JP2001326195A - 半導体チップおよびその製造方法ならびに実装方法 - Google Patents
半導体チップおよびその製造方法ならびに実装方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】薄型の半導体チップであっても破損することな
く、確実にダイシングテープから剥離でき、効率的に半
導体チップを製造もしくはそれらをカード等に実装する
こと。 【解決手段】半導体チップ１９０を補強するために接着
剤１１０を介して補強板２６０と一体化し、裏面より突
き上げ針で剥離する際に、剛性のある補強板と一体化の
状態で剥離する。
く、確実にダイシングテープから剥離でき、効率的に半
導体チップを製造もしくはそれらをカード等に実装する
こと。 【解決手段】半導体チップ１９０を補強するために接着
剤１１０を介して補強板２６０と一体化し、裏面より突
き上げ針で剥離する際に、剛性のある補強板と一体化の
状態で剥離する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣタグやＩＣカー
ドに用いられている薄型の半導体チップの製造または実
装に好適な方法に関する。
ドに用いられている薄型の半導体チップの製造または実
装に好適な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体チップ製造方法の一つとし
て、特開平１０−２７５８４９号公報記載の技術があ
る。図１は、上記従来方法の工程図である。
て、特開平１０−２７５８４９号公報記載の技術があ
る。図１は、上記従来方法の工程図である。
【０００３】上記従来例では、まず半導体ウェハ１００
を裏面にし、そのデバイス面に接着剤１１０で支持体１
２０を貼り付ける（ａ）。つぎに、真空チャック１４０
に上記支持体１２０を吸着して固定した後、ウェハの裏
面を砥石１３０で研削する（ｂ）。つぎに支持体１２０
から剥離したウェハ１００をウェハリング１８０に取り
付けられたダイシングテープ１７０に貼り付ける。これ
を再度、真空チャック１４０に吸着して固定した後、ダ
イシングブレード１５０で切り溝１６０を入れ、個々の
半導体チップ１９０に分離する（ｃ）。
を裏面にし、そのデバイス面に接着剤１１０で支持体１
２０を貼り付ける（ａ）。つぎに、真空チャック１４０
に上記支持体１２０を吸着して固定した後、ウェハの裏
面を砥石１３０で研削する（ｂ）。つぎに支持体１２０
から剥離したウェハ１００をウェハリング１８０に取り
付けられたダイシングテープ１７０に貼り付ける。これ
を再度、真空チャック１４０に吸着して固定した後、ダ
イシングブレード１５０で切り溝１６０を入れ、個々の
半導体チップ１９０に分離する（ｃ）。
【０００４】半導体チップに分離後、真空チャック１４
０をはずす。その後、ダイシングテープ１７０の裏面か
ら突き上げ駒２１０を用いて突き上げてダイシングテー
プ１７０と半導体チップ１９０が貼り付けられた状態で
持ち上げ、突き上げ駒２１０の内部に配置された突き上
げ針２２０によりダイシングテープ１７０から半導体チ
ップ１９０を剥がす。そして吸着コレット２３０でピッ
クアップする（ｄ）。最後に、制御部２００でコントロ
ールしながら半導体チップ１９０をチップトレー２４０
に搬送し、収納する。
０をはずす。その後、ダイシングテープ１７０の裏面か
ら突き上げ駒２１０を用いて突き上げてダイシングテー
プ１７０と半導体チップ１９０が貼り付けられた状態で
持ち上げ、突き上げ駒２１０の内部に配置された突き上
げ針２２０によりダイシングテープ１７０から半導体チ
ップ１９０を剥がす。そして吸着コレット２３０でピッ
クアップする（ｄ）。最後に、制御部２００でコントロ
ールしながら半導体チップ１９０をチップトレー２４０
に搬送し、収納する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術では、
次のような課題がある。半導体チップ１００の厚さが薄
くなった場合、突き上げ針２２０で突き上げたときのチ
ップ１９０は、テープ１７０と同様な曲げ変形を生じる
ため、テープ１７０から剥離することができなくなる。
また、曲げ変形が起きることでチップ１９０が破損しや
すくなる。
次のような課題がある。半導体チップ１００の厚さが薄
くなった場合、突き上げ針２２０で突き上げたときのチ
ップ１９０は、テープ１７０と同様な曲げ変形を生じる
ため、テープ１７０から剥離することができなくなる。
また、曲げ変形が起きることでチップ１９０が破損しや
すくなる。
【０００６】本発明の目的は、上記課題に着目してなさ
れたものであり、薄型の半導体チップであっても破損す
ることなく、確実にダイシングテープから剥離でき、効
率的に半導体チップを製造もしくはそれらをカード等に
実装方法できる方法を提供することにある。
れたものであり、薄型の半導体チップであっても破損す
ることなく、確実にダイシングテープから剥離でき、効
率的に半導体チップを製造もしくはそれらをカード等に
実装方法できる方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記で述べた課題を解決
する手段としては、少なくとも補強板付きの半導体チッ
プを用いることにより、裏面より突き上げ針で剥離する
際に、剛性のある補強板と一体化の状態で剥離すること
である。これにより、チップがテープより剥離する際に
チップにストレスがかからず、剥離の際の破損を防止で
きる。
する手段としては、少なくとも補強板付きの半導体チッ
プを用いることにより、裏面より突き上げ針で剥離する
際に、剛性のある補強板と一体化の状態で剥離すること
である。これにより、チップがテープより剥離する際に
チップにストレスがかからず、剥離の際の破損を防止で
きる。
【０００８】
【発明の実施の形態】（実施例１）図２は、本発明によ
る半導体チップの実装方法および製造方法における構造
を示す断面図である。図に示したさまに、半導体チップ
１９０は接着剤１１０を介して補強板２６０と強固に保
持されているため、互いに分離することはない。また、
接着剤１１０と半導体チップ１９０の分離方法は、補強
板付き半導体チップ３００全体に、熱、光、溶剤等で処
理を行い接着力を低下させ、半導体チップ１９０単体に
することが可能とすることを特徴とする。
る半導体チップの実装方法および製造方法における構造
を示す断面図である。図に示したさまに、半導体チップ
１９０は接着剤１１０を介して補強板２６０と強固に保
持されているため、互いに分離することはない。また、
接着剤１１０と半導体チップ１９０の分離方法は、補強
板付き半導体チップ３００全体に、熱、光、溶剤等で処
理を行い接着力を低下させ、半導体チップ１９０単体に
することが可能とすることを特徴とする。
【０００９】図３は、本発明の工程図を示す。まず、半
導体ウェハ１００のデバイス面に接着剤１１０を塗布す
る（ａ）。つぎに、接着剤１１０側に半導体ウェハ１０
０と同一径の補強板２６０を貼り付け固定する（ｂ）。
つぎに、ウェハリング１８０に取り付けられたダイシン
グテープ１７０に貼り付け、真空チャック１４０に吸着
して固定した後、ダイシングブレード１５０で個々の補
強板付き半導体チップ３００に分離する。上記、補強板
２６０は、低価格で再利用のできるシリコン、ガラス、
メタル等を使用した。その後、真空チャック１４０を９
０度回転させ同様に切断して四角いチップにする
（ｃ）。
導体ウェハ１００のデバイス面に接着剤１１０を塗布す
る（ａ）。つぎに、接着剤１１０側に半導体ウェハ１０
０と同一径の補強板２６０を貼り付け固定する（ｂ）。
つぎに、ウェハリング１８０に取り付けられたダイシン
グテープ１７０に貼り付け、真空チャック１４０に吸着
して固定した後、ダイシングブレード１５０で個々の補
強板付き半導体チップ３００に分離する。上記、補強板
２６０は、低価格で再利用のできるシリコン、ガラス、
メタル等を使用した。その後、真空チャック１４０を９
０度回転させ同様に切断して四角いチップにする
（ｃ）。
【００１０】半導体チップに分離後、真空チャック１４
０をはずし、図３では図示を省略するが、図１（ｄ）と
同様の工程によってダイシングテープ１７０の裏面から
突き上げ駒２１０を用いて突き上げてダイシングテープ
１７０と半導体チップ１９０が貼り付けられた状態で持
ち上げ、突き上げ駒２１０の内部に配置された突き上げ
針２２０によりダイシングテープ１７０から半導体チッ
プ１９０を剥がす。そして吸着コレット２３０でピック
アップする。
０をはずし、図３では図示を省略するが、図１（ｄ）と
同様の工程によってダイシングテープ１７０の裏面から
突き上げ駒２１０を用いて突き上げてダイシングテープ
１７０と半導体チップ１９０が貼り付けられた状態で持
ち上げ、突き上げ駒２１０の内部に配置された突き上げ
針２２０によりダイシングテープ１７０から半導体チッ
プ１９０を剥がす。そして吸着コレット２３０でピック
アップする。
【００１１】つぎに、補強板２６０付きで切断された補
強板付き半導体チップ３００を制御部２００でコントロ
ールさせながら吸着コレット２３０で補強板２６０部を
真空吸着し、チップトレー２４０上に位置合わせ後、補
強板付き半導体チップ３００を真空吸着し、熱、光、溶
剤等で処理を行い接着力を低下させて半導体チップ１９
０単体にする（ｄ）。つぎに、チップトレー２４０上に
単体で吸着固定されている半導体チップ１９０を吸着コ
レットで再度、吸着し、ＰＥＴ材２８０の粘着剤２９０
に固定し、ＰＥＴ材２８０で半導体チップ１９０が中央
になるさまに挟み込む（ｅ）。この方法で作製されたも
のを用いてＩＣタグやＩＣカードなどにも利用できる。
強板付き半導体チップ３００を制御部２００でコントロ
ールさせながら吸着コレット２３０で補強板２６０部を
真空吸着し、チップトレー２４０上に位置合わせ後、補
強板付き半導体チップ３００を真空吸着し、熱、光、溶
剤等で処理を行い接着力を低下させて半導体チップ１９
０単体にする（ｄ）。つぎに、チップトレー２４０上に
単体で吸着固定されている半導体チップ１９０を吸着コ
レットで再度、吸着し、ＰＥＴ材２８０の粘着剤２９０
に固定し、ＰＥＴ材２８０で半導体チップ１９０が中央
になるさまに挟み込む（ｅ）。この方法で作製されたも
のを用いてＩＣタグやＩＣカードなどにも利用できる。
【００１２】上記工程を行うことにより、チップ厚さが
１〜１００μmと薄くても補強板付きで一体化されてい
るため、テープより剥離する際もチップの破損がなく、
任意の場所へ簡単に移動することができる。また、分離
後の補強板は、再資源が可能であるため材料費の削減に
も繋がる。
１〜１００μmと薄くても補強板付きで一体化されてい
るため、テープより剥離する際もチップの破損がなく、
任意の場所へ簡単に移動することができる。また、分離
後の補強板は、再資源が可能であるため材料費の削減に
も繋がる。
【００１３】（実施例２）図４に本発明の実施の形態２
を示す工程図である。まず、半導体ウェハ１００のデバ
イス面側に接着剤１１０を塗布し、その上面に同一径の
補強板２６０を貼り付ける。その後、補強板２６０表面
に磁性体２５０を塗布後の断面図を示す（ａ）。つぎ
に、半導体ウェハ１００側にダイシングテープ１７０を
貼り、真空チャック１４０に吸着固定後、ダイシングブ
レード１５０で一方方向に所定のピッチで移動させなが
ら半導体ウェハ１００まで切断する。上記、補強板２６
０は、磁性体２５０が塗布でき低価格で再利用のできる
シリコン、ガラス、メタル等を使用した。
を示す工程図である。まず、半導体ウェハ１００のデバ
イス面側に接着剤１１０を塗布し、その上面に同一径の
補強板２６０を貼り付ける。その後、補強板２６０表面
に磁性体２５０を塗布後の断面図を示す（ａ）。つぎ
に、半導体ウェハ１００側にダイシングテープ１７０を
貼り、真空チャック１４０に吸着固定後、ダイシングブ
レード１５０で一方方向に所定のピッチで移動させなが
ら半導体ウェハ１００まで切断する。上記、補強板２６
０は、磁性体２５０が塗布でき低価格で再利用のできる
シリコン、ガラス、メタル等を使用した。
【００１４】つぎに、真空チャック１４０を９０度回転
させ、同様に切断して四角いチップにする（ｂ）。つぎ
に、磁性体２５０が塗布され側を制御部２００でコント
ロールさせながら磁石２７０をもつ吸着コレット２３０
で複数個同時に吸着し、テープより剥離する（ｃ）。こ
のとき、図４では図示を省略するが、図１（ｄ）と同様
の工程によってダイシングテープ１７０の裏面から突き
上げ駒２１０を用いて突き上げてダイシングテープ１７
０と半導体チップ１９０が貼り付けられた状態で持ち上
げ、突き上げ駒２１０の内部に配置された突き上げ針２
２０によりダイシングテープ１７０から半導体チップ１
９０を剥がす。
させ、同様に切断して四角いチップにする（ｂ）。つぎ
に、磁性体２５０が塗布され側を制御部２００でコント
ロールさせながら磁石２７０をもつ吸着コレット２３０
で複数個同時に吸着し、テープより剥離する（ｃ）。こ
のとき、図４では図示を省略するが、図１（ｄ）と同様
の工程によってダイシングテープ１７０の裏面から突き
上げ駒２１０を用いて突き上げてダイシングテープ１７
０と半導体チップ１９０が貼り付けられた状態で持ち上
げ、突き上げ駒２１０の内部に配置された突き上げ針２
２０によりダイシングテープ１７０から半導体チップ１
９０を剥がす。
【００１５】つぎに、ＰＥＴ材２８０の粘着剤２９０面
に接着後、一体化されている補強板付き半導体チップ３
００全体に熱、光、溶剤等で処理を行い接着力を低下さ
せて半導体チップ１９０単体にする（ｄ）。つぎにＰＥ
Ｔ材２８０の粘着剤２９０面に接着された半導体チップ
１９０上面に再度、ＰＥＴ材２８０を貼り合わせる
（ｅ）。この実装方法を行うことにより、チップサイズ
が微小で、チップ厚みが薄い数量のあるチップを複数個
同時に、磁気作用を使って短時間で規則正しく配列する
ことができる。
に接着後、一体化されている補強板付き半導体チップ３
００全体に熱、光、溶剤等で処理を行い接着力を低下さ
せて半導体チップ１９０単体にする（ｄ）。つぎにＰＥ
Ｔ材２８０の粘着剤２９０面に接着された半導体チップ
１９０上面に再度、ＰＥＴ材２８０を貼り合わせる
（ｅ）。この実装方法を行うことにより、チップサイズ
が微小で、チップ厚みが薄い数量のあるチップを複数個
同時に、磁気作用を使って短時間で規則正しく配列する
ことができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、補強板付きの半導体チ
ップを用いることでダイシング後にテープ裏面から突き
上げ針を用いて剥離する際に生ずるチップの破損を効果
的に防止できる。
ップを用いることでダイシング後にテープ裏面から突き
上げ針を用いて剥離する際に生ずるチップの破損を効果
的に防止できる。
【図１】従来方法を説明するための工程図。
【図２】本発明の一実施例になる半導体チップの断面
図。
図。
【図３】本発明の一実施例の半導体チップ製造および実
装方法を示す工程図。
装方法を示す工程図。
【図４】本発明の一実施例の半導体チップ製造および実
装方法を示す工程図。
装方法を示す工程図。
１００…半導体ウェハ、１１０…接着剤、１２０…第１
支持体、１３０…砥石、１４０…真空チャック、１５０
…ダイシングブレード、１６０…切り溝、１７０…ダイ
シングテープ、１８０…ウェハリング、１９０…半導体
チップ、２００…制御部、２１０…突き上げ駒、２２０
…突き上げ針、２３０…吸着コレット、２４０…チップ
トレー、２５０…磁性体、２６０…補強板、２７０…磁
石、２８０…ＰＥＴ材、２９０…粘着剤、３００…補強
板付き半導体チップ。
支持体、１３０…砥石、１４０…真空チャック、１５０
…ダイシングブレード、１６０…切り溝、１７０…ダイ
シングテープ、１８０…ウェハリング、１９０…半導体
チップ、２００…制御部、２１０…突き上げ駒、２２０
…突き上げ針、２３０…吸着コレット、２４０…チップ
トレー、２５０…磁性体、２６０…補強板、２７０…磁
石、２８０…ＰＥＴ材、２９０…粘着剤、３００…補強
板付き半導体チップ。
Claims (9)
- 【請求項１】半導体ウェハと補強板を接着し、補強板付
き半導体ウェハを作る接着工程と、上記補強板付き半導
体ウェハを所望のチップに分離する分離工程と、分離さ
れた補強板付き半導体チップから補強板を取り除く工程
からなることを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、熱、光、溶剤等の処理
により接着力が低下する接着剤を使用し、上記接着力を
低下させる処理を行った後に上記補強板を取り除くこと
を特徴とする半導体チップの製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２において、上記補強板と
してシリコン、ガラス、金属等を主体とする材料を用い
ることを特徴とする半導体チップ製造方法。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかにおいて、半
導体チップの厚みが１μmから１００μmの薄型であるこ
とを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 【請求項５】請求項１ないし４のいずれかにおいて、補
強板、接着剤、半導体チップ本体のいずれかに磁性材料
を用いることを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 【請求項６】請求項１ないし４のいずれかにおいて、補
強板の少なくとも一部に磁性体層を形成したことを特徴
とする半導体チップの製造方法。 - 【請求項７】請求項５または６のいずれか記載の方法で
製造された半導体チップを、磁力を用いることにより１
個もしくは複数個のチップを一括で吸着および脱着して
所定部材上に搬送および実装することを特徴とする半導
体チップの実装方法。 - 【請求項８】半導体チップと上記半導体チップを補強す
るための補強板とを、接着剤を介して一体化してなるこ
とを特徴とする補強板付き半導体チップ。 - 【請求項９】請求項８において、上記接着剤には熱、
光、溶剤等の処理により接着力が低下する接着剤を使用
し、上記補強板にはシリコン、ガラス、金属等のいずれ
かを主体とする再利用可能な材料を用いたことを特徴と
する補強板付き半導体チップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000148586A JP2001326195A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 半導体チップおよびその製造方法ならびに実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000148586A JP2001326195A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 半導体チップおよびその製造方法ならびに実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326195A true JP2001326195A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18654589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000148586A Pending JP2001326195A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 半導体チップおよびその製造方法ならびに実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001326195A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024783A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Nitto Denko Corp | ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP2017001188A (ja) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | リンテック株式会社 | 半導体用保護フィルム、半導体装置及び複合シート |
| WO2021158042A1 (ko) * | 2020-02-06 | 2021-08-12 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 칩의 분리 장치 및 그를 이용한 반도체 칩의 분리 방법 |
-
2000
- 2000-05-16 JP JP2000148586A patent/JP2001326195A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024783A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Nitto Denko Corp | ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP4614700B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2011-01-19 | 日東電工株式会社 | ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP2017001188A (ja) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | リンテック株式会社 | 半導体用保護フィルム、半導体装置及び複合シート |
| US10825790B2 (en) | 2015-06-04 | 2020-11-03 | Lintec Corporation | Protective film for semiconductors, semiconductor device, and composite sheet |
| WO2021158042A1 (ko) * | 2020-02-06 | 2021-08-12 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 칩의 분리 장치 및 그를 이용한 반도체 칩의 분리 방법 |
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