JP2015207718A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015207718A JP2015207718A JP2014088626A JP2014088626A JP2015207718A JP 2015207718 A JP2015207718 A JP 2015207718A JP 2014088626 A JP2014088626 A JP 2014088626A JP 2014088626 A JP2014088626 A JP 2014088626A JP 2015207718 A JP2015207718 A JP 2015207718A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- semiconductor device
- protective tape
- manufacturing
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 119
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 43
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 34
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 20
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 20
- -1 amine imide Chemical class 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 5
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- ROGIWVXWXZRRMZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 ROGIWVXWXZRRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical class NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-O Thiophenium Chemical class [SH+]1C=CC=C1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- UENWRTRMUIOCKN-UHFFFAOYSA-N benzyl thiol Chemical class SCC1=CC=CC=C1 UENWRTRMUIOCKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical class NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000012933 diacyl peroxide Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002432 hydroperoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005634 peroxydicarbonate group Chemical class 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】突起電極の破損を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、グラインド処理面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、硬化工程が、ダイシング処理工程前に行われる。
【選択図】図１
【解決手段】
突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、グラインド処理面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、硬化工程が、ダイシング処理工程前に行われる。
【選択図】図１
Description
本発明は、前工程後のウエハを個々の半導体チップに切り分ける半導体装置の製造方法に関する。
従来、フリップチップ実装用の半導体製造プロセスの後工程は、次のように行われている。先ず、複数の突起電極が形成されたウエハの突起電極形成面に、バックグラインドテープと呼ばれる粘着シート又はテープを貼り合わせ、この状態で突起電極形成面の反対面を所定の厚さにまで研削する。研削終了後、バックグラインドテープを剥離し、ウエハをダイシングして個々の半導体チップとする。次いで、半導体チップを、他の半導体チップ又は基板上にフリップチップ実装する。また、先供給型又は後供給型のアンダーフィルを硬化して半導体チップを補強する。
しかしながら、近年、半導体チップの厚みが５０μｍｔ以下と薄くなっているため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、外圧により、半導体チップの突起電極が破損することがあった。
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、突起電極の破損を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
前述した課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する貼付工程と、前記保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、前記グラインド処理面に粘着テープを貼付する工程と、前記粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、前記接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、前記硬化工程が、前記ダイシング処理工程前に行われることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置は、突起電極と突起電極形成面に形成された接着剤層とを有する半導体チップと、前記突起電極に対向する電極を有する回路基板とを備えることを特徴とする。
また、本発明は、前述の半導体装置の製造方法に用いられる保護テープであって、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されてなることを特徴とする。
本発明によれば、ダイシング処理工程前に突起電極が形成されたウエハ面の接着剤層が硬化して突起電極が補強されるため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、突起電極の破損を低減させることができる。
以下、本発明の実施の形態について、下記順序にて詳細に説明する。
１．半導体装置の製造方法
２．実施例
１．半導体装置の製造方法
２．実施例
＜１．半導体装置の製造方法＞
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、グラインド処理面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、硬化工程が、ダイシング処理工程前に行われるものである。すなわち、硬化工程は、グラインド処理工程、粘着テープ貼付工程、又はダイシング処理工程のいずれかの工程前に行われる。
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、グラインド処理面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、硬化工程が、ダイシング処理工程前に行われるものである。すなわち、硬化工程は、グラインド処理工程、粘着テープ貼付工程、又はダイシング処理工程のいずれかの工程前に行われる。
保護テープの接着剤層の接着剤は、例えば、熱アニオン硬化型、熱カチオン硬化型、熱ラジカル硬化型などの熱硬化型、光カチオン硬化型、光ラジカル硬化型などの光硬化型、又はこれらを併用して略同一に用いる熱／光硬化型のものを用いることができる。
また、保護テープは、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されており、グラインド処理工程後に、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層をと剥離する剥離工程をさらに有することが好ましい。すなわち、剥離工程は、グラインド処理工程、粘着テープ貼付工程、又はダイシング処理工程のいずれかの工程後に行われる。これにより、接着剤層を突起電極が形成されたウエハ面に転着させることができ、突起電極形成面を補強することができる。
また、剥離工程後に、突起電極上の接着剤の残渣を除去する除去工程をさらに有することが好ましい。これにより、実装時の接続不良を防止することができる。また、除去工程は、硬化工程後に行われることが好ましい。これにより、接着剤の残渣を簡便に取り除くことができる。
このような半導体装置の製造方法によれば、ダイシング処理工程前に突起電極が形成されたウエハ面の接着剤層が硬化して突起電極が補強されるため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、突起電極の破損を低減させることができる。
以下、具体的な半導体装置の製造方法について説明する。具体例として示す半導体装置の製造方法は、保護テープの接着剤層が、熱硬化型であり、硬化工程が、粘着テープ貼付工程とダイシング処理工程との間に行われるものである。すなわち、具体例として示す半導体装置の製造方法は、接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程（Ａ）と、グラインド工程（Ｂ）と、粘着テープ貼付工程（Ｃ）と、保護テープ剥離工程（Ｄ）と、接着剤層を硬化させる硬化工程（Ｅ）と、ダイシング処理工程（Ｆ）と、エキスパンド工程（Ｇ）と、ピックアップ工程（Ｈ）と、実装工程（Ｉ）とを有する。
［保護テープ］
図１は、保護テープの概略を示す断面図である。保護テープ１０は、バックグラインドテープ（Back Grind Tape）と呼ばれるものであり、グラインド工程において、傷、割れ、汚染などからウエハを保護するものである。図１に示すように、保護テープ１０は、接着剤層１１と、熱可塑性樹脂層１２と、基材フィルム層１３とがこの順に積層されている。
図１は、保護テープの概略を示す断面図である。保護テープ１０は、バックグラインドテープ（Back Grind Tape）と呼ばれるものであり、グラインド工程において、傷、割れ、汚染などからウエハを保護するものである。図１に示すように、保護テープ１０は、接着剤層１１と、熱可塑性樹脂層１２と、基材フィルム層１３とがこの順に積層されている。
接着剤層１１としては、熱硬化型のものであれば特に限定されず、例えば、カチオン硬化型の接着剤、ラジカル硬化性樹脂などを用いることができる。カチオン硬化型の接着剤は、熱カチオン重合開始剤と、カチオン重合開始剤とを含有し、また、ラジカル硬化型の接着剤は、ラジカル硬化性樹脂と、熱ラジカル重合開始剤とを含有する。
カチオン硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、脂環式エポキシ樹脂それらの変性エポキシ樹脂などが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
熱カチオン重合開始剤としては、例えば、ベンジルスルホニウム塩、チオフェニウム塩、チオラニウム塩、ベンジルアンモニウム塩、ピリジニウム塩、ヒドラジニウム塩、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル、アミンイミドなどが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
ラジカル硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ（メタ）アクリレート類、ウレタン（メタ）アクリレート類、（メタ）アクリレートオリゴマーなどが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
熱ラジカル重合開始剤としては、過酸化物、アゾ化合物などが挙げられる。過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物などが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、接着剤には、その他の成分として、膜形成樹脂、硬化促進剤、シランカップリング剤、無機フィラー、アクリルゴムなどのエラストマー、カーボンブラックなどの顔料を、目的に応じて適宜配合するようにしてもよい。膜形成樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、スチレンイソプレン樹脂、ニトリルブタジエン樹脂などが挙げられる。
また、接着剤層１１の最低溶融粘度は、５００Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。最低溶融粘度が低すぎると、保護テープ貼付工程（Ａ）において、ボイドが発生することがあり、最低溶融粘度が高すぎると、接着剤層を突起電極が貫通せず、接着剤を突起電極間に充填することが困難となる。
また、接着剤層１１の６０℃での弾性率は、１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、好ましくは１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。弾性率が小さすぎても大きすぎても突起電極への接着剤層１１の埋め込み性が悪くなる。
また、接着剤層１１の厚みは、ウエハに形成された突起電極の高さの１０％以上８０％以下、好ましくは、３０％以上６０％以下である。接着剤層１１の厚みが小さすぎると突起電極の補強の効果が得られず、厚みが大きすぎると突起電極が貫通しないことがある。
熱可塑性樹脂層１２としては、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ：Ethylene Vinyl Acetate）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、フッ素樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリフェニレンオキサイドなどを挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
基材フィルム層１３としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。
なお、保護テープは、前述の構成に限られることなく、各層の表面や隣接する層間に他の層を形成してもよい。
［（Ａ）保護テープ貼付工程］
図２は、保護テープ貼付工程の概略を示す断面図である。保護テープ貼付工程では、突起電極２２が形成されたウエハ２１面に保護テープ１０を貼り付ける。
図２は、保護テープ貼付工程の概略を示す断面図である。保護テープ貼付工程では、突起電極２２が形成されたウエハ２１面に保護テープ１０を貼り付ける。
ウエハ２１は、シリコンなどの半導体表面に形成された集積回路と、バンプと呼ばれる接続用の突起電極２２とを有する。ウエハ２１の厚みは、特に限定されないが、好ましくは２００μｍ以上１０００μｍ以下である。
突起電極２２としては、特に限定はされないが、例えば、はんだによる低融点バンプ又は高融点バンプ、錫バンプ、銀−錫バンプ、銀−錫−銅バンプ、金バンプ、銅バンプなどが挙げられる。また、突起電極２２の高さは、特に制限はされないが、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下である。
保護テープ１０は、突起電極２２の形成面と接着剤層１１とが接する状態で貼り合わされる。保護テープ１０の接着剤層１１の厚みは、突起電極２２の高さの１０％以上８０％以下であるため、突起電極２２は、接着剤層１１を突き抜け、熱可塑性樹脂層１２に埋め込まれる。
保護テープ貼付工程では、真空加圧式ラミネータを用いて保護テープをウエハ面にラミネートすることが好ましい。これにより、ボイドの発生を抑制しながら、接着剤を突起電極間に充填することができる。また、貼付温度は、ボイドの減少、ウエハ密着性の向上およびウエハ研削後の反り防止の観点から、２５℃以上１００℃以下、好ましくは４０℃以上８０℃以下である。
［（Ｂ）グラインド工程］
図３は、グラインド工程の概略を示す断面図である。グラインド工程では、保護テープ１０貼付面の反対面をグラインド処理する。保護テープ１０を貼り付けたウエハ２１の反対面を研削装置に固定して研磨する。研磨は通常、ウエハ２１の厚みが５０μｍ以上６００μｍ以下になるまで行うが、本実施の形態では、接着剤層１１により突起電極２２が補強されるため、５０μｍ以下の厚さにまで研磨してもよい。
図３は、グラインド工程の概略を示す断面図である。グラインド工程では、保護テープ１０貼付面の反対面をグラインド処理する。保護テープ１０を貼り付けたウエハ２１の反対面を研削装置に固定して研磨する。研磨は通常、ウエハ２１の厚みが５０μｍ以上６００μｍ以下になるまで行うが、本実施の形態では、接着剤層１１により突起電極２２が補強されるため、５０μｍ以下の厚さにまで研磨してもよい。
［（Ｃ）粘着テープ貼付工程］
図４は、粘着テープ貼付工程の概略を示す断面図である。粘着テープ貼付工程では、グラインド処理面に粘着テープ３０を貼付する。粘着テープ３０は、ダイシングテープ（Dicing Tape）と呼ばれるものであり、ダイシング工程（Ｆ）において、ウエハ２１を保護、固定し、ピックアップ工程（Ｈ）まで保持するためのテープである。
図４は、粘着テープ貼付工程の概略を示す断面図である。粘着テープ貼付工程では、グラインド処理面に粘着テープ３０を貼付する。粘着テープ３０は、ダイシングテープ（Dicing Tape）と呼ばれるものであり、ダイシング工程（Ｆ）において、ウエハ２１を保護、固定し、ピックアップ工程（Ｈ）まで保持するためのテープである。
粘着テープ３０としては、特に限定されず、公知のものを使用することができる。一般に、粘着テープ３０は、粘着剤層３１と、基材フィルム層３２とを有する。粘着剤層３１としては、例えば、ポリエチレン系、アクリル系、ゴム系、ウレタン系などの粘着剤が挙げられる。また、基材フィルム層３２としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。また、粘着テープの貼付装置及び条件としては、特に限定されず、公知の装置及び条件が用いられる。
［（Ｄ）保護テープ剥離工程］
図５は、保護テープ剥離工程の概略を示す断面図である。保護テープ剥離工程では、保護テープ１０の熱可塑性樹脂層１２及び基材フィルム層１３を剥離する。すなわち、熱可塑性樹脂層１２及び基材フィルム層１３が除去され、ウエハ２１上には接着剤層１１のみが残る。
図５は、保護テープ剥離工程の概略を示す断面図である。保護テープ剥離工程では、保護テープ１０の熱可塑性樹脂層１２及び基材フィルム層１３を剥離する。すなわち、熱可塑性樹脂層１２及び基材フィルム層１３が除去され、ウエハ２１上には接着剤層１１のみが残る。
［（Ｅ）硬化工程］
図６は、硬化工程の概略を示す断面図である。硬化工程では、接着剤層１１を硬化させる。硬化方法及び硬化条件としては、熱硬化型の接着剤を硬化させる公知の方法を用いることができる。
図６は、硬化工程の概略を示す断面図である。硬化工程では、接着剤層１１を硬化させる。硬化方法及び硬化条件としては、熱硬化型の接着剤を硬化させる公知の方法を用いることができる。
また、硬化工程後に突起電極２２上の接着剤の残渣を除去する除去工程をさらに有することが好ましい。これにより、実装時の接続不良を防止することができる。また、除去工程では、砥粒を用いて研磨することが好ましい。これにより、接着剤の残渣を完全に除去することができる。また、砥粒の平均粒径は、３μｍ以下であることが好ましい。これにより、突起電極２２の削れを抑制することができる。
［（Ｆ）ダイシング処理工程］
図７は、ダイシング処理工程の概略を示す断面図である。ダイシング処理工程では、粘着テープ３０が貼付されたウエハ２１をダイシング処理し、個片の半導体チップを得る。ダイシング方法としては、特に限定されず、例えばダイシングソーでウエハ２１を切削して切り出すなどの公知の方法を用いることができる。
図７は、ダイシング処理工程の概略を示す断面図である。ダイシング処理工程では、粘着テープ３０が貼付されたウエハ２１をダイシング処理し、個片の半導体チップを得る。ダイシング方法としては、特に限定されず、例えばダイシングソーでウエハ２１を切削して切り出すなどの公知の方法を用いることができる。
［（Ｇ）エキスパンド工程］
図８は、エキスパンド工程の概略を示す断面図である。エキスパンド工程では、例えば分割された複数個の半導体チップが貼着されている粘着テープ３０を放射方向に伸長させ、個々の半導体チップの間隔を広げる。
図８は、エキスパンド工程の概略を示す断面図である。エキスパンド工程では、例えば分割された複数個の半導体チップが貼着されている粘着テープ３０を放射方向に伸長させ、個々の半導体チップの間隔を広げる。
［（Ｈ）ピックアップ工程］
図９は、ピックアップ工程の概略を示す断面図である。ピックアップ工程では、粘着テープ３０上に貼着固定された半導体チップを、粘着テープ３０の下面より突き上げて剥離させ、この剥離された半導体チップをコレットで吸着する。ピックアップされた半導体チップは、チップトレイに収納されるか、またはフリップチップボンダーのチップ搭載ノズルへと搬送される。
図９は、ピックアップ工程の概略を示す断面図である。ピックアップ工程では、粘着テープ３０上に貼着固定された半導体チップを、粘着テープ３０の下面より突き上げて剥離させ、この剥離された半導体チップをコレットで吸着する。ピックアップされた半導体チップは、チップトレイに収納されるか、またはフリップチップボンダーのチップ搭載ノズルへと搬送される。
［（Ｉ）実装工程］
図１０は、実装工程の概略を示す断面図である。実装工程では、例えば半導体チップと回路基板とをＮＣＦ（Non Conductive Film）などの回路接続材料を用いて接続する。回路基板としては、特に限定されないが、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板などのプラスチック基板、セラミック基板などを用いることができる。また、接続方法としては、加熱ボンダー、リフロー炉などを用いる公知の方法を用いることができる。また、この実装工程では、半導体チップの突起電極形成面に接着剤層１１が形成されているため、ボイドを抑制することができる
図１０は、実装工程の概略を示す断面図である。実装工程では、例えば半導体チップと回路基板とをＮＣＦ（Non Conductive Film）などの回路接続材料を用いて接続する。回路基板としては、特に限定されないが、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板などのプラスチック基板、セラミック基板などを用いることができる。また、接続方法としては、加熱ボンダー、リフロー炉などを用いる公知の方法を用いることができる。また、この実装工程では、半導体チップの突起電極形成面に接着剤層１１が形成されているため、ボイドを抑制することができる
以上の方法により、優れた接続信頼性を有する半導体装置を歩留り良く得ることができる。また、得られる半導体装置は、突起電極と突起電極形成面に形成された接着剤層とを有する半導体チップと、突起電極に対向する電極を有する回路基板とを備える。半導体チップの突起電極形成面に接着剤層１１が形成されているため、優れた接続信頼性を得ることができる。
＜２．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、接着剤層と、熱可塑性樹脂層とを積層させた保護テープを作製した。そして、保護テープをバンプが形成されたウエハ面に貼付する貼付方法について、接着剤のバンプ間への充填状態を観察して評価した。また、バンプ上の接着剤の残渣除去方法について、バンプを観察して評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、接着剤層と、熱可塑性樹脂層とを積層させた保護テープを作製した。そして、保護テープをバンプが形成されたウエハ面に貼付する貼付方法について、接着剤のバンプ間への充填状態を観察して評価した。また、バンプ上の接着剤の残渣除去方法について、バンプを観察して評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
＜２．１ 保護テープの貼付方法について＞
バンプが形成されたウエハ面に保護テープを貼付する際の接着剤層の最低溶融粘度の影響について検討した。
バンプが形成されたウエハ面に保護テープを貼付する際の接着剤層の最低溶融粘度の影響について検討した。
［貼付方法１］
ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）からなるカバーフィルム上に、ＥＶＡ（Ethylene Vinyl Acetate）からなる熱可塑性樹脂層と、弾性率が２．５ＧＰａ、及び最低溶融粘度が５００００Ｐａ・ｓである厚み３０μｍの接着剤層とがこの順番に積層された保護テープを作製した。
ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）からなるカバーフィルム上に、ＥＶＡ（Ethylene Vinyl Acetate）からなる熱可塑性樹脂層と、弾性率が２．５ＧＰａ、及び最低溶融粘度が５００００Ｐａ・ｓである厚み３０μｍの接着剤層とがこの順番に積層された保護テープを作製した。
保護テープの接着剤層面を、はんだバンプ（φ＝２５０μｍ、Ｈ＝１５０μｍ、ピッチ＝２５０μｍ）が形成されたウエハ（サイズ：５ｃｍ×５ｃｍ×５０μｍｔ）に貼り付け、真空加圧式ラミネータでラミネートした。そして、１６０℃のオーブンで１時間キュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、はんだバンプが接着剤層を貫通していなかった。
［貼付方法２］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を１５０００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を１５０００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。
［貼付方法３］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を２０００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を２０００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。
［貼付方法４］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を５００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を５００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。
［貼付方法５］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を１００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、バンプ根元付近の接着剤にボイドが発生していた。
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を１００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、バンプ根元付近の接着剤にボイドが発生していた。
［貼付方法６］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を５００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。また、加圧式ラミネータでラミネートした以外は、貼付方法１と同様にキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、バンプ根元付近の接着剤にボイドが発生していた。
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を５００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。また、加圧式ラミネータでラミネートした以外は、貼付方法１と同様にキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、バンプ根元付近の接着剤にボイドが発生していた。
表１に、貼付方法１〜６の評価結果を一覧にして示す。
貼付方法１のように接着剤層の最低溶融粘度が高すぎた場合、バンプが接着剤層を貫通せず、貼付方法５のように接着剤層の最低溶融粘度が低すぎた場合、バンプ根元付近にボイドが発生した。また、貼付方法６のように加圧式ラミネータで保護テープをラミネートした場合も、バンプ根元付近にボイドが発生した。
一方、貼付方法２〜４のように接着剤層の最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上５００００Ｐａ・ｓ以下であり、真空加圧式ラミネータで保護テープをラミネートした場合、接着剤を良好な状態でバンプ間に充填させることができた。
＜２．１ 残渣の除去方法について＞
貼付方法３で保護テープを貼り付けたウエハのバンプ上の接着剤の残渣の除去方法について検討した。
貼付方法３で保護テープを貼り付けたウエハのバンプ上の接着剤の残渣の除去方法について検討した。
［除去方法１］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、ダイレクトプラズマモードで、１５分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、ダイレクトプラズマモードで、１５分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
［除去方法２］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、ダイレクトプラズマモードで、３０分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、ダイレクトプラズマモードで、３０分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
［除去方法３］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、反応性イオンエッチングモードで、１５分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、反応性イオンエッチングモードで、１５分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
［除去方法４］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、反応性イオンエッチングモードで、３０分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、反応性イオンエッチングモードで、３０分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。
［除去方法５］
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が９μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されていたが、バンプ削れが見られた。
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が９μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されていたが、バンプ削れが見られた。
［除去方法６］
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が３μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣はほぼ除去されていたが、一部が除去されていなかった。また、バンプ削れは見られなかった。
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が３μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣はほぼ除去されていたが、一部が除去されていなかった。また、バンプ削れは見られなかった。
［除去方法７］
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が１μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されており、バンプ削れも見られなかった。
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が１μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されており、バンプ削れも見られなかった。
［除去方法８］
保護テープを貼付せずに、バンプが形成されたウエハ面を研磨紙で５分間研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されていたが、バンプの根元付近にクラックの発生が見られた。
保護テープを貼付せずに、バンプが形成されたウエハ面を研磨紙で５分間研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されていたが、バンプの根元付近にクラックの発生が見られた。
表２に、除去方法１〜８の評価結果を一覧にして示す。
除去方法１〜５のようにプラズマドライ洗浄装置を用いた場合、バンプ上の接着剤の残渣を除去することができなかった。また、除去方法８のように保護テープを貼り付けずに研磨紙で研磨した場合、バンプの根元付近にクラックが発生した。
一方、除去方法５〜７のように砥粒を用いて研磨した場合、バンプ上の接着剤の残渣を除去することができた。また、平均粒径が３μｍ以下である砥粒を用いることにより、バンプ削れを抑制することができた。
１０ 保護テープ、１１ 接着剤層、１２ 熱可塑性樹脂層、１３ 基材フィルム層、２１ ウエハ、２２ 突起電極、３０ 粘着テープ、３１ 粘着剤層、３２ 基材フィルム層
Claims (11)
- 突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、
前記保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、
前記グラインド処理面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、
前記粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、
前記接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、
前記硬化工程が、前記ダイシング処理工程前に行われる半導体装置の製造方法。 - 前記保護テープは、前記接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されており、
前記グラインド処理工程後に、前記熱可塑性樹脂層及び前記基材フィルム層を剥離する剥離工程をさらに有する請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接着剤層の最低溶融粘度が、５００Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下である請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接着剤層の厚みが、前記突起電極の高さの１０％以上８０％以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記保護テープ貼付工程では、真空加圧式ラミネータを用いて保護テープをウエハ面にラミネートする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記剥離工程後に、前記突起電極上の接着剤の残渣を除去する除去工程をさらに有する請求項２記載の半導体装置の製造方法。
- 前記除去工程は、前記硬化工程後に行われる請求項６記載の半導体装置の製造方法。
- 前記除去工程では、砥粒を用いて研磨し、接着剤の残渣を除去する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
- 前記砥粒の平均粒径が、３μｍ以下である請求項８記載の半導体装置の製造方法。
- 突起電極と突起電極形成面に形成された接着剤層とを有する半導体チップと、
前記突起電極に対向する電極を有する回路基板と
を備える半導体装置。 - 請求項１乃至９の半導体装置の製造方法に用いられる保護テープであって、
接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されてなる保護テープ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014088626A JP6328987B2 (ja) | 2014-04-22 | 2014-04-22 | 半導体装置の製造方法 |
| TW103128013A TWI625776B (zh) | 2014-04-22 | 2014-08-15 | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and protective tape |
| KR1020167023474A KR102326106B1 (ko) | 2014-04-22 | 2014-08-18 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| PCT/JP2014/071531 WO2015162807A1 (ja) | 2014-04-22 | 2014-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014088626A JP6328987B2 (ja) | 2014-04-22 | 2014-04-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015207718A true JP2015207718A (ja) | 2015-11-19 |
| JP6328987B2 JP6328987B2 (ja) | 2018-05-23 |
Family
ID=54331993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014088626A Active JP6328987B2 (ja) | 2014-04-22 | 2014-04-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6328987B2 (ja) |
| KR (1) | KR102326106B1 (ja) |
| TW (1) | TWI625776B (ja) |
| WO (1) | WO2015162807A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017208529A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-24 | 積水化学工業株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP2018082131A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 積水化学工業株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び保護テープ |
| KR20190012792A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | (주) 예스티 | 웨이퍼 다이싱 방법 및 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템 |
| KR20190012763A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | (주) 예스티 | 웨이퍼 다이싱 방법 및 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템 |
| WO2021132679A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | リンテック株式会社 | 硬化性樹脂フィルム、複合シート、及び半導体チップの製造方法 |
| WO2021171898A1 (ja) * | 2020-02-27 | 2021-09-02 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用シート、保護膜付きチップの製造方法、及び積層物 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017077957A1 (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-11 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6816918B2 (ja) * | 2015-11-04 | 2021-01-20 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2017077809A1 (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-11 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR101877897B1 (ko) * | 2017-03-06 | 2018-07-12 | 엘비세미콘 주식회사 | 범프 구조체의 제조방법 |
| WO2020085220A1 (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP7222366B2 (ja) | 2020-01-27 | 2023-02-15 | トヨタ自動車株式会社 | 内燃機関の制御装置 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002079460A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-19 | Canon Inc | 両面研磨方法および該両面研磨方法により研磨された薄板 |
| JP2005028734A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Nitto Denko Corp | 積層シート |
| JP2007188967A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Sony Corp | 基板支持体、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010056531A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-03-11 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップ積層体の製造方法 |
| JP2011171712A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-09-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウエハ加工用接着テープ、半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| WO2012026431A1 (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | 積水化学工業株式会社 | 接着シート及び半導体チップの実装方法 |
| JP2012169484A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012253373A (ja) * | 2012-08-01 | 2012-12-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2013216804A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性樹脂組成物、フィルム状樹脂、樹脂シート、樹脂パターン、樹脂層付半導体ウェハ、樹脂層付透明基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2014157329A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
-
2014
- 2014-04-22 JP JP2014088626A patent/JP6328987B2/ja active Active
- 2014-08-15 TW TW103128013A patent/TWI625776B/zh active
- 2014-08-18 KR KR1020167023474A patent/KR102326106B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-18 WO PCT/JP2014/071531 patent/WO2015162807A1/ja active Application Filing
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002079460A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-19 | Canon Inc | 両面研磨方法および該両面研磨方法により研磨された薄板 |
| JP2005028734A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Nitto Denko Corp | 積層シート |
| JP2007188967A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Sony Corp | 基板支持体、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010056531A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-03-11 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップ積層体の製造方法 |
| JP2011171712A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-09-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウエハ加工用接着テープ、半導体ウエハ加工用接着テープ付き半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| WO2012026431A1 (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | 積水化学工業株式会社 | 接着シート及び半導体チップの実装方法 |
| JP2012169484A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013216804A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性樹脂組成物、フィルム状樹脂、樹脂シート、樹脂パターン、樹脂層付半導体ウェハ、樹脂層付透明基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2012253373A (ja) * | 2012-08-01 | 2012-12-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| WO2014157329A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017208529A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-24 | 積水化学工業株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP2018082131A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 積水化学工業株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び保護テープ |
| KR20190012792A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | (주) 예스티 | 웨이퍼 다이싱 방법 및 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템 |
| KR20190012763A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | (주) 예스티 | 웨이퍼 다이싱 방법 및 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템 |
| KR102030409B1 (ko) * | 2017-07-28 | 2019-10-10 | (주) 예스티 | 웨이퍼 다이싱 방법 및 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템 |
| KR102030398B1 (ko) * | 2017-07-28 | 2019-10-10 | (주) 예스티 | 웨이퍼 다이싱 방법 및 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템 |
| WO2021132679A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | リンテック株式会社 | 硬化性樹脂フィルム、複合シート、及び半導体チップの製造方法 |
| WO2021171898A1 (ja) * | 2020-02-27 | 2021-09-02 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用シート、保護膜付きチップの製造方法、及び積層物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201541507A (zh) | 2015-11-01 |
| KR102326106B1 (ko) | 2021-11-15 |
| JP6328987B2 (ja) | 2018-05-23 |
| TWI625776B (zh) | 2018-06-01 |
| WO2015162807A1 (ja) | 2015-10-29 |
| KR20160141707A (ko) | 2016-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6328987B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR102280578B1 (ko) | 보호 테이프 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| CN108140570B (zh) | 保护带和半导体装置的制造方法 | |
| CN107960096B (zh) | 保护带及使用其的半导体装置的制造方法 | |
| TWI729796B (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
| CN108291116B (zh) | 热固化性粘接片和半导体装置的制造方法 | |
| JP2009260226A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP5272397B2 (ja) | 接着フィルムの貼付装置及び接着フィルムの貼付方法 | |
| CN108291115B (zh) | 热固化性粘接片及半导体装置的制造方法 | |
| JP7438973B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6821392B2 (ja) | 保護テープ、及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170323 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170801 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170927 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171121 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180122 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180320 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180419 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6328987 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |