JP4371217B2 - 半導体デバイスの気密封止構造 - Google Patents
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Description
本発明の半導体デバイスの気密封止構造に係わる実施の形態について、全体構成の断面を図3に示す。
本発明のその他の実施の形態として、キャップ3と外部回路との電気的な接続部である、キャップ側信号パターン(外部)10aとセラミック信号パターン14a間の接合にも、常温接合を適用することが出来る。
2a、2b…セラミック基板
3…キャップ
4、80…ろう材
5…キャップ側絶縁層
6…キャップ空乏部
7…キャップ本体部
8a、8b…キャップ側信号パターン(内部)
9a、9b…キャップ側信号パターン(封止部)
10a、10b…キャップ側信号パターン(外部)
11a、11b…ベアチップ側信号パターン
12…キャップ側封止パターン
13…ベアチップ側封止パターン
14a、14b…セラミック基板上信号パターン
15…電気回路
20…セラミック基板
30…キャップ
40…ヘッダー
50…ハーメチック気密封止
60…ワイヤ
70…ベアチップ上ボンディングパターン
90…セラミック基板上信号パターン
Claims (7)
- 第1の接触部と電気回路とを備えた半導体チップと、
第2の接触部と凹部とを備えたキャップと
を具備し、
前記半導体チップと前記キャップとの間に前記凹部により形成された閉空間内に前記電気回路が気密封止されるように前記第1の接触部と前記第2の接触部とが接合され、
前記キャップには、一端で前記電気回路に電気的に接続され、他端で外部回路と電気的に接続される、第1の導体部が設けられており、
前記第1の導体部は、前記第2の接触部と交差するように延びており、
前記キャップにおいて、前記第1の導体部と前記第2の接触部との間には、前記第1の導体部と前記第2の接触部とを絶縁させる、絶縁層が設けられている
半導体デバイス。 - 請求項1に記載された半導体デバイスであって、
前記半導体チップは、ロジックICである
半導体デバイス。 - 請求項1に記載された半導体デバイスであって、
前記半導体チップはベアチップである
半導体デバイス。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載された半導体デバイスであって、
前記キャップの素材がシリコンまたはガリウムヒ素である
半導体デバイス。 - 第1の接触部と、電気回路とを有する半導体チップが形成された半導体チップ用ウェハを作成するプロセスと、
第2の接触部と、凹部、第1の導体部とを有するキャップが形成されたキャップ用ウェハを作成するプロセスと、
前記半導体チップと前記キャップとの間に前記凹部により形成された閉空間内に前記電気回路が気密封止されるように、前記第1の接触部と前記第2の接触部とを常温接合し、ウェハ積層体を作成するプロセスと、
前記ウェハ積層体をダイシングするプロセスと、
を具備し、
前記ウェハ積層体を作成するプロセスは、前記第1の導体部の一端が前記電気回路に電気的に接続され、他端が外部回路と電気的に接続されるように、前記第1の接触部と前記第2の接触部とを接合するプロセスを含んでいる
半導体デバイスの気密封止方法。 - 第2の接触部と、凹部と、前記第1の導体部とを備えたキャップを作成するプロセスと、
第1の接触部と、電気回路とを備えた半導体チップが形成された半導体チップ用ウェハを作成するプロセスと、
前記凹部により形成される閉空間内に前記電気回路が気密封止されるように、前記第1の接触部と前記第2の接触部とを常温接合し、前記半導体チップ用ウェハ上にキャップを搭載するプロセスと、
前記キャップと搭載するプロセスの後に、前記半導体チップ用ウェハをダイシングするプロセスと、
を具備し、
前記キャップを搭載するプロセスは、前記第1の導体部の一端が前記電気回路に電気的に接続され、他端が外部回路と電気的に接続されるように、前記第1の接触部と前記第2の接触部とを接合するプロセスを含んでいる
半導体デバイスの気密封止方法。 - 第1の接触部と、電気回路とを備えた半導体チップを作成するプロセスと、
第2の接触部と、凹部と、前記第1の導体部とを備えたキャップが形成されたキャップ用ウェハを作成するプロセスと、
前記凹部により形成される閉空間内に前記電気回路が気密封止されるように、前記第1の接触部と前記第2の接触部とを常温接合し、前記キャップ用ウェハ上に前記半導体チップを搭載するプロセスと、
前記半導体チップを搭載するプロセスの後に、前記キャップ用ウェハをダイシングするプロセスと、
具備し、
前記半導体チップを搭載するプロセスは、前記第1の導体部の一端が前記電気回路に電気的に接続され、他端が外部回路と電気的に接続されるように、前記第1の接触部と前記第2の接触部とを接合するプロセスを含んでいる
半導体デバイスの気密封止方法。
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