JP2013191712A - 積層基板の切断方法および電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明による積層基板の切断方法は、
基板本体11上に樹脂層12が積層され、基板本体11がセラミックまたは金属から形成されている積層基板10の切断方法であって、
樹脂層12を切断する第1切断工程(a)と、レーザ光32により基板本体11を切断する第2切断工程(b)とを有し、
第1切断工程(a)において、ダイサー31、または第2切断工程(b)のレーザ光32と異なる他のレーザ光を用いて樹脂層12を切断し、
第2切断工程(b)におけるレーザ光32が、ファイバーレーザ発振器のCW発振により発生させたレーザ光であることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
基板本体上に樹脂層が積層され、前記基板本体がセラミックまたは金属から形成されている積層基板の切断方法であって、
前記樹脂層を切断する第1切断工程と、レーザ光により前記基板本体を切断する第2切断工程とを有し、
前記第1切断工程において、ダイサー、または前記第2切断工程のレーザ光と異なる他のレーザ光を用いて前記樹脂層を切断し、
前記第2切断工程における前記レーザ光が、ファイバーレーザ発振器のCW発振により発生させたレーザ光であることを特徴とする。
電子部品の製造方法であって、
前記電子部品は、基板本体上に樹脂層が積層され、前記基板本体がセラミックまたは金属から形成されている積層基板を含み、
前記製造方法は、前記積層基板を切断する積層基板切断工程を含み、
前記積層基板切断工程が、前記本発明の切断方法であることを特徴とする。
基板本体上に樹脂層が積層され、前記基板本体がセラミックまたは金属から形成されている積層基板の切断方法であって、
前記樹脂層を切断する第1切断工程と、レーザ光により前記基板本体を切断する第2切断工程とを有し、
前記第1切断工程において、ダイサー、または前記第2切断工程のレーザ光と異なる他のレーザ光を用いて前記樹脂層を切断し、
前記第2切断工程における前記レーザ光が、ファイバーレーザ発振器のCW発振により発生させたレーザ光であることを特徴とする。
11 基板本体
12 樹脂層
20 吸着テーブル
21 吸着テーブル本体
22 吸着パッド
23 溝
24 孔
31 ダイサーの刃
32 レーザ光
33 ノズル
34 アシストガス
35 ドロス
Claims (7)
- 基板本体上に樹脂層が積層され、前記基板本体がセラミックまたは金属から形成されている積層基板の切断方法であって、
前記樹脂層を切断する第1切断工程と、レーザ光により前記基板本体を切断する第2切断工程とを有し、
前記第1切断工程において、ダイサー、または前記第2切断工程のレーザ光と異なる他のレーザ光を用いて前記樹脂層を切断し、
前記第2切断工程における前記レーザ光が、ファイバーレーザ発振器のCW発振により発生させたレーザ光であることを特徴とする切断方法。 - 前記第1切断工程において、切断面が前記基板本体まで達するように前記樹脂層を切断する請求項1記載の切断方法。
- 前記第2切断工程において、上部に溝を有するテーブル上に前記積層基板を固定し、前記基板本体を前記溝の直上で切断する請求項1または2記載の切断方法。
- 前記樹脂層が、透明樹脂、蛍光樹脂および白色樹脂からなる群から選択される少なくとも一つにより形成されている請求項1から3のいずれか一項に記載の切断方法。
- 前記第2切断工程における前記レーザ光の波長が、500〜2100nmの範囲である請求項1から4のいずれか一項に記載の切断方法。
- 前記積層基板が、LED基板である請求項1から5のいずれか一項に記載の切断方法。
- 電子部品の製造方法であって、
前記電子部品は、基板本体上に樹脂層が積層され、前記基板本体がセラミックまたは金属から形成されている積層基板を含み、
前記製造方法は、前記積層基板を切断する積層基板切断工程を含み、
前記積層基板切断工程が、請求項1から6のいずれか一項に記載の切断方法であることを特徴とする製造方法。
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