JP5649692B2 - 円筒形の被加工物から多数のウェハを同時にスライスするための方法 - Google Patents
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Description
発明の主題
本発明は、円筒形の被加工物、特に半導体材料からなる被加工物から多数のウェハを同時にスライスするための方法であって、被加工物およびワイヤソーのワイヤ群は、順方向送り装置により、被加工物の長手方向軸に対して垂直な方向に相対的に移動し、それによって被加工物がワイヤ群を通過するように導かれる、方法に関する。
半導体ウェハは一般に、ワイヤソーを利用して、1つの作業ステップにおいて、半導体材料からなる円筒形の単結晶または多結晶の被加工物を多数の半導体ウェハに同時にスライスすることによって作製される。
当該目的は、実質的に円筒形の被加工物から多数のウェハを同時にスライスするための方法であって、ソーイングストリップに接続された被加工物およびワイヤソーのワイヤ群は、順方向送り装置により、規定の順方向送り速度で被加工物の長手方向軸に対して垂直な方向に相対的に移動し、それによって被加工物がワイヤ群を通過するように導かれ、それによって多数のウェハにスライスされ、順方向送り速度は、
被加工物直径の50%の切断深さで値v1を有し、
次に、値v2≧1.15×v1で、極大値となり、
その後、ワイヤ群が初めてソーイングストリップと接触する時に、値v3<v1をとり、
次いで、値v5>v3まで上昇される
ように当該方法の過程で変化させられる、方法によって達成される。
本発明は、明細書の導入部に記載されかつ図1に概略的に示されるワイヤソーイング法に関する。図1は、円筒形状を有する被加工物1を示す。被加工物1はソーイングストリップ2に固定され、ソーイングストリップ2はさらに取付プレート3によってワイヤソー(図示せず)にクランプされる。平行に延びる(図1では互いに隣接して位置する)多数のワイヤセクション4によってワイヤ群が形成される。ワイヤセクション4は、ワイヤセクション4の長手方向に平行に、ワイヤ速度vWで移動する。順方向送り装置(図示せず)によって、被加工物1、ソーイングストリップ2および取付プレート3からなる構造は、ワイヤセクション4によって形成されるワイヤ群に対して順方向送り速度vで動かされる。ワイヤ速度vWの結果、ソーイングワイヤにより搬送された研磨剤が被加工物1に対して研磨効果を発揮することができ、その結果、各ワイヤセクション4に沿ってソーイング切り口が被加工物1に形成される。順方向送り速度vで起こる相対的な移動により、ソーイングプロセスの過程では、ソーイングプロセスの終盤で多数のウェハに完全に切離されるが櫛の歯のようにソーイングストリップの残りの部分によってのみ取付プレートに接続される状態になるまで、ワイヤセクション4は被加工物1にますます深く食い込んでいく。
直径が125mmまたは150mmの、シリコンからなる多数の単結晶インゴット部を、市販のワイヤソーを用いてシリコンウェハにスライスした。鋼製ソーイングワイヤと、グリコール中に懸濁した炭化ケイ素からなるソーイング懸濁液とを補助材料として用いた。一方では図2に示される曲線8に従って(本発明に従って)順方向送り速度を変化させ、他方では曲線9に従って(本発明に従わずに)順方向送り速度を変化させた。この違いは別として、両方の試験を同様に行なった。各々の場合において、本発明に従って100個のインゴット部を切断し、本発明に従わずに100個のインゴット部を切断した。
本発明に従った実施例では、図2に示される曲線8に従って順方向送り速度を変化させた。
本発明に従わない比較例では、図2に示される曲線9に従って順方向送り速度を変化させた。直径が150mmの場合には5%だけ、直径が125mmの場合には10%だけ、本発明に従った実施例よりも長くソーイングプロセス全体が継続した。
本発明に係る方法は、円筒形の被加工物のワイヤソーイング中に用いられてもよい。それは、円筒状の被加工物に特に適している。被加工物は、脆い材料、例えばシリコン、好ましくは単結晶シリコンなどの半導体材料からなっていてもよい。当該方法は、固定研磨剤によるワイヤソーイングにおいて用いられてもよいが、好ましくは固定研磨剤によらないソーイング懸濁液とソーイングワイヤによるワイヤソーイングにおいて用いられてもよい。
Claims (9)
- 実質的に円筒形の被加工物から多数のウェハを同時にスライスするための方法であって、ソーイングストリップに接続された前記被加工物およびワイヤソーのワイヤ群は、順方向送り装置により、規定の順方向送り速度で前記被加工物の長手方向軸に対して垂直な方向に相対的に移動し、それによって前記被加工物が前記ワイヤ群を通過するように導かれ、それによって多数のウェハにスライスされ、前記順方向送り速度は、
被加工物直径の50%の切断深さで値v1を有し、
次に、値v2≧1.15×v1で、極大値となり、
その後、前記ワイヤ群が初めて前記ソーイングストリップと接触する時に、極小値である値v3<v1をとり、
次いで、値v5>v3まで上昇される
ように前記方法の過程で変化させられる、方法。 - 前記順方向送り速度は、前記被加工物直径の40〜60%の切断深さで極小値を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記順方向送り速度は、前記被加工物直径の30〜70%の切断深さ範囲では、前記極小値に対して鏡面対称のプロファイルを有する、請求項2に記載の方法。
- 前記順方向送り速度は、前記被加工物直径の25〜75%の切断深さ範囲では、前記極小値に対して鏡面対称のプロファイルを有する、請求項3に記載の方法。
- v2≧1.2×v1である、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- v2≧1.25×v1である、請求項5に記載の方法。
- v3≦0.9×v1である、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 前記順方向送り速度は、前記ワイヤ群が前記被加工物から出る時に値v4を有し、v3<v4<v5である、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- v5>v2である、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
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