JP2006024783A - ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ウェハ10の回路面14側にサポート部材20を貼り合わせる工程と、前記ウェハ10の回路面14とは反対側の裏面18を薄型加工する工程と、前記ウェハ10の裏面18側に、接着剤層103を形成する工程と、前記接着剤層103上に、少なくとも粘着剤層102bを有するダイシングテープ102を、接着剤層103と粘着剤層102bとが対向する様に貼り合わせる工程と、前記ウェハ10を、前記接着剤層103及びサポート部材20と共に切断してチップ化する工程とを有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程と、前記接着剤層付きのチップを前記ダイシングテープから剥離する工程と、前記接着剤層付きのチップを、該接着剤層を介して基板上にダイボンドする工程とを有することを特徴とする。
本発明の実施の形態について、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。
図5(a)〜図5(e)は、本発明を適用した実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
本実施の形態では、ウェハを薄型加工してからこれにサポート部材を貼り付けてダイシングし、チップからサポート部材を剥離してから、チップを実装する。実施の形態2と異なるのは、チップの実装前にサポート部材を剥離する点である。
本実施の形態では、ウェハの回路面にサポート部材を貼り付けてから、ウェハを研削してダイシングし、サポート部材を剥離してからチップを基板に実装する。実施の形態2と異なるのは、サポート部材を剥離してからチップを基板に実装する点である。
10 ウェハ
14 回路面
16 研磨剤
18 裏面
20 サポート部材
22 粘着剤
26 チップ
30 基板
102 ダイシングテープ
102a 基材
102b 粘着剤層
102c 接着剤層
102d 粘接着剤層
103 接着剤層
107 ダイシングソー
Claims (13)
- ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、
前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、
前記ウェハの裏面側に、接着剤層を形成する工程と、
前記接着剤層上に、少なくとも粘着剤層を有するダイシングテープを、接着剤層と粘着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程とを有することを特徴とするウェハのダイシング方法。 - ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、
前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、
前記ウェハの裏面側に、少なくとも接着剤層及び粘着剤層が積層されたダイシングテープを、ウェハの裏面と接着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程とを有することを特徴とするウェハのダイシング方法。 - ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、
前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、
前記ウェハの裏面側に、少なくとも粘接着剤層を有するダイシングテープを、ウェハの裏面と粘接着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
前記ウェハを、前記粘接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程とを有することを特徴とするウェハのダイシング方法。 - 請求項1から請求項3の何れか1項に記載のウェハのダイシング方法であって、
前記サポート部材を、粘着剤または両面粘着シートを介して前記ウェハに貼り合わせることを特徴とするウェハのダイシング方法。 - ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、
前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、
前記ウェハの裏面側に、接着剤層を形成する工程と、
前記接着剤層上に、少なくとも粘着剤層を有するダイシングテープを、接着剤層と粘着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程と、
前記接着剤層付きのチップを前記ダイシングテープから剥離する工程と、
前記接着剤層付きのチップを、該接着剤層を介して基板上にダイボンドする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、
前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、
前記ウェハの裏面側に、少なくとも接着剤層及び粘着剤層が積層されたダイシングテープを、ウェハの裏面と接着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
前記ウェハを、前記接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程と、
前記接着剤層付きのチップを前記ダイシングテープから剥離する工程と、
前記接着剤層付きのチップを、該接着剤層を介して基板上にダイボンドする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ウェハの回路面側にサポート部材を貼り合わせる工程と、
前記ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程と、
前記ウェハの裏面側に、少なくとも粘接着剤層を有するダイシングテープを、ウェハの裏面と粘接着剤層とが対向する様に貼り合わせる工程と、
前記ウェハを、前記粘接着剤層及びサポート部材と共に切断してチップ化する工程と、
前記粘接着剤層付きのチップを前記ダイシングテープから剥離する工程と、
前記粘接着剤層付きのチップを、該粘接着剤層を介して基板上にダイボンドする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5から7の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記サポート部材を、粘着剤または両面粘着シートを介して前記ウェハに貼り合わせることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5から8の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ダイボンドは、前記サポート部材を前記チップから剥離した後に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5から8の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ダイボンドの後に、前記サポート部材を前記チップから剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5から10の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
- 請求項11に記載の半導体装置が実装された回路基板。
- 請求項11に記載の半導体装置を備えた電子機器。
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