JP2009004461A - 電子部品パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子装置をウエハレベルで大量に同時に電気接続およびシールした後に個片化して形成する電子部品パッケージにおいて、前記電子装置の破壊、導通不良、シール不十分などの不良を抑える。
【解決手段】複数の電子装置2を有する装置ウエハ101とその電子装置形成面を覆うカバーウエハ103とを第一シール部9の材料により接合し、第一シール部9の各々の外周側に第二シール部10を形成し、第二シール部10を通るダイシングライン7で分割する。第一シール部9によって、大きい荷重を要することなくウエハ全面で気密シールを実現可能である。分割時には第二シール部10で荷重を受けるのでチッピングは発生しにくい。
【選択図】図５

Description

本発明は、電子部品パッケージおよびその製造方法に関する。

多くの電子装置は非常に繊細なものであり、環境中に存在する種々の汚染物を含む過酷な外界から保護する必要がある。中空構造を持つ電子部品パッケージはこのような保護を与える非常に効果的な手段のひとつである。中空パッケージの外周がシールされることで、パッケージ内に存する電子装置の環境は気密に保たれる。

公知の中空パッケージは、金属、ガラス又はセラミックや、半田又は溶接のようなシール手段を使用している。完全な気密は必要としないが環境からの分離を必要とする電子装置に対しては、ある程度の保護を与えるパッケージ構造、プラスチックカプセル、モールド、ポッティング又はポリマシールを使用している。これまで、最大の保護を与えるがコストは高い完全気密の中空パッケージと、ある程度の保護しか与えないがコストは安い中空パッケージとの間で、妥協することが必要であった。

図１４は、特許文献１に記載された電子部品パッケージの構造を示す。電子装置２が形成された装置基板１とカバー基板３とが外周部に設けられた半田などのシール部４によって気密的に接合されている。電子装置２は、装置基板１とカバー基板３とシール部４とにより構成される中空パッケージ内に封入されていながら、カバー基板３に貫通形成された導電性経路５の一端に電気的に接続されていて、導電性経路５の他端に設けられた外部接続端子６を通じて外部機器に対して接続可能である。

この電子部品パッケージは、電子装置２を大量に同時にシール及び電気接続する方法を用いて製造される。図１５において、１０１は上述の装置基板１となる装置ウエハであり、複数の電子装置２が形成されている。１０３は上述のカバー基板３となるカバーウエハであり、前記複数の電子装置２に対向する配置の複数の導電性経路５が形成されている。かかる装置ウエハ１０１とカバーウエハ１０３とを各電子装置２の周りにパターン化されたシール部４材料のグリッドにより接合すると同時に、各電子装置２を対応する導電性経路５に接続することにより、複数の電子装置２を一括で個別にシールするとともに電気接続する。そして接合済みの装置ウエハ１０１とカバーウエハ１０３とをダイシングライン７でダイシングして、電子装置２を各々有する電子部品パッケージに個片化する。
特許第２８２０６０９号公報

しかしながら、上記した従来の電子部品パッケージの構造では、チップ（装置基板１）のサイズが小さくなると、そしてウエハ（装置ウエハ１０１）あたりのチップ数が多くなると、気密のためのシール部４の面積が大きくなり、接合に必要な荷重も大きくなるため、不都合が生じる。以下に説明する。

１チップあたりのシール部４の面積は、図１５に付記したように、チップサイズをＡmm角、シール部４の幅をＢmm、ダイシングライン７の幅をＣmmとしたとき、下記の式で表される。

シール部面積＝（ウエハ上でのチップ面積）−（シール部以外の面積）
＝（Ａ＋Ｃ）^２−（Ａ−２Ｂ）^２
例えば、チップサイズを６mm角、シール部幅を０．０１mm、ダイシングライン幅を０．０４mmとしたとき、１チップあたりのシール部面積は、上記式より０．７２mm^２と算出できる。４インチウエハ（φ１００mm）での６mm角チップの取れ数を１９０とすると、ウエハあたりのシール部面積は約１４０mm²となる。

同様にして、チップサイズを１mm角と小さくしたときのウエハあたりのシール部面積を求める。シール部幅およびダイシングライン幅はチップサイズが６mm角のときと同一とすると、４インチウエハでの１mm角チップの取れ数はたとえば６４００となり、シール部面積は約７８０mm^２となる。これは、チップサイズが６mm角の場合の５倍以上の面積である。

このように、チップサイズが小さくなって、１ウエハあたりのチップ数が多くなると、ウエハ面内でのシール部面積が大きくなり、接合に必要な荷重が大きくなる。
シール部４の材料（以下、シール材料という）として金（Ａｕ）を用いる場合、気密を実現するために必要な加圧力は０．２５GPa程度であり、１mm角チップをウエハ一括で接合するためには約２０tの荷重が必要となる。荷重のばらつきをウエハ面内で１％に抑えたとしても、部分的には２００kgという大きな偏荷重が加わり、電子装置２の破壊という問題が発生する。接合時に破壊が起こらなくても、ダメージが生じていることがあり、その場合には、内在しているクラックが進展し、破壊に至る可能性がある。いずれの場合も、電子装置２の信頼性は低くなる。他方、荷重不足の部分が発生し、導通不良や気密シールが不十分となり、電子装置２の特性を満足しないこともある。

接合荷重を下げるために、図１６に示すように、ダイシングライン７上にはシール材料を配置しないことが考えられる。結果的にシール部４の面積が小さくなることから、荷重の低減には効果がある。しかしダイシングライン７部分のウエハ１０１，１１３間は空隙となるので、ダイシングブレード８によって加わる負荷が支持されず、チップクラックが発生しやすい構造となる。チップクラックが発生した場合は、そのクラックが進展し、破壊に至る可能性がある。

本発明は、上記問題を解決するもので、電子装置をウエハレベルで大量に同時にシールした後に個片化して形成する電子部品パッケージにおいて、前記電子装置の破壊、導通不良、シール不十分などの不良を抑えることを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の電子部品パッケージの製造方法は、複数の電子装置を有する装置基板と前記装置基板の電子装置形成面を覆うカバー基板とを、前記複数の電子装置の各々の周囲を囲み且つ互いの間に間隙を形成するように配置した第一シール部の材料により接合し、前記第一シール部の各々の外周面を覆う第二シール部を形成し、前第二シール部を通る所定の分割ラインで前記装置基板およびカバー基板を分割して、前記電子装置を各々有する電子部品パッケージに個片化することを特徴とする。

これによれば、第一シール部をなるべく幅狭いものとして、装置基板とカバー基板とを大きい荷重を要することなく接合させることができるので、偏荷重を回避しながら、気密シールを実現することができ、電子装置の破壊、導通不良も抑えることができる。分割の際には第二シール部で荷重を受けることができるので、チッピング、クラックは発生しにくい。

第二シール部は、装置基板とカバー基板との間に基板端部からシール材料を充填することにより形成することができる。
また第二シール部は、装置基板とカバー基板との間に、前記装置基板とカバー基板の少なくとも一方に形成した貫通孔を通じてシール材料を充填することにより形成することができる。貫通孔は、第一シール部の各々の外周側に、装置基板およびカバー基板を分割する際に切除される基板幅よりも大きい径にて形成されているのが好都合である。

本発明の電子部品パッケージは、電子装置を有する装置基板と、前記装置基板の電子装置形成面を覆ったカバー基板と、前記電子装置の周囲を囲み且つ前記装置基板と前記カバー基板とを接合している第一シール部と、前記第一シール部の外周面を覆う第二シール部とを有することを特徴とする。上記の方法によって製造できるもので、第一シール部と第二シール部との複数層構造によって高い気密性が得られる。

第一シール部の材料が金属であることを特徴とする。第二シール部の材料は金属であってもよいし、樹脂であってもよい。装置基板の外周面とカバー基板の外周面とは同一平面上にあり、前記装置基板とカバー基板の少なくとも一方の外周面に、基板の一主面から他主面にわたって延びて第二シール部に接続している溝部を少なくとも一つ有することを特徴とする。カバー基板に、装置基板の電子装置に電気的に接続する内部接続端子と外部接続端子とを有する導通経路が形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、複数の電子装置を有する装置基板とその電子装置形成面を覆うカバー基板との接合を、従来よりも幅狭い第一シール部の材料で行なえばよいので、大きい荷重を要することなく基板全面で気密シールを実現可能である。分割時には第二シール部で荷重を受けることができるので、チッピング、クラックは発生しにくい。よって、高気密、高信頼性の電子部品パッケージを実現することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の第１の実施形態における電子部品パッケージの構造を示す断面図である。この電子部品パッケージでは、電子装置２を有する装置基板１と、装置基板１の電子装置形成面を覆うカバー基板３とが、外周部においてシール部４により接合されている。

電子装置２は、装置基板１とカバー基板３とシール部４とにより構成される中空状パッケージ内に保持されるとともに、電極部２ａにおいて、カバー基板３を貫通する導電性経路５上に形成された電極部３ａに電気的に接続されていて、導電性経路５の他端に形成された外部接続端子６を通じて外部機器に対して接続可能とされている。

なお電子装置２は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）に代表されるようなセンサ、アクチュエータ、機構要素部品、電子回路が集積化されたもので、その具体例は、マイク、ミラー、角速度などのセンサである。カバー基板３は、上記のように、電子装置２の信頼性や特性を実現あるいは維持するための中空構造を形成するとともに、電子装置２の外部機器への接続部位として機能する。

シール部４は、電子装置２の周囲を空間を挟んで囲んでいる第一シール部９（９ａ，９ｂ）と、第一シール部９の外周面を覆った第二シール部１０とよりなり、複数層構造であることから気密性が高い。第一シール部９の材料は金属である。第二シール部１０の材料は金属であるか、または樹脂である。これらについては後述する。

以下、電子部品パッケージの製造方法を説明する。
まず、図２および図３にそれぞれ示す装置ウエハ１０１とカバーウエハ１０３とを準備する。装置ウエハ１０１およびカバーウエハ１０３は、複数の電子部品パッケージを一括で製造するべく、各々、上述の装置基板１あるいはカバー基板３を複数個、連続して形成したものである。

装置ウエハ１０１においては、装置基板１の領域ごとに、電子装置２（電極部２ａ等を有する）が形成され、またその周囲を囲む枠状の第一シール部９ａがパターン形成されている。隣り合う第一シール部９ａは互いの間に溝部１１を有しており、その溝部１１の幅はダイシングライン７よりも広い。

カバーウエハ１０３においては、カバー基板３の領域ごとに、上記電子装置２の電極部２ａに対向する配置の電極部３ａ、上記の導電性経路５となる貫通穴（図示せず）、第一シール部９ａに対向する配置の第一シール部９ｂが形成されている。

詳細には、装置ウエハ１０１およびカバーウエハ１０３の基材には、半導体基板として用いられるＳｉ、化合物半導体、ガラス、セラミック、金属などが用いられる。半導体もしくは導体を基材に用いる場合は、装置ウエハ１０１とカバーウエハ１０３の内の少なくとも一方に、シール部４（第一シール部９，第二シール部１０）の金属材料の下地となる絶縁層が必要である。

装置ウエハ１０１およびカバーウエハ１０３の形状は、ここでは一部のみ拡大図示したため四角形であるが、ウエハで用いられる円形が一般的である。全体が四角形などの多角形であっても問題はない。

装置ウエハ１０１およびカバーウエハ１０３の大きさは、パッケージ形成の効率を考慮して２〜６インチが一般的に用いられるが、１〜１２インチであれば問題はなく、同様の効果が得られる。電極部２ａ、電極部３ａの形状は、平面視で円形として図示しているが、多角形、楕円形であっても構わない。

装置ウエハ１０１の電子装置２の電極部２ａ、第一シール部９ａの材料としては、塑性変形により容易に接合するＡｕが望ましいが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、半田などであっても、また複数層構造であっても問題はなく、同様の効果が得られる。装置基板１の作成工程を考えると、電極部２ａ、第一シール部９ａは同一材料であることが望ましいが、異なる材料を用いることも可能である。

同様に、カバーウエハ１０３の電極部３ａ、第一シール部９ｂの材料としては、塑性変形により容易に接合するＡｕが望ましいが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、半田などであっても、また複数層構造であっても問題はなく、同様の効果が得られる。カバー基板３の作成工程を考えると、電極部３ａ、第一シール部９ｂは同一材料であることが望ましいが、異なる材料を用いることも可能である。

このように第一シール部９（９ａ，９ｂ）を金属とすることは、電子装置２の特性により中空状パッケージ内を完全気密で封止する必要がある場合に特に有効である。樹脂では完全気密が得られないからである。たとえば、第一シール部９を樹脂とし、後述する第二シール部１０を金属とすると、めっき液の影響で、第一シール部９の樹脂に水分が浸透してしまい、信頼性を悪くする原因となる。

次に、準備した装置ウエハ１０１とカバーウエハ１０３とを、図４（ａ）に示すように接合する。この接合は、上述の電極部２ａ，３ａどうし、第一シール部９ａ，９ｂどうしのパターンを位置合わせした後に行なう。このことにより、複数の電子装置２の電極部２ａが一括で対応する電極部３ａに接続されると同時に、第一シール部９（９ａ，９ｂ）によって、複数の電子装置２が互いに分離され、かつ装置ウエハ１０１およびカバーウエハ１０３との間に所定の間隙が形成される。

この際の接合方法は特に限定はなく、加圧による接合、加熱による接合、超音波印加による接合、電圧印加による接合、接合物表面を改質することによる接合、あるいはこれらを組合せる接合方法が使用可能である。また接合環境は、パッケージング後の電子装置２に望まれる環境を実現するべく、大気圧下、減圧下、Ｎ_２、Ａｒなどの特定ガス雰囲気下などとすることができる。

次に、図４（ｂ）に示すように、接合した装置ウエハ１０１とカバーウエハ１０３との間にウエハ外周から矢印で示すようにシール材料を導入する。このことにより、上述の電子装置２を囲んだ第一シール部９の各々の外周側に溝部１１を埋めるようにシール材料が充填され、上述の第二シール部１０が形成される。

この際に、シール材料として金属を用いる場合には、めっき液を一定方向から（たとえばＡ方向から）流し込むことにより、装置ウエハ１０１とカバーウエハ１０３との間の全表面にめっき液を接触させて、めっき成長させる。

シール材料として樹脂を用いる場合には、低粘度の樹脂を用いて、Ａ方向から第一回目の充填を行い、Ｂ方向から第二回目の充填を行う。第一回目の充填樹脂がまだ軟らかい状態で第二回目の樹脂充填を行なうと、第一シール部９どうしの間の溝部１１は格子状であるため（図２、３参照）、第二回目の樹脂が第一回目の充填樹脂を押し出しながら充填されていくこととなり、格子状の充填経路の全体に樹脂が充填される。弾性を有する樹脂であれば、発生する応力を緩和し、信頼性を確保するうえで効果的である。

シール材料の導入後（あるいはシール材料の導入に先立って）、上述のようにカバーウエハ１０３に形成しておいた貫通穴を金属の成膜あるいはめっき成長により埋めて導電性経路５を形成する。このことにより、複数の電子装置２が各々、対応する導電性経路５に電気的に接続されると同時に、第一シール部９、第二シール部１０によって外周側が囲まれた空間内にシールされる。導電性経路５の形成後に外部接続端子６を形成する。

なお、第二シール部１０と導電性経路５とは、上述のようにどちらを先に形成してもよいが、双方をめっき成長により形成する場合には、接合した装置ウエハ１０１・カバーウエハ１０３の外部から、格子状の充填経路と貫通穴の両方にめっき液が循環するように流路を設けることにより、第二シール部１０と導電性経路５の両方を同時にめっき成長により形成することが可能である。

導電性経路５の材料は、パッケージの気密性のためには金属が望ましいが、導電性樹脂を用いることも可能である。導電性樹脂を用いる場合にはスクリーン印刷や塗布による充填などの方法による。

その後に、図４（ｃ）に示すように、接合した装置ウエハ１０１とカバーウエハ１０３とをダイシングブレード８などで分割する。分割位置は、図５に示すダイシングライン７、つまり第一シール部９の外周側である。このことにより、電子装置２の外周側が第一シール部９と第二シール部１０とによってシールされた個片の電子部品パッケージが得られる。

分割時には、図示したように第二シール部１０が存在しているため、つまり従来のような空隙は存在しないため、応力が緩和され、チッピングの発生は抑えられる。応力緩和による高信頼性およびパッケージの小型化の観点からは、第二シール部１０の幅（個片化後の電子部品パッケージで）は、第一シール部９の幅の０．１〜１０倍程度が望ましい。

導電性経路５は、カバーウエハ１０３に形成するとして説明したが、これに限らず、カバーウエハ１０３と装置ウエハ１０１の少なくとも一方に形成すればよい。導電性経路５を装置ウエハ１０１（装置基板１）に形成する場合には、カバーウエハ１０３（カバー基板３）の電極部３ａを設ける必要がないので、工程数の削減が可能である。完成品においては、カバー基板３は、電子装置２の信頼性や特性を実現あるいは維持するための中空構造を形成する機能を担う。

接合前の第一シール部４ａ、４ｂは、塑性変形のしやすさの観点から高さ／幅の比が１以上となることが望ましい。その一方で、接合時の加圧面積を小さくするためには幅狭い方が望ましく、１０μｍ以下の幅が最適である。したがって例えば、第一シール部４ａ、４ｂを幅５μｍとなるように成膜およびパターニングし、メッキにて高さを１０μｍとすると、高さ／幅の比は２となり、両条件を満たし、良好な接合が可能となる。

第一シール部４ａ、４ｂどうしの高さと幅との関係には制約がない。第一シール部４ａ、４ｂの少なくとも一方の高さ／幅の比が１以上であればよく、他方が薄膜状態であっても、またメッキにより数μｍの高さを持っていても、同様の効果が得られる。

たとえば、先の図１に示したように、第一シール部４ａ、４ｂの双方の高さおよび幅を同程度としてもよい。あるいは、図６に示すように、第一シール部４ａ、４ｂの幅を相違させ、その差分の幅の第二シール部１０を設けてもよい。図７に示すように、第一シール部４ａ、４ｂの一方（ここでは第一シール部４ａ）を複数に分割形成しても、同様の効果が得られる。

図８に示す装置ウエハ１０１には、各第一シール部９ａを囲むように格子状に形成される溝部１１内で開口するように、ウエハ厚み方向に貫通する貫通孔１２が設けられている。貫通孔１２の位置は溝部１１の交差箇所である。貫通孔１２の径はダイシング幅と同等か、より小さい。

このような装置ウエハ１０１を用いれば、カバーウエハ１０３との接合後に貫通孔１２を通じてシール材料を導入することで、第二シール部１０を形成することができる。
第二シール部１０を金属で形成するためにめっき液を導入する場合、あるいは第二シール部１０を樹脂で形成するために低粘度の樹脂を導入する場合には、先に図４を用いて説明したように外周からシール材料を導入する場合に比べて、ウエハ中心からの流路を形成することが可能であるため、第二シール部１０でのボイドの発生を抑えることができる。つまり、ウエハ中心の貫通孔１２よりシール材料を導入すると、他の貫通孔１２はガス抜き孔となってウエハ全体へとシール材料が流れるため、第二シール部１０でのボイドの発生が抑えられる。

一方、高粘度の樹脂を用いる場合には、第二シール部１０のレイアウトを制限することが可能である。第二シール部１０のレイアウトを制限すると、シール効果は低減されるものの、パッケージの信頼性が向上する。

たとえば、図９に示す電子部品パッケージは、図８に示した装置ウエハ１０１を用い、溝部１１の交差箇所の貫通孔１２を通じて高粘度の樹脂を注入することにより、第一シール部９の４隅のみを覆う第二シール部１０を形成している。このような第二シール部１０が存在することは、装置基板１とカバー基板３との熱膨張差による応力集中に対して効果がある。

貫通孔１２の位置は、溝部１１内に開口するのであれば、特に制約はない。図１０に示す電子部品パッケージは、図示しない装置ウエハ１０１の溝部１１の交差箇所と交差箇所との中間位置に貫通孔１２を設けておき、その貫通孔１２を通じて高粘度の樹脂を注入することにより、第一シール部９の４方の側面（４隅を除く）を覆う第二シール部１０を形成している。このような第二シール部１０が存在することにより、第一シール部９の４隅のみを覆う図９の構造に比べて、ダイシングによる個片化時に発生しやすいチッピングをより低減することができる。

貫通孔１２をダイシング幅よりも大きい径にて形成しておけば、シール材料の充填速度が大きくなり、第二シール部１０の形成の効率化を図ることが可能である。
たとえば、先の図１に示したパッケージ形状にする場合に、ダイシング幅を４０μｍとすると、貫通孔１２の径は貫通孔跡が見えないように５５μｍ以下とする必要があり、シール材料の充填は容易ではないので、貫通孔１２の径を敢えてダイシング幅よりも大きく、たとえばφ６０〜７０μｍとする。

貫通孔１２の径を大きくするためにダイシング幅を大きくするのでは、ウエハあたりのチップ取れ数が減少し、非効率的なのであるが、上記のように貫通孔１２の径をダイシング幅よりも大きくすることで、ウエハあたりのチップ取れ数は同等としながら、シール材料の充填工程を効率化できる。得られるパッケージ形状は、図１１に示すように、装置基板１の角部に貫通孔跡の溝部１３を有するものとなるが支障はない。

同様に、先の図９に示したパッケージ形状にする場合に、溝部１１の交差箇所に設ける貫通孔１２の径をダイシング幅よりも大きくすることで、ウエハあたりのチップ取れ数は同等としながら、シール材料の充填工程を効率化できる。得られるパッケージ形状は、図１２に示すような、装置基板１の角部に貫通孔跡の溝部１３を有するものとなるが、支障はない。

同様に、先の図１０に示したパッケージ形状にする場合に、溝部１１の交差箇所を避けて設ける貫通孔１２の径をダイシング幅よりも大きくすることで、ウエハあたりのチップ取れ数は同等としながら、シール材料の充填工程を効率化できる。得られるパッケージ形状は、図１３に示すような、装置基板１の４方の側面（４隅を除く）に貫通孔跡の溝部１３を有するものとなるが、支障はない。

なお、図１１、図１２、図１３には、貫通孔跡の溝部１３を付着物がない状態で示しているが、溝部１３内にシール材料が存在していても構わない。
図１１、図１２、図１３には、貫通孔跡の溝部１３を４つ示しているが、貫通孔１２を一つ以上設けて所望の箇所に第二シール部１０を形成すればよいので、貫通孔跡の溝部１３は４つとは限らない。

図１１、図１２、図１３には、貫通孔跡の溝部１３を装置基板１に示しているが、装置ウエハ１０１とカバーウエハ１０３との内の少なくとも一方に貫通孔１２を設けて所望の箇所に第二シール部１０を形成すればよいのであって、図示を省略するが、カバーウエハ１０３に貫通孔１２を設けた場合は、貫通孔跡の溝部１３はカバー基板３に残ることになる。上述の導通性経路５をカバーウエハ１０３に形成するのであれば、そのための貫通孔と同一工程にて貫通孔１２を形成できるので、工程数を削減することができる。

本発明によれば、高気密、高信頼性の中空パッケージ構造とすることができ、ＭＥＭＳに代表されるようなマイク、センサ、ミラーなどの電子部品パッケージを高信頼性で実現することができる。

本発明の第１の実施形態の電子部品パッケージの断面図 図１の電子部品パッケージの製造に用いる装置ウエハの一部拡大図 図１の電子部品パッケージの製造に用いるカバーウエハの一部拡大図 図１の電子部品パッケージの製造方法を説明する斜視図 図４の電子部品パッケージの製造方法の一工程を示す断面図 本発明の第２の実施形態の電子部品パッケージの断面図 本発明の第３の実施形態の電子部品パッケージの断面図 図１の電子部品パッケージの製造に用いる他の装置ウエハの一部拡大図 本発明の第４の実施形態の電子部品パッケージの斜視図 本発明の第５の実施形態の電子部品パッケージの斜視図 本発明の第６の実施形態の電子部品パッケージの斜視図 本発明の第７の実施形態の電子部品パッケージの斜視図 本発明の第８の実施形態の電子部品パッケージの斜視図 従来の電子部品パッケージの断面図 図１４の電子部品パッケージの製造方法の一工程を示す断面図 従来の他の電子部品パッケージの製造方法の一工程を示す断面図

符号の説明

１ 装置基板
２ 電子装置
2a 電極部
３ カバー基板
3a 電極部
４ シール部
５ 導電性経路
７ ダイシングライン
９,9a,9b 第一シール部
10 第二シール部
11 溝部
12 貫通孔
13 溝部
101 装置ウエハ
103 カバーウエハ

Claims (10)

1. 複数の電子装置を有する装置基板と前記装置基板の電子装置形成面を覆うカバー基板とを、前記複数の電子装置の各々の周囲を囲み且つ互いの間に間隙を形成するように配置した第一シール部の材料により接合し、前記第一シール部の各々の外周面を覆う第二シール部を形成し、前第二シール部を通る所定の分割ラインで前記装置基板およびカバー基板を分割して、前記電子装置を各々有する電子部品パッケージに個片化することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
2. 第二シール部は、装置基板とカバー基板との間に基板端部からシール材料を充填することにより形成することを特徴とする請求項１記載の電子部品パッケージの製造方法。
3. 第二シール部は、装置基板とカバー基板との間に、前記装置基板とカバー基板の少なくとも一方に形成した貫通孔を通じてシール材料を充填することにより形成することを特徴とする請求項１記載の電子部品パッケージの製造方法。
4. 貫通孔は、第一シール部の各々の外周側に、装置基板およびカバー基板を分割する際に切除される基板幅よりも大きい径にて形成されていることを特徴とする請求項３記載の電子部品パッケージの製造方法。
5. 電子装置を有する装置基板と、前記装置基板の電子装置形成面を覆ったカバー基板と、前記電子装置の周囲を囲み且つ前記装置基板と前記カバー基板とを接合している第一シール部と、前記第一シール部の外周面を覆う第二シール部とを有することを特徴とする電子部品パッケージ。
6. 第一シール部の材料が金属であることを特徴とする請求項５記載の電子部品パッケージ。
7. 第二シール部の材料が金属であることを特徴とする請求項５記載の電子部品パッケージ。
8. 第二シール部の材料が樹脂であることを特徴とする請求項５記載の電子部品パッケージ。
9. 装置基板の外周面とカバー基板の外周面とは同一平面上にあり、前記装置基板とカバー基板の少なくとも一方の外周面に、基板の一主面から他主面にわたって延びて第二シール部に接続している溝部を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項５記載の電子部品パッケージ。
10. カバー基板に、装置基板の電子装置に電気的に接続する内部接続端子と外部接続端子とを有する導通経路が形成されていることを特徴とする請求項５記載の電子部品パッケージ。

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