JP2017130606A - 複合ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面にサブストレートが接合され複合ウエーハをウエーハとサブストレートとの接合に剥離を生じさせることなく個々のデバイスに分割する。【解決手段】ウエーハ3またはサブストレート4に対して透過性を有する波長のレーザー光線LBの集光スポットSをウエーハとサブストレートとの接合面に位置付けて分割予定ライン31に沿って切削ブレードの幅を超える両側領域に照射し、ウエーハとサブストレートとの接合領域に2条の溶接ライン21を形成し、2条の溶接ラインの中央に切削ブレードを位置付けて分割予定ラインに沿って複合ウエーハを切断することにより個々のデバイスに分割する。【選択図】図4
Description
本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイスが形成されたウエーハの裏面にサブストレートが接合された複合ウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する複合ウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切削ブレードを備えた切削装置によって切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
また、IC、LSI等が積層される配線基板からなるデバイスもウエーハの表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に形成され、分割予定ラインに沿って切削ブレードを備えた切削装置によって切断することにより個々のデバイスに分割される(例えば、特許文献1参照)。
しかるに、配線基板からなるデバイスが表面に複数形成されたウエーハの裏面には電極が複数配設されたサブストレートが接合され複合ウエーハとして構成される場合があり、切削ブレードを備えた切削装置により分割予定ラインに沿って切断することにより個々のデバイスに分割すると、切断によるストレスでウエーハとサブストレートとの接合に剥離が生じてデバイスの品質を低下させるという問題がある。
このような問題は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスが形成されたウエーハの裏面にサブストレートが接合された場合にも生じうる。
このような問題は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスが形成されたウエーハの裏面にサブストレートが接合された場合にも生じうる。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面にサブストレートが接合された複合ウエーハを、ウエーハとサブストレートとの接合に剥離を生じさせることなく分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割することができる複合ウエーハの加工方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面にサブストレートが接合された複合ウエーハを、分割予定ラインに沿って切削ブレードで切断することにより個々のデバイスに分割する複合ウエーハの加工方法であって、
ウエーハまたはサブストレートに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光スポットをウエーハとサブストレートとの接合面に位置付けて分割予定ラインに沿って該切削ブレードの幅を超える両側領域に照射し、ウエーハとサブストレートとの接合領域に2条の溶接ラインを形成する溶接ライン形成工程と、
該2条の溶接ラインの中央に該切削ブレードを位置付けて分割予定ラインに沿って複合ウエーハを切断することにより個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とする複合ウエーハの加工方法が提供される。
ウエーハまたはサブストレートに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光スポットをウエーハとサブストレートとの接合面に位置付けて分割予定ラインに沿って該切削ブレードの幅を超える両側領域に照射し、ウエーハとサブストレートとの接合領域に2条の溶接ラインを形成する溶接ライン形成工程と、
該2条の溶接ラインの中央に該切削ブレードを位置付けて分割予定ラインに沿って複合ウエーハを切断することにより個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とする複合ウエーハの加工方法が提供される。
複合ウエーハは、少なくとも該分割工程を実施する前にウエーハを収容する開口部を有する環状のフレームの該開口部に位置付けられ粘着テープを介して環状のフレームと一体化される。
また、上記溶接ライン形成工程においては、集光スポットの重なり率が90%以上となるようにレーザー光線の繰り返し周波数と加工送り速度が設定される。
また、上記溶接ライン形成工程においては、集光スポットの重なり率が90%以上となるようにレーザー光線の繰り返し周波数と加工送り速度が設定される。
本発明による複合ウエーハの加工方法は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面にサブストレートが接合された複合ウエーハを、分割予定ラインに沿って切削ブレードで切断することにより個々のデバイスに分割する複合ウエーハの加工方法であって、ウエーハまたはサブストレートに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光スポットをウエーハとサブストレートとの接合面に位置付けて分割予定ラインに沿って切削ブレードの幅を超える両側領域に照射し、ウエーハとサブストレートとの接合領域に2条の溶接ラインを形成する溶接ライン形成工程と、該2条の溶接ラインの中央に該切削ブレードを位置付けて分割予定ラインに沿って複合ウエーハを切断することにより個々のデバイスに分割する分割工程とを含んでいるので、複合ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する際には、複合ウエーハを構成するウエーハとサブストレートとの接合領域に切削ブレードの幅を超える2条の溶接ラインが形成され、ウエーハとサブストレートとは2条の溶接ラインによって強固に接合されているので、切削ブレードによる切断でウエーハとサブストレートとの接合に剥離が生じることがない。
以下、本発明による複合ウエーハの加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図1には、本発明による複合ウエーハの加工方法によって加工される複合ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す複合ウエーハ2は、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハ3と、該ウエーハ3の裏面に接合されたサブストレート4とによって構成されている。この複合ウエーハ2を構成するウエーハ3は、図示の実施形態においては厚みが200μmのシリコン基板によって形成されており、表面3aには例えば幅が50μmの複数の分割予定ライン31が格子状に形成されている。そして、格子状に形成された複数の分割予定ライン31によって区画された複数の領域にイメージセンサー(CMOS)等のデバイス32が形成されている。なお、ウエーハ3の表面に形成されるデバイスとしては、IC、LSI等が積層される配線基板からなるデバイスも本明細書におけるデバイスに含まれる。上記ウエーハ3の裏面3bに接合されたサブストレート4は、図示の実施形態においては厚みが300μmのシリコン基板によって形成されており、表面4aが適宜のボンド剤によってウエーハ3の裏面3bに接合される。なお、複合ウエーハ2を構成するウエーハ3としてはシリコン基板やガラス基板を用いることができ、サブストレート4としてはシリコン基板やガラス基板または樹脂基板を用いることができる。また、ボンド剤としては、エポキシ樹脂、アロンアルファ(登録商標)等の瞬間接着剤、その他適宜のボンド剤を使用することができる。
上記複合ウエーハ2を分割予定ライン31に沿って個々のデバイスに分割するには、ウエーハを収容する開口部を有する環状のフレームの該開口部に複合ウエーハ2を位置付け粘着テープを介して環状のフレームと一体化する(ウエーハ支持工程)。即ち、図2に示すように、ウエーハを収容する開口部51を有する環状のフレーム5の該開口部51に複合ウエーハ2を位置付け、複合ウエーハ2を構成するサブストレート4を粘着テープ50に貼着するとともに該粘着テープ50の外周部を環状のフレーム5に装着して一体化する(ウエーハ支持工程)。従って、粘着テープ50の表面に貼着された複合ウエーハ2は、ウエーハ3の表面3aが上側となる。
なお、ウエーハ支持工程は、後述する分割工程を実施する前に実施すればよい
なお、ウエーハ支持工程は、後述する分割工程を実施する前に実施すればよい
次に、複合ウエーハ2を構成するウエーハまたはサブストレートに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光スポットをウエーハとサブストレートとの接合面に位置付けて分割予定ラインに沿って切削ブレードの幅を超える両側領域に照射し、ウエーハとサブストレートとの接合領域に2条の溶接ラインを形成する溶接ライン形成工程を実施する。この溶接ライン形成工程は、図示の実施形態においては図3に示すレーザー加工装置6を用いて実施する。図3に示すレーザー加工装置6は、被加工物を保持するチャックテーブル61と、該チャックテーブル61上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段62と、チャックテーブル61上に保持された被加工物を撮像する撮像手段63を具備している。チャックテーブル61は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図3において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図3において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段62は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング621を含んでいる。ケーシング621内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング621の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光レンズ622aを備えた集光器622が装着されている。なお、レーザー光線照射手段62は、集光器622の集光レンズ622aによって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段(図示せず)を備えている。
上記レーザー光線照射手段62を構成するケーシング621の先端部に装着された撮像手段63は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置6を用いて上記溶接ライン形成工程を実施するには、先ずレーザー加工装置6のチャックテーブル61上に複合ウエーハ2が貼着された粘着テープ50側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、粘着テープ50を介して複合ウエーハ2をチャックテーブル61上に吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル61に保持された複合ウエーハ2は、シリコン基板からなるウエーハ3の表面3aが上側となる。なお、図3においては粘着テープ50が装着された環状のフレーム5を省いて示しているが、環状のフレーム5はチャックテーブル61に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、複合ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル61は、図示しない加工送り手段によって撮像手段63の直下に位置付けられる。
チャックテーブル61が撮像手段63の直下に位置付けられると、撮像手段63および図示しない制御手段によって複合ウエーハ2のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実施する。即ち、撮像手段63および図示しない制御手段は、複合ウエーハ2を構成するウエーハ3の表面3aに所定方向に形成されている分割予定ライン31と、分割予定ライン31に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段62の集光器622との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、複合ウエーハ2を構成するウエーハ3に上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン31に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
上述したアライメント工程を実施したならば、図3で示すようにチャックテーブル61をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段62の集光器622が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図4の(a)で示すように複合ウエーハ2を構成するウエーハ3に形成された所定の分割予定ライン31の一端(図4の(a)において左端)が集光器622の直下に位置するように位置付ける。このとき、分割予定ライン31の幅方向中央から一方の側に例えば20μmの位置が集光器622の直下に位置するように位置付ける。そして、集光器622から照射されるパルスレーザー光線LBの集光スポットSを複合ウエーハ2を構成するウエーハ3とサブストレート4との接合面に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段62の集光器622から複合ウエーハ2を構成するシリコン基板からなるウエーハ3に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線LBを照射しつつチャックテーブル61を図4の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図4の(b)で示すように分割予定ライン31の他端(図4の(b)において右端)が集光器622の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル61の移動を停止する。
次に、チャックテーブル61を紙面に垂直な方向(割り出し送り方向)に例えば40μm移動する。この結果、分割予定ライン31の幅方向中央から他方の側に20μmの位置が集光器622の直下に位置付けられることになる。そして、図4の(c)に示すようにレーザー光線照射手段62の集光器622からパルスレーザー光線LBを照射しつつチャックテーブル61を矢印X2で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめ、図4の(a)に示す位置に達したらパルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル61の移動を停止する。この結果、図4の(d)に示すように複合ウエーハ2を構成するウエーハ3とサブストレート4との接合領域が互いに溶融し後述する切削ブレードの幅を超える2条の溶接ライン21が形成され、ウエーハ3とサブストレート4とは2条の溶接ライン21によって強固に接合される(溶接ライン形成工程)。
なお、上記溶接ライン形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.1W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :100mm/秒
集光スポットの重なり率:90%
上記繰り返し周波数と加工送り速度および集光スポット径の加工条件においては、集光スポットの重なり率が90%となるが、溶接ライン21によるウエーハ3とサブストレート4との接合をより強固にするためには重なり率が90%以上となるように繰り返し周波数と加工送り速度を設定することが望ましい。
レーザー光線の波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.1W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :100mm/秒
集光スポットの重なり率:90%
上記繰り返し周波数と加工送り速度および集光スポット径の加工条件においては、集光スポットの重なり率が90%となるが、溶接ライン21によるウエーハ3とサブストレート4との接合をより強固にするためには重なり率が90%以上となるように繰り返し周波数と加工送り速度を設定することが望ましい。
上述した溶接ライン形成工程を複合ウエーハ2を構成するウエーハ3の表面3aに所定方向に形成された全ての分割予定ライン31に沿って実施する。そして、所定方向に形成された全ての分割予定ライン31に沿って溶接ライン形成工程を実施したならば、チャックテーブル61を90度回動して、所定方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン31に沿って上記溶接ライン形成工程を実施する。この結果、複合ウエーハ2にはウエーハ3とサブストレート4との接合領域に図5の(a)に示すように後述する切削ブレードの幅を超える2条の溶接ライン21が形成される。
なお、溶接ライン形成工程においては、分割予定ライン31の交差領域においてパルスレーザー光線の照射を停止することにより、図5の(b)に示すように分割予定ライン31の交差領域において2条の溶接ライン21が交差しないように形成してもよい。
なお、溶接ライン形成工程においては、分割予定ライン31の交差領域においてパルスレーザー光線の照射を停止することにより、図5の(b)に示すように分割予定ライン31の交差領域において2条の溶接ライン21が交差しないように形成してもよい。
次に、溶接ライン形成工程の他の実施形態について、図6および図7を参照して説明する。
この実施形態における複合ウエーハ20は、図6に示すように上記ウエーハ3の裏面に接合されるサブストレート40がガラス基板からなっている。このように構成された複合ウエーハ20に対して図示の実施形態においては上記レーザー加工装置6を用いて溶接ライン形成工程をサブストレート40側からレーザー光線を照射して実施する。即ち、図6に示すようにレーザー加工装置6のチャックテーブル61上に複合ウエーハ20のウエーハ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、複合ウエーハ20をチャックテーブル61上に吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル61に保持された複合ウエーハ2は、ガラス基板からなるサブストレート40の裏面40bが上側となる。このようにして、複合ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル61は、図示しない加工送り手段によって撮像手段63の直下に位置付けられる。そして、複合ウエーハ20のレーザー加工すべき加工領域を検出する上述したアライメント工程を実施する。このとき、複合ウエーハ20のウエーハ3に形成された分割予定ライン31が形成されている表面は下側に位置しているが、撮像手段63を赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成することにより、サブストレート40およびウエーハ3の裏面から透かして分割予定ライン31を撮像することができる。
この実施形態における複合ウエーハ20は、図6に示すように上記ウエーハ3の裏面に接合されるサブストレート40がガラス基板からなっている。このように構成された複合ウエーハ20に対して図示の実施形態においては上記レーザー加工装置6を用いて溶接ライン形成工程をサブストレート40側からレーザー光線を照射して実施する。即ち、図6に示すようにレーザー加工装置6のチャックテーブル61上に複合ウエーハ20のウエーハ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、複合ウエーハ20をチャックテーブル61上に吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル61に保持された複合ウエーハ2は、ガラス基板からなるサブストレート40の裏面40bが上側となる。このようにして、複合ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル61は、図示しない加工送り手段によって撮像手段63の直下に位置付けられる。そして、複合ウエーハ20のレーザー加工すべき加工領域を検出する上述したアライメント工程を実施する。このとき、複合ウエーハ20のウエーハ3に形成された分割予定ライン31が形成されている表面は下側に位置しているが、撮像手段63を赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成することにより、サブストレート40およびウエーハ3の裏面から透かして分割予定ライン31を撮像することができる。
上述したアライメント工程を実施したならば、チャックテーブル61をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段62の集光器622が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図7の(a)で示すように複合ウエーハ20を構成するウエーハ3に形成された所定の分割予定ライン31の一端(図7の(a)において左端)が集光器622の直下に位置するように位置付ける。このとき、上記図4に示す実施形態と同様に分割予定ライン31の幅方向中央から一方の側に例えば20μmの位置が集光器622の直下に位置するように位置付ける。そして、集光器622から照射されるパルスレーザー光線LBの集光スポットSを複合ウエーハ20を構成するウエーハ3とサブストレート40との接合面に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段62の集光器622から複合ウエーハ20を構成するガラス基板からなるサブストレート40に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線LBを照射しつつチャックテーブル61を図7の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図7の(b)で示すように分割予定ライン31の他端(図7の(b)において右端)が集光器622の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル61の移動を停止する。
次に、上記図4に示す実施形態と同様にチャックテーブル61を紙面に垂直な方向(割り出し送り方向)に例えば40μm移動する。この結果、分割予定ライン31の幅方向中央から他方の側に20μmの位置が集光器622の直下に位置付けられることになる。そして、図7の(c)に示すようにレーザー光線照射手段62の集光器622からパルスレーザー光線LBを照射しつつチャックテーブル61を矢印X2で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめ、図7の(a)に示す位置に達したらパルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル61の移動を停止する。この結果、図7の(d)に示すように複合ウエーハ20を構成するウエーハ3とサブストレート40との接合領域に後述する切削ブレードの幅を超える2条の溶接ライン22が形成され、ウエーハ3とサブストレート40とは2条の溶接ライン22によって強固に接合される(溶接ライン形成工程)。なお、複合ウエーハ20のようにシリコン基板からなるウエーハ3とガラス基板からなるサブストレート40によって形成されている場合には、図7の(d)に示すように融点が低いガラス基板からなるサブストレート40に融点が高いシリコン基板からなるウエーハ3側から楔のように溶接ライン22がめり込むように形成される。このように、融点が高い基板からなるウエーハと融点が低いサブストレートからなる複合ウエーハの場合には、上記溶接ライン形成工程を実施することにより融点が低い基板からなるサブストレートに融点が高いウエーハ側から楔のように溶接ラインがめり込むように形成される。
上述した溶接ライン形成工程を実施したならば、図8に示すように、ウエーハを収容する開口部51を有する環状のフレーム5の該開口部51に上記溶接ライン形成工程が実施された複合ウエーハ20を位置付け、複合ウエーハ20を構成するサブストレート40を粘着テープ50に貼着するとともに該粘着テープ50の外周部を環状のフレーム5に装着して一体化する(ウエーハ支持工程)。従って、粘着テープ50の表面に貼着された上記溶接ライン形成工程が実施された複合ウエーハ2は、ウエーハ3の表面3aが上側となる。
次に、上記溶接ライン形成工程が実施され複合ウエーハに形成された2条の溶接ラインの中央に切削ブレードを位置付けて分割予定ラインに沿って複合ウエーハを切断することにより個々のデバイスに分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図示の実施形態においては図9に示す切削装置7を用いて実施する。図9に示す切削装置7は、被加工物を保持するチャックテーブル71と、該チャックテーブル71に保持された被加工物を切削する切削手段72と、該チャックテーブル71に保持された被加工物を撮像する撮像手段73を具備している。チャックテーブル71は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図9において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記切削手段72は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング721と、該スピンドルハウジング721に回転自在に支持された回転スピンドル722と、該回転スピンドル722の先端部に装着された切削ブレード723を含んでおり、回転スピンドル722がスピンドルハウジング721内に配設された図示しないサーボモータによって矢印723aで示す方向に回転せしめられるようになっている。切削ブレード723は、アルミニウム等の金属材によって形成された円盤状の基台724と、該基台724の側面外周部に装着された環状の切れ刃725とからなっている。環状の切れ刃725は、基台724の側面外周部に粒径が3〜4μmのダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードからなっており、図示の実施形態においては幅(厚み)が20μmで外径が50mmに形成されている。
上記撮像手段73は、スピンドルハウジング721の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上述した切削装置7を用いて分割工程を実施するには、図9に示すようにチャックテーブル71上に上記溶接ライン形成工程が実施された複合ウエーハ2または20が貼着された粘着テープ50側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、粘着テープ50を介して複合ウエーハ2または20をチャックテーブル71上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル71に保持された複合ウエーハ2または20は、ウエーハ3の表面3aが上側となる。なお、図9においては粘着テープ50が装着された環状のフレーム5を省いて示しているが、環状のフレーム5はチャックテーブル71に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、複合ウエーハ2または20を吸引保持したチャックテーブル71は、図示しない加工送り手段によって撮像手段73の直下に位置付けられる。
チャックテーブル71が撮像手段73の直下に位置付けられると、撮像手段73および図示しない制御手段によって複合ウエーハ2または20の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実施する。即ち、撮像手段73および図示しない制御手段は、複合ウエーハ2または20を構成するウエーハ3の表面に所定方向に形成されている分割予定ライン31と、切削ブレード723との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削ブレード723によって切削する切削領域のアライメントを遂行する(アライメント工程)。また、複合ウエーハ2または20を構成するウエーハ3に上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン31に対しても、同様に切削ブレード723によって切削する切削領域のアライメントが遂行される。
以上のようにしてチャックテーブル71上に保持されている複合ウエーハ2または20を構成するウエーハ3に形成された分割予定ライン31を検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、複合ウエーハ2または20を保持したチャックテーブル71を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図10の(a)で示すように複合ウエーハ2または20は所定の分割予定ライン31の一端(図10の(a)において左端)が切削ブレード723の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、分割予定ライン31の幅方向中央が切削ブレード723と対応する位置になるように位置付ける。従って、切削ブレード723が上記溶接ライン形成工程において形成された2条の溶接ライン21または22の中央に位置付けられたことになる。
このようにして切削装置7のチャックテーブル71上に保持された複合ウエーハ2または20が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード723を図10(a)において2点鎖線で示す待機位置から矢印Z1で示すように下方に切り込み送りし、図10の(a)において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図10の(a)および図10の(c)に示すように切削ブレード723の下端が複合ウエーハ2または20を構成するサブストレート4または40の裏面に貼着された粘着テープ50に達する位置に設定されている。
次に、切削ブレード723を図10の(a)において矢印723aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル71を図10の(a)において矢印X1で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル71が図10の(b)で示すように分割予定ライン31の他端(図10の(b)において右端)が切削ブレード723の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル71の移動を停止する。このようにチャックテーブル71を切削送りすることにより、図10の(d)で示すように複合ウエーハ2または20は、分割予定ライン31に沿って形成された2条の溶接ライン21または22の幅方向中間領域がサブストレート4または40の裏面に達する切削溝23によって切断される(分割工程)。
次に、切削ブレード723を図10の(b)において矢印Z2で示すように上昇させて2点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル71を図10の(b)において矢印X2で示す方向に移動して、図10の(a)に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル71を紙面に垂直な方向(割り出し送り方向)に分割予定ライン31に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン31を切削ブレード723と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン31を切削ブレード723と対応する位置に位置付けたならば、上述した切断工程を実施する。
なお、上記分割工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレードの回転速度:20000rpm
切削送り速度 :50mm/秒
切削ブレードの回転速度:20000rpm
切削送り速度 :50mm/秒
上述した分割工程を複合ウエーハ2または20を構成するウエーハ3の表面3aに所定方向に形成された全ての分割予定ライン31に沿って実施する。そして、所定方向に形成された全ての分割予定ライン31に沿って分割工程を実施したならば、チャックテーブル71を90度回動して、所定方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン31に沿って上記分割工程を実施する。この結果、複合ウエーハ2または20は分割予定ライン31に沿って形成された2条の溶接ライン21または22の幅方向中間領域が切断され、個々のデバイス32に分割される。このように複合ウエーハ2または20を分割予定ライン31に沿って個々のデバイス32に分割する際には、複合ウエーハ2または20を構成するウエーハ3とサブストレート4または40との接合領域に切削ブレード723の幅を超える2条の溶接ライン21または22が形成され、ウエーハ3とサブストレート4または40とは2条の溶接ライン21または22によって強固に接合されているので、切削ブレード723による切断でウエーハ3とサブストレート4または40との接合に剥離が生じることがない。
2:複合ウエーハ
3:ウエーハ
31:分割予定ライン
32:デバイス
4:サブストレート
5:環状のフレーム
50:粘着テープ
6:レーザー加工装置
61:レーザー加工装置のチャックテーブル
62:レーザー光線照射手段
622:集光器
7::切削装置
71:切削装置のチャックテーブル
72:切削手段
723:切削ブレード
3:ウエーハ
31:分割予定ライン
32:デバイス
4:サブストレート
5:環状のフレーム
50:粘着テープ
6:レーザー加工装置
61:レーザー加工装置のチャックテーブル
62:レーザー光線照射手段
622:集光器
7::切削装置
71:切削装置のチャックテーブル
72:切削手段
723:切削ブレード
Claims (3)
- 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面にサブストレートが接合された複合ウエーハを、分割予定ラインに沿って切削ブレードで切断することにより個々のデバイスに分割する複合ウエーハの加工方法であって、
ウエーハまたはサブストレートに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光スポットをウエーハとサブストレートとの接合面に位置付けて分割予定ラインに沿って切削ブレードの幅を超える両側領域に照射し、ウエーハとサブストレートとの接合領域に2条の溶接ラインを形成する溶接ライン形成工程と、
該2条の溶接ラインの中央に該切削ブレードを位置付けて分割予定ラインに沿って複合ウエーハを切断することにより個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とする複合ウエーハの加工方法。 - 複合ウエーハは、少なくとも該分割工程を実施する前にウエーハを収容する開口部を有する環状のフレームの該開口部に位置付けられ粘着テープを介して環状のフレームと一体化される、請求項1記載の複合ウエーハの加工方法。
- 該溶接ライン形成工程においては、集光スポットの重なり率が90%以上となるようにレーザー光線の繰り返し周波数と加工送り速度が設定される、請求項1記載の複合ウエーハの加工方法。
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- 2016-01-22 JP JP2016010489A patent/JP2017130606A/ja active Pending
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