TWM613900U - 半導體加工裝置 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一種半導體加工裝置，包括中心區和周圍區，中心區用以承載晶圓並具有第一表面，周圍區圍繞中心區並用以承載框架，周圍區具有高於第一表面的第二表面。

Description

半導體加工裝置

本創作是有關於一種半導體裝置，且特別是有關於一種用於研磨的半導體裝置。

在晶圓進行切割形成晶片之前，需先經過晶圓背面研磨(backside grinding)製程。隨著晶圓厚度愈來愈薄，晶圓在晶圓背面研磨的過程中破片的風險也隨之增加。為了確保晶圓在研磨期間不受到熱應力及機械應力的作用而損害破裂，一般會使用膠膜黏貼於晶圓上，做為支承與保護，以減少輸送破片的風險。

因此，在現有的晶圓背面研磨製程中，還有很大的改善空間可以提升晶圓薄化後的品質。

因此，有需要針對目前的晶圓貼膜方式和研磨裝置加以改善，以降低成本並提高晶圓研磨效率。

上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。

本揭露之一實施樣態提供一種半導體加工裝置，包括中心區和周圍區。中心區用以承載晶圓並具有第一表面。周圍區圍繞中心區並用以承載框架，周圍區具有高於第一表面的第二表面。

在一些實施例中，中心區從俯視觀之大致呈圓形。

在一些實施例中，中心區包括第一吸附件用以吸附晶圓，第一吸附件位於第一表面的下方。

在一些實施例中，第一吸附件具有真空吸附裝置。

在一些實施例中，半導體加工裝置更包括溝槽，設置在中心區與周圍區之間，其中溝槽圍繞中心區。

本揭露之一實施樣態提供另一種半導體加工裝置，包括中心區和周圍區。中心區用以承載晶圓並具有第一表面。周圍區圍繞中心區並用以承載框架，周圍區具有低於第一表面的第二表面。

在一些實施例中，第一表面與第二表面的距離與框架的高度實質上相等。

在一些實施例中，中心區包括第一吸附件用以吸附晶圓，第一吸附件位於第一表面的下方。

在一些實施例中，周圍區包括第二吸附件用以吸附框架，第二吸附件位於第二表面下方。

在一些實施例中，第二吸附件具有真空或磁性裝置。

因此，本揭露提出一種新穎的晶圓貼膜方式以及研磨裝置，將框架以及晶圓黏貼於膠膜的相反側以進行搬移與研磨，可減少膠膜在研磨過程中因拉扯而導致晶圓破損的機率，同時使膠膜具備足夠張力，以移載薄化後之晶圓，因而可改善晶圓的研磨品質。

上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。

以下詳細討論本揭露的實施方案。然而，應該理解的是，實施例提供了許多可以在各種具體環境中實施的可應用的創作概念。所討論的具體實施例僅說明製造和使用實施例的具體方式，並不限制本揭露的範圍。

在各個視圖和說明性實施例中，相同的附圖標記經配置以表示相同的元件。現在將詳細參考附圖中所示的示例性實施例。只要可能，在附圖和說明書中使用相同的附圖標記表示相同或相似的部分。在附圖中，為了清楚和方便，可誇大形狀和厚度。該描述將特別針對形成根據本揭露的裝置的一部分或更直接地與其配合的元件。應該理解，未具體示出或描述的元件可以採用各種形式。貫穿本說明書對“一些實施例”或“實施例”的引用意味著結合該實施例描述的特定特徵，結構或特性包括在至少一個實施例中。因此，貫穿本說明書在各個地方出現的短語“在一些實施例中”或“在實施例中”不一定指代相同的實施例。此外，特定特徵，結構或特性可以在一個或複數個實施例中以任何合適的方式組合。

在附圖中，相同的附圖標記經配置以在各個視圖中指示相同或相似的元件，並且示出和描述了本創作的說明性實施例。附圖不一定按比例繪製，並且在一些情況下，附圖已被誇大及/或簡化，僅經配置以說明目的。基於以下本創作的說明性實施例，本領域普通技術人員將理解本創作的許多可能的應用和變化。

除非另外定義，否則這裡使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本揭露的實施例所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。應當理解，例如在常用詞典中定義的那些術語應當被解釋為具有與其在相關領域和本揭露的上下文中的含義一致的含義，並且不應該被理解為或者理解為除非在此明確定義，否則過於正式的意義。

另外，下文提供本揭露的多個實施例為例說明本揭露的核心價值，但並非用以限制本揭露的保護範圍。為清楚說明以及方便理解，針對本揭露不同實施例之間相同或類似的功能或元件將不重複敘述或示標示於圖中。並且不同實施例中的不同元件或是技術特徵，在不相互衝突的前提下，進行組合或置換得到新的實施例仍屬於本揭露的保護範圍。

當晶圓的厚度小於100微米時，黏貼於晶圓上的膠膜已無法對晶圓提供足夠的支承能力。參考圖1，圖1是依據現有技術的一晶圓框架單元100的立體示意圖。晶圓框架單元100包含晶圓21、膠膜23以及框架25。晶圓21具有相對的第一表面21A以及第二表面21B。晶圓21的第一表面21A可為晶圓正面，而第二表面21B可為晶圓背面。多個半導體元件22形成於第一表面21A上。膠膜23黏貼於第一表面21A上。框架25經由與晶圓21同側的方式黏貼固定於膠膜23上。

在現有技術的晶圓貼膜方式中，晶圓21和框架25位在膠膜23的同側。由於框架25具有一定的厚度，因此當對晶圓21的第二表面21B進行研磨時，所使用框架25的高度必須低於晶圓21最終的研磨厚度，造成框架25在使用上的限制。此外，當晶圓21和框架25位在膠膜23同側的情況下進行研磨，當框架25下壓時會拉扯到膠膜23，導致膠膜23無法與晶圓21確實的貼合，反而對晶圓21產生應力，失去了框架25對晶圓21保護的目的，容易造成晶圓21邊裂或破片。

圖2是依據本揭露的一些實施例所繪製的晶圓研磨方法200的流程圖。參考圖2，方法200包含步驟101、103、105、107、109及111。圖3至圖10以及圖13至圖18分別是依據本揭露的一些實施例所繪製的晶圓研磨方法200中的操作步驟示意圖。

在步驟101中，提供晶圓1，如圖3所示。在一些實施例中，晶圓1包括半導體材料，例如矽、砷化鎵、碳化矽、氮化鎵、藍寶石(氧化鋁)等材料的晶圓基板，包括但不限於鍺、硒、磷化鎵、銻化銦、磷化銦、砷化銦、銻化鎵、氧化鋅、鈦酸鍶、氧化鎂、鋁酸鑭、鈮酸鋰、鉭酸鋰、硼矽酸、石墨烯、鍍層矽晶片、石英基板或氧化銦錫基板等。在一些實施例中，晶圓1也可以非半導體材料取代，包括但不限於玻璃基板、光電基板、陶瓷基板或金屬基板等。

在一些實施例中，晶圓1具有相對的第一表面1A以及第二表面1B。在一些實施例中，晶圓1的第一表面1A為晶圓正面並以第二表面1B為晶圓背面。在一些實施例中，晶圓1為圓形。在其他實施例中，晶圓1的外形並不限定為圓形，其他具有薄化或移載需求之不同形式的晶圓，例如四邊形或多邊形，皆可包括在本揭露的範圍內。

在一些實施例中，多個半導體元件2形成於第一表面1A上，半導體元件2包括主動元件或被動元件，該主動與被動電子元件彼此電性連接以形成不同的功能性電路。在一些實施例中，半導體元件2可包含各種電晶體，例如N型金屬氧化物半導體(N metal-oxide-semiconductor, NMOS)以及/或P型金屬氧化物半導體(P metal-oxide-semiconductor, PMOS)裝置。在一些實施例中，半導體元件2可包括例如整流器、真空管、電容器、電阻器、二極體(diode)或發光二極體(light-emitting diode, LED)等裝置，應用於微機電系統(microelectromechanical systems, MEMS)、互補式金屬氧化物半導體(complementary metal-oxide-semiconductor, CMOS)、三維積體電路(three-dimensional integrated circuit, 3DIC)、記憶體晶片、邏輯晶片、電源管理(power management)晶片、射頻(RF)晶片、半導體中介層(semiconductor interposer)、肖特基二極體(Schottky diode)或絕緣閘雙極電晶體(insulated gate bipolar transistor, IGBT)等領域之中。

參考圖2，在步驟103中，將膠膜3黏貼於晶圓1上(見圖4~圖6)。參考圖4，在一些實施例中，提供承載裝置400作為半導體加工裝置，以將膠膜3黏貼於晶圓1上。在一些實施例中，承載裝置400包括中心區14以及周圍區15。中心區14為從俯視觀之為一圓形平台，是用於承載晶圓1的主要區域，周圍區15為一圍繞中心區14的環形平台。在一些實施例中，中心區14的寬度(或直徑)大致上與晶圓1的直徑相等。在一些實施例中，中心區14與周圍區15相連，兩者之間具有一溝槽16。在一些實施例中，溝槽16為環狀，並圍繞中心區14。

繼續參考圖4，中心區14具有表面14a，周圍區15具有表面15a，溝槽16具有表面16a。在一些實施例中，中心區14包括一升降平台18，可調整表面14a的高度T1以控制其上所承載的晶圓1的垂直位置。此外，藉由調整高度T1，可以使得表面15a高於表面14a一距離S1。在一些實施例中，距離S1是可調整的，以適應不同晶圓1的厚度以及不同的製程需求。在一些實施例中，中心區14具有一吸附件13，位於表面14a的下方，且位於升降平台18的上方，例如是真空吸附裝置，可以提供對晶圓1之吸附力，以固定晶圓1於中心區14上。在一些實施例中，周圍區15具有一真空吸附裝置或磁性吸附裝置(可以是磁鐵或電磁鐵)，可以提供對於框架5之點、線、或面的吸附，以固定框架5於周圍區15上。在一些實施例中，周圍區15具有一底座9、一紫外光源10以及一透光材料11。紫外光源10位於底座9的上方，用以提供至少一波長以作為固化或解膠的用途。透光材料11位於紫外光源10的上方以及表面15a的下方。在一些實施例中，透光材料11包括，但不限於玻璃或石英材料。在一些實施例中，可以根據不同的製程需求，在溝槽16內也可以設置紫外光源10和透光材料11，其中透光材料11位於紫外光源10的上方以及表面16a的下方。

參考圖5，在一些實施例中，將晶圓1以第一表面1A朝上的方式放置在中心區14上，此時晶圓1的第二表面1B面對中心區14的表面14a，並且被吸附件13吸附。在一些實施例中，在放置晶圓1於中心區14之後，在周圍區15的表面15a表面為低黏著性材質，得以升降平台18調整高度T1，使得晶圓1的第一表面1A與位在表面15a上，大致具有相同的水平面。在一些實施例中，在放置晶圓1於中心區14之後，可以在周圍區15的表面15a塗佈離型劑12，離型劑12是一種可藉由例如照光或加熱減低其黏性的黏著劑。在一些實施例中，在塗佈離型劑12之後，以升降平台18調整高度T1，使得晶圓1的第一表面1A與位在表面15a上的離型劑12大致具有相同的水平面。

參考圖6，使用膠膜3黏貼於位於承載裝置400上的晶圓1。在一些實施例中，膠膜3是適於研磨薄化之專用膠膜，不具有延展性。在另外一些實施例中，膠膜3也可以具有延展性而能輕易拉伸。在一些實施例中，膠膜3包括但不限於聚合物材料，例如聚醯亞胺(polyimide, PI)、聚烯烴(polyolefin, PO)、聚丙烯(polypropylene, PP)、聚乙烯(polyethylene, PE)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚氨酯(polyurethane, PU)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(ethylene vinyl acetate, EVA)、聚氯乙烯(poly vinyl chloride, PVC)、聚苯乙烯(polystyrene, PS)或聚醚(polyether sulfone, PES)等。膠膜3具有相對的表面3A以及表面3B。在一些實施例中，膠膜3以表面3A面對第一表面1A的方式黏貼於晶圓1上，同時，膠膜3的表面3A也透過離型劑12黏貼於周圍區15上。在一些實施例中，當膠膜3需要自周圍區15移開時，可透過照光或加熱離型劑12，以減低離型劑12的黏著性，如此表面3A和表面15a之間的黏著力會降低，膠膜3可輕易從周圍區15移開。在另外一些實施例中，也可以僅透過表面3A與表面3B之間的附著力強弱差異，將膠膜3可從周圍區15移開。

在一些實施例中，可以透過升降平台18調整高度T1，使得晶圓1的第一表面1A與表面15a大致具有相同的水平面。在一些實施例中，當膠膜3需要自周圍區15移開時，可透過照光或加熱於膠膜3與周圍區15的接觸處，以使膠膜3從周圍區15移開。在一些實施例中，可以根據晶圓1的厚度，精密地調整高度T1以改變表面14a的高度，使得膠膜3在中心區14與在周圍區15的高度實質上相等，以使膠膜3呈現水平。在一些實施例中，溝槽16可以提供一空隙使膠膜3不完全黏貼於承載裝置400上，以減少膠膜3與離型劑12之間的黏著力，便於將膠膜3連同晶圓1從承載裝置400上移開。

參考圖2，在步驟105中，將框架5固定於膠膜3上，如圖7~10所示。參考圖7，在一些實施例中，將黏著劑7塗佈於位在周圍區15上的膠膜3的底面3B上。在一些實施例中，黏著劑7可為溶劑型、熱固型或UV型的固態、液態、或膠膜形式之黏著劑。

參考圖8，將框架5以對準黏著劑7的方式，放置在周圍區15上。在一些實施例中，框架5具有一高度R1，從俯視觀之呈現環狀。在一些實施例中，框架5圍繞晶圓1以及中心區14，並與晶圓1分別設置於膠膜3的相對側。在其他一些實施例中，也可以預先將黏著劑7塗佈於框架5的底面，再以框架5的底面面對表面3B的方式放置於膠膜3上。在一些實施例中，膠膜3除了黏貼在晶圓1的第一表面1A，還延伸至框架5的外緣以外的範圍，因此框架5的底面均能完整地包含於膠膜3的範圍內。在一些實施例中，框架5與晶圓1是以同心圓的方式分別放置在承載裝置400的周圍區15和中心區14上。

參考圖9，開啟紫外光源10，以產生一紫外光hv1通過透光材料11。在一些實施例中，黏著劑7受到紫外光hv1的照射發生光化學反應因而固化，使得框架和膠膜3能緊密黏貼。在一些實施例中，膠膜3經由框架5的固定，獲得足夠的張力，得以維持一絕對平面的基礎，以支撐並保護晶圓1。

參考圖10，在一些實施例中，當框架5與膠膜3緊密固定後，將膠膜3位於框架5外緣的部分移除。在一些實施例中，可使用一切割工具(圖未示)以切割方向C1沿著一切割道裁切膠膜3。在一些實施例中，該切割道是框架5的最外緣，以切割工具沿著框架5的最外緣裁切膠膜3，可使得膠膜3的裁切邊緣與框架5的最外緣切齊，以移除多餘的膠膜3，並且剩餘的膠膜3黏著固定於框架3上。在一些實施例中，膠膜3被裁切後的邊緣可與框架5的最外緣切齊或內縮於框架5內。

圖11是依據本揭露的一些實施例所繪製的晶圓框架單元150的立體示意圖。當完成步驟105後，晶圓1、膠膜3以及框架5形成晶圓框架單元150。在一些實施例中，可以透過機械手臂或人為方式對晶圓框架單元150進行翻面。圖11所示的晶圓框架單元150是以第一表面1A朝上的方式放置。在一些實施例中，可以對晶圓框架單元150進行運送、移載或研磨或其他製程。

圖12是依據本揭露的一些實施例所繪製的晶圓框架單元150的側視示意圖。圖12所示的晶圓框架單元150是以第二表面1B朝上的方式放置。本揭露所採用黏貼框架5的技術，框架5與晶圓1是分別設置於膠膜3的相對側，在此種配置下，無須考慮框架5與晶圓1的相對厚度，晶圓1即能凸出而進行後續製程，例如研磨製程。與圖1的現有技術相比，此方法可有效進行晶圓背面薄化製程，而無須將框架5擠壓以求露出晶圓1的第二表面1B，因而省去其他繁複或昂貴的製程，可達到低成本並可靠的優點。

參考圖2，在步驟107中，對晶圓1進行研磨，如圖13~14所示。參考圖13，在一些實施例中，提供研磨裝置500作為半導體加工裝置，其中研磨裝置500包括加工固定部32以及研磨部34，兩者互相分離。在一些實施例中，加工固定部32包括中心區31以及周圍區33，周圍區33圍繞中心區31，兩者具備不同的平面。具體而言，中心區31具有一頂表面31A，周圍區33具有一低於頂表面31A的頂表面33A，頂表面31A和頂表面33A之間具有距離D1，得以容置框架5。在一些實施例中，可以透過調整中心區31以及周圍區33兩者相對的平面高度來控制該距離D1，以對應於框架5在不同應用下的不同高度R1。在一些實施例中，頂表面31A和頂表面33A之間的距離D1與框架5的高度R1實質上相等。在一些實施例中，研磨部34具有研磨軸35和與研磨軸35相連的研磨磨具36。研磨磨具36具有實質平坦表面的平台。研磨磨具36可由任何適合的物質組成，例如但不限於鑽石砂輪、聚氨酯塊、聚氨酯切片、聚氨酯浸漬的聚酯氈等之研拋砥粒磨具。

繼續參考圖13，在一些實施例中，中心區31具有一吸附件41，位於頂表面31A的下方，例如是真空吸附裝置，可以提供對晶圓1之吸附力，以固定晶圓1於中心區31上。在一些實施例中，周圍區33具有一吸附件43，位於頂表面33A的下方，例如磁性裝置(可以是磁鐵或電磁鐵)或真空吸附裝置，可以提供對於框架5之點、線、或面的吸附力，以固定框架5於周圍區33上。透過中心區31的吸附件41和周圍區33的吸附件43，得以利用反向支撐的方式將晶圓框架單元150固定於加工固定部32上。在一些實施例中，在研磨裝置500中，使晶圓1的第二表面1B面對研磨部34的研磨磨具36。在一些實施例中，研磨部34可以根據製程的需求而移動，調整與加工固定部32之間的距離。

參考圖14，在一些實施例中，當晶圓框架單元150固定於加工固定部32之後，框架5會從周圍環繞該加工固定部32的中心區31，並且晶圓1的第二表面1B會面對研磨磨具36，此時，晶圓1的中心與研磨磨具36的旋轉中心僅距離一預定的距離。接著，研磨部34得以一可調的進擊速度接近晶圓1，直到研磨磨具36與晶圓1的第二表面1B抵接，藉此開始進行研磨。隨著研磨軸35的旋轉，研磨磨具36也以繞Z軸方向進行旋轉。在一些實施例中，研磨磨具36會對晶圓1的第二表面1B施以一應力抵接。隨著研磨磨具36的快速旋轉，研磨磨具36與第二表面1B的抵接處會發生精密的研磨並產生第二表面1B研磨後的殘削，晶圓1在研磨過程中慢慢薄化，同時晶圓厚度W1也因此逐漸變小。在一些實施例中，研磨軸35可以以一可調速度帶動研磨磨具36旋轉，可調速度得以根據第二表面1B預定被研磨掉的厚度進行調整。在另外一些實施例中，在研磨磨具36旋轉的過程中，晶圓1也會進行旋轉，藉此可以進行更精密的研磨。

在一些實施例中，當晶圓1經過研磨裝置500研磨後，薄化後的晶圓1仍固定於晶圓框架單元150上。在研磨部34對晶圓1進行研磨的過程中，框架5可固定膠膜3並維持膠膜3的平整性，提供膠膜3足夠的張力，可使膠膜3的外形不致受到損壞。此外，晶圓1經由膠膜3的貼覆及框架5的支撐，可提供研磨時的保護與承載力。另一方面，晶圓框架單元150是以框架5和晶圓1分別設置於膠膜3的相反側的方式設置於研磨裝置500上，可使研磨部34在對晶圓1的第二表面1B進行研磨加工的過程中，減少膠膜在研磨過程中因拉扯而導致晶圓破損的機率，因而可以獲得晶圓1較佳之的薄化品質。

參考圖2，在步驟109中，移載晶圓，如圖15~17所示。參考圖15，在一些實施例中，提供移載裝置600，移載裝置600包括第一吸附部61、第二吸附部62以及連接部65，第一吸附部61和第二吸附部62透過連接部65相連。在一些實施例中，第一吸附部61用以吸附晶圓1，因此第一吸附部61的寬度或直徑大致上與晶圓1的直徑相等。在一些實施例中，第二吸附部62圍繞第一吸附部61，並且具有環狀結構。

在一些實施例中，第一吸附部61和第二吸附部62兩者具備不同的平面高度。具體而言，第一吸附部61具有一頂表面61A，第二吸附部62具有一頂表面62A，頂表面61A和頂表面62A之間具有一高度差H1。在一些實施例中，第一吸附部61可以藉由連接部65調整高度差H1。在一些實施例中，高度差H1與厚度W1實質上相等。

參考圖16，在一些實施例中，第一吸附部61具有一吸附件，例如是真空吸附裝置，可以提供對晶圓1之吸附力，以固定晶圓1於第一吸附部61上。在一些實施例中，第二吸附部62具有一真空吸附裝置或磁性吸附裝置(可以是磁鐵或電磁鐵)，可以提供對於框架5之點、線、或面的吸附，以固定框架5於第二吸附部62上。透過第一吸附部61和第二吸附部62的吸附裝置，可以將晶圓框架單元150以第二表面1B朝上的方式，固定於移載裝置600上。在一些實施例中，晶圓框架單元150可透過移載裝置600進行移載，例如移載裝置600可運送晶圓框架單元150，並將晶圓框架單元150移載入研磨裝置500或移載出研磨裝置500，但不限於此。在其他一些實施例中，也可以透過其他方式，例如以人力或機械手臂將晶圓框架單元150放置於研磨裝置500上，待晶圓薄化後，再以移載裝置600將晶圓框架單元150移載出研磨裝置500。在一些實施例中，當移載裝置600移載晶圓框架單元150時，連接部65會升降第一吸附部61，以隨時調整高度差H1，以對應研磨前後不同的晶圓厚度W1。

參考圖17，圖17所示為晶圓1完成研磨薄化後，透過移載裝置600將晶圓框架單元150移載出加工固定部32的示意圖。此時，中心區31和周圍區33的距離D1與框架5的高度R1大致上相等，同時，第一吸附部61和第二吸附部62的高度差H1，也與薄化後的晶圓厚度W1大致上相等。移載裝置600以晶圓1的第二表面1B朝上之反向的方式，將晶圓1移載出加工固定部32，並將晶圓1運送至後續製程。

在一些實施例中，當晶圓1完成研磨薄化後，會再對晶圓1進行晶圓背面濕蝕刻(backside wet etching)，藉以去除因研磨產生的晶圓破壞層，並釋放研磨應力。

參考圖2，在步驟111中，對膠膜3進行解膠，如圖18所示。在一些實施例中，當晶圓1完成研磨薄化後，可以對晶圓框架單元150進行一解膠製程。圖18所示為以第二表面1B朝上的方式放置的晶圓框架單元150，透過例如，紫外光hv2照射晶圓框架單元150，以使膠膜3和框架5之間的黏著劑7與紫外光hv2發生光化學反應而去除黏著劑7的黏著性。藉此，可將框架5與研磨後的晶圓1分離，完成晶圓背面研磨製程。

在一些實施例中，承載裝置400、研磨裝置500和移載裝置600可分別與晶圓框架單元150結合使用，提供對晶圓1的承載、研磨和移載之用途，三個用途可以緊密結合，例如根據步驟S101至步驟S111的完整流程以完成晶圓1的薄化加工。在其他一些實施例中，承載裝置400、研磨裝置500或移載裝置600三者也可以獨立運作，根據實際的需求僅使用承載裝置400、研磨裝置500或移載裝置600其中的一或兩者。在一些實施例中，可以僅根據步驟S101至步驟S105，使用承載裝置400用於承載晶圓1以形成晶圓框架單元150，其中晶圓框架單元150可用於其他製程。在一些實施例中，可以僅根據步驟S107，使用研磨裝置500提供對晶圓1的研磨用途，其中晶圓框架單元150可以由步驟S101至S105提供，或由其他步驟提供。在一些實施例中，可以僅根據步驟S109，使用移載裝置600提供對薄化前或薄化後的晶圓1的移載用途。

雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述的製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述的對應實施例具有相同功能或是達到實質相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟是包含於本申請案之申請專利範圍內。

1,21:晶圓 1A,21A:第一表面 1B,21B:第二表面 2,22:半導體元件 3,23:膠膜 3A:膠膜正面 3B:膠膜背面 5,25:環狀框架 7,27:黏著劑 9:底座 10:紫外光源 11:透光材料 12:離型物質 400:承載裝置 13:吸附件 14,31:中心區 15,33:周圍區 16:溝槽 18:升降平台 14a,15a,16a:表面 C1:切割方向 100,150:晶圓框架單元 500:研磨裝置 32:加工固定部 34:研磨部 35:研磨軸 36:研磨磨具 31A,33A,61A,62A:頂表面 hv1,hv2:紫外光 S1,D1:距離 T,R1:高度 H1:高度差 W1:厚度 600:移載裝置 61:第一吸附部 62:第二吸附部 65:連接部 101,103,105,107,109,111:步驟 200:方法

參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。

圖1是依據現有技術的一比較例所繪製的晶圓框架單元的立體示意圖。

圖2是依據本揭露的一些實施例所繪製的晶圓加工方法的流程圖。

圖3至圖10分別是依據本揭露的一些實施例所繪製根據圖2的晶圓加工方法中的操作步驟示意圖。

圖11是依據本揭露的一些實施例所繪製的晶圓框架單元的立體示意圖

圖12是依據本揭露的一些實施例所繪製的晶圓框架單元的側視示意圖。

圖13至圖18分別是依據本揭露的一些實施例所繪製根據圖2的晶圓加工方法中的操作步驟示意圖。

9:底座

10:紫外光源

11:透光材料

13:吸附件

14:中心區

15:周圍區

16:溝槽

18:升降平台

14a,15a,16a:表面

400:承載裝置

S1:距離

T1:高度

Claims (10)

1. 一種半導體加工裝置，包括： 一中心區，其用以承載一晶圓，該中心區具有一第一表面；以及 一周圍區，其圍繞該中心區並用以承載一框架，該周圍區具有一高於該第一表面的第二表面。
2. 如請求項1所述的半導體加工裝置，其中該中心區從俯視觀之大致呈圓形。
3. 如請求項1所述的半導體加工裝置，其中該中心區包括一第一吸附件用以吸附該晶圓，該第一吸附件位於該第一表面的下方。
4. 如請求項3所述的半導體加工裝置，其中該第一吸附件具有一真空吸附裝置。
5. 如請求項1所述的半導體加工裝置，更包括一溝槽，設置在該中心區與該周圍區之間，其中該溝槽圍繞該中心區。
6. 一種半導體加工裝置，包括： 一中心區，其用以承載一晶圓，該中心區具有一第一表面；以及 一周圍區，其圍繞該中心區並用以承載一框架，該周圍區具有一低於該第一表面的第二表面。
7. 如請求項6所述的半導體加工裝置，其中該第一表面與該第二表面的一距離與該框架的一高度實質上相等。
8. 如請求項6所述的半導體加工裝置，其中該中心區包括一第一吸附件用以吸附該晶圓，該第一吸附件位於該第一表面的下方。
9. 如請求項6所述的半導體加工裝置，其中該周圍區包括一第二吸附件用以吸附該框架，該第二吸附件位於該第二表面下方。
10. 如請求項9所述的半導體加工裝置，其中該第二吸附件具有一真空或磁性裝置。

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