JP5461209B2 - 加工条件決定方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000003754 machining Methods 0.000 title description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 91
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Dicing (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
3 レーザー加工ユニット
4 保持テーブル
8 保持テーブル移動機構
11 加工送り機構
12 割出送り機構
41 加工ヘッド
45 加工条件設定部
46 加工パターン設定部
51 第一の発光デバイス
52 第二の発光デバイス
61 分割予定ライン
62 第一の分割予定ライン
63 第二の分割予定ライン
64 発光デバイス
65 貼着テープ
66 環状フレーム
W 発光デバイス用ウェーハ(サファイア基板)
Claims (1)
- 複数の第一の分割予定ライン及び前記第一の分割予定ラインに交差する複数の第二の分割予定ラインによって区画された領域に形成された複数の発光デバイスを表面に有し、特定の輝度勾配を有する発光デバイス用ウエーハにおいて、第一の分割予定ライン及び第二の分割予定ラインに沿って第一の条件の加工を施すことによって前記発光デバイス用ウエーハに分割起点を形成し前記発光デバイス用ウエーハに外力を加えて前記発光デバイス用ウエーハを第一の分割予定ライン及び第二の分割予定ラインに沿って分割して形成した第一の発光デバイスと、前記発光デバイス用ウエーハの第一の分割予定ライン及び第二の分割予定ラインに沿って第二の条件の加工を施すことによって前記発光デバイス用ウエーハに分割起点を形成し前記発光デバイス用ウエーハに外力を加えて前記発光デバイス用ウエーハを第一の分割予定ライン及び第二の分割予定ラインに沿って分割して形成した第二の発光デバイスと、を比較して前記第一の条件の加工を施した場合と前記第二の条件の加工を施した場合とのそれぞれの発光デバイスの輝度の差を検査して分割起点を形成する加工条件を決定する加工条件決定方法であって、
任意位置の発光デバイスである第一の発光デバイスを区画する前記第一の分割予定ライン及び前記第二の分割予定ラインに前記第一の条件の加工を施すことによって分割起点を形成する第一の発光デバイス加工工程と、
前記第一の発光デバイスを中心とした前記第一の発光デバイスの周囲に形成された2つ以上の第二の発光デバイスを区画する前記第一の分割予定ライン及び前記第二の分割予定ラインに前記第二の条件の加工を施すことによって分割起点を形成する第二の発光デバイス加工工程と、
前記発光デバイス用ウエーハに外力を加えて前記発光デバイス用ウエーハを第一の分割予定ライン及び第二の分割予定ラインに沿って分割する工程と、
前記第一の発光デバイスの輝度と、前記第二の発光デバイスの輝度の平均値と、を比較することによって前記第一の条件の加工を施した場合と前記第二の条件の加工を施した場合とのそれぞれの発光デバイスの輝度の差を検査して分割起点を形成する加工条件を決定することを特徴とする加工条件決定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010014441A JP5461209B2 (ja) | 2010-01-26 | 2010-01-26 | 加工条件決定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010014441A JP5461209B2 (ja) | 2010-01-26 | 2010-01-26 | 加工条件決定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011155067A JP2011155067A (ja) | 2011-08-11 |
JP5461209B2 true JP5461209B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=44540840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010014441A Active JP5461209B2 (ja) | 2010-01-26 | 2010-01-26 | 加工条件決定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5461209B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6136908B2 (ja) * | 2013-12-12 | 2017-05-31 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009032970A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法 |
-
2010
- 2010-01-26 JP JP2010014441A patent/JP5461209B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011155067A (ja) | 2011-08-11 |
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