WO2019097819A1 - 半導体プロセスシートおよび半導体パッケージ製造方法 - Google Patents

半導体プロセスシートおよび半導体パッケージ製造方法 Download PDF

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WO2019097819A1
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志賀豪士
佐藤慧
高本尚英
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日東電工株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor process sheet that can be used to manufacture a semiconductor package, and a semiconductor package manufacturing method.
  • Performing a sealing process, a wiring forming process, and the like for each element in the process of manufacturing a semiconductor package tends to cause complication of the manufacturing process of the semiconductor package and an increase in cost.
  • the impact on the manufacturing cost and the like by performing the sealing step and the wiring formation step for each element becomes greater. There is a tendency.
  • the present invention is conceived under such circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor process sheet and a semiconductor package manufacturing method suitable for efficiently manufacturing a semiconductor package. .
  • a semiconductor process sheet comprises a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet and a partial sealant layer.
  • the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet has a first pressure-sensitive adhesive surface and a second pressure-sensitive adhesive surface opposite to the first pressure-sensitive adhesive surface, and between these pressure-sensitive adhesive surfaces, a pressure-sensitive adhesive layer of reduced adhesive strength, an adhesive layer, and a group positioned therebetween It has a laminated structure including at least a material.
  • the adhesion-reduced pressure-sensitive adhesive layer is preferably a heat-foamable pressure-sensitive adhesive layer or a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer.
  • the partial sealant layer peelably adheres on the second adhesive surface of the double-sided adhesive sheet.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is positioned closer to the first pressure-sensitive adhesive surface than the base, and the pressure-sensitive adhesive layer is positioned closer to the second pressure-sensitive adhesive than the base.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be a layer forming a first adhesive surface
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be a layer forming a second adhesive surface.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be positioned closer to the second pressure-sensitive adhesive surface than the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer may be positioned closer to the first pressure-sensitive adhesive than the substrate. .
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be a layer forming a second adhesive surface
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be a layer forming a first adhesive surface.
  • the present semiconductor process sheet having such a configuration can be used in the process of manufacturing a semiconductor package, as described later with reference to the second aspect of the present invention.
  • the partial sealant layer in the present semiconductor process sheet is preferably a tip electrode embedding adhesive layer.
  • the value of the ratio of the thickness of the tip electrode embedding adhesive layer to the height of the tip electrode to be embedded is preferably 0.1 to 10, and more preferably 0.2 to 9.
  • the thickness of the partial encapsulant layer in the present semiconductor process sheet is preferably 1 to 300 ⁇ m, more preferably 5 to 250 ⁇ m, more preferably 10 to 200 ⁇ m.
  • the peel adhesion strength in the peel test between the second adhesive surface of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet and the partial sealant layer in the peel test under the conditions of 23 ° C., peel angle 180 ° and tensile speed 300 mm / min The value of the ratio of the peel adhesive strength to the flat surface of stainless steel in the peel test under the conditions of 23 ° C., 180 ° peel angle and 300 mm / min tensile speed of the first adhesive face of the double-sided adhesive sheet is preferably 0.003 to 3, more preferably 0.004 to 2.5.
  • the space between the pressure-sensitive adhesive layer and the partial sealant layer has a peel angle of 180 ° and a tensile speed of 300 mm / min with respect to peel adhesion in a peel test under conditions of 23 ° C., peel angle of 180 ° and tensile speed of 300 mm / min.
  • the value of the ratio of peel adhesion to the flat surface of stainless steel in the peel test with is preferably 0.003 to 3, more preferably 0.004 to 2.5.
  • a semiconductor package manufacturing method is provided.
  • the present manufacturing method is a method for manufacturing a semiconductor package using the above-described semiconductor process sheet according to the first aspect of the present invention, and includes the following chip mounting step, sealing step, detaching step, wiring formation At least a process and a singulation process.
  • a plurality of semiconductor chips are mounted on the partial sealant layer in the semiconductor process sheet in which the first adhesive surface side is bonded to the support.
  • the semiconductor chip is, for example, a semiconductor chip with an extended electrode, which has a chip body and at least one chip electrode extending therefrom.
  • the chip electrode of the semiconductor chip may be mounted facedown toward the partial sealant layer, or the side of the semiconductor chip opposite to the chip electrode may be a partial sealant layer. Face-up mounting may be performed.
  • a sealant is supplied to embed a plurality of semiconductor chips on the semiconductor process sheet, and the sealant and the partial sealant layer are cured to form a sealant portion. .
  • the sealing material part chip embedding sealing material part
  • the sealing material part accompanied by embedding a semiconductor chip is obtained.
  • a curing step of curing the partial sealant layer may be performed prior to the supply of the sealant on the semiconductor process sheet.
  • the sealing step the sealant supplied on the semiconductor process sheet is cured on the cured partial sealant layer so as to embed the plurality of semiconductor chips, and the sealant portion is formed. Ru.
  • the sealing step is performed in a state in which the holding power of the semiconductor chip by the semiconductor process sheet is strengthened by the curing of the partial sealant layer. Therefore, the configuration is suitable for suppressing positional deviation of the semiconductor chip due to shrinkage at the time of curing of the sealant in the sealing step.
  • Such semiconductor chip positional deviation suppression is preferable, for example, in order to accurately form a wiring structure portion including a wiring for each semiconductor chip in a later wiring formation process.
  • the detaching step includes spacing between the second adhesive surface of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet and the encapsulant portion in the semiconductor process sheet.
  • the detaching step preferably includes an adhesion reduction measure for the adhesion-reduced pressure-sensitive adhesive layer in the semiconductor process sheet.
  • the adhesive strength-reducible pressure-sensitive adhesive layer is a heat-foamable pressure-sensitive adhesive layer
  • the adhesive strength-reducing measure is heating under a predetermined condition.
  • the adhesion-reduced pressure-sensitive adhesive layer is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer
  • the adhesion-reduction measure is radiation irradiation such as ultraviolet irradiation at a predetermined irradiation amount.
  • the chip-embedded sealing material portion can be removed from the above-described support. Further, after the detaching process, if necessary, grinding may be performed on the sealing material portion to expose the chip electrode of each semiconductor chip in the sealing material portion to the outside.
  • a wiring structure portion including a wiring for each semiconductor chip is formed on the sealing material portion.
  • the wiring for each semiconductor chip includes external electrodes such as bump electrodes in each semiconductor package to be manufactured for each semiconductor chip by the manufacturing method.
  • the sealing material portion and the wiring structure portion are divided for each semiconductor chip to obtain a semiconductor package.
  • the semiconductor package is manufactured.
  • Such a semiconductor package manufacturing method according to the second aspect of the present invention is suitable for efficiently manufacturing a semiconductor package.
  • the reason is as follows.
  • the double-sided adhesive sheet by which one side is bonded to a support body A plurality of semiconductor chips are mounted on the other side of the chip. At this time, mounting with face-up is performed in which the side opposite to the chip electrode of the semiconductor chip is bonded to the double-sided adhesive sheet.
  • a sealing material portion in which a plurality of semiconductor chips are embedded is formed on the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet.
  • the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet is peeled off from the sealing material portion (conventional chip-embedded sealing material portion) involved in embedding a plurality of semiconductor chips (detach process).
  • the so-called back surface of each semiconductor chip is exposed on the side of the conventional chip-embedded sealing material portion from which the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet has been peeled off.
  • a predetermined resin sheet is bonded to the surface on the side from which the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet has been peeled off in such a sealing material portion.
  • the back surface of each semiconductor chip is exposed on the side of the sealing material portion from which the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet is peeled, and the symmetry in the thickness direction of the sealing material portion is low.
  • the end part unavoidably warps. In such a warped state, the subsequent processes can not be properly advanced. Therefore, in a semiconductor package manufacturing method using a conventional semiconductor process sheet consisting of a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet, after the detaching step, a predetermined resin sheet is attached to the surface on the side from which the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet is peeled off In addition, it is necessary to perform so-called wording (warpage) control on the conventional chip-embedded sealing material portion.
  • a special step for word page control for the chip-embedded sealing material portion is not essential. This is because the above-described semiconductor process sheet according to the first aspect of the present invention is used in the present manufacturing method.
  • the chip mounting step a plurality of semiconductor chips are mounted on the partial sealant layer of the semiconductor process sheet, and in the sealing step, sealing provided so as to embed the plurality of semiconductor chips
  • the encapsulant part is formed from the agent and the partial encapsulant layer or the cured partial encapsulant layer, and the chip-embedded encapsulant part formed in this way is the conventional chip-embedded encapsulation described above This is because the symmetry in the thickness direction is higher than that of the stopper portion, which is suitable for suppressing warpage.
  • the present manufacturing method in which the process for controlling the workpage of the chip-embedded sealing material portion is not essential is suitable for efficiently manufacturing a semiconductor package.
  • the semiconductor process sheet according to the first aspect of the present invention and the semiconductor package manufacturing method according to the second aspect are suitable for efficiently manufacturing a semiconductor package.
  • the semiconductor chip with extended electrodes described above is mounted to the partial sealant layer so that the tip electrode protrudes into the partial sealant layer. (Face-down mounting).
  • each semiconductor chip is preferably inserted such that the chip electrode of the semiconductor chip penetrates the partial sealant layer in the semiconductor process sheet and reaches the second adhesive surface of the double-sided adhesive sheet. Is mounted to the partial sealant layer.
  • the wiring structure portion including the wiring electrically connected to the chip electrode already exposed on the surface of the sealing material portion is formed. According to these configurations, the wiring structure portion can be appropriately formed without performing the sealing material portion grinding step required before the wiring formation step when passing through the chip mounting step with face-up as described later. Therefore, the configuration is preferable in efficiently manufacturing a semiconductor package.
  • the partial sealing agent is used so that each of the extended electrode-equipped semiconductor chips described above is joined to the partial sealing agent layer on the side opposite to the chip electrode in the chip body. It may be mounted on a layer.
  • the semiconductor package manufacturing method further includes a grinding step of grinding the sealing material portion to expose the chip electrode of the semiconductor chip after the detaching step, and exposing the surface of the sealing material portion in the wiring forming step.
  • a wiring structure portion including a wiring electrically connected to the chip electrode being formed is formed. According to such a configuration, the wiring structure can be appropriately formed.
  • FIG. 7 illustrates some steps in a method of manufacturing a semiconductor package in which the semiconductor process sheet shown in FIG. 1 is used.
  • FIG. 7 illustrates some steps in a method of manufacturing a semiconductor package in which the semiconductor process sheet shown in FIG. 1 is used.
  • FIG. 7 illustrates some steps in a method of manufacturing a semiconductor package in which the semiconductor process sheet shown in FIG. 1 is used.
  • FIG. 7 illustrates some steps in a method of manufacturing a semiconductor package in which the semiconductor process sheet shown in FIG. 1 is used.
  • FIG. 7 illustrates some steps in a method of manufacturing a semiconductor package in which the semiconductor process sheet shown in FIG. 1 is used.
  • FIG. 7 illustrates a part of steps in a method of manufacturing a semiconductor package in which the semiconductor process sheet shown in FIG.
  • FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view of a semiconductor process sheet X according to an embodiment of the present invention.
  • the semiconductor process sheet X can be used in the process of manufacturing a semiconductor package, and includes a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 and a partial sealant layer 20.
  • the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 has a pressure-sensitive adhesive surface 10a and a pressure-sensitive adhesive surface 10b opposite thereto, and between the pressure-sensitive adhesive surfaces 10a and 10b, the substrate 11, the pressure-sensitive adhesive layer 12 of reduced adhesive strength, and the pressure-sensitive adhesive layer And 13 have a laminated structure.
  • the partial sealant layer 20 adheres releasably on the adhesive surface 10 b of the double-sided adhesive sheet 10.
  • the base material 11 of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 is an element functioning as a support in the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 or the semiconductor process sheet X.
  • the substrate 11 is, for example, a plastic substrate, and a plastic film can be suitably used as the plastic substrate.
  • the constituent material of the plastic base include polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyolefin, polyester, polyurethane, polycarbonate, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenyl sulfide, Aramid, fluororesin, cellulose resin, and silicone resin are mentioned.
  • polystyrene resin examples include low density polyethylene, linear low density polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, Ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, ethylene-butene copolymer, and ethylene-hexene co-weight Coalescence is mentioned.
  • EVA Ethylene-vinyl acetate copolymer
  • Polyesters include, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, and polybutylene terephthalate (PBT).
  • the substrate 11 may be made of one type of material, or may be made of two or more types of materials.
  • the substrate 11 may have a single layer structure or a multilayer structure.
  • the substrate 11 is made of a plastic film, it may be a non-oriented film, a uniaxially oriented film, or a biaxially oriented film.
  • Each of the surface on the pressure-sensitive adhesive layer 12 side and the surface on the pressure-sensitive adhesive layer 13 side of the substrate 11 may be subjected to physical treatment, chemical treatment, or undercoating treatment to enhance adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer.
  • Physical treatments include, for example, corona treatment, plasma treatment, sandmat treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, high piezoelectric bombardment treatment, and ionizing radiation treatment.
  • Chemical treatments include, for example, chromic acid treatment.
  • the thickness of the substrate 11 is preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 10 ⁇ m or more from the viewpoint of securing the strength for the substrate 11 to function as a support in the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 to the semiconductor process sheet X. . Further, from the viewpoint of realizing appropriate flexibility in the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 to the semiconductor process sheet X, the thickness of the substrate 11 is preferably 300 ⁇ m or less, more preferably 200 ⁇ m or less.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 contains a pressure-sensitive adhesive of a pressure-sensitive adhesive.
  • a pressure-sensitive adhesive of a pressure-sensitive adhesive for example, a heat-foaming pressure-sensitive adhesive or a radiation-curable pressure-sensitive adhesive of a type (first type) in which the adhesion is lowered to the extent that it can not be used in a semiconductor package manufacturing process It can be mentioned.
  • one kind of adhesion-reduced pressure-sensitive adhesive may be used, or two or more kinds of adhesion-reduced pressure-sensitive adhesives may be used.
  • the heat-foaming type pressure-sensitive adhesive that can be used for the pressure-sensitive adhesive layer 12 contains, for example, at least an adhesive main agent and a component that foams or expands by heating.
  • the heat-foamable pressure-sensitive adhesive layer expands when the foamable component and the intumescent component contained therein are sufficiently heated, and the uneven shape occurs on the surface (adhesive surface) thereof.
  • the heat-foaming type pressure-sensitive adhesive layer is subjected to such heating in a state where the pressure-sensitive adhesive surface is attached to a predetermined adherend, the pressure-sensitive adhesive layer expands to form a concavo-convex shape on the pressure-sensitive adhesive surface. The total area of adhesion to the adherend is reduced, and the adhesion to the adherend is reduced.
  • Examples of the pressure-sensitive adhesive base for heat-foaming type pressure-sensitive adhesives include acrylic polymers as acrylic pressure-sensitive adhesives, rubber-based pressure-sensitive adhesives, and silicone-based pressure-sensitive adhesives.
  • the acrylic polymer as the acrylic pressure-sensitive adhesive preferably contains monomer units derived from acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester as the largest monomer unit in mass ratio.
  • (Meth) acrylic shall mean "acrylic” and / or "methacrylic”.
  • Examples of (meth) acrylic acid esters for forming monomer units of acrylic polymers include hydrocarbon groups such as (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid cycloalkyl esters, and (meth) acrylic acid aryl esters. Included (meth) acrylic acid esters.
  • Examples of (meth) acrylic acid alkyl esters include methyl ester of (meth) acrylic acid, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, iso Pentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester, Octadecyl esters, and eicosyl esters.
  • Examples of (meth) acrylic acid cycloalkyl esters include cyclopentyl and cyclohexyl esters of (meth) acrylic acid.
  • Examples of (meth) acrylic acid aryl esters include phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate.
  • As a monomer for forming a monomer unit of an acryl-based polymer one type of (meth) acrylic acid ester may be used, or two or more types of (meth) acrylic acid ester may be used.
  • the ratio of (meth) acrylic acid ester in all the monomer components for forming an acrylic polymer is preferable in order to appropriately express basic characteristics such as adhesiveness due to (meth) acrylic acid ester in the acrylic pressure-sensitive adhesive. Is 40% by mass or more, more preferably 60% by mass or more.
  • the acrylic polymer contains a monomer unit derived from one or two or more other monomers copolymerizable with (meth) acrylic acid ester in order to modify its cohesion and heat resistance, etc. It is also good.
  • other monomers for example, functional groups such as carboxy group-containing monomer, acid anhydride monomer, hydroxy group-containing monomer, glycidyl group-containing monomer, sulfonic acid group-containing monomer, phosphoric acid group-containing monomer, acrylamide, acrylonitrile and the like Group-containing monomers are mentioned.
  • carboxy group-containing monomers examples include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid.
  • Anhydride monomers include, for example, maleic anhydride and itaconic anhydride.
  • Examples of the hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, Mention may be made of 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxydodecyl (meth) acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate.
  • Examples of glycidyl group-containing monomers include glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate.
  • sulfonic acid group-containing monomers examples include styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth And acryloyloxy naphthalene sulfonic acid.
  • phosphoric acid group-containing monomers include 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate.
  • the acrylic polymer may contain a monomer unit derived from a polyfunctional monomer copolymerizable with a monomer such as (meth) acrylic acid ester to form a crosslinked structure in the polymer backbone.
  • polyfunctional monomers for example, hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate (ie polyglycidyl (meth) acrylate), polyester Examples include (meth) acrylates and urethane (meth) acryl
  • monomers for acrylic polymers one type of multifunctional monomer may be used, or two or more types of multifunctional monomers may be used.
  • the proportion of the polyfunctional monomer in all the monomer components for forming the acrylic polymer is preferably 40 in order to properly express the basic characteristics such as the tackiness due to the (meth) acrylic acid ester in the acrylic adhesive. It is at most mass%, more preferably at most 30 mass%.
  • An acrylic polymer can be obtained by polymerizing a raw material monomer for forming it.
  • Examples of polymerization techniques include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization.
  • the low molecular weight component in each pressure-sensitive adhesive layer in the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 be small.
  • the number average molecular weight of the polymer is preferably 100,000 or more, more preferably 200,000 to 3,000,000.
  • the number average molecular weight of the acrylic polymer is, for example, the polymerization method employed, the type and amount of polymerization initiator used, the temperature and time of the polymerization reaction, the concentration of various monomers in all the monomer components, the monomer dropping rate It can be controlled by
  • an azo-based polymerization initiator for example, an azo-based polymerization initiator, a peroxide-based polymerization initiator, a redox-based polymerization initiator, or the like is used according to the polymerization method.
  • azo polymerization initiator for example, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis-2-methylbutyronitrile, 2,2'-azobis (2-methylpropionic acid) dimethyl And 4,4′-azobis-4-cyanovaleric acid.
  • peroxide polymerization initiators include dibenzoyl peroxide and tert-butyl permaleate.
  • an external crosslinking agent may be blended in the composition for forming an adhesive layer.
  • an external crosslinking agent for reacting with an acrylic polymer to form a crosslinked structure a polyisocyanate compound, an epoxy compound, a polyol compound (such as a polyphenol based compound), an aziridine compound, and a melamine based crosslinking agent can be mentioned.
  • the content of the external crosslinking agent in the adhesive main agent is preferably 6 parts by mass or less, more preferably 0.1 to 5 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer.
  • Examples of the components that are foamed or expanded by heating for a heat-foamable pressure-sensitive adhesive include a foaming agent and heat-expandable microspheres.
  • foaming agent for heat-foaming type pressure-sensitive adhesives various inorganic foaming agents and organic foaming agents can be mentioned.
  • an inorganic type foaming agent ammonium carbonate, ammonium hydrogencarbonate, sodium hydrogencarbonate, ammonium nitrite, sodium borohydride, and azides are mentioned, for example.
  • organic foaming agent for example, salt-fluorinated alkanes such as trichloromonofluoromethane and dichloromonofluoromethane, azobisisobutyro nitriles, azodicarbonamides, azo compounds such as barium azodicarboxylate, para-toluenesulfonyl Hydrazine compounds such as hydrazide, diphenyl sulfone-3,3'-disulfonyl hydrazide, 4,4'-oxybis (benzenesulfonyl hydrazide), allyl bis (sulfonyl hydrazide), ⁇ -toluylenesulfonyl semicarbazide and 4,4'-oxybis Semicarbazide compounds such as (benzenesulfonyl semicarbazide), triazole compounds such as 5-morpholine-1,2,3,4-thiatriazole, and N, N'-din
  • thermally expandable microspheres for the heat-foamable pressure-sensitive adhesive examples include microspheres having a configuration in which a substance that is easily gasified and expanded by heating is enclosed in a shell.
  • Substances that are easily gasified and expanded by heating include, for example, isobutane, propane and pentane.
  • Thermally expandable microspheres can be produced by encapsulating a substance that is easily gasified and expanded by heating into a shell-forming substance by coacervation or interfacial polymerization.
  • the shell-forming substance a substance exhibiting heat melting property or a substance which can be ruptured by the action of thermal expansion of the encapsulating substance can be used.
  • Such materials include, for example, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, and polysulfone.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is 5 to 100 ⁇ m, for example.
  • Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the first type that can be used for the pressure-sensitive adhesive layer 12 include, for example, a base polymer such as an acrylic polymer as an acrylic pressure-sensitive adhesive and a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond Examples thereof include addition-type radiation-curable pressure-sensitive adhesives containing a radiation-polymerizable monomer component or oligomer component having a functional group.
  • acrylic polymer for forming the first type of radiation curable adhesive those described above as the acrylic polymer which forms the adhesive main agent in the heat-foaming type adhesive can be adopted.
  • a radiation polymerizable monomer component for forming the first type of radiation curable adhesive for example, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, di- Pentaerythritol monohydroxy penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate are included.
  • Examples of the radiation polymerizable oligomer component for forming the first type radiation curable adhesive include various oligomers such as urethane type, polyether type, polyester type, polycarbonate type and polybutadiene type, and the molecular weight is 100 Those of about ⁇ 30000 are appropriate.
  • the total content of the radiation polymerizable monomer component and the oligomer component in the radiation curable pressure sensitive adhesive is determined within a range where the adhesion of the pressure sensitive adhesive layer 12 to be formed can be appropriately reduced by irradiation, and it is an acrylic polymer etc.
  • the amount is, for example, 5 to 500 parts by mass, preferably 40 to 150 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the base polymer.
  • the addition type of radiation curable adhesive for example, those disclosed in JP-A-60-196956 may be used.
  • the first type radiation curable adhesive that can be used for the adhesive layer 12 includes, for example, a functional group such as a radiation polymerizable carbon-carbon double bond, a polymer side chain, a polymer main chain, a polymer main chain Also included are intrinsic radiation-curable pressure-sensitive adhesives containing a base polymer having a chain end. Such an internal-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive is suitable for suppressing unintended changes in adhesion properties caused by the movement of low molecular weight components in the pressure-sensitive adhesive layer 12 to be formed.
  • the base polymer contained in the intrinsic type radiation-curable pressure-sensitive adhesive one having an acrylic polymer as a basic skeleton is preferable.
  • the acrylic polymer forming such a basic skeleton those described above as the acrylic polymer forming the adhesive main agent in the heat-foaming type pressure-sensitive adhesive can be adopted.
  • a method for introducing a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond into an acrylic polymer for example, a raw material monomer containing a monomer having a predetermined functional group (first functional group) is copolymerized to obtain an acrylic polymer.
  • a compound having a predetermined functional group (second functional group) capable of causing a reaction with the first functional group (second functional group) and a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond is carbon-carbon
  • a method of subjecting an acrylic polymer to a condensation reaction or an addition reaction while maintaining the radiation polymerizable property of a double bond can be mentioned.
  • Examples of combinations of the first functional group and the second functional group include a carboxy group and an epoxy group, an epoxy group and a carboxy group, a carboxy group and an aziridyl group, an aziridyl group and a carboxy group, a hydroxy group and an isocyanate group, and an isocyanate group. And hydroxy groups.
  • a combination of a hydroxy group and an isocyanate group and a combination of an isocyanate group and a hydroxy group are preferable from the viewpoint of the ease of reaction tracking.
  • it is technically difficult to produce a polymer having a highly reactive isocyanate group and in terms of the ease of preparation or availability of the acrylic polymer, the first functional group on the acrylic polymer side is preferable.
  • the group is a hydroxy group and the second functional group is an isocyanate group.
  • an isocyanate compound having both a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond and an isocyanate group as a second functional group for example, methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI), and m-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate is mentioned.
  • the radiation-curable pressure-sensitive adhesive that can be used for the pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably contains a photopolymerization initiator.
  • the photopolymerization initiator include ⁇ -ketol compounds, acetophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, benzophenone compounds, thioxanthone compounds, and camphors. These include quinones, halogenated ketones, acyl phosphinoxides, and acyl phosphonates.
  • Examples of ⁇ -ketol compounds include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, ⁇ -hydroxy- ⁇ , ⁇ ′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypro Piophenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone can be mentioned.
  • Examples of acetophenone compounds include methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 2,2-diethoxyacetophenone, and 2-methyl-1- [4- (methylthio)- Phenyl] -2-morpholinopropane-1 is mentioned.
  • benzoin ether compounds include benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether.
  • ketal compounds include benzyl dimethyl ketal.
  • aromatic sulfonyl chloride compounds include 2-naphthalene sulfonyl chloride.
  • photoactive oxime compounds include 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime.
  • benzophenone compounds include benzophenone, benzoylbenzoic acid, and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone.
  • Thioxanthone compounds include, for example, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2,4-dichloro thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, and 2,4-diisopropyl.
  • Thioxanthone is mentioned.
  • the content of the photopolymerization initiator in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive that can be used for the pressure-sensitive adhesive layer 12 is, for example, 0.05 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer.
  • a radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 12 for example, a pressure-sensitive adhesive of a type which cures upon irradiation with an electron beam, ultraviolet light, ⁇ -ray, ⁇ -ray, ⁇ -ray or X-ray can be used.
  • a pressure-sensitive adhesive (UV-curable pressure-sensitive adhesive) of a type that cures upon irradiation can be particularly suitably used.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is, for example, 2 to 50 ⁇ m. is there.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 may contain, in addition to the components described above, a tackifier, an antiaging agent, a coloring agent, and the like.
  • Colorants include pigments and dyes.
  • the coloring agent may be a compound that is colored upon receiving radiation. Such compounds include, for example, leuco dyes.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 13 of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 contains a pressure-sensitive adhesive.
  • a pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 13 for example, a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive or a type (second type) of which the adhesion is maintained to such an extent that it can be used in a semiconductor package manufacturing process Radiation curable adhesives are mentioned.
  • one type of pressure-sensitive adhesive may be used, or two or more types of pressure-sensitive adhesives may be used.
  • acrylic polymer as an acrylic adhesive, a rubber adhesive, and a silicone adhesive are mentioned.
  • acrylic polymer for the pressure sensitive adhesive those described above as the acrylic polymer that constitutes the main adhesive in the heat-foaming type adhesive can be employed.
  • Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the second type that can be used for the pressure-sensitive adhesive layer 13 include, for example, a base polymer such as an acrylic polymer as an acrylic pressure-sensitive adhesive, and a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond, etc. It is possible to use an addition type radiation curable pressure sensitive adhesive containing a radiation polymerizable monomer component or oligomer component having a functional group. As a component for comprising this adhesive, the component mentioned above regarding the addition type radiation curable adhesive for the adhesive layer 12 can be used, for example.
  • the content of functional groups such as radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds, and the type and combination of photopolymerization initiators It can be controlled by the quantity.
  • Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the second type that can be used for the pressure-sensitive adhesive layer 13 include functional groups such as radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds, polymer side chains, polymer main chains, polymer main groups, etc. Also included are intrinsic radiation-curable pressure-sensitive adhesives containing a base polymer having a chain end. As a component for comprising this adhesive, the component mentioned above with respect to the radiation-curable adhesive of the internal type for the adhesive layer 12 can be used, for example.
  • the degree of the adhesive strength reduction due to radiation in the intrinsic type radiation-curable pressure-sensitive adhesive for example, the content of functional groups such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond, and the type and combination of a photopolymerization initiator It can be controlled by the quantity.
  • the thickness of the adhesive layer 13 is, for example, 1 to 50 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 13 may contain, in addition to the components described above, a tackifier, an antiaging agent, a coloring agent, and the like.
  • Colorants include pigments and dyes.
  • the coloring agent may be a compound that is colored upon receiving radiation. Such compounds include, for example, leuco dyes.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 which is the pressure-sensitive adhesive layer with reduced adhesion is positioned closer to the adhesive surface 10 a than the base 11, and the pressure-sensitive adhesive layer 13 adheres than the base 11. It is located on the surface 10b side.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 is positioned closer to the pressure-sensitive adhesive surface 10b than the base 11 instead of such a laminated structure, and the pressure-sensitive adhesive layer 13 is more adhesive than the base 11 You may be located in the surface 10a side.
  • the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 of the semiconductor process sheet X may include other layers in addition to the base material 11, the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 13 as described above in the laminated structure.
  • another layer for example, a thin pressure-sensitive adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer 12 in the case where the pressure-sensitive adhesive layer 12 is a heat-foaming type pressure-sensitive adhesive layer to form a pressure-sensitive adhesive surface
  • the rubber-like organic elastic layer provided between the said adhesive layer 12 in case this is a heat-foaming type adhesive layer and the base material 11 is mentioned.
  • a thin pressure-sensitive adhesive layer covering the surface of the heat-foaming pressure-sensitive adhesive layer is attached to a predetermined adherend
  • the heat-foaming pressure-sensitive adhesive layer expands by heating to deform its surface asperity shape
  • the thin pressure-sensitive adhesive layer is also deformed, the total adhesion area to the adherend is reduced, and the adhesion to the adherend is reduced. It is possible to utilize the desired adhesion in the thin adhesive layer while utilizing the adhesion reducing function of the heat-foaming type adhesive.
  • the thickness of the thin pressure-sensitive adhesive layer on such a heat-foamable pressure-sensitive adhesive layer is, for example, 2 to 30 ⁇ m.
  • the heat-foaming pressure-sensitive adhesive layer can be easily expanded preferentially and uniformly in the thickness direction by heating.
  • a rubbery organic elastic layer is formed of, for example, a natural rubber, a synthetic rubber, or a synthetic resin having rubber elasticity having a Shore D hardness of 50 or less based on ASTM D-2240.
  • the synthetic rubber for the rubbery organic elastic layer and the synthetic resin include, for example, synthetic rubbers such as nitriles, dienes and acrylics, thermoplastic elastomers such as polyolefins and polyesters, and ethylene-vinyl acetate copolymer Examples thereof include synthetic resins having rubber elasticity such as coalescence, polyurethane, polybutadiene, soft polyvinyl chloride and the like.
  • the thickness of such a rubbery organic elastic layer is, for example, 1 to 500 ⁇ m.
  • the partial sealant layer 20 in the semiconductor process sheet X is releasably in close contact with the pressure-sensitive adhesive surface 10 b of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10.
  • the thickness of the partial sealant layer 20 is, for example, 1 to 300 ⁇ m.
  • the partial sealant layer 20 may be a chip electrode embedding adhesive layer for embedding a chip electrode of a semiconductor chip which is an element of a semiconductor package to be manufactured. That is, the semiconductor process sheet X may be designed as a type in which the semiconductor chip is mounted facedown to the partial sealant layer 20.
  • the thickness of the partial sealant layer 20 which is the tip electrode embedding adhesive layer is preferably 1 to 300 ⁇ m, more preferably 5 to 250 ⁇ m, and more preferably 10 to 200 ⁇ m.
  • the value of the ratio of the thickness of the partial sealant layer 20 serving as the tip electrode embedding adhesive layer to the height of the tip electrode to be embedded is preferably 0.1 to 10, and more preferably 0.2. ⁇ 9.
  • the partial sealant layer 20 has, for example, a composition containing a thermosetting resin and a thermoplastic resin as a resin component.
  • the partial sealant layer 20 may have a composition containing, as a resin component, a thermoplastic resin with a thermosetting functional group capable of reacting with a curing agent to form a bond.
  • the semiconductor process sheet X is subjected to a semiconductor package manufacturing process in a state where such a partial sealant layer 20 is uncured.
  • the partial sealing agent layer 20 has a composition containing a thermosetting resin and a thermoplastic resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin is used as the thermosetting resin. , Silicone resins, and thermosetting polyimide resins.
  • the partial sealant layer 20 may contain one type of thermosetting resin, or may contain two or more types of thermosetting resin.
  • An epoxy resin is preferable as a thermosetting resin in the partial sealing agent layer 20 because the content of ionic impurities and the like which may cause corrosion of a semiconductor chip tends to be small.
  • curing agent for making an epoxy resin express thermosetting a phenol resin is preferable.
  • the epoxy resin for example, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, brominated bisphenol A epoxy resin, hydrogenated bisphenol A epoxy resin, bisphenol AF epoxy resin, biphenyl epoxy Bifunctional epoxy resin or polyfunctional resin such as resin, naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, ortho cresol novolac type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, and tetraphenylol ethane type epoxy resin Epoxy resin is mentioned.
  • the epoxy resin also includes hydantoin type epoxy resin, trisglycidyl isocyanurate type epoxy resin, and glycidyl amine type epoxy resin.
  • the partial sealing agent layer 20 may contain one type of epoxy resin, and may contain two or more types of epoxy resin.
  • Phenolic resin acts as a curing agent for epoxy resin, and as such phenolic resin, for example, novolak such as phenol novolak resin, phenol aralkyl resin, cresol novolac resin, tert-butyl phenol novolac resin, and nonylphenol novolac resin Type phenolic resin is mentioned. Moreover, as the said phenol resin, resol type phenol resin and polyoxystyrenes, such as polypara oxystyrene, are also mentioned. Particularly preferable as the phenol resin in the partial sealant layer 20 are phenol novolak resin and phenol aralkyl resin. Moreover, the partial sealing agent layer 20 may contain one type of phenol resin as a hardening
  • novolak such as phenol novolak resin, phenol aralkyl resin, cresol novolac resin, tert-butyl phenol novolac resin, and nonyl
  • the hydroxyl group in the phenol resin is preferably 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of epoxy group in the epoxy resin. More preferably, both resins are compounded in a proportion of 0.8 to 1.2 equivalents. Such a configuration is preferable for sufficiently advancing the curing reaction of the epoxy resin and the phenol resin when curing the partial sealant layer 20.
  • the content ratio of the thermosetting resin in the partial sealant layer 20 is preferably 5 to 60% by mass, more preferably 10 to 50% by mass from the viewpoint of appropriately curing the partial sealant layer 20. .
  • the thermoplastic resin in the partial sealant layer 20 has, for example, a binder function, and the thermoplastic resin in the case where the partial sealant layer 20 has a composition containing a thermosetting resin and a thermoplastic resin
  • a thermosetting resin for example, acrylic resin, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic resin Examples thereof include polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, saturated polyester resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polyamideimide resins, and fluorine resins.
  • the partial sealant layer 20 may contain one type of thermoplastic resin, or may contain two or more types of thermoplastic resin.
  • An acrylic resin is preferable as the thermoplastic resin in
  • the acrylic polymer forming the acrylic resin preferably contains, in a mass ratio, the largest monomer units derived from (meth) acrylic acid ester.
  • (meth) acrylic acid esters for forming monomer units of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid cycloalkyl esters, and (meth) acrylic acid aryl esters. .
  • Examples of (meth) acrylic acid alkyl esters include methyl ester of (meth) acrylic acid, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, iso Pentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester, Octadecyl esters, and eicosyl esters.
  • Examples of (meth) acrylic acid cycloalkyl esters include cyclopentyl and cyclohexyl esters of (meth) acrylic acid.
  • Examples of (meth) acrylic acid aryl esters include phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate.
  • As a monomer for forming a monomer unit of an acryl-based polymer one type of (meth) acrylic acid ester may be used, or two or more types of (meth) acrylic acid ester may be used.
  • such an acrylic polymer can be obtained by polymerizing a raw material monomer for forming it. Examples of polymerization techniques include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization.
  • Acrylic polymers may contain monomer units derived from one or two or more other monomers copolymerizable with (meth) acrylic acid ester in order to modify their cohesion and heat resistance.
  • Such other monomers include, for example, carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxy group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, acrylamides, and acrylonitriles. .
  • carboxy group-containing monomers examples include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid.
  • Anhydride monomers include, for example, maleic anhydride and itaconic anhydride.
  • Examples of the hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, Mention may be made of 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate.
  • Examples of epoxy group-containing monomers include glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate.
  • sulfonic acid group-containing monomers examples include styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamidopropane sulfonic acid, and (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid. It can be mentioned.
  • phosphoric acid group-containing monomers include 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate.
  • thermosetting functional group-containing acrylic resin can be used as the thermoplastic resin, for example.
  • the acrylic polymer for forming the thermosetting functional group-containing acrylic resin contains, in a mass ratio, the most monomer units derived from (meth) acrylic acid ester.
  • (meth) acrylic acid ester for example, the same (meth) acrylic acid ester as described above as a constituent monomer of an acrylic polymer for forming an acrylic resin contained in the partial sealing agent layer 20 It can be used.
  • thermosetting functional group for forming a thermosetting functional group containing acrylic resin a glycidyl group, a carboxy group, a hydroxyl group, and an isocyanate group are mentioned, for example.
  • glycidyl group and carboxy group can be used suitably. That is, as a thermosetting functional group containing acrylic resin, a glycidyl group containing acrylic polymer and a carboxy group containing acrylic polymer can be used suitably.
  • a curing agent capable of causing a reaction therewith is selected depending on the type of thermosetting functional group in the thermosetting functional group-containing acrylic resin.
  • the thermosetting functional group of the thermosetting functional group-containing acrylic resin is a glycidyl group, the same phenol resin as that described above as the curing agent for epoxy resin can be used as the curing agent.
  • the composition for forming the partial sealant layer 20 preferably contains a thermosetting catalyst. It is preferable to blend a thermosetting catalyst into the partial sealant layer forming composition in order to sufficiently advance the curing reaction of the resin component when curing the partial sealant layer 20 or to increase the curing reaction rate.
  • a thermosetting catalyst an imidazole compound, a triphenyl phosphine compound, an amine compound, and a trihalogen borane compound are mentioned, for example.
  • imidazole compounds include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole and 2-phenyl- 4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazo Lilium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ')]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6
  • triphenylphosphine compounds include triphenylphosphine, tri (butylphenyl) phosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, diphenyl tolyl phosphine, tetraphenylphosphonium bromide, and methyl.
  • Examples include triphenylphosphonium bromide, methyltriphenylphosphonium chloride, methoxymethyltriphenylphosphonium chloride, and benzyltriphenylphosphonium chloride.
  • the triphenylphosphine-based compounds also include compounds having both a triphenylphosphine structure and a triphenylborane structure.
  • Such compounds include, for example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra-p-tolylborate, benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate, and triphenylphosphine triphenylborane.
  • the amine compounds include monoethanolamine trifluoroborate and dicyandiamide.
  • trihalogen borane compounds include trichloroborane.
  • the composition for forming a partial sealant layer may contain one type of thermosetting catalyst, or may contain two or more types of thermosetting catalysts.
  • the partial sealant layer 20 may contain a filler. Blending of the filler to the partial sealant layer 20 is preferable in adjusting physical properties such as the elastic modulus of the partial sealant layer 20, the strength at yield point, and the elongation at break.
  • Fillers include inorganic fillers and organic fillers. As a constituent material of the inorganic filler, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, nitrided And boron, crystalline silica, and amorphous silica.
  • the inorganic filler As a constituent material of the inorganic filler, single metals such as aluminum, gold, silver, copper, nickel and the like, alloys, amorphous carbon, graphite and the like can also be mentioned.
  • the constituent material of the organic filler include poly (methyl methacrylate) (PMMA), polyimide, polyamide imide, polyether ether ketone, polyether imide, and polyester imide.
  • the partial sealant layer 20 may contain one kind of filler or may contain two or more kinds of fillers.
  • the said filler may have various shapes, such as spherical shape, needle shape, and flake shape.
  • the average particle diameter of the filler is preferably 0.002 to 10 ⁇ m, more preferably 0.05 to 1 ⁇ m.
  • the configuration that the average particle diameter of the filler is 10 ⁇ m or less is suitable for obtaining sufficient filler addition effect in the partial sealant layer 20 and securing heat resistance.
  • the average particle diameter of the filler can be determined, for example, using a light intensity type particle size distribution analyzer (trade name “LA-910”, manufactured by Horiba, Ltd.).
  • the content of the filler when the partial sealant layer 20 contains a filler is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, and more preferably 20% by mass or more.
  • the content is preferably 50% by mass or less, more preferably 47% by mass or less, and more preferably 45% by mass or less.
  • the partial sealant layer 20 contains a colorant in the present embodiment.
  • the colorant may be a pigment or a dye.
  • the colorant include black colorants, cyan colorants, magenta colorants, and yellow colorants.
  • black colorants include azo pigments such as copper oxide, manganese dioxide, azomethine azo black, aniline black, perylene black, titanium black, cyanine black, activated carbon, ferrite, magnetite, chromium oxide, iron oxide, molybdenum disulfide And complex oxide black dyes, anthraquinone organic black dyes, and azo organic black dyes.
  • black-based colorants include CI Solvent Black 3, 7, 22, 23, 27, 29, 34, 43, and 70.
  • black colorants examples include CI Direct Black 17, 19, 22, 32, 38, 51, and 71. Examples of black colorants include CI Acid Black 1, 2, 24, 26, 31, 48, 52, 107, 109, 110, 119, and 154. Be As the black colorants, CI Disperse Black 1, 3, 10 and 24 can also be mentioned. As a blackish coloring agent, CI pigment black 1 and 7 are also mentioned.
  • the partial sealant layer 20 may contain one type of colorant or may contain two or more types of colorants. Further, the content of the coloring agent in the partial sealant layer 20 is, for example, 0.5% by weight or more, preferably 1% by weight or more, and more preferably 2% by weight or more. The content is, for example, 10% by weight or less, preferably 8% by weight or less, and more preferably 5% by weight or less.
  • the partial sealant layer 20 may contain one or two or more other components, as needed.
  • the other components include, for example, flame retardants, silane coupling agents, and ion trapping agents.
  • Flame retardants include, for example, antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resins.
  • silane coupling agent for example, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, and ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane can be mentioned.
  • ion trap agent for example, hydrotalcites, bismuth hydroxide, hydrous antimony oxide (for example, “IXE-300” manufactured by Toagosei Co., Ltd.), zirconium phosphate having a specific structure (eg, “manufactured by Toagosei Co., Ltd.” IXE-100 ′ ′), magnesium silicate (eg, “Kyoward 600” manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.), and aluminum silicate (eg, “Kyoward 700” manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.).
  • Compounds capable of forming a complex with a metal ion can also be used as an ion trapping agent.
  • Such compounds include, for example, triazole compounds, tetrazole compounds, and bipyridyl compounds.
  • triazole compounds are preferable from the viewpoint of the stability of the complex formed with the metal ion.
  • a triazole compound for example, 1,2,3-benzotriazole, 1- ⁇ N, N-bis (2-ethylhexyl) aminomethyl ⁇ benzotriazole, carboxybenzotriazole, 2- (2-hydroxy-) 5-Methylphenyl) benzotriazole, 2- (2-hydroxy-3,5-di-t-butylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2-hydroxy-3-t-butyl-5-methylphenyl) ) 5-Chlorobenzotriazole, 2- (2-hydroxy-3,5-di-t-amylphenyl) benzotriazole, 2- (2-hydroxy-5-t-octylphenyl) benzotriazole, 6- (2 -Benzotriazo
  • predetermined hydroxyl group-containing compounds such as quinol compounds, hydroxyanthraquinone compounds and polyphenol compounds can be used as the ion trapping agent.
  • a hydroxyl group-containing compound include 1,2-benzenediol, alizarin, anthralpine, tannin, gallic acid, methyl gallate and pyrogallol.
  • the peeling test between the pressure-sensitive adhesive surface 10b of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 and the partial sealant layer 20 under the conditions of 23 ° C., 180 ° peeling angle and 300 mm / min tensile speed Peeling adhesive force (the adhesive surface 10a of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 shows with respect to a stainless steel surface in a peeling test under the conditions of 23 ° C., peeling angle 180 ° and tensile speed 300 mm / min)
  • the value of the ratio of the second adhesive force is preferably 0.003 to 3, more preferably 0.004 to 2.5.
  • the first adhesive strength can be measured using a tensile tester (trade name “Autograph AG-X”, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • the preparation method and the measurement method of the test piece to be provided for the measurement are specifically as follows. First, a single-sided adhesive tape (trade name “BT-315”, manufactured by Nitto Denko Corporation) is bonded to the surface of the semiconductor process sheet X on the side of the partial sealant layer 20. This bonding is performed by a pressure bonding operation in which a 2 kg hand roller is reciprocated once. Next, from this bonded body, a test piece with a size of width 20 mm ⁇ length 100 mm having a laminated structure of semiconductor process sheet X (double-sided adhesive sheet 10, partial sealant layer 20) and single-sided adhesive tape, cut.
  • the second adhesive strength can be measured using a tensile tester (trade name "Autograph AG-X", manufactured by Shimadzu Corporation).
  • the preparation method and the measurement method of the test piece to be provided for the measurement are specifically as follows. First, a test piece having a size of 20 mm wide ⁇ 100 mm long is cut out from the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 without the partial sealant layer 20. Next, this test piece is bonded to a stainless steel plate at its adhesive surface 10a. This bonding is performed by a pressure bonding operation in which a 2 kg hand roller is reciprocated once.
  • the semiconductor process sheet X having the configuration as described above may be produced by forming the partial sealant layer 20 on the adhesive surface 10b of the double-sided adhesive sheet 10, or a part formed on the separator You may produce by bonding together the sealing agent layer 20 to the adhesive surface 10b side of the double-sided adhesive sheet 10 produced separately.
  • the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 may be produced by forming the pressure-sensitive adhesive layers 12 and 13 on the substrate 11, or may be formed on the pressure-sensitive adhesive layer 12 formed on a separator and another separator.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 13 may be produced by bonding to the substrate 11.
  • Each layer can be formed, for example, through application and drying of a predetermined composition prepared layer by layer.
  • the present manufacturing method is a method for manufacturing a semiconductor package using the semiconductor process sheet X, and in the present embodiment, the following chip mounting step, sealing step, detaching step, wiring forming step, thinning step, And a singulation step.
  • the partial sealant layer 20 in the semiconductor process sheet X in which the adhesive surface 10a side is bonded to the support S is used.
  • a plurality of semiconductor chips C are mounted.
  • the support S is made of, for example, metal, glass, or transparent resin.
  • the semiconductor chip C has a chip body and a chip electrode E extending therefrom.
  • the chip electrode E of the semiconductor chip C is mounted facedown toward the partial sealant layer 20.
  • each semiconductor chip C is a partial sealant layer 20 such that the chip electrode E of the semiconductor chip C penetrates the partial sealant layer 20 in the semiconductor process sheet X and reaches the adhesive surface 10 b of the double-sided adhesive sheet 10. Mounted against
  • the sealing agent 30 ′ is supplied so as to embed the plurality of semiconductor chips C on the semiconductor process sheet X, and then, as shown in FIG.
  • the sealant 30 ′ and the partial sealant layer 20 are cured to form the sealant portion 30 as shown in FIG.
  • the package P chip embedding sealing material part
  • the sealant 30 ′ is, for example, a composition containing an epoxy resin, a curing agent such as a phenol resin, an inorganic filler, a curing accelerator, and a black colorant, and in the present sealing step, a liquid composition, powder, and It may be supplied in any form of sheet.
  • the same thing as having mentioned above as a constituent material of the partial sealing agent layer 20 of the semiconductor process sheet X can be used, for example.
  • the heating temperature for forming the sealing material portion 30 is, for example, 150 to 185 ° C.
  • the heating time is, for example, 60 seconds to several hours.
  • the partial sealing is performed as shown in FIG. 4A prior to the supply of the sealing agent 30 ′ onto the semiconductor process sheet X.
  • the sealant layer 20 may be cured (curing step).
  • the sealing step first, as shown in FIG. 4B, the sealing agent 30 ′ is supplied so as to embed the plurality of semiconductor chips C on the semiconductor process sheet X, and thereafter, sealing is performed.
  • the sealant 30 ' is cured on the cured partial sealant layer 20 to form a sealant portion 30 as shown in FIG. 3 (b).
  • the sealing process is performed in a state in which the holding power of the semiconductor chip C by the semiconductor process sheet X is strengthened by the curing of the partial sealant layer 20. Therefore, the configuration is suitable for suppressing the positional deviation of the semiconductor chip C due to the shrinkage at the time of curing of the sealant 30 ′ in the sealing step.
  • Such semiconductor chip positional deviation suppression is preferable, for example, in order to accurately form a wiring structure portion including a wiring for each semiconductor chip C in a later wiring formation process.
  • the support state of the package P by the support S is released.
  • the semiconductor process sheet X and the support S are separated, and then the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 or the pressure-sensitive adhesive surface 10b is separated from the package P (chip embedded sealing material portion).
  • the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 is peeled off from the support S.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 (pressure-sensitive adhesive layer) of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 in the semiconductor process sheet X is a heat-foaming type pressure-sensitive adhesive layer
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 or the pressure-sensitive adhesive surface is heated by pressure-reducing measures.
  • the adhesion of 10 a can be reduced to separate the support S from the double-sided adhesive sheet 10.
  • the heating temperature therefor is, for example, 170 to 200.degree.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 (pressure-sensitive adhesive layer) of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 in the semiconductor process sheet X is the above-described first type of radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer, radiation such as ultraviolet radiation as an adhesion-reducing measure
  • radiation such as ultraviolet radiation
  • the adhesion of the pressure-sensitive adhesive layer 12 to the pressure-sensitive adhesive surface 10 a can be reduced by irradiation to separate the support S from the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10.
  • the radiation for that purpose is ultraviolet radiation
  • the dose is, for example, 50 to 500 mJ / cm 2 .
  • the wiring structure portion 40 including the wiring for each semiconductor chip C is formed on the sealing material portion 30 to the package P.
  • the wiring for each semiconductor chip C includes external electrodes 41 such as bump electrodes in each semiconductor package to be manufactured for each semiconductor chip C by the manufacturing method.
  • the grinding process is performed to thin the package P.
  • the back grind tape Y has an adhesive layer Ya having a thickness capable of embedding the external electrode 41 of the wiring structure 40.
  • the sealing material portion 30 is ground so that the so-called back surface (upper surface in FIG. 6) of the semiconductor chip C is exposed.
  • the dicing tape-integrated back surface protective film Z is attached to the package P held by the back grind tape Y.
  • the dicing tape-integrated back surface protective film Z comprises a dicing tape 50 having a pressure sensitive adhesive layer and a curable film 60 for protecting the back surface of the semiconductor chip on the pressure sensitive adhesive layer.
  • the film 60 side of the body type backside protective film Z is pasted together.
  • the film 60 for protecting the back surface of the semiconductor chip is an adhesive film containing a coloring agent such as a black-based coloring agent.
  • a coloring agent for the film 60 for example, the same coloring agents as described above as the coloring agent for the partial sealant layer 20 can be used.
  • the film 60 may be a thermosetting type adhesive film, and for example, by adhering to an adherend under a temperature condition of about 70 ° C., sufficient adhesion to the adherend can be obtained. It may be a curing-less type adhesive film that can be developed.
  • the back grind tape Y is removed.
  • the film 60 is a thermosetting type adhesive film
  • the film 60 is heat-cured as shown in FIG. 7 (b).
  • the sealing material portion 30 and the wiring structure portion 40 are divided for each semiconductor chip C by blade dicing (in FIG. 7C, division is performed The locations are schematically represented by thick lines). The individual semiconductor packages thus separated are then picked up from the dicing tape 50.
  • the semiconductor process sheet X can be used to manufacture a semiconductor package.
  • Such a semiconductor package manufacturing method is suitable for efficiently manufacturing a semiconductor package. The reason is as follows.
  • the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet is peeled off from the sealing material portion (conventional chip-embedded sealing material portion) involved in embedding the plurality of semiconductor chips C (detachment step).
  • the so-called back surface of each semiconductor chip C is exposed on the surface of the conventional chip-embedded sealing material portion from which the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet has been peeled off.
  • a predetermined resin sheet is bonded to the surface on the side from which the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet has been peeled off in such a sealing material portion.
  • each semiconductor chip C is exposed on the side of the sealing material portion from which the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet is peeled, and the symmetry in the thickness direction of the sealing material portion is low.
  • the encapsulant portion is inevitably warped. In such a warped state, the subsequent processes can not be properly advanced. Therefore, in a semiconductor package manufacturing method using a conventional semiconductor process sheet consisting of a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet, after the detaching step, a predetermined resin sheet is attached to the surface on the side from which the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet is peeled off In addition, it is necessary to perform so-called wording (warpage) control on the conventional chip-embedded sealing material portion.
  • the semiconductor process sheet X with the partial sealant layer 20 on the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 is used. Specifically, a plurality of semiconductor chips C are mounted on the partial sealant layer 20 of the semiconductor process sheet X in the chip mounting step described above with reference to FIG.
  • a sealant portion 30 is formed from the sealant 30 ′ provided to embed the semiconductor chip C and the partial sealant layer 20 or the cured partial sealant layer 20, and thus formed.
  • the chip-embedded sealing material portion 30 (package P) has higher symmetry in the thickness direction than the above-described conventional chip-embedded sealing material portion, and is suitable for suppressing warpage.
  • the present manufacturing method in which the process for the word page control of the chip embedded sealing material portion 30 to the package P is not essential is suitable for efficiently manufacturing a semiconductor package.
  • the semiconductor process sheet X and the semiconductor package manufacturing method using the same are suitable for manufacturing a semiconductor package efficiently.
  • the chip electrode E of the semiconductor chip C penetrates the partial sealant layer 20 in the semiconductor process sheet X and reaches the adhesive surface 10 b of the double-sided adhesive sheet 10
  • each semiconductor chip C is mounted to the partial encapsulant layer 20.
  • the wiring structure portion 40 including the wiring electrically connected to the chip electrode E already exposed on the surface of the sealing material portion 30 is formed. According to these configurations, it is possible to appropriately form the wiring structure portion 40 without performing the sealing material portion 30 grinding step required before the wiring formation step when passing through the chip mounting step with face-up as described later. . Therefore, the configuration is preferable in efficiently manufacturing a semiconductor package.
  • the semiconductor chip C is bonded to the partial sealant layer 20 on the side opposite to the chip electrode E in the chip body instead of mounting face down.
  • the semiconductor package manufacturing method further includes a grinding step of grinding the sealing material portion 30 after the detaching step described above with reference to FIG. 5A to expose the chip electrode E of the semiconductor chip C, and
  • the wiring structure portion 40 including the wiring electrically connected to the chip electrode E exposed on the surface of the sealing material portion 30 is formed. . According to such a configuration, the wiring structure portion 40 can be appropriately formed.
  • Adhesive sheet, A partial sealant layer releasably in close contact with the second adhesive surface of the double-sided adhesive sheet.
  • the pressure-sensitive adhesive layer with reduced adhesion is positioned closer to the first adhesive surface than the base in the laminated structure,
  • the value of the ratio of peel adhesive strength to the flat surface of stainless steel in the peel test under the condition of 23 ° C., peel angle of 180 ° and tensile speed of 300 mm / min is 0.003 to 3 or 0
  • a method for manufacturing a semiconductor package using the semiconductor process sheet according to any one of appendices 1 to 7, A chip mounting step of mounting a plurality of semiconductor chips on the partial sealant layer in the semiconductor process sheet in which the first adhesive surface side is bonded to a support;
  • a sealing agent is supplied so as to embed the plurality of semiconductor chips on the semiconductor process sheet, and the sealing agent and the partial sealing agent layer are cured to form a sealing material portion.
  • a detaching step including separating the sealing material portion and the second adhesive surface;
  • a method for manufacturing a semiconductor package using the semiconductor process sheet according to any one of appendices 1 to 7, A chip mounting step of mounting a plurality of semiconductor chips on the partial sealant layer in the semiconductor process sheet in which the first adhesive surface side is bonded to a support; Curing the partial encapsulant layer; A sealing agent is supplied so as to embed the plurality of semiconductor chips on the semiconductor process sheet, and the sealing agent is cured on the cured partial sealing agent layer to form a sealing member portion.
  • a detaching step including separating the sealing material portion and the second adhesive surface;
  • the semiconductor chip has a chip body and at least one chip electrode extending therefrom, The semiconductor package manufacturing method according to appendix 8 or 9, wherein in the chip mounting step, each semiconductor chip is mounted on the partial sealant layer such that the chip electrode protrudes into the partial sealant layer. .
  • each semiconductor chip is mounted on the partial sealant layer such that the chip electrode penetrates the partial sealant layer and reaches the second adhesive surface.
  • a wiring structure portion including a wiring electrically connected to the chip electrode exposed on the surface of the sealing material portion is formed in the wiring formation step.
  • the semiconductor chip has a chip body and at least one chip electrode extending therefrom, In the chip mounting step, each semiconductor chip is mounted on the partial sealant layer such that the side of the chip body opposite to the chip electrode is bonded to the partial sealant layer.
  • the method further includes the step of grinding the sealing material portion after the detaching step to expose the tip electrode of the semiconductor chip, The semiconductor package manufacturing method according to claim 13, wherein a wiring structure portion including a wiring electrically connected to the chip electrode exposed on the surface of the sealing material portion is formed in the wiring formation step.
  • the detaching step includes an adhesive force reduction measure for the adhesive force reducing type adhesive layer in the semiconductor process sheet.

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Abstract

本発明の半導体プロセスシートは、両面粘着シート（１０）と部分封止剤層（２０）を備える。両面粘着シート（１０）は、その粘着面（１０ａ,１０ｂ）間の積層構造中に基材（１１）と粘着力低減型の粘着剤層（１２）と例えば感圧性の粘着剤層（１３）とを含む。部分封止剤層（２０）は両面粘着シート（１０）の粘着面（１０ｂ）上に位置する。本発明の方法は、例えば、粘着面（１０ａ）が支持体に貼り合わせられている半導体プロセスシートの部分封止剤層（２０）に複数の半導体チップをマウントする工程、半導体チップを包埋するように供給された封止剤と部分封止剤層（２０）を硬化させて封止材部を形成する工程、封止材部と粘着面（１０ｂ）の間を離す工程、封止材部上に配線構造部を形成する工程、及び、封止材部と配線構造部を半導体チップごとに分割する工程を含む。これら半導体プロセスシートと方法は、半導体パッケージを効率よく製造するのに適する。

Description

半導体プロセスシートおよび半導体パッケージ製造方法
　本発明は、半導体パッケージの製造に使用することのできる半導体プロセスシート、および半導体パッケージ製造方法に関する。
　半導体素子を内部に有する いわゆる半導体パッケージの製造においては、従来、半導体素子が素子ごとに樹脂材料で封止されたうえで、封止樹脂内の半導体素子と電気的に接続される配線や外部電極が封止樹脂表面に形成されることがある。半導体パッケージの製造技術については、例えば下記の特許文献１に記載されている。
特開２０１７－８８７８２号公報
　半導体パッケージの製造過程において、素子ごとに封止工程や配線形成工程などを行うことは、半導体パッケージの製造プロセスの煩雑化やコストの上昇を招きやすい。半導体素子の小型化・高密度化に伴う半導体パッケージにおける微細配線化・多端子化が進むほど、素子ごとに封止工程や配線形成工程などを行うことによる製造コスト等への影響は、大きくなる傾向にある。
　本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、その目的は、半導体パッケージを効率よく製造するのに適した半導体プロセスシートおよび半導体パッケージ製造方法を提供することにある。
　本発明の第１の側面によると、半導体プロセスシートが提供される。この半導体プロセスシートは、両面粘着シートおよび部分封止剤層を備える。両面粘着シートは、第１粘着面およびこれとは反対の第２粘着面を有し、これら粘着面間において、粘着力低減型粘着剤層と、粘着剤層と、これらの間に位置する基材とを少なくとも含む積層構造を有する。粘着力低減型粘着剤層は、好ましくは、加熱発泡型粘着剤層または放射線硬化性粘着剤層である。部分封止剤層は、両面粘着シートにおける第２粘着面上に剥離可能に密着している。また、両面粘着シートの積層構造中、例えば、粘着力低減型粘着剤層は基材よりも第１粘着面側に位置し、粘着剤層は基材よりも第２粘着面側に位置する。この場合、粘着力低減型粘着剤層は第１粘着面をなす層であってもよく、粘着剤層は第２粘着面をなす層であってもよい。或いは、両面粘着シートの積層構造中、粘着力低減型粘着剤層が基材よりも第２粘着面側に位置し、粘着剤層が基材よりも第１粘着面側に位置してもよい。この場合、粘着力低減型粘着剤層は第２粘着面をなす層であってもよく、粘着剤層は第１粘着面をなす層であってもよい。このような構成の本半導体プロセスシートは、本発明の第２の側面に関して後述するように、半導体パッケージの製造過程で使用することができるものである。
　本半導体プロセスシートにおける部分封止剤層は、好ましくは、チップ電極包埋用接着剤層である。この場合、包埋対象チップ電極の高さに対するチップ電極包埋用接着剤層の厚さの比の値は、好ましくは０.１～１０、より好ましくは０.２～９である。
　本半導体プロセスシートにおける部分封止剤層の厚さは、好ましくは１～３００μｍ、より好ましくは５～２５０μｍ、より好ましくは１０～２００μｍである。
　本半導体プロセスシートにおいて、両面粘着シートの第２粘着面と部分封止剤層との間の、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験における剥離粘着力に対する、両面粘着シートの第１粘着面が２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験においてステンレス平面に対して示す剥離粘着力の比の値は、好ましくは０.００３～３、より好ましくは０.００４～２.５である。例えば、両面粘着シートにおいて、粘着力低減型粘着剤層が第１粘着面をなし且つ粘着剤層が第２粘着面をなす場合には、当該粘着剤層と部分封止剤層との間の、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験における剥離粘着力に対する、当該粘着力低減型粘着剤層が２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験においてステンレス平面に対して示す剥離粘着力の比の値は、好ましくは０.００３～３、より好ましくは０.００４～２.５である。
　本発明の第２の側面によると、半導体パッケージ製造方法が提供される。本製造方法は、本発明の第１の側面に係る上述の半導体プロセスシートを使用して半導体パッケージを製造するための方法であって、以下のチップマウント工程、封止工程、デタッチ工程、配線形成工程、および個片化工程を少なくとも含む。
　チップマウント工程では、第１粘着面側が支持体に貼り合わせられている半導体プロセスシートにおける部分封止剤層に対して複数の半導体チップがマウントされる。半導体チップは、例えば、チップ本体とこれから延出する少なくとも一つのチップ電極とを有する延出電極付き半導体チップである。本工程では、半導体チップの有するチップ電極を部分封止剤層に向けてのフェイスダウンでのマウントが行われてもよいし、半導体チップのチップ電極とは反対の側を部分封止剤層に向けてのフェイスアップでのマウントが行われてもよい。
　封止工程では、半導体プロセスシート上において複数の半導体チップを包埋するように封止剤が供給され、当該封止剤および部分封止剤層が硬化されて、封止材部が形成される。これにより、半導体チップを包埋して伴う封止材部（チップ包埋封止材部）が得られる。
　本製造方法においては、上述のチップマウント工程の後、半導体プロセスシート上への封止剤の供給より前に、部分封止剤層を硬化させる硬化工程を行ってもよい。この場合、封止工程では、複数の半導体チップを包埋するように半導体プロセスシート上に供給された封止剤が硬化済み部分封止剤層上で硬化されて、封止材部が形成される。このような構成によると、半導体プロセスシートよる半導体チップの保持力が部分封止剤層の硬化によって強化された状態で、封止工程が行われる。したがって、当該構成は、封止工程において、封止剤の硬化時の収縮に起因する半導体チップの位置ずれを抑制するのに適する。このような半導体チップ位置ずれ抑制は、例えば、後の配線形成工程において半導体チップごとの配線を含む配線構造部を精度よく形成するうえで好ましい。
　デタッチ工程は、半導体プロセスシートにおける両面粘着シートの第２粘着面と封止材部との間を離隔させることを含む。デタッチ工程は、好ましくは、半導体プロセスシートにおける粘着力低減型粘着剤層に対する粘着力低減措置を含む。粘着力低減型粘着剤層が加熱発泡型粘着剤層である場合、粘着力低減措置は所定条件での加熱である。粘着力低減型粘着剤層が放射線硬化性粘着剤層である場合、粘着力低減措置は所定照射量での紫外線照射など放射線照射である。このようなデタッチ工程により、上述の支持体からチップ包埋封止材部を取り外すことができる。また、デタッチ工程の後、必要に応じて、封止材部内の各半導体チップのチップ電極を外部に露出させるための研削加工が封止材部に対して行われてもよい。
　配線形成工程では、半導体チップごとの配線を含む配線構造部が封止材部上に形成される。半導体チップごとの配線には、本製造方法によって半導体チップごとに製造されることとなる各半導体パッケージにおけるバンプ電極等の外部電極が含まれる。
　個片化工程では、封止材部および配線構造部が半導体チップごとに分割されて半導体パッケージが得られる。以上のようにして、半導体パッケージが製造されることとなる。
　本発明の第２の側面に係るこのような半導体パッケージ製造方法は、半導体パッケージを効率よく製造するのに適する。その理由は、以下のとおりである。
　部分封止剤層を備えない両面粘着シートよりなる従来型の半導体プロセスシートを使用して半導体パッケージを製造する場合、そのチップマウント工程では、一方面側が支持体に貼り合わせられている両面粘着シートの他方面に対して複数の半導体チップがマウントされる。このとき、半導体チップのチップ電極とは反対の側を両面粘着シートに接合するフェイスアップでのマウントが行われる。次に、両面粘着シート上において、複数の半導体チップを包埋する封止材部が形成される。次に、複数の半導体チップを包埋して伴う封止材部（従来型のチップ包埋封止材部）から両面粘着シートが剥離される（デタッチ工程）。従来型のチップ包埋封止材部において両面粘着シートが剥離された側の面には各半導体チップのいわゆる裏面が露出している。次に、このような封止材部において両面粘着シートが剥離された側の面に所定の樹脂シートが貼り合わせられる。封止材部において両面粘着シートが剥離された側の面には上述のように各半導体チップの裏面が露出しており、当該封止材部の厚さ方向における対称性は低いので、当該封止材部は不可避的に反ってしまう。このような反りが生じた状態では後続のプロセスを適切に進めることができない。そのため、両面粘着シートよりなる従来型の半導体プロセスシートが使用される半導体パッケージ製造方法では、デタッチ工程の後、封止材部において両面粘着シートが剥離された側の面に所定の樹脂シートを貼り合わせて、従来型のチップ包埋封止材部についていわゆるワーページ（反り）コントロールを行う必要があるのである。
　これに対し、本発明の第２の側面に係る半導体パッケージ製造方法では、デタッチ工程の後、チップ包埋封止材部についてのワーページコントロールのための特別の工程は必須ではない。本製造方法では、本発明の第１の側面に係る上述の半導体プロセスシートが使用されるからである。具体的には、チップマウント工程にて半導体プロセスシートの部分封止剤層に対して複数の半導体チップがマウントされ、封止工程では、複数の半導体チップを包埋するように設けられた封止剤と部分封止剤層または硬化済み部分封止剤層とから封止材部が形成され、このようにして形成されるチップ包埋封止材部は、上述の従来型のチップ包埋封止材部よりも厚さ方向における対称性が高く、反りを抑制するのに適するからである。チップ包埋封止材部のワーページコントロールのための工程が必須ではない本製造方法は、半導体パッケージを効率よく製造するのに適する。
　以上のように、本発明の第１の側面に係る半導体プロセスシートおよび第２の側面に係る半導体パッケージ製造方法は、半導体パッケージを効率よく製造するのに適するのである。
　本半導体パッケージ製造方法のチップマウント工程では、好ましくは、上記の各延出電極付き半導体チップが、そのチップ電極が部分封止剤層に突入するように、部分封止剤層に対してマウントされる（フェイスダウンでのマウント）。
　このようなフェイスダウンでのチップマウント工程では、好ましくは、半導体チップのチップ電極が半導体プロセスシートにおける部分封止剤層に突入し且つ両面粘着シートの第２粘着面に至るように、各半導体チップは部分封止剤層に対してマウントされる。この場合、後の配線形成工程では、封止材部の表面に既に露出しているチップ電極と電気的に接続される配線を含む配線構造部が形成される。これら構成によると、後述のようなフェイスアップでのチップマウント工程を経る場合に配線形成工程前に要する封止材部研削工程を行うことなく、配線構造部を適切に形成することができる。したがって、当該構成は、半導体パッケージを効率よく製造するうえで好ましい。
　本半導体パッケージ製造方法のチップマウント工程では、上記の各延出電極付き半導体チップが、そのチップ本体におけるチップ電極とは反対の側で部分封止剤層に接合されるように、部分封止剤層に対してマウントされてもよい。この場合、デタッチ工程の後に封止材部を研削して半導体チップのチップ電極を露出させる研削工程を本半導体パッケージ製造方法は更に含み、且つ、配線形成工程では、封止材部の表面に露出しているチップ電極と電気的に接続される配線を含む配線構造部が形成される。このような構成によると、配線構造部を適切に形成することができる。
本発明の一の実施形態に係る半導体プロセスシートの部分断面模式図である。 図１に示す半導体プロセスシートが使用される半導体パッケージ製造方法における一部の工程を表す。 図１に示す半導体プロセスシートが使用される半導体パッケージ製造方法における一部の工程を表す。 図１に示す半導体プロセスシートが使用される半導体パッケージ製造方法における一部の工程を表す。 図１に示す半導体プロセスシートが使用される半導体パッケージ製造方法における一部の工程を表す。 図１に示す半導体プロセスシートが使用される半導体パッケージ製造方法における一部の工程を表す。 図１に示す半導体プロセスシートが使用される半導体パッケージ製造方法における一部の工程を表す。
　図１は、本発明の一の実施形態に係る半導体プロセスシートＸの部分断面模式図である。半導体プロセスシートＸは、半導体パッケージの製造過程で使用することのできるものであり、両面粘着シート１０および部分封止剤層２０を備える。両面粘着シート１０は、粘着面１０ａおよびこれとは反対の粘着面１０ｂを有し、これら粘着面１０ａ,１０ｂ間において、基材１１と、粘着力低減型の粘着剤層１２と、粘着剤層１３とを含む積層構造を有する。部分封止剤層２０は、両面粘着シート１０における粘着面１０ｂ上に剥離可能に密着している。
　両面粘着シート１０の基材１１は、両面粘着シート１０ないし半導体プロセスシートＸにおいて支持体として機能する要素である。基材１１は例えばプラスチック基材であり、当該プラスチック基材としてはプラスチックフィルムを好適に用いることができる。当該プラスチック基材の構成材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフィド、アラミド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、およびシリコーン樹脂が挙げられる。ポリオレフィンとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン－(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン－(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン－ブテン共重合体、およびエチレン－ヘキセン共重合体が挙げられる。ポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、およびポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）が挙げられる。基材１１は、一種類の材料からなってもよいし、二種類以上の材料からなってもよい。基材１１は、単層構造を有してもよいし、多層構造を有してもよい。また、基材１１は、プラスチックフィルムよりなる場合、無延伸フィルムであってもよいし、一軸延伸フィルムであってもよいし、二軸延伸フィルムであってもよい。
　基材１１における粘着剤層１２側表面および粘着剤層１３側表面のそれぞれは、粘着剤層との密着性を高めるための物理的処理、化学的処理、または下塗り処理が施されていてもよい。物理的処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、およびイオン化放射線処理が挙げられる。化学的処理としては、例えばクロム酸処理が挙げられる。
　基材１１の厚さは、両面粘着シート１０ないし半導体プロセスシートＸにおける支持体として基材１１が機能するための強度を確保するという観点からは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上である。また、両面粘着シート１０ないし半導体プロセスシートＸにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材１１の厚さは、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。
　両面粘着シート１０の粘着剤層１２は、粘着力低減型の粘着剤を含む。粘着力低減型粘着剤としては、例えば、加熱発泡型粘着剤や、放射線照射によって粘着力が半導体パッケージ製造プロセスにて利用できない程度に低下するタイプ（第１タイプ）の放射線硬化性粘着剤が、挙げられる。本実施形態の粘着剤層１２においては、一種類の粘着力低減型粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着力低減型粘着剤が用いられてもよい。
　粘着剤層１２に用いられうる加熱発泡型粘着剤は、例えば、粘着主剤と、加熱によって発泡や膨張をする成分とを少なくとも含有する。加熱発泡型の粘着剤層は、それに含有される発泡性成分や膨張性成分が充分な加熱を受けると、膨張し、その表面（粘着面）にて凹凸形状を生じる。所定の被着体に粘着面が貼着している状態で加熱発泡型粘着剤層がそのような加熱を受けると、当該粘着剤層が膨張してその粘着面にて凹凸形状を生じて被着体に対する接着総面積を減じ、当該被着体に対する粘着力が低下することとなる。
　加熱発泡型粘着剤用の粘着主剤としては、例えば、アクリル系粘着剤としてのアクリル系ポリマー、ゴム系粘着剤、およびシリコーン系粘着剤が挙げられる。
　アクリル系粘着剤としてのアクリル系ポリマーは、好ましくは、アクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多いモノマーユニットとして含む。「(メタ)アクリル」は、「アクリル」および／または「メタクリル」を意味するものとする。
　アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステルなどの炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ-ブチルエステル、ｔ-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、およびエイコシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のシクロペンチルエステルおよびシクロヘキシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸フェニルおよび(メタ)アクリル酸ベンジルが挙げられる。アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすためのモノマーとして、一種類の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよいし、二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよい。(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性をアクリル系粘着剤において適切に発現させるうえでは、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における(メタ)アクリル酸エステルの割合は、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上である。
　アクリル系ポリマーは、その凝集力や耐熱性などを改質するために、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な一種類の又は二種類以上の他のモノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような他のモノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、およびアクリロニトリルなどの官能基含有モノマーが挙げられる。カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびクロトン酸が挙げられる。酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸および無水イタコン酸が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸４-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸６-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸８-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸１０-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸１２-ヒドロキシドデシル、および(メタ)アクリル酸(４-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチルが挙げられる。グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジルおよび(メタ)アクリル酸メチルグリシジルが挙げられる。スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２-(メタ)アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、および(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸が挙げられる。リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートが挙げられる。
　アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、(メタ)アクリル酸エステルなどのモノマーと共重合可能な多官能性モノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート（即ちポリグリシジル(メタ)アクリレート）、ポリエステル(メタ)アクリレート、およびウレタン(メタ)アクリレートが挙げられる。アクリル系ポリマーのためのモノマーとして、一種類の多官能性モノマーが用いられてもよいし、二種類以上の多官能性モノマーが用いられてもよい。アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における多官能性モノマーの割合は、(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性をアクリル系粘着剤において適切に発現させるうえでは、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下である。
　アクリル系ポリマーは、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、および懸濁重合が挙げられる。
　両面粘着シート１０ないし半導体プロセスシートＸの使用される半導体パッケージ製造方法における高度の清浄性の観点からは、両面粘着シート１０内の各粘着剤層中の低分子量成分は少ない方が好ましく、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは１０万以上、より好ましくは２０万～３００万である。アクリル系ポリマーの数平均分子量は、例えば、採用される重合手法や、用いられる重合開始剤の種類およびその使用量、重合反応の温度および時間、全モノマー成分中の各種モノマーの濃度、モノマー滴下速度などによって制御されうる。
　重合開始剤としては、例えば、アゾ系重合開始剤や、過酸化物系重合開始剤、レドックス系重合開始剤などが重合手法に応じて用いられる。アゾ系重合開始剤としては、例えば、２,２'-アゾビスイソブチロニトリル、２,２'-アゾビス-２-メチルブチロニトリル、２,２'-アゾビス(２-メチルプロピオン酸)ジメチル、および４,４'-アゾビス-４-シアノバレリアン酸が挙げられる。過酸化物系重合開始剤としては、例えば、ジベンゾイルペルオキシドおよびｔｅｒｔ-ブチルペルマレエートが挙げられる。
　アクリル系ポリマーの数平均分子量を高めるために例えば、粘着剤層形成用組成物には外部架橋剤が配合されてもよい。アクリル系ポリマーと反応して架橋構造を形成するための外部架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物（ポリフェノール系化合物など）、アジリジン化合物、およびメラミン系架橋剤が挙げられる。粘着主剤における外部架橋剤の含有量は、アクリル系ポリマー１００質量部に対して、好ましくは６質量部以下、より好ましくは０.１～５質量部である。
　加熱発泡型粘着剤用の、加熱によって発泡や膨張をする成分としては、例えば、発泡剤および熱膨張性微小球が挙げられる。
　加熱発泡型粘着剤用の発泡剤としては、種々の無機系発泡剤および有機系発泡剤が挙げられる。無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、およびアジド類が挙げられる。有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタンやジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン、アゾビスイソブチロニトリルやアゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ系化合物、パラトルエンスルホニルヒドラジドやジフェニルスルホン-３,３'-ジスルホニルヒドラジド、４,４'-オキシビス(ベンゼンスルホニルヒドラジド)、アリルビス(スルホニルヒドラジド)などのヒドラジン系化合物、ρ-トルイレンスルホニルセミカルバジドや４,４'-オキシビス(ベンゼンスルホニルセミカルバジド)などのセミカルバジド系化合物、５-モルホリル-１,２,３,４-チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物、並びに、Ｎ,Ｎ'-ジニトロソペンタメチレンテトラミンやＮ,Ｎ'-ジメチル-Ｎ,Ｎ'-ジニトロソテレフタルアミドなどのＮ-ニトロソ系化合物が挙げられる。
　加熱発泡型粘着剤用の熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、およびペンタンが挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルベーション法や界面重合法などによって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、およびポリスルホンが挙げられる。
　粘着剤層１２が加熱発泡型粘着剤よりなる粘着力低減型粘着剤層（加熱発泡型粘着剤層）である場合、当該粘着剤層１２の厚さは例えば５～１００μｍである。
　粘着剤層１２に用いられうる上記第１タイプの放射線硬化性粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤としてのアクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する、添加型の放射線硬化性粘着剤が挙げられる。
　上記第１タイプの放射線硬化性粘着剤をなすためのアクリル系ポリマーとしては、加熱発泡型粘着剤中の粘着主剤をなすアクリル系ポリマーとして上述したものを採用することができる。
　上記第１タイプの放射線硬化性粘着剤をなすための放射線重合性モノマー成分としては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、および１,４-ブタンジオールジ(メタ)アクリレートが挙げられる。上記第１タイプの放射線硬化性粘着剤をなすための放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系などの種々のオリゴマーが挙げられ、分子量１００～３００００程度のものが適当である。放射線硬化性粘着剤中の放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分の総含有量は、形成される粘着剤層１２の粘着力を放射線照射によって適切に低下させ得る範囲で決定され、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して、例えば５～５００質量部であり、好ましくは４０～１５０質量部である。また、添加型の放射線硬化性粘着剤としては、例えば特開昭６０－１９６９５６号公報に開示のものが用いられてもよい。
　粘着剤層１２に用いられうる上記第１タイプの放射線硬化性粘着剤としては、例えば、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化性粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化性粘着剤は、形成される粘着剤層１２内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制するうえで好適である。
　内在型の放射線硬化性粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。そのような基本骨格をなすアクリル系ポリマーとしては、加熱発泡型粘着剤中の粘着主剤をなすアクリル系ポリマーとして上述したものを採用することができる。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素－炭素二重結合の導入手法としては、例えば、所定の官能基（第１の官能基）を有するモノマーを含む原料モノマーを共重合させてアクリル系ポリマーを得た後、第１の官能基との間で反応を生じて結合しうる所定の官能基（第２の官能基）と放射線重合性炭素－炭素二重結合とを有する化合物を、炭素－炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応または付加反応させる方法が、挙げられる。
　第１の官能基と第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基が挙げられる。これら組み合わせのうち、反応追跡の容易さの観点からは、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせや、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが、好適である。また、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製するのは技術的難易度が高いことから、アクリル系ポリマーの作製または入手のしやすさの点では、アクリル系ポリマー側の上記第１の官能基がヒドロキシ基であり且つ上記第２の官能基がイソシアネート基である場合が、より好適である。また、放射線重合性炭素－炭素二重結合と第２の官能基たるイソシアネート基とを併有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）、およびｍ-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネートが挙げられる。
　粘着剤層１２に用いられるうる放射線硬化性粘着剤は、好ましくは光重合開始剤を含有する。光重合開始剤としては、例えば、α-ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、およびアシルホスフォナートが挙げられる。α-ケトール系化合物としては、例えば、４-(２-ヒドロキシエトキシ)フェニル(２-ヒドロキシ-２-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α'-ジメチルアセトフェノン、２-メチル-２-ヒドロキシプロピオフェノン、および１-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが挙げられる。アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２,２-ジメトキシ-１,２-ジフェニルエタン-１-オン、２,２-ジエトキシアセトフェノン、および２-メチル-１-[４-(メチルチオ)-フェニル]-２-モルホリノプロパン-１が挙げられる。ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、およびアニソインメチルエーテルが挙げられる。ケタール系化合物としては、例えばベンジルジメチルケタールが挙げられる。芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば２-ナフタレンスルホニルクロリドが挙げられる。光活性オキシム系化合物としては、例えば、１-フェニル-１,２-プロパンジオン-２-(Ｏ-エトキシカルボニル)オキシムが挙げられる。ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、および３,３'-ジメチル-４-メトキシベンゾフェノンが挙げられる。チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２-クロロチオキサントン、２-メチルチオキサントン、２,４-ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２,４-ジクロロチオキサントン、２,４-ジエチルチオキサントン、および２,４-ジイソプロピルチオキサントンが挙げられる。粘着剤層１２に用いられうる放射線硬化性粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して例えば０.０５～２０質量部である。
　粘着剤層１２のための放射線硬化性粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化性粘着剤）を特に好適に用いることができる。
　粘着剤層１２が上記第１タイプの放射線硬化性粘着剤よりなる粘着力低減型粘着剤層（放射線硬化性粘着剤層）である場合、当該粘着剤層１２の厚さは例えば２～５０μｍである。
　粘着剤層１２は、上述の各成分に加えて、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤などを含有してもよい。着色剤としては、顔料および染料が挙げられる。また、着色剤は、放射線照射を受けて着色する化合物であってもよい。そのような化合物としては、例えばロイコ染料が挙げられる。
　両面粘着シート１０の粘着剤層１３は、粘着剤を含む。粘着剤層１３用の粘着剤としては、例えば、感圧性粘着剤や、放射線照射によって粘着力が低下するものの半導体パッケージ製造プロセスにて利用できる程度に粘着力を維持するタイプ（第２タイプ）の放射線硬化性粘着剤が挙げられる。本実施形態の粘着剤層１３においては、一種類の粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着剤が用いられてもよい。
　粘着剤層１３に用いられうる感圧性粘着剤としては、アクリル系粘着剤としてのアクリル系ポリマー、ゴム系粘着剤、およびシリコーン系粘着剤が挙げられる。感圧性粘着剤用のアクリル系ポリマーとしては、加熱発泡型粘着剤中の粘着主剤をなすアクリル系ポリマーとして上述したものを採用することができる。
　粘着剤層１３に用いられうる上記第２タイプの放射線硬化性粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤としてのアクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する、添加型の放射線硬化性粘着剤を用いることができる。この粘着剤を構成するための成分としては、例えば、粘着剤層１２用の添加型の放射線硬化性粘着剤に関して上述した成分を用いることができる。添加型の放射線硬化性粘着剤における放射線照射による粘着力低下の程度については、例えば、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基の含有量、並びに、光重合開始剤の種類および配合量によって制御しうる。
　粘着剤層１３に用いられうる上記第２タイプの放射線硬化性粘着剤としては、例えば、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化性粘着剤も挙げられる。この粘着剤を構成するための成分としては、例えば、粘着剤層１２用の内在型の放射線硬化性粘着剤に関して上述した成分を用いることができる。内在型の放射線硬化性粘着剤における放射線照射による粘着力低下の程度については、例えば、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基の含有量、並びに、光重合開始剤の種類および配合量によって制御しうる。
　粘着剤層１３の厚さは、例えば１～５０μｍである。
　粘着剤層１３は、上述の各成分に加えて、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤などを含有してもよい。着色剤としては、顔料および染料が挙げられる。また、着色剤は、放射線照射を受けて着色する化合物であってもよい。そのような化合物としては、例えばロイコ染料が挙げられる。
　本実施形態では、上述のように、粘着力低減型粘着剤層である粘着剤層１２は基材１１よりも粘着面１０ａ側に位置し、且つ、粘着剤層１３は基材１１よりも粘着面１０ｂ側に位置する。半導体プロセスシートＸの両面粘着シート１０については、このような積層構成に代えて、粘着剤層１２が基材１１よりも粘着面１０ｂ側に位置し、粘着剤層１３が基材１１よりも粘着面１０ａ側に位置してもよい。
　半導体プロセスシートＸの両面粘着シート１０は、以上のような基材１１、粘着力低減型の粘着剤層１２、および粘着剤層１３に加えて他の層を積層構造中に含んでもよい。そのような他の層としては、例えば、粘着剤層１２が加熱発泡型粘着剤層である場合の当該粘着剤層１２上に設けられて粘着面をなす薄い粘着剤層や、粘着剤層１２が加熱発泡型粘着剤層である場合の当該粘着剤層１２と基材１１との間に設けられるゴム状有機弾性層が挙げられる。
　加熱発泡型粘着剤層表面を被覆する薄い粘着剤層が所定の被着体に貼着している状態で、加熱によって加熱発泡型粘着剤層が膨張してその表面凹凸形状を変形させると、これに伴って当該薄い粘着剤層も変形し、その対被着体接着総面積を減じ、当該被着体に対する粘着力が低下することとなる。加熱発泡型粘着剤の粘着力低減機能を利用しつつ、薄い粘着剤層における所望の粘着力を利用することが可能なのである。このような加熱発泡型粘着剤層上の薄い粘着剤層の厚さは例えば２～３０μｍである。
　基材と加熱発泡型粘着剤層との間にゴム状有機弾性層を設けることにより、加熱によって加熱発泡型粘着剤層をその厚さ方向へ優先的に且つ均一性高く膨張させやすくなる。このようなゴム状有機弾性層は、例えば、ＡＳＴＭ Ｄ－２２４０に基づくショアＤ型硬度が５０以下の天然ゴム、合成ゴム、または、ゴム弾性を有する合成樹脂により形成される。ゴム状有機弾性層用の合成ゴムや前記合成樹脂としては、例えば、ニトリル系やジエン系、アクリル系などの合成ゴム、ポリオレフィン系やポリエステル系などの熱可塑性エラストマー、並びに、エチレン－酢酸ビニル共重合体やポリウレタン、ポリブタジエン、軟質ポリ塩化ビニルなどのゴム弾性を有する合成樹脂が挙げられる。このようなゴム状有機弾性層の厚さは例えば１～５００μｍである。
　半導体プロセスシートＸにおける部分封止剤層２０は、上述のように、両面粘着シート１０における粘着面１０ｂ上に剥離可能に密着している。部分封止剤層２０の厚さは例えば１～３００μｍである。
　部分封止剤層２０は、製造目的物の半導体パッケージの一要素である半導体チップのチップ電極を包埋するためのチップ電極包埋用接着剤層であってもよい。すなわち、半導体プロセスシートＸは、部分封止剤層２０に対してフェイスダウンで半導体チップがマウントされるタイプのものとして設計されてもよい。チップ電極包埋用接着剤層である部分封止剤層２０の厚さは、好ましくは１～３００μｍ、より好ましくは５～２５０μｍ、より好ましくは１０～２００μｍである。また、包埋対象のチップ電極の高さに対するチップ電極包埋用接着剤層たる部分封止剤層２０の厚さの比の値は、好ましくは０.１～１０、より好ましくは０.２～９である。
　部分封止剤層２０は、例えば、樹脂成分として熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含有する組成を有する。或いは、部分封止剤層２０は、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を樹脂成分として含有する組成を有してもよい。このような部分封止剤層２０が未硬化の状態で半導体プロセスシートＸは半導体パッケージ製造プロセスに供される。
　部分封止剤層２０が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含有する組成を有する場合の当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、および熱硬化性ポリイミド樹脂が挙げられる。部分封止剤層２０は、一種類の熱硬化性樹脂を含有してもよいし、二種類以上の熱硬化性樹脂を含有してもよい。エポキシ樹脂は、半導体チップの腐食原因となりうるイオン性不純物等の含有量が少ない傾向にあることから、部分封止剤層２０中の熱硬化性樹脂として好ましい。また、エポキシ樹脂に熱硬化性を発現させるための硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましい。
　エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、およびテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂としては、ヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂、およびグリシジルアミン型エポキシ樹脂も挙げられる。また、部分封止剤層２０は、一種類のエポキシ樹脂を含有してもよいし、二種類以上のエポキシ樹脂を含有してもよい。
　フェノール樹脂はエポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、そのようなフェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ-ブチルフェノールノボラック樹脂、およびノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂が挙げられる。また、当該フェノール樹脂としては、レゾール型フェノール樹脂、および、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンも挙げられる。部分封止剤層２０中のフェノール樹脂として特に好ましいのは、フェノールノボラック樹脂やフェノールアラルキル樹脂である。また、部分封止剤層２０はエポキシ樹脂の硬化剤として、一種類のフェノール樹脂を含有してもよいし、二種類以上のフェノール樹脂を含有してもよい。
　部分封止剤層２０がエポキシ樹脂とその硬化剤としてのフェノール樹脂とを含有する場合、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対してフェノール樹脂中の水酸基が好ましくは０.５～２.０当量、より好ましくは０.８～１.２当量である割合で、両樹脂は配合される。このような構成は、部分封止剤層２０の硬化にあたって当該エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の硬化反応を充分に進行させるうえで好ましい。
　部分封止剤層２０における熱硬化性樹脂の含有割合は、部分封止剤層２０を適切に硬化させるという観点からは、好ましくは５～６０質量％、より好ましくは１０～５０質量％である。
　部分封止剤層２０中の熱可塑性樹脂は例えばバインダー機能を担うものであり、部分封止剤層２０が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む組成を有する場合の当該熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６-ナイロンや６,６-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびフッ素樹脂が挙げられる。部分封止剤層２０は、一種類の熱可塑性樹脂を含有してもよいし、二種類以上の熱可塑性樹脂を含有してもよい。アクリル樹脂は、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いことから、部分封止剤層２０中の熱可塑性樹脂として好ましい。
　部分封止剤層２０が熱可塑性樹脂としてアクリル樹脂を含有する場合の当該アクリル樹脂をなすアクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。当該アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、および(メタ)アクリル酸アリールエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ-ブチルエステル、ｔ-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、およびエイコシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のシクロペンチルエステルおよびシクロヘキシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸フェニルおよび(メタ)アクリル酸ベンジルが挙げられる。アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすためのモノマーとして、一種類の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよいし、二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよい。また、このようなアクリル系ポリマーは、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、および懸濁重合が挙げられる。
　アクリル系ポリマーは、その凝集力や耐熱性の改質のために、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な一種類の又は二種類以上の他のモノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような他のモノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、およびアクリロニトリルが挙げられる。カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、(メタ)アクリル酸カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸カルボキシペンチル、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびクロトン酸が挙げられる。酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸および無水イタコン酸が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸４-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸６-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸８-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸１０-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸１２-ヒドロキシラウリル、および(メタ)アクリル酸(４-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチルが挙げられる。エポキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジルおよび(メタ)アクリル酸メチルグリシジルが挙げられる。スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２-(メタ)アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、および(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸が挙げられる。リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートが挙げられる。
　部分封止剤層２０が、熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有する場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすためのアクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。そのような(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、部分封止剤層２０に含有されるアクリル樹脂をなすためのアクリル系ポリマーの構成モノマーとして上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルを用いることができる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすための熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、およびイソシアネート基が挙げられる。これらのうち、グリシジル基およびカルボキシ基を好適に用いることができる。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル系ポリマーやカルボキシ基含有アクリル系ポリマーを好適に用いることができる。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基の種類に応じて、それと反応を生じうる硬化剤が選択される。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂の熱硬化性官能基がグリシジル基である場合、硬化剤としては、エポキシ樹脂用硬化剤として上記したのと同様のフェノール樹脂を用いることができる。
　部分封止剤層２０を形成するための組成物は、好ましくは熱硬化触媒を含有する。部分封止剤層形成用組成物への熱硬化触媒の配合は、部分封止剤層２０の硬化にあたって樹脂成分の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めるうえで、好ましい。そのような熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。イミダゾール系化合物としては、例えば、２-メチルイミダゾール、２-ウンデシルイミダゾール、２-ヘプタデシルイミダゾール、１,２-ジメチルイミダゾール、２-エチル-４-メチルイミダゾール、２-フェニルイミダゾール、２-フェニル-４-メチルイミダゾール、１-ベンジル-２-メチルイミダゾール、１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール、１-シアノエチル-２-メチルイミダゾール、１-シアノエチル-２-ウンデシルイミダゾール、１-シアノエチル-２-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２,４-ジアミノ-６-[２'-メチルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジン、２,４-ジアミノ-６-[２'-ウンデシルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジン、２,４-ジアミノ-６-[２'-エチル-４'-メチルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジン、２,４-ジアミノ-６-[２'-メチルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジンイソシアヌル酸付加物、２-フェニル-４,５-ジヒドロキシメチルイミダゾール、および２-フェニル-４-メチル-５-ヒドロキシメチルイミダゾールが挙げられる。トリフェニルフォスフィン系化合物としては、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリ（ブチルフェニル）フォスフィン、トリ(ｐ-メチルフェニル)フォスフィン、トリ(ノニルフェニル)フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド、メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、およびベンジルトリフェニルホスホニウムクロライドが挙げられる。トリフェニルフォスフィン系化合物には、トリフェニルフォスフィン構造とトリフェニルボラン構造とを併有する化合物も含まれるものとする。そのような化合物としては、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ-ｐ-トリルボレート、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、およびトリフェニルホスフィントリフェニルボランが挙げられる。アミン系化合物としては、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレートおよびジシアンジアミドが挙げられる。トリハロゲンボラン系化合物としては、例えばトリクロロボランが挙げられる。部分封止剤層形成用組成物は、一種類の熱硬化触媒を含有してもよいし、二種類以上の熱硬化触媒を含有してもよい。
　部分封止剤層２０は、フィラーを含有してもよい。部分封止剤層２０へのフィラーの配合は、部分封止剤層２０の弾性率や、降伏点強度、破断伸度などの物性を調整するうえで好ましい。フィラーとしては、無機フィラーおよび有機フィラーが挙げられる。無機フィラーの構成材料としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、および非晶質シリカが挙げられる。無機フィラーの構成材料としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の単体金属や、合金、アモルファスカーボン、グラファイトなども挙げられる。有機フィラーの構成材料としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、およびポリエステルイミドが挙げられる。部分封止剤層２０は、一種類のフィラーを含有してもよいし、二種類以上のフィラーを含有してもよい。当該フィラーは、球状、針状、フレーク状など各種形状を有していてもよい。部分封止剤層２０がフィラーを含有する場合の当該フィラーの平均粒径は、好ましくは０.００２～１０μｍ、より好ましくは０.０５～１μｍである。当該フィラーの平均粒径が１０μｍ以下であるという構成は、部分封止剤層２０において充分なフィラー添加効果を得るとともに耐熱性を確保するうえで好適である。フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（商品名「ＬＡ－９１０」，株式会社堀場製作所製）を使用して求めることができる。また、部分封止剤層２０がフィラーを含有する場合の当該フィラーの含有量は、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは１５質量％以上、より好ましくは２０質量％以上である。同含有量は、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４７質量％以下、より好ましくは４５質量％以下である。
　部分封止剤層２０は、本実施形態では着色剤を含有する。着色剤は、顔料であってもよいし、染料であってもよい。着色剤としては、例えば、黒系着色剤、シアン系着色剤、マゼンダ系着色剤、およびイエロー系着色剤が挙げられる。黒系着色剤としては、例えば、酸化銅、二酸化マンガン、アゾメチンアゾブラックなどアゾ系顔料、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色染料、およびアゾ系有機黒色染料が挙げられる。黒系着色剤としては、Ｃ.Ｉ.ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、および同７０も挙げられる。黒系着色剤としては、Ｃ.Ｉ.ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、および同７１も挙げられる。黒系着色剤としては、Ｃ.Ｉ.アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、および同１５４も挙げられる。黒系着色剤としては、Ｃ.Ｉ.ディスパーズブラック１、同３、同１０、および同２４も挙げられる。黒系着色剤としては、Ｃ.Ｉ.ピグメントブラック１および同７も挙げられる。部分封止剤層２０は、一種類の着色剤を含有してもよいし、二種類以上の着色剤を含有してもよい。また、部分封止剤層２０における着色剤の含有量は、例えば０.５重量％以上であり、好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上である。同含有量は、例えば１０重量％以下であり、好ましくは８重量％以下、より好ましくは５重量％以下である。
　部分封止剤層２０は、必要に応じて、一種類の又は二種類以上の他の成分を含有してもよい。当該他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、および臭素化エポキシ樹脂が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β-(３,４-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、およびγ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ-３００」）、特定構造のリン酸ジルコニウム（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ-１００」）、ケイ酸マグネシウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード６００」）、およびケイ酸アルミニウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード７００」）が挙げられる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、およびビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、１,２,３-ベンゾトリアゾール、１-{Ｎ,Ｎ-ビス(２-エチルヘキシル)アミノメチル}ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-ブチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３-ｔ-ブチル-５-メチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、６-(２-ベンゾトリアゾリル)-４-ｔ-オクチル-６'-ｔ-ブチル-４'-メチル-２,２'-メチレンビスフェノール、１-(２,３-ジヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、１-(１,２-ジカルボキシジエチル)ベンゾトリアゾール、１-(２-エチルヘキシルアミノメチル)ベンゾトリアゾール、２,４-ジ-ｔ-ペンチル-６-{(Ｈ-ベンゾトリアゾール-１-イル)メチル}フェノール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-ブチルフェニル)-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、オクチル-３-[３-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ-５-(５-クロロ-２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)フェニル]プロピオネート、２-エチルヘキシル-３-[３-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ-５-(５-クロロ-２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)フェニル]プロピオネート、２-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-６-(１-メチル-１-フェニルエチル)-４-(１,１,３,３-テトラメチルブチル)フェノール、２-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-４-ｔ-ブチルフェノール、２-(２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-オクチルフェニル)-ベンゾトリアゾール、２-(３-ｔ-ブチル-２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-ブチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-[２-ヒドロキシ-３,５-ジ(１,１-ジメチルベンジル)フェニル]-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、２,２'-メチレンビス[６-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-４-(１,１,３,３-テトラメチルブチル)フェノール]、２-[２-ヒドロキシ-３,５-ビス(α,α-ジメチルベンジル)フェニル]-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、およびメチル-３-[３-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-５-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシフェニル]プロピオネートが挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物などの所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、１,２-ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、およびピロガロールが挙げられる。
　以上のような半導体プロセスシートＸにおいて、両面粘着シート１０の粘着面１０ｂと部分封止剤層２０との間の、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験における剥離粘着力（第１粘着力）に対する、両面粘着シート１０の粘着面１０ａが２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験においてステンレス平面に対して示す剥離粘着力（第２粘着力）の比の値は、好ましくは０.００３～３、より好ましくは０.００４～２.５である。
　上記の第１粘着力については、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧ-Ｘ」，株式会社島津製作所製）を使用して測定することができる。その測定に供される試験片の作製手法および測定手法は、具体的には次のとおりである。まず、半導体プロセスシートＸにおける部分封止剤層２０側の表面に片面粘着テープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせる。この貼り合わせは、２ｋｇのハンドローラーを１往復させる圧着作業によって行う。次に、この貼り合わせ体から、半導体プロセスシートＸ（両面粘着シート１０，部分封止剤層２０）と片面粘着テープとの積層構造を有する、幅２０ｍｍ×長さ１００ｍｍのサイズの試験片を、切り出す。そして、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧ-Ｘ」，株式会社島津製作所製）を使用して、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件で当該試験片について剥離試験を行い、半導体プロセスシートＸにおける両面粘着シート１０の粘着面１０ｂとその上の部分封止剤層２０との間の剥離粘着力（第１粘着力）を測定する。
　上記の第２粘着力については、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧ-Ｘ」，株式会社島津製作所製）を使用して測定することができる。その測定に供される試験片の作製手法および測定手法は、具体的には次のとおりである。まず、部分封止剤層２０を伴わない両面粘着シート１０から幅２０ｍｍ×長さ１００ｍｍのサイズの試験片を切り出す。次に、この試験片をその粘着面１０ａにてステンレス板に貼り合わせる。この貼り合わせは、２ｋｇのハンドローラーを１往復させる圧着作業によって行う。そして、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧ-Ｘ」，株式会社島津製作所製）を使用して、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件で当該試験片について剥離試験を行い、半導体プロセスシートＸにおける両面粘着シート１０の粘着面１０ａのステンレス板に対する剥離粘着力（第２粘着力）を測定する。
　以上のような構成を有する半導体プロセスシートＸは、両面粘着シート１０の粘着面１０ｂ上にて部分封止剤層２０を形成することによって作製してもよいし、セパレータ上にて形成された部分封止剤層２０を別途作製された両面粘着シート１０の粘着面１０ｂ側に貼り合わせることによって作製してもよい。両面粘着シート１０は、基材１１上にて粘着剤層１２,１３を形成することによって作製してもよいし、セパレータ上にて形成された粘着剤層１２および別のセパレータ上にて形成された粘着剤層１３を基材１１に対して貼り合わせることによって作製してもよい。各層は、例えば、層ごとに調製された所定の組成物の塗布および乾燥を経て形成することができる。
　図２から図７は、本発明の一の実施形態に係る半導体パッケージ製造方法を表す。本製造方法は、半導体プロセスシートＸを使用して半導体パッケージを製造するための方法であって、本実施形態では以下のチップマウント工程、封止工程、デタッチ工程、配線形成工程、薄化工程、および個片化工程を含む。
　まず、チップマウント工程では、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、粘着面１０ａ側が支持体Ｓに貼り合わせられている半導体プロセスシートＸにおける部分封止剤層２０に対して複数の半導体チップＣがマウントされる。支持体Ｓは、例えば、金属製、ガラス製、または透明樹脂製である。半導体チップＣは、チップ本体とこれから延出するチップ電極Ｅとを有する。本実施形態では、半導体チップＣの有するチップ電極Ｅを部分封止剤層２０に向けてのフェイスダウンでのマウントが行われる。好ましくは、半導体チップＣのチップ電極Ｅが半導体プロセスシートＸにおける部分封止剤層２０に突入し且つ両面粘着シート１０の粘着面１０ｂに至るように、各半導体チップＣは部分封止剤層２０に対してマウントされる。
　次に、封止工程では、図３（ａ）に示すように、半導体プロセスシートＸ上において複数の半導体チップＣを包埋するように封止剤３０'が供給され、その後、図３（ｂ）に示すように、封止剤３０'および部分封止剤層２０が硬化されて封止材部３０が形成される。これにより、半導体チップＣを包埋して伴う封止材部３０としてのパッケージＰ（チップ包埋封止材部）が得られる。封止剤３０'は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂など硬化剤、無機フィラー、硬化促進剤、および黒系着色剤を含む組成物であり、本封止工程において、液状組成物、パウダー、およびシートのいずれの形態で供給されてもよい。このような封止剤３０'の構成材料としては、例えば、半導体プロセスシートＸの部分封止剤層２０の構成材料として上述したのと同様のものを用いることができる。本工程において、封止材部３０を形成するための加熱温度は例えば１５０～１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒～数時間である。
　本製造方法においては、図２を参照して上述したチップマウント工程の後、半導体プロセスシートＸ上への封止剤３０'の供給より前に、図４（ａ）に示すように、部分封止剤層２０を硬化させてもよい（硬化工程）。この場合、封止工程では、まず、図４（ｂ）に示すように、半導体プロセスシートＸ上において複数の半導体チップＣを包埋するように封止剤３０'が供給され、この後、封止剤３０'が硬化済み部分封止剤層２０上で硬化されて、図３（ｂ）に示すように封止材部３０が形成される。このような構成によると、半導体プロセスシートＸよる半導体チップＣの保持力が部分封止剤層２０の硬化によって強化された状態で、封止工程が行われる。したがって、当該構成は、封止工程において、封止剤３０'の硬化時の収縮に起因する半導体チップＣの位置ずれを抑制するのに適する。このような半導体チップ位置ずれ抑制は、例えば、後の配線形成工程において半導体チップＣごとの配線を含む配線構造部を精度よく形成するうえで好ましい。
　次に、デタッチ工程では、図５（ａ）に示すように、支持体ＳによるパッケージＰの支持状態が解除される。本工程では、例えば、半導体プロセスシートＸと支持体Ｓとの間が離され、その後、両面粘着シート１０ないしその粘着面１０ｂがパッケージＰ（チップ包埋封止材部）から離される。或いは、支持体Ｓ上の両面粘着シート１０からパッケージＰが離された後、支持体Ｓから両面粘着シート１０が剥離される。
　半導体プロセスシートＸにおける両面粘着シート１０の粘着剤層１２（粘着力低減型粘着剤層）が加熱発泡型粘着剤層である場合、粘着力低減措置としての加熱によって当該粘着剤層１２ないし粘着面１０ａの粘着力を低下させて、支持体Ｓと両面粘着シート１０との間を離すことができる。そのための加熱温度は例えば１７０～２００℃である。
　半導体プロセスシートＸにおける両面粘着シート１０の粘着剤層１２（粘着力低減型粘着剤層）が上述の第１タイプの放射線硬化性粘着剤層である場合、粘着力低減措置としての紫外線照射など放射線照射によって当該粘着剤層１２ないし粘着面１０ａの粘着力を低下させて、支持体Ｓと両面粘着シート１０との間を離すことができる。そのための放射線照射が紫外線照射である場合、その照射量は例えば５０～５００ｍＪ/ｃｍ2である。
　フェイスダウンでの上述のチップマウント工程において、半導体チップＣのチップ電極Ｅが半導体プロセスシートＸの両面粘着シート１０の粘着面１０ｂに至らない場合には、デタッチ工程の後、封止材部３０内の各半導体チップＣのチップ電極Ｅを外部に露出させるための研削加工が封止材部３０に対して行われる。
　次に、配線形成工程では、図５（ｂ）に示すように、半導体チップＣごとの配線を含む配線構造部４０が封止材部３０上ないしパッケージＰ上に形成される。半導体チップＣごとの配線には、本製造方法によって半導体チップＣごとに製造されることとなる各半導体パッケージにおけるバンプ電極等の外部電極４１が含まれる。
　次に、薄化工程では、図６（ａ）に示すように配線構造部４０側にバックグラインドテープＹが貼り合わされた後、図６（ｂ）に示すように、封止材部３０に対して研削加工が施されてパッケージＰが薄化される。バックグラインドテープＹは、配線構造部４０の外部電極４１を包埋可能な厚さの粘着層Ｙａを有する。本工程では、例えば、半導体チップＣのいわゆる裏面（図６中では上面）が露出するように封止材部３０に対して研削加工が施される。
　次に、図７（ａ）に示すように、バックグラインドテープＹに保持されたパッケージＰに対し、ダイシングテープ一体型裏面保護フィルムＺが貼り合わせられる。ダイシングテープ一体型裏面保護フィルムＺは、粘着層を有するダイシングテープ５０とその粘着層上の半導体チップ裏面保護用の硬化性のフィルム６０とを備え、パッケージＰの研削加工面に対してダイシングテープ一体型裏面保護フィルムＺのフィルム６０側が貼り合わせられる。半導体チップ裏面保護用のフィルム６０は、黒系着色剤など着色剤が配合された接着剤フィルムである。フィルム６０用の着色剤としては、例えば、部分封止剤層２０用の着色剤として上述したのと同様のものを用いることができる。また、フィルム６０は、熱硬化タイプの接着剤フィルムであってもよいし、例えば７０℃程度の温度条件下で被着体に貼り合わせられることによって当該被着体に対して十分な密着力を発現することが可能な硬化レスタイプの接着剤フィルムであってもよい。
　次に、バックグラインドテープＹが除かれる。フィルム６０が熱硬化タイプの接着剤フィルムである場合には、バックグラインドテープＹの除去の後、図７（ｂ）に示すようにフィルム６０が加熱硬化される。
　次に、個片化工程では、図７（ｃ）に示すように、例えばブレードダイシングによって封止材部３０および配線構造部４０が半導体チップＣごとに分割される（図７（ｃ）では分割箇所を模式的に太線で表す）。こうして個片化された各半導体パッケージは、この後、ダイシングテープ５０からピックアップされる。
　以上のようにして、半導体プロセスシートＸを使用して半導体パッケージを製造することができる。このような半導体パッケージ製造方法は、半導体パッケージを効率よく製造するのに適する。その理由は、以下のとおりである。
　部分封止剤層２０を備えない両面粘着シートよりなる従来型の半導体プロセスシートを使用して半導体パッケージを製造する場合、そのチップマウント工程では、一方面側が支持体Ｓに貼り合わせられている両面粘着シートの他方面に対して複数の半導体チップＣがマウントされる。このとき、半導体チップＣのチップ電極Ｅとは反対の側を両面粘着シートに接合するフェイスアップでのマウントが行われる。次に、両面粘着シート上において、複数の半導体チップＣを包埋する封止材部が形成される。次に、複数の半導体チップＣを包埋して伴う封止材部（従来型のチップ包埋封止材部）から両面粘着シートが剥離される（デタッチ工程）。従来型のチップ包埋封止材部において両面粘着シートが剥離された側の面には各半導体チップＣのいわゆる裏面が露出している。次に、このような封止材部において両面粘着シートが剥離された側の面に所定の樹脂シートが貼り合わせられる。封止材部において両面粘着シートが剥離された側の面には上述のように各半導体チップＣの裏面が露出しており、当該封止材部の厚さ方向における対称性は低いので、当該封止材部は不可避的に反ってしまう。このような反りが生じた状態では後続のプロセスを適切に進めることができない。そのため、両面粘着シートよりなる従来型の半導体プロセスシートが使用される半導体パッケージ製造方法では、デタッチ工程の後、封止材部において両面粘着シートが剥離された側の面に所定の樹脂シートを貼り合わせて、従来型のチップ包埋封止材部についていわゆるワーページ（反り）コントロールを行う必要があるのである。
　これに対し、本発明に係る半導体パッケージ製造方法では、図５（ａ）を参照して上述したデタッチ工程を経たパッケージＰ（チップ包埋封止材部３０）についてのワーページコントロールのための特別の工程は必須ではない。本製造方法では、両面粘着シート１０上に部分封止剤層２０を伴う半導体プロセスシートＸが使用されるからである。具体的には、図２を参照して上述したチップマウント工程にて半導体プロセスシートＸの部分封止剤層２０に対して複数の半導体チップＣがマウントされ、その後の封止工程では、複数の半導体チップＣを包埋するように設けられた封止剤３０'と部分封止剤層２０または硬化済み部分封止剤層２０とから封止材部３０が形成され、このようにして形成されるチップ包埋封止材部３０（パッケージＰ）は、上述の従来型のチップ包埋封止材部よりも厚さ方向における対称性が高く、反りを抑制するのに適するからである。チップ包埋封止材部３０ないしパッケージＰのワーページコントロールのための工程が必須ではない本製造方法は、半導体パッケージを効率よく製造するのに適する。
　以上のように、半導体プロセスシートＸおよびこれが使用される半導体パッケージ製造方法は、半導体パッケージを効率よく製造するのに適するのである。
　本実施形態のチップマウント工程では、上述のように、好ましくは、半導体チップＣのチップ電極Ｅが半導体プロセスシートＸにおける部分封止剤層２０に突入し且つ両面粘着シート１０の粘着面１０ｂに至るように、各半導体チップＣは部分封止剤層２０に対してマウントされる。この場合、後の配線形成工程では、封止材部３０の表面に既に露出しているチップ電極Ｅと電気的に接続される配線を含む配線構造部４０が形成される。これら構成によると、後述のようなフェイスアップでのチップマウント工程を経る場合に配線形成工程前に要する封止材部３０研削工程を行うことなく、配線構造部４０を適切に形成することができる。したがって、当該構成は、半導体パッケージを効率よく製造するうえで好ましい。
　本発明の半導体パッケージ製造方法におけるチップマウント工程では、フェイスダウンでのマウントの代わりに、半導体チップＣがそのチップ本体におけるチップ電極Ｅとは反対の側で部分封止剤層２０に接合されるように、部分封止剤層２０に対する半導体チップＣのマウントが行われてもよい。この場合、図５（ａ）を参照して上述したデタッチ工程の後に封止材部３０を研削して半導体チップＣのチップ電極Ｅを露出させる研削工程を本半導体パッケージ製造方法は更に含み、且つ、図５（ｂ）を参照して上述した配線形成工程では、封止材部３０の表面に露出しているチップ電極Ｅと電気的に接続される配線を含む配線構造部４０が形成される。このような構成によると、配線構造部４０を適切に形成することができる。
　以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列記する。
〔付記１〕
　粘着力低減型粘着剤層、粘着剤層、およびこれらの間に位置する基材を少なくとも含む積層構造を有し、且つ、第１粘着面およびこれとは反対の第２粘着面を有する、両面粘着シートと、
　前記両面粘着シートにおける前記第２粘着面上に剥離可能に密着している部分封止剤層と、を備える半導体プロセスシート。
〔付記２〕
　前記部分封止剤層はチップ電極包埋用接着剤層である、付記１に記載の半導体プロセスシート。
〔付記３〕
　包埋対象チップ電極の高さに対する前記チップ電極包埋用接着剤層の厚さの比の値は０.１～１０または０.２～９である、付記２に記載の半導体プロセスシート。
〔付記４〕
　前記部分封止剤層は、１～３００μｍ、５～２５０ｎｍ、または１０～２００ｎｍの厚さを有する、付記１から３のいずれか一つに記載の半導体プロセスシート。
〔付記５〕
　前記粘着力低減型粘着剤層は、加熱発泡型粘着剤層または放射線硬化性粘着剤層である、付記１から４のいずれか一つに記載の半導体プロセスシート。
〔付記６〕
　前記粘着力低減型粘着剤層は、前記積層構造において前記基材よりも前記第１粘着面側に位置し、
　前記粘着剤層は、前記積層構造において前記基材よりも前記第２粘着面側に位置する、付記１から５のいずれか一つに記載の半導体プロセスシート。
〔付記７〕
　前記両面粘着シートの前記第２粘着面と前記部分封止剤層との間の、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験における剥離粘着力に対する、前記両面粘着シートの前記第１粘着面が２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験においてステンレス平面に対して示す剥離粘着力の比の値は、０.００３～３または０.００４～２.５である、付記１から６のいずれか一つに記載の半導体プロセスシート。
〔付記８〕
　付記１から７のいずれか一つに記載の半導体プロセスシートを使用して半導体パッケージを製造するための方法であって、
　前記第１粘着面側が支持体に貼り合わせられている前記半導体プロセスシートにおける前記部分封止剤層に対して複数の半導体チップをマウントするチップマウント工程と、
　前記半導体プロセスシート上において前記複数の半導体チップを包埋するように封止剤を供給し、当該封止剤および前記部分封止剤層を硬化させて封止材部を形成する、封止工程と、
　前記封止材部と前記第２粘着面との間を離隔させることを含むデタッチ工程と、
　前記半導体チップごとの配線を含む配線構造部を前記封止材部上に形成する配線形成工程と、
　前記封止材部および前記配線構造部を前記半導体チップごとに分割して半導体パッケージを得る個片化工程と、を含む半導体パッケージ製造方法。
〔付記９〕
　付記１から７のいずれか一つに記載の半導体プロセスシートを使用して半導体パッケージを製造するための方法であって、
　前記第１粘着面側が支持体に貼り合わせられている前記半導体プロセスシートにおける前記部分封止剤層に対して複数の半導体チップをマウントするチップマウント工程と、
　前記部分封止剤層を硬化させる硬化工程と、
　前記半導体プロセスシート上において前記複数の半導体チップを包埋するように封止剤を供給し、当該封止剤を硬化済み部分封止剤層上で硬化させて封止材部を形成する、封止工程と、
　前記封止材部と前記第２粘着面との間を離隔させることを含むデタッチ工程と、
　前記半導体チップごとの配線を含む配線構造部を前記封止材部上に形成する配線形成工程と、
　前記封止材部および前記配線構造部を前記半導体チップごとに分割して半導体パッケージを得る個片化工程と、を含む半導体パッケージ製造方法。
〔付記１０〕
　前記半導体チップは、チップ本体と、これから延出する少なくとも一つのチップ電極とを有し、
　前記チップマウント工程では、各半導体チップは、前記チップ電極が前記部分封止剤層に突入するように当該部分封止剤層に対してマウントされる、付記８または９に記載の半導体パッケージ製造方法。
〔付記１１〕
　前記チップマウント工程では、各半導体チップは、前記チップ電極が前記部分封止剤層に突入し且つ前記第２粘着面に至るように、前記部分封止剤層に対してマウントされる、付記１０に記載の半導体パッケージ製造方法。
〔付記１２〕
　前記配線形成工程では、前記封止材部の表面に露出している前記チップ電極と電気的に接続される配線を含む配線構造部が形成される、付記１１に記載の半導体パッケージ製造方法。
〔付記１３〕
　前記半導体チップは、チップ本体と、これから延出する少なくとも一つのチップ電極とを有し、
　前記チップマウント工程では、各半導体チップは、前記チップ本体における前記チップ電極とは反対の側が前記部分封止剤層に接合されるように当該部分封止剤層に対してマウントされる、付記８または９に記載の半導体パッケージ製造方法。
〔付記１４〕
　前記デタッチ工程の後に前記封止材部を研削して前記半導体チップの前記チップ電極を露出させる工程を更に含み、
　前記配線形成工程では、前記封止材部の表面に露出している前記チップ電極と電気的に接続される配線を含む配線構造部が形成される、付記１３に記載の半導体パッケージ製造方法。
〔付記１５〕
　前記デタッチ工程は、前記半導体プロセスシートにおける前記粘着力低減型粘着剤層に対する粘着力低減措置を含む、付記８から１４のいずれか一つに記載の半導体パッケージ製造方法。
Ｘ　　　　　　　半導体プロセスシート
１０　　　　　　両面粘着シート
１０ａ，１０ｂ　粘着面
１１　　　　　　基材
１２　　　　　　粘着剤層（粘着力低減型粘着剤層）
１３　　　　　　粘着剤層
２０　　　　　　部分封止剤層
３０’　　　　　封止剤
３０　　　　　　封止材部
４０　　　　　　配線構造部
４１　　　　　　外部電極
Ｃ　　　　　　　半導体チップ
Ｐ　　　　　　　パッケージ

Claims (15)

  1. 　粘着力低減型粘着剤層、粘着剤層、およびこれらの間に位置する基材を少なくとも含む積層構造を有し、且つ、第１粘着面およびこれとは反対の第２粘着面を有する、両面粘着シートと、
    　前記両面粘着シートにおける前記第２粘着面上に剥離可能に密着している部分封止剤層と、を備える半導体プロセスシート。
  2. 　前記部分封止剤層はチップ電極包埋用接着剤層である、請求項１に記載の半導体プロセスシート。
  3. 　包埋対象チップ電極の高さに対する前記チップ電極包埋用接着剤層の厚さの比の値は０.１～１０である、請求項２に記載の半導体プロセスシート。
  4. 　前記部分封止剤層は１～３００μｍの厚さを有する、請求項１から３のいずれか一つに記載の半導体プロセスシート。
  5. 　前記粘着力低減型粘着剤層は、加熱発泡型粘着剤層または放射線硬化性粘着剤層である、請求項１から４のいずれか一つに記載の半導体プロセスシート。
  6. 　前記粘着力低減型粘着剤層は、前記積層構造において前記基材よりも前記第１粘着面側に位置し、
    　前記粘着剤層は、前記積層構造において前記基材よりも前記第２粘着面側に位置する、請求項１から５のいずれか一つに記載の半導体プロセスシート。
  7. 　前記両面粘着シートの前記第２粘着面と前記部分封止剤層との間の、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験における剥離粘着力に対する、前記両面粘着シートの前記第１粘着面が２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験においてステンレス平面に対して示す剥離粘着力の比の値は、０.００３～３である、請求項１から６のいずれか一つに記載の半導体プロセスシート。
  8. 　請求項１から７のいずれか一つに記載の半導体プロセスシートを使用して半導体パッケージを製造するための方法であって、
    　前記第１粘着面側が支持体に貼り合わせられている前記半導体プロセスシートにおける前記部分封止剤層に対して複数の半導体チップをマウントするチップマウント工程と、
    　前記半導体プロセスシート上において前記複数の半導体チップを包埋するように封止剤を供給し、当該封止剤および前記部分封止剤層を硬化させて封止材部を形成する、封止工程と、
    　前記封止材部と前記第２粘着面との間を離隔させることを含むデタッチ工程と、
    　前記半導体チップごとの配線を含む配線構造部を前記封止材部上に形成する配線形成工程と、
    　前記封止材部および前記配線構造部を前記半導体チップごとに分割して半導体パッケージを得る個片化工程と、を含む半導体パッケージ製造方法。
  9. 　請求項１から７のいずれか一つに記載の半導体プロセスシートを使用して半導体パッケージを製造するための方法であって、
    　前記第１粘着面側が支持体に貼り合わせられている前記半導体プロセスシートにおける前記部分封止剤層に対して複数の半導体チップをマウントするチップマウント工程と、
    　前記部分封止剤層を硬化させる硬化工程と、
    　前記半導体プロセスシート上において前記複数の半導体チップを包埋するように封止剤を供給し、当該封止剤を硬化済み部分封止剤層上で硬化させて封止材部を形成する、封止工程と、
    　前記封止材部と前記第２粘着面との間を離隔させることを含むデタッチ工程と、
    　前記半導体チップごとの配線を含む配線構造部を前記封止材部上に形成する配線形成工程と、
    　前記封止材部および前記配線構造部を前記半導体チップごとに分割して半導体パッケージを得る個片化工程と、を含む半導体パッケージ製造方法。
  10. 　前記半導体チップは、チップ本体と、これから延出する少なくとも一つのチップ電極とを有し、
    　前記チップマウント工程では、各半導体チップは、前記チップ電極が前記部分封止剤層に突入するように当該部分封止剤層に対してマウントされる、請求項８または９に記載の半導体パッケージ製造方法。
  11. 　前記チップマウント工程では、各半導体チップは、前記チップ電極が前記部分封止剤層に突入し且つ前記第２粘着面に至るように、前記部分封止剤層に対してマウントされる、請求項１０に記載の半導体パッケージ製造方法。
  12. 　前記配線形成工程では、前記封止材部の表面に露出している前記チップ電極と電気的に接続される配線を含む配線構造部が形成される、請求項１１に記載の半導体パッケージ製造方法。
  13. 　前記半導体チップは、チップ本体と、これから延出する少なくとも一つのチップ電極とを有し、
    　前記チップマウント工程では、各半導体チップは、前記チップ本体における前記チップ電極とは反対の側が前記部分封止剤層に接合されるように当該部分封止剤層に対してマウントされる、請求項８または９に記載の半導体パッケージ製造方法。
  14. 　前記デタッチ工程の後に前記封止材部を研削して前記半導体チップの前記チップ電極を露出させる工程を更に含み、
    　前記配線形成工程では、前記封止材部の表面に露出している前記チップ電極と電気的に接続される配線を含む配線構造部が形成される、請求項１３に記載の半導体パッケージ製造方法。
  15. 　前記デタッチ工程は、前記半導体プロセスシートにおける前記粘着力低減型粘着剤層に対する粘着力低減措置を含む、請求項８から１４のいずれか一つに記載の半導体パッケージ製造方法。
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