JP4781770B2 - ウェハ加工方法 - Google Patents

Description

本発明は，ウェハ加工方法に関し，特に，裏面にダイボンディング用の接着フィルムが貼り付けられたウェハの加工方法に関する。

従来，ダイシング工程によって分割された半導体チップのダイボンディング工程では，ダイボンディング材料として樹脂ペーストなどを用いて，半導体チップをリードフレームなどの基台に接着していた。しかし，かかる手法では，半導体チップが傾いて接着されたり，半導体チップの端から樹脂ペーストがはみ出したりして，高精度にダイボンディング
することができない上に，接着層の厚さ制御も困難であるという問題があった。

このため，近年では，裏面にダイボンディング用の接着フィルム，いわゆるＤＡＦ（ダイ・アタッチ・フィルム）が予め貼り付けられている半導体チップを用いる手法が普及しつつある。このＤＡＦは，略均一な厚さを有し，厚さ制御も容易であるので，半導体チップを高精度でダイボンディングすることができる。

しかし，当初のＤＡＦ付きの半導体チップは，半導体チップのサイズに応じて切断されたＤＡＦを半導体チップの裏面に貼り合わせることで製造していたため，小さい半導体チップに対応しきれず，生産性も非常に低いという問題があった。

このような問題から，特許文献１には，半導体ウェハの裏面にＤＡＦを熱圧着して貼り付け，ＤＡＦと半導体ウェハとを同時にダイシングする方法が提案されている。この方法によれば，ＤＡＦを半導体ウェハに貼り付けることが容易になると共に，あらゆるチップサイズにも容易に対応することができる。

ところが，上記従来のＤＡＦ付き半導体チップの製造方法では，図６（ａ）に示すように，切削ブレード１等の切削手段により，ウェハＷと当該ウェハＷの裏面に貼り付けられたＤＡＦ３とを同時に切断して，複数のＤＡＦ３付き半導体チップＣに分割すると，ＤＡＦ３の切断面は平滑面とはならずに，図６（ｂ）に示すように，ＤＡＦ３付き半導体チップＣの周囲に，ヒゲ状のバリ５が多数発生してしまうという問題があった。

このバリ５が存在すると，図７（ａ）に示すように，ピックアップ対象の半導体チップＣの形状に応じた保持手段であるコレット７で，ＤＡＦ３付き半導体チップＣを吸着してピックアップするときに，半導体チップＣの上方まで延びたバリ５に邪魔されてしまうので，コレット７によって半導体チップＣを好適に保持することができず，ピックアップできないという問題があった。さらには，図７（ｂ）に示すように，ＤＡＦ３付き半導体チップＣをワイヤボンディングするときに，側方に延びたバリ５がワイヤボンディングのパッドに接触してしまい，好適にワイヤボンディングすることができないという問題も発生していた。

これらの問題を解決するため，特許文献２には，ＤＡＦ付き半導体チップに生じたバリを加熱することによって，バリを熱収縮させて小さくする技術が提案されている。

特開平１１−２１９９６２号公報 特開２００４−７９５９７号公報

しかしながら，上記特許文献２に記載のバリ対策方法では，加熱処理用の装置が別途必要となり，加熱処理工程にも時間を要するため，ＤＡＦ付き半導体チップの生産性を低下させてしまうという問題があった。また，上記バリ対策方法は，バリの発生自体を抑制する効果はなかったので，バリの発生を根本的に解決可能な手法が希求されていた。

そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，接着フィルム付き半導体チップのバリ対策として，別途の装置や処理工程を必要とせず，バリの発生自体を抑制することが可能な，新規かつ改良されたウェハ加工方法を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，表面に複数の半導体素子が形成されたウェハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼り付け，接着フィルムが貼り付けられたウェハを接着フィルムとともに格子状に切断して，複数の接着フィルム付きチップに分割するウェハ加工方法が提供される。このウェハ加工方法は，ウェハを一方向に移動させながら，ウェハの裏面に対してウェハの移動方向の前方側から後方側にかけて徐々に接着フィルムを圧接して貼り付ける貼付装置を用いて，ウェハの裏面に接着フィルムを所定の貼付方向で貼り付ける貼付工程と；ウェハの表面にある相直交する２方向のストリートを切削ブレードにより切削する切削装置を用いて，接着フィルムが貼り付けられたウェハを，接着フィルムとともに格子状に切断して，複数の接着フィルム付きチップに分割する切断工程と；を含む。そして，上記貼付工程では，ウェハの表面にある２方向のストリートのうちいずれか一方向のストリートと，接着フィルムの貼付方向とが平行となるようにして，ウェハの裏面に接着フィルムを貼り付ける。また，上記切断工程では，接着フィルムの貼付方向に対して平行な方向のストリートを切断した後に，接着フィルムの貼付方向に対して直行する方向のストリートを切断する。

かかる構成のウェハ加工方法では，貼付装置によって，ウェハに対する接着フィルムの貼付方向と，ウェハの表面にある一方のストリートの方向とを略平行にして，接着フィルムを貼り付けた後に，切削装置によって，接着フィルムが貼り付けられたウェハを格子状に切断するときに，最初に，上記略平行に合わせたストリートから切断する。これにより，接着フィルムに働いている最も強い引張応力の方向に対して平行に，接着フィルムを切断することで，接着フィルムに与えるダメージを最も少なくできる。従って，接着フィルムを切断したときに発生するバリの発生を低減できる。よって，接着フィルム付き半導体チップのバリ対策として，別途装置や加工工程を必要とせず，しかも切断時におけるバリの発生自体を抑制することができる。

以上説明したように本発明によれば，接着フィルムが貼り付けられたウェハを切断するときに，接着フィルムに与えるダメージを低減できるので，バリの発生を低減できる。従って，接着フィルム付き半導体チップのバリ対策として，別途装置や加工工程が不要であり，しかもバリの発生自体を抑制することができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（第１の実施形態）
以下に，本発明の第１の実施形態にかかるウェハ加工方法について説明する。本実施形態にかかるウェハ加工方法では，まず，貼付装置によって，ウェハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムであるＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ：ダイ・アタッチ・フィルム）を所定の貼付方向で貼り付ける（貼付工程）。次いで，切削ブレードを備えた切削装置によって，上記ＤＡＦが貼り付けられた半導体ウェハを格子状に切断して，ＤＡＦ付き半導体チップに分割する（切断工程）。

このとき，上記貼付工程において，ウェハの相直交する２方向のストリートのうち，一方向のストリートと平行な貼付方向で，ＤＡＦをウェハ裏面に貼り付ける。そして，切断工程において，まず，上記貼付方向と平行な方向のストリートを切断し，次いで，上記貼付方向と直交する方向のストリートを切断する点に特徴を有する。そこで，以下では，貼付装置及び切断装置の構成と，この貼付装置及び切断装置を用いてＤＡＦ付き半導体チップを製造するためのウェハ加工方法について詳細に説明する。

まず，図１〜図３を参照して，本実施形態にかかる貼付装置１０の構成および動作について説明する。なお，図１は，本実施形態にかかる貼付装置１０の構成を示す正面図である。また，図２は，本実施形態にかかる貼付装置１０において，基台テープ１６上に保持されたＤＡＦ３を示す底面図（ａ）と，移動基台１２上に載置されたウェハＷを示す平面図（ｂ）である。また，図３は，本実施形態にかかる貼付装置１０によりウェハＷの裏面にＤＡＦ３を貼り付けている状態を示す拡大断面図（ａ）と，裏面にＤＡＦ３が貼り付けられたウェハＷを示す拡大断面図（ｂ）である。

図１に示すように，貼付装置１０は，半導体ウェハＷの裏面に，ダイボンディング用の接着フィルムであるＤＡＦ３を貼り付けるための装置である。

半導体ウェハＷは，例えば，略円板形状を有するシリコンウェハなどであり，その大きさは，外径が例えば６，８，１０インチ等であり，厚さが例えば５０μｍである。なお，以下では，半導体ウェハＷの表面とは，半導体素子（回路）が形成された側の円形平坦面をいい，半導体ウェハＷの裏面とは，上記表面とは反対側の円形平坦面をいうものとする。また，かかる半導体ウェハＷを切断して形成された半導体チップについても，表面および裏面の定義は同様とする。

このウェハＷの表面には，図２（ｂ）に示すように，複数の半導体素子（図示せず。）が作り込まれており，この複数の半導体素子間には複数のストリート（切削予定ライン）３１，３２が格子状に配列されている。このストリート３１とストリート３２とは，相互に直交する方向に延びている。

ＤＡＦ３は，上記ウェハＷが分割された半導体チップをダイボンディングするためのフィルム状の接着剤（両面接着フィルム）である。このＤＡＦ３は，例えば，主に，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂またはエポキシ樹脂などからなる。また，このＤＡＦ３は，外径がウェハＷの径と同程度の円形フィルムとなるように成形されている。さらに，ＤＡＦ３の厚さは，例えば５０μｍ程度であり，上記ウェハＷと同程度とすることができる。なお，このＤＡＦ３には，例えば，カバーフィルムやキャリアフィルムなどは貼り付けられていない。

貼付装置１０は，例えば，図１に示すように，ウェハＷが裏面を上向きにして載置される移動基台１２と，移動基台１２を所定の一方向に移動させる移動機構（図示せず。）と，送出ローラ１３と圧接ローラ１４と巻取ローラ１５との間に懸架される基台テープ１６と，を備える。

移動基台１２は，上面が平坦面となっている支持台であり，載置されたウェハＷを支持する。また，図１（ａ）及び図２（ｂ）に示すように，移動基台１２に載置されたウェハＷの周囲には，ウェハＷの外径より大きな環状のリングフレーム４が，ウェハＷと同心円上に隙間を空けて載置される。このリングフレーム４は，ダイシングテープ６を介してウェハＷを支持するフレームである。リングフレーム４の厚さは，ウェハＷの厚さ（例えば５０μｍ）とＤＡＦ３の厚さ（例えば５０μｍ）の和と同程度（例えば１００μｍ程度）である。

また，この移動基台１２は，上記移動機構により，所定の一方向（Ｘ軸方向）に水平移動可能となっている。これにより，支持基台１２上に載置されたウェハＷを，当該一方向に水平移動させることができる。

また，上記のように支持基台１２上にウェハＷを載置するときには，ウェハＷの表面にある相直交する２方向のストリート３１，３２のうちいずれか一方向のストリート３１と，移動基台１２の移動方向とが平行となるように，ウェハＷが配置される。これにより，後述するＤＡＦ３の貼付方向とストリート３１の方向とが一致するようになる。

送出ローラ１３，圧接ローラ１４及び巻取ローラ１５は，上記移動基台１２の上方に配設されている。このうち，基台テープ１６を送り出す送出ローラ１３と，基台テープ１６を巻き取る巻取ローラ１５とが，比較的上方に配置され，基台テープ１６をウェハＷに向けて圧接する圧接ローラ１４が最下方に配置されている。

かかる構成により，基台テープ１６を，上記移動基台１２の移動方向と略同一方向に移動させることができる。このとき，送出ローラ１３から送り出された基台テープ１６は，圧接ローラ１４に近づくにつれ下方に向かい，圧接ローラ１４の下端位置で最も下方に突出し，その後，巻取ローラ１５に近づくにつれ上方に向かい，最終的には巻取ローラ１５に巻き取られる。

かかる基台テープ１６の下面には，図１（ａ）及び図２（ａ）に示すように，ＤＡＦ３よりも大きな円形を有するダイシングテープ６と，このダイシングテープ６上に同心円上に貼り付けられたＤＡＦ３とが保持される。このとき，例えば，基台テープ１６の粘着力によってダイシングテープ６が基台テープ１６上に保持され，ダイシングテープ６及びＤＡＦ３の粘着力によってＤＡＦ３がダイシングテープ６上に保持される。なお，ダイシングテープ６は，ダイシング時にウェハＷを保持するための粘着テープであり，例えば，紫外線硬化型の粘着テープなどを利用できる。

以上のような構成の貼付装置１０により，移動基台１２によりウェハＷを一方向（Ｘ軸方向）に移動させながら，基台テープ１６によりＤＡＦ３をウェハＷと同方向に移動させることで，ウェハＷの裏面に対して，当該移動方向の前方側から後方側にかけて徐々にＤＡＦ３を圧接して，ウェハＷの２つのストリート３１，３２のうち一方のストリート３１と同一の貼付方向（当該移動方向と同一方向）でＤＡＦ３を貼り付けることができる。以下に，かかる貼付装置１０によるＤＡＦ３の貼付動作（即ち，本実施形態にかかるウェハ加工方法における貼付工程）について詳細に説明する。

まず，図１（ａ）に示すように，支持基台１２上にウェハＷ及びリングフレーム４を載置するとともに，その上方に位置する基台テープ１６の下面にダイシングテープ６を介してＤＡＦ３を貼り付ける。このとき，図２（ｂ）に示すように，ウェハＷの一方のストリート３１と，移動基台１２の移動方向（Ｘ軸方向）とが平行になるように，移動基台１２上にウェハＷが載置される。
次いで，図１（ａ）に示すように，移動機構により移動基台１２を所定方向（Ｘ軸方向）に移動させて，ウェハＷを水平移動させるとともに，送出ローラ１３と巻取ローラ１５の回転により，基台テープ１６を上記移動基台１２の移動方向と同一方向に移動させて，ダイシングテープ６及びＤＡＦ３を搬送する。なお，移動基台１２の移動速度，及び基台テープ１６の移動速度は，圧接ローラ１４の下部でウェハＷとＤＡＦ３とが相互に接触するような速度に調整されている。

これにより，移動基台１２上のウェハＷが圧接ローラ１４の下部に位置すると同時に，基台テープ１６上のＤＡＦ３が圧接ローラ１４の下端に位置するようになる。この結果，図３（ａ）に示すように，圧接ローラ１４により，基台テープ１６上のＤＡＦ３が，支持基台１２上のウェハＷの裏面に対して，上記移動基台１２の移動方向の前方側から下方側にかけて徐々に圧接され，これにより，ＤＡＦ３がウェハＷの裏面のＸ軸方向先端部側から後端部側にかけて徐々に貼り付けられる。そして，図１（ａ）に示すように，移動基台１２が，圧接ローラ１４の下部を通り越して十分に移動したときには，ＤＡＦ３及びダイシングテープ６が基台テープ１６から完全に剥離して，図３（ｂ）に示すように，ウェハＷの裏面にＤＡＦ３が貼り付けられるとともに，リングフレーム４にダイシングテープ６の外周部が貼り付けられる。

以上のようにして，上記貼付装置１０を用いた貼付工程では，ウェハＷのいずれか一方のストリート３１の方向とＤＡＦ３の貼付方向とが平行になるようにして，ウェハＷの裏面にＤＡＦ３が貼り付けられる。

次に，図４を参照して，本実施形態にかかる切削装置２０の構成および動作について説明する。なお，図４は，本実施形態にかかる切削装置２０の構成及び動作を示す正面図である。

図４に示すように，切削装置２０は，例えば，ウェハＷを保持するチャックテーブル２１と，ウェハＷを切削加工する切削ユニット２３と，切削ユニット２３をＹ及びＺ軸方向に移動させる切削ユニット移動機構（図示せず。）と，チャックテーブル２１を切削方向（Ｘ軸方向）に切削送りするチャックテーブル移動機構（図示せず。）とを主に備える。

ウェハＷは，上記のようにして裏面側に貼り付けられたＤＡＦ３及びダイシングテープ６を介してフレーム４に支持された状態で，チャックテーブル２１上に表面側を上向きにして載置される。

チャックテーブル２１は，例えば，その上面が略平坦な円盤状のテーブルであり，その上面に真空チャック（図示せず。）を具備している。チャックテーブル２１は，この真空チャック上に載置されたウェハＷを真空吸着して安定的に保持する。

切削ユニット２３は，スピンドル２４の先端部に装着された切削ブレード２２を備えている。切削ブレード２２は，例えば，ダイヤモンド等の砥粒をボンド材で結合して形成された極薄のリング状の切削砥石である。この切削ユニット２３は，図４（ｂ）に示すように，スピンドル２４により高速回転させた切削ブレード２２をウェハＷに切り込ませることにより，ウェハＷのストリート３１，３２を切削して，極薄のカーフ（切溝）を形成する。

切削ユニット移動機構は，切削ユニット２３をＹ軸方向に移動させる。このＹ軸方向は，切削方向（Ｘ軸方向）に対して直交する水平方向であり，切削ユニット２３内に延設されたスピンドル２４の軸方向と一致する。切削ユニット２３をＹ軸方向に移動させることにより，切削ブレード２２の刃先をウェハＷのストリート３１，３２に位置合わせすることができる。さらに，この切削ユニット移動機構は，切削ユニット２３をＺ軸方向（垂直方向）にも移動させる。これにより，ウェハＷに対する切削ブレード２２の切り込み深さを調整することができる。

チャックテーブル移動機構は，切削加工時に，ウェハＷを保持したチャックテーブル２１を切削方向（Ｘ軸方向）に往復移動させて，ウェハＷに対し切削ブレード２２の刃先を直線的な軌跡で作用させる。また，チャックテーブル移動機構は，図示しないモータによって，上記チャックテーブル２１を，チャックテーブル２１の中心を通り鉛直方向に延びる回転軸を中心として水平面内で回転させることができる。これによって，チャックテーブル２１上に保持されたウェハＷも当該回転軸を中心として回転する。

以上のような構成の切削装置２０は，高速回転する切削ブレード２２をウェハＷに切り込ませながら，切削ユニット２３とチャックテーブル２１とを相対移動させることにより，ウェハＷの表面に格子状に配列された複数のストリート３１，３２に沿って，ウェハＷと当該ウェハＷの裏面に貼り付けられたＤＡＦ３とを同時に切断する。これによって，ウェハＷ及びＤＡＦ３をダイシング加工して，複数のＤＡＦ３付き半導体チップＣに分割することができる。

以下に，かかる切断装置２０によるＤＡＦ３付きウェハＷの切断動作（即ち，本実施形態にかかるウェハ加工方法における切断工程）について詳細に説明する。

この切断工程では，切削装置２０は，まず，図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように，上記貼付工程におけるＤＡＦ３の貼付方向に対して平行な方向に延びる複数のストリート３１を切断する。次いで，チャックテーブル２１を９０度回転させて，ストリート３２の方向を切削送り方向（Ｘ軸方向）に合わせた後，図４（ｃ）に示すように，当該ＤＡＦ３の貼付方向に対して直行する方向に延びる複数のストリート３２を切断する。

このようにして，ＤＡＦ３の貼付方向と平行なストリート３１を最初に切断することにより，ＤＡＦ３の切断に伴うヒゲ状のバリ５の発生（図６参照）を大幅に抑制することができる。このバリを抑制できる理由は，次のように考えられる。

即ち，ＤＡＦ３の引張応力やダイシングテープ６の引張応力は，上記貼付装置１０によるＤＡＦ３の貼付方法を考慮すると，図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように，上記ＤＡＦ３の貼付方向に最も作用すると考えられる。従って，当該ＤＡＦ３の貼付方向と平行な方向（ストリート３１の方向）にＤＡＦ３を切断することにより，この切断方向と直交する方向にＤＡＦ３を押し広げる力を最小限に抑えることができる。よって，最初の１回目の切断で，ＤＡＦ３の貼付方向と平行なストリート３１を切断することにより，当該切断時には，バリの発生を抑制できる。

さらに，その後，上記ＤＡＦ３の貼付方向に直交する方向（ストリート３２の方向）にＤＡＦ３を切断した場合には，既に上記ストリート３１の切削によりＤＡＦ３が短冊状に分断されているため，上記ＤＡＦ３等の引張応力はあまり作用せず，この結果，切断方向と直交する方向にＤＡＦ３を押し広げる力もあまり作用しない。従って，２回目の切断で，ＤＡＦ３の貼付方向と直交するストリート３２に沿って切断しても，バリの発生を抑制できる。

以上のように，ＤＡＦ３付きウェハＷを格子状に切断することにより，ウェハＷを複数のＤＡＦ３付き半導体チップＣに分割することができる。かかる分割されたＤＡＦ３付き半導体チップＣは，上記のようにＤＡＦ３の切断面におけるバリの発生が抑制されている。

従って，後工程であるピックアップ工程において，バリに邪魔されることなく（図７（ａ）参照），コレットにより好適にピックアップできる。さらに，上記ピックアップされたＤＡＦ３付き半導体チップＣを基台にダイボンディングした後，ワイヤボンディング工程において，バリに邪魔されることなく（図７（ｂ）参照），ワイヤとパッドとをワイヤで好適に接続できる。このため，当該ワイヤボンディング工程を円滑かつ迅速に実行することができるので，ワイヤボンディング精度および生産性が向上する。

次に，上記実施形態にかかるウェハ加工方法によるバリ抑制効果を検証するため，ウェハＷに対するＤＡＦ３の貼付方向や，２方向のストリート３１，３２の切断順序を変えてＤＡＦ３付きウェハＷを切断し，それぞれの場合について，切断後のＤＡＦ３に生じたバリの本数を測定する実験を行った結果について説明する。なお，本発明は下記の実施例に限定されるものではない。

（比較例１）
比較例１にかかるウェハ加工方法では，図５（ａ）に示すように，貼付工程においては，ＤＡＦ３の貼付方向を一方向のストリート３１に対して平行な方向とし，切断工程においては，まず，当該貼付方向と直交する方向の複数のストリート３２を切断し（１回目の切断），次いで，当該貼付方向と平行な方向の複数のストリート３１を切断した（２回目の切断）。この比較例１は，上記第１の実施形態にかかるウェハ加工方法と比べて，ストリート３１，３２の切削順序が相違する。

（比較例２）
比較例２にかかるウェハ加工方法では，図５（ｂ）に示すように，貼付工程においては，ＤＡＦ３の貼付方向を両方向のストリート３１，３２に対して斜め４５度に交差する方向とし，切断工程においては，まず，当該貼付方向と４５度で交差する方向の複数のストリート３２を切断し（１回目の切断），次いで，同じく当該貼付方向と４５度で交差する方向の複数のストリート３１を切断した（２回目の切断）。この比較例２は，上記第１の実施形態にかかるウェハ加工方法と比べて，ＤＡＦ３の貼付方向，及び，ストリート３１，３２の切削順序が相違する。

（実施例）
本発明の実施例にかかるウェハ加工方法では，図５（ｃ）に示すように，貼付工程においては，ＤＡＦ３の貼付方向を一方向のストリート３１に対して平行な方向とし，切断工程においては，まず，当該貼付方向と平行な方向の複数のストリート３１を切断し（１回目の切断），次いで，当該貼付方向と直交する方向の複数のストリート３２を切断した（２回目の切断）。この実施例は，上記第１の実施形態にかかるウェハ加工方法に対応するものである。

上記のような比較例１，２及び実施例にかかるウェハ加工方法の実験条件および実験結果を表１に示す。

まず，実験条件について説明する。表１に示すように，実験１では，上記比較例１，２及び実施例について，それぞれ実験を行ったが，実験２〜４では，上記比較例１及び実施例についてのみ実験を行った。また，実験１及び２では，製品名「ＬＥ５０００ Ｐ８Ａ（リンテック社製）」のＤＡＦ３を使用し，実験３及び４では，製品名「ＬＥ５０００ Ｐ８ＡＳ（リンテック社製）」のＤＡＦ３を使用した。

また，切断工程におけるスピンドル２４の回転数は，実験１及び２では４０，０００［ｒｐｍ］とし，実験３及び４では３０，０００［ｒｐｍ］とした。また，切断工程では，ウェハＷの加工点及び切削ブレード２２を冷却するための切削液として水を供給し，この切削液の供給量は，実験１では２。０［Ｌ／ｍｉｎ］とし，実験３〜４では１．４［Ｌ／ｍｉｎ］とした。また，貼付工程におけるＤＡＦ３の貼付速度は，実験１では６０［ｍｍ／ｓ］とし，実験２及び３では１０［ｍｍ／ｓ］とし，実験４では８０［ｍｍ／ｓ］とした。

また，表１には示されていないが，実験１〜４のいずれの場合も，ウェハＷとして裏面が乾式研磨（ドライポリッシュ）された８インチのシリコンウェハを使用し，ウェハＷの各ストリート３１，３２の本数をそれぞれ３８ラインとし，切削ブレード２２を構成する砥粒の粒径を１２６Ｊ（＃４８００）とし，切断工程での切削送り速度を５０［ｍｍ／ｓ］とした。

次に，バリの測定方法及び測定結果について説明する。ウェハＷ表面の各ストリート３１，３２の本数は，それぞれ３８ラインとした。この合計３８ラインのストリート３１のうち，２，６，１０，１５，２０，２５，３０，３４，３８番目のストリート３１（合計９ライン）の全長（２８３０ｍｍ）に発生したバリの本数を測定した。このとき，３ミクロン以上の長さのバリをカウントした。また，ストリート３２についても，同様にして，発生したバリの本数を測定した。表１には，ストリート３１に沿ったバリの測定本数と，ストリート３２に沿ったバリの測定本数の合計を示してある。

かかる測定の結果，比較例１では，実験１〜４でそれぞれ，５５本，２７本，５９０本，３９３本のバリの発生が確認された。比較例２では，実験１で１２２本のバリの発生が確認された。実施例では，実験１〜４でそれぞれ，４本，３本，４５１本，３０２本のバリの発生が確認された。

かかる測定結果から分かるように，本発明の実施例では，比較例１，２と比して，測定されたバリの本数が大幅に低減されており，切断工程においてバリの発生が抑制されているといえる。即ち，本発明の実施例では，比較例１と比べて，バリの発生本数が，実験１で９２．７％低減，実験２で８８．９％低減，実験３で３３．４％低減，実験４で２３．１％低減されている。また，本発明の実施例では，比較例２と比べて，バリの発生本数が，実験１で９６．７％低減されている。特に，スピンドル２４の回転数が４０，０００［ｒｐｍ］と高い条件に設定された実験１及び実験２では，比較例１，２と比べて，バリ低減割合が９０％前後となっており，バリ抑制効果が極めて顕著であることが分かる。また，スピンドル２４の回転数が３０，０００［ｒｐｍ］と低い条件に設定した場合には，元来はバリが発生しやすいことが分かっており，このようなバリが発生しやすい条件であっても，本発明の実施例では，バリ抑制効果があることが分かる。

以上のような実験結果によれば，上述した本実施形態にかかるウェハ加工方法を用いることで，顕著なバリ抑制効果があることが実証されたといえる。

以上，本実施形態にかかるウェハ加工方法について詳細に説明した。本実施形態にかかるウェハ加工方法によれば，貼付装置１０によって，ウェハＷに対するＤＡＦ３の貼付方向と，ウェハＷの表面にある一方のストリート３１の方向とを略平行にして，ＤＡＦ３を貼り付けた後に，切削装置２０によってＤＡＦ３付きのウェハＷを格子状に切断するときに，最初に，上記略平行に合わせたストリート３２から切断する。これにより，ＤＡＦ３に働いている最も強い引張応力の方向に対して平行に，ＤＡＦ３を切断することで，ＤＡＦ３に与えるダメージを最も少なくできる。従って，ＤＡＦ３を切断したときに発生するバリの発生を大幅に抑制することができる。よって，ＤＡＦ３付き半導体チップＣのバリ対策として，別途装置や加工工程を必要としないという利点があるとともに，切断時におけるバリの発生自体を抑制して，バリ問題を根本的に解決することができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば，上記実施形態にかかる接着フィルムは，ポリイミド系樹脂などの粘着層のみの単層のＤＡＦ３であったが，本発明はかかる例に限定されない。接着フィルムは，例えば，キャリアフィルム上にポリイミド系樹脂などの粘着剤を塗布して乾燥させた，キャリアフィルム付きのＤＡＦなどであってもよく，また，ダンシングテープの代用である多孔質基材上に粘着剤を塗布したものであってもよい。

本発明は，裏面にダイボンディング用の接着フィルムが貼り付けられたウェハを格子状に切断して，接着フィルム付きチップを製造する方法に適用可能である。

本発明の第１の実施形態にかかる貼付装置の構成を示す正面図である。 同実施形態にかかる貼付装置において，基台テープ上に保持されたＤＡＦを示す底面図（ａ）と，移動基台上に載置されたウェハを示す平面図（ｂ）である。 同実施形態にかかる貼付装置によりウェハの裏面にＤＡＦを貼り付けている状態を示す拡大断面図（ａ）と，裏面にＤＡＦが貼り付けられたウェハを示す拡大断面図（ｂ）である。 同実施形態にかかる切削装置の構成及び動作を示す正面図である。 本発明の実施例および比較例１，２にかかるＤＡＦの貼付方向と，ストリートの切断順序を示す説明図である。 ＤＡＦ付きウェハを切削ブレードで切断する態様を示す断面図（ａ）と分割されたＤＡＦに生じたバリを示す平面図（ｂ）である。 従来のＤＡＦのバリが，ピックアップの妨げとなる態様（ａ），ワイヤボンディングの妨げとなる態様（ｂ）を示す説明図である。

符号の説明

３ ＤＡＦ（ダイボンディング用の接着フィルム）
４ リングフレーム
５ バリ
６ ダイシングテープ
１０ 貼付装置
１２ 移動基台
１３ 送出ローラ
１４ 圧接ローラ
１５ 巻取ローラ
１６ 基台テープ
２０ 切断装置
２１ チャックテーブル
２２ 切削ブレード
２３ 切削ユニット
２４ スピンドル
３１ ストリート（ＤＡＦ貼付方向と平行）
３２ ストリート（ＤＡＦ貼付方向と直交）
Ｗ ウェハ
Ｃ 半導体チップ

Claims (1)

1. 表面に複数の半導体素子が形成されたウェハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼り付け，前記接着フィルムが貼り付けられた前記ウェハを前記接着フィルムとともに格子状に切断して，複数の接着フィルム付きチップに分割するウェハ加工方法であって：
   前記ウェハを一方向に移動させながら，前記ウェハの裏面に対して前記ウェハの移動方向の前方側から後方側にかけて徐々に前記接着フィルムを圧接して貼り付ける貼付装置を用いて，前記ウェハの裏面に前記接着フィルムを所定の貼付方向で貼り付ける貼付工程と；
   前記ウェハの表面にある相直交する２方向のストリートを切削ブレードにより切削する切削装置を用いて，前記接着フィルムが貼り付けられた前記ウェハを，前記接着フィルムとともに格子状に切断して，複数の接着フィルム付きチップに分割する切断工程と；
   を含み，
   前記貼付工程では，前記ウェハの表面にある前記２方向のストリートのうちいずれか一方向のストリートと，前記接着フィルムの貼付方向とが平行となるようにして，前記ウェハの裏面に前記接着フィルムを貼り付け，
   前記切断工程では，前記接着フィルムの貼付方向に対して平行な方向の前記ストリートを切断した後に，前記接着フィルムの貼付方向に対して直行する方向の前記ストリートを切断することを特徴とする，ウェハ加工方法。
   

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