JP7448381B2 - パッケージ及びパッケージの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、パッケージ及びパッケージの製造方法に関する。

例えば、赤外線センサ等の半導体装置に使用されているパッケージは、一般に、第１基板と、センサ素子と、第２基板とが備えられる。センサ素子は第１基板の上面に設けられており、各種検知を行う。また、第２基板は、センサ素子を覆った状態で第１基板の上面に接合される。また、第１基板と第２基板とに覆われた、センサ素子の上方に確保される封止空間は、減圧空間（キャビティ）とされている。

赤外線センサに使用されているパッケージは、通常、センサ特性の向上及び安定化等を目的として、素子と外系との間を熱的に隔離するため、減圧雰囲気で真空封止されている。即ち、赤外線センサにおいては、断熱性を高めるため、赤外線検出素子全体が真空環境下に置かれた、真空パッケージの構造とされている。

また、上記のような減圧雰囲気で封止するパッケージにおいては、減圧空間内において有機物によるガスが発生するのを低減するため、従来から、パッケージ内に、主として水素や酸素等のガスを吸着することで真空度を高めるためのゲッター膜（ガス吸着材）を設けることが知られている。

上記のようなゲッター膜は、従来、主としてパッケージの底壁部に取り付けられていることから、ゲッター膜の取り付け領域が大きくなり、減圧空間内及びパッケージ全体の省スペース化を図ることが難しいという問題があった。このような問題を解決するため、例えば、基板に対して垂直にゲッター膜（ゲッター装置）を取り付けることで、パッケージ内の省スペース化を図ることが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
特許文献１に記載の技術によれば、上記構成により、パッケージ内を真空等の特定ガス雰囲気下に保持しながら、省スペース化による低コスト化を図ることができるとされている。

特開２０１５－０２１８８８号公報

上記のような減圧空間内において、水素や酸素等のガスを効率よくゲッター膜に吸着させるためには、一般に、ゲッター膜を約３００℃程度の高温に加熱する、所謂「活性化プロセス」を実施する必要がある。しかしながら、特許文献１に記載されたセンサ装置等、従来の構成においては、真空封止したパッケージとされていることから、外部からゲッター膜を加熱して活性化することが困難であった。また、従来のパッケージにおいては、減圧空間内にゲッター膜を活性化するための特別な装置又は構造を設けることは困難であったことから、充分な真空度得ることが難しかった。このように、減圧空間の真空度が十分でないと、センサ素子の特性も十分に得られないという問題があった。

また、特許文献１に記載の技術では、まず、ゲッター膜を基部に組み付け、この状態で、ゲッター膜が基板に対して垂直となる方向で実装するという複雑な工程が必要となる。このため、製造工程の複雑化や、実装工程の増加等が生じ、製造コストが増大するおそれがあるという問題があった。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、簡便な構成でガス吸着材を活性化することで高い真空度が得られ、センサとしての素子特性及び信頼性に優れるとともに、簡便な工程によって生産性良く低コストで製造することが可能なパッケージ及びパッケージの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明のパッケージは、第１基板と、前記第１基板の上面側に設けられる素子と、前記第１基板の上面側に前記素子を覆った状態で接合され、前記第１基板側に配置される下面側に、前記第１基板の上面側に第１接合体を介して接合される第１凸部と、平面視で前記第１凸部に囲まれるように形成された、前記素子上に封止空間を確保するための凹状のキャビティ領域と、該キャビティ領域に設けられ、前記第１基板の上面側に第２接合体を介して接合される第２凸部と、を有する第２基板と、前記第１基板内に埋設され、前記素子に電気的に接続される、少なくとも一以上の埋め込み配線と、前記第１基板上において、対向して配置される前記第２基板よりも平面視で外側に設けられ、前記埋め込み配線と第１コンタクトを介して電気的に接続される電極と、前記第２基板における、前記キャビティ領域によって確保される前記封止空間に露出した面のうち、前記第１基板に設けられた前記素子と対向する位置を除いた少なくとも一部に配置されるガス吸着層と、を備え、前記第２接合体は、前記ガス吸着層に接続されるとともに、前記第１基板に設けられた第２コンタクトを介して前記埋め込み配線と電気的に接続されており、前記ガス吸着層が、前記第２接合体、前記第２コンタクト、前記埋め込み配線、及び前記第１コンタクトを介して、前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする。

本発明によれば、上記のように、第１基板と第２基板とを接合する第２接合体を備え、この第２接合体が、ガス吸着層に接続されるとともに、第１基板に設けられた第１コンタクトを介して埋め込み配線と電気的に接続され、ガス吸着層が、第２接合体、第２コンタクト、埋め込み配線、及び第１コンタクトを介して、電極と電気的に接続されていることで、ガス吸着層に対して電極から電流を印加して加熱・活性化することが可能になる。これにより、ガス吸着層のガス吸着能力が高められ、減圧空間とされたキャビティ内のガスを効果的に吸着できるので、キャビティ内の真空度がより高められる。
従って、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージを、簡便な構成且つ低コストで実現できる。

また、本発明のパッケージは、上記構成において、前記第１接合体が、前記第２基板における前記第１凸部の先端を覆うように設けられる第２金属接合膜と、前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせたときに、前記第１基板における、前記第１凸部に対応する位置に設けられる第１金属接合膜とを含み、前記第２接合体が、前記第２基板における前記第２凸部の先端を覆うように設けられる第２通電用接合膜と、前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせたときに、前記第１基板における、前記第２凸部に対応する位置に設けられる第１通電用接合膜とを含み、前記第１接合体は、前記第２金属接合膜と前記第１金属接合膜とが拡散接合されてなり、前記第２接合体は、前記第２通電用接合膜と前記第１通電用接合膜とが拡散接合されてなる構成を採用することがより好ましい。

本発明によれば、第１接合体が、第２金属接合膜と第１金属接合膜とが拡散接合されてなることで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、高い封止気密性が得られる。また、第１基板及び第２基板における加工精度に起因する凹凸等が吸収されるので、内部における電気的特性もより良好になる。これにより、歩留まりが向上するとともに、優れた素子特性が得られる。
また、第２接合体が、第２通電用接合膜と第１通電用接合膜とが拡散接合されてなる構成を採用することで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、ガス吸着層に対して電流を確実に印加して加熱・活性化できる。これにより、キャビティ内のガスをより効果的に吸着でき、真空度がさらに高められるので、優れた素子特性が得られる。

また、本発明のパッケージは、上記構成において、前記ガス吸着層が、少なくとも、チタン、ジルコニウム又はニッケルを含むゲッター剤からなる構成であってもよい。

本発明によれば、ガス吸着層を、上記のゲッター剤から構成することで、通電加熱によるガス吸着層の活性化効果がより顕著に得られる。これにより、ガス吸着層によるキャビティ内のガス吸着効果がより顕著に得られ、真空度がさらに高められる。

また、本発明のパッケージは、上記構成において、前記第１基板及び前記第２基板がシリコン基板からなる構成を採用することが好ましい。

本発明によれば、第１基板及び第２基板が、加工性に優れるシリコン基板からなることで、接合による内部応力が低減されるとともに、エッチング処理による加工精度が向上するので、素子特性にさらに優れたものとなる。

また、本発明のパッケージは、上記構成において、前記素子が赤外線検出素子であり、且つ、前記第２基板が赤外線を透過可能とされた、所謂赤外線センサとしての構成を採用することが可能である。

本発明によれば、上記のパッケージ構造を有し、素子として赤外線検出素子を備えた構成を採用することで、キャビティ内における高い真空度を有し、低コストであるとともに素子特性及び信頼性に優れたパッケージ構造を有する赤外線センサが実現できる。

本発明のパッケージの製造方法は、少なくとも、基板材料の表面をエッチングすることにより、少なくとも、素子を収容する凹状のデバイス領域を形成して第１基板を得る工程（１）と、前記第１基板における前記デバイス領域を除く位置に、少なくとも一以上の埋め込み配線を形成する工程（２）と、基板材料の表面をエッチングすることにより、前記第１基板の上面側に第１接合体を介して接合される第１凸部と、平面視で前記第１凸部に囲まれるように形成され、前記素子上に封止空間を確保するための凹状のキャビティ領域と、該キャビティ領域に設けられ、前記第１基板の上面側に第２接合体を介して接合される第２凸部と、を形成して第２基板を得る工程（３）と、前記第２基板に形成された前記第１凸部の先端を覆うように第２金属接合膜を形成するとともに、前記第２凸部の先端を覆うように第２通電用接合膜を形成する工程（４）と、前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせたときに、前記第１凸部に対応する位置で、前記第１基板上に第１金属接合膜を形成するとともに、前記第２凸部に対応する位置で、前記第１基板上に第１通電用接合膜を形成する工程（５）と、前記第１基板の上面側に、前記埋め込み配線の一端側に電気的に接続される第１コンタクトを形成するとともに、前記埋め込み配線の他端側に電気的に接続される第２コンタクトを形成し、さらに、前記第１コンタクトに接続する電極を形成する工程（６）と、前記第２基板における、前記キャビティ領域によって確保される前記封止空間に露出する面のうち、前記第１基板に設けられた前記素子と対向する位置を除いた少なくとも一部を覆うようにゲッター剤を塗布し、前記第２通電用接合膜と少なくとも一部が接するようにガス吸着層を形成する工程（７）と、前記第１基板に形成された前記デバイス領域に前記素子を配置する工程（８）と、前記第１基板と前記第２基板との間に前記素子が配置されるように前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせて互いに加圧し、前記第１金属接合膜と前記第２金属接合膜とを拡散接合させて前記第１接合体を形成するとともに、前記第１通電用接合膜と前記第２通電用接合膜とを拡散接合させて前記第２接合体を形成し、且つ、前記第２接合体が前記第１基板に設けられた前記第２コンタクトに接するように前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程（９）と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、上記のような工程（１）～（９）を備え、工程（７）において、第２通電用接合膜と接するようにガス吸着層を形成するとともに、工程（９）において、第１金属接合膜と第２金属接合膜とを拡散接合させて第１接合体を形成し、第１通電用接合膜と第２通電用接合膜とを拡散接合させて第２接合体を形成し、且つ、第２接合体が第１基板に設けられた第２コンタクトに接するように第１基板と第２基板とを接合する方法なので、簡便な工程で、ガス吸着層が、第２接合体、第２コンタクト、埋め込み配線、及び第１コンタクトを介して電極と電気的に接続した構成のパッケージを製造することができる。これにより、ガス吸着層に対して電極から電流を印加して加熱・活性化することで、ガス吸着層のガス吸着能力を高めることができ、キャビティ内のガスを効果的に吸着し、キャビティ内の真空度をより高めることが可能になる。
また、第２金属接合膜と第１金属接合膜とを拡散接合させて第１接合体を形成することで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、また、第１基板及び第２基板における加工精度に起因する凹凸等を吸収させながら各基板を接合できるので、高い封止気密性が得られるとともに、内部における電気的特性も良好になり、歩留まりも高められる。
さらに、第２通電用接合膜と第１通電用接合膜とを拡散接合させて第２接合体を形成することで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、ガス吸着層に対して電流を確実に印加して加熱・活性化できるので、キャビティ内のガスをより効果的に吸着でき、真空度がさらに高められる。
従って、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージを、簡便な工程で生産性良く低コストで製造することが可能となる。

また、本発明のパッケージの製造方法は、上記構成において、さらに、前記工程（９）の後に、前記電極に通電して前記ガス吸着層に電流を印加することにより、該ガス吸着層を加熱して活性化する工程（１０）を備えることがより好ましい。

本発明によれば、必要に応じて、工程（１０）においてガス吸着層に対して電流を印加し、ガス吸着層を加熱して活性化することでガス吸着能力が高められるので、キャビティ内のガスを効果的に吸着してキャビティ内の真空度をより高めることが可能になる。

また、本発明のパッケージの製造方法は、上記構成において、前記工程（３）が、前記第１凸部及び第２凸部を同時に形成することにより、前記第２基板を得る方法とすることがより好ましい。

本発明によれば、第１凸部及び第２凸部という、基板材料の表面をエッチング処理等で加工することが必要な部位を形成する工程を同時に行うことで第２基板を得ることにより、工程を簡略化でき、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージを、簡便な工程で生産性良く低コストで製造することが可能となる。

また、本発明のパッケージの製造方法は、上記構成において、前記工程（４）は、前記第２金属接合膜及び前記第２通電用接合膜を同時に形成し、前記工程（５）は、前記第１金属接合膜及び前記第１通電用接合膜を同時に形成することがより好ましい。

本発明によれば、工程（４）において、金属膜からなる第２金属接合膜及び第２通電用接合膜を同時に形成し、また、工程（５）において、金属膜からなる第１金属接合膜及び第１通電用接合膜を同時に形成する方法を採用し、それぞれ、各金属膜を同時に形成することで、工程を簡略化できる。これにより、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージを、簡便な工程で生産性良く低コストで製造することが可能となる。

また、本発明のパッケージの製造方法は、上記構成において、前記工程（５）及び前記工程（６）を同時に行うことにより、前記第１基板に、前記第１金属接合膜、前記第１通電用接合膜、前記第１コンタクト、前記第２コンタクト及び電極を同時に形成することがより好ましい。

本発明によれば、前記第１基板に、前記第１金属接合膜、前記第１通電用接合膜、前記第１コンタクト、前記第２コンタクト及び電極を同時に形成する方法を採用し、導電箇所を１回のプロセスで形成することにより、工程を簡略化できる。これにより、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージを、さらに簡便な工程で生産性良く低コストで製造することが可能となる。

また、本発明のパッケージの製造方法は、上記構成において、前記工程（１）及び前記工程（３）が、前記基板材料としてシリコン基板を用いる工程であることがより好ましい。

本発明によれば、第１基板及び第２基板に、加工性に優れるシリコン基板を用いることで、後工程となる工程（６）で第１基板と第２基板とを接合する際の内部応力が低減されるとともに、エッチング処理による加工精度が向上するので、素子特性にさらに優れたパッケージを製造することが可能になる。

また、本発明のパッケージの製造方法は、上記構成において、前記工程（５）が、前記素子として、赤外線検出素子を、前記第１基板に形成された前記デバイス領域に配置する方法としてもよい。

本発明によれば、上記の各工程によって得られるパッケージ構造に対し、素子として赤外線検出素子をデバイス領域に配置する方法なので、キャビティ内における高い真空度を有し、低コストであるとともに素子特性及び信頼性に優れたパッケージを有する赤外線センサを製造することが可能になる。

本発明のパッケージによれば、上記構成を備えることにより、ガス吸着層が、第２接合体、第２コンタクト、埋め込み配線、及び第１コンタクトを介して、電極と電気的に接続されるので、ガス吸着層に対して電極から電流を印加して加熱・活性化することが可能になる。これにより、ガス吸着層のガス吸着能力が高められ、減圧空間とされたキャビティ内のガスを効果的に吸着できるので、キャビティ内の真空度がより高められる。従って、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージを、簡便な構成且つ低コストで実現できる。

また、本発明のパッケージの製造方法によれば、上記方法を採用することにより、ガス吸着層を、第２接合体、第２コンタクト、埋め込み配線、及び第１コンタクトを介して、電極と電気的に接続されるように設けることができるので、ガス吸着層に対して電極から電流を印加して加熱・活性化することが可能になる。これにより、ガス吸着層のガス吸着能力を高めることができ、キャビティ内のガスを効果的に吸着させてキャビティ内の真空度をより高めることが可能になる。
また、第２金属接合膜と第１金属接合膜とを拡散接合させて第１接合体を形成することで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、また、第１基板及び第２基板における加工精度に起因する凹凸等を吸収させながら各基板を接合できるので、高い封止気密性が得られるとともに、内部における電気的特性も良好になり、歩留まりも高められる。
さらに、第２通電用接合膜と第１通電用接合膜とを拡散接合させて第２接合体を形成することで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、ガス吸着層に対して電流を確実に印加して加熱・活性化できるので、キャビティ内のガスをより効果的に吸着でき、真空度がさらに高められる。
従って、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージを、簡便な工程で生産性良く低コストで製造することが可能となる。

本発明の実施形態であるパッケージを模式的に説明する平面図である。 本発明の実施形態であるパッケージを模式的に説明する図であり、図１中に示すＩ－Ｉ断面図である。 本発明の実施形態であるパッケージの製造方法を模式的に説明する図であり、図３（ａ）は、工程（３）において基板をウェットエッチングすることで第２基板を得るステップを示す工程図、図３（ｂ）は、工程（７）において、第２基板の第１凸部に第２金属接合膜を形成するとともに、第２凸部に第２通電用接合膜を形成するステップを示す工程図である。 本発明の実施形態であるパッケージの製造方法を模式的に説明する図であり、図４（ａ）は、工程（８）において第１基板の表面に第１金属接合膜及び第１通電用接合膜を形成するステップ、及び、工程（５）においてデバイス領域に素子を配置するステップを示す工程図であり、図４（ｂ）は、工程（６）において第１基板と第２基板とを接合することでパッケージを得るステップを示す工程図、図４（ｃ）は、ウエハをダイシングすることで電極を露出させるとともに、チップ化するステップを示す工程図である。

以下、本発明のパッケージ及びパッケージの製造方法の実施形態を挙げ、その構成について図１～図４を適宜参照しながら詳述する。
図１は、本実施形態のパッケージを模式的に説明する平面図であり、図２は、図１中に示すパッケージ１のＩ－Ｉ断面図である。また、図３及び図４は、本実施形態のパッケージ１の製造方法を模式的に説明する図であり、これらのうち、図３（ａ）は、基板をウェットエッチングして第２基板を得るステップ、図３（ｂ）は、第２基板の第１凸部に第２金属接合膜を形成するとともに、第２凸部に第２通電用接合膜を形成するステップをそれぞれ示す工程図である。また、図４（ａ）は、第１基板の表面に第１金属接合膜及び第１通電用接合膜を形成するステップ、及び、デバイス領域に素子を配置するステップを示す工程図であり、図４（ｂ）は、第１基板と第２基板とを接合してパッケージを得るステップ、図４（ｃ）は、ウエハをダイシングすることで電極を露出させてチップ化するステップをそれぞれ示す工程図である。

なお、以下の説明で用いる各図面は、本発明のパッケージの特徴をわかりやすくするため、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等は実際とは異なる場合がある。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。

［パッケージの構成］
以下に、本実施形態のパッケージの構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。
図１及び図２に示すように、本実施形態のパッケージ１は、第１基板２（ベース基板）と、素子４と、第２基板３（リッド基板）とを備える。本実施形態のパッケージ１は、内部に素子４が設けられることで、種々のセンサ装置や半導体装置等を構成するものである。

より詳細には、本実施形態のパッケージ１は、第１基板２、第１基板２の上面２ａ側に設けられる素子４、並びに、素子４を覆った状態で第１基板２の上面２ａ側に接合され、第１基板２側に配置される下面３ａ側に、第１基板２に第１接合体５０を介して接合される第１凸部３１と、平面視で第１凸部３１に囲まれるように形成され、素子４上にキャビティ（封止空間・減圧空間）Ｃを確保するための凹状のキャビティ領域３２と、このキャビティ領域３２内に配置され、第１基板２に第２接合体６０を介して接合される第２凸部３３と、を有する第２基板３を備えて概略構成される。

また、パッケージ１は、第１基板２内に埋設され、素子４に電気的に接続される埋め込み配線７１，７２と、第１基板２上において、対向して配置される第２基板３よりも平面視で外側に設けられ、埋め込み配線７１，７２と第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して電気的に接続される電極８１，８２とが備えられている。

また、パッケージ１は、第２基板３における、キャビティ領域３２によって確保される封止空間に露出した面のうち、第１基板２に設けられた素子４と対向する部分を除いた位置にガス吸着層１０を備えている。このガス吸着層１０は、第２接合体６０と接続されており、第２接合体６０は、第１基板２に設けられた第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを介して埋め込み配線７１，７２と電気的に接続されている。
そして、本実施形態のパッケージ１は、ガス吸着層１０が、第２接合体６０、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して、電極８１，８２と電気的に接続されている。

なお、図１においては詳細な図示を省略しているが、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂと素子４との間は、配線によって電気的に接続されており、これにより、電極８１，８２は、素子４から出力された検出信号を外部に向けて送出できるように構成されている。
以下、本実施形態のパッケージ１の構成についてより詳細に説明する。

第１基板２は、パッケージ１のベース基板であり、例えば、シリコン基板からなる。また、第１基板２は、図１に示す例では、平面視で矩形状に形成されている。また、第１基板２の上面２ａには、後述する素子４を配置するためのデバイス領域２２が凹状に形成されており、図示例においては、平面視で概略中央にデバイス領域２２が設けられている。

第１基板２は、シリコン基板をウェットエッチングすることにより、デバイス領域２２を形成することで得ることができる。デバイス領域２２は、例えば、平面視矩形状に形成される領域である。
また、第１基板２の平面視形状は、図示例のような概略矩形状のものには限定されず、パッケージ１としての平面視形状に合わせて各種形状を採用することができる。
また、本実施形態においては、第１基板２の上面２ａ及び下面２ｂは、デバイス領域２２の部分を除いて概略平坦に構成されている。

素子４は、上述のように、第１基板２の上面２ａ側に形成された凹状のデバイス領域２２に収容されるように設けられている。また、素子４は、上述したように、その検出信号を、電極８１，８２から外部に向けて送出する。素子４は、第１基板２のデバイス領域２２に設置された状態において、その上面側が、減圧空間とされたキャビティＣに露出するように設けられる。

素子４は、例えば、ベース基板である第１基板２の構成材料から構成された部分を有してもよく、外部から供給された材料から構成された部分を有してもよく、また、第１基板２の構成材料と外部から供給された材料とを混合して構成された部分を有してもよい。本実施形態における素子４としては、例えば、センサ素子の他、電子素子、集積回路等が挙げられる。また、センサ素子としては、例えば、赤外線センサ、加速度センサ、角速度センサ等が挙げられる。

また、図１及び図２等においては図示を省略しているが、本実施形態のパッケージ１においては、第１基板２におけるデバイス領域２２の周囲や、後述する埋め込み配線７１，７２又は電極８１，８２の周囲等に絶縁層が設けられていてもよい。具体的には、図視略の絶縁層は、第１基板２の上面２ａ側のうち、素子４よりも外側の領域に、平面視で素子４を囲むように設けることができる。この絶縁層は、絶縁性を有する材料からなり、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜（ＳｉＮ_ｘ）等から形成される。

第２基板３は、パッケージ１のリッド基板（蓋）であり、第１基板２と同様、例えば、シリコン基板からなる。また、図示例の第２基板３は、第１基板２と同様、平面視で矩形状に形成されている。また、第２基板３は、縁部近傍に第１凸部３１を有し、概略で蓋状に形成されている。また、第２基板３における第１凸部３１よりも平面視で内側の領域は、詳細を後述するように、第１基板２の上面２ａと、第２基板３の下面３ａ側に設けられた第１凸部３１とを組み合わせて接合した際に、キャビティ領域３２による封止空間（キャビティＣ）を形成する。さらに、第２基板３には、上記のキャビティ領域３２によって確保されるキャビティＣに露出した面のうち、第１基板２に設けられた素子４と対向する位置を除いた少なくとも一部に第２凸部３３が設けられており、図示例では第２凸部３３が、第１凸部３１と同じ高さで２箇所に設けられている。

なお、図示例のキャビティ領域３２は、平面視矩形状とされている。
また、図示例の第１凸部３１及び第２凸部３３は、詳細を後述するウェットエッチングによる加工条件に伴い、側部が傾斜して形成されている。

第２基板３は、第１基板２に対して概略平行となるように重ね合わせられている。
また、第２基板３の平面視形状も、第１基板２の場合と同様、図示例のような概略矩形状には限定されず、パッケージ１としての平面視形状に合わせて、第１基板２と対応する形状とすることができる。
また、第２基板３は、上記の素子４が赤外線検出素子である場合には、赤外線を透過可能に構成される。

本実施形態のパッケージ１に備えられる第２基板３は、上記のように、下面３ａ側に、平面視矩形状で枠状とされた第１凸部３１と、キャビティ領域３２内の２箇所に設けられた第２凸部３３を有している。第２凸部３３の数や位置については特に限定されず、後述するガス吸着層１０への通電効率を考慮しながら、適宜決定することができる。また、第２凸部３３の平面視寸法についても特に限定されず、素子４による検出作用を阻害しない程度の大きさで適宜決定することができる。

第２基板３におけるキャビティ領域３２の深さ、即ち、第１凸部３１（及び第２凸部３３）の高さとしては、キャビティＣとして一定容量を有する空間を確保できる高さであれば、特に限定されず、例えば、３０～１００μｍの高さとすることができる。

また、第２凸部３３における頂部の平面視寸法としては、特に限定されないが、後述する第２接合体６０とガス吸着層１０との積層面積を確保することも考慮し、例えば、５０～３００μｍ角の矩形状とすることができる。

本実施形態のパッケージ１においては、第１基板２及び第２基板３がシリコン基板からなることが好ましい。このように、第１基板２及び第２基板３が、加工性に優れるシリコン基板からなることで、接合による内部応力が低減されるとともに、エッチング処理による加工精度が向上するので、素子特性にさらに優れたものとなる。

ガス吸着層１０は、上述したように、第２基板３における、キャビティ領域３２によって確保される封止空間に露出した面のうち、第１基板２に設けられた素子４と対向する部分を除いた位置に設けられる。図２に示す例においては、ガス吸着層１０の一部が、詳細を後述する、第２接合体６０を構成する第２通電用接合膜６２上の一部に積層されるように設けられている。このような構成により、ガス吸着層１０は、第２接合体６０、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して、電極８１，８２と電気的に接続され、外部から電流を印加することにより、加熱・活性化させることが可能に構成されている。

ガス吸着層１０の材質は、例えば、水素や酸素等のガスを吸着できるゲッター剤からなるものであれば、とくに限定されず、例えば、少なくとも、チタン、ジルコニウム又はニッケル等を含むゲッター剤からなるものを採用することができる。ガス吸着層１０を、上記のゲッター剤から構成することで、通電加熱によるガス吸着層の活性化効果がより顕著となり、ガス吸着層によるキャビティ内のガス吸着効果が向上し、真空度がさらに高められる。

なお、ガス吸着層１０の寸法及び形状は、ガス吸着層１０と第２通電用接合膜６２との重なり寸法（積層部分の平面視寸法）を確保する観点から、例えば、ガス吸着層１０と第２通電用接合膜６２とが３０～１００μｍ程度の幅で重なり合うように調整することが好ましい。

第１接合体５０は、上記のように、第１基板２の上面２ａと第２基板３の第１凸部３１との間に配置され、第１基板２と第２基板３とを接合するものである。図２中に示すように、第１接合体５０は、第２基板３に形成された第１凸部３１の先端を覆うように設けられた第２金属接合膜５２と、第１基板２の上面２ａにおける、第２基板３に形成された第１凸部３１に対応する位置で設けられた第１金属接合膜５１とからなり、これらの間が金属拡散接合されて構成される。また、第１接合体５０は、図１中に示すように、第２基板３に設けられる第１凸部３１と同様、平面視で概略枠状に構成される。パッケージ１に備えられる第１接合体５０は、第１基板２と第２基板３とを接合することで、これら第１基板２、第２基板３及び第１接合体５０に囲まれたキャビティＣを形成する。

より具体的には、第１接合体５０は、第１基板２の上面２ａに配置される第１下地層５１ａ、及び、第１下地層５１ａ上に積層して設けられる第１接合層５１ｂからなる第１金属接合膜５１と、第２基板３の第１凸部３１の先端に配置される第２下地層５２ａ、及び、第２下地層５２ａ上に積層して設けられる第２接合層５２ｂからなる第２金属接合膜５２と、から構成される。図２中に示す第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２は、平面視矩形状で、概略枠状に形成されている。
そして、第１接合体５０は、第１接合層５１ｂと第２接合層５２ｂとが金属拡散接合されることで、第１基板２と第２基板３との間を接合する。

第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａは、それぞれ、第１基板２の上面２ａ、又は、第２基板３の第１凸部３１の先端に接合される。上記のような各下地層を備えることにより、第１接合層５１ｂが第１基板２に対して強固に接合され、第２接合層５２ｂが第２基板３の第１凸部３１に対して強固に接合される。

第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａは、第１基板２の上面２ａ上、又は、第２基板３の第１凸部３１の先端において、導電性を有する金属材料によって薄膜状に形成されている。
第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａの材料としては、特に限定されないが、例えば、タンタル（Ｔａ）又は窒化チタン（ＴｉＮ）からなる薄膜とされていることが好ましい。
また、第１基板２側に設けられる第１下地層５１ａは、例えば、図視略のグラウンドに接続されている。このグラウンドは、例えば、第１基板２の下面２ｂ側に設けることができるが、第１基板２の上面２ａ側に設けられていてもよい。

第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂは、上記のように、それぞれ、第１下地層５１ａ上、又は、第２下地層５２ａ上に積層されている。
第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂの材料としては、特に限定されないが、例えば、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａの材料としてタンタルを用いた場合には、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂの材料として金（Ａｕ）を用いる。また、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａの材料として窒化チタンを用いた場合には、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂの材料としてアルミニウム（Ａｌ）を用いる。

そして、本実施形態においては、第１接合層５１ｂと第２接合層５２ｂとが、同じ材料同士で接合されるように構成される。即ち、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂは、両方が同じ材料、即ち、金（Ａｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）の何れか一方の材料を含むように構成される。

第１接合体５０を上記材料から構成した場合、各層の厚さは特に限定されない。一方、電気的特性や接合時の強度等を勘案し、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａをタンタルから構成し、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂを金から構成した場合には、例えば、｛第１接合層５１ｂ（又は第２接合層５２ｂ）：０．５ｎｍ～２μｍ／第１下地層５１ａ（又は第２下地層５２ａ）：０．０５～０．２μｍ｝の範囲とすることが好ましい。
同様に、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａを窒化チタンから構成し、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂをアルミニウムから構成した場合には、例えば、｛第１接合層５１ｂ（又は第２接合層５２ｂ）：１～３μｍ／第１下地層５１ａ（又は第２下地層５２ａ）：０．０５～０．５μｍ｝の範囲とすることが好ましい。

また、第１接合体５０によるキャビティＣに対する封止幅、即ち、第１凸部３１に対応して平面視矩形状に形成された第１接合体５０の最大幅としても特に限定されない。一方、この部分の接合性を高め、キャビティＣの封止気密性をより高めることを考慮した場合、第１接合体５０の最大幅は、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａをタンタルから構成し、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂを金から構成した場合には、例えば、０．１５～０．３０ｍｍとすることが好ましい。また、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａを窒化チタンから構成し、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂをアルミニウムから構成した場合には、例えば、０．０３～０．１ｍｍの幅とすることができる。

本実施形態においては、第１接合体５０を上記のような層構造から構成することにより、第１基板２と第２基板３とを重ね合わせて加圧した際に、第１下地層５１ａ及び第１接合層５１ｂと、第２下地層５２ａ及び第２接合層５２ｂとの間に金属拡散接合が発現される。これにより、第１接合体５０を強固な接合構造とし、且つ、第１基板２と第２基板３とを、キャビティＣにおける封止性を高めながら強固に接合することが可能になる。

また、本実施形態においては、第１接合体５０を上記材料から構成して金属拡散接合させることには限定されない。例えば、第１接合体５０の各層を金（Ａｕ）又はスズ（Ｓｎ）から構成し、Ａｕ－Ｓｎ共晶接合させた構成を採用してもよい。この場合、例えば、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａ、並びに、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂを、それぞれＡｕ－Ｓｎ共晶合金から形成し、共晶温度まで加熱及び溶融させることで、第１下地層５１ａ及び第１接合層５１ｂと、第２下地層５２ａ及び第２接合層５２ｂとの間を共晶接合させる。これにより、第１基板２と第２基板３とを強固且つ安定して接合することができ、キャビティＣの高い封止気密性が得られる。

第２接合体６０は、上記のように、第１基板２の上面２ａと第２基板３の第２凸部３３との間に配置され、第１基板２と第２基板３とを接合するとともに、ガス吸着層１０と後述の電極８１，８２との間電気的に接続する経路の一部となるものである。即ち、図２中に示すように、第２接合体６０は、第２基板３に形成された第２凸部３３の先端を覆うように設けられた第２通電用接合膜６２と、第１基板２の上面２ａにおける、第２基板３に形成された第２凸部３３に対応する位置で設けられた第１通電用接合膜６１とからなり、これらの間が金属拡散接合されて構成される。また、第２接合体６０は、第１基板２、第２基板３及び第１接合体５０に囲まれたキャビティＣ内に配置される。

より具体的には、第２接合体６０は、第１基板２の上面２ａに配置される第１通電下地層６１ａ、及び、第１通電下地層６１ａ上に積層して設けられる第１通電接合層６１ｂからなる第１通電接合膜６１と、第２基板３の第２凸部３３の先端に配置される第２通電下地層６２ａ、及び、第２通電下地層６２ａ上に積層して設けられる第２通電接合層６２ｂからなる第２通電用接合膜６２と、から構成される。第２接合体６０は、第１通電接合層６１ｂと第２通電接合層６２ｂとが金属拡散接合されることで、第１基板２と第２基板３との間を接合する。

第１通電下地層６１ａ及び第２通電下地層６２ａは、それぞれ、第１基板２の上面２ａ、又は、第２基板３の第２凸部３３の先端に接合される。上記のような各下地層を備えることにより、第１接合体５０の場合と同様、第１通電接合層６１ｂが第１基板２に対して強固に接合され、第２通電接合層６２ｂが第２基板３の第２凸部３３に対して強固に接合される。

第１通電下地層６１ａ及び第２通電下地層６２ａは、第１基板２の上面２ａ上、又は、第２基板３の第２凸部３３の先端において、導電性を有する金属材料によって薄膜状に形成されている。
第１通電下地層６１ａ及び第２通電下地層６２ａの材料としても、特に限定されず、第１接合体５０における各下地層と同じ材料を用いることができ、例えば、Ｔａ又はＴｉＮからなる薄膜で構成することができる。
また、第１基板２側に設けられる第２通電下地層６２ａは、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂに接続されている。

第１通電接合層６１ｂ及び第２通電接合層６２ｂは、それぞれ、第１通電下地層６１ａ上、又は、第２通電下地層６２ａ上に積層されている。
第１通電接合層６１ｂ及び第２通電接合層６２ｂの材料としても、特に限定されず、第１接合体５０における各接合層と同じ材料を用いることができる。即ち、例えば、第１通電下地層６１ａ及び第２通電下地層６２ａの材料としてタンタルを用いた場合には、第１通電接合層６１ｂ及び第２通電接合層６２ｂの材料として金（Ａｕ）を用いる。また、例えば、第１通電下地層６１ａ及び第２通電下地層６２ａの材料として窒化チタンを用いた場合には、第１通電接合層６１ｂ及び第２通電接合層６２ｂの材料としてアルミニウム（Ａｌ）を用いる。

また、第２接合体６０においても、第１接合体５０における各下地層及び各接合層の場合と同様、第１通電接合層６１ｂと第２通電接合層６２ｂとが、同じ材料同士で接合されるように構成される。即ち、第１通電接合層６１ｂ及び第２通電接合層６２ｂは、両方が同じ材料、即ち、金（Ａｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）の何れか一方の材料を含むように構成される。

第２接合体６０を構成する第１通電用接合膜６１及び第２通電用接合膜６２の各層の厚さとしても特に限定されず、第１接合体５０の場合と同様、電気的特性や接合時の強度等を勘案し、適宜設定することができる。即ち、例えば、第１通電下地層６１ａ及び第２通電下地層６２ａをタンタルから構成し、第１通電接合層６１ｂ及び第２通電接合層６２ｂを金から構成した場合には、｛第１通電接合層６１ｂ（又は第２通電接合層６２ｂ）：０．５ｎｍ～２μｍ／第１通電下地層６１ａ（又は第２通電下地層６２ａ）：０．０５～０．２μｍ｝の範囲とすることができる。
同様に、第１通電下地層６１ａ及び第２通電下地層６２ａを窒化チタンから構成し、第１通電接合層６１ｂ及び第２通電接合層６２ｂをアルミニウムから構成した場合には、例えば、｛第１通電接合層６１ｂ（又は第２通電接合層６２ｂ）：１～３μｍ／第１通電下地層６１ａ（又は第２通電下地層６２ａ）：０．０５～０．５μｍ｝の範囲とすることができる。

また、第２接合体６０の寸法としては、特に限定されず、第２基板３に設けられた第２凸部３３の先端を完全に覆いつつ、ガス吸着層１０と第２通電用接合膜６２とが３０～１００μｍ程度の幅で重なり合うことができる寸法とすればよい。上述したように、図２中に示す例では、ガス吸着層１０の一部が、第２接合体６０を構成する第２通電用接合膜６２上の一部に積層されている。

本実施形態においては、第２接合体６０を、第１接合体５０と同様の層構造とすることにより、第１基板２と第２基板３とを重ね合わせて加圧した際に、第１通電下地層６１ａ及び第１通電接合層６１ｂと、第２通電下地層６２ａ及び第２通電接合層６２ｂとの間に金属拡散接合が発現される。これにより、第２接合体６０を強固な接合構造とし、第２接合体６０を介してガス吸着層１０に対して確実に通電し、加熱・活性化することが可能になる。

また、第２接合体６０においても、第１接合体５０の場合と同様、例えば、第１通電下地層６１ａ及び第２通電下地層６２ａ、並びに、第１通電接合層６１ｂ及び第２通電接合層６２ｂを、それぞれＡｕ－Ｓｎ共晶合金から形成することができる。即ち、Ａｕ－Ｓｎ共晶合金を共晶温度まで加熱及び溶融させて、第１通電下地層６１ａ及び第１通電接合層６１ｂと、第２通電下地層６２ａ及び第２通電接合層６２ｂとの間を共晶接合させることで、第１基板２と第２基板３とを強固且つ安定して接合でき、ひいては、第２接合体６０と第２コンタクト９１ｂ，９２ｂとの間の確実な電気的接続が可能になる。

本実施形態のパッケージ１においては、第２接合体６０が、ガス吸着層１０に接続されるとともに、第１基板に設けられた第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを介して後述の埋め込み配線７１，７２と電気的に接続される。これにより、ガス吸着層１０は、第２接合体６０、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して電極８１，８２と電気的に接続されているので、パッケージ１の外部から電極８１，８２に電流を供給することで、ガス吸着層１０を簡便な方法で加熱・活性化することができる。従って、キャビティＣ内のガスをより効果的に吸着でき、真空度がさらに高められる。また、第２接合体６０が、第２通電用接合膜６２と第１通電用接合膜６１とが金属拡散接合されてなることで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、ガス吸着層１０に対して電流をより確実に印加でき、効果的な加熱・活性化が可能になる。

第１基板２の上面２ａには、上述した電極８１，８２、埋め込み配線７１，７２、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂが設けられている。

埋め込み配線７１，７２は、上述したように、素子４と電極８１，８２とを電気的に接続するとともに、電極８１，８２に印加した電流をガス吸着層１０に通電して加熱・活性化を行うためのものである。埋め込み配線７１，７２は、電極８１，８２及び素子４における図視略の出力端子の数に応じて、パッケージ１において複数で設けられており、図２中においては、埋め込み配線７１，７２の一部のみを示している。また、電極８１，８２は、素子４に対して、例えば、図視略の配線によって電気的に接続されている。また、図示例の埋め込み配線７１，７２は、第１基板２の厚さ方向において、中央部よりも上方に埋設されており、電極８１，８２、及び、第２接合体６０の下方にわたるように配置されている。

埋め込み配線７１，７２の材料としては、優れた導電性を有する配線材料又は電極材料であれば、特に限定されず、従来からこの分野で用いられている金属材料等を何ら制限無く用いることができる。このような材料としては、例えば、ポリシリコン配線やアルミニウム（Ａｌ）配線等、埋め込み配線に一般的に用いられる導電性材料が挙げられる。

電極８１，８２は、埋め込み配線７１，７２と第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して素子４と電気的に接続され、素子４による検出信号等を外部に出力するものである。電極８１，８２は、第１基板２の上面２ａ上において、それぞれ対向する縁部に沿って設けられており、図示例においては、電極８１と電極８２とが、それぞれ対向して４カ所に設けられている。また、電極８１，８２は、平面視で、第１基板２と対向して設けられる第２基板３よりも外側に設けられている。電極８１，８２は、例えば、赤外線検出素子等の素子４による検出信号等を必要とする種々の外部機器に対して電気的に接続可能に設けられる。

電極８１，８２の材料としても、従来からこの分野で用いられている金属材料等を何ら制限無く用いることができ、例えば、アルミシリコン合金（ＡｌＳｉ）及び窒化チタン（ＴｉＮ）をスパッタリング法によって順次積層したもの等を用いることができる。
また、詳細を後述するように、電極８１，８２を、第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１と同じ工程で同時に形成する場合には、これら各電極の材料として、上述した第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１と同じ材料を用いればよい。

第１コンタクト９１ａ，９２ａは、埋め込み配線７１，７２と電極８１，８２とを電気的に接続するものであり、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂは、埋め込み配線７１，７２と第２接合体６０とを電気的に接続するものである。図２に示す例においては、第１コンタクト９１ａ，９２ａが埋め込み配線７１，７２の一端側に接続され、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂが、埋め込み配線７１，７２の他端側に接続されている。

上記により、素子４は、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び、第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して電極８１，８２と電気的に接続されている。また、第２接合体６０も、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び、第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して電極８１，８２と電気的に接続されていることで、外部の電源からガス吸着層１０に通電することが可能に構成されている。

第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを構成する材料としても、特に限定されず、従来からこの分野で用いられている金属材料を何ら制限無く用いることができる。
また、電極８１，８２の場合と同様、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを、第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１と同じ工程で同時に形成する場合には、これら各コンタクトの材料として、上述した第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１と同じ材料を用いればよい。

本実施形態のパッケージ１によれば、上述したように、第１基板２と第２基板３とを接合する第２接合体６０を備え、この第２接合体６０が、ガス吸着層１０に接続されるとともに、第１基板２に設けられた第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを介して埋め込み配線７１，７２と電気的に接続され、ガス吸着層１０が、第２接合体６０、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して電極８１，８２と電気的に接続されていることで、ガス吸着層１０に対して電極８１，８２から電流を印加して加熱・活性化することが可能になる。これにより、ガス吸着層１０のガス吸着能力が高められ、減圧空間とされたキャビティＣ内のガスを効果的に吸着できるので、キャビティＣ内の真空度がより高められる。従って、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージ１を、簡便な構成且つ低コストで実現できる。

上記のように、本実施形態のパッケージ１によれば、ガス吸着層１０が真空封止されたキャビティＣの外部に配置される電極８１，８２から通電することで、ガス吸着層１０の加熱・活性化処理を効率的に実施できるので、キャビティＣ内を高度に真空化することが可能になる。
また、外部からの通電により、ガス吸着層１０のみを加熱して活性化できる構成なので、素子４を始めとするパッケージ１全体に対して大きな熱ストレスが加わることない。これにより、センサとしての特性や品質低下を招くことが無いだけでなく、金属核酸接合によって第１基板２と第２基板３とを接合する際の温度を過剰に付与する必要が無いので、第１接合体及び第２接合体６０による接合品質が低下するのを抑制できる。

また、本実施形態のパッケージ１によれば、上記の第１接合体５０が、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とが金属拡散接合することで得られるものなので、キャビティＣにおける高い封止気密性が得られる。また、第１基板２及び第２基板３における加工精度に起因する凹凸等が吸収されるので、上記の封止気密性の向上に加え、内部における電気的特性もより良好になり、優れた素子特性が得られる。

また、本実施形態のパッケージ１によれば、第１基板２及び第２基板３が、詳細を後述するウェットエッチングによって加工した際の加工性が優れるシリコン基板からなることで、素子特性にさらに優れたものとなる。
さらに、詳細を後述するが、第２基板３の下面３ａ側に形成される第１凸部３１、キャビティ領域３２及び第２凸部は、ウェットエッチングにより、同一工程で同時に形成することが可能なものなので、生産性に優れ、且つ、低コストなものとなる。

また、本実施形態のパッケージ１によれば、素子４として赤外線検出素子を採用し、且つ、第２基板３が赤外線を透過可能に構成されることにより、キャビティＣ内における高い真空度を有し、低コストであるとともに素子特性及び信頼性に優れた赤外線センサが実現できる。

次に、本実施形態のパッケージ１を用いた各種検出に係る処理の一例として、素子４に赤外線検出素子を用い、赤外線センサとしてパッケージを構成した場合について説明する。
まず、赤外線が第２基板３の上面３ｂ側から入射して第２基板３を透過すると、赤外線検出素子からなる素子４は、その赤外線を検出して検出信号を出力する。素子４から出力された検出信号は、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び、第１コンタクト９１ａ，９２ａを通り、複数の電極８１，８２から外部に向けて出力される。複数の電極８１，８２から出力された検出信号は、図視略の外部機器等に送信されて所定の動作が行われる。

なお、本実施形態においては、ガス吸着層１０を、素子４と重ならない位置にのみ形成した例を示しているが、例えば、素子４が赤外線検出素子からなる場合、素子４における受光に支障が生じない程度であれば、素子４とガス吸着層１０とが若干重なった構成とすることも可能である。
一方、素子４に赤外線検出素子を用いる場合、赤外線センサとしての特性を最大限まで高める観点からは、図１及び図２等に示す例のように、素子４とガス吸着層１０とが全く重ならない構成とすることがより好ましい。

［パッケージの製造方法］
次に、本実施形態のパッケージ１を製造する方法について、図３及び図４を参照しながら詳述する（パッケージ１の構成については図１，図２も適宜参照）。

本実施形態のパッケージ１の製造方法は、例えば、図１及び図２に示すような本実施形態のパッケージ１を製造する方法であり、少なくとも以下の工程（１）～（６）を備える方法である。
工程（１）：基板材料の表面をエッチングすることにより、素子４を収容する凹状のデバイス領域２２を形成して第１基板２を得る。
工程（２）：第１基板２におけるデバイス領域２２を除く位置に、少なくとも一以上の埋め込み配線７１，７２を形成する。
工程（３）：基板材料の表面をエッチングすることにより、第１基板２の上面２ａ側に第１接合体５０を介して接合される第１凸部３１と、平面視で第１凸部３１に囲まれるように形成され、素子４上にキャビティ（封止空間・減圧空間）Ｃを確保するための凹状のキャビティ領域３２と、該キャビティ領域３２に設けられ、第１基板２の上面２ａ側に第２接合体６０を介して接合される第２凸部３３と、を形成して第２基板を得る。
工程（４）：第２基板３に形成された第１凸部３１の先端を覆うように第２金属接合膜５２を形成するとともに、第２凸部３３の先端を覆うように第２通電用接合膜６２を形成する。
工程（５）：第１基板２と第２基板３とを重ね合わせたときに、第１凸部３１に対応する位置で、第１基板２上に第１金属接合膜５１を形成するとともに、第２凸部３３に対応する位置で、第１基板２上に第１通電用接合膜６１を形成する。
工程（６）：第１基板２の上面２ａ側に、埋め込み配線７１，７２の一端側に電気的に接続される第１コンタクト９１ａ，９２ａを形成するとともに、埋め込み配線７１，７２の他端側に電気的に接続される第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを形成し、さらに、第１コンタクト９１ａ，９２ａに接続する電極８１，８２を形成する。
工程（７）：第２基板３における、キャビティ領域３２によって確保される封止空間（キャビティＣ）に露出する面のうち、第１基板２に設けられた素子４と対向する位置を除いた少なくとも一部を覆うようにゲッター剤を塗布し、第２通電用接合膜６２と少なくとも一部が接するようにガス吸着層１０を形成する。
工程（８）：第１基板２に形成されたデバイス領域２２に素子４を配置する。
工程（９）：第１基板２と第２基板３との間に素子４が配置されるように第１基板２と第２基板３とを重ね合わせて互いに加圧し、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とを拡散接合させて第１接合体５０を形成するとともに、第１通電用接合膜６１と第２通電用接合膜６２とを拡散接合させて第２接合体６０を形成し、且つ、第２接合体６０が第１基板２に設けられた第２コンタクト９１ｂ，９２ｂに接するように第１基板２と第２基板３とを接合する。

なお、本実施形態においては、上記の工程（３）が、第１凸部３１及び第２凸部３３を同時に形成することにより、第２基板３を得る工程とされた例を説明する。
また、本実施形態では、上記の工程（４）が、第２金属接合膜５２及び第２通電用接合膜６２を同時に形成し、工程（５）が、第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１を同時に形成する例を説明する。
また、本実施形態では、上記の工程（５）及び工程（６）を同時に行うことにより、第１基板２に、第１金属接合膜５１、第１通電用接合膜６１、第１コンタクト９１ａ，９２ａ、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ及び電極８１，８２を同時に形成する例を説明する。
本実施形態では、上記の工程（９）の後に、外部から電極８１，８２に通電してガス吸着層１０に電流を印加することにより、このガス吸着層１０を加熱して活性化する工程（１０）を備えた例を説明する。

まず、工程（１）において、基板材料、例えばシリコン基板の表面をウェットエッチングし、素子４を収容する凹状のデバイス領域２２を形成して第１基板２を作製する（図４（ａ）を参照）。
具体的には、工程（１）では、まず、基板材料となるシリコン基板の表面に、フォトリソグラフィ法により、凹状のデバイス領域２２をウェットエッチングで形成するための、図視略のレジストパターンを形成する。
次いで、シリコン基板の表面をウェットエッチングすることにより、凹状のデバイス領域２２を形成する。
その後、第１基板２からレジストパターンを剥離する。

工程（１）においては、フォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成するにあたり、例えばスピンコート法等を用いて、従来公知の条件でレジストパターンを形成することができる。
また、工程（１）におけるウェットエッチング条件としても、特に限定されず、例えば、従来からシリコン基板のエッチングに用いられているＫＯＨ等のエッチング液を用いることができる。また、エッチング液の温度やエッチング時間等の各条件についても、従来公知の条件を何ら制限無く採用できる。

次に、工程（２）において、第１基板２におけるデバイス領域２２を除く位置に埋め込み配線７１，７２を形成する（図４（ａ）を参照）。

具体的には、まず、第１基板２の上面２ａに、図視略の絶縁膜（酸化膜）を形成する。
次いで、上記の図視略の絶縁膜を形成した領域に、例えば、｛ＴｉＮ/ＡｌＳｉ/ＴｉＮ｝の積層構造、あるいは、ポリシリコンからなる埋め込み配線膜を、例えば、スパッタリング法や蒸着法（ＣＶＤ法）等の方法で成膜する。
次いで、フォトリソグラフィ法により、埋め込み配線７１，７２を形成するための、図視略のレジストパターンを形成する。
次いで、上記の埋め込み配線膜をウェットエッチング又はドライエッチングすることにより、パターニングされた埋め込み配線７１，７２を形成する。
次いで、第１基板２からレジストパターンを剥離する。

次いで、埋め込み配線７１，７２上に、図視略の絶縁膜（酸化膜や窒化膜）を、例えば、蒸着法によって形成することにより、埋め込み配線７１，７２を覆い込む。
その後、必要に応じて、埋め込み配線７１，７２上に形成した図視略の絶縁膜を、例えば、ＣＭＰ法（化学機械研磨：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等の方法で平坦化する。

次いで、本実施形態の工程（２）においては、後述する工程（６）において第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを設けるためのホールを形成する。
この際、まず、第１基板２の上面２ａにおける、上記のホールの形成予定位置（第１コンタクト９１ａ、９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂに対応する位置）を除いた全面に、フォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成する。
次いで、第１基板２の上面２ａをウェットエッチング又はドライエッチングすることにより、埋め込み配線７１，７２の両端に対応する位置に、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを設けるためのホールを形成する。
次いで、第１基板２からレジストパターンを剥離する。

また、本実施形態の製造方法においては、上記の工程（１）及び工程（２）を実施するのと平行して、工程（３）において、基板材料、例えばシリコン基板の下面３ａをエッチングすることにより、第１凸部３１と、第１凸部３１に囲まれるように形成される凹状のキャビティ領域３２と、このキャビティ領域３２内に設けられる第２凸部３３とを形成して第２基板を作製する。また、本実施形態においては、上記のように、工程（３）において、第１凸部３１と、キャビティ領域３２と、第２凸部３３とを同時に形成する。

即ち、工程（３）においては、まず、基板材料となるシリコン基板を準備する。
そして、シリコン基板の表面に、フォトリソグラフィ法により、第１凸部３１、キャビティ領域３２、及び第２凸部３３をウェットエッチングで形成するための図視略のレジストパターンを形成する。

次いで、シリコン基板の表面をウェットエッチングすることにより、図３（ａ）に示すように、第１凸部３１を形成するとともに、第１凸部３１に囲まれたキャビティ領域３２を形成し、同時に、第２凸部３３を形成する。本実施形態の製造方法で得られるパッケージ１は、上記のキャビティ領域３２に対応する領域がキャビティＣとなる。
その後、第２基板３から図視略のレジストパターンを剥離する。

工程（３）においても、工程（１）と同様、フォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成するにあたり、例えばスピンコート法等を用いて、従来公知の条件でレジストパターンを形成することができる。また、工程（３）におけるウェットエッチング条件としても、工程（１）と同様、例えば、従来からシリコン基板のエッチングに用いられているＫＯＨ等のエッチング液を用いることができ、エッチング液の温度やエッチング時間等の各条件についても、従来公知の条件を何ら制限無く採用できる。

次に、工程（４）においては、第２基板３に形成された第１凸部３１の先端を覆うように第２金属接合膜５２を形成し、また、第２凸部３３の先端を覆うように第２通電用接合膜６２を形成する。本実施形態では、工程（４）において、第２金属接合膜５２及び第２通電用接合膜６２を同時に形成する。

具体的には、まず、工程（３）で得られた第２基板３の下面３ａ側に、スプレーコート法等のフォトリソグラフィ法により、第２金属接合膜５２及び第２通電用接合膜６２を形成するための、図視略のレジストパターンを形成する。この際、第２基板３の下面３ａにおける、第１凸部３１及び第２凸部３３の部分を除いた全面にレジストパターンを形成する。

次いで、例えば、スパッタリング法、蒸着法又はめっき法等の方法により、図３（ｂ）に示すように、第１凸部３１の先端に、第２下地層５２ａと第２接合層５２ｂとが積層されてなる第２金属接合膜５２を形成する。また、これと同時に、第２凸部３３の先端に、第２通電下地層６２ａと第２通電接合層６２ｂとが積層されてなる第２通電用接合膜６２を形成する。
この際、材料及び積層順を適宜選択することにより、上述したような｛Ａｕ／Ｔａ｝構造、又は、｛Ａｌ／ＴｉＮ｝構造の薄膜からなる第２金属接合膜５２及び第２通電用接合膜６２を形成することができる。
その後、第２基板３の下面３ａから図視略のレジストパターンを剥離する。

また、本実施形態では、上記の工程（４）を実施するとともに、工程（５）において、第１基板２と第２基板３とを重ね合わせたときに、第１凸部３１に対応する位置で、第１基板２上に第１金属接合膜５１を形成し、また、第２凸部３３に対応する位置で、第１基板２上に第１通電用接合膜６１を形成する（図４（ａ）を参照）。本実施形態では、工程（５）において、第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１を同時に形成する。
さらに、本実施形態で説明する例では、工程（５）と、上記の工程（６）を同時に行うことにより、第１基板２に、第１金属接合膜５１、第１通電用接合膜６１、第１コンタクト９１ａ，９２ａ、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ及び電極８１，８２を同時に形成する。

具体的には、まず、デバイス領域２２が形成された第１基板２の上面２ａに、上記同様、スプレーコート法等のフォトリソグラフィ法により、第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１を形成するための、図視略のレジストパターンを形成する。この際、第１基板２の上面２ａにおける、第２基板３の第１凸部３１及び第２凸部３３に対応する位置、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを形成するためのホールの位置、並びに、電極８１，８２の形成予定位置を除いた全面にレジストパターンを形成する。

次いで、例えば、スパッタリング法、蒸着法又はめっき法等の方法により、第１基板２の上面２ａ上に、第１下地層５１ａと第１接合層５１ｂとが積層されてなる第１金属接合膜５１、及び、第１通電下地層６１ａと第１通電接合層６１ｂとが積層されてなる第１通電用接合膜６１を形成する。
なお、工程（５）においても、材料及び積層順を適宜選択することにより、上述したような｛Ａｕ／Ｔａ｝構造、又は、｛Ａｌ／ＴｉＮ｝構造の薄膜からなる第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１を形成することができる。
また、この際、第２基板３側に形成される第２金属接合膜５２及び第２通電用接合膜６２が｛Ａｕ／Ｔａ｝構造である場合には、第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１も同様の材料から形成する。この場合には、第１金属接合膜５１のＡｕ層（第１接合層５１ｂ）と第２金属接合膜５２のＡｕ層（第２接合層５２ｂ）とが接合するように、各層の積層順を調整するとともに、第１通電用接合膜６１のＡｕ層（第１通電接合層６１ｂ）と第２通電用接合膜６２のＡｕ層（第２通電接合層６２ｂ）とが接合するように、各層の積層順を調整する。
同様に、第２金属接合膜５２及び第２通電用接合膜６２が｛Ａｌ／ＴｉＮ｝構造からなる場合には、第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１も同様の材料から形成する。この場合には、第１金属接合膜５１のＡｌ層（第１接合層５１ｂ）と第２金属接合膜５２のＡｌ層（第２接合層５２ｂ）とが接合するように、各層の積層順を調整するとともに、第１通電用接合膜６１のＡｌ層（第１通電接合層６１ｂ）と第２通電用接合膜６２のＡｌ層（第２通電接合層６２ｂ）とが接合するように、各層の積層順を調整する。
その後、第１基板２の上面２ａから図視略のレジストパターンを剥離する。

工程（６）においては、図４（ａ）中に示すように、第１基板２の上面２ａ側に、スパッタリング法、蒸着法又はめっき法等の方法によって導電性材料を積層することにより、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを、それぞれ埋め込み配線７１，７２の両端側に接続するように形成し、さらに、第１コンタクト９１ａ，９２ａに対してそれぞれ接続するように、電極８１，８２を形成する。

この際、工程（６）を単独で行う場合には、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを、例えば、タングステン（Ｗ）を用いて、スパッタリング法や蒸着法等の方法により、上記の工程（２）で形成したホール内に埋め込むように形成する。また、電極８１，８２については、これら電極８１，８２の形成予定位置に、ＴｉＮ及びＡｌＳｉを、スパッタリング法等の方法で順次積層することで形成することができる。

一方、本実施形態で説明するように、工程（５）及び工程（６）を同時に行い、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、並びに、電極８１，８２を、第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１と同じ工程で同時に形成する場合には、上述した第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１と同じ材料を用い、例えば、スパッタリング法、蒸着法又はめっき法等によって形成することができる。この場合、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、並びに、電極８１，８２は、第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１と同様の積層構造、即ち、｛Ａｕ／Ｔａ｝構造、又は、｛Ａｌ／ＴｉＮ｝構造を有するものとなる。

次に、工程（７）においては、第２基板３における、キャビティ領域３２によって確保されるキャビティＣに露出する面のうち、第１基板２に設けられた素子４と対向する位置を除いた少なくとも一部を覆うようにゲッター剤を塗布し、第２通電用接合膜６２と少なくとも一部が接するようにガス吸着層１０を形成する。

具体的には、まず、第２基板３の下面３ａ側に、スプレーコート法等のフォトリソグラフィ法によって図視略のレジストパターンを形成するか、又は、第２基板３の下面３ａ側を、パターン化された図視略のメタルマスクで覆う。この際、第２基板３の下面３ａにおける、素子４と対向する位置を除く全面を覆うように、上記のレジストパターンを形成するか、又は、メタルマスクを配置する。

そして、例えば、チタン、ジルコニウム又はニッケルを含むゲッター剤を、従来公知のディスペンサーやスクリーン印刷法、あるいは、スパッタリング法や蒸着法等を用い、第２基板３の下面３ａに塗布する。この際、図４（ａ）等に示すように、ガス吸着層１０が、第２接合体６０の第２通電用接合膜６２の少なくとも一部に重なり合うように、ゲッター剤を塗布する。
その後、第２基板３から図視略のレジストパターン又はメタルマスクを剥離する。

次に、工程（８）において、第１基板２の上面２ａに形成された凹状のデバイス領域２２に、素子４を配置する（図４（ａ）等を参照）。

次に、工程（９）において、図４（ｂ）に示すように、第１基板２と第２基板３との間に素子４が配置されるように第１基板２と第２基板３とを重ね合わせ互いに加圧し、第１基板２と第２基板３とを接合する。即ち、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とを拡散接合させて第１接合体５０を形成するとともに、第１通電用接合膜６１と第２通電用接合膜６２とを拡散接合させて第２接合体６０を形成し、且つ、第２接合体６０が第１基板２に設けられた第２コンタクト９１ｂ，９２ｂに接するように第１基板２と第２基板３とを接合する。

具体的には、まず、図４（ｂ）に示すように、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とを突き合わせるとともに、第１通電用接合膜６１と第２通電用接合膜６２とを突き合わせるように、第１基板２と第２基板３とを重ね合わせる。
次いで、第１基板２と第２基板３とを互いに加圧することにより、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２との間、及び、第１通電用接合膜６１と第２通電用接合膜６２との間に金属拡散接合を発現させ、これらの部分を接合する。

上記の拡散接合を行う際の条件、即ち、パッケージ１のキャビティＣを封止する条件としては、特に限定されないが、例えば、第１基板２側の第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１、並びに、第２基板３側の第２金属接合膜５２及び第２通電用接合膜６２が｛Ａｕ（第１接合層５１ｂ、第１通電接合層６１ｂ、第２接合層５１ｂ、又は第２通電接合層６２ｂ）／Ｔａ（第１下地層５１ａ、第１通電下地層６１ａ、第２下地層５２ａ、又は第２通電下地層６２ａ）｝の層構造である場合には、例えば、温度条件を３００～３５０℃の範囲とし、加圧力を４５０～９００ｋＰａの範囲とすることが好ましい。

一方、第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１、並びに、第２金属接合膜５２及び第２通電用接合膜６２が｛Ａｌ（第１接合層５１ｂ、第１通電接合層６１ｂ、第２接合層５２ｂ、又は第２通電接合層６２ｂ）／ＴｉＮ（第１下地層５１ａ、第１通電下地層６１ａ、第２下地層５２ａ、又は第２通電下地層６２ａ）｝の層構造である場合には、例えば、温度条件を３５０～４００℃の範囲とし、加圧力を２７～６０ＭＰａの範囲とすることが好ましい。

上述したように、第１基板２と第２基板３とを接合する際の、第１接合体５０によるキャビティＣに対する封止幅（接合幅）、即ち、第１凸部３１に対応して平面視矩形状に形成された第１接合体５０の最大幅としても特に限定されない。一方、この部分の接合性を高め、キャビティＣの封止気密性をより高めること等を考慮すると、上記の封止幅（最大幅）は、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａをＴａとし、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂをＡｕとした場合には、例えば、０．１５～０．３０ｍｍとすることが好ましい。また、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａをＴｉＮ、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂをＡｌとした場合には、例えば、０．０３～０．１ｍｍの幅とすることが好ましい。

そして、本実施形態では、上記の工程（９）の後、図４（ｃ）に示すように、ダイシングラインＬに沿って、第２基板３において対向する一対の縁部をダイシングすることにより、第１基板２の上面２ａに形成した電極８１，８２を露出させる。
以上の各工程により、本実施形態のパッケージ１を製造することができる。
なお、上記の各工程は、可能な範囲で、その工程順を変更したり、あるいは、同じ工程として行ったりすることも可能である。

そして、本実施形態の製造方法においては、上記の工程（９）の後、又は、工程（９）の実施後にダイシングを行ってチップ化したパッケージ１を得た後、必要に応じて、電極８１，８２に通電してガス吸着層１０に電流を印加することにより、このガス吸着層１０を加熱して活性化する工程（１０）を備えていてもよい。
上記のような工程（１０）を備え、ガス吸着層１０に対して電流を印加し、ガス吸着層１０を加熱して活性化することでガス吸着能力が高められるので、キャビティＣ内のガスを効果的に吸着してキャビティＣ内の真空度をより高めることが可能になる。

工程（１０）におけるガス吸着層１０の加熱・活性化通電の条件としては、ゲッター剤からなるガス吸着層１０を活性化できる条件であれば特に限定されず、また、ガス吸着層１０の厚みや平面視での大きさ等によっても異なってくるが、例えば、以下に説明するような条件を採用できる。

まず、ガス吸着層１０の加熱温度としては、上記のようなジルコニウム又はニッケルを含んでなるゲッター剤を活性化することが可能な温度であることが必要であり、具体的には３００～４５０℃程度まで加熱することが好ましい。ガス吸着層１０の加熱温度を上記範囲の下限以上に設定することにより、ガス吸着層１０を効果的に加熱・活性化することができる。なお、過度な高温による加熱は、ガス吸着層１０のみならず、その周辺にも悪影響を与えるおそれがあることから、ガス吸着層１０の加熱温度は上記上限以下とすることが好ましい。
なお、ガス吸着層１０の加熱温度を上記範囲に調整する方法としては、例えば、通電時の電圧及び電流を適宜調節する方法が挙げられる。

また、ガス吸着層１０の加熱時間としては、ガス吸着層１０の加熱温度を上記範囲とした場合には、例えば、１０～６０ｍｉｎの範囲とすればよい。ガス吸着層１０の加熱時間を上記の下限以上に設定することにより、ガス吸着層１０を十分に加熱・活性化することができる。また、過度な長時間の加熱は製造コストの上昇を招くおそれがあることから、ガス吸着層１０の加熱時間は上記上限以下とすることが好ましい。

本実施形態の製造方法においては、上記のように、工程（７）において、第２通電用接合膜６２と接するようにガス吸着層１０を形成するとともに、工程（９）において、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とを拡散接合させて第１接合体５０を形成し、第１通電用接合膜６１と第２通電用接合膜６２とを拡散接合させて第２接合体６０を形成し、且つ、第２接合体６０が第１基板２に設けられた第２コンタクト９１ｂ，９２ｂに接するように第１基板２と第２基板３とを接合する方法を採用している。これにより、簡便な工程で、ガス吸着層１０が、第２接合体６０、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して、電極８１，８２と電気的に接続した構成のパッケージ１を製造することができる。そして、ガス吸着層１０に対して電極８１，８２から電流を印加して加熱・活性化することで、ガス吸着層１０のガス吸着能力を高めることができ、キャビティＣ内のガスを効果的に吸着し、キャビティＣ内の真空度をより高めることができる。
また、第２金属接合膜５２と第１金属接合膜５１とを拡散接合させて第１接合体５０を形成することで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、また、第１基板２及び第２基板３における加工精度に起因する凹凸等を吸収させながら各基板を接合できる。これにより、高い封止気密性が得られるとともに、内部における電気的特性も良好になり、歩留まりも高められる。
さらに、第２通電用接合膜６２と第１通電用接合膜６１とを拡散接合させて第２接合体６０を形成することで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、ガス吸着層１０に対して電流を確実に印加して加熱・活性化できるので、キャビティＣ内のガスをより効果的に吸着でき、真空度がさらに高められる。
従って、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージ１を、簡便な工程で生産性良く低コストで製造することが可能となる。

また、本実施形態では、上記の工程（３）において、第１凸部３１及び第２凸部３３という、基板材料の表面をエッチング処理等で加工することが必要な部位を形成する工程を同時に行うことで第２基板３を得ることにより、工程を簡略化できるので、簡便な工程で生産性良く低コストでパッケージ１を製造することが可能になる。

また、本実施形態では、工程（７）において、金属膜からなる第２金属接合膜５２及び第２通電用接合膜６２を同時に形成し、また、工程（８）において、金属膜からなる第１金属接合膜５１及び第１通電用接合膜６１を同時に形成する方法を採用し、それぞれ、各金属膜を同時に形成することで、工程を簡略化できる。これにより、上記同様、パッケージ１を、簡便な工程で生産性良く低コストで製造することが可能になる。

また、本実施形態においては、第１基板２に、第１金属接合膜５１、第１通電用接合膜６１、第１コンタクト９１ａ，９２ａ、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ及び電極８１，８２を同時に形成する方法を採用し、導電箇所を１回のプロセスで形成することにより、工程を簡略化できる。これにより、パッケージ１を、さらに簡便な工程で生産性良く低コストで製造することが可能になる。

即ち、本実施形態においては、上記のようなパッケージ構造を得るにあたり、まず、リッド基板（蓋基板）となる第２基板３に封止用の第１凸部３１及びキャビティ領域３２を形成する際、第１基板２と電気的に接続するために用いられる第２凸部３３を同時に形成することができる。さらに、第２凸部３３の先端にも、第１凸部３１の先端に第１接合体５０を形成する場合と同一のプロセスで、この第１接合体５０と同様の金属膜からなる第２接合体を形成することができる。これにより、金属膜からなる接合層を形成するための工程数を増加させることがないので、製造コストが増大するのを回避できる。また、リッド基板（蓋基板）となる第２基板３側にガス吸着層１０を配置できる構造により、パッケー全体を小型化でき、低コスト化が可能になる。

また、本実施形態においては、第１基板２及び第２基板３に、加工性に優れるシリコン基板を用いることで、下流側の工程である工程（９）で第１基板２と第２基板３とを接合する際の内部応力が低減されるとともに、エッチング処理による加工精度が向上するので、素子特性にさらに優れたパッケージ１を製造することが可能になる。

さらに、本実施形態では、上記の各工程によって得られるパッケージ構造に対し、工程（８）において、素子４として赤外線検出素子をデバイス領域に配置する方法なので、キャビティＣ内における高い真空度を有し、低コストであるとともに素子特性及び信頼性に優れたパッケージ１からなる赤外線センサを製造することが可能になる。

［作用効果］
以上説明したように、本実施形態のパッケージ１によれば、上記構成を備えることにより、ガス吸着層１０が、第２接合体６０、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して、電極８１，８２と電気的に接続されるので、ガス吸着層１０に対して電極８１，８２から電流を印加して加熱・活性化することが可能になる。これにより、ガス吸着層１０のガス吸着能力が高められ、減圧空間とされたキャビティＣ内のガスを効果的に吸着できるので、キャビティＣ内の真空度がより高められる。従って、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージ１を、簡便な構成且つ低コストで実現できる。

また、本発明のパッケージの製造方法によれば、上記方法を採用することにより、ガス吸着層１０を、第２接合体、第２コンタクト、埋め込み配線、及び第１コンタクトを介して、電極と電気的に接続されるように設けることができるので、ガス吸着層１０に対して電極８１，８２から電流を印加して加熱・活性化することが可能になる。これにより、ガス吸着層１０のガス吸着能力を高めることができ、キャビティＣ内のガスを効果的に吸着させてキャビティＣ内の真空度をより高めることが可能になる。
また、第２金属接合膜５２と第１金属接合膜５１とを拡散接合させて第１接合体５０を形成することで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、また、第１基板２及び第２基板３における加工精度に起因する凹凸等を吸収させながら各基板を接合できる。これにより、高い封止気密性が得られるとともに、内部における電気的特性も良好になり、歩留まりも高められる。
さらに、第２通電用接合膜６２と第１通電用接合膜６１とを拡散接合させて第２接合体６０を形成することで、これら各接合膜間の接合状態が良好となり、ガス吸着層１０に対して電流を確実に印加して加熱・活性化できるので、キャビティＣ内のガスをより効果的に吸着でき、真空度がさらに高められる。
従って、センサとしての素子特性及び信頼性に優れたパッケージ１を、簡便な工程で生産性良く低コストで製造することが可能となる。

本発明のパッケージは、上述したように、簡便な構成でガス吸着材を活性化することで高い真空度が得られ、センサとしての素子特性及び信頼性に優れるとともに、簡便な工程によって生産性良く低コストで製造することが可能なものである。従って、本発明のパッケージは、信頼性の高い各種検出精度が要求される電子機器等における用途、例えば、携帯端末、スマートフォン、センサネットワーク・デバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）技術等において非常に好適である。

１…パッケージ
２…第１基板
２ａ…上面
２ｂ…下面
２２…デバイス領域
３…第２基板
３ａ…下面
３ｂ…上面
３１…第１凸部
３２…キャビティ領域
３３…第２凸部
４…素子
５０…第１接合体
５１…第１金属接合膜
５１ａ…第１下地層
５１ｂ…第１接合層
５２…第２金属接合膜
５２ａ…第２下地層
５２ｂ…第２接合層
６０…第２接合体
６１…第１通電用接合膜
６１ａ…第１通電下地層
６２ｂ…第１通電接合層
６２…第２通電用接合膜
６２ａ…第２通電下地層
６２ｂ…第２通電接合層
７１，７２…埋め込み配線
８１，８２…電極
９１ａ，９２ａ…第１コンタクト
９１ｂ，９２ｂ…第２コンタクト
１０…ガス吸着層
Ｃ…キャビティ（封止空間・減圧空間）
Ｌ…ダイシングライン

Claims (11)

1. 第１基板と、
   前記第１基板の上面側に設けられる素子と、
   前記第１基板の上面側に前記素子を覆った状態で接合され、前記第１基板側に配置される下面側に、前記第１基板の上面側に第１接合体を介して接合される第１凸部と、平面視で前記第１凸部に囲まれるように形成された、前記素子上に封止空間を確保するための凹状のキャビティ領域と、該キャビティ領域に設けられ、前記第１基板の上面側に第２接合体を介して接合される第２凸部と、を有する第２基板と、
   前記第１基板内に埋設され、前記素子に電気的に接続される、少なくとも一以上の埋め込み配線と、
   前記第１基板上において、対向して配置される前記第２基板よりも平面視で外側に設けられ、前記埋め込み配線と第１コンタクトを介して電気的に接続される電極と、
   前記第２基板における、前記キャビティ領域によって確保される前記封止空間に露出した面のうち、前記第１基板に設けられた前記素子と対向する位置を除いた少なくとも一部に配置されるガス吸着層と、を備え、
   前記第２接合体は、前記ガス吸着層に接続されるとともに、前記第１基板に設けられた第２コンタクトを介して前記埋め込み配線と電気的に接続されており、
   前記ガス吸着層が、前記第２接合体、前記第２コンタクト、前記埋め込み配線、及び前記第１コンタクトを介して、前記電極と電気的に接続され、
   前記第１接合体は、前記第２基板における前記第１凸部の先端を覆うように設けられる第２金属接合膜と、前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせたときに、前記第１基板における、前記第１凸部に対応する位置に設けられる第１金属接合膜とを含み、
   前記第２接合体は、前記第２基板における前記第２凸部の先端を覆うように設けられる第２通電用接合膜と、前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせたときに、前記第１基板における、前記第２凸部に対応する位置に設けられる第１通電用接合膜とを含み、
   前記第１接合体は、前記第２金属接合膜と前記第１金属接合膜とが拡散接合されてなり、
   前記第２接合体は、前記第２通電用接合膜と前記第１通電用接合膜とが拡散接合されてなり、
   前記第１凸部および前記第２凸部は互いに同一の厚みを有する、
   ことを特徴とするパッケージ。
2. 前記ガス吸着層が、少なくとも、チタン、ジルコニウム又はニッケルを含むゲッター剤からなることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
3. 前記第１基板及び前記第２基板がシリコン基板からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパッケージ。
4. 前記素子が赤外線検出素子であり、且つ、前記第２基板が赤外線を透過可能とされていることを特徴とする請求項１～請求項３の何れか一項に記載のパッケージ。
5. 少なくとも、
   基板材料の表面をエッチングすることにより、少なくとも、素子を収容する凹状のデバイス領域を形成して第１基板を得る工程（１）と、
   前記第１基板における前記デバイス領域を除く位置に、少なくとも一以上の埋め込み配線を形成する工程（２）と、
   基板材料の表面をエッチングすることにより、前記第１基板の上面側に第１接合体を介して接合される第１凸部と、平面視で前記第１凸部に囲まれるように形成され、前記素子上に封止空間を確保するための凹状のキャビティ領域と、該キャビティ領域に設けられ、前記第１基板の上面側に第２接合体を介して接合される、前記第１凸部と同一の厚みを有する第２凸部と、を形成して第２基板を得る工程（３）と、
   前記第２基板に形成された前記第１凸部の先端を覆うように第２金属接合膜を形成するとともに、前記第２凸部の先端を覆うように第２通電用接合膜を形成する工程（４）と、
   前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせたときに、前記第１凸部に対応する位置で、前記第１基板上に第１金属接合膜を形成するとともに、前記第２凸部に対応する位置で、前記第１基板上に第１通電用接合膜を形成する工程（５）と、
   前記第１基板の上面側に、前記埋め込み配線の一端側に電気的に接続される第１コンタクトを形成するとともに、前記埋め込み配線の他端側に電気的に接続される第２コンタクトを形成し、さらに、前記第１コンタクトに接続する電極を形成する工程（６）と、
   前記第２基板における、前記キャビティ領域によって確保される前記封止空間に露出する面のうち、前記第１基板に設けられた前記素子と対向する位置を除いた少なくとも一部を覆うようにゲッター剤を塗布し、前記第２通電用接合膜と少なくとも一部が接するようにガス吸着層を形成する工程（７）と、
   前記第１基板に形成された前記デバイス領域に前記素子を配置する工程（８）と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に前記素子が配置されるように前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせて互いに加圧し、前記第１金属接合膜と前記第２金属接合膜とを拡散接合させて前記第１接合体を形成するとともに、前記第１通電用接合膜と前記第２通電用接合膜とを拡散接合させて前記第２接合体を形成し、且つ、前記第２接合体が前記第１基板に設けられた前記第２コンタクトに接するように前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程（９）と、
   を備えることを特徴とするパッケージの製造方法。
6. さらに、前記工程（９）の後に、前記電極に通電して前記ガス吸着層に電流を印加することにより、該ガス吸着層を加熱して活性化する工程（１０）を備えることを特徴とする請求項５に記載のパッケージの製造方法。
7. 前記工程（３）は、前記第１凸部及び前記第２凸部を同時に形成することにより、前記第２基板を得ることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のパッケージの製造方法。
8. 前記工程（４）は、前記第２金属接合膜及び前記第２通電用接合膜を同時に形成し、
   前記工程（５）は、前記第１金属接合膜及び前記第１通電用接合膜を同時に形成することを特徴とする請求項５～請求項７の何れか一項に記載のパッケージの製造方法。
9. 前記工程（５）及び前記工程（６）を同時に行うことにより、前記第１基板に、前記第１金属接合膜、前記第１通電用接合膜、前記第１コンタクト、前記第２コンタクト及び前記電極を同時に形成することを特徴とする請求項８に記載のパッケージの製造方法。
10. 前記工程（１）及び前記工程（３）は、前記基板材料としてシリコン基板を用いることを特徴とする請求項５～請求項９の何れか一項に記載のパッケージの製造方法。
11. 前記工程（５）は、前記素子として、赤外線検出素子を、前記第１基板に形成された前記デバイス領域に配置することを特徴とする請求項５～請求項９の何れか一項に記載のパッケージの製造方法。

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