TWI829930B - 雷射加工裝置的光軸調整方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]提供一種雷射加工裝置的光軸調整方法,可抑止雷射加工裝置的光軸調整所需的工時。[解決手段] 雷射加工裝置的光軸調整方法是調整雷射加工裝置的雷射光束的光路之方法,該雷射裝置具備傳遞從雷射振盪器射出的雷射光束之多個光學零件,及具有調整雷射光束的位置的調整機構之光學零件保持座。雷射加工裝置的光軸調整方法包含:位置檢測步驟,振盪來自雷射振盪器的雷射,並以配設在加工點的位置檢測單元檢測雷射光束的位置;記憶步驟,將在位置檢測步驟檢測出的雷射光束的位置作為基準位置並記憶;以及調整步驟,在雷射光束的位置從基準位置偏移時,調整光學零件保持座的調整機構並將雷射光束的位置調整為與基準位置一致。
Description
本發明係關於一種雷射加工裝置的光軸調整方法。
為了將半導體晶圓分割為晶片尺寸,已知一種對半導體晶圓照射雷射光束而形成加工槽或改質層以進行分割之雷射加工裝置(例如參閱專利文獻1及專利文獻2)。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-275912號公報
[專利文獻2]日本特開2017-163079號公報
[發明所欲解決的課題]
一般而言,既有的雷射加工裝置的構成為:從裝配的雷射振盪器到加工被加工物之加工點為止,經過反射鏡或透鏡等多個光學零件傳遞雷射光束,藉由聚光透鏡使雷射光束聚光並照射至被加工物。
在此,當在構成雷射加工裝置的光學零件發生髒汙或焦黃時,則會發生雷射光束的輸出下降或光束形狀的變形等,而有未獲得期望的加工結果成為加工不良的案例。
為了特定加工不良的原因,須將光學零件一個一個取出確認,進行清潔或更換等的作業。然而,一旦將光學零件取出則會導致雷射加工裝置的光軸偏移,故不得不實施不勝其煩的光軸調整作業,花費大量工時。
因此,本發明的目的係提供一種雷射加工裝置的光軸調整方法,可抑止雷射加工裝置的光軸調整所需的工時。
[解決課題的技術手段]
根據本發明提供一種雷射加工裝置的光軸調整方法,所述雷射加工裝置具備雷射光束照射單元,該雷射光束照射單元包含:雷射振盪器;多個光學零件,將從該雷射振盪器射出的雷射光束往加工被加工物的加工點傳遞;以及光學零件保持座,保持該光學零件,並具有調整該雷射光束的位置的調整機構;該雷射加工裝置的光軸調整方法具備:位置檢測步驟,振盪來自該雷射振盪器的雷射,並以配設在加工點的位置檢測單元檢測該雷射光束的位置;記憶步驟,將在該位置檢測步驟檢測出的雷射光束的位置作為基準位置並記憶;以及調整步驟,在該雷射光束的位置從該基準位置偏移時,調整該光學零件保持座的調整機構並將該雷射光束的位置調整為與該基準位置一致。
[發明功效]
本案發明發揮可抑止雷射加工裝置的光軸調整所需工時之效果。
以下參閱圖式詳細說明本發明的實施方式。本發明並不由以下的實施方式所記載的內容所限定。另外,以下記載的構成要素包含本發明所屬技術領域中具有通常知識者可輕易思及、實質上為相同之技術內容。進而,以下記載的構成可進行適當的組合。另外,在不脫離本發明要旨的範圍內可進行構成之各種省略、置換或變更。
基於圖式說明本發明的實施方式之雷射加工裝置的光軸調整方法。圖1係表示進行實施方式的雷射加工裝置的光軸調整方法的雷射加工裝置的構成例之立體圖。圖2係示意表示圖1所示的雷射加工裝置的雷射光束照射單元的構成之圖。圖3係表示圖2所示的雷射光束照射單元的反射鏡保持座的構成例之立體圖。圖4係表示實施方式的雷射加工裝置的光軸調整方法的流程之流程圖。
實施方式的雷射加工裝置的光軸調整方法(以下記作光軸調整方法),以圖1所示的雷射加工裝置1進行。圖1所示的雷射加工裝置1是對被加工物200照射脈衝狀的雷射光束21,雷射加工被加工物200之裝置。
(被加工物)
圖1所示的雷射加工裝置1的加工對象之被加工物200係具有以矽、藍寶石、砷化鎵等作為基板201的圓板狀的半導體晶圓或光元件晶圓。被加工物200如圖1所示,具有在基板201的正面202格子狀設定的多條分割預定線203、以及形成在藉由分割預定線203劃分之各區域的元件204。元件204是例如IC(Integrated Circuit;積體電路)或LSI(Large Scale Integration;大型積體電路)等的積體電路,CCD(Charge Coupled Device;電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor;互補式金屬氧化物半導體)等的感測器。
在實施方式中,被加工物200是在正面202的背面側的背面205黏貼有直徑大於被加工物200的外徑的圓板狀且在外緣部黏貼有環狀框架210的黏貼膠膜211,並被支撐於環狀框架210的開口207內。在實施方式中,被加工物200是沿著分割預定線203被分割為一個個具有元件204的晶片。
(雷射加工裝置)
雷射加工裝置1如圖1所示,具備:卡盤台10,在保持面11保持被加工物200;雷射光束照射單元20;移動機構30,作為移動手段;攝像單元90;以及控制單元100。
卡盤台10在保持面11保持被加工物200。保持面11是由多孔陶瓷等形成圓盤形狀,透過未圖示的真空吸引路徑與未圖示的真空吸引源連接。卡盤台10將載置在保持面11上的被加工物200吸引保持。在實施方式中,保持面11是與水平方向平行的平面。在卡盤台10的周圍配置有多個夾具部12,該夾具部12夾持在開口內支撐被加工物200的環狀框架210。另外,卡盤台10藉由旋轉機構13繞與Z軸方向平行的軸心旋轉。旋轉機構13及卡盤台10是藉由移動機構30的X軸移動機構40在X方向被移動。
雷射光束照射單元20是對保持在卡盤台10的被加工物200照射脈衝狀的雷射光束21之單元。雷射光束照射單元20如圖2所示包含:雷射振盪器22,射出用於加工被加工物200的雷射光束21;多個反射鏡23,將從雷射振盪器22射出的雷射光束21朝向保持於卡盤台10的保持面11的被加工物200反射;聚光透鏡24,使藉由反射鏡23反射的雷射光束21聚光至被加工物200;以及未圖示的聚光點位置調整手段,使雷射光束21的聚光點25(圖2所示)的位置在Z軸方向位移。
雷射光束照射單元20所照射的雷射光束21可為對被加工物200具有穿透性的波長,亦可為對被加工物200具有吸收性的波長。在實施方式中,聚光點25在與X軸方向及Y軸方向平行的水平面中,配置於卡盤台10的保持面11上。
反射鏡23及聚光透鏡24是將從雷射振盪器22射出的雷射光束21往加工被加工物200的加工點傳遞之光學零件。另外,雷射光束照射單元20包含保持反射鏡23的光學零件保持座之多個反射鏡保持座26、以及保持聚光透鏡24的光學零件保持座之透鏡保持座27。反射鏡保持座26及透鏡保持座27,如圖3所示具備調整機構261,其在位置檢測單元70的受光面71上調整雷射光束21的中心28(圖2中以一點鏈線表示)的位置。再者,本說明書中,因為反射鏡保持座26及透鏡保持座27具備實質上具有相同功能之調整機構261,故參閱圖3說明反射鏡保持座26並省略透鏡保持座27的說明。
反射鏡保持座26如圖3所示具備:保持反射鏡23的第1板材262,固定在雷射加工裝置1的第2板材263,以及調整機構261。第1板材262及第2板材263形成為ㄑ字狀。第1板材262將反射鏡23保持在中央部。
調整機構261具備:與第1板材262及第2板材263互相連結且在這些板材262、263彼此互相靠近的方向賦能之彈簧264,及一對調整螺絲265、266。在實施方式中,彈簧264將第1板材262及第2板材263的中央部彼此連結。調整螺絲265、266是鎖入第2板材263的兩端部,且前端抵接在第1板材262的兩端部。一對調整螺絲265、266是藉由繞軸心旋轉而調整板材262、263的兩端部間的間隔,而調整反射鏡23的光軸的朝向也就是雷射光束21的光路。
再者,在實施方式中,雖表示了作為光學零件的反射鏡23及聚光透鏡24,但在本發明中,光學零件並不限定於反射鏡23及聚光透鏡24。再者,在實施方式中,雖表示了作為光學零件保持座的反射鏡保持座26及透鏡保持座27,但在本發明中,光學零件保持座並不限定於反射鏡保持座26及透鏡保持座27。
移動機構30是使卡盤台10與雷射光束照射單元20相對地移動的機構。移動機構30具備:X軸移動機構40,使卡盤台10在與保持面11平行的方向之X軸方向移動的加工進給手段;Y軸移動機構50,使卡盤台10在與保持面11平行且與X軸方向正交的方向之Y軸方向移動的分度進給手段;以及Z軸移動機構60,使雷射光束照射單元20在相對於保持面11正交的Z軸方向移動。
在實施方式中,X軸移動機構40及Y軸移動機構50設置於雷射加工裝置1的裝置本體2上。X軸移動機構40及Y軸移動機構50將移動板14支撐為在X軸方向移動自如,並支撐為在Y軸方向移動自如,該移動板14支撐將卡盤台10繞與Z軸方向平行的軸心旋轉之旋轉機構13。
Z軸移動機構60設置於從裝置本體2立設的柱3,將雷射光束照射單元20中至少聚光透鏡24支撐為在Z軸方向移動自如。X軸移動機構40、Y軸移動機構50及Z軸移動機構60具備:周知的滾珠螺桿41、51、61,繞軸心旋轉自如地設置;周知的脈衝馬達42、52、62,使滾珠螺桿41、51、61繞軸心旋轉;以及周知的導軌43、53、63,將移動板14或雷射光束照射單元20中至少聚光透鏡24支撐為在X軸方向、Y軸方向或Z軸方向移動自如。
另外,雷射加光裝置1具備:未圖示的X軸方向位置檢測單元,用來檢測卡盤台10的X軸方向的位置;未圖示的Y軸方向位置檢測單元,用來檢測卡盤台10的Y軸方向的位置;以及Z軸方向位置檢測單元,用來檢測雷射光束照射單元20的聚光透鏡24的Z軸方向的位置。各位置檢測單元將檢測結果輸出至控制單元100。
攝像單元90是拍攝保持在卡盤台10的被加工物200之單元。攝像單元90是由拍攝保持在卡盤台10的被加工物200之CCD(Charge Coupled Device,電荷耦合元件)攝影機或紅外線攝影機所構成。在實施方式中,攝像單元90例如是以相鄰雷射光束照射單元20的聚光透鏡24之方式被固定。攝像單元90拍攝被加工物200,以獲得用來實施對準之影像,並將獲得的影像輸出至控制單元100,所述對準是進行被加工物200及雷射光束照射單元20的對位。
控制單元100分別控制雷射加工裝置1的上述構成元素,並使雷射加工裝置1實施對工件200的加工動作。再者,控制單元100是具有下述裝置的電腦:運算處理裝置,具有如CPU(central processing unit,中央處理器)的微處理器;記憶裝置,具有如ROM(readonly memory,唯讀記憶體)或RAM(random access memory,隨機存取記憶體)的記憶體;以及輸出入界面裝置。控制單元100的運算處理裝置依照記憶於記憶裝置的電腦程式實施運算處理,並透過輸出入界面裝置對雷射加工裝置1的上述構成要素輸出用來控制雷射加工裝置1的控制訊號,以實現控制單元100的功能。
另外,雷射加工裝置1具備:顯示單元101,藉由顯示加工動作的狀態或影像等的液晶顯示裝置等所構成;以及未圖示的輸入單元,在操作員登錄加工內容資訊等時使用。顯示單元101及輸入單元連接於控制單元100。輸入單元101由設在顯示單元101的觸控面板及鍵盤等的外部輸入裝置中至少一個所構成。顯示單元101是藉由來自輸入單元等的操作而切換在顯示面102顯示的資訊或影像。
另外,控制單元100如圖1所示可與位置檢測單元70連接。位置檢測單元70具備受光面71,其接收從雷射振盪器22射出且藉由反射鏡23及聚光透鏡24等傳遞的雷射光束21。位置檢測單元70是具備可檢測受光面71內的雷射光束21的位置之指向裝置功能的功率計,但在本發明中也可為分析儀。位置檢測單元70將表示檢測出的受光面71內的雷射光束21的位置之資訊輸出至控制單元100。在實施方式中,受光面71的平面形狀為正方形,但在本發明中並不限定為正方形。
所述雷射加工裝置1是在加工被加工物200的加工動作之前調整各保持座26、27的調整機構261,以預先調整雷射光束21的位置。雷射加工裝置1是由操作員將加工內容資訊登錄至控制單元100,並透過黏著膠膜211將被加工物200載置於卡盤台10的保持面11,當控制單元100從輸入單元接受操作員的加工動作開始指示,則基於登錄的加工內容資訊開始加工動作。
在加工動作中,雷射加工裝置1是透過黏著膠膜211將被加工物200吸引保持於卡盤台10的保持面11,並以夾具部12夾持環狀框架210。雷射加工裝置1藉由移動機構30使卡盤台10移動至攝像單元90的下方,並藉由攝像單元90拍攝保持於卡盤台10的被加工物200。雷射加工裝置1執行圖案匹配等的影像處理,以實施對準,所述圖案匹配是為了進行保持於卡盤台10的被加工物200的分割預定線203與雷射光束照射單元20的對位。
雷射加工裝置1是基於加工內容資訊,藉由移動機構30使雷射光束照射單元20及被加工物200沿著分割預定線203相對地移動,並從雷射光束照射單元20照射脈衝狀的雷射光束21以沿著分割預定線203對被加工物200進行雷射加工。若雷射加工裝置1沿著全部的分割預定線203進行雷射加工,則停止雷射光束21的照射,結束加工動作。
當雷射加工裝置1進行被加工物200的雷射加工時,由雷射光束21造成在反射鏡23及聚光透鏡24等的光學零件發生髒汙或焦黃,會導致雷射光束21的輸出下降或雷射光束21的光束形狀(輸出分布)產生變形。雷射加工裝置1因如此的雷射光束21的輸出下降或雷射光束21的光束形狀(輸出分布)的變形而無法對被加工物200進行期望的加工,會有導致發生加工不良的情況。當雷射加工裝置1發生加工不良時,則暫時停止加工動作,一個一個取出雷射光束照射單元20的反射鏡23或聚光透鏡24等的光學零件,並在進行清潔、更換等的維護作業後,重新開始對被加工物200的加工動作。
(光軸調整方法)
實施方式的光軸調整方法是調整雷射加工裝置1的雷射光束照射單元20的雷射光束21的光路之方法,亦為雷射光束照射單元20的反射鏡23或聚光透鏡24等的各光學零件的維護方法。光軸調整方法如圖4所示具備:位置檢測單元設定步驟ST1、位置檢測步驟ST2、記憶步驟ST3、零件調整步驟ST4及光軸調整步驟ST5。
(位置檢測單元設定步驟)
圖5係示意表示圖4所示的雷射加工裝置的光軸調整方法的位置檢測單元設定步驟的概要之圖。位置檢測單元設定步驟ST1是在維護各光學零件前,將檢測雷射光束21的位置之位置檢測單元70設置於預先決定的加工點的步驟。
在實施方式的位置檢測單元設定步驟ST1中,操作員將位置檢測單元70連接於控制單元100,如圖5所示,將位置檢測單元70設置於預先決定的加工點之預定位置。在實施方式中,預定的位置雖為保持面11的中央,但在本發明中並不限定於保持面11的中央。當位置檢測單元70設置於保持面11,則進入位置檢測步驟ST2。
(位置檢測步驟)
圖6係示意表示在圖4所示的雷射加工裝置的光軸調整方法的位置檢測步驟中,藉由位置檢測單元檢測出位置的雷射光束的一例之受光面的俯視圖。位置檢測步驟ST2是在對各光學零件實施維護作業前,從雷射振盪器22射出雷射光束21,以在配設於加工點之保持面11的預定位置之位置檢測單元70檢測雷射光束21的位置之步驟。
在實施方式的位置檢測步驟ST2中,接收操作員對輸入單元的操作,雷射加工裝置1藉由移動機構30使雷射光束照射單元20在Z軸方向上對向於卡盤台10的保持面11上的位置檢測單元70的受光面71。在位置檢測步驟ST2中,雷射加工裝置1從雷射振盪器22射出雷射光束21,並在位置檢測單元70的受光面71接收雷射光束21。
在位置檢測步驟ST2中,位置檢測單元70檢測例如圖6所示的受光面71內的雷射光束21的位置,並將表示檢測出的受光面71內的雷射光束21的位置之資訊輸出至控制單元100,進入記憶步驟ST3。
(記憶步驟)
記憶步驟ST3是以在位置檢測步驟檢測出的受光面71內的雷射光束21的位置為基準位置300(如圖6所示)並記憶的步驟。在實施方式的記憶步驟ST3中,控制單元100將檢測出的受光面71內的雷射光束21的位置作為基準位置300並記憶於記憶裝置,同時將在位置檢測步驟ST2定位的卡盤台10也就是位置檢測單元70的位置記憶於記憶裝置,並進入零件調整步驟ST4。
再者,圖6的位置檢測步驟ST2是在受光面71的中央接收雷射光束21,並將受光面71的中心作為雷射光束21的位置也就是基準位置300並記憶的示例。另外,圖6是受光面71上的雷射光束21為圓形且隨著靠近中心28輸出變強的高斯分布的示例。另外,在本發明的位置檢測步驟ST2及記憶步驟ST3中,雷射加工裝置1亦可在顯示單元101的顯示面102顯示位置檢測單元70的受光面71上的雷射光束21的位置。
(零件調整步驟)
零件調整步驟ST4是在記憶步驟ST3後,從雷射光束照射單元20取出雷射光束照射單元20的光學零件之多個反射鏡23及聚光透鏡24中之一個後,實施將取出的光學零件清潔或更換等的維護作業,再度安裝於雷射光束照射單元20之步驟。在實施方式的零件調整步驟ST4中,操作員取出雷射光束照射單元20的多個光學零件中之一個光學零件並實施維護作業後,再度安裝於雷射光束照射單元20,並進入光軸調整步驟ST5。
(光軸調整步驟)
圖7係示意表示在圖4所示的雷射加工裝置的光軸調整方法的光軸調整步驟中,藉由位置檢測單元檢測出位置的雷射光束的一例之受光面的俯視圖。光軸調整步驟ST5是在對一個光學零件實施維護作業後,從雷射振盪器22射出雷射光束21,以在配設於加工點之保持面11的預定位置之位置檢測單元70檢測雷射光束21的位置之步驟。
光軸調整步驟ST5是在對一個光學零件實施維護作業後,在位置檢測單元70所檢測出的受光面71內的雷射光束21的位置如圖7所示從基準位置300偏移時,調整保持已實施維護作業的光學零件之光學零件保持座的調整機構261,並使雷射光束21的位置回到基準位置300,藉此調整雷射光束21的光路之步驟。
在光軸調整步驟ST5中,接受操作員對輸入單元的操作,雷射加工裝置1藉由移動機構30將卡盤台10定位於與位置檢測步驟ST2相同的位置。在光軸調整步驟ST5中,雷射加工裝置1從雷射振盪器22射出雷射光束21,並在位置檢測單元70的受光面71接收雷射光束21。
在光軸調整步驟ST5中,位置檢測單元70檢測例如圖7所示的受光面71內的維護作業後的雷射光束21(以下以符號21-1表示)的位置,並將表示檢測出的受光面71內的雷射光束21-1的位置之資訊輸出至控制單元100。
在光軸調整步驟ST5中,控制單元100在顯示單元101的顯示面102顯示位置檢測單元70的受光面71上的雷射光束21-1的位置及基準位置300。在光軸調整步驟ST5中,當雷射光束21-1的位置與基準位置300例如圖7所示般偏移,則以雷射光束21-1的位置與基準位置300一致之方式調整保持了已實施維護作業的光學零件之光學零件保持座的調整機構261。
另外,在本發明的光軸調整步驟ST5中,雷射加工裝置1如圖7所示,可在顯示單元101的顯示面102顯示位置檢測單元70的受光面71上的位置檢測步驟ST2中檢測出的雷射光束21的位置,亦可顯示雷射光束21-1的中心28-1。
實施方式的光軸調整方式是在光軸調整步驟ST5後,判定操作者是否已對雷射光束照射單元20全部期望的光學零件實施維護作業(步驟ST6)。當判定為操作者並未對雷射光束照射單元20全部期望的光學零件實施維護作業(步驟ST6:否),則回到零件調整步驟ST4,對其他光學零件實施維護作業。如此,實施方式的光學調整方法是在對全部期望的光學零件實施維護作業為止,重複零件調整步驟ST4及光軸調整步驟ST5。實施方式的光軸調整方法是在光軸調整步驟ST5後,當判定為操作者已對雷射光束照射單元20全部期望的光學零件實施維護作業(步驟ST6:是),則結束。
如以上說明,實施方式的光軸調整方法是在位置檢測步驟ST2中,使雷射光束照射單元20在Z軸方向與位置檢測單元70的受光面71對向後,在對光學零件實施維護作業前,射出雷射光束21,並將雷射光束21的位置作為基準位置300進行記憶。藉此,光軸調整方法係在將光學零件取出並實施了維護作業後再度安裝時,只要確認位置檢測單元70的檢測結果等,即可對雷射光束21的位置從基準位置300偏移多少程度一目瞭然。
換言之,光軸調整方法係在具有以多個光學零件構成的複雜的光學系統之雷射加工裝置1中,即使取出配置在雷射振盪器22的出射口正後的反射鏡23等的光學零件的情形,後續不用實施全部光學零件的光軸調整,而僅調整保持取出的反射鏡23等的光學零件之光學零件保持座的調整機構261,藉此即可完成雷射光束21的位置調整,並發揮可大幅削減工時之效果。其結果,本發明方式的光軸調整方法發揮可抑止雷射光束21的光軸調整所需工時之效果。
[變形例]
基於圖式說明本發明的實施方式的變形例的雷射加工裝置的光軸調整方法。圖8係表示進行實施方式的變形例的雷射加工裝置的光軸調整方法的雷射加工裝置的構成例之立體圖。再者,圖8與實施方式相同的部分用相同符號表示並省略其說明。
變形例的雷射加工裝置的光軸調整方法係如圖8所示,在雷射加工裝置1-1的移動板14上相當於加工點之預定位置配設位置檢測單元70,而不實施位置檢測單元設定步驟ST1,並且在位置檢測步驟ST2及光軸調整步驟ST5中使雷射光束照射單元20在Z軸方向對向於移動板14上的位置檢測單元70的受光面71,除此之外,其他與實施方式相同。
變形例的光軸調整方法是在位置檢測步驟ST2中,使雷射光束照射單元20在Z軸方向與位置檢測單元70的受光面71對向後,在對光學零件實施維護作業前,射出雷射光束21,並將雷射光束21的位置作為基準位置300進行記憶。其結果,光軸調整方法係與實施方式相同,發揮可抑止雷射光束21的光軸調整所需工時之效果。
另外,變形例的光軸調整方法因為將位置檢測單元70配設在移動板14上,在調整雷射光束21的光路時,不會產生將位置檢測單元70配設在卡盤台10的保持面11等之手續,故進一步發揮可抑止雷射加工裝置的光軸調整所需工時之效果。
再者,本發明不限定為上述實施方式。亦即,可實施不脫離本發明的骨幹的範圍之各種變形。再者,在本發明中,發生加工不良之前,亦可實施位置檢測單元設定步驟ST1及位置檢測步驟ST2及記憶步驟ST3,檢測基準位置300並記憶。
1,1-1:雷射加工裝置
11:保持面(加工點)
14:移動板(加工點)
20:雷射光束照射單元
21:雷射光束
22:雷射振盪器
23:反射鏡(光學零件)
24:聚光透鏡(光學零件)
26:反射鏡保持座(光學零件保持座)
27:透鏡保持座(光學零件保持座)
28,28-1:中心(光軸)
70:位置檢測單元
261:調整機構
300:基準位置
ST2:位置檢測步驟
ST3:記憶步驟
圖1係表示進行實施方式的雷射加工裝置的光軸調整方法的雷射加工裝置的構成例之立體圖。
圖2係示意表示圖1所示的雷射加工裝置的雷射光束照射單元的構成之圖。
圖3係表示圖2所示的雷射光束照射單元的反射鏡保持座的構成例之立體圖。
圖4係表示實施方式的雷射加工裝置的光軸調整方法的流程之流程圖。
圖5係示意表示圖4所示的雷射加工裝置的光軸調整方法的位置檢測單元設定步驟的概要之圖。
圖6係示意表示在圖4所示的雷射加工裝置的光軸調整方法的位置檢測步驟中,藉由位置檢測單元檢測出位置的雷射光束的一例之受光面的俯視圖。
圖7係示意表示在圖4所示的雷射加工裝置的光軸調整方法的光軸調整步驟中,藉由位置檢測單元檢測出位置的雷射光束的一例之受光面的俯視圖。
圖8係表示進行實施方式的變形例的雷射加工裝置的光軸調整方法的雷射加工裝置的構成例之立體圖。
ST1:位置檢測單元設定步驟
ST2:位置檢測步驟
ST3:記憶步驟
ST4:零件調整步驟
ST5:光軸調整步驟
ST6:是否已對全部期望的光學零件進行維護
Claims (2)
- 一種雷射加工裝置的光軸調整方法,所述雷射加工裝置具備雷射光束照射單元,該雷射光束照射單元包含:雷射振盪器;多個光學零件,將從該雷射振盪器射出的雷射光束往加工被加工物的加工點傳遞;以及光學零件保持座,保持該光學零件,並具有調整該雷射光束的位置的調整機構;該雷射加工裝置的光軸調整方法具備:位置檢測步驟,振盪來自該雷射振盪器的雷射光束,並以配設在加工點的位置檢測單元檢測該雷射光束的位置;記憶步驟,將在該位置檢測步驟檢測出的雷射光束的位置作為基準位置並記憶;零件調整步驟,從該雷射光束照射單元取出該雷射光束照射單元的多個光學零件中之一個後,對取出的光學零件實施維護作業,並再度安裝於該雷射光束照射單元;以及光軸調整步驟,在對該一個光學零件實施維護作業後,從該雷射振盪器振盪該雷射光束,以配設於該加工點之該位置檢測單元檢測該雷射光束的位置,在該雷射光束的位置從該基準位置偏移時,調整保持該已實施維護作業的光學零件之光學零件保持座的調整機構並使該雷射光束的位置回到該基準位置,藉此調整該雷射光束的光軸。
- 如請求項1之雷射加工裝置的光軸調整方法,其中,在該光軸調整步驟後,判定是否已對該雷射光束照射單元全部期望的光學零件實施維護作業,當判定為並未對該雷射光束照射單元全部期望的光學零件實施維護作業,則回到該零件調整步驟,重複該零件調整步驟及該光軸調整步驟,直至對全部期望的光學零件實施維護作業為止。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102022114646A1 (de) | 2022-06-10 | 2023-12-21 | Trumpf Laser Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Verarbeiten mindestens eines Teilbereichs eines Schichtsystems |
WO2024161643A1 (ja) * | 2023-02-03 | 2024-08-08 | ヤマハ発動機株式会社 | レーザ加工装置、半導体チップ、および、半導体チップの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080061044A1 (en) * | 2006-09-11 | 2008-03-13 | Disco Corporation | Laser processing method and laser beam processing machine |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS632581A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-07 | Nikon Corp | レ−ザビ−ム調整装置 |
US5011282A (en) | 1989-11-16 | 1991-04-30 | Amada Company, Limited | Laser beam path alignment apparatus for laser processing machines |
JPH1158052A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-02 | Nippon Steel Corp | レーザ加工装置 |
JP2005118815A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
EP1750153A1 (de) * | 2005-08-02 | 2007-02-07 | TRUMPF Maschinen Grüsch AG | Vorrichtung zur Neigungsverstellung eines Spiegels einer Laserbearbeitungsmaschine |
JP2007175744A (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Yamazaki Mazak Corp | レーザ加工機における光路軸の調整装置 |
JP4938339B2 (ja) | 2006-04-04 | 2012-05-23 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
CN101104223B (zh) * | 2006-07-10 | 2012-05-23 | 彩霸阳光株式会社 | 激光加工装置 |
JP2008207210A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー光線照射装置およびレーザー加工機 |
JP2008212999A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP5011072B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2012-08-29 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2009283566A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP2011173141A (ja) | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Hitachi High-Technologies Corp | レーザ加工位置アライメント方法、レーザ加工方法、及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法 |
JP2011253866A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 分割方法 |
JP5788749B2 (ja) * | 2011-09-15 | 2015-10-07 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP5908705B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-04-26 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP5931537B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-06-08 | 東レエンジニアリング株式会社 | レーザの光軸アライメント方法およびそれを用いたレーザ加工装置 |
JP6062315B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2017-01-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6262039B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-01-17 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
JP6301203B2 (ja) * | 2014-06-02 | 2018-03-28 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2017152569A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
WO2017155104A1 (ja) | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ光照射装置及びレーザ光照射方法 |
JP6633429B2 (ja) | 2016-03-11 | 2020-01-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
CN109564275B (zh) * | 2016-08-10 | 2022-12-09 | 三菱电机株式会社 | 光轴调整机构 |
JP6882045B2 (ja) * | 2017-04-13 | 2021-06-02 | 株式会社ディスコ | 集光点位置検出方法 |
JP6955893B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2021-10-27 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置の高さ位置検出ユニットの評価用治具及びレーザー加工装置の高さ位置検出ユニットの評価方法 |
-
2019
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-
2020
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- 2020-05-21 US US16/879,847 patent/US11577339B2/en active Active
- 2020-05-22 DE DE102020206407.5A patent/DE102020206407A1/de active Pending
- 2020-05-22 SG SG10202004805XA patent/SG10202004805XA/en unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080061044A1 (en) * | 2006-09-11 | 2008-03-13 | Disco Corporation | Laser processing method and laser beam processing machine |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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