JP4791306B2 - 切断方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 102
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- 230000008859 change Effects 0.000 description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 24
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
ワイヤソーは、ワイヤ(高張力鋼線)を高速走行させて、ここにスラリを掛けながら、インゴット(ワーク)を押し当てて切断し、多数のウエーハを同時に切り出す装置である(特許文献1参照)。
図8に示すように、ワイヤソー101は、主に、インゴットを切断するためのワイヤ102、ワイヤ102を巻回した溝付きローラ103(ワイヤガイド)、ワイヤ102に張力を付与するための機構104、切断されるインゴットを送り出す機構105、切断時にスラリを供給する機構106で構成されている。
図11に静電容量型測定機で測定したスライスウエーハのWarp断面形状と「疑似ナノトポグラフィ」を例示する。疑似ナノトポグラフィとは、スライスウエーハのWarp断面波形にラップや研削および研磨の加工特性を模したバンドパス・フィルタをかけることで、研磨後ウエーハのナノトポグラフィと相関のある数値を擬似的に得るものである。
図11(A)は、形状マップにもある通り、切断終了部付近の箇所における形状の変化が小さいものを示したものであるが、擬似ナノトポグラフィを見て判るように、切断終了部付近の箇所において、その変化の大きさは±0.1μmの範囲で抑えられており比較的小さなものである。一方、図11(B)、(C)に示すように、切断終了部付近の箇所における形状が急峻に大きく変化している場合、その箇所において、擬似ナノトポグラフィの大きさは、−0.3〜0.4の範囲となっており、図11(A)の場合に比べて大きなものとなっていることが判る。
なお、全体の形状変化が多少大きくても緩やかな変化であれば、ナノトポグラフィはほとんど発生しない。急激に形状が変化していることが大きくナノトポグラフィに影響している。
まず、スライスウエーハの形状の変化、すなわち、インゴット切断時におけるワイヤの切断軌跡の一例を図12に示す。図12に示すように、特にインゴットの両端付近の切断終了部分でワイヤの軌跡が大きく外側に広がっており、そのために、スライスウエーハのWarp断面形状が急峻に変化してしまう。
一つは、図13(A)に示すように、切断終了時付近においてインゴットがその軸方向に収縮することにより、ワイヤによる切断軌跡がインゴットの端部に向かって曲がってしまう場合であり、もう一つは、図13(B)に示すように、インゴットを切断するワイヤが巻回されている溝付きローラが、その軸方向に伸張してしまうことにより、切断軌跡が曲がってしまう場合である。
本発明者らは試験を行い、これらの可能性のそれぞれが切断軌跡に与える影響について調査を行った。
図8のようなワイヤソーを用い、試験用に用意した直径300mm、長さ250mmのシリコンインゴットを切断した。ワイヤには2.5kgfの張力をかけて、500m/minの平均速度で60s/cのサイクルでワイヤを往復方向に走行させて切断した。また、切断用スラリの供給温度は、図14(A)に示す温度プロファイルとした。なお、温度は熱電対を使用してインゴット両端(切り込み深さ285mm位置)で計測した(図14(B)参照)。
切断中にインゴットの温度は最大で13℃上昇して約36℃になり、また、切断終了部付近(この場合、切り込み深さ275mm〜300mm)において、急激に約10℃低下した。これは、切断終了付近でのWarp形状が急変する位置と一致している。また、上記切断終了部付近においては、熱膨張係数から計算し、インゴットの軸方向に約10μm程度急激に収縮していることが判る。
なお、図14(A)で、切り込み深さ200mm以降で、一旦低下したインゴットの温度が再び上昇しているのは、ここでスラリの流量を絞っているためである。
上記試験とスラリの供給温度以外は同様の切断条件で同様のシリコンインゴットを切断し、溝付きローラの軸方向の伸張を測定した(図15(A)参照)。なお、切断用スラリの供給温度は、図15(B)に示す温度プロファイルとした。
また、溝付きローラの軸方向の伸張は、渦電流センサを溝付きローラの軸方向に近接して配設して測定を行った(図15(C)参照)。
上述したように、切断開始時から切断中盤期まではインゴットは切断用スラリが直接かかることはあまりなく冷却されにくく、加工熱はインゴット中に蓄積される(図16(A)参照)。これによってインゴットの温度は最大で13℃上昇する。これに伴うインゴットの熱膨張は(長さ250mmのインゴットに対して)計算上で約10μmである。一方、切断終了部分付近では、図16(B)に示すように、インゴットはスラリが直接かかって冷却され、また切断負荷が1/2に減少し、インゴットの温度は急激に10℃低下する。これによってワークは熱収縮し、Warp形状が急変する原因となる。図13(A)に示すように、この熱膨張・熱収縮による影響はインゴットが長尺なほど、またインゴットの両端付近ほど大きい。
従来方法では、切断終了時の切断用スラリの温度は室温(22〜25℃程度)の比較的低い温度であり、そのため、切断中のインゴットの温度も、切断終了時付近で室温程度にまで急冷されてしまっていた。
しかしながら本発明では、切断終了時の切断用スラリの供給温度を30℃以上に制御するので、切断終了時のインゴットの温度もまた30℃以上にすることができ、すなわち、切断終了時付近のインゴットの温度変化を小さくし、急冷を軽減することができる。これにより、切断軌跡、Warp形状の急峻な変化が発生するのを抑制し、さらにはナノトポグラフィを改善することが可能である。
あるいは、前記切断用スラリの供給温度を、前記インゴットの切断開始時に該インゴットの温度以下とし、その後、前記インゴットの切り込み深さが少なくとも直径の2/3に達してから上昇させて、前記インゴットの切断終了時に30℃以上となるようにすることができる。
このようにインゴットの切断中の最高温度と切断終了時の温度との差を5℃以内となるようにすれば、インゴットの温度変化が小さく、切断終了時の急冷の度合いを小さなものとすることができる。したがって、切断軌跡が大きく変化するのをより効果的に防止し、ナノトポグラフィーのレベルを一層抑制することができる。
例えば図8に示すようなワイヤソーを用いてインゴットをウエーハ状に切断したとき、切断によって得られたスライスウエーハでは、切断終了部付近において、図11(B)、(C)に示すような急峻な形状変化が見られ、該箇所に大きなレベルのナノトポグラフィーが発生していることが判った。
前述したように、この急峻な形状変化の主要な原因としては、切断終了時付近でインゴットが急冷されて収縮し、切断軌跡が急激に曲がってしまうことが考えられる。
図1に、本発明の切断方法に使用することができるワイヤソーの一例を示す。
図1に示すようにワイヤソー1は、主に、インゴットを切断するためのワイヤ2、溝付きローラ3、ワイヤ張力付与機構4、インゴット送り機構5、スラリ供給機構6で構成されている。
また、スラリの種類は特に限定されず、従来と同様のものを用いることができる。例えばGC(炭化珪素)砥粒を液体に分散させたものとすることができる。
上記のインゴット送り量やスラリ噴射量およびタイミング、さらにはスラリ供給温度は、コンピュータ18によって所望のように制御することができるが、特に制御手段はこれに限定されない。
ワイヤ2の種類や太さ、溝付きローラ3の溝ピッチ、さらには他の機構における構成等は特に限定されるものではなく、従来法に従い、所望の切断条件となるようにその都度決定することができる。
例えば、ワイヤ2は、幅0.13mm〜0.18mm程度の特殊ピアノ線からなるものとし、(所望のウエーハ厚さ+切り代)の溝ピッチを有する溝付きローラ3とすることができる。
まず、インゴット送り機構5により、把持したインゴットを所定速度で下方に送り出すとともに、溝付きローラ3を駆動させて、ワイヤ張力付与機構4により張力が付与されたワイヤ2を往復方向に走行させる。なお、このときのワイヤ2に付与する張力の大きさや、ワイヤ2の走行速度等は適宜設定することができる。例えば、2.5〜3.0kgfの張力をかけて、400〜600m/minの平均速度で1〜2c/min(30〜60s/c)のサイクルで往復方向に走行させることができる。切断するインゴット等に合わせて決めれば良い。
また、ノズル15より、切断用スラリを溝付きローラ3およびワイヤ2に向けて噴射を開始し、インゴットの切断を行う。
従来の切断方法では、切断用スラリは、図14(A)に示したように、例えば24℃で供給し始め、温度を下げてやや低い温度(22℃)で保持した後、切断の終了に向けて温度を徐々に上げていき、切断終了時には、切断開始時と同じ24℃となるようにする。
このように、従来法における切断用スラリの供給温度プロファイルでは、通常、室温程度の22〜25℃程度の範囲でしか変化させず、切断終了時の温度も当然室温程度の比較的低い温度にとどまっている。
より具体的に述べると、例えば、図2のようなパターンが挙げられる。
ここで、図2の実線のTs、Tiは、本発明の切断方法における切断用スラリの供給温度プロファイル、インゴットの温度プロファイルを示しており、点線のTs’、Ti’は、従来の切断方法における切断用スラリの供給温度プロファイル、インゴットの温度プロファイルを示している。
これは、切断終了時に切断用スラリの供給温度を従来に比べて上昇させて30℃以上とすることによって、たとえ切断用スラリがインゴットに直接かかるようになっても、例えば36℃程度に切断中に温度が上昇したインゴットを切断終了時にも30℃以上となるようにし、インゴットが急激に冷やされないようにすることができるためである。
特には、ΔTiが5℃以内になるようにすると良い。インゴット切断中の最高温度Timaxと切断終了時の温度との差ΔTiがそのような小さい温度差であれば、より確実に、インゴットの急冷による切断軌跡の変化を防止することができる。
図3に示す温度プロファイルTsでは、切断開始時は、インゴットの温度以下(室温23℃)であり、切断開始後やや供給温度を下げ、その後一定の温度を保持し続けて、インゴットの切り込み深さが少なくとも直径の2/3に達してから上昇して切断終了時に30℃以上となっている。このような温度制御であれば、切断終了時付近以外は従来と同様の温度プロファイルとすることができる。
そして、このようなTiの温度プロファイルによっても、切断終了時のインゴットの温度を30℃以上とすることができ、切断終了付近におけるインゴットの急冷の度合いを著しく軽減することができる(ΔTi参照)。
切断終了時にそれぞれの温度が30℃以上となるようにして切断できれば良く、その結果、切断終了時付近の切断軌跡の急峻な変化を防止することができ、ナノトポグラフィのレベルを十分に抑制することができれば良い。
(実施例1)
図1に示すワイヤソーを用い、直径300mm、軸方向長さ250mmのシリコンインゴットを本発明の切断方法によりウエーハ状に切断し、240枚のスライスウエーハを得た。
幅160μmのワイヤを使用し、2.5kgfの張力をかけて、500m/minの平均速度で60s/cのサイクルでワイヤを往復方向に走行させて切断した。切断用スラリは、切断開始時は供給温度を30℃とし、インゴットの切り込み深さが50mmに達するまで徐々に下げて29℃とし、その後インゴット切り込み深さが230mmに達したところで上昇させて切断終了時には35℃となるように供給温度を制御して溝付きローラに供給した(図4参照)。すなわち、図2のTsのような温度プロファイルとした。
なお、スラリとしては、GC#1500とクーラントとを重量比1:1の割合で混ぜたものを用いた。
また、図14(B)のように熱電対を配置し、切断中のインゴットの温度変化を測定した。
図5に示すように、図4の温度プロファイルに従って切断用スラリの供給温度を制御することにより、切断終了時付近におけるインゴットの急冷を軽減できていることが判る。より具体的には、インゴット切り込み深さが275mm付近で40℃であり、一方、切断終了時の300mmにおいては切断用スラリの温度と同じで35℃程度であり、冷却の度合いを5℃以内にすることができた。
図7のWarp形状を見てみると、例えば5枚目のように全体的には大きく形状が変化していても、急峻な変化は比較的抑制されており、擬似ナノトポグラフィ波形に示されているように、その波形の大きさは−0.3〜0.3の範囲で、従来法による図11(B)、(C)の場合よりも抑制できている。そして、60、120、180、230枚目では、より擬似ナノトポグラフィのレベルを小さくできており、特に180、230枚目では−0.1〜0.1の範囲に抑えることができ、擬似ナノトポグラフィが極めて優れたレベルのものにできていることが判る。
実施例1と同様のシリコンインゴットを用意し、切断用スラリの供給温度プロファイル以外は実施例1と同様にしてシリコンインゴットの切断を行った。
なお、切断用スラリの供給温度は、切断開始時は供給温度を23℃とし、インゴットの切り込み深さが50mmに達するまで徐々に下げて22℃とし、その後インゴット切り込み深さが230mmに達したところで上昇させて切断終了時には32℃となるように供給温度を制御して溝付きローラに供給した。すなわち、図3のTsのような温度プロファイルとしたところ、切断終了時のインゴットの温度は切断用スラリの温度と同じで32℃で、ΔTiは5℃以内とすることができ、切断終了時の急冷を抑制することができた。
さらに、実施例1と同様にして擬似ナノトポグラフィのレベルを調査したところ、インゴットのどの領域においても上限値(相対値0.6)を上回ることなく、インゴットの各領域での平均値は、前端部で0.47、中央部で0.27、後端部で0.38であり、極めて小さな値に抑制できた。
実施例1と同様のシリコンインゴットを用意し、切断用スラリの供給温度プロファイル以外は実施例1と同様にしてシリコンインゴットの切断を行った。
なお、切断用スラリの供給温度は、切断開始時は供給温度を23℃とし、インゴットの切り込み深さが50mmに達するまで徐々に下げて22℃とし、その後インゴット切り込み深さが230mmに達したところで上昇させて切断終了時には24℃となるように供給温度を制御して溝付きローラに供給した(図4参照)。すなわち、従来と同様の切断用スラリの供給温度プロファイルである。
図5からも判るように、上記実施例1(ΔTi=5℃)では、この比較例に比べて、同じインゴット切り込み深さの範囲内(275mm〜300mm)であるにもかかわらず、インゴットの冷却の度合い(温度差)を1/2に軽減できている。
4、104、104’…ワイヤ張力付与機構、 5、105…インゴット送り機構、
6、106…スラリ供給機構、 15、115…切断用スラリノズル、
16、116…スラリタンク、 18…コンピュータ、 19…熱交換器、
107、107’…ワイヤリール、 108…トラバーサ、
109…定トルクモータ、 110…駆動用モータ、 111…インゴット送りテーブル、
112…LMガイド、 113…インゴットクランプ、 114…スライスあて板、
117…スラリチラー。
Claims (2)
- ワイヤを複数の溝付きローラに巻掛けし、該溝付きローラに切断用スラリを供給しつつ、前記ワイヤを走行させながらインゴットに押し当ててウエーハ状に切断する方法であって、
前記切断用スラリの供給温度を制御し、少なくとも、前記切断用スラリの供給温度を、前記インゴットの切断開始時に該インゴットの温度よりも高くし、
その後、前記インゴットの切り込み深さが少なくとも直径の2/3に達してから上昇させて、前記インゴットの切断終了時に前記切断用スラリの供給温度およびインゴットの温度を30℃以上となるようにし、かつ前記インゴットの切断中の最高温度と切断終了時の温度との差を5℃以内となるようにして切断することを特徴とする切断方法。 - ワイヤを複数の溝付きローラに巻掛けし、該溝付きローラに切断用スラリを供給しつつ、前記ワイヤを走行させながらインゴットに押し当ててウエーハ状に切断する方法であって、
前記切断用スラリの供給温度を制御し、少なくとも、前記切断用スラリの供給温度を、前記インゴットの切断開始時に該インゴットの温度以下とし、
その後、前記インゴットの切り込み深さが少なくとも直径の2/3に達してから上昇させて、前記インゴットの切断終了時に前記切断用スラリの供給温度およびインゴットの温度を30℃以上となるようにし、かつ前記インゴットの切断中の最高温度と切断終了時の温度との差を5℃以内となるようにして切断することを特徴とする切断方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006257380A JP4791306B2 (ja) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | 切断方法 |
US12/310,652 US8167681B2 (en) | 2006-09-22 | 2007-08-22 | Slicing method |
CN2007800343279A CN101517711B (zh) | 2006-09-22 | 2007-08-22 | 切断方法 |
PCT/JP2007/066227 WO2008035529A1 (fr) | 2006-09-22 | 2007-08-22 | Procédé de découpe |
EP07792826.5A EP2065922B1 (en) | 2006-09-22 | 2007-08-22 | Slicing method |
KR1020097005660A KR101362864B1 (ko) | 2006-09-22 | 2007-08-22 | 절단방법 |
TW096134572A TWI445069B (zh) | 2006-09-22 | 2007-09-14 | Cut method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006257380A JP4791306B2 (ja) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | 切断方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008078473A JP2008078473A (ja) | 2008-04-03 |
JP2008078473A5 JP2008078473A5 (ja) | 2011-05-06 |
JP4791306B2 true JP4791306B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=39200358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006257380A Active JP4791306B2 (ja) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | 切断方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8167681B2 (ja) |
EP (1) | EP2065922B1 (ja) |
JP (1) | JP4791306B2 (ja) |
KR (1) | KR101362864B1 (ja) |
CN (1) | CN101517711B (ja) |
TW (1) | TWI445069B (ja) |
WO (1) | WO2008035529A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4965949B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-07-04 | 信越半導体株式会社 | 切断方法 |
US8851059B2 (en) * | 2009-04-01 | 2014-10-07 | Cabot Microelectronics Corporation | Self-cleaning wiresaw apparatus and method |
JP5201086B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2013-06-05 | 信越半導体株式会社 | ワークの切断方法 |
JP5370006B2 (ja) | 2009-08-31 | 2013-12-18 | 株式会社Sumco | ワイヤソー装置 |
JP5515593B2 (ja) * | 2009-10-07 | 2014-06-11 | 株式会社Sumco | ワイヤーソーによるシリコンインゴットの切断方法およびワイヤーソー |
JP5494558B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2014-05-14 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソーの運転再開方法及びワイヤソー |
US20130139800A1 (en) * | 2011-12-02 | 2013-06-06 | Memc Electronic Materials, Spa | Methods For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw |
US20130144421A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Memc Electronic Materials, Spa | Systems For Controlling Temperature Of Bearings In A Wire Saw |
TWI567812B (zh) * | 2011-12-01 | 2017-01-21 | Memc電子材料公司 | 用於控制在一線鋸中經切片之晶圓之表面輪廓之系統及方法 |
US20130139801A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Memc Electronic Materials, Spa | Methods For Controlling Displacement Of Bearings In A Wire Saw |
US20130144420A1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Memc Electronic Materials, Spa | Systems For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw |
JP6132621B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-05-24 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 |
FR3026035B1 (fr) * | 2014-09-23 | 2017-06-02 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de decoupe par fil comportant un systeme de detection et de mesure d'une fleche du fil |
JP2016135529A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 信越半導体株式会社 | ワークの切断方法 |
US10315337B2 (en) | 2016-08-25 | 2019-06-11 | GlobalWafers Co. Ltd. | Methods and system for controlling a surface profile of a wafer |
DE102018221922A1 (de) * | 2018-12-17 | 2020-06-18 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium |
JP7427921B2 (ja) * | 2019-11-12 | 2024-02-06 | 株式会社Sumco | 半導体インゴットのスライシング加工条件決定方法および半導体ウェーハの製造方法 |
US11717930B2 (en) * | 2021-05-31 | 2023-08-08 | Siltronic Corporation | Method for simultaneously cutting a plurality of disks from a workpiece |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01306171A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-11 | Osaka Titanium Co Ltd | 切削加工法およびワイヤソーマシン |
JPH02262955A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-10-25 | Nippon Steel Corp | Siインゴットのワイヤソーによる切断法 |
JP2516717B2 (ja) * | 1991-11-29 | 1996-07-24 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソ―及びその切断方法 |
JPH0985737A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-03-31 | Toray Eng Co Ltd | ワイヤ式切断装置 |
JP3656317B2 (ja) | 1996-03-27 | 2005-06-08 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソーによるワーク切断方法及び装置 |
JPH10217036A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-18 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体結晶棒の切断装置及び切断方法 |
JP3734018B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2006-01-11 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソーおよび切断方法 |
MY126994A (en) * | 1999-12-14 | 2006-11-30 | Hitachi Metals Ltd | Method and apparatus for cutting a rare earth alloy |
DE10122628B4 (de) * | 2001-05-10 | 2007-10-11 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück |
KR100708787B1 (ko) * | 2002-11-30 | 2007-04-19 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼스 쏘시에떼 퍼 아찌오니 | 다수의 반도체 잉곳을 절단하기 위한 와이어 톱 및 그 공정 |
CN101362926B (zh) * | 2003-06-06 | 2012-08-15 | 日立化成工业株式会社 | 粘合片、与切割胶带一体化的粘合片以及半导体的制造方法 |
EP2343155B1 (en) * | 2003-10-27 | 2014-08-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Multi-wire saw |
JP4314582B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2009-08-19 | 株式会社Sumco | ワイヤソーを用いたワーク切断方法 |
US7878883B2 (en) * | 2006-01-26 | 2011-02-01 | Memc Electronics Materials, Inc. | Wire saw ingot slicing system and method with ingot preheating, web preheating, slurry temperature control and/or slurry flow rate control |
JP4965949B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-07-04 | 信越半導体株式会社 | 切断方法 |
JP5003294B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2012-08-15 | 信越半導体株式会社 | 切断方法 |
-
2006
- 2006-09-22 JP JP2006257380A patent/JP4791306B2/ja active Active
-
2007
- 2007-08-22 WO PCT/JP2007/066227 patent/WO2008035529A1/ja active Application Filing
- 2007-08-22 EP EP07792826.5A patent/EP2065922B1/en active Active
- 2007-08-22 CN CN2007800343279A patent/CN101517711B/zh active Active
- 2007-08-22 KR KR1020097005660A patent/KR101362864B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-22 US US12/310,652 patent/US8167681B2/en active Active
- 2007-09-14 TW TW096134572A patent/TWI445069B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8167681B2 (en) | 2012-05-01 |
EP2065922B1 (en) | 2014-10-08 |
EP2065922A1 (en) | 2009-06-03 |
KR20090055003A (ko) | 2009-06-01 |
CN101517711A (zh) | 2009-08-26 |
TWI445069B (zh) | 2014-07-11 |
EP2065922A4 (en) | 2013-10-02 |
TW200901300A (en) | 2009-01-01 |
JP2008078473A (ja) | 2008-04-03 |
US20100037881A1 (en) | 2010-02-18 |
WO2008035529A1 (fr) | 2008-03-27 |
KR101362864B1 (ko) | 2014-02-14 |
CN101517711B (zh) | 2011-05-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20110317 |
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A975 | Report on accelerated examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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