TW201604996A - 封裝基板之加工方法 - Google Patents

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Chikara Aikawa
Kunimitsu Takahashi
Saki Kimura
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Disco Corp
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Abstract

本發明的課題是提供可在不使封裝器件之品質降低的情形下將封裝基板分割成一個個封裝器件的封裝基板之加工方法。解決手段是將在熱擴散基板的表面上以形成為格子狀之分割預定線所劃分出的複數個區域中分別配置有器件，且將已由樹脂被覆該複數個器件之封裝基板沿著分割預定線分割成一個個封裝器件的封裝基板之加工方法，其包含樹脂去除步驟與封裝器件生成步驟，該樹脂去除步驟是藉由沿著封裝基板之分割預定線照射脈衝雷射光線，並沿分割預定線去除被覆將該複數個器件的樹脂，以使熱擴散基板的表面沿分割預定線露出，該封裝器件生成步驟是藉由將已實施過該樹脂去除步驟之封裝基板沿著分割預定線予以分割以生成一個個封裝器件。在樹脂去除步驟中所照射之脈衝雷射光線為CO2雷射，並將脈衝寬度設定在數μs以下。

Description

封裝基板之加工方法 發明領域
本發明是有關於一種封裝基板之加工方法，其為將在熱擴散基板表面上以形成為格子狀之分割預定線所劃分出的複數個區域中分別配置有器件，且將該複數個器件以樹脂被覆之封裝基板沿著分割預定線分割。
發明背景
IC、LSI、LED等之器件，有時會配置在被稱為散熱片(heat sink)的熱擴散基板上來使用，以使其不會因發熱而導致機能的降低。像這樣在熱擴散基板上配置有器件之封裝器件，可藉由將熱擴散基板的表面上配置有複數個器件之封裝基板予以分割而製造。再者，熱擴散基板除了不鏽鋼與銅等金屬之外，還可藉由氮化鋁等之熱傳導率高的陶瓷來形成(參照例如專利文獻1)。
封裝基板是透過結合劑使複數個器件在熱擴散基板的表面上隔著分割預定線之預定的間隔而被配置，並且為了使光器件所發出的光變柔和而在光器件的上表面被覆矽氧樹脂而構成。
要沿著分割預定線將上述封裝基板切斷而分割 成一個個封裝器件時，所使用的是稱為切割機(dicer)之具備有切削刀的切削裝置。
又，作為沿著分割預定線切斷封裝基板的方法，沿著分割預定線照射雷射光線的方法也被使用。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2009-224683號公報
發明概要
然而，由於當藉由具備有切削刀之切削裝置沿著分割預定線切斷封裝基板時，在熱擴散基板的表面上所被覆之矽氧樹脂上就會發生損傷，所以加工進給速度必須設定在5mm/秒左右的低速，因而有生產性不佳的問題。
另一方面，在藉由沿著封裝基板之分割預定線照射雷射光線而將封裝基板沿分割預定線切斷的方法中，會有合成樹脂熔融而將雷射加工溝的兩側加工成漸縮狀且產生燒焦，而使封裝器件的品質顯著降低的問題。
本發明是有鑒於上述事實所作成的發明，其主要之技術性課題在於提供一種封裝基板之加工方法，其可在不使封裝器件的品質降低的情形下，將封裝基板分割成一個個封裝器件。
為了解決上述之主要的技術課題，依據本發明所 提供的封裝基板之加工方法，是將在熱擴散基板的表面上以形成為格子狀之分割預定線所劃分出的複數個區域中分別配置有器件，且將已由樹脂被覆該複數個器件之封裝基板沿著分割預定線分割成一個個封裝器件的封裝基板之加工方法，其特徵在於包含：樹脂去除步驟，藉由沿著封裝基板之分割預定線照射脈衝雷射光線，並沿著分割預定線去除被覆該複數個器件的樹脂，以使熱擴散基板的表面沿著分割預定線露出；以及封裝器件生成步驟，藉由將已實施過該樹脂去除步驟之封裝基板沿著分割預定線予以分割以生成一個個封裝器件，在該樹脂去除步驟中所照射之脈衝雷射光線為CO2雷射，並將脈衝寬度設定在數μs以下。
上述熱擴散基板是由氮化鋁之陶瓷所形成，且樹脂是矽氧樹脂。
上述封裝器件生成步驟是藉由將熱擴散基板以切削刀沿著分割預定線切斷而分割成一個個的封裝器件。
又，上述封裝器件生成步驟是藉由沿著熱擴散基板的分割預定線照射雷射光線而分割成一個個的封裝器件。
本發明的封裝基板之加工方法，由於在藉由沿著封裝基板之分割預定線照射脈衝雷射光線，且沿著分割預定線去除將複數個器件予以被覆之樹脂，以使熱擴散基板 的表面沿著分割預定線露出的樹脂去除步驟中所照射的脈衝雷射光線是CO2雷射，且將脈衝寬度設定在數μs以下，所以與切削刀所形成之切削加工不同，而為以非接觸形成的加工，因此不會在矽氧樹脂上產生損傷，而可以有效率地實施樹脂去除步驟。
又，由於在樹脂去除步驟中所照射之CO2雷射的波長對於矽氧樹脂而言吸收性是良好的，且脈衝寬度短至數μs以下，所以不會產生燒焦並且不易在已去除矽氧樹脂之雷射加工溝的兩側形成漸縮狀，而不會使封裝基板的品質降低。
2‧‧‧封裝基板
21‧‧‧熱擴散基板
21a‧‧‧表面
211‧‧‧切削溝
212、241‧‧‧雷射加工溝
22‧‧‧分割預定線
23‧‧‧器件
230‧‧‧封裝器件
24‧‧‧矽氧樹脂
3‧‧‧雷射加工裝置
31、41、51‧‧‧保持台
311‧‧‧吸附夾頭支撐台
312‧‧‧吸附夾頭
32、52‧‧‧雷射光線照射手段
321、521‧‧‧套殼
322、522‧‧‧聚光器
33、43、53‧‧‧攝像手段
4‧‧‧切削裝置
410、510‧‧‧吸引保持部
411、511‧‧‧退刀溝
412、512‧‧‧吸引孔
42‧‧‧切削手段
421‧‧‧主軸殼體
422‧‧‧旋轉主軸
423‧‧‧切削刀
423a、X、X1、Y、Z1、Z2‧‧‧箭頭
5‧‧‧雷射加工裝置
524‧‧‧輔助氣體噴射手段
LB‧‧‧脈衝雷射光線
P‧‧‧聚光點
圖1(a)、(b)是以本發明的封裝基板之加工方法所加工的封裝基板的立體圖以及剖面圖。
圖2是顯示本發明的封裝基板之加工方法中用於實施樹脂去除步驟的雷射裝置的主要部位的立體圖。
圖3(a)~(c)是本發明的封裝基板之加工方法中的樹脂去除步驟的說明圖。
圖4是顯示本發明的封裝基板之加工方法中的用於實施作為封裝器件生成步驟的熱擴散基板切斷步驟之切削裝置的主要部位的立體圖。
圖5是顯示將已實施過樹脂去除步驟之封裝基板保持在圖4所示之切削裝置的保持台上的狀態之立體圖。
圖6(a)~(d)是本發明的封裝基板之加工方法中的作為封裝器件生成步驟之熱擴散基板切斷步驟的說明圖。
圖7是顯示本發明的封裝基板之加工方法中用於實施作為封裝器件生成步驟的熱擴散基板雷射切斷步驟之雷射加工裝置的主要部位的立體圖。
圖8是顯示將已實施過樹脂去除步驟之封裝基板保持在圖7所示之雷射加工裝置的保持台上的狀態之立體圖。
圖9(a)~(d)是本發明的封裝基板之加工方法中的作為封裝器件生成步驟之熱擴散基板雷射切斷步驟的說明圖。
用以實施發明之形態
以下，就本發明之封裝基板之加工方法的較佳實施形態，參照附圖進一步詳細地進行說明。
圖1之(a)及(b)中所示為作為被加工物之封裝基板的立體圖及剖面圖。圖1之(a)及(b)中所示之封裝基板2，是在由厚度為400μm的氮化鋁的陶瓷所構成之熱擴散基板21的表面21a上透過結合劑使複數個LED等器件23以隔著為格子狀之分割預定線22的預定間隔的形式被配置，且將矽氧樹脂24被覆成填滿分割預定線22的預定間隔並且覆蓋器件23而構成。再者，矽氧樹脂24是以從熱擴散基板21的表面21a起算為例如300μm的厚度被形成。
要將上述封裝基板2沿著複數條分割預定線22分割時，首先要實施樹脂去除步驟，其為沿著封裝基板2之分割預定線22照射脈衝雷射光線，且沿著分割預定線22去除將複數個器件予以被覆之樹脂，藉此使熱擴散基板21的表面沿著分割預定線22露出。此樹脂去除步驟，是使用圖2所 示之雷射加工裝置來實施。圖2所示之雷射加工裝置3具備有作為保持被加工物之保持手段的保持台31、對被保持於該保持台31上之被加工物照射雷射光線之雷射光線照射手段32，及拍攝被保持於該保持台31上之被加工物的攝像手段33。保持台31是形成為矩形，並具備有吸附夾頭支撐台311，與裝設在該吸附夾頭支撐台311上之吸附夾頭312，並形成為藉由圖未示之吸引手段將上述封裝基板2保持在該吸附夾頭312的表面之載置面上。又，保持台31是構成為可藉由圖未示出之旋轉機構而旋轉。像這樣構成之保持台31，是形成為藉由圖未示之加工進給手段而使其可在圖2中於箭頭X所示之加工進給方向上移動，且藉由圖未示之分度進給手段而使其可在箭頭Y所示之分度進給方向上移動。
上述雷射光線照射手段32包含有實質上為水平 地配置之圓筒狀的套殼321。套殼321內配置有圖未示之脈衝雷射光線振盪手段，該脈衝雷射光線振盪手段具備有CO2雷射振盪器與重複頻率設定手段。在上述套殼321的前端部裝設有用於將由脈衝雷射光線振盪手段振盪產生的脈衝雷射光線聚光之聚光器322。再者，雷射光線照射手段32具備有用於調整以聚光器322聚光的脈衝雷射光線之聚光點位置的聚光點位置調整手段(圖未示)。
在構成上述雷射光線照射手段32之套殼321的前 端部上所裝設之攝像手段33，是由顯微鏡與CCD相機等光學手段所構成，且可將所拍攝到的影像信號傳送到圖未示之控制手段。
要使用上述雷射加工裝置3來實施樹脂去除步驟 時，首先是藉由將上述封裝基板2之熱擴散基板21側載置於保持台31之吸附夾頭312之表面的載置面上，且作動圖未示之吸引手段，以將封裝基板2吸引保持在保持台31上(封裝基板保持步驟)。因此，被保持於保持台31上之封裝基板2，會成為器件23以及矽氧樹脂24側在上側。像這樣進行而保持有封裝基板2之保持台31，是藉由圖未示之加工進給手段而被定位到攝像手段33的正下方。
當將保持台31定位到攝像手段33的正下方時，即 可實行藉由攝像手段33以及圖未示之控制手段檢測封裝基板2之用來雷射加工的加工區域的校準作業。亦即，攝像手段33以及圖未示之控制手段會實行用於進行於封裝基板2之預定方向上所形成的分割預定線22，與雷射光線照射手段32之聚光器322的對位之型樣匹配等影像處理，而完成加工區域之校準(校準步驟)。又，對於在封裝基板2上所形成之於相對於上述預定方向為直交的方向上延伸的分割預定線22，也是同樣地完成加工區域之校準。
當如上述地實施了校準步驟後，即可如圖3(a)所 示地將保持台31移動到照射雷射光線之雷射光線照射手段32之聚光器322所在的雷射光線照射區域，並將預定之分割預定線22定位在聚光器322的正下方。此時，是如圖3(a)所示地將封裝基板2定位成使分割預定線22之一端(在圖3(a)中為左端)位於聚光器322的正下方。並且，如圖3(a)所示地將從聚光器322所照射出之脈衝雷射光線LB的聚光點P對 準矽氧樹脂24的表面(上表面)附近。接著，從雷射光線照射手段32之聚光器322照射出為CO2雷射且已將脈衝寬度設定在數μs以下之脈衝雷射光線，並且使保持台31以預定之加工進給速度在圖3(a)朝箭頭X1所示之方向移動。然後，如圖3(b)所示，當分割預定線22之另一端(在圖3(b)中為右端)到達聚光器322的正下方位置時，即停止脈衝雷射光線之照射並且停止保持台31的移動(樹脂去除步驟)。藉由像這樣實施樹脂去除步驟，就會如圖3(c)所示，使將複數個器件23予以被覆之矽氧樹脂24藉由沿著分割預定線22而形成之雷射加工溝241而被去除，且將熱擴散基板21之表面(上表面)沿著分割預定線22而露出。
因為在上述樹脂去除步驟中所照射之脈衝雷射 光線為CO2雷射，且將脈衝寬度設定在數μs以下，所以與切削刀所形成之切削加工不同，而為以非接觸形成的加工，因此不會在矽氧樹脂24上產生損傷，而可以有效率地實施樹脂去除加工。
又，由於在樹脂去除步驟中所照射之CO2雷射的波長，對於矽氧樹脂而言吸收性是良好的，且脈衝寬度短至數μs以下，所以不會產生燒焦並且不易在已去除矽氧樹脂之雷射加工溝241的兩側形成漸縮狀，而不會使封裝基板的品質降低。
再者，上述樹脂去除步驟是以例如以下之加工條件來進行。
雷射光線之波長：CO2雷射(9.2~10.6μm)
重複頻率：100kHz
脈衝寬度：10ns~5μs
平均輸出：40W
聚光點點徑：φ 100μm
加工進給速度：180mm/秒
在封裝基板2上，沿著在預定方向上所形成之所有的分割預定線22皆實施了上述之樹脂去除步驟後，就可以將保持台31旋轉90度，且對被保持於保持台31上之封裝基板2，沿著在相對於上述預定方向為直交的方向上所形成之分割預定線22實施樹脂去除步驟。
如以上地進行而實施過樹脂去除步驟後，就能實施封裝器件生成步驟，其為藉由沿著分割預定線22分割封裝基板2以生成一個個的封裝器件。參照圖4到圖6來說明此封裝器件生成步驟之第1實施形態。
封裝器件生成步驟之第1實施形態是使用圖4所示之切削裝置4來實施。圖4所示之切削裝置4具備有作為保持被加工物之保持手段的保持台41、切削被保持於該保持台41上之被加工物的切削手段42，以及拍攝被保持於該保持台41上之被加工物的攝像手段43。保持台41是形成為矩形且是將吸引保持上述封裝基板2之吸引保持部410突出於表面中央部而被設置。在吸引保持部410之上表面(保持面)上，在與形成於封裝基板2上之分割預定線22相對應的區域中，有形成為格子狀的退刀溝411。再者，是將退刀溝411之寬度形成為1mm以上，且形成為將形成在封裝基板2上之 雷射加工溝241定位於預定範圍內。又，在吸引保持部410上，於被分割預定線22所劃分出之複數個區域中分別形成有吸引孔412，且將此吸引孔412連通於圖未示之吸引手段。 再者，保持台41是被構成為可藉由圖未示之旋轉機構而旋轉。像這樣所構成之保持台41，是形成為藉由圖未示之切削進給手段而使其可在圖4中於箭頭X所示之加工進給方向上移動，且藉由圖未示之分度進給手段而使其可在箭頭Y所示之分度進給方向上移動。
上述切削手段42包含有實質上水平地配置之主 軸殼體421、被該主軸殼體421支撐成旋轉自如的旋轉主軸422，及裝設在該旋轉主軸422的前端部之厚度為80μm的切削刀423，並形成為藉由配置在主軸殼體421內之圖未示的伺服馬達而使旋轉主軸422可朝箭頭423a所示之方向旋轉。
上述攝像手段43是由顯微鏡與CCD相機等光學 手段所構成，並將所拍攝到的影像信號傳送到圖未示之控制手段。
以下，針對使用上述切削裝置4而實施之封裝器 件生成步驟進行說明。
如圖5所示，將已實施過上述樹脂去除步驟之封裝基板2的熱擴散基板21側載置在保持台41之吸引保持部410之上表面的保持面上。然後，藉由作動圖未示的吸引手段，以將封裝基板2吸引保持在保持台41上(封裝基板保持步驟)。此時，藉由作用在設置於保持台41之吸引保持部410上的複 數個吸引孔412上之負壓，可將一個個封裝器件230確實地吸引保持。像這樣進行而被吸引保持在保持台41之封裝基板2，是形成已沿著分割預定線22被去除矽氧樹脂24的雷射加工溝241在上側。
如上述地實施過封裝基板保持步驟後，就可將已 吸引保持有封裝基板2之保持台41藉由圖未示的切削進給手段定位到攝像手段43的正下方。當將保持台41定位於攝像手段43的正下方時，即可實行藉由攝像手段43及圖未示的控制手段來檢測封裝基板2之用來雷射加工之加工區域的校準作業。
如以上所述地進行而進行過用以檢測被保持於 保持台41上之封裝基板2的切削區域的校準後，就能將保持有封裝基板2之保持台41移動到切削作業區域，並如圖6(a)所示地將沿著預定之分割預定線22所形成之雷射加工溝241的一端(在圖6(a)中為左端)定位在比切削刀423的正下方稍微偏向右側的位置上。然後，在將切削刀423往箭頭423a所示之方向旋轉時，進一步將切削刀423從2點鏈線所示之退避位置往箭頭Z1所示之方向切入進給預定量。此切入進給位置是設定在可使切削刀423之外周緣到達熱擴散基板21的背面(下表面)的深度上。像這樣進行而實施過切削刀423之切入進給後，就可將保持台41在圖6(a)中朝箭頭X1所示之方向以預定之切削進給速度移動，如圖6(b)所示，當使沿著被保持於保持台41之封裝基板2上所形成之分割預定線22形成的雷射加工溝241的另一端(在圖6(a)中為右端) 到達比切削刀423的正下方稍微偏向左側之處時，即停止保持台41之移動，並且使切削刀423朝箭頭Z2所示之方向上升到實線所示之退避位置。其結果，如圖6(c)所示，藉由沿著雷射加工溝241而形成的切削溝211可將封裝基板2之熱擴散基板21切斷，該雷射加工溝241是沿著分割預定線22而被形成(熱擴散基板切斷步驟)。
再者，上述熱擴散基板切斷步驟是以例如以下之加工條件來進行。
切削刀的厚度：80μm
切削刀的直徑：52mm
切削刀的旋轉速度：20000rpm
切削進給速度：10mm/秒
在封裝基板2上沿著在預定方向上所形成的所有雷射加工溝241皆實施了上述之熱擴散基板切斷步驟後，就可以將保持台41旋轉90度，且對被保持於保持台41上之封裝基板2，沿著在相對於上述預定方向為直交的方向上所形成的雷射加工溝241實施熱擴散基板切斷步驟。其結果，如圖6(d)所示，可將封裝基板2分割成一個個封裝器件230。再者，被分割成一個個的封裝器件230，會被保持台41之吸引保持部410所吸引保持，而維持在封裝基板的狀態。然而，由於不構成封裝基板2之封裝器件的外周部並未受到保持台41所吸引保持，所以會從保持台41作為端材而脫落。
接著，參照圖7到圖9來說明封裝器件生成步驟的第2實施形態。封裝器件生成步驟的第2實施形態是使用圖7 所示之雷射裝置5來實施。圖7所示之雷射加工裝置5具備有作為保持被加工物之保持手段的保持台51、對被保持於該保持台51上之被加工物照射雷射光線的雷射光線照射手段52，及拍攝被保持於保持台51上之被加工物之攝像手段53。 保持台51是與上述圖4所示之切削裝置4的保持台41同樣地被構成。亦即，保持台51是形成為矩形且是將吸引保持上述封裝基板2之吸引保持部510突出於表面中央部而被設置在吸引保持部510之上表面(保持面)上，在與形成於封裝基板2上之分割預定線22相對應的區域中，有形成為格子狀的退刀溝511。再者，是將退刀溝511之寬度形成為1mm以上，而形成為將形成在封裝基板2上之雷射加工溝241定位於預定範圍內。又，在吸引保持部510上，於被分割預定線22所劃分出之複數個區域中分別形成有吸引孔512，且將此吸引孔512連通於圖未示之吸引手段。再者，保持台51是被構成為可藉由圖未示之旋轉機構而旋轉。像這樣所構成之保持台51，是形成為藉由圖未示之加工進給手段使其可在圖7中於箭頭X所示之加工進給方向上移動，且藉由圖未示之分度進給手段使其可在箭頭Y所示之分度進給方向上移動。
上述雷射光線照射手段52包含實質上為水平地 配置的圓筒狀的套殼521。套殼521內配置有圖未示的脈衝雷射光線振盪手段，該脈衝雷射光線振盪手段包括了脈衝雷射光線振盪器與重複頻率設定手段。在上述套殼521的前端部裝設有用於將脈衝雷射光線振盪手段所振盪產生的脈衝雷射光線聚光之聚光器522。又，圖示之實施形態中的雷 射光線照射手段52具備有輔助氣體(assist gas)噴射手段524，該輔助氣體噴射手段524可將藉由從聚光器522照射出之脈衝雷射光線來進行加工時所產生之碎屑吹跑。再者，雷射光線照射手段52具備有用於調整以聚光器522所聚光之脈衝雷射光線的聚光點位置的聚光點位置調整手段(圖未示)。
構成上述雷射光線照射機構52之套殼521的前端 部上所裝設的攝像手段53，是由顯微鏡與CCD相機等光學手段所構成，並可將所拍攝到的影像信號傳送到圖未示的控制手段。
要使用上述雷射加工裝置5以實施封裝器件生成 步驟時，是如圖8所示，將已實施過上述樹脂去除步驟之封裝基板2的熱擴散基板21側載置在保持台51之吸引保持部510之上表面的保持面上。然後，藉由作動圖未示的吸引手段，以將封裝基板2吸引保持在保持台51上(封裝基板保持步驟)。此時，藉由作用在設置於保持台51之吸引保持部510上的複數個吸引孔512上之負壓，可將一個個封裝器件230確實地吸引保持。像這樣進行而被吸引保持在保持台51之封裝基板2，是形成已沿著分割預定線22被去除矽氧樹脂24的雷射加工溝241在上側。
如上述地實施過封裝基板保持步驟後，就可將已 吸引保持有封裝基板2之保持台51藉由圖未示的切削進給手段定位到攝像手段53的正下方。當將保持台51定位於攝像手段53的正下方時，即可實行藉由攝像手段53及圖未示 的控制手段來檢測封裝基板2之用來雷射加工之加工區域的校準作業。
當如上述地實施了校準步驟後，即可如圖9(a)所 示地將保持台51移動到照射雷射光線之雷射光線照射手段52之聚光器522所在的雷射光線照射區域，並將預定之雷射加工溝241定位在聚光器522的正下方。此時，是如圖9(a)中所示地將封裝基板2定位成使雷射加工溝241之一端(在圖9(a)中為左端)位於聚光器522的正下方。並且，如圖9(a)中所示地將聚光器522所照射出之脈衝雷射光線LB的聚光點P對準雷射加工溝241的底面(熱擴散基板21的表面)附近。 接著，在從雷射光線照射手段52之聚光器522照射出對封裝基板2之熱擴散基板21具有吸收性之波長的脈衝雷射光線時，使保持台51以預定之加工進給速度在圖9(a)中朝箭頭X1所示之方向移動。然後，如圖9(b)所示，當雷射加工溝241之另一端(在圖9(b)中為右端)到達聚光器522的正下方位置後，即停止脈衝雷射光線之照射並且停止保持台51的移動(熱擴散基板雷射切斷步驟)。像這樣藉由實施熱擴散基板雷射切斷步驟，以如圖9(c)所示地將封裝基板2之熱擴散基板21藉由沿著雷射加工溝241所形成之雷射加工溝212而切斷。在此熱擴散基板雷射切斷步驟中，是使輔助氣體噴射手段524作動以對從聚光器522所照射出之脈衝雷射光線形成之加工部噴射例如壓力為1MPa的空氣。其結果，可將以脈衝雷射光線加工之時所產生的碎屑吹跑而塞入保持台51上所形成之退刀溝511中。因此，以脈衝雷射光線加工之 時所產生之碎屑不會附著於封裝器件的表面。
再者，上述熱擴散基板切斷步驟是以例如以下之加工條件來進行。
雷射光線的波長：YAG雷射(1.06μm)
重複頻率：18kHz
平均輸出：150W
聚光點點徑：φ 50μm
加工進給速度：160mm/秒
在封裝基板2上沿著在預定方向上形成的所有雷射加工溝241皆實施了上述之熱擴散基板切斷步驟後，就可以將保持台51旋轉90度，且對被保持於保持台51上之封裝基板2，沿著在相對於上述預定方向為直交的方向上所形成的雷射加工溝241實施熱擴散基板切斷步驟。其結果，如圖9(d)所示，可將封裝基板2分割成一個個封裝器件230。再者，被分割成一個個的封裝器件230，會被保持台51之吸引保持部510所吸引保持，而維持在封裝基板的狀態。然而，由於不構成封裝基板2之封裝器件的外周部並未受到保持台51所吸引保持，所以會從保持台51作為端材而脫落。
因為上述之熱擴散基板雷射切斷步驟並非是以切削刀形成的切斷，而是以雷射加工形成的切斷，所以即使熱擴散基板21是由金屬所形成，也不會產生毛邊，而解決使封裝器件的品質降低之問題。
又，因為熱擴散基板雷射切斷步驟並非以切削刀形成的切斷，而是以雷射加工形成的切斷，所以即使熱擴散基 板21是由陶瓷所形成，也能夠平滑地切斷，而使生產性變良好。
以上，雖然根據圖示之實施形態說明了本發明， 但是本發明並非僅受限於實施形態者，且可在本發明之要旨的範圍內進行種種的變更。例如，在上述實施形態中，雖然顯示了將雷射加工裝置3之保持台31，與切削裝置4之保持台41以及雷射加工裝置5之保持台51做成不同的構造之例，但是也可以將雷射加工裝置3之保持台31做成與切削裝置4之保持台41或雷射加工裝置5之保持台51相同的構造。
2‧‧‧封裝基板
21‧‧‧熱擴散基板
22‧‧‧分割預定線
23‧‧‧器件
24‧‧‧矽氧樹脂
241‧‧‧雷射加工溝
31‧‧‧保持台
322‧‧‧聚光器
LB‧‧‧脈衝雷射光線
P‧‧‧聚光點
X1‧‧‧箭頭

Claims (4)

  1. 一種封裝基板之加工方法，是將在熱擴散基板的表面上以形成為格子狀之分割預定線所劃分出的複數個區域中分別配置有器件，且將已由樹脂被覆該複數個器件之封裝基板沿著分割預定線分割成一個個封裝器件的封裝基板之加工方法，其特徵在於包含：樹脂去除步驟，藉由沿著封裝基板之分割預定線照射脈衝雷射光線，並沿著分割預定線去除被覆該複數個器件的樹脂，以使熱擴散基板的表面沿著分割預定線露出；以及封裝器件生成步驟，藉由將已實施過該樹脂去除步驟之封裝基板沿著分割預定線予以分割以生成一個個封裝器件，在該樹脂去除步驟中所照射之脈衝雷射光線為CO2雷射，並將脈衝寬度設定在數μs以下。
  2. 如請求項1之封裝基板之加工方法，其中，該熱擴散基板是由氮化鋁之陶瓷所形成，且樹脂為矽氧樹脂。
  3. 如請求項1或2之封裝基板之加工方法，其中，該封裝器件生成步驟是藉由將熱擴散基板以切削刀沿著分割預定線切斷而分割成一個個的封裝器件。
  4. 如請求項1或2之封裝基板之加工方法，其中，該封裝器件生成步驟是藉由沿著熱擴散基板之分割預定線照射雷射光線而分割成一個個的封裝器件。
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