JPH10332332A - 領域の検出方法 - Google Patents
領域の検出方法Info
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- JPH10332332A JPH10332332A JP9138276A JP13827697A JPH10332332A JP H10332332 A JPH10332332 A JP H10332332A JP 9138276 A JP9138276 A JP 9138276A JP 13827697 A JP13827697 A JP 13827697A JP H10332332 A JPH10332332 A JP H10332332A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 34
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 45
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】複数の回路面が深さ方向に積層された半導体ウ
ェーハ等において、赤外線を利用した撮像により、半導
体ウェーハ等の内部から特定の領域を検出する。 【解決手段】検出すべき領域の深さ方向の位置を予め記
憶手段に記憶させておき、半導体ウェーハに赤外線を照
射すると共に、記憶手段に記憶させた深さ方向の位置に
焦点を合わせて撮像することによって所望の領域を検出
する。
ェーハ等において、赤外線を利用した撮像により、半導
体ウェーハ等の内部から特定の領域を検出する。 【解決手段】検出すべき領域の深さ方向の位置を予め記
憶手段に記憶させておき、半導体ウェーハに赤外線を照
射すると共に、記憶手段に記憶させた深さ方向の位置に
焦点を合わせて撮像することによって所望の領域を検出
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線を利用した
撮像により、半導体ウェーハ等の内部に形成された特定
の領域を検出する方法に関し、詳しくは、深さ方向に複
数積層された回路面の中から、特定の領域を検出するよ
うにした領域の検出方法に関するものである。
撮像により、半導体ウェーハ等の内部に形成された特定
の領域を検出する方法に関し、詳しくは、深さ方向に複
数積層された回路面の中から、特定の領域を検出するよ
うにした領域の検出方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６に示すようなＩＣ等の回路が表面に
複数形成された半導体ウェーハ５０は、ストリート５１
によって区画されており、切削領域であるストリート５
１に沿って切削される前に、回路面に形成された特殊な
パターンであるターゲット５２が撮像手段によって検出
される等して、切削すべきストリート５１が検出され
る。
複数形成された半導体ウェーハ５０は、ストリート５１
によって区画されており、切削領域であるストリート５
１に沿って切削される前に、回路面に形成された特殊な
パターンであるターゲット５２が撮像手段によって検出
される等して、切削すべきストリート５１が検出され
る。
【０００３】例えば、図６に示す回路においては、ター
ゲット５２とストリート５１との位置関係が予め決まっ
ており、両者の位置関係は、切削装置に備えたメモリ等
の記憶手段に予め記憶されている。従って、ターゲット
５２が検出されれば、自動的にストリート５１も検出さ
れる。
ゲット５２とストリート５１との位置関係が予め決まっ
ており、両者の位置関係は、切削装置に備えたメモリ等
の記憶手段に予め記憶されている。従って、ターゲット
５２が検出されれば、自動的にストリート５１も検出さ
れる。
【０００４】しかし、上記の手法では、半導体ウェーハ
の表裏を反転して裏面を上にして裏面側から切削を遂行
したり、または回路面がサンドイッチ状に内部に形成さ
れた回路が表裏面に現れない特殊なワークを切削したり
する場合には、切削すべき領域を検出することができな
い。
の表裏を反転して裏面を上にして裏面側から切削を遂行
したり、または回路面がサンドイッチ状に内部に形成さ
れた回路が表裏面に現れない特殊なワークを切削したり
する場合には、切削すべき領域を検出することができな
い。
【０００５】そこで出願人は、赤外線の透過性を利用す
れば、半導体ウェーハの内部を観察できることに着目
し、赤外線を利用した撮像手段を開発し、特開平７−７
５９５５号公報において開示した。
れば、半導体ウェーハの内部を観察できることに着目
し、赤外線を利用した撮像手段を開発し、特開平７−７
５９５５号公報において開示した。
【０００６】赤外線の透過性を利用すれば、焦点の位置
を調整することにより、半導体ウェーハの裏面や内部を
撮像することもでき、検出すべき回路面が裏面や内部に
形成されている場合にも、切削すべき領域を検出するこ
とができる。
を調整することにより、半導体ウェーハの裏面や内部を
撮像することもでき、検出すべき回路面が裏面や内部に
形成されている場合にも、切削すべき領域を検出するこ
とができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、複数の回路
面が積層されている半導体ウェーハにおいては、赤外線
を照射して深さ方向の焦点を変化させると、赤外線の透
過性によって積層された複数の回路面を検出してしま
い、ストリートとの位置関係が予めわかっているターゲ
ットを有する回路面がどれであるのかを探し出すことが
できないという問題が生じる。また、オートフォーカス
により自動的に焦点を合わせる場合にも、撮像素子が焦
点位置を判断することができないことがありうる。
面が積層されている半導体ウェーハにおいては、赤外線
を照射して深さ方向の焦点を変化させると、赤外線の透
過性によって積層された複数の回路面を検出してしま
い、ストリートとの位置関係が予めわかっているターゲ
ットを有する回路面がどれであるのかを探し出すことが
できないという問題が生じる。また、オートフォーカス
により自動的に焦点を合わせる場合にも、撮像素子が焦
点位置を判断することができないことがありうる。
【０００８】従って、従来の赤外線による切削領域の検
出においては、検出すべき回路面を的確に検出できるよ
うにすることに解決しなければならない課題を有してい
る。
出においては、検出すべき回路面を的確に検出できるよ
うにすることに解決しなければならない課題を有してい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、半導体ウェーハの内部に
形成された検出すべき領域を赤外線によって撮像して検
出する領域の検出方法であって、半導体ウェーハの種別
によって検出すべき領域の深さ方向の位置を予め記憶手
段に記憶させておき、該記憶手段に記憶させた位置に撮
像手段の焦点を合わせて半導体ウェーハの所要位置を検
出するようにした領域の検出方法を提供するものであ
る。
の具体的手段として本発明は、半導体ウェーハの内部に
形成された検出すべき領域を赤外線によって撮像して検
出する領域の検出方法であって、半導体ウェーハの種別
によって検出すべき領域の深さ方向の位置を予め記憶手
段に記憶させておき、該記憶手段に記憶させた位置に撮
像手段の焦点を合わせて半導体ウェーハの所要位置を検
出するようにした領域の検出方法を提供するものであ
る。
【００１０】本発明においては、半導体ウェーハの種別
によって検出すべき領域の深さ方向の位置を予め記憶手
段に記憶させておき、記憶手段に記憶させた位置に撮像
手段の焦点を合わせて半導体ウェーハの所要位置を検出
するようにしたことにより、複数の回路面が積層された
半導体ウェーハであっても、検出すべき領域を的確かつ
迅速に検出することができる。
によって検出すべき領域の深さ方向の位置を予め記憶手
段に記憶させておき、記憶手段に記憶させた位置に撮像
手段の焦点を合わせて半導体ウェーハの所要位置を検出
するようにしたことにより、複数の回路面が積層された
半導体ウェーハであっても、検出すべき領域を的確かつ
迅速に検出することができる。
【００１１】また、本発明は、撮像手段は、記憶手段に
記憶させた位置の誤差範囲内で、オートフォーカスを遂
行して焦点の位置を修正できるようにしたこと、記憶手
段に記憶させた位置は、撮像手段によって撮像して得た
情報に基づいてオペレータが観察して検出した位置、ま
たは、半導体ウェーハの製造過程において設計上決定さ
れた位置のいずれかであること、撮像手段は、半導体ウ
ェーハを切削する切削装置に配設され、切削の前に領域
の検出が遂行されること、を付加的要件とするものであ
る。
記憶させた位置の誤差範囲内で、オートフォーカスを遂
行して焦点の位置を修正できるようにしたこと、記憶手
段に記憶させた位置は、撮像手段によって撮像して得た
情報に基づいてオペレータが観察して検出した位置、ま
たは、半導体ウェーハの製造過程において設計上決定さ
れた位置のいずれかであること、撮像手段は、半導体ウ
ェーハを切削する切削装置に配設され、切削の前に領域
の検出が遂行されること、を付加的要件とするものであ
る。
【００１２】撮像手段は、記憶手段に記憶させた位置の
誤差範囲内で、撮像手段によりオートフォーカスを遂行
して焦点の位置を修正できるようにしたことにより、記
憶させた位置が正確でなかったり、検出すべき領域を有
する回路面に高低差があったりする場合であっても、検
出すべき領域を的確に検出することができる。
誤差範囲内で、撮像手段によりオートフォーカスを遂行
して焦点の位置を修正できるようにしたことにより、記
憶させた位置が正確でなかったり、検出すべき領域を有
する回路面に高低差があったりする場合であっても、検
出すべき領域を的確に検出することができる。
【００１３】また、記憶手段に記憶させた位置は、撮像
手段によって撮像して得た情報に基づいてオペレータが
観察して検出した位置、または、半導体ウェーハの製造
過程において設計上決定された位置のいずれかであるこ
とにより、検出すべき領域の深さ方向の位置が製造段階
で決まっている場合には、予め記憶手段にその位置を記
憶させておくことができ、また、製造段階で決まってい
ない場合には、半導体ウェーハの内部を撮像することに
よって検出すべき領域を検出して位置を記憶させること
ができる。
手段によって撮像して得た情報に基づいてオペレータが
観察して検出した位置、または、半導体ウェーハの製造
過程において設計上決定された位置のいずれかであるこ
とにより、検出すべき領域の深さ方向の位置が製造段階
で決まっている場合には、予め記憶手段にその位置を記
憶させておくことができ、また、製造段階で決まってい
ない場合には、半導体ウェーハの内部を撮像することに
よって検出すべき領域を検出して位置を記憶させること
ができる。
【００１４】更に、撮像手段は、半導体ウェーハを切削
する切削装置に配設され、切削の前に領域の検出が遂行
されることにより、切削位置のアライメントを正確に行
うことができる。
する切削装置に配設され、切削の前に領域の検出が遂行
されることにより、切削位置のアライメントを正確に行
うことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例とし
て、半導体ウェーハを切削（ダイシング）する際に行う
切削領域の検出について説明する。
て、半導体ウェーハを切削（ダイシング）する際に行う
切削領域の検出について説明する。
【００１６】切削しようとする半導体ウェーハ１０の内
部には、図１に示すように、複数の回路面、例えば回路
面１１、１２が積層されており、積層された複数の回路
面のうちの一つの回路面１１には、従来例で示した半導
体ウェーハと同様に、切削領域であるストリートが形成
され、また、当該ストリートと一定の位置関係を有する
特殊なパターンであるターゲットが形成されている。ま
た、通常、半導体ウェーハ１０は、図２に示すように回
路が形成された表面を表側にして、保持テープ１５を介
してフレーム１６に保持されているが、本実施の形態に
おいては、回路面は裏側になるか、またはサンドイッチ
状になって内部に形成されており、視認することはでき
ない。
部には、図１に示すように、複数の回路面、例えば回路
面１１、１２が積層されており、積層された複数の回路
面のうちの一つの回路面１１には、従来例で示した半導
体ウェーハと同様に、切削領域であるストリートが形成
され、また、当該ストリートと一定の位置関係を有する
特殊なパターンであるターゲットが形成されている。ま
た、通常、半導体ウェーハ１０は、図２に示すように回
路が形成された表面を表側にして、保持テープ１５を介
してフレーム１６に保持されているが、本実施の形態に
おいては、回路面は裏側になるか、またはサンドイッチ
状になって内部に形成されており、視認することはでき
ない。
【００１７】半導体ウェーハ１０のダイシングは、例え
ば、図３に示す切削装置の一つであるダイシング装置２
０において行われる。このダイシング装置２０において
は、フレーム１６に保持された半導体ウェーハ１０は、
チャックテーブル２１に載置される。そして、チャック
テーブル２１のＸ軸方向の移動によって、アライメント
ユニット２２の直下に半導体ウェーハ１０が位置付けら
れ、装置の内部に設けられて装置の各部を制御する制御
装置（図示せず）の制御の下、パターンマッチングによ
りターゲットを検出し、切削位置であるストリート１３
と切削ブレード２３との位置合わせ、即ち、アライメン
トが遂行される。
ば、図３に示す切削装置の一つであるダイシング装置２
０において行われる。このダイシング装置２０において
は、フレーム１６に保持された半導体ウェーハ１０は、
チャックテーブル２１に載置される。そして、チャック
テーブル２１のＸ軸方向の移動によって、アライメント
ユニット２２の直下に半導体ウェーハ１０が位置付けら
れ、装置の内部に設けられて装置の各部を制御する制御
装置（図示せず）の制御の下、パターンマッチングによ
りターゲットを検出し、切削位置であるストリート１３
と切削ブレード２３との位置合わせ、即ち、アライメン
トが遂行される。
【００１８】アライメントユニット２２は、図４に示す
ように、光を照射する照明手段２３と、半導体ウェーハ
１０において反射した光を拡大する光学手段２４と、光
学手段２４から供給される光を撮像する撮像手段２５と
から概略構成されている。
ように、光を照射する照明手段２３と、半導体ウェーハ
１０において反射した光を拡大する光学手段２４と、光
学手段２４から供給される光を撮像する撮像手段２５と
から概略構成されている。
【００１９】照明手段２３は、内部に発光体２６を備え
ており、この発光体２６は、調光器２７を介して電源
（図示せず）に接続され、可視光線及び赤外線を発する
ことができる。また、発光体２６の下方には熱線吸収フ
ィルタ２８が取り付けられている。
ており、この発光体２６は、調光器２７を介して電源
（図示せず）に接続され、可視光線及び赤外線を発する
ことができる。また、発光体２６の下方には熱線吸収フ
ィルタ２８が取り付けられている。
【００２０】光学手段２４には、対物レンズ２９と、ハ
ーフミラー３０と、赤外線狭帯域フィルタ３１とを備え
ており、対物レンズ２９は、半導体ウェーハ１０と対峙
する位置に配設され、その上方に配設されたハーフミラ
ー３０は、グラスファイバー３２を介して照明手段２３
と接続されている。更に、ハーフミラー３０の上方に
は、赤外線のみを透過する赤外線狭帯域フィルタ３１が
配設されている。なお、ここに配設するフィルタは、赤
外線狭帯域フィルタと可視光線を透過する可視光線狭帯
域フィルタとを切り替えることができ、赤外線によるア
ライメント、可視光線によるアライメントができる切り
替え式のものであってもよい。
ーフミラー３０と、赤外線狭帯域フィルタ３１とを備え
ており、対物レンズ２９は、半導体ウェーハ１０と対峙
する位置に配設され、その上方に配設されたハーフミラ
ー３０は、グラスファイバー３２を介して照明手段２３
と接続されている。更に、ハーフミラー３０の上方に
は、赤外線のみを透過する赤外線狭帯域フィルタ３１が
配設されている。なお、ここに配設するフィルタは、赤
外線狭帯域フィルタと可視光線を透過する可視光線狭帯
域フィルタとを切り替えることができ、赤外線によるア
ライメント、可視光線によるアライメントができる切り
替え式のものであってもよい。
【００２１】撮像手段２５は、例えば、光域が広く可視
光線から赤外線までを認識可能なＣＣＤカメラ等の撮像
素子３３を含んでおり、光学手段２４に対して光軸が一
致するよう配設されている。更に、撮像手段２５には、
半導体ウェーハ１０の焦点位置を、例えばＺ軸上の座標
によって記憶させることができるメモリ等からなる記憶
手段３４を備え（制御装置内に備えてもよい）、この記
憶手段３４に記憶させた焦点位置に自動的に焦点を合わ
せる機能を有している。また、撮像手段２５はモニター
３５に接続され、撮像した画像はモニター３５に表示さ
れるようになっている。
光線から赤外線までを認識可能なＣＣＤカメラ等の撮像
素子３３を含んでおり、光学手段２４に対して光軸が一
致するよう配設されている。更に、撮像手段２５には、
半導体ウェーハ１０の焦点位置を、例えばＺ軸上の座標
によって記憶させることができるメモリ等からなる記憶
手段３４を備え（制御装置内に備えてもよい）、この記
憶手段３４に記憶させた焦点位置に自動的に焦点を合わ
せる機能を有している。また、撮像手段２５はモニター
３５に接続され、撮像した画像はモニター３５に表示さ
れるようになっている。
【００２２】通常、ターゲットを有する回路面のＺ軸上
の位置は、半導体ウェーハの設計段階で決定されてい
る。従って、アライメントを行う前に、予めＺ軸上の位
置を記憶手段３４に設定しておくことができる。また、
ターゲットを有する回路面のＺ軸上の位置が設計段階で
決定されていなかった場合には、撮像手段２５によって
撮像して得た情報に基づいてオペレータが観察して検出
した位置を記憶手段３４に設定すればよい。
の位置は、半導体ウェーハの設計段階で決定されてい
る。従って、アライメントを行う前に、予めＺ軸上の位
置を記憶手段３４に設定しておくことができる。また、
ターゲットを有する回路面のＺ軸上の位置が設計段階で
決定されていなかった場合には、撮像手段２５によって
撮像して得た情報に基づいてオペレータが観察して検出
した位置を記憶手段３４に設定すればよい。
【００２３】回路面１１のＺ軸上の位置を記憶させる際
は、ダイシング装置２０の操作パネル３６を操作して、
記憶手段３４に、回路面１１のＺ軸上の位置を数値によ
って入力して記憶させておく。例えば、図１に示したよ
うに、チャックテーブル２１の表面をＺ軸上の原点とし
た場合には、この原点からの相対的な距離Ｄが焦点位置
として記憶手段３４に設定される。
は、ダイシング装置２０の操作パネル３６を操作して、
記憶手段３４に、回路面１１のＺ軸上の位置を数値によ
って入力して記憶させておく。例えば、図１に示したよ
うに、チャックテーブル２１の表面をＺ軸上の原点とし
た場合には、この原点からの相対的な距離Ｄが焦点位置
として記憶手段３４に設定される。
【００２４】そして、照明手段２３の発光体２６から赤
外線成分を含む光を半導体ウェーハ１０に照射すると共
に、対物レンズ２９を上下動させる等して、予め記憶手
段３４に記憶させておいたＺ軸上の焦点位置Ｄに撮像素
子３３の焦点を合わせると、モニター３５には、図５に
示したようなターゲット１４を有する回路面１１の画像
が表示される。
外線成分を含む光を半導体ウェーハ１０に照射すると共
に、対物レンズ２９を上下動させる等して、予め記憶手
段３４に記憶させておいたＺ軸上の焦点位置Ｄに撮像素
子３３の焦点を合わせると、モニター３５には、図５に
示したようなターゲット１４を有する回路面１１の画像
が表示される。
【００２５】図５に示した回路面において、ストリート
１４は、所定間隔を置いて格子状に配列された直線状領
域であり、ストリート１４によって区画された多数の矩
形領域１７には、回路パターンが施されている。また、
ターゲット１４は、ストリート１３の切削位置の検出時
の基準となる特徴点であり、ストリート１３とターゲッ
ト１４との位置関係は予め記憶手段３４に記憶されてい
る。従って、ターゲット１４をパターンマッチング等で
検出すれば、自動的にストリート１３の位置を検出する
ことができ、ストリート１３と切削ブレード２３との位
置合わせ、即ち、アライメントが行われる。
１４は、所定間隔を置いて格子状に配列された直線状領
域であり、ストリート１４によって区画された多数の矩
形領域１７には、回路パターンが施されている。また、
ターゲット１４は、ストリート１３の切削位置の検出時
の基準となる特徴点であり、ストリート１３とターゲッ
ト１４との位置関係は予め記憶手段３４に記憶されてい
る。従って、ターゲット１４をパターンマッチング等で
検出すれば、自動的にストリート１３の位置を検出する
ことができ、ストリート１３と切削ブレード２３との位
置合わせ、即ち、アライメントが行われる。
【００２６】従来は、記憶手段３４に焦点位置を記憶さ
せておかなかったために、回路面が裏側になった半導体
ウェーハの場合には、回路面を検出することが困難であ
った。また、回路面がサンドイッチ状になって内部に複
数の回路面が積層されている回路面が表裏に現れないタ
イプの半導体ウェーハの場合は、深さ方向に焦点を変化
させると複数の回路面を検出してしまい、ストリートと
の位置関係がわかっている回路面のみを検出することが
困難であった。
せておかなかったために、回路面が裏側になった半導体
ウェーハの場合には、回路面を検出することが困難であ
った。また、回路面がサンドイッチ状になって内部に複
数の回路面が積層されている回路面が表裏に現れないタ
イプの半導体ウェーハの場合は、深さ方向に焦点を変化
させると複数の回路面を検出してしまい、ストリートと
の位置関係がわかっている回路面のみを検出することが
困難であった。
【００２７】しかし、記憶手段３４に焦点位置を記憶さ
せておけば、撮像素子３３は、記憶手段３４に記憶させ
た焦点位置に焦点を合わせるのみで容易に所望の回路面
を検出することができるのである。従って、オペレータ
がモニター３５に映し出された画像を見ながら焦点を定
める必要がなくなる。
せておけば、撮像素子３３は、記憶手段３４に記憶させ
た焦点位置に焦点を合わせるのみで容易に所望の回路面
を検出することができるのである。従って、オペレータ
がモニター３５に映し出された画像を見ながら焦点を定
める必要がなくなる。
【００２８】更に、自動的に焦点を合わせる場合にも、
記憶手段３４に記憶させた焦点位置を固定データとして
扱うことにより、固定フォーカスとして焦点を合わせる
ことができる。
記憶手段３４に記憶させた焦点位置を固定データとして
扱うことにより、固定フォーカスとして焦点を合わせる
ことができる。
【００２９】また、記憶手段３４に記憶させた焦点位置
が必ずしも正確でなかったり、ターゲットを有する回路
面に高低差があったりする場合もありうるが、このよう
な場合であっても、記憶手段３４に記憶させる焦点位置
を基準として、一定の範囲を誤差範囲とし、その誤差範
囲内においてオートフォーカスにより焦点を合わせるよ
うにすれば、焦点の位置を修正して的確に所望の回路面
を検出することができる。
が必ずしも正確でなかったり、ターゲットを有する回路
面に高低差があったりする場合もありうるが、このよう
な場合であっても、記憶手段３４に記憶させる焦点位置
を基準として、一定の範囲を誤差範囲とし、その誤差範
囲内においてオートフォーカスにより焦点を合わせるよ
うにすれば、焦点の位置を修正して的確に所望の回路面
を検出することができる。
【００３０】以上のようにして切削すべき領域が検出さ
れてアライメントが行われた後、検出された領域が切削
されてダイシングが行われるのである。
れてアライメントが行われた後、検出された領域が切削
されてダイシングが行われるのである。
【００３１】なお、本発明に係る領域の検出方法は、上
記説明したアライメント時の切削領域の検出だけでな
く、切削途中における切削状況の監視等にも利用するこ
とができる。
記説明したアライメント時の切削領域の検出だけでな
く、切削途中における切削状況の監視等にも利用するこ
とができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェーハの種別によって検出すべき領域の深さ方向の位置
を予め記憶手段に記憶させておき、記憶手段に記憶させ
た位置に撮像手段の焦点を合わせて半導体ウェーハの所
要位置を検出するようにしたことにより、複数の回路面
が積層された半導体ウェーハであっても、検出すべき領
域を的確かつ迅速に検出することができるため、切削等
を正確かつ効率よく遂行することができる。
ェーハの種別によって検出すべき領域の深さ方向の位置
を予め記憶手段に記憶させておき、記憶手段に記憶させ
た位置に撮像手段の焦点を合わせて半導体ウェーハの所
要位置を検出するようにしたことにより、複数の回路面
が積層された半導体ウェーハであっても、検出すべき領
域を的確かつ迅速に検出することができるため、切削等
を正確かつ効率よく遂行することができる。
【００３３】撮像手段は、記憶手段に記憶させた位置の
誤差範囲内で、撮像手段によりオートフォーカスを遂行
して焦点の位置を修正できるようにしたことにより、記
憶させた位置が正確でなかったり、検出すべき領域を有
する回路面に高低差があったりする場合であっても、検
出すべき領域を的確に検出することができるため、自動
的かつ正確に領域を検出することができる。
誤差範囲内で、撮像手段によりオートフォーカスを遂行
して焦点の位置を修正できるようにしたことにより、記
憶させた位置が正確でなかったり、検出すべき領域を有
する回路面に高低差があったりする場合であっても、検
出すべき領域を的確に検出することができるため、自動
的かつ正確に領域を検出することができる。
【００３４】また、記憶手段に記憶させた位置は、撮像
手段によって撮像して得た情報に基づいてオペレータが
観察して検出した位置、または、半導体ウェーハの製造
過程において設計上決定された位置のいずれかであるこ
とにより、検出すべき領域の深さ方向の位置が製造段階
で決まっている場合には、予め記憶手段にその位置を記
憶させておくことができ、また、製造段階で決まってい
ない場合には、半導体ウェーハの内部を撮像することに
よって検出すべき領域を検出して位置を記憶させること
ができるため、いずれの場合にも的確に検出すべき領域
を検出することができる。
手段によって撮像して得た情報に基づいてオペレータが
観察して検出した位置、または、半導体ウェーハの製造
過程において設計上決定された位置のいずれかであるこ
とにより、検出すべき領域の深さ方向の位置が製造段階
で決まっている場合には、予め記憶手段にその位置を記
憶させておくことができ、また、製造段階で決まってい
ない場合には、半導体ウェーハの内部を撮像することに
よって検出すべき領域を検出して位置を記憶させること
ができるため、いずれの場合にも的確に検出すべき領域
を検出することができる。
【００３５】更に、撮像手段は、半導体ウェーハを切削
する切削装置に配設され、切削の前に領域の検出が遂行
されることにより、切削位置のアライメントを正確に行
うことができ、ダイシングを正確に行うことができる。
する切削装置に配設され、切削の前に領域の検出が遂行
されることにより、切削位置のアライメントを正確に行
うことができ、ダイシングを正確に行うことができる。
【図１】本発明に係る領域の検出方法の実施の形態を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】同領域の検出方法により検出される回路面を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】同領域の検出方法による領域の検出の対象とな
る半導体ウェーハを示す説明図である。
る半導体ウェーハを示す説明図である。
【図４】同領域の検出方法の実施に用いる装置の一つで
あるダイシング装置を示す説明図である。
あるダイシング装置を示す説明図である。
【図５】ダイシング装置に備えたアライメントユニット
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図６】従来の領域の検出方法によって検出された半導
体ウェーハの表面を示す説明図である。
体ウェーハの表面を示す説明図である。
１０：半導体ウェーハ １１、１２：回路面 １３：ス
トリート １４：ターゲット １５：保持テープ １６：フレーム
１７：矩形領域 ２０：ダイシング装置 ２１：チャックテーブル ２
２：アライメントユニット ２３：切削ブレード ２４：光学手段 ２５：撮像手段
２６：発光体 ２７：調光器 ２８：熱線吸収フィルタ ２９：対物レ
ンズ ３０：ハーフミラー ３１：赤外線狭帯域フィルタ ３
２：グラスファイバー ３３：撮像素子 ３４：記憶手段 ３５：モニター ３
６：操作パネル ５０：半導体ウェーハ ５１：ストリート ５２：ター
ゲット
トリート １４：ターゲット １５：保持テープ １６：フレーム
１７：矩形領域 ２０：ダイシング装置 ２１：チャックテーブル ２
２：アライメントユニット ２３：切削ブレード ２４：光学手段 ２５：撮像手段
２６：発光体 ２７：調光器 ２８：熱線吸収フィルタ ２９：対物レ
ンズ ３０：ハーフミラー ３１：赤外線狭帯域フィルタ ３
２：グラスファイバー ３３：撮像素子 ３４：記憶手段 ３５：モニター ３
６：操作パネル ５０：半導体ウェーハ ５１：ストリート ５２：ター
ゲット
Claims (4)
- 【請求項１】半導体ウェーハの内部に形成された検出す
べき領域を赤外線によって撮像して検出する領域の検出
方法であって、半導体ウェーハの種別によって前記検出
すべき領域の深さ方向の位置を予め記憶手段に記憶させ
ておき、該記憶手段に記憶させた位置に撮像手段の焦点
を合わせて半導体ウェーハの所要位置を検出するように
した領域の検出方法。 - 【請求項２】撮像手段は、記憶手段に記憶させた位置の
誤差範囲内で、オートフォーカスを遂行して焦点の位置
を修正できるようにした請求項１に記載の領域の検出方
法。 - 【請求項３】記憶手段に記憶させた位置は、撮像手段に
よって撮像して得た情報に基づいてオペレータが観察し
て検出した位置、または、半導体ウェーハの製造過程に
おいて設計上決定された位置のいずれかである請求項１
または２に記載の領域の検出方法。 - 【請求項４】撮像手段は、半導体ウェーハを切削する切
削装置に配設され、切削の前に領域の検出が遂行される
請求項１、２または３に記載の領域の検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13827697A JP3813692B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | ダイシング装置における半導体ウェーハ内部の特殊なパターンの検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13827697A JP3813692B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | ダイシング装置における半導体ウェーハ内部の特殊なパターンの検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10332332A true JPH10332332A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3813692B2 JP3813692B2 (ja) | 2006-08-23 |
Family
ID=15218140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13827697A Expired - Lifetime JP3813692B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | ダイシング装置における半導体ウェーハ内部の特殊なパターンの検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3813692B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001827A1 (ja) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Disco Corporation | 半導体ウエーハの分割方法および分割装置 |
| US6893943B2 (en) | 1999-03-11 | 2005-05-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of dividing a semiconductor wafer |
| KR100832823B1 (ko) | 2006-06-06 | 2008-05-28 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 디바이스의 제조 방법, 다이싱 방법 및 다이싱 장치 |
| CN107262945A (zh) * | 2016-04-06 | 2017-10-20 | 株式会社迪思科 | 晶片的生成方法 |
| JP2019025583A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02170279A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | 被検査対象パターンの欠陥検出方法及びその装置 |
| JPH06307826A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-11-04 | Toshiba Corp | マスク検査装置 |
| JPH0775955A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 精密切削装置 |
| JPH10223571A (ja) * | 1997-02-05 | 1998-08-21 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-05-28 JP JP13827697A patent/JP3813692B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02170279A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | 被検査対象パターンの欠陥検出方法及びその装置 |
| JPH06307826A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-11-04 | Toshiba Corp | マスク検査装置 |
| JPH0775955A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 精密切削装置 |
| JPH10223571A (ja) * | 1997-02-05 | 1998-08-21 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6893943B2 (en) | 1999-03-11 | 2005-05-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of dividing a semiconductor wafer |
| WO2004001827A1 (ja) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Disco Corporation | 半導体ウエーハの分割方法および分割装置 |
| KR100832823B1 (ko) | 2006-06-06 | 2008-05-28 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 디바이스의 제조 방법, 다이싱 방법 및 다이싱 장치 |
| CN107262945A (zh) * | 2016-04-06 | 2017-10-20 | 株式会社迪思科 | 晶片的生成方法 |
| JP2019025583A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3813692B2 (ja) | 2006-08-23 |
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