CN214980191U - 半导体加工装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种半导体加工装置，包括中心区和周围区，中心区用以承载晶圆并具有第一表面，周围区围绕中心区并用以承载框架，周围区具有高于第一表面的第二表面。

Description

半导体加工装置

技术领域

本创作是有关于一种半导体装置，且特别是有关于一种用于研磨的半导体装置。

背景技术

在晶圆进行切割形成晶片之前，需先经过晶圆背面研磨(backside grinding)工艺。随着晶圆厚度愈来愈薄，晶圆在晶圆背面研磨的过程中破片的风险也随之增加。为了确保晶圆在研磨期间不受到热应力及机械应力的作用而损害破裂，一般会使用胶膜粘贴于晶圆上，做为支承与保护，以减少输送破片的风险。

在现有的晶圆背面研磨工艺中，还有很大的改善空间可以提升晶圆薄化后的品质。

因此，有需要针对目前的晶圆贴膜方式和研磨装置加以改善，以降低成本并提高晶圆研磨效率。

上文的「先前技术」说明仅系提供背景技术，并未承认上文的「先前技术」说明揭示本申请的标的，不构成本申请的先前技术，且上文的「先前技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。

实用新型内容

本申请的一实施样态提供一种半导体加工装置，包括中心区和周围区。中心区用以承载晶圆并具有第一表面。周围区围绕中心区并用以承载框架，周围区具有高于第一表面的第二表面。

在一些实施例中，中心区从俯视观察大致呈圆形。

在一些实施例中，中心区包括第一吸附件用以吸附晶圆，第一吸附件位于第一表面的下方。

在一些实施例中，第一吸附件具有真空吸附装置。

在一些实施例中，半导体加工装置更包括沟槽，设置在中心区与周围区之间，其中沟槽围绕中心区。

本申请的一实施样态提供另一种半导体加工装置，包括中心区和周围区。中心区用以承载晶圆并具有第一表面。周围区围绕中心区并用以承载框架，周围区具有低于第一表面的第二表面。

在一些实施例中，第一表面与第二表面的距离与框架的高度相等。

在一些实施例中，中心区包括第一吸附件用以吸附晶圆，第一吸附件位于第一表面的下方。

在一些实施例中，周围区包括第二吸附件用以吸附框架，第二吸附件位于第二表面下方。

在一些实施例中，第二吸附件具有真空或磁性吸附装置。

因此，本申请提出一种新颖的晶圆贴膜方式以及研磨装置，将框架以及晶圆粘贴于胶膜的相反侧以进行搬移与研磨，可减少胶膜在研磨过程中因拉扯而导致晶圆破损的机率，同时使胶膜具备足够张力，以移载薄化后的晶圆，因而可改善晶圆的研磨品质。

上文已相当广泛地概述本申请的技术特征及优点，俾使下文的本申请详细描述得以获得较佳了解。构成本申请的申请专利范围标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本申请所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本申请相同的目的。本申请所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的申请专利范围所界定的本申请的精神和范围。

附图说明

参阅实施方式与申请专利范围合并考量图式时，可得以更全面了解本申请案的揭示内容，图式中相同的元件符号系指相同的元件。

图1是依据现有技术的一比较例所绘制的晶圆框架单元的立体示意图。

图2是依据本申请的一些实施例所绘制的晶圆加工方法的流程图。

图3至图10分别是依据本申请的一些实施例所绘制根据图2的晶圆加工方法中的操作步骤示意图。

图11是依据本申请的一些实施例所绘制的晶圆框架单元的立体示意图

图12是依据本申请的一些实施例所绘制的晶圆框架单元的侧视示意图。

图13至图18分别是依据本申请的一些实施例所绘制根据图2的晶圆加工方法中的操作步骤示意图。

具体实施方式

以下详细讨论本申请的实施方案。然而，应该理解的是，实施例提供了许多可以在各种具体环境中实施的可应用的创作概念。所讨论的具体实施例仅说明制造和使用实施例的具体方式，并不限制本申请的范围。

在各个视图和说明性实施例中，相同的附图标记经配置以表示相同的元件。现在将详细参考附图中所示的示例性实施例。只要可能，在附图和说明书中使用相同的附图标记表示相同或相似的部分。在附图中，为了清楚和方便，可夸大形状和厚度。该描述将特别针对形成根据本申请的装置的一部分或更直接地与其配合的元件。应该理解，未具体示出或描述的元件可以采用各种形式。贯穿本说明书对“一些实施例”或“实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征，结构或特性包括在至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在各个地方出现的短语“在一些实施例中”或“在实施例中”不一定指代相同的实施例。此外，特定特征，结构或特性可以在一个或复数个实施例中以任何合适的方式组合。

在附图中，相同的附图标记经配置以在各个视图中指示相同或相似的元件，并且示出和描述了本创作的说明性实施例。附图不一定按比例绘制，并且在一些情况下，附图已被夸大及/或简化，仅经配置以说明目的。基于以下本创作的说明性实施例，本领域普通技术人员将理解本创作的许多可能的应用和变化。

除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本申请的实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。应当理解，例如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与其在相关领域和本申请的上下文中的含义一致的含义，并且不应该被理解为或者理解为除非在此明确定义，否则过于正式的意义。

另外，下文提供本申请的多个实施例为例说明本申请的核心价值，但并非用以限制本申请的保护范围。为清楚说明以及方便理解，针对本申请不同实施例之间相同或类似的功能或元件将不重复叙述或示标示于图中。并且不同实施例中的不同元件或是技术特征，在不相互冲突的前提下，进行组合或置换得到新的实施例仍属于本申请的保护范围。

当晶圆的厚度小于100微米时，粘贴于晶圆上的胶膜已无法对晶圆提供足够的支承能力。参考图1，图1是依据现有技术的一晶圆框架单元100的立体示意图。晶圆框架单元100包含晶圆21、胶膜23以及框架25。晶圆21具有相对的第一表面21A以及第二表面21B。晶圆21的第一表面21A可为晶圆正面，而第二表面21B可为晶圆背面。多个半导体元件22形成于第一表面21A上。胶膜23粘贴于第一表面21A上。框架25经由与晶圆21同侧的方式粘贴固定于胶膜23上。

在现有技术的晶圆贴膜方式中，晶圆21和框架25位在胶膜23的同侧。由于框架25具有一定的厚度，因此当对晶圆21的第二表面21B进行研磨时，所使用框架25的高度必须低于晶圆21最终的研磨厚度，造成框架25在使用上的限制。此外，当晶圆21和框架25位在胶膜23同侧的情况下进行研磨，当框架25下压时会拉扯到胶膜23，导致胶膜23无法与晶圆21确实的贴合，反而对晶圆21产生应力，失去了框架25对晶圆21保护的目的，容易造成晶圆21边裂或破片。

图2是依据本申请的一些实施例所绘制的晶圆研磨方法200的流程图。参考图2，方法200包含步骤101、103、105、107、109及111。图3至图10以及图13至图18分别是依据本申请的一些实施例所绘制的晶圆研磨方法200中的操作步骤示意图。

在步骤101中，提供晶圆1，如图3所示。在一些实施例中，晶圆1包括半导体材料，例如硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓、蓝宝石(氧化铝)等材料的晶圆基板，包括但不限于锗、硒、磷化镓、锑化铟、磷化铟、砷化铟、锑化镓、氧化锌、钛酸锶、氧化镁、铝酸镧、铌酸锂、钽酸锂、硼硅酸、石墨烯、镀层硅晶片、石英基板或氧化铟锡基板等。在一些实施例中，晶圆1也可以非半导体材料取代，包括但不限于玻璃基板、光电基板、陶瓷基板或金属基板等。

在一些实施例中，晶圆1具有相对的第一表面1A以及第二表面1B。在一些实施例中，晶圆1的第一表面1A为晶圆正面并以第二表面1B为晶圆背面。在一些实施例中，晶圆1为圆形。在其他实施例中，晶圆1的外形并不限定为圆形，其他具有薄化或移载需求的不同形式的晶圆，例如四边形或多边形，皆可包括在本申请的范围内。

在一些实施例中，多个半导体元件2形成于第一表面1A上，半导体元件2 包括主动元件或被动元件，该主动与被动电子元件彼此电性连接以形成不同的功能性电路。在一些实施例中，半导体元件2可包含各种晶体管，例如N型金属氧化物半导体(N metal-oxide-semiconductor,NMOS)以及/或P型金属氧化物半导体(P metal-oxide-semiconductor,PMOS)装置。在一些实施例中，半导体元件2可包括例如整流器、真空管、电容器、电阻器、二极管(diode)或发光二极管(light-emitting diode,LED)等装置，应用于微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)、互补式金属氧化物半导体 (complementarymetal-oxide-semiconductor,CMOS)、三维积体电路 (three-dimensional integratedcircuit,3DIC)、存储器晶片、逻辑晶片、电源管理(power management)晶片、射频(RF)晶片、半导体中介层 (semiconductor interposer)、肖特基二极管(Schottky diode)或绝缘闸双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)等领域之中。

参考图2，在步骤103中，将胶膜3粘贴于晶圆1上(见图4～图6)。参考图4，在一些实施例中，提供承载装置400作为半导体加工装置，以将胶膜3 粘贴于晶圆1上。在一些实施例中，承载装置400包括中心区14以及周围区 15。中心区14为从俯视观察为一圆形平台，是用于承载晶圆1的主要区域，周围区15为一围绕中心区14的环形平台。在一些实施例中，中心区14的宽度(或直径)大致上与晶圆1的直径相等。在一些实施例中，中心区14与周围区15相连，两者之间具有一沟槽16。在一些实施例中，沟槽16为环状，并围绕中心区14。

继续参考图4，中心区14具有表面14a，周围区15具有表面15a，沟槽 16具有表面16a。在一些实施例中，中心区14包括一升降平台18，可调整表面14a的高度T1以控制其上所承载的晶圆1的垂直位置。此外，藉由调整高度T1，可以使得表面15a高于表面14a一距离S1。在一些实施例中，距离S1 是可调整的，以适应不同晶圆1的厚度以及不同的工艺需求。在一些实施例中，中心区14具有一吸附件13，位于表面14a的下方，且位于升降平台18的上方，例如是真空吸附装置，可以提供对晶圆1的吸附力，以固定晶圆1于中心区14 上。在一些实施例中，周围区15具有一真空吸附装置或磁性吸附装置(可以是磁铁或电磁铁)，可以提供对于框架5的点、线、或面的吸附，以固定框架5 于周围区15上。在一些实施例中，周围区15具有一底座9、一紫外光源10 以及一透光材料11。紫外光源10位于底座9的上方，用以提供至少一波长以作为固化或解胶的用途。透光材料11位于紫外光源10的上方以及表面15a的下方。在一些实施例中，透光材料11包括，但不限于玻璃或石英材料。在一些实施例中，可以根据不同的工艺需求，在沟槽16内也可以设置紫外光源10 和透光材料11，其中透光材料11位于紫外光源10的上方以及表面16a的下方。

参考图5，在一些实施例中，将晶圆1以第一表面1A朝上的方式放置在中心区14上，此时晶圆1的第二表面1B面对中心区14的表面14a，并且被吸附件13吸附。在一些实施例中，在放置晶圆1于中心区14之后，在周围区15 的表面15a表面为低粘着性材质，得以升降平台18调整高度T1，使得晶圆1 的第一表面1A与位在表面15a上，大致具有相同的水平面。在一些实施例中，在放置晶圆1于中心区14之后，可以在周围区15的表面15a涂布离型剂12，离型剂12是一种可藉由例如照光或加热减低其粘性的粘着剂。在一些实施例中，在涂布离型剂12之后，以升降平台18调整高度T1，使得晶圆1的第一表面1A与位在表面15a上的离型剂12大致具有相同的水平面。

参考图6，使用胶膜3粘贴于位于承载装置400上的晶圆1。在一些实施例中，胶膜3是适于研磨薄化的专用胶膜，不具有延展性。在另外一些实施例中，胶膜3也可以具有延展性而能轻易拉伸。在一些实施例中，胶膜3包括但不限于聚合物材料，例如聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚烯烃(polyolefin,PO)、聚丙烯(polypropylene,PP)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚氨酯(polyurethane,PU)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(ethylene vinyl acetate,EVA)、聚氯乙烯(poly vinyl chloride,PVC)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)或聚醚(polyether sulfone,PES) 等。胶膜3具有相对的表面3A以及表面3B。在一些实施例中，胶膜3以表面 3A面对第一表面1A的方式粘贴于晶圆1上，同时，胶膜3的表面3A也透过离型剂12粘贴于周围区15上。在一些实施例中，当胶膜3需要自周围区15移开时，可透过照光或加热离型剂12，以减低离型剂12的粘着性，如此表面3A 和表面15a之间的粘着力会降低，胶膜3可轻易从周围区15移开。在另外一些实施例中，也可以仅透过表面3A与表面3B之间的附着力强弱差异，将胶膜 3可从周围区15移开。

在一些实施例中，可以透过升降平台18调整高度T1，使得晶圆1的第一表面1A与表面15a大致具有相同的水平面。在一些实施例中，当胶膜3需要自周围区15移开时，可透过照光或加热于胶膜3与周围区15的接触处，以使胶膜3从周围区15移开。在一些实施例中，可以根据晶圆1的厚度，精密地调整高度T1以改变表面14a的高度，使得胶膜3在中心区14与在周围区15 的高度实质上相等，以使胶膜3呈现水平。在一些实施例中，沟槽16可以提供一空隙使胶膜3不完全粘贴于承载装置400上，以减少胶膜3与离型剂12 之间的粘着力，便于将胶膜3连同晶圆1从承载装置400上移开。

参考图2，在步骤105中，将框架5固定于胶膜3上，如图7～10所示。参考图7，在一些实施例中，将粘着剂7涂布于位在周围区15上的胶膜3的底面 3B上。在一些实施例中，粘着剂7可为溶剂型、热固型或UV型的固态、液态、或胶膜形式的粘着剂。

参考图8，将框架5以对准粘着剂7的方式，放置在周围区15上。在一些实施例中，框架5具有一高度R1，从俯视观察呈现环状。在一些实施例中，框架5围绕晶圆1以及中心区14，并与晶圆1分别设置于胶膜3的相对侧。在其他一些实施例中，也可以预先将粘着剂7涂布于框架5的底面，再以框架5的底面面对表面3B的方式放置于胶膜3上。在一些实施例中，胶膜3除了粘贴在晶圆1的第一表面1A，还延伸至框架5的外缘以外的范围，因此框架5的底面均能完整地包含于胶膜3的范围内。在一些实施例中，框架5与晶圆1是以同心圆的方式分别放置在承载装置400的周围区15和中心区14上。

参考图9，开启紫外光源10，以产生一紫外光hv1通过透光材料11。在一些实施例中，粘着剂7受到紫外光hv1的照射发生光化学反应因而固化，使得框架和胶膜3能紧密粘贴。在一些实施例中，胶膜3经由框架5的固定，获得足够的张力，得以维持一绝对平面的基础，以支撑并保护晶圆1。

参考图10，在一些实施例中，当框架5与胶膜3紧密固定后，将胶膜3 位于框架5外缘的部分移除。在一些实施例中，可使用一切割工具(图未示)以切割方向C1沿着一切割道裁切胶膜3。在一些实施例中，该切割道是框架5 的最外缘，以切割工具沿着框架5的最外缘裁切胶膜3，可使得胶膜3的裁切边缘与框架5的最外缘切齐，以移除多余的胶膜3，并且剩余的胶膜3粘着固定于框架3上。在一些实施例中，胶膜3被裁切后的边缘可与框架5的最外缘切齐或内缩于框架5内。

图11是依据本申请的一些实施例所绘制的晶圆框架单元150的立体示意图。当完成步骤105后，晶圆1、胶膜3以及框架5形成晶圆框架单元150。在一些实施例中，可以透过机械手臂或人为方式对晶圆框架单元150进行翻面。图11所示的晶圆框架单元150是以第一表面1A朝上的方式放置。在一些实施例中，可以对晶圆框架单元150进行运送、移载或研磨或其他工艺。

图12是依据本申请的一些实施例所绘制的晶圆框架单元150的侧视示意图。图12所示的晶圆框架单元150是以第二表面1B朝上的方式放置。本申请所采用粘贴框架5的技术，框架5与晶圆1是分别设置于胶膜3的相对侧，在此种配置下，无须考虑框架5与晶圆1的相对厚度，晶圆1即能凸出而进行后续步骤，例如研磨工艺。与图1的现有技术相比，此方法可有效进行晶圆背面薄化工艺，而无须将框架5挤压以求露出晶圆1的第二表面1B，因而省去其他繁复或昂贵的工艺，可达到低成本并可靠的优点。

参考图2，在步骤107中，对晶圆1进行研磨，如图13～14所示。参考图 13，在一些实施例中，提供研磨装置500作为半导体加工装置，其中研磨装置 500包括加工固定部32以及研磨部34，两者互相分离。在一些实施例中，加工固定部32包括中心区31以及周围区33，周围区33围绕中心区31，两者具备不同的平面。具体而言，中心区31具有一顶表面31A，周围区33具有一低于顶表面31A的顶表面33A，顶表面31A和顶表面33A之间具有距离D1，得以容置框架5。在一些实施例中，可以透过调整中心区31以及周围区33两者相对的平面高度来控制该距离D1，以对应于框架5在不同应用下的不同高度R1。在一些实施例中，顶表面31A和顶表面33A之间的距离D1与框架5的高度R1 实质上相等。在一些实施例中，研磨部34具有研磨轴35和与研磨轴35相连的研磨磨具36。研磨磨具36具有实质平坦表面的平台。研磨磨具36可由任何适合的物质组成，例如但不限于钻石砂轮、聚氨酯块、聚氨酯切片、聚氨酯浸渍的聚酯毡等的研抛砥粒磨具。

继续参考图13，在一些实施例中，中心区31具有一吸附件41，位于顶表面31A的下方，例如是真空吸附装置，可以提供对晶圆1的吸附力，以固定晶圆1于中心区31上。在一些实施例中，周围区33具有一吸附件43，位于顶表面33A的下方，例如磁性装置(可以是磁铁或电磁铁)或真空吸附装置，可以提供对于框架5的点、线、或面的吸附力，以固定框架5于周围区33上。透过中心区31的吸附件41和周围区33的吸附件43，得以利用反向支撑的方式将晶圆框架单元150固定于加工固定部32上。在一些实施例中，在研磨装置500 中，使晶圆1的第二表面1B面对研磨部34的研磨磨具36。在一些实施例中，研磨部34可以根据工艺的需求而移动，调整与加工固定部32之间的距离。

参考图14，在一些实施例中，当晶圆框架单元150固定于加工固定部32 之后，框架5会从周围环绕该加工固定部32的中心区31，并且晶圆1的第二表面1B会面对研磨磨具36，此时，晶圆1的中心与研磨磨具36的旋转中心仅距离一预定的距离。接着，研磨部34得以一可调的进击速度接近晶圆1，直到研磨磨具36与晶圆1的第二表面1B抵接，藉此开始进行研磨。随着研磨轴35 的旋转，研磨磨具36也以绕Z轴方向进行旋转。在一些实施例中，研磨磨具 36会对晶圆1的第二表面1B施以一应力抵接。随着研磨磨具36的快速旋转，研磨磨具36与第二表面1B的抵接处会发生精密的研磨并产生第二表面1B研磨后的残削，晶圆1在研磨过程中慢慢薄化，同时晶圆厚度W1也因此逐渐变小。在一些实施例中，研磨轴35可以以一可调速度带动研磨磨具36旋转，可调速度得以根据第二表面1B预定被研磨掉的厚度进行调整。在另外一些实施例中，在研磨磨具36旋转的过程中，晶圆1也会进行旋转，藉此可以进行更精密的研磨。

在一些实施例中，当晶圆1经过研磨装置500研磨后，薄化后的晶圆1仍固定于晶圆框架单元150上。在研磨部34对晶圆1进行研磨的过程中，框架5 可固定胶膜3并维持胶膜3的平整性，提供胶膜3足够的张力，可使胶膜3的外形不致受到损坏。此外，晶圆1经由胶膜3的贴覆及框架5的支撑，可提供研磨时的保护与承载力。另一方面，晶圆框架单元150是以框架5和晶圆1分别设置于胶膜3的相反侧的方式设置于研磨装置500上，可使研磨部34在对晶圆1的第二表面1B进行研磨加工的过程中，减少胶膜在研磨过程中因拉扯而导致晶圆破损的机率，因而可以获得晶圆1较佳之的薄化品质。

参考图2，在步骤109中，移载晶圆，如图15～17所示。参考图15，在一些实施例中，提供移载装置600，移载装置600包括第一吸附部61、第二吸附部62以及连接部65，第一吸附部61和第二吸附部62透过连接部65相连。在一些实施例中，第一吸附部61用以吸附晶圆1，因此第一吸附部61的宽度或直径大致上与晶圆1的直径相等。在一些实施例中，第二吸附部62围绕第一吸附部61，并且具有环状结构。

在一些实施例中，第一吸附部61和第二吸附部62两者具备不同的平面高度。具体而言，第一吸附部61具有一顶表面61A，第二吸附部62具有一顶表面62A，顶表面61A和顶表面62A之间具有一高度差H1。在一些实施例中，第一吸附部61可以藉由连接部65调整高度差H1。在一些实施例中，高度差H1 与厚度W1实质上相等。

参考图16，在一些实施例中，第一吸附部61具有一吸附件，例如是真空吸附装置，可以提供对晶圆1的吸附力，以固定晶圆1于第一吸附部61上。在一些实施例中，第二吸附部62具有一真空吸附装置或磁性吸附装置(可以是磁铁或电磁铁)，可以提供对于框架5的点、线、或面的吸附，以固定框架5 于第二吸附部62上。透过第一吸附部61和第二吸附部62的吸附装置，可以将晶圆框架单元150以第二表面1B朝上的方式，固定于移载装置600上。在一些实施例中，晶圆框架单元150可透过移载装置600进行移载，例如移载装置600可运送晶圆框架单元150，并将晶圆框架单元150移载入研磨装置500 或移载出研磨装置500，但不限于此。在其他一些实施例中，也可以透过其他方式，例如以人力或机械手臂将晶圆框架单元150放置于研磨装置500上，待晶圆薄化后，再以移载装置600将晶圆框架单元150移载出研磨装置500。在一些实施例中，当移载装置600移载晶圆框架单元150时，连接部65会升降第一吸附部61，以随时调整高度差H1，以对应研磨前后不同的晶圆厚度W1。

参考图17，图17所示为晶圆1完成研磨薄化后，透过移载装置600将晶圆框架单元150移载出加工固定部32的示意图。此时，中心区31和周围区33 的距离D1与框架5的高度R1大致上相等，同时，第一吸附部61和第二吸附部62的高度差H1，也与薄化后的晶圆厚度W1大致上相等。移载装置600以晶圆1的第二表面1B朝上的反向的方式，将晶圆1移载出加工固定部32，并将晶圆1运送至后续工艺。

在一些实施例中，当晶圆1完成研磨薄化后，会再对晶圆1进行晶圆背面湿蚀刻(backside wet etching)，藉以去除因研磨产生的晶圆破坏层，并释放研磨应力。

参考图2，在步骤111中，对胶膜3进行解胶，如图18所示。在一些实施例中，当晶圆1完成研磨薄化后，可以对晶圆框架单元150进行一解胶工艺。图18所示为以第二表面1B朝上的方式放置的晶圆框架单元150，透过例如，紫外光hv2照射晶圆框架单元150，以使胶膜3和框架5之间的粘着剂7与紫外光hv2发生光化学反应而去除粘着剂7的粘着性。藉此，可将框架5与研磨后的晶圆1分离，完成晶圆背面研磨工艺。

在一些实施例中，承载装置400、研磨装置500和移载装置600可分别与晶圆框架单元150结合使用，提供对晶圆1的承载、研磨和移载的用途，三个用途可以紧密结合，例如根据步骤S101至步骤S111的完整流程以完成晶圆1 的薄化加工。在其他一些实施例中，承载装置400、研磨装置500或移载装置 600三者也可以独立运作，根据实际的需求仅使用承载装置400、研磨装置500 或移载装置600其中的一或两者。在一些实施例中，可以仅根据步骤S101至步骤S105，使用承载装置400用于承载晶圆1以形成晶圆框架单元150，其中晶圆框架单元150可用于其他工艺。在一些实施例中，可以仅根据步骤S107，使用研磨装置500提供对晶圆1的研磨用途，其中晶圆框架单元150可以由步骤S101至S105提供，或由其他步骤提供。在一些实施例中，可以仅根据步骤 S109，使用移载装置600提供对薄化前或薄化后的晶圆1的移载用途。

虽然已详述本申请及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离申请专利范围所定义的本申请的精神与范围。再者，本申请案的范围并不受限于说明书中所述的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法与步骤的特定实施例。该技艺的技术人士可自本申请的揭示内容理解可根据本申请而使用与本文所述的对应实施例具有相同功能或是达到实质相同结果的现存或是未来发展的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤。据此，此等工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤是包含于本申请案的申请专利范围内。

符号说明

1,21:晶圆

1A,21A:第一表面

1B,21B:第二表面

2,22:半导体元件

3,23:胶膜

3A:胶膜正面

3B:胶膜背面

5,25:环状框架

7,27:粘着剂

9:底座

10:紫外光源

11:透光材料

12:离型物质

400:承载装置

13:吸附件

14,31:中心区

15,33:周围区

16:沟槽

18:升降平台

14a,15a,16a:表面

C1:切割方向

100,150:晶圆框架单元

500:研磨装置

32:加工固定部

34:研磨部

35:研磨轴

36:研磨磨具

31A,33A,61A,62A:顶表面

hv1,hv2:紫外光

S1,D1:距离

T,R1:高度

H1:高度差

W1:厚度

600:移载装置

61:第一吸附部

62:第二吸附部

65:连接部

101,103,105,107,109,111:步骤

200:方法

Claims (10)

1.一种半导体加工装置，其特征在于，包括：

一中心区，其用以承载一晶圆，该中心区具有一第一表面；以及

一周围区，其围绕该中心区并用以承载一框架，该周围区具有一高于该第一表面的第二表面。

2.如权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，其中该中心区从俯视观察呈圆形。

3.如权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，其中该中心区包括一第一吸附件用以吸附该晶圆，该第一吸附件位于该第一表面的下方。

4.如权利要求3所述的半导体加工装置，其特征在于，其中该第一吸附件具有一真空吸附装置。

5.如权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，进一步包括一沟槽，设置在该中心区与该周围区之间，其中该沟槽围绕该中心区。

6.一种半导体加工装置，其特征在于，包括：

一中心区，其用以承载一晶圆，该中心区具有一第一表面；以及

一周围区，其围绕该中心区并用以承载一框架，该周围区具有一低于该第一表面的第二表面。

7.如权利要求6所述的半导体加工装置，其特征在于，其中该第一表面与该第二表面的一距离与该框架的一高度相等。

8.如权利要求6所述的半导体加工装置，其特征在于，其中该中心区包括一第一吸附件用以吸附该晶圆，该第一吸附件位于该第一表面的下方。

9.如权利要求6所述的半导体加工装置，其特征在于，其中该周围区包括一第二吸附件用以吸附该框架，该第二吸附件位于该第二表面下方。

10.如权利要求9所述的半导体加工装置，其特征在于，其中该第二吸附件具有一真空或磁性装置。

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