープに紫外線を照射したとしてもテープと密着性が良いので、その後、ダイシングテープからのチップの剥離性が悪くなる。

さらに、研磨条件などによっても、そのウエハ裏面は変化するので、ウエハ裏面の状態に合わせて適切な粘着強度のダンシングテープを選定するのは難しい。そして、上記のように半導体チップをピックアップする際に、ダイシングテープとウエハとの密着性が高い場合には、半導体チップが破損する虞があった。

さらにまた、近年ＩＣを積層する３次元実装技術の開発等に伴い、半導体ウエハの厚みは、数十μｍのレベルで要求されており、この厚みになるとウエハは、通常のフィルムのように変形しやすく、かつ非常に脆いため、半導体チップをダイシングテープから剥離する際に、チップを破損し易く、不良率は高かった。これに加え、より多種多様の半導体チップを一度に大量生産するために、半導体ウエハは今後さらに大型化する傾向にあり、このウエハの大型化にともない、研磨したウエハ裏面を均質な状態にすることは難しく、ウエハ裏面とダイシングテープとの粘着力にばらつきが生じやすい。

そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、紫外線照射後の半導体チップとダイシングテープとの密着性（粘着力）を緩和して、剥離性を向上することができる半導体チップの製造方法を提供することにある。

本発明者らは、半導体ウエハとダイシングテープとの粘着力が調整可能なダイシングテープを開発するよりも、そのウエハ裏面を安定的に改質する処理を行う方がより確実に上記の課題を解決できると考え、多くの実験と研究を行うことにより、研磨したウエハ裏面とダイシングテープとの親和性は、その活性化された面に形成されるシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）により、表面が親水性を有することに起因するとの知見を得た。そして、発明者らは、この親和性を改質する（親水性を疎水性に改質する）には、シラノール基の水酸基を例えばアルキル基など他の基に置換することが必要であり、この置換反応としてシリル化反応に着眼した。さらに、このシリル化反応を起こすためのシリル化剤としては、ウエハの物性に影響を与えにくいＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）が好適であるとの知見を得た。

本発明は、本発明者らが得た上記の新たな知見に基づくものであり、本発明に係る半導体チップの製造方法は、ダイシング工程において、電極形成された半導体ウエハの裏面にダイシングテープを貼り付け、該半導体ウエハのみを分割して半導体チップとし、該半導体チップを前記ダイシングテープから剥離する半導体チップの製造方法であって、前記半導体ウエハの前記裏面をＨＭＤＳからなるシリル化剤で処理してから、前記半導体ウエハの前記裏面に前記ダイシングテープを貼り付けることを特徴とする。

このような半導体チップの製造方法は、電極形成された面を表面とした半導体ウエハの裏面をＨＭＤＳからなるシリル化剤で処理すること、すなわち、ＨＭＤＳからなるシリル剤を、研磨された半導体ウエハの裏面（ウエハ裏面）に晒すことにより、そのウエハ裏面のシラノール基の水酸基をアルキル基に置換反応させる。この化学反応した表面（ウエハ裏面）は、安定しており、研磨条件によってダイシングテープを選定することなく、ダイシングテープに対する密着性（粘着力）が緩和されて剥離性が向上するので、半導体チップを損傷すること無く、ダイシングテープから容易に剥離することができる。また、短時間で表面改質をすることができるので、半導体チップの生産性は向上する。

好ましい態様としては、本発明に係る半導体チップの製造方法は、前記半導体ウエハの前記裏面を前記シリル化剤で処理するときは、該シリル化剤の蒸気又はガスに接触させて、前記半導体ウエハの前記裏面の処理をおこなう。また、該シリル化剤を飽和蒸気状態にし、該飽和蒸気状態のシリル化剤を前記半導体ウエハの前記裏面に晒すことにより処理を行ってもよい。このように蒸気又はガスの状態のＨＭＤＳからなるシリル化剤を用いると、ウエハ裏面は気相反応をすることができるので、ムラ無く均一にウエハ裏面を改質することができる。特に、シリル化剤を飽和蒸気状態にすることで、管理しやすく、シリル化反応の反応速度もよいので、より短時間でウエハ裏面を改質することができる。

また好ましい態様としては、本発明に係る半導体チップの製造方法は、前記半導体ウエハの前記裏面を前記シリル化剤で処理する前に、前記半導体ウエハの前記裏面を活性化する処理を行う。このウエハ裏面の活性化処理により、ウエハ裏面にシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が増加する。そして、この増加したシラノール基の水酸基をＨＭＤＳによりアルキル基に置換反応するので、さらにダイシングテープとの密着性は緩和される。

好ましい態様としては、この活性化処理は、前記半導体ウエハの裏面にプラズマ化したガスを吹付けるプラズマ処理、又は、コロナ放電により生成したガス、すなわちコロナ放電した空間を通過したガスを吹付ける処理である。そして、好適に活性化処理ができるガスとしては、大気、希ガス、窒素、水素、又はこれらの混合ガスが挙げられる。また別の好ましい態様としては、この活性化処理は、前記半導体ウエハの裏面に紫外線を照射する処理である。このように、ウエハ裏面に対して直接的にグロー放電をさせるのではなく、ガスを一旦プラズマ化し、このプラズマ化したガスを吹付けることで、半導体ウエハの電極形成部に損傷なくマイルドに、そのウエハ裏面を活性化することができる。また、ウエハ裏面に紫外線を照射した場合も、同様に、半導体ウエハの電極形成部を損傷することなく、活性化することができる。

本発明の半導体チップ製造方法によると、電極形成された半導体ウエハの裏面を均一に改質して、紫外線照射後の剥離時における半導体チップとダイシングテープとの密着性（粘着力）を緩和することができる。よって、半導体チップを損傷することなくダイシングテープから剥離することができ、半導体チップの歩留まりを向上させることができる。また、この半導体チップ製造方法は、シリル化反応を利用しているので、短時間でウエハ裏面を安定して改質することができ、半導体チップの生産性が向上する。

以下図面を参照しながら、本発明を実施の形態に基づき説明する。図１は本発明による半導体チップの製造方法の一実施形態を示すダイシング工程を説明するための模式図であり、（ａ）は研磨、（ｂ）は活性化処理、（ｃ）はシリル化処理、（ｄ）はテープ貼り付け、（ｅ）はダイシング、（ｆ）はピックアップの各作業を説明するための図である。また、図１には、本実施形態の半導体チップの製造方法に使用する、研磨装置２、プラズマ処理装置３、処理容器４、ダイシング装置５、ピックアップ装置６を示している。

図１の（ａ）に示すように、研磨装置２は、前工程でパターニング処理が施され、電極形成された回路部１１とシリコン（Ｓｉ）が素材である基材部１２とからなる半導体ウエハ１０を固定台に配置して、その基材部１２の表面（表の面に電極形成された半導体ウエハの裏面：以降、ウエハ裏面という）１２ａを研磨する装置であって、装置本体２１、砥石２２、固定台２３を備えている。装置本体２１は、固定台２３に対して上下方向に移動可能であり、円板状の砥石２２を回転駆動させる駆動源（図示せず）を備えている。そして、装置本体２１の砥石２２の回転軸が、半導体ウエハ１０を載置する固定台表面に対して垂直となるように、装置本体２１が配置されている。また、装置本体２１に回転可能に取り付けられた砥石２２の表面には、ダイヤモンドからなる砥粒２２ａが結合材によって結合している。

図１の（ｂ）に示すプラズマ処理装置３は、研磨されたウエハ裏面（研磨面）１２ａを活性化するための装置であって、処理ヘッド３０と、電源３３ａ、アース３３ｂ、ガス供給源３４、移動手段３５、及び固定台３６を備えている。処理ヘッド３０には、１対の平行電極３１，３２が対向配置されており、一方の電極３１には、電源３３ａが接続され、他方の電極３２には、アース３３ｂが接続されている。このような構成により、電極間に電圧が印加することができ、電源３３ａは、印加電圧の周波数および電力を調整できるように構成されている。

また、このガス供給源３４には、ガスが充填されており、このガスとしては、大気、希ガス、窒素、水素、又はこれらの混合ガスが用いられ、該ガスは化学的に安定した気体であるので好ましい。そして、このガスは、電極間に形成された間隙に流れるようになっている。さらに、移動手段３５は、例えば電気モータなどの駆動源を有して、固定台３６に対して処理ヘッド３０が相対移動（ウエハ裏面１２ａをスキャン）するように構成されている。また、半導体ウエハ１０と処理ヘッド３０とが相対的に移動していればよいので、その移動方向は一方向ばかりではなく双方向に移動してもよく、さらに処理ヘッド３０に対して半導体ウエハ１０を移動させるような構成にしてもよい。

図１の（ｃ）に示す処理容器４は、容器内に半導体ウエハ１０を設置して、上記活性化したウエハ裏面１２ａをＨＭＤＳでシリル化反応をさせるための容器であって、蓋体４１、容器本体４２、及びシャーレ４３からなる。そして、容器本体４２は、上部に開口を有し、内部に半導体ウエハ１０が設置可能な空間を形成し、上方に蓋体４１を配置することで、内部空間が密閉可能となっている。また、その内部空間の底面中央には、液体のＨＭＤＳ１４が入ったシャーレ４３が配置されている。さらに、この容器４は、その内部に半導体ウエハ１０が横方向に（ウエハ裏面１２ａが上下方向となる向き）配置可能なように構成されている。しかし、ＨＭＤＳの蒸気がウエハ裏面１２ａに接触可能であるならば、半導体ウエハ１０の配置構成は特に限定されるものではない。

さらに、この処理容器４は、容器内を加熱する加熱機器と、その温度を管理する温度計とを備えてもよく、このような機器を備えることでＨＭＤＳ１４を飽和蒸気となる温度まで加熱することができる。なお、図１の（ｄ）は、半導体ウエハ１０をダイシングテープ１３に貼り付けた状態を示しており、このテープ貼り付け工程では、特に装置は使用しないが、均一の圧力で半導体ウエハ１０がダイシングテープ１３に密着させるような圧着装置を用いて、貼り付け作業を行っても良い。

図１の（ｅ）に示すダイシング装置５は、半導体ウエハ１０のみを分割して（後述するダイシングテープ１３は分割しない）半導体チップ１５にする装置であって、装置本体５１とブレード５２とを備えている。装置本体５１は、その下方に配置した半導体ウエハ１０に対して上下方向に移動可能であり、円板状のブレード５２を回転駆動させる駆動源（図示せず）を備えている。そして、装置本体５１は、回転したブレード５２が、半導体ウエハ１０を押圧可能な方向に、ブレード５２を取り付けている。またこのブレード５２の外周表面には、ダイヤモンドからなる砥粒２２ａが結合材を介して結合している。

図１の（ｆ）に示すピックアップ装置６は、半導体チップ１５をダイシングテープ１３から剥離し、この剥離した半導体チップ１５を把持するための装置であって、主に、ニードル６１とコレット６２とを備えている。ニードル６１は、分割された半導体チップ１５を、ダイシングテープ１３から剥離するための機器であり、ニードル６１の先端は尖っており、チップ１５の下方からダイシングテープ１３を押圧可能に上下動する構成となっている。また、コレット６２は、半導体チップ１５を上方へ吸引把持するための機器であり、チップ表面に当接可能に上下動する構成となっている。

上記した装置構成に基づいて、本実施形態に係る半導体チップの製造方法について説明する。

まず、図１の（ａ）に示すように、半導体ウエハ１０の回路部１１の表面に表面保護テープ１６を貼り付けて、このウエハ裏面１２ａが砥石表面と対向するように、半導体ウエハ１０を固定台２３に載置する。次に、装置本体２１の駆動源を起動さて砥石２２を回転し、さらに、装置本体２１を下降させる。そして、砥石２２をウエハ裏面１２ａに押圧し、半導体ウエハ１０を必要な厚みになるまで研磨する。

また、１つの砥石２２のみを用いて、半導体ウエハ１０の研磨をしているが、要求される半導体ウエハ１０の基材部１２の表面粗度に合わせて、粒度の異なる他の砥石を、段階的に使用して研磨を行っても良い。また、削り代が少ない場合には、ラッピング、ウエットエッチングなどにより、半導体ウエハ１０の厚みを調整してもよい。

次に、図１の（ｂ）に示すように、図１の（ａ）で研磨した半導体ウエハ１０を、ウエハ裏面１２ａが処理ヘッド３０の下面に対向するように、固定台３６に載置する。そして、平行電極３１，３２の間に、ガス供給源３４からガスを流し、電源３３ａの印加電圧の周波数および電力を調整して、電極間を通過するガスをプラズマ化する。プラズマ化されたガス３ａは、ウエハ裏面１２ａに吹付けられ、その研磨したウエハ裏面１２ａの活性化処理を行う。さらに、ウエハ裏面１２ａの全体に対して、均一にプラズマ化したガス３ａを吹付けることが可能なように、移動手段３５を用いて、処理ヘッド３０を移動させる。

このように、研磨したウエハ裏面１２ａを活性化することができるので、そのウエハ裏面１２ａにシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）を増加させることができる。そして、この増加したシラノール基を、後述する工程で、ＨＭＤＳによりシリル化反応させるので、ウエハ裏面１２ａとダイシングテープ１３との粘着力はさらに緩和する。また、いわゆるリモートタイプのプラズマ処理装置３を用いて、プラズマ化したガス３ａをウエハ裏面１２ａに流しているので、半導体ウエハ１０の電極形成部である回路部１１にダメージを与えることなく、確実にウエハ裏面１２ａを活性化することができる。

さらにまた、このウエハ裏面１２ａの活性化ために、プラズマ処理装置３でプラズマ化したガス３ａを吹付ける代わりに、コロナ放電処理装置を用いて、コロナ放電させた空間に、先に示したガスを通過させ、このガス（コロナ放電により生成したガス）をウエハ裏面１２ａに吹付けても、同様の効果が得られる。また、紫外線照射装置を用いて、紫外線をウエハ裏面１２ａに照射する処理を行っても、半導体ウエハ１０の電極形成部である回路部１１にダメージなく活性化することができる。

そして、図１の（ｃ）に示すように、図１の（ｂ）に示す活性化処理をおこなった半導体ウエハ１０を、容器本体４２内に配置して、活性化したウエハ裏面１２ａにＨＭＤＳの蒸気を接触させる。このとき、容器内に加熱機器があれば、シャーレ４３内のＨＭＤＳ１４を３０℃まで加熱して、飽和蒸気にすることができ、より効率的にＨＭＤＳの蒸気をウエハ裏面１２ａに接触することができる。

このように、シリル化剤であるＨＭＤＳを蒸気（好ましくは飽和蒸気）にし、気相でシリル化剤をウエハ裏面１２ａに晒し、ウエハ裏面１２ａのシラノール基の水酸基をアルキル基に置換反応（シリル化反応）する、シリル化処理を行うので、短時間で均一にウエハ裏面１２ａを改質することができる。また、ウエハ裏面１２ａにＨＭＤＳを均一に塗布できるのであれば、例えば、液体のＨＭＤＳをウエハ裏面１２ａに噴霧して、この裏面のシラノール基を液相反応させてもよい。また、ＨＭＤＳを気化させたガスを用いて、この裏面のシラノール基を気相反応させてもよい。

さらに、図１の（ｄ）に示すように、半導体ウエハ１０の回路部１１に貼り付けた表面保護テープ１６を剥離し、シリル化処理を行ったウエハ裏面１２ａに、ダイシングテープ１３を貼り付ける。ここに示すダイシングテープ１３は、ポリエステルや、伸縮性のあるポリ塩化ビニルやポリエチレンなどのフィルムを支持体に使用し、紫外線によって硬化する粘着剤を使用した粘着テープであり、この他にも、紫外線によって、ウエハとテープの接着界面にガスが発生する粘着剤を使用した自己剥離型粘着テープを用いてもよい。

そして、図１の（ｅ）に示すように、回転させたブレード５２を、図１の（ｄ）に示す半導体ウエハ１０の表面（回路部１１の表面）に押圧し、切削することにより、半導体チップ１５に分割する。図では、半導体ウエハ１０をフルカットダイシングしているが、ウエハ厚さの途中の深さまでブレード５２を用いて切り込みを入れるハーフカットダイシング処理後、この切り込みに沿って割るようなブレーキング処理を行って、半導体チップ１５に分割してもよい。そして、図１の（ｅ）の分割後に、図示する下方からダイシングテープ表面に、紫外線を照射させて、粘着剤を硬化させ、粘着力を低下させている（図示せず）。

図１の（ｆ）に示すように、分割した半導体チップ１５をダイシングテープ１３の下方から、ニードル６１を突き上げて、半導体チップ１５をダイシングテープ１３から剥離させる。この剥離させた半導体チップ１５をコレット６２で吸引把持する。

このように、半導体チップ１５を、ダイシングテープ１３から剥離させる場合には、ダイシングテープ１３を半導体ウエハ１０に貼り付ける前に、ウエハ裏面１２ａのシラノール基の水酸基をアルキル基に置換反応（シリル化反応）し、ウエハ裏面１２ａは改質しているので、紫外線照射後の半導体チップ１５を損傷すること無く剥離することができる。また、ウエハ裏面１２ａをシリル化剤で処理する前に、ウエハ裏面１２ａを活性化処理することで、さらに剥離性を向上ことができる。

上述した本実施形態により実施したいくつかの実施例を以下に示す。

（実施例１〜３）
実施例１：基材部と回路部からなる半導体ウエハを準備し、ウエハ裏面（電極形成された半導体ウエハの裏面）を研磨した。そして、液体のＨＭＤＳを３０℃に保持し飽和蒸気状態とし、この飽和蒸気状態のＨＭＤＳを６０秒間接触させた。

実施例２：実施例１と同等の半導体ウエハを準備し、実施例１と同じく、そのウエハ裏面の研磨を行った。そして常圧プラズマ装置ＡＰ−Ｔ０５（積水化学工業製）を用いて、処理幅１５０ｍｍ、クリアランス１ｍｍで配置した電極の間に、電力２８０Ｗ、周波数２０ＫＨｚの条件で電圧を印加し、この電極間に窒素ガスのみからなるガスを２５Ｌ／ｍ^３流してプラズマ化し、該ガスをこの研磨面に吹付けて、活性化処理を行った。さらに、装置の処理ヘッドを、１００ｍｍ／分の条件で、この活性化したウエハ裏面に対して相対移動させ、実施例１と同条件で、この活性化したウエハ裏面を飽和蒸気状態のＨＭＤＳに晒して、シリル化処理をおこなった。

実施例３：実施例１と同等の半導体ウエハを準備し、そのウエハ裏面の研磨を行った。そして、この研磨面に３．１ｍＷ／ｃｍ^２、３０分の条件で、紫外線を照射し、活性化処理をおこなった。さらに、この活性化したウエハ裏面を実施例１と同条件で、飽和蒸気状態のＨＭＤＳに晒して、シリル化処理を行った。

（比較例１）
比較例１は、実施例１と同じ半導体ウエハを準備し、実施例１と同じく、そのウエハ裏面の研磨のみを行った。
実施例１〜３、比較例１のウエハ裏面に対して水を接触させて、その接触角度を測定した。この結果を以下の表１に示す。なお参考例は、上述した研磨を行う前のウエハ裏面の接触角度を示している。

実施例１〜３の処理を行ったものは、比較例１の研磨処理のみのものに比べ、接触角度が大きい。また、実施例２、３の如き活性化処理を行った後にＨＭＤＳの処理を行ったものは、実施例１如きＨＭＤＳの処理のみを行ったものに比べ、さらに接触角度が大きい。

この結果から、実施例１〜３は、ウエハ裏面にＨＭＤＳを接触させたことによって、比較例１に比べ接触角が大きくなったと考えられる。そして、接触角が大きいことから、実施例１〜３のウエハ裏面は、比較例１のウエハ裏面とは異なり、シラノール基の水酸基がアルキル基に置換反応し、ウエハ裏面が改質された（疎水性になった）考えられ、ダイシングテープに対する剥離性が向上する（密着性を緩和する）と考えられる。

さらに、ウエハ裏面をＨＭＤＳに接触させる前に、そのウエハ裏面を活性化処理するとシラノール基が増加するので、シリル化反応により、増加したシラノール基の水酸基がアルキル基に置換されるので表面改質の効果がさらに得られ、ダイシングテープに対する剥離性はより向上すると考えられる。なお、比較例１と参考例１を比べると、半導体ウエハの裏面を研磨することで、シラノール基が増加し、その研磨面の性質は、親水性になったと考えられる。

（実施例４）
実施例４は、実施例２と同じ条件で半導体ウエハの裏面を処理し、この処理面に、２５ｍｍ幅のＵＶ硬化型ダイシングテープＳＵＭＩＬＩＴＥ−ＦＳＬ−Ｎ４６０５（住友ベークライト製）を貼り付けて、ダイシングテープに照度８０ｍＷ／ｃｍ^２、積算光量１８０〜２００Ｊ／ｃｍ^２の範囲に収まるように紫外線を照射した。

（比較例２）
比較例２は、実施例１と同じ半導体ウエハを準備し、実施例１と同じく、そのウエハ裏面の研磨のみを行い、この研磨面に、実施例４と同じダイシングテープを貼り付けて、実施例４と同一条件で作業をおこなった。

そして、実施例４及び比較例２におけるウエハ裏面とダイシングテープとの粘着力を測定した。具体的には、ＪＩＳ−Ｚ０２３７（粘着テープ・粘着シート試験方法）に準じて、引張り試験機を用いて、半導体ウエハに貼り付けたダイシングテープを引き剥がし、１８０°引き剥がし粘着力を測定した。

実施例４の処理を行ったものは、比較例２のウエハ裏面の研磨処理のみのものに比べ、粘着力は小さかった。この結果から、実施例４は、ウエハ裏面を、活性化処理し、ＨＭＤＳに晒したことによって、ウエハ裏面が改質し、その結果、比較例２よりも、紫外線照射後の密着性（粘着力）が緩和し、容易にチップをテープから剥離できたと考えられる。

以上、本発明の半導体チップの製造方法の実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。

本実施形態では、電極形成された半導体ウエハの裏面に接触させるシリル化剤からなるＨＭＤＳを用いて処理を行ったが、半導体の物性およびＨＭＤＳのシリル化反応に影響を与えないものであれば他の物質が介在してもよく、また、ＨＭＤＳをウエハ裏面に晒すことにより処理ができれば、例えば気相反応中のガス雰囲気が大気以外のガスであってもよく、その処理方法は特に限定されない。

また、ウエハ裏面の活性化処理に常圧プラズマ処理を行ったが、処理時にウエハの電極形成部にダメージを与えることがない処理であれば、例えば、低圧法のプラズマ処理でもよい。

図１は本発明による半導体チップの製造方法の一連の製造工程を説明するための図であり、（ａ）は研磨、（ｂ）は活性化処理、（ｃ）はシリル化処理、（ｄ）はテープ貼り付け、（ｅ）はダイシング、（ｆ）はピックアップの作業を説明するための図。

符号の説明

２：研磨装置、３：プラズマ処理装置、３ａ：プラズマ化したガス、４：処理容器、５：ダイシング装置、６：ピックアップ装置、１０：半導体ウエハ、１１：回路部、１２：基材部、１２ａ：ウエハ裏面（基材部の表面）、１３：ダイシングテープ、１４：ＨＭＤＳ（シリル化剤）、１５：半導体チップ、１６：表面保護テープ、２２：砥石、３１，３２：平行電極、３４：ガス供給源、５２：ブレード、６１：ニードル、６２：コレット

Claims (5)

1. ダイシング工程において、電極形成された半導体ウエハの裏面にダイシングテープを貼り付け、該半導体ウエハのみを分割して半導体チップとし、該半導体チップを前記ダイシングテープから剥離する半導体チップの製造方法であって、
   前記半導体ウエハの前記裏面にプラズマ化したガスを吹付ける処理により、前記裏面を活性化する処理を行い、
   該活性化処理後に、前記半導体ウエハの前記裏面をＨＭＤＳからなるシリル化剤で処理してから、前記半導体ウエハの前記裏面に前記ダイシングテープを貼り付けることを特徴とする半導体チップの製造方法。
2. ダイシング工程において、電極形成された半導体ウエハの裏面にダイシングテープを貼り付け、該半導体ウエハのみを分割して半導体チップとし、該半導体チップを前記ダイシングテープから剥離する半導体チップの製造方法であって、
   前記半導体ウエハの前記裏面にコロナ放電により生成したガスを吹付ける処理により、前記裏面を活性化する処理を行い、
   該活性化処理後に、前記半導体ウエハの前記裏面をＨＭＤＳからなるシリル化剤で処理してから、前記半導体ウエハの前記裏面に前記ダイシングテープを貼り付けることを特徴とする半導体チップの製造方法。
3. ダイシング工程において、電極形成された半導体ウエハの裏面にダイシングテープを貼り付け、該半導体ウエハのみを分割して半導体チップとし、該半導体チップを前記ダイシングテープから剥離する半導体チップの製造方法であって、
   前記半導体ウエハの前記半導体ウエハの前記裏面に紫外線を照射する処理により、前記裏面を活性化する処理を行い、
   該活性化処理後に、前記半導体ウエハの前記裏面をＨＭＤＳからなるシリル化剤で処理してから、前記半導体ウエハの前記裏面に前記ダイシングテープを貼り付けることを特徴とする半導体チップの製造方法。
4. 前記ガスは、大気、希ガス、窒素、水素、又はこれらの混合ガスであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体チップの製造方法。
5. 前記半導体ウエハの前記裏面を前記シリル化剤で処理するときは、該シリル化剤の蒸気又はガスに接触させて、前記半導体ウエハの前記裏面の処理を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。

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