JP2018182297A - ダイシングダイボンドフィルム - Google Patents

Abstract

【課題】エキスパンド工程にて接着剤層を良好に割断するのに適したダイシングダイボンドフィルムを提供する。【解決手段】本発明のダイシングダイボンドフィルム（ＤＤＡＦ）はダイシングテープ１０と接着剤層２０を備える。ダイシングテープ１０は基材１１と粘着剤層１２との積層構造を有し、接着剤層２０は粘着剤層１２に密着している。ＤＤＡＦにおける外周端から内方２０ｍｍまでの外側領域Ｒ１から切り出される試験片（５０ｍｍ×１０ｍｍ）につき初期チャック間距離２０ｍｍ、−１５℃および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験において歪み値３０％で生ずる引張応力に対する、ＤＤＡＦにおける前記外側領域Ｒ１より内方の内側領域Ｒ２内から切り出される試験片（５０ｍｍ×１０ｍｍ）について同一条件で行われる引張試験において歪み値３０％で生ずる引張応力の比の値が、０.９〜１.１である。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造過程で使用することのできるダイシングダイボンドフィルムに関する。

半導体装置の製造過程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを伴う半導体チップ、即ち、ダイボンディング用接着剤層付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、加工対象である半導体ウエハに対応するサイズを有し、例えば、基材および粘着剤層からなるダイシングテープと、その粘着剤層側に剥離可能に密着しているダイボンドフィルム（接着剤層）とを有する。

ダイシングダイボンドフィルムを使用して接着剤層付き半導体チップを得る手法の一つとして、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドしてダイボンドフィルムを割断するための工程を経る手法が知られている。この手法では、まず、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハが貼り合わせられる。この半導体ウエハは、例えば、後にダイボンドフィルムに共だって割断されて複数の半導体チップへと個片化可能なように、加工されたものである。次に、それぞれが半導体チップに密着している複数の接着フィルム小片がダイシングテープ上のダイボンドフィルムから生じるように当該ダイボンドフィルムを割断すべく、エキスパンド装置が使用されてダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープが半導体ウエハの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされる。このエキスパンド工程では、ダイボンドフィルムにおける割断箇所に相当する箇所でダイボンドフィルム上の半導体ウエハにおいても割断が生じ、ダイシングダイボンドフィルムないしダイシングテープ上にて半導体ウエハが複数の半導体チップに個片化される。次に、ダイシングテープ上の割断後の複数の接着剤層付き半導体チップについて離間距離を広げるために、再度のエキスパンド工程が行われる。次に、例えば洗浄工程を経た後、各半導体チップがそれに密着しているチップ相当サイズのダイボンドフィルムと共に、ダイシングテープの下側からピックアップ機構のピン部材によって突き上げられたうえでダイシングテープ上からピックアップされる。このようにして、ダイボンドフィルム即ち接着剤層を伴う半導体チップが得られる。この接着剤層付き半導体チップは、その接着剤層を介して、実装基板等の被着体にダイボンディングによって固着されることとなる。例えば以上のように使用されるダイシングダイボンドフィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。

特開２００７−２１７３号公報 特開２０１０−１７７４０１号公報 特開２０１２−２３１６１号公報

図１４は、従来型のダイシングダイボンドフィルムＹをその断面模式図で表すものである。ダイシングダイボンドフィルムＹは、ダイシングテープ６０およびダイボンドフィルム７０からなる。ダイシングテープ６０は、基材６１と、粘着力を発揮する粘着剤層６２との積層構造をする。ダイボンドフィルム７０は、粘着剤層６２の粘着力に依って粘着剤層６２に密着している。このようなダイシングダイボンドフィルムＹは、半導体装置の製造過程における加工対象ないしワークたる半導体ウエハに対応するサイズの円盤形状を有し、上述のエキスパンド工程に使用され得る。例えば図１５に示すように、リングフレーム８１が粘着剤層６２に貼り付けられ、且つ、半導体ウエハ８２がダイボンドフィルム７０に貼り合わされた状態で、上述のエキスパンド工程が実施される。リングフレーム８１は、ダイシングダイボンドフィルムＹに貼り付けられた状態において、エキスパンド装置の備える搬送アームなど搬送機構がワーク搬送時に機械的に当接するフレーム部材である。従来型のダイシングダイボンドフィルムＹは、このようなリングフレーム８１がダイシングテープ６０の粘着剤層６２の粘着力に依って当該フィルムに固定され得るように、設計されている。すなわち、ダイシングテープ６０の粘着剤層６２においてダイボンドフィルム７０の周囲にリングフレーム貼着用領域が確保される設計を、従来型のダイシングダイボンドフィルムＹは有するのである。そのような設計において、粘着剤層６２の外周端６２ｅとダイボンドフィルム７０の外周端７０ｅとの間の距離は、１０〜３０ｍｍ程度である。

このような従来型のダイシングダイボンドフィルムＹにおいては、リングフレーム８１の貼着される領域Ｒ１'と半導体ウエハ８２の貼着される領域Ｒ２'とで、積層構造が異なり、厚さが異なる。ダイシングダイボンドフィルムＹにおいて、積層構造の相違および厚さの相違は、エキスパンド時の伸びの程度における不均一化の主要な原因となる。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムＹにおいて積層構造も厚さも異なる領域Ｒ１'と領域Ｒ２'とでは、割断用の上述のエキスパンド工程で引き伸ばされる程度に差を生じやすい。ダイボンドフィルムＹにおける領域Ｒ１'（外側領域）は、その積層構造中にダイボンドフィルム７０を有さず且つ内側の領域Ｒ２'よりも薄く、従ってエキスパンド工程にて領域Ｒ２'よりも延びやすい。そして、ダイシングダイボンドフィルムＹのエキスパンド時における伸びの程度が不均一であるほど、割断不良、即ち、エキスパンド工程で割断予定箇所に割断を生じない事象が、生じやすい。

本発明は、以上のような事情のもとで考え出されたものであって、エキスパンド工程にて接着剤層を良好に割断するのに適したダイシングダイボンドフィルムを提供することを、目的とする。

本発明により提供されるダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープおよび接着剤層を備える。ダイシングテープは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有する。接着剤層は、ダイシングテープにおける粘着剤層に剥離可能に密着している。ダイシングダイボンドフィルムにおいて、下記の第１試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、−１５℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験において歪み値３０％で生ずる第１引張応力に対する、下記の第２試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、−１５℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験において歪み値３０％で生ずる第２引張応力の比の値は、０.９〜１.１であり、好ましくは０.９５〜１.０５である。このような構成のダイシングダイボンドフィルムは、半導体装置の製造過程で接着剤層付き半導体チップを得るのに使用することができる。ダイシングダイボンドフィルムから切り出される第１試験片の長さ方向は、ダイシングダイボンドフィルムについてのいわゆるＭＤ方向でもよいし、これに直交するＴＤ方向でもよいし、他の方向でもよい。ダイシングダイボンドフィルムから切り出される第２試験片の長さ方向は、第１試験片の長さ方向と同じとされる。
〔第１試験片〕
ダイシングダイボンドフィルムにおける外周端から内方２０ｍｍまでの外側領域から切り出される、一の方向に延びる５０ｍｍの長さと１０ｍｍの幅を有する試験片
〔第２試験片〕
ダイシングダイボンドフィルムにおける外側領域よりも内方の内側領域から切り出される、前記一の方向に延びる５０ｍｍの長さと１０ｍｍの幅を有する試験片

半導体装置の製造過程においては、上述のように、接着剤層付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程、即ち、割断のためのエキスパンド工程が、実施される場合があるところ、このエキスパンド工程では、ダイシングテープ上のダイボンドフィルムと半導体ウエハ等のワークとに適切に割断力が作用することが必要である。本ダイシングダイボンドフィルムにおいては、当該フィルムにおける外周端から内方２０ｍｍまでの外側領域に由来する上記第１試験片の−１５℃での上記第１引張応力に対する、同フィルムにおける内側領域に由来する上記第２試験片の−１５℃での上記第２引張応力の比の値が、０.９〜１.１であり、好ましくは０.９５〜１.０５である。このような構成は、室温より低温である−１５℃およびその近傍の温度で実施される割断用の低温エキスパンド工程において、上記の外側領域と内側領域とを含むダイシングダイボンドフィルムにてその伸びの程度の均一化を図るのに適する。したがって、当該構成を具備する本ダイシングダイボンドフィルムは、低温エキスパンド工程にてダイシングテープ上の接着剤層やワークに作用する割断力の均一化を図るのに適し、これらを良好に割断するのに適する。

このようにエキスパンド時の伸びの程度について均一化の図られた本ダイシングダイボンドフィルムは、その接着剤層にワーク貼着用領域に加えてフレーム貼着用領域を含むように、ダイシングテープないしその粘着剤層とその上の接着剤層とをフィルム面内方向において実質的に同一の寸法で設計することが可能である。例えば、ダイシングダイボンドフィルムの面内方向において、接着剤層の外周端がダイシングテープの基材や粘着剤層の各外周端から１０００μｍ以内の距離にある設計を、採用することが可能である。このような本ダイシングダイボンドフィルムは、基材と粘着剤層との積層構造を有する一のダイシングテープを形成するための加工と、一の接着剤層を形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施するのに適する。

上述の従来型のダイシングダイボンドフィルムＹの製造過程においては、所定のサイズおよび形状のダイシングテープ６０を形成するための加工工程（第１の加工工程）と、所定のサイズおよび形状のダイボンドフィルム７０を形成するための加工工程（第２の加工工程）とが、別個の工程として必要である。第１の加工工程では、例えば、所定のセパレータと、基材６１へと形成されることとなる基材層と、これらの間に位置して粘着剤層６２へと形成されることとなる粘着剤層との積層構造を有する積層シート体に対し、基材層の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる加工が施される。これにより、セパレータ上の粘着剤層６２と基材６１との積層構造を有するダイシングテープ６０が、セパレータ上に形成される。第２の加工工程では、例えば、所定のセパレータと、ダイボンドフィルム７０へと形成されることとなる接着剤層との積層構造を有する積層シート体に対し、接着剤層の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる加工が施される。これにより、セパレータ上にダイボンドフィルム７０が形成される。このように別個の工程で形成されたダイシングテープ６０とダイボンドフィルム７０とは、その後、位置合わせされつつ貼り合わせられる。図１６に、ダイボンドフィルム７０表面および粘着剤層６２表面を覆うセパレータ８３を伴う従来型のダイシングダイボンドフィルムＹを示す。

これに対し、ダイシングテープないしその粘着剤層とその上の接着剤層とがフィルム面内方向において実質的に同一の設計寸法を有する場合の本発明のダイシングダイボンドフィルムは、基材と粘着剤層との積層構造を有する一のダイシングテープを形成するための加工と、一の接着剤層を形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施するのに適するのである。このような本ダイシングダイボンドフィルムは、上述のようにエキスパンド工程にて接着剤層を良好に割断するのに適するうえに、製造工程数の削減の観点や製造コスト抑制の観点などにおいて効率的に製造するのに適する。

本ダイシングダイボンドフィルムは、好ましくは、基材、粘着剤層、および接着剤層を含み且つ内側領域および外側領域にわたって連続している、積層構造を有する。このような構成は、エキスパンド工程における上述の良好な割断性を実現するうえで好ましい。

本ダイシングダイボンドフィルムの厚さは、好ましくは、内側領域および外側領域にわたり一様である。このような構成は、エキスパンド工程における上述の良好な割断性を実現するうえで好ましい。

本ダイシングダイボンドフィルムにおける上記の第１引張応力および第２引張応力は、−１５℃およびその近傍の温度でのエキスパンド時に接着剤層に作用する割断力を確保するという観点からは、好ましくは５Ｎ以上、より好ましくは８Ｎ以上、より好ましくは１０Ｎ以上である。また、−１５℃およびその近傍の温度でのエキスパンド時におけるダイシングテープの粘着剤層と接着剤層との間の剥離を抑制するという観点からは、本ダイシングダイボンドフィルムにおける上記の第１引張応力および第２引張応力は、好ましくは２８Ｎ以下、より好ましくは２５Ｎ以下、より好ましくは２０Ｎ以下である。

本ダイシングダイボンドフィルムの接着剤層は、−１５℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、好ましくは１Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは１.５Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは２Ｎ/１０ｍｍ以上の１８０°剥離粘着力を示す。また、この接着剤層は、同条件での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、例えば１００Ｎ/１０ｍｍ以下、好ましくは５０Ｎ/１０ｍｍ以下の１８０°剥離粘着力を示す。粘着力に関する当該構成は、室温より低温である−１５℃およびその近傍の温度での本ダイシングダイボンドフィルムによるフレーム部材の保持を確保するうえで、好適である。

本ダイシングダイボンドフィルムにおいて、第１試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験において歪み値３０％で生ずる第３引張応力、および、第２試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験において歪み値３０％で生ずる第４引張応力は、好ましくは１Ｎ以上、より好ましくは３Ｎ以上、より好ましくは５Ｎ以上である。このような構成は、上記の外側領域と内側領域とを含むダイシングダイボンドフィルムにおいて、２３℃およびその近傍の温度でエキスパンドされる時の伸びの程度の均一化を図るのに適する。割断用エキスパンド工程の後には、ダイシングテープ上の割断後の複数の接着剤層付き半導体チップについて離間距離を広げるために再度のエキスパンド工程が常温で行われる場合があり、第３および第４引張応力に関する上記構成は、この常温エキスパンド工程でのダイシングダイボンドフィルムの伸びの程度の均一化を図るのに適する。また、２３℃およびその近傍の温度でのエキスパンド時におけるダイシングテープの粘着剤層と接着剤層との間の剥離を抑制するという観点からは、本ダイシングダイボンドフィルムにおける上記の第３引張応力および第４引張応力は、好ましくは２０Ｎ以下、より好ましくは１５Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下である。

本ダイシングダイボンドフィルムにおける上記の第３引張応力に対する第４引張応力の比の値は、好ましくは０.９５〜１.０５である。このような構成は、上記の外側領域と内側領域とを含むダイシングダイボンドフィルムにおいて、２３℃およびその近傍の温度でエキスパンドされる時の伸びの程度の均一化を図るのに適する。

本ダイシングダイボンドフィルムの接着剤層は、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、好ましくは０.１Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは０.３Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは０.５Ｎ/１０ｍｍ以上の１８０°剥離粘着力を示す。このような構成は、２３℃およびその近傍の温度での本ダイシングダイボンドフィルムによるフレーム部材の保持を確保するうえで、好適である。また、この接着剤層は、同条件での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、例えば２０Ｎ/１０ｍｍ以下、好ましくは１０Ｎ/１０ｍｍ以下の１８０°剥離粘着力を示す。このような構成は、本ダイシングダイボンドフィルムの接着剤層からリングフレーム等のフレーム部材を剥がす際に当該フレーム部材に接着剤残渣が生ずるのを抑制するのに適する。

本発明の一の実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムの断面模式図である。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムがセパレータを伴う場合の一例を表す。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムの製造方法の一例を表す。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムが使用される半導体装置製造方法における一部の工程を表す。 図４に示す工程の後に続く工程を表す。 図５に示す工程の後に続く工程を表す。 図６に示す工程の後に続く工程を表す。 図７に示す工程の後に続く工程を表す。 図８に示す工程の後に続く工程を表す。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムが使用される半導体装置製造方法の変形例における一部の工程を表す。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムが使用される半導体装置製造方法の変形例における一部の工程を表す。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムが使用される半導体装置製造方法の変形例における一部の工程を表す。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムが使用される半導体装置製造方法の変形例における一部の工程を表す。 従来のダイシングダイボンドフィルムの断面模式図である。 図１４に示すダイシングダイボンドフィルムの使用態様を表す。 図１４に示すダイシングダイボンドフィルムの一供給形態を表す。

図１は、本発明の一の実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムＸの断面模式図である。ダイシングダイボンドフィルムＸは、ダイシングテープ１０と接着剤層２０とを含む積層構造を有する。ダイシングテープ１０は、基材１１と粘着剤層１２とを含む積層構造を有する。接着剤層２０は、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２に剥離可能に密着している。ダイシングダイボンドフィルムＸは、半導体装置の製造において接着剤層付き半導体チップを得る過程での例えば後記のようなエキスパンド工程に使用することのできるものであり、半導体ウエハ等のワークに対応するサイズの円盤形状を有する。ダイシングダイボンドフィルムＸの直径は、例えば、３４５〜３８０ｍｍの範囲内（１２インチウエハ対応型）、２４５〜２８０ｍｍの範囲内（８インチウエハ対応型）、１９５〜２３０ｍｍの範囲内（６インチウエハ対応型）、または、４９５〜５３０ｍｍの範囲内（１８インチウエハ対応型）にある。

ダイシングダイボンドフィルムＸにおける下記の第１試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、−１５℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験にて歪み値３０％で生ずる第１引張応力は、好ましくは５Ｎ以上、より好ましくは８Ｎ以上、より好ましくは１０Ｎ以上である。下記の第２試験片について前記と同一の条件（初期チャック間距離２０ｍｍ，−１５℃，引張速度３００ｍｍ/分の条件）で行われる引張試験にて歪み値３０％で生ずる第２引張応力は、好ましくは５Ｎ以上、より好ましくは８Ｎ以上、より好ましくは１０Ｎ以上である。これら第１引張応力および第２引張応力は、それぞれ、好ましくは２８Ｎ以下、より好ましくは２５Ｎ以下、より好ましくは２０Ｎ以下である。また、第１引張応力（−１５℃）に対する第２引張応力（−１５℃）の比の値は、０.９〜１.１であり、好ましくは０.９５〜１.０５である。ダイシングダイボンドフィルムＸから切り出される第１試験片の長さ方向は、ダイシングダイボンドフィルムＸについてのいわゆるＭＤ方向でもよいし、これに直交するＴＤ方向でもよいし、他の方向でもよい。ダイシングダイボンドフィルムＸから切り出される第２試験片の長さ方向は、第１試験片の長さ方向と同じとされる。また、引張応力については、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して測定することができる。
〔第１試験片〕
ダイシングダイボンドフィルムＸにおける外周端から内方２０ｍｍまでの外側領域Ｒ１から切り出される、一の方向に延びる５０ｍｍの長さと１０ｍｍの幅を有する試験片
〔第２試験片〕
ダイシングダイボンドフィルムＸにおける外側領域Ｒ１よりも内方の内側領域Ｒ２から切り出される、前記一の方向に延びる５０ｍｍの長さと１０ｍｍの幅を有する試験片

また、ダイシングダイボンドフィルムＸにおける第１試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験にて歪み値３０％で生ずる第３引張応力、および、第２試験片について同一条件（初期チャック間距離２０ｍｍ，２３℃，引張速度３００ｍｍ/分の条件）で行われる引張試験にて歪み値３０％で生ずる第４引張応力は、それぞれ、好ましくは１Ｎ以上、より好ましくは３Ｎ以上、より好ましくは５Ｎ以上である。これら第３引張応力および第４引張応力は、それぞれ、好ましくは２０Ｎ以下、より好ましくは１５Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下である。また、第３引張応力（２３℃）に対する第４引張応力（２３℃）の比の値は、好ましくは０.９５〜１.０５である。

ダイシングテープ１０の基材１１は、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおいて支持体として機能する要素である。基材１１は、例えばプラスチック基材（特にプラスチックフィルム）を好適に用いることができる。当該プラスチック基材の構成材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフィド、アラミド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、およびシリコーン樹脂が挙げられる。ポリオレフィンとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ブテン共重合体、およびエチレン−ヘキセン共重合体が挙げられる。ポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、およびポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）が挙げられる。基材１１は、一種類の材料からなってもよいし、二種類以上の材料からなってもよい。基材１１は、単層構造を有してもよいし、多層構造を有してもよい。基材１１において良好な熱収縮性を確保して、後記の離間用エキスパンド工程にて実現されるチップ離間距離をダイシングテープ１０ないし基材１１の部分的熱収縮を利用して維持するという観点からは、基材１１は、主成分としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を含むのが好ましい。基材１１の主成分とは、構成成分中で最も大きな質量割合を占める成分とする。また、基材１１は、プラスチックフィルムよりなる場合、無延伸フィルムであってもよいし、一軸延伸フィルムであってもよいし、二軸延伸フィルムであってもよい。基材１１上の粘着剤層１２が後述のように紫外線硬化型である場合、基材１１は紫外線透過性を有するのが好ましい。

ダイシングダイボンドフィルムＸの使用に際してダイシングテープ１０ないし基材１１を例えば部分的な加熱によって収縮させる場合、例えば、後記の離間用エキスパンド工程にて実現されるチップ離間距離をダイシングテープ１０ないし基材１１の部分的熱収縮を利用して維持する場合には、基材１１は熱収縮性を有するのが好ましい。また、基材１１がプラスチックフィルムよりなる場合、ダイシングテープ１０ないし基材１１について等方的な熱収縮性を実現するうえでは、基材１１は二軸延伸フィルムであるのが好ましい。ダイシングテープ１０ないし基材１１は、加熱温度１００℃および加熱処理時間６０秒の条件で行われる加熱処理試験による熱収縮率が好ましくは２〜３０％、より好ましくは２〜２５％、より好ましくは３〜２０％、より好ましくは５〜２０％である。当該熱収縮率は、いわゆるＭＤ方向の熱収縮率およびいわゆるＴＤ方向の熱収縮率の少なくとも一方の熱収縮率をいうものとする。

基材１１における粘着剤層１２側の表面は、粘着剤層１２との密着性を高めるための物理的処理、化学的処理、または下塗り処理が施されていてもよい。物理的処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、およびイオン化放射線処理が挙げられる。化学的処理としては例えばクロム酸処理が挙げられる。密着性を高めるための当該処理は、基材１１における粘着剤層１２側の表面全体に施されているのが好ましい。

基材１１の厚さは、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおける支持体として基材１１が機能するための強度を確保するという観点からは、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは５５μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上である。また、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材１１の厚さは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１８０μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。

ダイシングテープ１０の粘着剤層１２は、粘着剤を含有する。粘着剤は、放射線照射や加熱など外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤（粘着力低減型粘着剤）であってもよいし、外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤（粘着力非低減型粘着剤）であってもよく、ダイシングダイボンドフィルムＸを使用して個片化される半導体チップの個片化の手法や条件などに応じて適宜に選択することができる。

粘着剤層１２中の粘着剤として粘着力低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程や使用過程において、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを、使い分けることが可能となる。例えば、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程でダイシングテープ１０の粘着剤層１２に接着剤層２０を貼り合わせる時や、ダイシングダイボンドフィルムＸが所定のウエハダイシング工程に使用される時には、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態を利用して粘着剤層１２からの接着剤層２０など被着体の浮きや剥離を抑制・防止することが可能となる一方で、それより後、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０から接着剤層付き半導体チップをピックアップするためのピックアップ工程では、粘着剤層１２の粘着力を低減させたうえで、粘着剤層１２から接着剤層付き半導体チップを適切にピックアップすることが可能となる。

このような粘着力低減型粘着剤としては、例えば、放射線硬化型粘着剤（放射線硬化性を有する粘着剤）や加熱発泡型粘着剤などが挙げられる。本実施形態の粘着剤層１２においては、一種類の粘着力低減型粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着力低減型粘着剤が用いられてもよい。また、粘着剤層１２の全体が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層１２の一部が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよい。例えば、粘着剤層１２が単層構造を有する場合、粘着剤層１２の全体が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層１２における所定の部位が粘着力低減型粘着剤から形成され、他の部位が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。また、粘着剤層１２が積層構造を有する場合、積層構造をなす全ての層が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよいし、積層構造中の一部の層が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよい。

粘着剤層１２における放射線硬化型粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化型粘着剤）を特に好適に用いることができる。

粘着剤層１２における放射線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤たるアクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する、添加型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。

上記のアクリル系ポリマーは、好ましくは、アクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含む。以下では、「(メタ)アクリル」をもって、「アクリル」および／または「メタクリル」を表す。

アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステルなどの炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ-ブチルエステル、ｔ-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル（即ちラウリルエステル）、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、およびエイコシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のシクロペンチルエステルおよびシクロヘキシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸フェニルおよび(メタ)アクリル酸ベンジルが挙げられる。アクリル系ポリマーのための主モノマーとしての(メタ)アクリル酸エステルとしては、一種類の(メタ)アクリル酸エステルを用いてもよいし、二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルを用いてもよい。(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層１２にて適切に発現させるうえでは、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における主モノマーとしての(メタ)アクリル酸エステルの割合は、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上である。

アクリル系ポリマーは、その凝集力や耐熱性などを改質するために、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのようなモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、およびアクリロニトリルなどの官能基含有モノマー等が挙げられる。カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびクロトン酸が挙げられる。酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸および無水イタコン酸が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸４-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸６-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸８-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸１０-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸１２-ヒドロキシラウリル、および(４-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレートが挙げられる。グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジルおよび(メタ)アクリル酸メチルグリシジルが挙げられる。スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２-(メタ)アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、および(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸が挙げられる。リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートが挙げられる。アクリル系ポリマーのための当該他のモノマーとしては、一種類のモノマーを用いてもよいし、二種類以上のモノマーを用いてもよい。(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層１２にて適切に発現させるうえでは、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における当該他のモノマー成分の割合は、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下である。

アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、主モノマーとしての(メタ)アクリル酸エステルなどのモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート（即ちポリグリシジル(メタ)アクリレート）、ポリエステル(メタ)アクリレート、およびウレタン(メタ)アクリレートが挙げられる。アクリル系ポリマーのための多官能性モノマーとしては、一種類の多官能性モノマーを用いてもよいし、二種類以上の多官能性モノマーを用いてもよい。アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における多官能性モノマーの割合は、(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層１２にて適切に発現させるうえでは、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下である。

アクリル系ポリマーは、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、および懸濁重合が挙げられる。ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸの使用される半導体装置製造方法における高度の清浄性の観点からは、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層１２中の低分子量物質は少ない方が好ましいところ、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは１０万以上、より好ましくは２０万〜３００万である。

粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤は、アクリル系ポリマーなどベースポリマーの数平均分子量を高めるために例えば、外部架橋剤を含有してもよい。アクリル系ポリマーなどベースポリマーと反応して架橋構造を形成するための外部架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物（ポリフェノール系化合物など）、アジリジン化合物、およびメラミン系架橋剤が挙げられる。粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤における外部架橋剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対して、好ましくは５質量部以下、より好ましくは０.１〜５質量部である。

放射線硬化型粘着剤をなすための上記の放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、および１,４-ブタンジオールジ(メタ)アクリレートが挙げられる。放射線硬化型粘着剤をなすための上記の放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーが挙げられ、分子量１００〜３００００程度のものが適当である。放射線硬化型粘着剤中の放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分の総含有量は、形成される粘着剤層１２の粘着力を適切に低下させ得る範囲で決定され、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して、例えば５〜５００質量部であり、好ましくは４０〜１５０質量部である。また、添加型の放射線硬化型粘着剤としては、例えば特開昭６０−１９６９５６号公報に開示のものを用いてもよい。

粘着剤層１２における放射線硬化型粘着剤としては、例えば、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化型粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化型粘着剤は、形成される粘着剤層１２内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制するうえで好適である。

内在型の放射線硬化型粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。そのような基本骨格をなすアクリル系ポリマーとしては、上述のアクリル系ポリマーを採用することができる。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素−炭素二重結合の導入手法としては、例えば、所定の官能基（第１の官能基）を有するモノマーを含む原料モノマーを共重合させてアクリル系ポリマーを得た後、第１の官能基との間で反応を生じて結合しうる所定の官能基（第２の官能基）と放射線重合性炭素−炭素二重結合とを有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応または付加反応させる方法が、挙げられる。

第１の官能基と第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基が挙げられる。これら組み合わせのうち、反応追跡の容易さの観点からは、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせや、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが、好適である。また、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製するのは技術的難易度が高いところ、アクリル系ポリマーの作製または入手のしやすさの観点からは、アクリル系ポリマー側の上記第１の官能基がヒドロキシ基であり且つ上記第２の官能基がイソシアネート基である場合が、より好適である。この場合、放射線重合性炭素−炭素二重結合と第２の官能基たるイソシアネート基とを併有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、およびｍ-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネートが挙げられる。また、第１の官能基を伴うアクリル系ポリマーとしては、上記のヒドロキシ基含有モノマーに由来するモノマーユニットを含むものが好適であり、２-ヒドロキシエチルビニルエーテルや、４-ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルなどのエーテル系化合物に由来するモノマーユニットを含むものも好適である。

粘着剤層１２における放射線硬化型粘着剤は、好ましくは光重合開始剤を含有する。光重合開始剤としては、例えば、α-ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、およびアシルホスフォナートが挙げられる。α-ケトール系化合物としては、例えば、４-(２-ヒドロキシエトキシ)フェニル(２-ヒドロキシ-２-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α'-ジメチルアセトフェノン、２-メチル-２-ヒドロキシプロピオフェノン、および１-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが挙げられる。アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２,２-ジメトキシ-１,２-ジフェニルエタン-１-オン、２,２-ジエトキシアセトフェノン、および２-メチル-１-[４-(メチルチオ)-フェニル]-２-モルホリノプロパン-１が挙げられる。ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、およびアニソインメチルエーテルが挙げられる。ケタール系化合物としては、例えばベンジルジメチルケタールが挙げられる。芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば２-ナフタレンスルホニルクロリドが挙げられる。光活性オキシム系化合物としては、例えば、１-フェニル-１,２-プロパンジオン-２-(Ｏ-エトキシカルボニル)オキシムが挙げられる。ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、および３,３'-ジメチル-４-メトキシベンゾフェノンが挙げられる。チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２-クロロチオキサントン、２-メチルチオキサントン、２,４-ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２,４-ジクロロチオキサントン、２,４-ジエチルチオキサントン、および２,４-ジイソプロピルチオキサントンが挙げられる。粘着剤層１２における放射線硬化型粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して例えば０.０５〜２０質量部である。

粘着剤層１２における上記の加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分（発泡剤、熱膨張性微小球など）を含有する粘着剤であるところ、発泡剤としては種々の無機系発泡剤および有機系発泡剤が挙げられ、熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、およびアジド類が挙げられる。有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタンやジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン、アゾビスイソブチロニトリルやアゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ系化合物、パラトルエンスルホニルヒドラジドやジフェニルスルホン-３,３'-ジスルホニルヒドラジド、４,４'-オキシビス(ベンゼンスルホニルヒドラジド)、アリルビス(スルホニルヒドラジド)などのヒドラジン系化合物、ｐ-トルイレンスルホニルセミカルバジドや４,４'-オキシビス(ベンゼンスルホニルセミカルバジド)などのセミカルバジド系化合物、５-モルホリル-１,２,３,４-チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物、並びに、Ｎ,Ｎ'-ジニトロソペンタメチレンテトラミンやＮ,Ｎ'-ジメチル-Ｎ,Ｎ'-ジニトロソテレフタルアミドなどのＮ-ニトロソ系化合物が、挙げられる。上記のような熱膨張性微小球をなすための、加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、およびペンタンが挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルベーション法や界面重合法などによって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン-アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、およびポリスルホンが挙げられる。

上述の粘着力非低減型粘着剤としては、例えば、粘着力低減型粘着剤に関して上述した放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤や、感圧型粘着剤などが、挙げられる。本実施形態の粘着剤層１２においては、一種類の粘着力非低減型粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着力非低減型粘着剤が用いられてもよい。また、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層１２の一部が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。例えば、粘着剤層１２が単層構造を有する場合、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層１２における所定の部位が粘着力非低減型粘着剤から形成され、他の部位が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよい。また、粘着剤層１２が積層構造を有する場合、積層構造をなす全ての層が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、積層構造中の一部の層が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。

放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤（放射線照射済放射線硬化型粘着剤）は、放射線照射によって粘着力が低減されているとしても、含有するポリマー成分に起因する粘着性を示し、ダイシング工程などにおいてダイシングテープ粘着剤層に最低限必要な粘着力を発揮することが可能である。本実施形態においては、放射線照射済放射線硬化型粘着剤を用いる場合、粘着剤層１２の面広がり方向において、粘着剤層１２の全体が放射線照射済放射線硬化型粘着剤から形成されてもよく、粘着剤層１２の一部が放射線照射済放射線硬化型粘着剤から形成され且つ他の部分が放射線未照射の放射線硬化型粘着剤から形成されてもよい。

放射線照射済放射線硬化型粘着剤を粘着剤層１２の少なくとも一部に含むダイシングダイボンドフィルムＸは、例えば次のような過程を経て製造することができる。まず、ダイシングテープ１０の基材１１上に、放射線硬化型粘着剤による粘着剤層（放射線硬化型粘着剤層）を形成する。次に、この放射線硬化型粘着剤層の所定の一部または全体に放射線を照射して、放射線照射済放射線硬化型粘着剤を少なくとも一部に含む粘着剤層を形成する。次に、当該粘着剤層上に、後述の接着剤層２０となる接着剤層を形成する。その後、これら粘着剤層と接着剤層に対する例えば後記のような一括的な加工形成手法により、粘着剤層１２および接着剤層２０を共に形成する。放射線照射済放射線硬化型粘着剤を粘着剤層１２の少なくとも一部に含むダイシングダイボンドフィルムＸは、或いは次のような過程を経て製造することもできる。まず、ダイシングテープ１０の基材１１上に、放射線硬化型粘着剤による粘着剤層（放射線硬化型粘着剤層）を形成する。次に、この放射線硬化型粘着剤層上に後述の接着剤層２０となる接着剤層を形成する。次に、放射線硬化型粘着剤層の所定の一部または全体に放射線を照射して、放射線照射済放射線硬化型粘着剤を少なくとも一部に含む粘着剤層を形成する。その後、これら粘着剤層と接着剤層に対する例えば後記のような一括的な加工形成手法により、粘着剤層１２および接着剤層２０を共に形成する。

一方、粘着剤層１２における感圧型粘着剤としては、公知乃至慣用の粘着剤を用いることができ、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を好適に用いることができる。粘着剤層１２が感圧型粘着剤としてアクリル系粘着剤を含有する場合、当該アクリル系粘着剤のベースポリマーたるアクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含む。そのようなアクリル系ポリマーとしては、例えば、放射線硬化型粘着剤に関して上述したアクリル系ポリマーが挙げられる。

粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤には、上述の各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料や染料などの着色剤などを、含有してもよい。着色剤は、放射線照射を受けて着色する化合物であってもよい。そのような化合物としては、例えばロイコ染料が挙げられる。

粘着剤層１２の厚さは、好ましくは１〜５０μｍ、より好ましくは２〜３０μｍ、より好ましくは５〜２５μｍである。このような構成は、例えば、粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤を含む場合に当該粘着剤層１２の放射線硬化の前後における接着剤層２０に対する接着力のバランスをとるうえで、好適である。

ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０は、ダイボンディング用の熱硬化性を示す接着剤としての機能と、半導体ウエハ等のワークとリングフレーム等のフレーム部材とを保持するための粘着機能とを併有する。本実施形態において、接着剤層２０をなすための粘接着剤は、熱硬化性樹脂と例えばバインダー成分としての熱可塑性樹脂とを含む組成を有してもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有してもよい。接着剤層２０をなすための粘接着剤が、熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有する場合、当該粘接着剤は熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂など）を含む必要はない。このような接着剤層２０は、単層構造を有してもよいし、多層構造を有してもよい。

ダイボンディング用接着剤としての機能と粘着機能とを併有する接着剤層２０は、幅４ｍｍの接着剤層試料片について初期チャック間距離１０ｍｍ、周波数１０Ｈｚ、動的ひずみ±０.５μｍ、および昇温速度５℃/分の条件（引張貯蔵弾性率測定条件）で測定される−１５℃での引張貯蔵弾性率（第１引張貯蔵弾性率）が１０００〜４０００ＭＰａであり、好ましくは１２００〜３９００ＭＰａ、より好ましくは１５００〜３８００ＭＰａである。これとともに接着剤層２０は、幅４ｍｍの接着剤層試料片について前記の引張貯蔵弾性率測定条件で測定される２３℃での引張貯蔵弾性率（第２引張貯蔵弾性率）が１０〜２４０ＭＰａであり、好ましくは２０〜２００ＭＰａ、より好ましくは４０〜１５０ＭＰａである。引張貯蔵弾性率については、動的粘弾性測定装置（商品名「Ｒｈｅｏｇｅｌ-Ｅ４０００」，ＵＢＭ社製）を使用して行う動的粘弾性測定に基づき求めることができる。その測定においては、測定対象物たる試料片のサイズを幅４ｍｍ×長さ２０ｍｍとし、試料片保持用チャックの初期チャック間距離を１０ｍｍとし、測定モードを引張りモードとし、測定温度範囲を−３０℃〜１００℃とし、周波数を１０Ｈｚとし、動的ひずみを±０.５％とし、昇温速度を５℃/分とする。

ダイボンディング用接着剤としての機能と粘着機能とを併有する接着剤層２０は、−１５℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件（第１の条件）での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、好ましくは１Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは１.５Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは２Ｎ/１０ｍｍ以上の１８０°剥離粘着力を示す。前記第１の条件での剥離試験において、この接着剤層２０は、ＳＵＳ平面に対し、例えば１００Ｎ/１０ｍｍ以下、好ましくは５０Ｎ/１０ｍｍ以下の１８０°剥離粘着力を示す。また、接着剤層２０は、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件（第２の条件）での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、好ましくは０.１Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは０.３Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは０.５Ｎ/１０ｍｍ以上の１８０°剥離粘着力を示す。前記第２の条件での剥離試験において、この接着剤層２０は、ＳＵＳ平面に対し、例えば２０Ｎ/１０ｍｍ以下、好ましくは１０Ｎ/１０ｍｍ以下の１８０°剥離粘着力を示す。このような１８０°剥離粘着力については、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して測定することができる。その測定に供される試料片は、裏打ちテープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）によって裏打ちされ、且つ、幅２０ｍｍ×長さ１００ｍｍのサイズを有する。当該試料片の被着体たるＳＵＳ板への張り合わせは、２ｋｇのローラーを１往復させる圧着作業によって行われる。また、本測定においては、測定温度ないし剥離温度は−１５℃（第１の条件）または２３℃（第２の条件）とされ、剥離角度は１８０°とされ、引張速度は３００ｍｍ/分とさる。

接着剤層２０が、熱硬化性樹脂を熱可塑性樹脂とともに含む場合、当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、および熱硬化性ポリイミド樹脂が挙げられる。接着剤層２０をなすうえでは、一種類の熱硬化性樹脂を用いてもよいし、二種類以上の熱硬化性樹脂を用いてもよい。ダイボンディング対象の半導体チップの腐食原因となりうるイオン性不純物等の含有量の少ない傾向にあるという理由から、接着剤層２０に含まれる熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、およびグリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、およびテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、接着剤層２０に含まれるエポキシ樹脂として好ましい。

エポキシ樹脂の硬化剤として作用しうるフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、および、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ-ブチルフェノールノボラック樹脂、およびノニルフェノールノボラック樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂の硬化剤として作用しうるフェノール樹脂としては、一種類のフェノール樹脂を用いてもよいし、二種類以上のフェノール樹脂を用いてもよい。フェノールノボラック樹脂やフェノールアラルキル樹脂は、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させうる傾向にあるので、接着剤層２０に含まれるエポキシ樹脂の硬化剤として好ましい。

接着剤層２０において、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を充分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が好ましくは０.５〜２.０当量、より好ましくは０.８〜１.２当量となる量で、含まれる。

接着剤層２０に含まれる熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６-ナイロンや６,６-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびフッ素樹脂が挙げられる。接着剤層２０をなすうえでは、一種類の熱可塑性樹脂を用いてもよいし、二種類以上の熱可塑性樹脂を用いてもよい。接着剤層２０に含まれる熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いために接着剤層２０による接合信頼性を確保しやすいという理由から、アクリル樹脂が好ましい。また、後記のリングフレームに対する接着剤層２０の、室温およびその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立の観点からは、接着剤層２０は、熱可塑性樹脂の主成分として、ガラス転移温度が−１０〜１０℃のポリマーを含むのが好ましい。熱可塑性樹脂の主成分とは、熱可塑性樹脂成分中で最も大きな質量割合を占める樹脂成分とする。

ポリマーのガラス転移温度については、下記のＦｏｘの式に基づき求められるガラス転移温度（理論値）を用いることができる。Ｆｏｘの式は、ポリマーのガラス転移温度Ｔｇと、当該ポリマーにおける構成モノマーごとの単独重合体のガラス転移温度Ｔｇｉとの関係式である。下記のＦｏｘの式において、Ｔｇはポリマーのガラス転移温度（℃）を表し、Ｗｉは当該ポリマーを構成するモノマーｉの重量分率を表し、Ｔｇｉはモノマーｉの単独重合体のガラス転移温度（℃）を示す。単独重合体のガラス転移温度については文献値を用いることができ、例えば「新高分子文庫７ 塗料用合成樹脂入門」（北岡協三 著，高分子刊行会，１９９５年）や「アクリルエステルカタログ（１９９７年度版）」（三菱レイヨン株式会社）には、各種の単独重合体のガラス転移温度が挙げられている。一方、モノマーの単独重合体のガラス転移温度については、特開２００７−５１２７１号公報に具体的に記載されている手法によって求めることも可能である。
Ｆｏｘの式 １／（２７３＋Ｔｇ）＝Σ［Ｗｉ／（２７３＋Ｔｇｉ）］

接着剤層２０に熱可塑性樹脂として含まれるアクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含む。そのような(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、粘着剤層１２形成用の放射線硬化型粘着剤の一成分たるアクリル系ポリマーに関して上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルを用いることができる。接着剤層２０に熱可塑性樹脂として含まれるアクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリルなどの官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマーが挙げられ、具体的には、粘着剤層１２形成用の放射線硬化型粘着剤の一成分たるアクリル系ポリマーに関して(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマーとして上記したのと同様のものを用いることができる。接着剤層２０において高い凝集力を実現するという観点からは、接着剤層２０に含まれる当該アクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステル（特に、アルキル基の炭素数が４以下の(メタ)アクリル酸アルキルエステル）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特にポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であり、より好ましくは、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル(メタ)アクリレートとの共重合体である。

接着剤層２０における熱硬化性樹脂の含有割合は、接着剤層２０において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、好ましくは５〜６０質量％、より好ましくは１０〜５０質量％である。

接着剤層２０が、熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすためのアクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含む。そのような(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、粘着剤層１２形成用の放射線硬化型粘着剤の一成分たるアクリル系ポリマーに関して上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルを用いることができる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすための熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、およびイソシアネート基が挙げられる。これらのうち、グリシジル基およびカルボキシ基を好適に用いることができる。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂やカルボキシ基含有アクリル樹脂を好適に用いることができる。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂の硬化剤としては、例えば、粘着剤層１２形成用の放射線硬化型粘着剤の一成分とされる場合のある外部架橋剤として上記したものを用いることができる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、硬化剤としてポリフェノール系化合物を好適に用いることができ、例えば上記の各種フェノール樹脂を用いることができる。

ダイボンディングのために硬化される前の接着剤層２０について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、接着剤層２０に含まれる上述の樹脂の分子鎖末端の官能基等と反応して結合しうる多官能性化合物を架橋剤として接着剤層形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、接着剤層２０について、高温下での接着特性を向上させるうえで、また、耐熱性の改善を図るうえで好適である。そのような架橋剤としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ-フェニレンジイソシアネート、１,５-ナフタレンジイソシアネート、および、多価アルコールとジイソシアネートの付加物が挙げられる。接着剤層形成用樹脂組成物における架橋剤の含有量は、当該架橋剤と反応して結合しうる上記官能基を有する樹脂１００質量部に対し、形成される接着剤層２０の凝集力向上の観点からは好ましくは０.０５質量部以上であり、形成される接着剤層２０の接着力向上の観点からは好ましくは７質量部以下である。また、接着剤層２０における架橋剤としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。

接着剤層２０における以上のような高分子量成分の含有割合は、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは５０〜８０質量％である。高分子量成分とは、重量平均分子量１００００以上の成分とする。このような構成は、後記のリングフレームに対する接着剤層２０の、室温およびその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立を図るうえで好ましい。また、接着剤層２０は、２３℃で液状である液状樹脂を含んでもよい。接着剤層２０がそのような液状樹脂を含む場合、接着剤層２０における当該液状樹脂の含有割合は、好ましくは１〜１０質量％、より好ましくは１〜５質量％である。このような構成は、後記のリングフレームに対する接着剤層２０の、室温およびその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立を図るうえで好ましい。

接着剤層２０は、フィラーを含有していてもよい。接着剤層２０へのフィラーの配合により、接着剤層２０の引張貯蔵弾性率などの弾性率や、導電性、熱伝導性などの物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラーおよび有機フィラーが挙げられるところ、特に無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカの他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイトが挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。接着剤層２０におけるフィラーとしては、一種類のフィラーを用いてもよいし、二種類以上のフィラーを用いてもよい。後記の低温エキスパンド工程においてリングフレームに対する接着剤層２０の貼着性を確保するうえでは、接着剤層２０におけるフィラー含有割合は、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下である。

接着剤層２０がフィラーを含有する場合における当該フィラーの平均粒径は、好ましくは０.００５〜１０μｍ、より好ましくは０.００５〜１μｍである。当該フィラーの平均粒径が０.００５μｍ以上であるという構成は、接着剤層２０において、半導体ウエハ等の被着体に対する高い濡れ性や接着性を実現するうえで好適である。当該フィラーの平均粒径が１０μｍ以下であるという構成は、接着剤層２０において充分なフィラー添加効果を享受するとともに耐熱性を確保するうえで好適である。フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（商品名「ＬＡ−９１０」，株式会社堀場製作所製）を使用して求めることができる。

接着剤層２０は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。当該他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、および臭素化エポキシ樹脂が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β-(３,４-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、およびγ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ-３００」）、特定構造のリン酸ジルコニウム（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ-１００」）、ケイ酸マグネシウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード６００」）、およびケイ酸アルミニウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード７００」）を挙げることができる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、およびビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、１,２,３-ベンゾトリアゾール、１-｛Ｎ,Ｎ-ビス(２-エチルヘキシル)アミノメチル｝ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-ブチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３-ｔ-ブチル-５-メチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、６-(２-ベンゾトリアゾリル)-４-ｔ-オクチル-６'-ｔ-ブチル-４'-メチル-２,２'-メチレンビスフェノール、１-(２,３-ジヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、１-(１,２-ジカルボキシジエチル)ベンゾトリアゾール、１-(２-エチルヘキシルアミノメチル)ベンゾトリアゾール、２,４-ジ-ｔ-ペンチル-６-｛(Ｈ-ベンゾトリアゾール-１-イル)メチル｝フェノール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-ブチルフェニル)-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、オクチル-３-[３-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ-５-(５-クロロ-２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)フェニル]プロピオネート、２-エチルヘキシル-３-[３-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ-５-(５-クロロ-２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)フェニル]プロピオネート、２-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-６-(１-メチル-１-フェニルエチル)-４-(１,１,３,３-テトラメチルブチル)フェノール、２-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-４-ｔ-ブチルフェノール、２-(２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-オクチルフェニル)-ベンゾトリアゾール、２-(３-ｔ-ブチル-２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-ブチルフェニル)-５-クロロ-ベンゾトリアゾール、２-[２-ヒドロキシ-３,５-ジ(１,１-ジメチルベンジル)フェニル]-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、２,２'-メチレンビス[６-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-４-(１,１,３,３-テトラメチルブチル)フェノール]、２-[２-ヒドロキシ-３,５-ビス(α,α-ジメチルベンジル)フェニル]-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、および、メチル-３-[３-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-５-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシフェニル]プロピオネートが挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物などの所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、１,２-ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、ピロガロールなどが挙げられる。以上のような他の成分としては、一種類の成分を用いてもよいし、二種類以上の成分を用いてもよい。

接着剤層２０の厚さは、例えば１〜２００μｍの範囲にある。当該厚さの上限は、好ましくは１００μｍ、より好ましくは８０μｍである。当該厚さの下限は、好ましくは３μｍ、より好ましくは５μｍである。

本実施形態では、ダイシングダイボンドフィルムＸは、基材１１、粘着剤層１２、および接着剤層２０を含み且つ内側領域Ｒ２および外側領域Ｒ１にわたって連続している、積層構造を有する。このようなダイシングダイボンドフィルムＸの厚さは、好ましくは、外側領域Ｒ１および内側領域Ｒ２にわたり一様である。また、本実施形態では、ダイシングダイボンドフィルムＸの面内方向Ｄにおいて、ダイシングテープ１０における基材１１の外周端１１ｅおよび粘着剤層１２の外周端１２ｅから、接着剤層２０の外周端２０ｅが、１０００μｍ以内、好ましくは５００μｍ以内の、距離にある。すなわち、接着剤層２０の外周端２０ｅは、全周にわたり、フィルム面内方向Ｄにおいて、基材１１の外周端１１ｅに対して内側１０００μｍから外側１０００μｍまでの間、好ましくは内側５００μｍから外側５００μｍまでの間にあり、且つ、粘着剤層１２の外周端１２ｅに対して内側１０００μｍから外側１０００μｍまでの間、好ましくは内側５００μｍから外側５００μｍまでの間にある。ダイシングテープ１０ないしその粘着剤層１２とその上の接着剤層２０とが面内方向Ｄにおいて実質的に同一の寸法を有する当該構成では、接着剤層２０は、ワーク貼着用の領域に加えてフレーム貼着用の領域を含むこととなる。

ダイシングダイボンドフィルムＸは、図２に示すようにセパレータＳを伴ってもよい。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムＸごとに、セパレータＳを伴うシート状の形態をとってもよいし、セパレータＳが長尺状であってその上に複数のダイシングダイボンドフィルムＸが配され且つ当該セパレータＳが巻き回されてロールの形態とされてもよい。セパレータＳは、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０の表面を被覆して保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルムＸを使用する際には当該フィルムから剥がされる。セパレータＳとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類などが、挙げられる。セパレータＳの厚さは、例えば５〜２００μｍである。

以上のような構成を有するダイシングダイボンドフィルムＸは、例えば以下のようにして製造することができる。

ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０へと加工形成されることとなるシート体については、図３（ａ）に示すように、基材１１へと加工形成されることとなる基材１１'上に、粘着剤層１２へと加工形成されることとなる粘着剤層１２'を設けることによって作製することができる。樹脂製の基材１１'は、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出法、ドライラミネート法などの製膜手法により作製することができる。製膜後のフィルムないし基材１１'には、必要に応じて所定の表面処理が施される。粘着剤層１２'の形成においては、例えば、粘着剤層形成用の粘着剤溶液を調製した後、まず、当該粘着剤溶液を基材１１'上または所定のセパレータ上に塗布して粘着剤塗膜を形成する。粘着剤溶液の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。次に、この粘着剤塗膜において、加熱によって、必要に応じて架橋反応を生じさせ、また、必要に応じて脱溶媒する。加熱温度は例えば８０〜１５０℃であり、加熱時間は例えば０.５〜５分間である。粘着剤層１２'がセパレータ上に形成される場合には、当該セパレータを伴う粘着剤層１２'を基材１１'に貼り合わせ、その後、セパレータが剥離される。以上のようにして、ダイシングテープ１０へと加工形成されることとなるシート体たるテープ１０'を作製することができる。

一方、図３（ｂ）に示すように、接着剤層２０へと加工形成されることとなる接着剤フィルム２０'を作製する。接着剤フィルム２０'の作製においては、接着剤層形成用の接着剤組成物を調製した後、まず、当該接着剤組成物をセパレータＳ上に塗布して接着剤組成物層を形成する。接着剤組成物層の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。次に、この接着剤組成物層において、加熱によって、必要に応じて架橋反応を生じさせ、また、必要に応じて脱溶媒する。加熱温度は例えば７０〜１６０℃であり、加熱時間は例えば１〜５分間である。以上のようにして、セパレータＳを伴う接着剤フィルム２０'を作製することができる。

ダイシングダイボンドフィルムＸの製造においては、次に、図３（ｃ）に示すように、上述のテープ１０'の粘着剤層１２'側と接着剤フィルム２０'とを圧着して貼り合わせる。これにより、セパレータＳと、接着剤フィルム２０'と、粘着剤層１２'と、基材１１'とを含む積層構造を有する積層シート体が作製される。本工程において、貼り合わせ温度は、例えば３０〜５０℃であり、好ましくは３５〜４５℃である。貼り合わせ圧力（線圧）は、例えば０.１〜２０ｋｇｆ/ｃｍであり、好ましくは１〜１０ｋｇｆ/ｃｍである。粘着剤層１２が上述のような放射線硬化型粘着剤層である場合に接着剤フィルム２０'の貼り合わせより後に粘着剤層１２'に紫外線等の放射線を照射する時には、テープ１０'の例えば基材１１'の側から粘着剤層１２'に放射線照射を行い、その照射量は、例えば５０〜５００ｍＪ/ｃｍ²であり、好ましくは１００〜３００ｍＪ/ｃｍ²である。その照射領域は、例えば、接着剤層２０と密着することとなる粘着剤層１２の全体である。また、本発明においては、粘着剤層１２'ないし粘着剤層１２が紫外線硬化型などの放射線硬化型の粘着剤層として設計されている場合であっても、接着剤フィルム２０'ないし接着剤層２０は、紫外線など放射線の照射によっては硬化しない構成を有する。

次に、図３（ｄ）に示すように、上記の積層シート体に対し、基材１１'の側からセパレータＳに至るまで加工刃を突入させる加工を施す（図３（ｄ）では切断箇所を模式的に太線で表す）。例えば、積層シート体を一方向Ｆに一定速度で流しつつ、その方向Ｆに直交する軸心まわりに回転可能に配され且つ打抜き加工用の加工刃をロール表面に伴う加工刃付き回転ロール（図示略）の加工刃付き表面を、積層シート体の基材１１'側に所定の押圧力を伴って当接させる。これにより、ダイシングテープ１０（基材１１，粘着剤層１２）と接着剤層２０とが一括的に加工形成され、ダイシングダイボンドフィルムＸがセパレータＳ上に形成される。この後、図３（ｅ）に示すように、ダイシングダイボンドフィルムＸの周囲の材料積層部をセパレータＳ上から取り除く。

以上のようにして、ダイシングダイボンドフィルムＸを製造することができる。

半導体装置の製造過程においては、上述のように、接着剤層付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程、即ち、割断のためのエキスパンド工程が、実施される場合があるところ、エキスパンド工程では、ダイシングテープ上のダイボンドフィルムと半導体ウエハ等のワークとに適切に割断力が作用することが必要である。ダイシングダイボンドフィルムＸにおいては、当該フィルムにおける外周端から内方２０ｍｍまでの外側領域Ｒ１に由来する上記第１試験片の−１５℃での上記第１引張応力に対する、同フィルムにおける内側領域Ｒ２に由来する上記第２試験片の−１５℃での上記第２引張応力の比の値が、０.９〜１.１であり、好ましくは０.９５〜１.０５である。このような構成は、室温より低温である−１５℃およびその近傍の温度で実施される割断用の低温エキスパンド工程において、上記の外側領域Ｒ１と内側領域Ｒ２とを含むダイシングダイボンドフィルムＸにてその伸びの程度の均一化を図るのに適する。したがって、当該構成を具備するダイシングダイボンドフィルムＸは、低温エキスパンド工程にてダイシングテープ１０上の接着剤層２０やワークに作用する割断力の均一化を図るのに適し、これらを良好に割断するのに適する。

このようにエキスパンド時の伸びの程度について均一化の図られたダイシングダイボンドフィルムＸは、その接着剤層２０にワーク貼着用領域に加えてフレーム貼着用領域を含むように、ダイシングテープ１０ないしその粘着剤層１２とその上の接着剤層２０とをフィルム面内方向において実質的に同一の寸法で設計することが可能である。本実施形態のように、ダイシングダイボンドフィルムＸの面内方向において、接着剤層２０の外周端がダイシングテープ１０の粘着剤層１２の各外周端から１０００μｍ以内の距離にある設計を、採用することが可能である。このようなダイシングダイボンドフィルムＸは、基材１１と粘着剤層１２との積層構造を有する一のダイシングテープ１０を形成するための加工と、一の接着剤層２０を形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施するのに適する。このようなダイシングダイボンドフィルムＸは、上述のようにエキスパンド工程にて接着剤層２０を良好に割断するのに適するうえに、製造工程数の削減の観点や製造コスト抑制の観点などにおいて効率的に製造するのに適する。

ダイシングダイボンドフィルムＸは、上述のように、基材１１、粘着剤層１２、および接着剤層２０を含み且つ内側領域Ｒ２および外側領域Ｒ１にわたって連続している、積層構造を有する。また、ダイシングダイボンドフィルムＸの厚さは、上述のように、内側領域Ｒ２および外側領域Ｒ１にわたり一様であるのが好ましい。これら構成は、エキスパンド工程における上述の良好な割断性を実現するうえで好ましい。

ダイシングダイボンドフィルムＸにおける−１５℃での上記の第１引張応力および第２引張応力は、上述のように、好ましくは５Ｎ以上、より好ましくは８Ｎ以上、より好ましくは１０Ｎ以上である。このような構成は、−１５℃およびその近傍の温度でのダイシングダイボンドフィルムＸのエキスパンド時に接着剤層２０に作用する割断力を確保するうえで好ましい。また、ダイシングダイボンドフィルムＸにおける−１５℃での上記の第１引張応力および第２引張応力は、上述のように、好ましくは２８Ｎ以下、より好ましくは２５Ｎ以下、より好ましくは２０Ｎ以下である。このような構成は、−１５℃およびその近傍の温度でのダイシングダイボンドフィルムＸのエキスパンド時におけるダイシングテープ１０の粘着剤層１２と接着剤層２０との間の剥離を抑制するうえで好ましい。

ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０は、上述のように、−１５℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、好ましくは１Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは１.５Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは２Ｎ/１０ｍｍ以上の１８０°剥離粘着力を示す。また、この接着剤層２０は、同条件での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、例えば１００Ｎ/１０ｍｍ以下、好ましくは５０Ｎ/１０ｍｍ以下の１８０°剥離粘着力を示す。粘着力に関する当該構成は、室温より低温である−１５℃およびその近傍の温度でのダイシングダイボンドフィルムＸによるフレーム部材の保持を確保するうえで、好適である。

ダイシングダイボンドフィルムＸにおける第１試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験にて歪み値３０％で生ずる第３引張応力、および、第２試験片について同一条件（初期チャック間距離２０ｍｍ，２３℃，引張速度３００ｍｍ/分の条件）で行われる引張試験にて歪み値３０％で生ずる第４引張応力は、上述のように、好ましくは１Ｎ以上、より好ましくは３Ｎ以上、より好ましくは５Ｎ以上である。このような構成は、上記の外側領域Ｒ１と内側領域Ｒ２とを含むダイシングダイボンドフィルムＸにおいて、２３℃およびその近傍の温度でエキスパンドされる時の伸びの程度の均一化を図るのに適する。また、これら第３引張応力および第４引張応力は、上述のように、好ましくは２０Ｎ以下、より好ましくは１５Ｎ以下、より好ましくは１０Ｎ以下である。このような構成は、２３℃およびその近傍の温度でのダイシングダイボンドフィルムＸのエキスパンド時におけるダイシングテープ１０の粘着剤層１２と接着剤層２０との間の剥離を抑制するうえで、好適である。

ダイシングダイボンドフィルムＸにおける上記の第３引張応力に対する第４引張応力の比の値は、上述のように、好ましくは０.９５〜１.０５である。このような構成は、上記の外側領域Ｒ１と内側領域Ｒ２とを含むダイシングダイボンドフィルムＸにおいて、２３℃およびその近傍の温度でエキスパンドされる時の伸びの程度の均一化を図るのに適する。

ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０は、上述のように、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、好ましくは０.１Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは０.３Ｎ/１０ｍｍ以上、より好ましくは０.５Ｎ/１０ｍｍ以上の１８０°剥離粘着力を示す。このような構成は、２３℃およびその近傍の温度でのダイシングダイボンドフィルムＸによるフレーム部材の保持を確保するうえで、好適である。また、この接着剤層２０は、上述のように、同条件での剥離試験において、ＳＵＳ平面に対し、例えば２０Ｎ/１０ｍｍ以下、好ましくは１０Ｎ/１０ｍｍ以下の１８０°剥離粘着力を示す。このような構成は、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０からリングフレーム等のフレーム部材を剥がす際に当該フレーム部材に接着剤残渣が生ずるのを抑制するのに適する。

図４から図９は、本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法を表す。

本半導体装置製造方法においては、まず、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに分割溝３０ａが形成される（分割溝形成工程）。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａおよび第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。本工程では、粘着面Ｔ１ａを有するウエハ加工用テープＴ１が半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝３０ａがダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成される。分割溝３０ａは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための空隙である（図４から図６では分割溝３０ａを模式的に太線で表す）。

次に、図４（ｃ）に示すように、粘着面Ｔ２ａを有するウエハ加工用テープＴ２の、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのウエハ加工用テープＴ１の剥離とが、行われる。

次に、図４（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化される（ウエハ薄化工程）。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ａが形成される。半導体ウエハ３０Ａは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ３１へと個片化されることとなる部位を第２面Ｗｂ側で連結する部位（連結部）を有する。半導体ウエハ３０Ａにおける連結部の厚さ、即ち、半導体ウエハ３０Ａの第２面Ｗｂと分割溝３０ａの第２面Ｗｂ側先端との間の距離は、例えば１〜３０μｍであり、好ましくは３〜２０μｍである。

次に、図５（ａ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ３０ＡがダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０に対して貼り合わせられる。この後、図５（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａからウエハ加工用テープＴ２が剥がされる。ダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合には、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程での上述の放射線照射に代えて、半導体ウエハ３０Ａの接着剤層２０への貼り合わせの後に、基材１１の側から粘着剤層１２に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば５０〜５００ｍＪ/ｃｍ²であり、好ましくは１００〜３００ｍＪ/ｃｍ²である。ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて粘着剤層１２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（図１に示す照射領域Ｌ）は、例えば、粘着剤層１２における接着剤層２０貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。

次に、ダイシングダイボンドフィルムＸにおける接着剤層２０上にリングフレーム４１が貼り付けられた後、図６（ａ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａを伴う当該ダイシングダイボンドフィルムＸがエキスパンド装置の保持具４２に固定される。

次に、相対的に低温の条件下での第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）が、図６（ｂ）に示すように行われ、半導体ウエハ３０Ａが複数の半導体チップ３１へと個片化されるとともに、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０が小片の接着剤層２１に割断されて、接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ３０Ａの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ３０Ａの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において１５〜３２ＭＰａ、好ましくは２０〜３２ＭＰａの範囲内の引張応力が生ずる条件で行われる。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、好ましくは０.１〜１００ｍｍ/秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは３〜１６ｍｍである。

本工程では、半導体ウエハ３０Ａにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝に対向する箇所が割断されることとなる。本工程の後、図６（ｃ）に示すように、突き上げ部材４３が下降されて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態が解除される。

次に、相対的に高温の条件下での第２エキスパンド工程が、図７（ａ）に示すように行われ、接着剤層付き半導体チップ３１間の距離（離間距離）が広げられる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が再び上昇され、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０がエキスパンドされる。第２エキスパンド工程における温度条件は、例えば１０℃以上であり、好ましくは１５〜３０℃である。第２エキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば０.１〜１０ｍｍ/秒であり、好ましくは０.３〜１ｍｍ/秒である。また、第２エキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば３〜１６ｍｍである。後記のピックアップ工程にてダイシングテープ１０から接着剤層付き半導体チップ３１を適切にピックアップ可能な程度に、本工程では接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離が広げられる。本工程の後、図７（ｂ）に示すように、突き上げ部材４３が下降されて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態が解除される。エキスパンド状態解除後にダイシングテープ１０上の接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離が狭まることを抑制するうえでは、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ１０における半導体チップ３１保持領域より外側の部分を加熱して収縮させるのが好ましい。

次に、接着剤層付き半導体チップ３１を伴うダイシングテープ１０における半導体チップ３１側を水などの洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて経た後、図８に示すように、接着剤層付き半導体チップ３１をダイシングテープ１０からピックアップする（ピックアップ工程）。例えば、ピックアップ対象の接着剤層付き半導体チップ３１について、ダイシングテープ１０の図中下側においてピックアップ機構のピン部材４４を上昇させてダイシングテープ１０を介して突き上げた後、吸着治具４５によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材４４の突き上げ速度は例えば１〜１００ｍｍ/秒であり、ピン部材４４の突き上げ量は例えば５０〜３０００μｍである。

次に、図９（ａ）に示すように、ピックアップされた接着剤層付き半導体チップ３１が、所定の被着体５１に対して接着剤層２１を介して仮固着される。被着体５１としては、例えば、リードフレーム、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）フィルム、配線基板、および、別途作製した半導体チップが挙げられる。接着剤層２１の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して好ましくは０.２ＭＰａ以上、より好ましくは０.２〜１０ＭＰａである。接着剤層２１の当該剪断接着力が０.２ＭＰａ以上であるという構成は、後記のワイヤーボンディング工程において、超音波振動や加熱によって接着剤層２１と半導体チップ３１または被着体５１との接着面でずり変形が生じるのを抑制して適切にワイヤーボンディングを行うのに好適である。また、接着剤層２１の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して好ましくは０.０１ＭＰａ以上、より好ましくは０.０１〜５ＭＰａである。

次に、図９（ｂ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッド（図示略）と被着体５１の有する端子部（図示略）とをボンディングワイヤー５２を介して電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。半導体チップ３１の電極パッドや被着体５１の端子部とボンディングワイヤー５２との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現され、接着剤層２１を熱硬化させないように行われる。ボンディングワイヤー５２としては、例えば金線、アルミニウム線、または銅線を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば８０〜２５０℃であり、好ましくは８０〜２２０℃である。また、その加熱時間は数秒〜数分間である。

次に、図９（ｃ）に示すように、被着体５１上の半導体チップ３１やボンディングワイヤー５２を保護するための封止樹脂５３によって半導体チップ３１を封止する（封止工程）。本工程では、接着剤層２１の熱硬化が進む。本工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂５３が形成される。封止樹脂５３の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。本工程において、封止樹脂５３を形成するための加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒〜数分間である。本工程（封止工程）で封止樹脂５３の硬化が充分には進行しない場合には、本工程の後に封止樹脂５３を完全に硬化させるための後硬化工程が行われる。封止工程において接着剤層２１が完全に熱硬化しない場合であっても、後硬化工程において封止樹脂５３と共に接着剤層２１の完全な熱硬化が可能となる。後硬化工程において、加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば０.５〜８時間である。

以上のようにして、半導体装置を製造することができる。

本実施形態では、上述のように、接着剤層付き半導体チップ３１が被着体５１に仮固着された後、接着剤層２１が完全な熱硬化に至ることなくワイヤーボンディング工程が行われる。このような構成に代えて、本発明では、接着剤層付き半導体チップ３１が被着体５１に仮固着された後、接着剤層２１が熱硬化されてからワイヤーボンディング工程が行われてもよい。

本発明に係る半導体装置製造方法おいては、図４（ｄ）を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図１０に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図４（ｃ）を参照して上述した過程を経た後、図１０に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化されて、複数の半導体チップ３１を含んでウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ分割体３０Ｂが形成される。本工程では、分割溝３０ａそれ自体が第２面Ｗｂ側に露出するまでウエハを研削する手法（第１の手法）を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝３０ａに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝３０ａと第２面Ｗｂとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する手法（第２の手法）を採用してもよい。採用される手法に応じて、図４（ａ）および図４（ｂ）を参照して上述したように形成される分割溝３０ａの、第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。図１０では、第１の手法を経た分割溝３０ａ、または、第２の手法を経た分割溝３０ａおよびこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。本発明では、このようにして作製される半導体ウエハ分割体３０Ｂが半導体ウエハ３０Ａの代わりにダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされたうえで、図５から図９を参照して上述した各工程が行われてもよい。

図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、半導体ウエハ分割体３０ＢがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされた後に行われる第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ分割体３０Ｂの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ分割体３０Ｂの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば５〜２８ＭＰａ、好ましくは８〜２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生ずる条件で行われる。本工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。本工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば１〜４００ｍｍ/秒である。また、本工程におけるエキスパンド量は、例えば５０〜２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０が小片の接着剤層２１に割断されて接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において、半導体ウエハ分割体３０Ｂの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝３０ａに対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝３０ａに対向する箇所が割断されることとなる。

本発明に係る半導体装置製造方法おいては、半導体ウエハ３０Ａまたは半導体ウエハ分割体３０ＢがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされるという上述の構成に代えて、以下のようにして作製される半導体ウエハ３０ＣがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされてもよい。

図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、まず、半導体ウエハＷに改質領域３０ｂが形成される。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａおよび第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。本工程では、粘着面Ｔ３ａを有するウエハ加工用テープＴ３が半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光がウエハ加工用テープＴ３とは反対の側から半導体ウエハＷに対してその分割予定ラインに沿って照射され、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ｂが形成される。改質領域３０ｂは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ｂを形成する方法については、例えば特開２００２−１９２３７０号公報に詳述されているところ、本実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３.１４×１０^-8ｃｍ²
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０.５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される載置台の移動速度 ２８０ｍｍ/秒以下

次に、図１２（ｃ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化され、これによって複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ｃが形成される（ウエハ薄化工程）。本発明では、以上のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃが半導体ウエハ３０Ａの代わりにダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされたうえで、図５から図９を参照して上述した各工程が行われてもよい。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、半導体ウエハ３０ＣがダイシングダイボンドフィルムＸに貼り合わされた後に行われる第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ３０Ｃの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ３０Ｃの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば５〜２８ＭＰａ、好ましくは８〜２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生ずる条件で行われる。本工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。本工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば１〜４００ｍｍ/秒である。また、本工程におけるエキスパンド量は、例えば５０〜２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムＸの接着剤層２０が小片の接着剤層２１に割断されて接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、本工程では、半導体ウエハ３０Ｃにおいて脆弱な改質領域３０ｂにクラックが形成されて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において、半導体ウエハ３０Ｃの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間のクラック形成箇所に対向する箇所が割断されることとなる。

また、本発明において、ダイシングダイボンドフィルムＸは、上述のように接着剤層付き半導体チップを得るうえで使用することができるところ、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合における接着剤層付き半導体チップを得るうえでも使用することができる。そのような３次元実装における半導体チップ３１間には、接着剤層２１と共にスペーサが介在していてもよいし、スペーサが介在していなくてもよい。

〔実施例１〕
〈ダイシングテープの作製〉
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸ドデシル１００モル部と、アクリル酸２-ヒドロキシエチル（２ＨＥＡ）２０モル部と、これらモノマー成分１００質量部に対して０.２質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、６０℃で１０時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。これにより、アクリル系ポリマーＰ₁を含有するポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液中のアクリル系ポリマーＰ₁の重量平均分子量（Ｍｗ）は４５万であった。次に、このアクリル系ポリマーＰ₁を含有するポリマー溶液と、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、室温で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。当該反応溶液において、ＭＯＩの配合量は、上記アクリル酸ドデシル１００モル部に対して２０モル部であり、アクリル系ポリマーＰ₁における２ＨＥＡ由来ユニットないしその水酸基の総量に対する当該ＭＯＩ配合量のモル比率は１である。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーＰ₁１００質量部に対して０.０３質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーＰ₂を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ₂１００質量部に対して１質量部のポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，東ソー株式会社製）と、２質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア１２７」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、且つ、当該混合物の室温での粘度が５００ｍＰａ・ｓになるように当該混合物についてトルエンを加えて希釈し、粘着剤溶液を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤溶液を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。粘着剤層の厚さについては、ダイアルゲージ（商品名「Ｃ-７ＨＳ」，株式会社尾崎製作所製）を使用して測定した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）製の基材（商品名「ＲＢ-０１０４」，厚さ１３０μｍ，倉敷紡績株式会社製）を室温で貼り合わせた。以上のようにして、実施例１におけるダイシングテープを作製した。

〈接着剤層の作製〉
アクリル樹脂Ａ₁（アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体，重量平均分子量は１２０万，ガラス転移温度は０℃，エポキシ価は０.４ｅｑ/ｋｇ）１００質量部と、フェノール樹脂（商品名「８２１０ＤＬ」，群栄化学工業株式会社製）２５質量部と、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ-３０００」，三菱化学株式会社製）２５質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、室温での粘度が７００ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、接着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行った。以上のようにして、実施例１における厚さ７μｍの接着剤層をＰＥＴセパレータ上に作製した。接着剤層の厚さについては、ダイアルゲージ（商品名「Ｃ-７ＨＳ」，株式会社尾崎製作所製）を使用して測定した。

〈ダイシングダイボンドフィルムの作製〉
上述のダイシングテープからＰＥＴセパレータを剥離した後、ダイシングテープにおいて露出した粘着剤層と、セパレータを伴う上述の接着剤層とを、ラミネーターを使用して室温で貼り合わせ、積層シート体を得た。次に、この積層シート体に対し、ダイシングテープのＥＶＡ基材の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる打抜き加工を行った。これにより、直径３７０ｍｍの円盤形状のダイシングダイボンドフィルムがセパレータ上に形成された。

〔実施例２〕
接着剤層の厚さを７μｍに代えて１０μｍとした以外は実施例１の接着剤層と同様にして、実施例２における接着剤層をＰＥＴセパレータ上に作製した。そして、実施例１における接着剤層の代わりに実施例２における当該接着剤層を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例２のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

〔実施例３〕
接着剤層の厚さを７μｍに代えて２０μｍとした以外は実施例１の接着剤層と同様にして、実施例３における接着剤層をＰＥＴセパレータ上に作製した。そして、実施例１における接着剤層の代わりに実施例３における当該接着剤層を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例３のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

〔比較例１,２〕
接着剤層の作製において接着剤層の厚さを１０μｍに代えて２０μｍ（比較例１）または７μｍ（比較例２）としたこと、および、ダイシングテープと接着剤層（ダイボンドフィルム）とを異なるサイズで別個に打抜き加工した後に両者を貼り合わせたこと以外は、実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例１,２の各ダイシングダイボンドフィルムを作製した。比較例１,２のそれぞれにおいて、ダイシングテープは、セパレータを伴った状態で直径３７０ｍｍに打抜き加工し、ダイボンドフィルムは、セパレータを伴った状態で直径３３０ｍｍに打抜き加工した。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とが一致するように位置合わせしつつ行った。

〔比較例３〕
接着剤層の作製において接着剤層の厚さを１０μｍに代えて５μｍ（比較例３）としたこと、ダイシングテープと接着剤層（ダイボンドフィルム）とを異なるサイズで別個に打抜き加工した後に両者を貼り合わせたこと、および、ダイシングテープにおける粘着剤層に対して基材の側から紫外線を照射したこと以外は、実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例３のダイシングダイボンドフィルムを作製した。ダイシングテープは、セパレータを伴った状態で直径３７０ｍｍに打抜き加工し、ダイボンドフィルムは、セパレータを伴った状態で直径３３０ｍｍに打抜き加工した。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とが一致するように位置合わせしつつ行った。また、紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３５０ｍＪ/ｃｍ²とした。以上のようにして、ダイシングテープと接着剤層とを含む積層構造を有する比較例３のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

〔−１５℃での引張応力〕
実施例１〜３および比較例１〜３の各ダイシングダイボンドフィルムにおける外周端から内方２０ｍｍまでの外側領域から切り出された第１試験片について、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して引張試験を行い、歪み値３０％で生ずる引張応力を測定した。各第１試験片は、ダイシングダイボンドフィルムの外側領域内でＭＤ方向に延びる５０ｍｍの長さ、および、１０ｍｍの幅を有する。実施例１〜３および比較例１〜３のダイシングダイボンドフィルムごとに、５枚の第１試験片を用意した。本引張試験において、初期チャック間距離は２０ｍｍであり、温度条件は−１５℃であり、引張速度は３００ｍｍ/分である。同一のダイシングダイボンドフィルムに由来する５枚の第１試験片に係る測定値の平均値を、当該ダイシングダイボンドフィルムの第１試験片における−１５℃での引張応力（第１引張応力）とした。得られた第１引張応力の値を表１に掲げる。

実施例１〜３および比較例１〜３の各ダイシングダイボンドフィルムの上記外側領域より内方の内側領域から切り出された第２試験片について、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して引張試験を行い、歪み値３０％で生ずる引張応力を測定した。各第２試験片は、ダイシングダイボンドフィルムの内側領域内でＭＤ方向に延びる５０ｍｍの長さ、および、１０ｍｍの幅を有する。実施例１〜３および比較例１〜３のダイシングダイボンドフィルムごとに、５枚の第２試験片を用意した。本引張試験において、初期チャック間距離は２０ｍｍであり、温度条件は−１５℃であり、引張速度は３００ｍｍ/分である。同一のダイシングダイボンドフィルムに由来する５枚の第２試験片に係る測定値の平均値を、当該ダイシングダイボンドフィルムの第２試験片における−１５℃での引張応力（第２引張応力）とした。得られた第２引張応力の値を表１に掲げる。第１引張応力に対する第２引張応力の比の値も表１に掲げる。

〔２３℃での引張応力〕
実施例１〜３および比較例１〜３の各ダイシングダイボンドフィルムにおける外周端から内方２０ｍｍまでの外側領域から切り出された第１試験片について、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して引張試験を行い、歪み値３０％で生ずる引張応力を測定した。各第１試験片は、ダイシングダイボンドフィルムの外側領域内でＭＤ方向に延びる５０ｍｍの長さ、および、１０ｍｍの幅を有する。実施例１〜３および比較例１〜３のダイシングダイボンドフィルムごとに、５枚の第１試験片を用意した。本引張試験において、初期チャック間距離は２０ｍｍであり、温度条件は２３℃であり、引張速度は３００ｍｍ/分である。同一のダイシングダイボンドフィルムに由来する５枚の第１試験片に係る測定値の平均値を、当該ダイシングダイボンドフィルムの第１試験片における２３℃での引張応力（第３引張応力）とした。得られた第３引張応力の値を表１に掲げる。

実施例１〜３および比較例１〜３の各ダイシングダイボンドフィルムの上記外側領域より内方の内側領域から切り出された第２試験片について、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して引張試験を行い、歪み値３０％で生ずる引張応力を測定した。各第２試験片は、ダイシングダイボンドフィルムの内側領域内でＭＤ方向に延びる５０ｍｍの長さ、および、１０ｍｍの幅を有する。実施例１〜３および比較例１〜３のダイシングダイボンドフィルムごとに、５枚の第２試験片を用意した。本引張試験において、初期チャック間距離は２０ｍｍであり、温度条件は２３℃であり、引張速度は３００ｍｍ/分である。同一のダイシングダイボンドフィルムに由来する５枚の第２試験片に係る測定値の平均値を、当該ダイシングダイボンドフィルムの第２試験片における２３℃での引張応力（第４引張応力）とした。得られた第４引張応力の値を表１に掲げる。第３引張応力に対する第４引張応力の比の値も表１に掲げる。

〈接着剤層の粘着力〉
実施例１〜３および比較例１〜３の各ダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層について、次のようにして−１５℃での１８０°剥離粘着力を調べた。まず、ダイシングテープから接着剤層を剥離し、その接着剤層においてダイシングテープに貼着されていた側の面に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせ、当該裏打ちフィルムから試料片（幅１０ｍｍ×長さ１００ｍｍ）を切り出した。次に、試料片を被着体たるＳＵＳ板に貼り合わせ、２ｋｇのローラーを１往復させる圧着作業によって試料片と被着体とを圧着させた。そして、室温での３０分間の放置の後、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して、ＳＵＳ板に対する接着剤層試料片の１８０°剥離粘着力を測定した。本測定において、測定温度ないし剥離温度は−１５℃とし、引張角度は１８０°とし、引張速度は３００ｍｍ/分とした。引張試験において最初の１０ｍｍ/分の示す剥離力を除外したうえでの剥離力の平均値を１８０°剥離粘着力（Ｎ/１０ｍｍ）とした。また、実施例１〜３および比較例１〜３の各ダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層について、測定温度を−１５℃に代えて２３℃としたこと以外は−１５℃での１８０°剥離粘着力測定と同様にして、２３℃での１８０°剥離粘着力を測定した。これらの測定結果を表１に掲げる。

〔割断性の評価〕
実施例１〜３および比較例１〜３の各ダイシングダイボンドフィルムを使用して、以下のような貼り合わせ工程、割断のための第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）、および、離間のための第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）を行った。

貼り合わせ工程では、ウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）に保持された半導体ウエハ分割体をダイシングダイボンドフィルムの接着剤層に対して貼り合わせ、その後、半導体ウエハ分割体からウエハ加工用テープを剥離した。貼合わせにおいては、ラミネーターを使用し、貼合わせ速度を１０ｍｍ/秒とし、温度条件を６０℃とし、圧力条件を０.１５ＭＰａとした。また、半導体ウエハ分割体は、次のようにして形成して用意したものである。まず、ウエハ加工用テープ（商品名「Ｖ１２Ｓ-Ｒ２-Ｐ」，日東電工株式会社製）にリングフレームと共に保持された状態にあるベアウエハ（直径１２インチ，厚さ７８０μｍ，東京化工株式会社製）について、その一方の面の側から、ダイシング装置（商品名「ＤＦＤ６２６０」，株式会社ディスコ製）を使用してその回転ブレードによって個片化用の分割溝（幅２５μｍ，深さ５０μｍ，一区画６ｍｍ×１２ｍｍの格子状をなす）を形成した。次に、分割溝形成面にウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた後、上記のウエハ加工用テープ（商品名「Ｖ１２Ｓ-Ｒ２-Ｐ」）をウエハから剥離した。この後、バックグラインド装置（商品名「ＤＧＰ８７６０」，株式会社ディスコ製）を使用してウエハの他方の面（分割溝の形成されていない面）の側からの研削によって当該ウエハを厚さ２０μｍに至るまで薄化し、続いて、同装置を使用して行うドライポリッシュによって当該研削面に対して鏡面仕上げを施した。以上のようにして、半導体ウエハ分割体（ウエハ加工用テープに保持された状態にある）を形成した。この半導体ウエハ分割体には、複数の半導体チップ（６ｍｍ×１２ｍｍ）が含まれている。

クールエキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ ＤＤＳ２３００」，株式会社ディスコ製）を使用して、そのクールエキスパンドユニットにて行った。具体的には、まず、半導体ウエハ分割体を伴う上述のダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層のフレーム貼着用領域（ワーク貼着用領域の周囲）に、直径１２インチのＳＵＳ製リングフレーム(株式会社ディスコ製)を室温で貼り付けた。次に、当該ダイシングダイボンドフィルムを装置内にセットし、同装置のクールエキスパンドユニットにて、半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープをエキスパンドした。このクールエキスパンド工程において、温度は−１５℃であり、エキスパンド速度は１００ｍｍ/秒であり、エキスパンド量は７ｍｍである。

常温エキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ ＤＤＳ２３００」，株式会社ディスコ製）を使用して、その常温エキスパンドユニットにて行った。具体的には、上述のクールエキスパンド工程を経た半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープを、同装置の常温エキスパンドユニットにてエキスパンドした。この常温エキスパンド工程において、温度は２３℃であり、エキスパンド速度は１ｍｍ/秒であり、エキスパンド量は１０ｍｍである。この後、常温エキスパンドを経たダイシングダイボンドフィルムについて加熱収縮処理を施した。その処理温度は２００℃であり、処理時間は２０秒である。

実施例１〜３および比較例１〜３の各ダイシングダイボンドフィルムを使用して行った以上のような過程を経た段階において、半導体ウエハ分割体に含まれる半導体チップの総数に対する、割断された接着剤層を伴う半導体チップの総数の割合を調べた。そして、接着剤層の割断性について、当該割合が８０％以上である場合を良（○）と評価し、当該割合が８０％未満である場合を不良（×）と評価した。この評価結果を表１に掲げる。

［評価］
実施例１〜３のダイシングダイボンドフィルムでは、第１引張応力に対する第２引張応力の比の値が０.９〜１.１の範囲内にある。このような実施例１〜３のダイシングダイボンドフィルムによると、第１引張応力に対する第２引張応力の比の値が０.９〜１.１の範囲内にない比較例１〜３のダイシングダイボンドフィルムによるよりも、−１５℃でのエキスパンド工程において接着剤層付き半導体チップへの個片化（割断）を良好に行うことができた。

Ｘ ダイシングダイボンドフィルム
Ｒ１，Ｒ１’ 外側領域
Ｒ２，Ｒ２’ 内側領域
１０ ダイシングテープ
１１ 基材
１１ｅ 外周端
１２ 粘着剤層
１２ｅ 外周端
２０，２１ 接着剤層
２０ｅ 外周端
Ｗ，３０Ａ，３０Ｃ 半導体ウエハ
３０Ｂ 半導体ウエハ分割体
３０ａ 分割溝
３０ｂ 改質領域
３１ 半導体チップ

Claims (9)

1. 基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
   前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、
   下記の第１試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、−１５℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験において歪み値３０％で生ずる第１引張応力に対する、下記の第２試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、−１５℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験において歪み値３０％で生ずる第２引張応力の比の値が、０.９〜１.１である、ダイシングダイボンドフィルム。
   第１試験片：ダイシングダイボンドフィルムにおける外周端から内方２０ｍｍまでの外側領域から切り出される、一の方向に延びる５０ｍｍの長さと１０ｍｍの幅を有する試験片
   第２試験片：ダイシングダイボンドフィルムにおける前記外側領域よりも内方の内側領域から切り出される、前記一の方向に延びる５０ｍｍの長さと１０ｍｍの幅を有する試験片
2. 前記基材、前記粘着剤層、および前記接着剤層を含み且つ前記内側領域および前記外側領域にわたって連続している、積層構造を有する、請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。
3. 前記内側領域および前記外側領域にわたり厚さが一様である、請求項１または２に記載のダイシングダイボンドフィルム。
4. 前記第１引張応力および前記第２引張応力が５〜２８Ｎである、請求項１から３のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
5. 前記接着剤層は、−１５℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験においてＳＵＳ平面に対して１Ｎ/１０ｍｍ以上の１８０°剥離粘着力を示す、請求項１から４のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
6. 第１試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験において歪み値３０％で生ずる第３引張応力、および、第２試験片について初期チャック間距離２０ｍｍ、２３℃、および引張速度３００ｍｍ/分の条件で行われる引張試験において歪み値３０％で生ずる第４引張応力が、１〜２０Ｎである、請求項１から５のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
7. 前記第３引張応力に対する前記第４引張応力の比の値が０.９５〜１.０５である、請求項６に記載のダイシングダイボンドフィルム。
8. 前記接着剤層は、２３℃、剥離角度１８０°および引張速度３００ｍｍ/分の条件での剥離試験においてＳＵＳ平面に対して０.１Ｎ/１０ｍｍ以上の１８０°剥離粘着力を示す、請求項１から７のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
9. 前記接着剤層の外周端は、フィルム面内方向において前記粘着剤層の外周端から１０００μｍ以内の距離にある、請求項１から８のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。

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