TWI839475B - 熱硬化性黏接著膜、半導體製程用片材、及半導體封裝製造方法 - Google Patents

熱硬化性黏接著膜、半導體製程用片材、及半導體封裝製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種適於對依序暫時固定於膜上之複數個半導體晶片發揮晶片間之密接力差較小之充分之密接力、並且適於在晶片陣列密封時抑制晶片偏移之熱硬化性黏接著膜及半導體製程用片材、以及半導體封裝製造方法。 本發明之黏接著膜10(熱硬化性黏接著膜)於在特定條件下對寬度10 mm之膜試樣片進行之動態黏彈性測定中，於20℃下之拉伸儲存模數為1 GPa以下，且130℃下之拉伸儲存模數為0.1 MPa以上。本發明之半導體製程用片材X具備膜10與雙面黏著片材20。本發明之半導體封裝製造方法包含：於半導體製程用片材X之膜10上壓接複數個半導體晶片C並進行排列之步驟、及形成包埋複數個半導體晶片之密封材部之步驟。

Description

熱硬化性黏接著膜、半導體製程用片材、及半導體封裝製造方法
本發明係關於一種可用於半導體封裝之製造之熱硬化性黏接著膜及半導體製程用片材、以及半導體封裝製造方法。
於內部具有半導體元件之半導體封裝之製造過程中，存在進行如下步驟之情況：用以於貼合於支持基板上之雙面固著性之製程用片材上壓接複數個半導體晶片而進行暫時固定之排列步驟、及用以一次性地對該晶片陣列進行樹脂密封之密封步驟。關於半導體封裝之製造技術，例如記載於下述之專利文獻1、2中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-022395號公報 [專利文獻2]日本專利特開2018-083893號公報
[發明所欲解決之問題]
於上述之密封步驟中，將密封用樹脂組合物以包埋複數個半導體晶片之方式供給於支持基板上後，經過相對高溫之加熱過程使該組合物進行熱硬化。於此種密封步驟中，先前存在起因於密封用樹脂組合物之硬化時之收縮而於支持基板或製程用片材上之半導體晶片產生位置偏離(晶片偏移)之情況。於所使用之製程用片材之晶片暫時固定側表面包含感壓性黏著劑之情形時，容易產生此種晶片偏移。晶片偏移例如存在成為於封裝表面形成再配線層時之對準之偏離之原因、或作為製造目標物之半導體封裝之良率降低之原因之情形，故而欠佳。
另一方面，於使用晶片暫時固定側表面包含熱硬化性接著劑之製程用片材之情形時，先前於上述之排列步驟中，為了對暫時固定於製程用片材之半導體晶片確保充分之密接性，於100～150℃左右之加熱條件下進行半導體晶片對支持基板上製程用片材之壓接。於此種排列步驟中，將複數個半導體晶片依序暫時固定於製程用片材上之期間，形成製程用片材之晶片暫時固定側表面之熱硬化性接著劑可進行熱硬化反應。因此，於製程用片材對排列步驟之初期暫時固定於製程用片材上之半導體晶片之密接力、與製程用片材對排列步驟之終期暫時固定於製程用片材上之半導體晶片之密接力之間產生有意義差。存在於排列步驟中排列之半導體晶片之數越多(所使用之製程用片材之面積越廣)則其密接力差越大之傾向。其密接力差越大，則實際上越難兼顧暫時固定於製程用片材之所有之半導體晶片之密接性、與其等半導體晶片自製程用片材之剝離性。
本發明係基於此種情況而想出者，其目的在於提供一種適於對依序暫時固定於膜上之複數個半導體晶片發揮晶片間之密接力差較小之充分之密接力、並且適於在晶片陣列密封時抑制晶片偏移之熱硬化性黏接著膜及半導體製程用片材、以及半導體封裝製造方法。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之第1態樣，提供一種熱硬化性黏接著膜。該膜於在頻率1 Hz及升溫速度10℃/min之條件下對寬度10 mm之膜試樣片進行之動態黏彈性測定中，於20℃下之第1拉伸儲存模數為1 GPa以下，且130℃下之第2拉伸儲存模數為0.1 MPa以上。本熱硬化性黏接著膜係可用作形成半導體封裝之製造時使用之製程用片材之晶片暫時固定側表面之晶片暫時固定用材料者。
於本熱硬化性黏接著膜(熱硬化前)中，20℃下之第1拉伸儲存模數為1 GPa以下之上述構成適於對常溫下壓接於本膜之半導體晶片發揮充分之密接力。此種熱硬化性黏接著膜於在半導體封裝製造過程中用作上述晶片暫時固定用材料之情形時，適於抑制本膜內之熱硬化反應進行，同時於常溫下進行晶片排列步驟，因此適於抑制對在晶片排列步驟中依序暫時固定於本膜上之複數個半導體晶片之晶片間密接力差。
此外，於本熱硬化性黏接著膜(熱硬化前)中，130℃下之第2拉伸儲存模數為0.1 MPa以上之上述構成適於在130℃及其附近之溫度下對壓接於本膜之半導體晶片發揮良好之密接力或固定力。此種熱硬化性黏接著膜於在半導體封裝製造過程中用作上述之晶片暫時固定用材料之情形時適於抑制壓接於本膜上之半導體晶片於晶片陣列密封時產生晶片偏移。
如以上所述，本熱硬化性黏接著膜適於對依序暫時固定於其上之複數個半導體晶片發揮晶片間之密接力差較小之充分之密接力，並且適於在晶片陣列密封時抑制晶片偏移。當作用於暫時固定於本熱硬化性黏接著膜之半導體晶片之密接力之差較小時，就謀求半導體晶片對本熱硬化性黏接著膜之密接性、與自本熱硬化性黏接著膜脫附半導體晶片之情形時之其脫附性之兼顧之方面而言較佳。又，抑制上述之晶片偏移就良率較佳地製造半導體封裝之方面而言較佳。
本熱硬化性黏接著膜之上述之第1拉伸儲存模數較佳為0.001 GPa以上、更佳為0.05 GPa以上。此種構成就於常溫下使本熱硬化性黏接著膜對暫時固定於其之半導體晶片發揮良好之密接力之方面而言較佳。
本熱硬化性黏接著膜之上述之第2拉伸儲存模數較佳為100 MPa以下、更佳為50 MPa以下。此種構成就於130℃及其附近之溫度下使本熱硬化性黏接著膜對暫時固定於其之半導體晶片發揮良好之密接力或固定力之方面而言較佳。
本熱硬化性黏接著膜於在頻率1 Hz及升溫速度10℃/min之條件下對處於熱硬化狀態之寬度10 mm之膜試樣片進行之動態黏彈性測定中，於150℃下之第3拉伸儲存模數較佳為1 MPa以上、更佳為5 MPa以上、更佳為10 MPa以上。此種構成於在壓接有半導體晶片之狀態下使本熱硬化性黏接著膜進行熱硬化之情形時適於抑制本熱硬化性黏接著膜上之半導體晶片中產生位置偏離。
本熱硬化性黏接著膜中之25℃下之探針黏著力較佳為10 gf以上。此種構成就於本熱硬化性黏接著膜中確保對半導體晶片之常溫密接性之方面而言較佳。
根據本發明之第2態樣，提供一種半導體製程用片材。該半導體製程用片材具備雙面黏著片材與本發明之第1態樣之上述熱硬化性黏接著膜。雙面黏著片材具有包含第1黏著劑層、第2黏著劑層、及該等之間之基材之積層構造。熱硬化性黏接著膜密接於雙面黏著片材之第1黏著劑層上。如下文中針對本發明之第3態樣所述，此種構成之本半導體製程用片材可於半導體封裝之製造過程中使用。
半導體製程用片材中之第1黏著劑層及第2黏著劑層之至少一者較佳為黏著力可降低型黏著劑層。根據此種構成，藉由對黏著力可降低型黏著劑層之黏著力降低措施，可使利用本半導體製程用片材之接合對象物之間分離。
根據本發明之第3態樣，提供一種半導體封裝製造方法。本製造方法係用以使用本發明之第2態樣之上述之半導體製程用片材製造半導體封裝之方法，且至少包含以下之排列步驟及密封步驟。
於排列步驟中，於將第2黏著劑層側貼合於支持體之半導體製程用片材中之熱硬化性黏接著膜上壓接複數個半導體晶片並進行排列。半導體晶片例如具有晶片本體與自其延出之至少一個晶片電極。於排列步驟中，亦可將此種半導體晶片以晶片本體中之與晶片電極相反之側壓接於熱硬化性黏接著膜。
於密封步驟中，於半導體製程用片材上以包埋複數個半導體晶片之方式供給密封劑，使該密封劑進行硬化而形成密封材部。
於本半導體封裝製造方法中，使用具備本發明之第1態樣之上述熱硬化性黏接著膜之半導體製程用片材。因此，於本製造方法中，可享有與上文中關於本發明之第1態樣之熱硬化性黏接著膜所述者同樣之技術效果。
本發明之第3態樣之半導體封裝製造方法亦可進而包含使半導體製程用片材中之第1黏著劑層與熱硬化性黏接著膜之間分離之分離步驟。於半導體製程用片材具有上述之黏著力可降低型黏著劑層之情形時，於分離步驟中，較佳為進行對半導體製程用片材中之黏著力可降低型黏著劑層之黏著力降低措施。於黏著力可降低型黏著劑層為加熱發泡型黏著劑層之情形時，黏著力降低措施為特定條件下之加熱。於黏著力可降低型黏著劑層為放射線硬化性黏著劑層之情形時，黏著力降低措施為特定照射量下之紫外線照射等放射線照射。於分離步驟之後，亦可進而進行將熱硬化性黏接著膜自密封材部研削去除之步驟。於研削去除後，較佳為於該研削面形成背面保護膜。
本製造方法較佳為包含對密封材部進行研削而使半導體晶片之晶片電極露出之步驟。本製造方法較佳為包含配線形成步驟，其形成包含與露出於密封材部之表面之晶片電極電性連接之配線之配線構造部。本製造方法較佳為包含單片化步驟，其對應各半導體晶片而分割密封材部及配線構造部。
圖1係本發明之一實施形態之半導體製程用片材X之局部剖面模式圖。半導體製程用片材X係可於半導體封裝之製造過程中使用者，具備作為本發明之一實施形態之熱硬化性黏接著膜的黏接著膜10、及雙面黏著片材20。雙面黏著片材20具有黏著面20a及與其相反之黏著面20b，於本實施形態中，於該等黏著面20a、20b間具有包含基材21、黏著力可降低型之黏著劑層22、及作為感壓性黏著劑層之黏著劑層23之積層構造。黏接著膜10可剝離地密接於雙面黏著片材20中之黏著面20b上。又，半導體製程用片材X例如具有特定尺寸之圓盤形狀。
半導體製程用片材X中之黏接著膜10具有如下構成或組成，即，於非硬化狀態下可作為顯示表面黏著性之黏著劑發揮功能，並且亦可作為具有熱硬化性之接著劑發揮功能。此種黏接著膜10可具有包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂作為樹脂成分之組成(第1組成)，亦可具有包含可與硬化劑反應而產生鍵結之帶熱硬化性官能基之熱塑性樹脂作為樹脂成分之組成(第2組成)。又，黏接著膜10可具有單層構造，亦可具有鄰接層間組成不同之多層構造。
作為黏接著膜10具有上述之第1組成之情形時之黏接著膜10中之熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚系樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。於本實施形態中，黏接著膜10較佳為含有環氧樹脂及/或酚系樹脂。環氧樹脂存在可能造成半導體晶片腐蝕之離子性雜質等之含量較少之傾向，故而作為黏接著膜10中之熱硬化性樹脂較佳。又，作為用以使環氧樹脂表現熱硬化性之硬化劑，較佳為酚系樹脂。黏接著膜10可包含一種熱硬化性樹脂，亦可包含兩種以上之熱硬化性樹脂。
作為上述環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙內醯脲型、異氰尿酸三縮水甘油酯型、及縮水甘油胺型之環氧樹脂。苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、及四酚基乙烷型環氧樹脂由於富於與作為硬化劑之酚系樹脂之反應性且耐熱性優異，故而作為黏接著膜10中之環氧樹脂較佳。
關於可作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用之酚系樹脂，例如可列舉：酚醛清漆型酚系樹脂、可溶酚醛型酚系樹脂、及聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯。作為酚醛清漆型酚系樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、及壬基苯酚酚醛清漆樹脂。黏接著膜10可包含一種酚系樹脂作為環氧樹脂之硬化劑，亦可包含兩種以上之酚系樹脂。
於黏接著膜10含有環氧樹脂與作為其硬化劑之酚系樹脂之情形時，以相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚系樹脂中之羥基較佳為0.5～2.0當量、更佳為0.8～1.2當量之比率調配兩樹脂。此種構成就黏接著膜10硬化時使該環氧樹脂及酚系樹脂之硬化反應充分地進行之方面而言較佳。
關於黏接著膜10中之熱硬化性樹脂之含有比率，就於黏接著膜10中適當地表現作為熱硬化型接著劑之功能之觀點而言，例如為20～70質量%，較佳為30～60質量%。於黏接著膜10同時含有環氧樹脂及酚系樹脂之情形時，黏接著膜10中之該兩樹脂之總含有比率較佳為25～65質量%、更佳為30～50質量%。
黏接著膜10中之熱塑性樹脂係例如發揮黏合劑功能者，作為黏接著膜10具有上述之第1組成之情形時之黏接著膜10中之熱塑性樹脂，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸丁二酯等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、及氟樹脂。黏接著膜10可包含一種熱塑性樹脂，亦可包含兩種以上之熱塑性樹脂。丙烯酸系樹脂由於離子性雜質較少且耐熱性較高，故而作為黏接著膜10中之熱塑性樹脂較佳。
黏接著膜10含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之形成該丙烯酸系樹脂之丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計包含最多來自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」。
作為用以形成上述丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯、即作為丙烯酸系聚合物之構成單體之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲基酯、乙基酯、丙基酯、異丙基酯、丁基酯、異丁基酯、第二丁基酯、第三丁基酯、戊基酯、異戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、異辛基酯、壬基酯、癸基酯、異癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之環戊基酯及環己基酯。作為(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，用以形成丙烯酸系樹脂之丙烯酸系聚合物可使用以形成其之原料單體進行聚合而獲得。作為聚合手法，例如可列舉溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸浮聚合。
上述丙烯酸系聚合物亦可例如為了其凝集力或耐熱性之改質而包含可與(甲基)丙烯酸酯進行共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可列舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈。作為含羧基單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸。作為酸酐單體，例如可列舉順丁烯二酸酐及伊康酸酐。作為含羥基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯。作為含環氧基單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基單體，例如可列舉苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基單體，例如可列舉2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯。
於黏接著膜10具有包含帶熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之上述之第2組成之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。用以形成該含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計包含最多來自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，例如可使用關於具有第1組成之情形時之黏接著膜10而於上文中作為形成丙烯酸系樹脂之丙烯酸系聚合物之構成單體所述之(甲基)丙烯酸酯。用以形成該含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂亦可包含可與(甲基)丙烯酸酯進行共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可列舉關於具有第1組成之情形時之黏接著膜10而於上文中作為形成丙烯酸系樹脂之丙烯酸系聚合物之構成單體所述之含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈。另一方面，作為用以形成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基，例如可列舉：縮水甘油基、羧基、羥基、及異氰酸基。該等之中，可較佳地使用縮水甘油基及羧基。即，作為含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，可較佳地使用含有縮水甘油基之丙烯酸系樹脂或含有羧基之丙烯酸系樹脂。又，根據含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基之種類，選擇可與其產生反應之硬化劑。於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，可使用上文中作為環氧樹脂用硬化劑所述之酚系樹脂。
關於為了黏晶而硬化之前之黏接著膜10、即未硬化狀態之黏接著膜10，為了實現某種程度之交聯度，較佳為例如預先將可與黏接著膜10中所含之上述之樹脂成分之分子鏈末端之官能基等進行反應而產生鍵結之多官能性化合物調配於黏接著膜形成用樹脂組合物中作為交聯劑。此種構成就對黏接著膜10提高高溫下之接著特性之方面、及謀求耐熱性之改善之方面而言較佳。作為此種交聯劑，例如可列舉聚異氰酸酯化合物。作為聚異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、及多元醇與二異氰酸酯之加成物。黏接著膜形成用樹脂組合物中之交聯劑含量相對於可與該交聯劑進行反應而產生鍵結之具有上述官能基之樹脂100質量份，就所形成之黏接著膜10之凝集力提高之觀點而言，較佳為0.05質量份以上，就所形成之黏接著膜10之接著力提高之觀點而言，較佳為7質量份以下。又，作為黏接著膜10中之交聯劑，亦可將環氧樹脂等其他多官能性化合物與聚異氰酸酯化合物併用。
黏接著膜10亦可含有填料。黏接著膜10中之填料之調配就調整黏接著膜10之拉伸儲存模數、斷裂強度、或斷裂伸長率等物性之方面而言較佳。作為填料，可列舉無機填料及有機填料。填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。又，黏接著膜10可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。
作為上述之無機填料之構成材料，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、及非晶質二氧化矽。作為無機填料之構成材料，亦可列舉：鋁、金、銀、銅、鎳等單質金屬、或合金、非晶碳、石墨等。黏接著膜10含有無機填料之情形時之該無機填料之含量較佳為10質量%以上、更佳為20質量%以上、更佳為30質量%以上。又，該含量較佳為60質量%以下、更佳為55質量%以下、更佳為50質量%以下。
作為上述之有機填料之構成材料，例如可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、及聚酯醯亞胺。黏接著膜10含有有機填料之情形時之該有機填料之含量例如為2～20質量%。
黏接著膜10含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為0.005～10 μm、更佳為0.05～1 μm。該填料之平均粒徑為0.005 μm以上之構成就於黏接著膜10中實現對半導體晶圓等被黏接著體之較高之濡濕性或接著性之方面而言較佳。該填料之平均粒徑為10 μm以下之構成就於黏接著膜10中獲得充分之填料添加效果並且確保耐熱性之方面而言較佳。填料之平均粒徑例如可使用光度式之粒度分佈計(商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)而求出。
黏接著膜10亦可含有熱硬化觸媒。黏接著膜10中之熱硬化觸媒之調配就於黏接著膜10之硬化時充分地進行樹脂成分之硬化反應，或提高硬化反應速度之方面而言較佳。作為此種熱硬化觸媒，例如可列舉：咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三鹵素硼烷系化合物。作為咪唑系化合物，例如可列舉：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三𠯤異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、及2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑。作為三苯基膦系化合物，例如可列舉：三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、溴化四苯基鏻、溴化甲基三苯基鏻、氯化甲基三苯基鏻、氯化甲氧基甲基三苯基鏻、及氯化苄基三苯基鏻。於三苯基膦系化合物中亦包含並有三苯基膦結構與三苯基硼烷結構之化合物。作為此種化合物，例如可列舉：四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四苯基鏻四-對甲苯基硼酸鹽、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽、及三苯基膦三苯基硼烷。作為胺系化合物，例如可列舉單乙醇胺三氟硼酸酯及雙氰胺。作為三鹵素硼烷系化合物，例如可列舉三氯硼烷。黏接著膜10可含有一種熱硬化觸媒，亦可含有兩種以上之熱硬化觸媒。
黏接著膜10視需要亦可含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可列舉阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。
黏接著膜10之厚度較佳為5 μm以上、更佳為8 μm以上。又，黏接著膜10之厚度較佳為120 μm以下、更佳為100 μm以下。
黏接著膜10於在頻率1 Hz及升溫速度10℃/min之條件下對寬度10 mm之膜試樣片進行之動態黏彈性測定中，於20℃下之第1拉伸儲存模數為1 GPa以下，較佳為0.9 GPa以下、更佳為0.8 GPa以下，且130℃下之第2拉伸儲存模數為0.1 MPa以上，較佳為0.2 MPa以上、更佳為0.5 MPa以上。第1拉伸儲存模數較佳為0.001 GPa以上、更佳為0.05 GPa以上。第2拉伸儲存模數較佳為100 MPa以下、更佳為50 MPa以下。
關於此種黏接著膜10之拉伸儲存模數，例如可由使用動態黏彈性測定裝置(商品名「RSA-III」，TA Instrument公司製造)所進行之動態黏彈性測定求出。於該測定中，將初期夾頭間距離設為22.5 mm，將測定模式設為拉伸模式，將測定溫度範圍設為0℃～200℃，將頻率設為1 Hz，將動態應變設為0.05%，將升溫速度設為10℃/min。又，關於供於測定之膜試樣片，寬度例如設為10 mm，長度例如設為20 mm。
又，黏接著膜10於在頻率1 Hz及升溫速度10℃/min之條件下對處於熱硬化狀態之寬度10 mm之膜試樣片進行之動態黏彈性測定中，於150℃下之第3拉伸儲存模數較佳為1 MPa以上、更佳為5 MPa以上、更佳為10 MPa以上。
又，黏接著膜10中之25℃下之探針黏著力較佳為10 gf以上。該探針黏著力之測定方法具體而言如下文中關於實施例所述。
雙面黏著片材20之基材21係於雙面黏著片材20或半導體製程用片材X中作為支持體發揮功能之要素。基材21例如為塑膠基材，作為該塑膠基材，可較佳地使用塑膠膜。作為該塑膠基材之構成材料，例如可列舉：聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚烯烴、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、聚芳醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂、及聚矽氧樹脂。作為聚烯烴，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作為聚酯，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、及聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)。基材21可包含一種材料，亦可包含兩種以上之材料。基材21可具有單層構造，亦可具有多層構造。又，於基材21包含塑膠膜之情形時，可為無延伸膜，亦可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。
基材21中之黏著劑層22側表面及黏著劑層23側表面之各者亦可實施用以提高與黏著劑層之密接性之物理處理、化學處理、或底塗處理。作為物理處理，例如可列舉：電暈處理、電漿處理、砂墊(sand mat)加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、及離子化放射線處理。作為化學處理，例如可列舉鉻酸處理。
就確保用以使基材21作為雙面黏著片材20或半導體製程用片材X中之支持體發揮功能之強度之觀點而言，基材21之厚度較佳為5 μm以上、更佳為10 μm以上。又，就於雙面黏著片材20或半導體製程用片材X中實現適度之可撓性之觀點而言，基材21之厚度較佳為300 μm以下、更佳為200 μm以下。
雙面黏著片材20之黏著劑層22係包含黏著力可降低型之黏著劑之黏著力可降低型黏著劑層。作為黏著力可降低型黏著劑，例如可列舉：加熱發泡型黏著劑、或藉由放射線照射而使黏著力降低至無法於半導體封裝製造製程中利用之程度之類型之放射線硬化性黏著劑。於本實施形態之黏著劑層22中，可使用一種黏著力可降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力可降低型黏著劑。
可用於黏著劑層22中之加熱發泡型黏著劑至少含有例如黏著主劑與藉由加熱而發泡或膨脹之成分。加熱發泡型之黏著劑層若其中含有之發泡性成分或膨脹性成分受到充分之加熱，則發生膨脹，於其表面(黏著面)產生凹凸形狀。若加熱發泡型黏著劑層於黏著面貼合於特定之被黏接著體之狀態下受到此種加熱，則該黏著劑層發生膨脹，於其黏著面產生凹凸形狀而減少對被黏接著體之接著總面積，對該被黏接著體之黏著力降低。
作為加熱發泡型黏著劑用之黏著主劑，例如可列舉作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物、橡膠系黏著劑、及聚矽氧系黏著劑。
作為黏著劑層22中之丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物較佳為包含來自丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯之單體單元作為以質量比率計最多之單體單元。作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等含有烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可使用關於黏接著膜10而於上文中作為形成丙烯酸系樹脂之丙烯酸系聚合物之構成單體所述之(甲基)丙烯酸酯。作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。就於丙烯酸系黏著劑中適當地表現基於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之總單體成分中之(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40質量%以上、更佳為60質量%以上。
作為黏著劑層22中之丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物亦可包含可與(甲基)丙烯酸酯進行共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可列舉關於黏接著膜10而於上文中作為形成丙烯酸系樹脂之丙烯酸系聚合物之構成單體所述之含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈。
丙烯酸系聚合物亦可為了於其聚合物骨架中形成交聯結構而包含來自可與(甲基)丙烯酸酯等單體進行共聚之多官能性單體之單體單元。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯(即聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。作為用於丙烯酸系聚合物之單體，可使用一種多官能性單體，亦可使用兩種以上之多官能性單體。就於丙烯酸系黏著劑中適當地表現基於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之總單體成分中之多官能性單體之比率較佳為40質量%以下、較佳為30質量%以下。
丙烯酸系聚合物可使用以形成其之原料單體進行聚合而獲得。作為聚合手法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸浮聚合。
就使用雙面黏著片材20或半導體製程用片材X之半導體封裝製造方法中之高度之潔淨性之觀點而言，雙面黏著片材20內之各黏著劑層中之低分子量成分宜較少，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為10萬以上、更佳為20萬～300萬。丙烯酸系聚合物之數量平均分子量例如可藉由所採用之聚合手法、或所使用之聚合起始劑之種類及其使用量、聚合反應之溫度及時間、總單體成分中之各種單體之濃度、單體滴加速度等而控制。
作為聚合起始劑，根據聚合手法，例如使用偶氮系聚合起始劑、或過氧化物系聚合起始劑、氧化還原系聚合起始劑等。作為偶氮系聚合起始劑，例如可列舉：2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙-2-甲基丁腈、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯、及4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸。作為過氧化物系聚合起始劑，例如可列舉過氧化二苯甲醯及過氧化順丁烯二酸第三丁酯。
為了提高丙烯酸系聚合物之數量平均分子量，例如亦可於黏著劑層形成用組合物中調配外部交聯劑。作為用以與丙烯酸系聚合物進行反應而形成交聯結構之外部交聯劑，可列舉：聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑。黏著主劑中之外部交聯劑之含量相對於丙烯酸系聚合物100質量份，較佳為6質量份以下、更佳為0.1～5質量份。
作為加熱發泡型黏著劑用之藉由加熱而發泡或膨脹之成分，例如可列舉發泡劑及熱膨脹性微小球。
作為加熱發泡型黏著劑用之發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑及有機系發泡劑。作為無機系發泡劑，例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫化鈉、及疊氮類。作為有機系發泡劑，例如可列舉：三氯單氟甲烷或二氯單氟甲烷等氯氟化烷烴、偶氮雙異丁腈或偶氮二羧醯胺、偶氮二羧酸鋇等偶氮系化合物、對甲苯磺醯肼或二苯基碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物、對甲苯磺醯胺脲或4,4'-氧基雙(苯磺醯胺脲)等胺脲系化合物、5-𠰌啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物、以及N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺或N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物。
作為加熱發泡型黏著劑用之熱膨脹性微小球，例如可列舉將藉由加熱容易氣化而膨脹之物質封入至殼內之構成之微小球。作為藉由加熱容易氣化而膨脹之物質，例如可列舉異丁烷、丙烷、及戊烷。藉由凝聚法或界面聚合法等將藉由加熱容易氣化而膨脹之物質封入至殼形成物質內，藉此可製作熱膨脹性微小球。作為殼形成物質，可使用顯示熱熔融性之物質、或可藉由封入物質之熱膨脹之作用而破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、及聚碸。
於黏著劑層22為含有加熱發泡型黏著劑之黏著力可降低型黏著劑層(加熱發泡型黏著劑層)之情形時，該黏著劑層22之厚度例如為5～100 μm。
作為可用於黏著劑層22中之放射線硬化性黏著劑，例如可列舉含有作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、及具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之添加型放射線硬化性黏著劑。
作為用以形成放射線硬化性黏著劑之丙烯酸系聚合物，可採用上文中作為形成加熱發泡型黏著劑中之黏著主劑之丙烯酸系聚合物所述者。
作為用以形成放射線硬化性黏著劑之放射線聚合性單體成分，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作為用以形成放射線硬化性黏著劑之放射線聚合性低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等之各種低聚物，適合為分子量100～30000左右者。放射線硬化性黏著劑中之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之總含量係於可藉由放射線照射適當地降低所形成之黏著劑層22之黏著力之範圍內決定，相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份，較佳為40～150質量份。又，作為添加型放射線硬化性黏著劑，亦可使用例如日本專利特開昭60-196956號公報中揭示者。
作為可用於黏著劑層22中之放射線硬化性黏著劑，例如亦可列舉含有於聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物之內在型放射線硬化性黏著劑。此種內在型放射線硬化性黏著劑就抑制由低分子量成分於所形成之黏著劑層22內之移動引起的黏著特性之非意圖之經時變化之方面而言較佳。
作為內在型放射線硬化性黏著劑中所含之基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為形成此種基本骨架之丙烯酸系聚合物，可採用上文中作為形成加熱發泡型黏著劑中之黏著主劑之丙烯酸系聚合物所述者。作為向丙烯酸系聚合物中導入放射線聚合性碳-碳雙鍵之手法，例如可列舉如下方法：使包含具有特定官能基(第1官能基)之單體之原料單體進行共聚而獲得丙烯酸系聚合物後，使具有可與第1官能基之間產生反應而鍵結之特定之官能基(第2官能基)及放射線聚合性碳-碳雙鍵之化合物於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性之狀態下與丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。
作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基。該等組合之中，就反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、或異氰酸基與羥基之組合。又，由於製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物之技術難易度較高，故而就丙烯酸系聚合物之製作或獲取之容易性之方面而言，更佳為丙烯酸系聚合物側之上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之情形。又，作為並有放射線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。
可用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫𠮿系化合物、樟腦醌、鹵化酮、醯基氧化膦、及醯基膦酸酯。作為α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、及1-羥基環己基苯基酮。作為苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-𠰌啉基丙烷-1。作為安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、及大茴香偶姻甲醚。作為縮酮系化合物，例如可列舉苯偶醯二甲基縮酮。作為芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉2-萘磺醯氯。作為光活性肟系化合物，例如可列舉1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作為二苯甲酮系化合物，例如可列舉：二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作為9-氧硫𠮿系化合物，例如可列舉：9-氧硫𠮿、2-氯-9-氧硫𠮿、2-甲基-9-氧硫𠮿、2,4-二甲基-9-氧硫𠮿、異丙基-9-氧硫𠮿、2,4-二氯-9-氧硫𠮿、2,4-二乙基-9-氧硫𠮿、及2,4-二異丙基-9-氧硫𠮿。可用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。
作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如可使用藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射而硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由紫外線照射而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。
於黏著劑層22為包含放射線硬化性黏著劑之黏著力可降低型黏著劑層(放射線硬化性黏著劑層)之情形時，該黏著劑層22之厚度例如為2～50 μm。
黏著劑層22除了上述之各成分以外，亦可含有黏著賦予劑、防老化劑、著色劑等。作為著色劑，可列舉顏料及染料。又，著色劑亦可為受到放射線照射而著色之化合物。作為此種化合物，例如可列舉隱色染料。
雙面黏著片材20之黏著劑層23包含黏著劑。作為黏著劑層23用之黏著劑，例如可列舉感壓性黏著劑。於本實施形態之黏著劑層23中，可使用一種黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著劑。
作為可用於黏著劑層23之感壓性黏著劑，可列舉作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物、橡膠系黏著劑、及聚矽氧系黏著劑。作為感壓性黏著劑用之丙烯酸系聚合物，可採用上文中作為形成加熱發泡型黏著劑中之黏著主劑之丙烯酸系聚合物所述者。
黏著劑層23之厚度例如為1～50 μm。
黏著劑層23除了上述之各成分以外，亦可含有黏著賦予劑、防老化劑、著色劑等。作為著色劑，可列舉顏料及染料。又，著色劑亦可為受到放射線照射而著色之化合物。作為此種化合物，例如可列舉隱色染料。
於本實施形態中，如上所述，作為黏著力可降低型黏著劑層之黏著劑層22位於較基材21更靠黏著面20a側，且黏著劑層23位於較基材21更靠黏著面20b側。關於半導體製程用片材X之雙面黏著片材20，亦可代替此種積層構成，使黏著劑層22位於較基材21更靠黏著面20b側，黏著劑層23位於較基材21更靠黏著面20a側。
半導體製程用片材X之雙面黏著片材20除了如以上之基材21、黏著力可降低型之黏著劑層22、及黏著劑層23以外，亦可於積層構造中包含其他層。作為此種其他層，例如可列舉黏著劑層22為加熱發泡型黏著劑層之情形時之設置於該黏著劑層22上而形成黏著面之較薄之黏著劑層、或黏著劑層22為加熱發泡型黏著劑層之情形時之設置於該黏著劑層22與基材21之間之橡膠狀有機彈性層。
若於將被覆加熱發泡型黏著劑層表面之較薄之黏著劑層貼合於特定之被黏接著體之狀態下，藉由加熱使加熱發泡型黏著劑層膨脹而使其表面凹凸形狀變形，則伴隨於此，該較薄之黏著劑層亦發生變形，減少其對被黏接著體之接著總面積，對該被黏接著體之黏著力降低。可一面利用加熱發泡型黏著劑之黏著力降低功能，一面利用較薄之黏著劑層中之所需之黏著力。此種加熱發泡型黏著劑層上之較薄之黏著劑層之厚度例如為2～30 μm。
藉由在基材與加熱發泡型黏著劑層之間設置橡膠狀有機彈性層，容易利用加熱使加熱發泡型黏著劑層優先地且均一性較高地向其厚度方向膨脹。此種橡膠狀有機彈性層例如藉由基於ASTM D-2240之蕭氏D型硬度為50以下之天然橡膠、合成橡膠、或具有橡膠彈性之合成樹脂而形成。作為橡膠狀有機彈性層用之合成橡膠或上述合成樹脂，例如可列舉：腈系或二烯系、丙烯酸系等之合成橡膠、聚烯烴系或聚酯系等之熱塑性彈性體、以及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或聚胺基甲酸酯、聚丁二烯、軟質聚氯乙烯等具有橡膠彈性之合成樹脂。此種橡膠狀有機彈性層之厚度例如為1～500 μm。
圖2至圖9表示本發明之一實施形態之半導體封裝製造方法。本製造方法係用以使用半導體製程用片材X製造半導體封裝之方法，且於本實施形態中至少包含以下之晶片排列步驟、密封步驟、分離步驟、配線形成步驟、研削步驟、及單片化步驟。
首先，於晶片排列步驟中，如圖2(a)及圖2(b)所示，於黏著面20a側貼合於支持體S之半導體製程用片材X中之黏接著膜10上壓接複數個半導體晶片C並進行排列。例如藉由切晶黏晶裝置所具備之吸附治具V進行晶片對黏接著膜10之壓接或接合。支持體S例如為金屬製、玻璃製、或透明樹脂製。半導體晶片C具有晶片本體與自其延出之晶片電極E。於本實施形態中，進行面朝上之壓接，即，將半導體晶片C之與晶片電極E相反之側接合於半導體製程用片材X。本步驟中之壓接溫度為常溫，例如為20℃及其附近之溫度。
如上所述，黏接著膜10(熱硬化前)於20℃下之第1拉伸儲存模數為1 GPa以下，較佳為0.9 GPa以下、更佳為0.8 GPa以下。又，如上所述，第1拉伸儲存模數較佳為0.001 GPa以上、更佳為0.05 GPa以上。該等構成適於對常溫下壓接於黏接著膜10之半導體晶片C發揮充分之密接力。此種黏接著膜10適於避免、抑制黏接著膜10之熱硬化反應之進行，同時於常溫下進行晶片排列步驟，因此適於抑制對在晶片排列步驟中依序暫時固定於黏接著膜10上之複數個半導體晶片C之晶片間密接力差。當作用於暫時固定於黏接著膜10之半導體晶片C之密接力之差較小時，就謀求半導體晶片C對黏接著膜10之密接性、與使半導體晶片C自黏接著膜10脫附時其脫附性之兼顧之方面而言較佳。
又，黏接著膜10中之25℃下之探針黏著力如上所述較佳為10 gf以上。此種構成就於黏接著膜10中確保對半導體晶片C之常溫密接性之方面而言較佳。
於本製造方法中，繼而進行密封步驟。於密封步驟中，如圖3(a)所示，於半導體製程用片材X上以包埋複數個半導體晶片C之方式供給密封劑30'，其後，如圖3(b)所示，使密封劑30'硬化而形成密封材部30。藉此，獲得隨著包埋半導體晶片C而產生之作為密封材部30之封裝P(包埋有晶片之密封材部)。密封劑30'例如為包含環氧樹脂、酚系樹脂等硬化劑、無機填料、硬化促進劑、及黑色系著色劑之組合物，於本密封步驟中，可以液狀組合物、粉末、及片材之任一形態進行供給。作為此種密封劑30'之構成材料，例如可使用與上文中作為半導體製程用片材X之黏接著膜10之構成材料所述者同樣者。於本步驟中，用以形成密封材部30之加熱溫度例如為120～200℃，加熱時間例如為30秒～1小時。
如上所述，黏接著膜10(熱硬化前)於130℃下之第2拉伸儲存模數為0.1 MPa以上，較佳為0.2 MPa以上、更佳為0.5 MPa以上。又，第2拉伸儲存模數較佳為100 MPa以下、更佳為50 MPa以下。該等構成適於在130℃及其附近之溫度下對壓接於黏接著膜10之半導體晶片C發揮良好之密接力或固定力。此種黏接著膜10適於抑制壓接於本膜上之半導體晶片C於密封步驟中產生晶片偏移。抑制晶片偏移就良率較佳地製造半導體封裝之方面而言較佳。
如上文中與晶片排列步驟及密封步驟相關所述，半導體製程用片材X或其黏接著膜10(熱硬化性黏接著膜)適於對依序暫時固定於其上之複數個半導體晶片C發揮晶片間之密接力差較小之充分之密接力，並且適於在晶片陣列密封時抑制晶片偏移。
於本製造方法中，亦可於上文中參照圖2所述之晶片排列步驟之後且向半導體製程用片材X上供給密封劑30'之前，如圖4所示，使黏接著膜10進行熱硬化(硬化步驟)。於該情形時，於該硬化步驟之後，於半導體製程用片材X上以包埋複數個半導體晶片C之方式供給密封劑30'，其後，使密封劑30'硬化而形成密封材部30。於本硬化步驟中，用於熱硬化之加熱溫度例如為80～180℃，加熱時間例如為120秒～5小時。於密封步驟之前經過黏接著膜10之熱硬化之情形時，於藉由半導體製程用片材X獲得之半導體晶片C之保持力藉由黏接著膜10之硬化而強化之狀態下進行密封步驟。因此，該構成適於在密封步驟中抑制由密封劑30'之硬化時之收縮引起之半導體晶片C之位置偏離。此種半導體晶片位置偏離抑制就例如於後續之配線形成步驟中精度較佳地形成包含對應各半導體晶片C之配線之配線構造部之方面而言較佳。
如上所述，黏接著膜10於在頻率1 Hz及升溫速度10℃/min之條件下對處於熱硬化狀態之寬度10 mm之膜試樣片進行之動態黏彈性測定中，於150℃下之第3拉伸儲存模數較佳為1 MPa以上、更佳為5 MPa以上、更佳為10 MPa以上。此種構成於在壓接有半導體晶片C之狀態下使黏接著膜10進行熱硬化之情形時適於抑制於黏接著膜10上之半導體晶片C產生位置偏離。
於本製造方法中，繼而進行分離步驟。於分離步驟中，如圖5所示，解除附帶黏接著膜10之封裝P之基於支持體S之支持狀態。於本步驟中，例如使半導體製程用片材X與支持體S之間分離，其後使雙面黏著片材20或其黏著面20b自附帶黏接著膜10之封裝P(包埋有晶片之密封材部)分離。
於半導體製程用片材X中之雙面黏著片材20之黏著劑層22(黏著力可降低型黏著劑層)為加熱發泡型黏著劑層之情形時，可藉由作為黏著力降低措施之加熱降低該黏著劑層22或黏著面20a之黏著力，使支持體S與雙面黏著片材20之間分離。用以達成其之加熱溫度例如為80～200℃。
於半導體製程用片材X中之雙面黏著片材20之黏著劑層22(黏著力可降低型黏著劑層)為上述之放射線硬化性黏著劑層之情形時，可藉由作為黏著力降低措施之紫外線照射等放射線照射降低該黏著劑層22或黏著面20a之黏著力，使支持體S與雙面黏著片材20之間分離。於用以達成其之放射線照射為紫外線照射之情形時，其累計照射量例如為50～500 mJ/cm2 。
繼而，於研削步驟中，如圖6(a)所示，於附黏接著膜10之封裝P之黏接著膜10側貼合晶圓加工用膠帶T1後，如圖6(b)所示，對密封材部30實施研削加工使封裝P薄化。於本步驟中，例如以露出半導體晶片C之電極E之方式對密封材部30實施研削加工。
繼而，於配線形成步驟中，如圖7所示，於密封材部30上或封裝P上形成包含對應各半導體晶片C之配線之配線構造部40。於對應各半導體晶片C之配線中包含藉由本製造方法對應各半導體晶片C所製造之各半導體封裝中之凸塊電極等外部電極41。
繼而，於研削步驟中，如圖8(a)所示，於附黏接著膜10之封裝P之配線構造部40側貼合背面研磨膠帶Y。背面研磨膠帶Y具有可包埋配線構造部40之外部電極41之厚度之黏著層Ya。
繼而，於將晶圓加工用膠帶T1自黏接著膜10剝離後，如圖8(b)所示，對黏接著膜10側實施研削加工而去除黏接著膜10。
繼而，如圖8(c)所示，對保持於背面研磨膠帶Y之封裝P貼合切晶帶一體型背面保護膜Z。切晶帶一體型背面保護膜Z具備具有黏著層之切晶帶50及其黏著層上之半導體晶片背面保護用之膜60，對封裝P之研削加工面貼合切晶帶一體型背面保護膜Z之膜60側。半導體晶片背面保護用之膜60係調配有黑色系著色劑等著色劑之接著劑膜。又，膜60可為熱硬化類型之接著劑膜，亦可為例如藉由在70℃左右之溫度條件下貼合於被黏接著體而可對該被黏接著體表現充分之密接力之非硬化類型之接著劑膜。
繼而，去除背面研磨膠帶Y。於膜60為熱硬化類型之接著劑膜之情形時，於背面研磨膠帶Y之去除之後，如圖9(a)所示使膜60進行加熱硬化。
繼而，於單片化步驟中，如圖9(b)所示，例如藉由刀片切割，對應各半導體晶片C而對密封材部30及配線構造部40進行分割(於圖9(b)中，以粗實線模式性地表示分割部位)。其後自切晶帶50拾取如此經單片化之各半導體封裝。
可以如上方式使用半導體製程用片材X適當地製造半導體封裝。
於上述之半導體封裝製造方法中，關於晶片排列步驟，於圖2(a)及圖2(b)中例示性表示將半導體晶片C以其背面側壓接於半導體製程用片材X之黏接著膜10而排列之情形、即面朝上之晶片排列。亦可代替其而於本半導體封裝製造方法之晶片排列步驟中進行將半導體晶片C以其表面側(形成有晶片電極E之側)壓接於半導體製程用片材X之黏接著膜10而排列之情形、即面朝下之晶片排列。即便於進行面朝下之晶片排列之情形時，亦與上文中與圖2(a)及圖2(b)所示之晶片排列步驟以及圖3(a)及圖3(b)所示之密封步驟相關所述者同樣地，半導體製程用片材X或其黏接著膜10(熱硬化性黏接著膜)適於對依序暫時固定於其上之複數個半導體晶片C發揮晶片間之密接力差較小之充分之密接力，並且適於在晶片陣列密封時抑制晶片偏移。 [實施例]
[實施例1] 將環氧樹脂(商品名「KI-3000-4」，新日鐵住金化學股份有限公司製造)25質量份、酚系樹脂(商品名「MEH-7851SS」，明和化成股份有限公司製造)15質量份、丙烯酸系樹脂(商品名「TEISANRESIN SG-708-6」，Nagase ChemteX股份有限公司製造)10質量份、填料(商品名「SO-25R」，球狀二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm， Admatechs股份有限公司製造)50質量份、熱硬化觸媒(商品名「TPP-K」，北興化學工業股份有限公司製造)0.1質量份添加至甲基乙基酮中進行混合，獲得接著劑組合物。繼而，使用敷料器，於具有實施有聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上塗佈接著劑組合物而形成接著劑組合物層。繼而，於130℃下對該組合物層進行2分鐘之加熱乾燥，於PET隔離件上製作厚度40 μm之實施例1之熱硬化性黏接著膜。將實施例1以及下述之實施例及比較例中之各膜之組成揭示於表1(於表1中，以成分之質量比表示對應各膜之組成)。
[實施例2] 將環氧樹脂之量設為30質量份代替25質量份、將酚系樹脂之量設為20質量份代替15質量份、將丙烯酸系樹脂之量設為20質量份代替10質量份、及將填料之量設為30質量份代替50質量份，除此以外，以與實施例1之熱硬化性黏接著膜同樣之方式製作實施例2之熱硬化性黏接著膜(厚度40 μm)。
[實施例3] 將環氧樹脂之量設為18質量份代替25質量份、將酚系樹脂之量設為12質量份代替15質量份、及將丙烯酸系樹脂之量設為20質量份代替10質量份，除此以外，以與實施例1之熱硬化性黏接著膜同樣之方式製作實施例3之熱硬化性黏接著膜(厚度40 μm)。
[比較例1] 將環氧樹脂之量設為15質量份代替25質量份、將酚系樹脂之量設為10質量份代替15質量份、將丙烯酸系樹脂之量設為35質量份代替10質量份、將填料之量設為40質量份代替50質量份、及不使用熱硬化觸媒，除此以外，以與實施例1之熱硬化性黏接著膜同樣之方式製作比較例1之熱硬化性黏接著膜(厚度40 μm)。
[比較例2] 將環氧樹脂之量設為12質量份代替25質量份、將酚系樹脂之量設為8質量份代替15質量份、及將填料之量設為70質量份代替50質量份，除此以外，以與實施例1之熱硬化性黏接著膜同樣之方式製作比較例2之熱硬化性黏接著膜(厚度40 μm)。
＜熱硬化前之拉伸儲存模數＞ 關於實施例1～3及比較例1、2之各熱硬化性黏接著膜，藉由使用動態黏彈性測定裝置(商品名「RSA-III」，TA Instrument公司製造)所進行之動態黏彈性測定調查20℃及130℃下之拉伸儲存模數。供於動態黏彈性測定之試樣片係於形成將複數片之熱硬化性黏接著膜積層為厚度200 μm之積層體後，以寬度10 mm×長度40 mm之尺寸自該積層體切出而準備者。又，於本測定中，將試樣片保持用夾頭之初期夾頭間距離設為22.5 mm，將測定模式設為拉伸模式，將測定溫度範圍設為0℃～200℃，將頻率設為1 Hz，將動態應變設為0.05%，將升溫速度設為10℃/min。將所求出之20℃下之拉伸儲存模數E1 (GPa)與130℃下之拉伸儲存模數E2 (MPa)揭示於表1。
＜熱硬化後之拉伸儲存模數＞ 關於實施例1～3及比較例1、2之各熱硬化性黏接著膜，藉由使用動態黏彈性測定裝置(商品名「RSA-III」，TA Instrument公司製造)所進行之動態黏彈性測定調查熱硬化後之150℃下之拉伸儲存模數。供於動態黏彈性測定之試樣片係於形成將複數片之熱硬化性黏接著膜積層為厚度200 μm之積層體後，以寬度10 mm×長度40 mm之尺寸自該積層體切出，其後藉由130℃下之2小時之加熱處理使之熱硬化而準備者。又，於本測定中，將試樣片保持用夾頭之初期夾頭間距離設為22.5 mm，將測定模式設為拉伸模式，將測定溫度範圍設為0℃～200℃，將頻率設為1 Hz，將動態應變設為0.05%，將升溫速度設為10℃/min。將所求出之150℃下之拉伸儲存模數E3 (MPa)揭示於表1。
＜探針黏著力＞ 關於實施例1～3及比較例1、2之各熱硬化性黏接著膜，使用動態黏彈性測定裝置(商品名「RSA-III」，TA Instrument公司製造)測定探針黏著力。測定用之試樣片係自熱硬化性黏接著膜切出直徑8 mm之圓盤形而準備者。於測定時，於該裝置中，以於上下方向對向之態樣設置2片一組之平行板(直徑8 mm，SUS製)，於下側板之上表面經由雙面膠帶固定試樣片。並且，於探針黏著力測定中，於25℃之環境溫度下，使上側板(對本測定而言之探針)下降，使100 gf之荷重作用於下側板上之試樣片1秒鐘，其後使上側板上升，測定自試樣片剝離上側板所需之荷重作為25℃下之探針黏著力F1 (gf)。又，將溫度條件自25℃變更為40℃，除此以外，以與探針黏著力F1 之測定同樣之方式測定探針黏著力F2 (gf)。將該等測定結果揭示於表1。
＜密接性＞ 關於實施例1～3及比較例1、2之各熱硬化性黏接著膜，調查對樹脂製板之密接性。首先，於熱硬化性黏接著膜之單面貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)後，自該附襯底膠帶之熱硬化性黏接著膜切出試樣片(寬度10 mm×長度150 mm)。繼而，使用貼合機，將試樣片中之熱硬化性黏接著膜側之面貼合於樹脂製板。樹脂製板包含於半導體封裝之製造中有時用作密封用樹脂材料之環氧系樹脂材料(商品名「GE-100L」，日立化成股份有限公司製造)。於貼合中，將貼合速度設為10 mm/s，將溫度條件設為80℃，將壓力條件設為0.15 MPa。並且，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)，於23℃、剝離角度180°及剝離速度300 mm/min之條件下進行拉拽樹脂製板上之試樣片之襯底膠帶之剝離試驗，測定熱硬化性黏接著膜對樹脂製板之23℃下之剝離黏著力(N/10 mm)。關於熱硬化性黏接著膜對樹脂製板之密接性，將試樣片之熱硬化性黏接著膜未自樹脂製板剝離而產生襯底膠帶自該膜之剝離之情形(於該情形時，熱硬化性黏接著膜對樹脂製板之黏著力為8 N/10 mm以上)評價為「良」，將產生熱硬化性黏接著膜自樹脂製板之剝離之情形、或產生熱硬化性黏接著膜之凝聚破壞之情形評價為「不良」。將其評價結果揭示於表1。
[剪切接著力] 關於實施例1～3及比較例1、2之各熱硬化性黏接著膜，調查對矽晶片之剪切接著力。首先，使用貼合機，於雙面黏著片材(商品名「REVALPHA No.3195V」，日東電工股份有限公司製造)貼合熱硬化性黏接著膜，製作半導體製程用片材構成之複合片材。所使用之雙面黏著片材具有包含作為加熱發泡型黏著劑層之第1黏著劑層、包含感壓性黏著劑之第2黏著劑層、及該等之間之聚酯膜基材之積層構造(於此種雙面黏著片材之第2黏著劑層側貼合熱硬化性黏接著膜)。於貼合中，將貼合速度設為10 mm/s，將溫度條件設為常溫℃，將壓力條件設為0.2 MPa。繼而，使用貼合機，將複合片材以其第1黏著劑層側貼合於玻璃基板。於貼合中，將貼合速度設為10 mm/s，將溫度條件設為常溫，將壓力條件設為0.2 MPa。繼而，於複合片材中之熱硬化性黏接著膜上壓接或接合矽晶片(厚度500 μm，2 mm見方)。於該接合中，壓接荷重設為0.2 MPa，壓接時間設為1.0秒鐘。繼而，於恆溫槽內，將複合片材供於130℃下之2小時之加熱處理(藉此，使熱硬化性黏接著膜進行熱硬化)。並且，使用接合強度試驗機(商品名「Dage4000」，Nordson公司製造)，測定熱硬化性黏接著膜與矽晶片之間之剪切黏著力。於本測定中，測定溫度為150℃，將晶片向剪切方向推壓之速度為0.5 mm/s。關於熱硬化性黏接著膜對矽晶片之剪切接著力，將矽晶片未自上述複合片材中之熱硬化性黏接著膜剝離而產生熱硬化性黏接著膜自上述雙面黏著片材之脫附之情形評價為「良」，將矽晶片自複合片材中之熱硬化性黏接著膜剝離之情形評價為「不良」。將其評價結果揭示於表1。
[晶片偏移試驗] 關於實施例1～3及比較例1、2之各熱硬化性黏接著膜，調查經過密封步驟之情形時產生之晶片偏移之程度。首先，使用貼合機，於雙面黏著片材(商品名「REVALPHA No.3195V」，日東電工股份有限公司製造)貼合熱硬化性黏接著膜，製作半導體製程用片材構成之複合片材。所使用之雙面黏著片材具有包含作為加熱發泡型黏著劑層之第1黏著劑層、包含感壓性黏著劑之第2黏著劑層、及該等之間之聚酯膜基材之積層構造(於此種雙面黏著片材之第2黏著劑層側貼合熱硬化性黏接著膜)。於貼合中，將貼合速度設為10 mm/s，將溫度條件設為常溫℃，將壓力條件設為0.2 MPa。繼而，使用貼合機，將複合片材以其第1黏著劑層側貼合於玻璃基板(直徑12英吋)。於貼合中，將貼合速度設為10 mm/s，將溫度條件設為常溫℃，將壓力條件設為0.2 MPa。繼而，使用黏晶裝置(商品名「FC3000W」，TORAY ENGINEERING公司製造)，於複合片材中之熱硬化性黏接著膜上以陣列狀之配置壓接或接合481個矽晶片(厚度500 μm，7 mm見方)。於該接合中，壓接荷重設為0.2 MPa，壓接時間設為1.0秒鐘。繼而，使用CNC(Computer Numerical Control)圖像測定系統(商品名「NEXIV VMZ-H3030」，NIKON INSTECH股份有限公司製造)，測定複合片材上之各晶片之位置(第1位置測定)。繼而，將密封樹脂片材(商品名「AS-110AB」，環氧樹脂製，厚度800 μm，日東電工股份有限公司製造)重疊於複合片材之熱硬化性黏接著膜側後進行加熱壓製，獲得積層體。壓製溫度為125℃。繼而，將該積層體於恆溫槽內供於150℃下之1小時之加熱處理。藉此，使積層體中之密封樹脂片材與熱硬化性黏接著膜進行熱硬化。繼而，使用加熱板，自玻璃基板側以170℃對積層體進行加熱而降低其雙面黏著片材之第1黏著劑層(加熱發泡型黏著劑層)之黏著力，其後自該積層體剝離玻璃基板。繼而，自剝離玻璃基板後之積層體之熱硬化性黏接著膜(處於熱硬化狀態)剝離雙面黏著片材部分。並且，使用CNC圖像測定系統(商品名「NEXIV VMZ-H3030」，NIKON INSTECH股份有限公司製造)，再次測定複合片材上之各晶片之位置(第2位置測定)。並且，針對呈陣列狀配置於熱硬化性黏接著膜上之矽晶片之中位於最外側之四個矽晶片，算出自於第1位置測定中測定之位置至在第2位置測定中測定之位置之位移量。於實施例1～3之各熱硬化性黏接著膜中，四個矽晶片之位移量均為0.3 mm以下，故而關於實施例1～3之各熱硬化性黏接著膜，將晶片偏移抑制評價為「良」。相對於此，於比較例1、2之各熱硬化性黏接著膜中，四個矽晶片之位移量均超過0.3 mm，故而關於比較例1、2之各熱硬化性黏接著膜，將晶片偏移抑制評價為「不良」。將其評價結果揭示於表1。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2
環氧樹脂 25 30 18 15 12
酚系樹脂 15 20 12 10 8
丙烯酸系樹脂 10 20 20 35 10
填料 50 30 50 40 70
熱硬化觸媒 0.1 0.1 0.1 - 0.1
20℃下之拉伸儲存模數E1 (GPa) 0.5 0.08 0.07 0.05 2
130℃下之拉伸儲存模數E2 (MPa) 0.3 0.1 0.2 0.04 10
熱硬化後之150℃下之拉伸儲存模數E3 (MPa) 100 30 40 0.9 800
25℃下之探針黏著力F1 (kgf) 15 30 10 0 0
40℃下之探針黏著力F2 (kgf) 600 1000 400 5 20
密接性之評價 良 良 良 不良 不良
剪切接著力之評價 良 良 良 不良 不良
晶片偏移抑制之評價 良 良 良 不良 不良
10:黏接著膜(熱硬化性黏接著膜) 20:雙面黏著片材 20a,20b:黏著面 21:基材 22:黏著劑層(黏著力可降低型黏著劑層) 23:黏著劑層 30:密封材部 30':密封劑 40:配線構造部 41:外部電極 50:切晶帶 60:半導體晶片背面保護用之膜 C:半導體晶片 E:晶片電極 P:封裝 S:支持體 T1:晶圓加工用膠帶 V:吸附治具 X:半導體製程用片材 Y:背面研磨膠帶 Ya:黏著層 Z:切晶帶一體型背面保護膜
圖1係本發明之一實施形態之半導體製程用片材之局部剖面模式圖。 圖2(a)、(b)表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝製造方法中之一部分之步驟。 圖3(a)、(b)表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝製造方法中之一部分之步驟。 圖4表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝製造方法中之一部分之步驟。 圖5表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝製造方法中之一部分之步驟。 圖6(a)、(b)表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝製造方法中之一部分之步驟。 圖7表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝製造方法中之一部分之步驟。 圖8(a)～(c)表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝製造方法中之一部分之步驟。 圖9(a)、(b)表示使用圖1所示之半導體製程用片材之半導體封裝製造方法中之一部分之步驟。
10:黏接著膜(熱硬化性黏接著膜)
20:雙面黏著片材
20a:黏著面
20b:黏著面
21:基材
22:黏著劑層(黏著力可降低型黏著劑層)
23:黏著劑層
X:半導體製程用片材

Claims (8)

  1. 一種熱硬化性黏接著膜作為晶片暫時固定用材料之使用，其中上述晶片暫時固定用材料形成半導體製程用片材之晶片暫時固定側表面，上述熱硬化性黏接著膜係於在頻率1Hz及升溫速度10℃/min之條件下對寬度10mm之膜試樣片進行之動態黏彈性測定中，於20℃下之第1拉伸儲存模數為1GPa以下，且130℃下之第2拉伸儲存模數為0.1MPa以上者，包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂作為樹脂成分，並包含環氧樹脂及酚系樹脂作為上述熱硬化性樹脂，以及包含丙烯酸系樹脂作為上述熱塑性樹脂，且包含填料。
  2. 如請求項1之使用，其中上述第1拉伸儲存模數為0.001GPa以上。
  3. 如請求項1或2之使用，其中上述第2拉伸儲存模數為100MPa以下。
  4. 如請求項1或2之使用，其中上述熱硬化性黏接著膜於在頻率1Hz及升溫速度10℃/min之條件下對處於熱硬化狀態之寬度10mm之膜試樣片進行之動態黏彈性測定中，於150℃下之第3拉伸儲存模數為1MPa以上。
  5. 如請求項1或2之使用，其中上述熱硬化性黏接著膜於25℃下之探針黏著力為10gf以上。
  6. 一種半導體製程用片材之用以暫時固定晶片之使用，其中上述半導 體製程用片材具備：雙面黏著片材，其具有包含第1黏著劑層、第2黏著劑層、及該等之間之基材之積層構造、及熱硬化性黏接著膜，其密接於雙面黏著片材之上述第1黏著劑層上，係於在頻率1Hz及升溫速度10℃/min之條件下對寬度10mm之膜試樣片進行之動態黏彈性測定中，於20℃下之第1拉伸儲存模數為1GPa以下，且130℃下之第2拉伸儲存模數為0.1MPa以上者，包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂作為樹脂成分，並包含環氧樹脂及酚系樹脂作為上述熱硬化性樹脂，以及包含丙烯酸系樹脂作為上述熱塑性樹脂，且包含填料。
  7. 如請求項6之使用，其中上述第1黏著劑層及上述第2黏著劑層之至少一者為黏著力可降低型黏著劑層。
  8. 一種半導體封裝製造方法，其係用以使用半導體製程用片材而製造半導體封裝之方法，上述半導體製程用片材具備：雙面黏著片材，其具有包含第1黏著劑層、第2黏著劑層、及該等之間之基材之積層構造、及熱硬化性黏接著膜，其密接於雙面黏著片材之上述第1黏著劑層上，係於在頻率1Hz及升溫速度10℃/min之條件下對寬度10mm之膜試樣片進行之動態黏彈性測定中，於20℃下之第1拉伸儲存模數為1GPa以下，且130℃下之第2拉伸儲存模數為0.1MPa以上者，包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂作為樹脂成分，並包含環氧樹脂及酚系樹脂作為上述熱硬化性樹 脂，以及包含丙烯酸系樹脂作為上述熱塑性樹脂，且包含填料；且上述方法包含：排列步驟，於上述第2黏著劑層側貼合於支持體之上述半導體製程用片材中之上述熱硬化性黏接著膜上壓接複數個半導體晶片並進行排列；密封步驟，於上述半導體製程用片材上以包埋上述複數個半導體晶片之方式供給密封劑，使該密封劑硬化而形成密封材部；分離步驟，使上述半導體製程用片材中之第1黏著劑層與上述熱硬化性黏接著膜之間分離；及將上述熱硬化性黏接著膜自上述密封材部研削去除之步驟。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4988531B2 (ja) * 2006-12-18 2012-08-01 日東電工株式会社 半導体装置製造用の接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201631076A (zh) * 2014-11-21 2016-09-01 Nitto Denko Corp 接著薄片、附有切割薄片之接著薄片、層合薄片、及半導體裝置之製造方法

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