KR20190129006A - 다이 어태치 필름 - Google Patents

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KR20190129006A
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layer
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다카시 오카무라
마사루 나카무라
요시아키 요도
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

[과제] 피가공물을 가공할 때의 소요 시간을 억제하면서 디바이스 칩마다 용이하게 분할할 수 있는 DAF을 제공하는 것.
[해결수단] 웨이퍼로부터 분할된 디바이스 칩을 피고정 부재에 고정하기 위한 DAF(115)이며, 내부에 파단 기점이 되는 개질층(20)이 형성되어 있다. 이 개질층(20)이 스폿형으로 형성되어 있다. DAF(115)은, 익스펜드 테이프(117) 상에 적층되어 상기 익스펜드 테이프(117)와 일체로 성형되어 있다.

Description

다이 어태치 필름{DIE ATTACHED FILM}
본 발명은 다이 어태치 필름(DAF)에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼 등의 피가공물을 개개의 디바이스 칩으로 분할한 후, 디바이스 칩을 기판 등에 고정하기 위한 DAF(Die Attached Film)이 이용되고 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 피가공물의 가공 방법의 하나로서 알려진 SDBG(Stealth Dicing Before Grinding) 공정은, 분할 예정 라인을 따라 내부에 개질층이 형성된 피가공물의 이면에 DAF 및 익스펜드 테이프를 접착한 후에, 익스펜드 테이프를 확장하여, 피가공물을 개개의 디바이스 칩으로 분할하고, DAF을 디바이스 칩마다 분할한다.
또한, 특허문헌 1 등에 기재된 피가공물의 가공 방법인 DBG(Dicing Before Grinding)와, DAF을 레이저 광선 등에 의해 절단하는 공정을 조합한 공정은, 개개의 디바이스 칩으로 분할된 피가공물의 이면에 DAF을 접착한 후에, 분할 홈으로부터 노출되는 DAF을 어블레이션 가공 등으로 디바이스 칩마다 분할한다.
특허문헌 1: 일본 특허공개 2015-207724호 공보
SDBG 공정에서는, 가공 조건에 따라서는 DAF을 디바이스 칩마다 완전히 분할할 수 없을 우려가 있다. 또한, DBG과 DAF의 절단을 조합한 공정에서는, 피가공물의 이면을 연삭할 때에 디바이스 칩이 약간 움직여, 그 디바이스 칩의 배열에 어긋남이 생긴다. 이 때문에, 디바이스 칩의 어긋남에 따른 얼라인먼트 및 DAF을 분할하기 위한 어블레이션 가공 등에 의해, 피가공물을 가공할 때의 소요 시간이 장시간화된다.
본 발명은 이러한 문제점에 감안하여 이루어진 것으로, 피가공물을 가공할 때의 소요 시간을 억제하면서 디바이스 칩마다 용이하게 분할할 수 있는 다이 어태치 필름(DAF)을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하여 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 DAF은, 내부에 파단 기점이 되는 개질층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
이 구성에 의하면, 피가공물에 접착되기 전의 상태에서 DAF의 내부에 파단 기점이 되는 개질층이 형성되어 있기 때문에, 피가공물을 가공할 때의 소요 시간이 장시간화되는 것을 억제할 수 있고, DAF을 칩마다 용이하게 분할할 수 있다.
이 구성에 있어서, 상기 개질층이 스폿형으로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 접착 대상인 피가공물과 같은 형태이며, 상기 개질층은 중앙부가 외주부보다 많은 구성으로 하여도 좋다. 여기서, 개질층이 많다는 것은, DAF의 중앙부에 대응하는 영역에 있어서의 개질층의 비율이, DAF의 외주부에 대응하는 영역에 있어서의 개질층의 비율보다도 큰 것을 말한다.
또한, 상기 개질층으로서 상기 DAF의 표면에 노출되는 위치에 형성된 제1 개질층과, 상기 개질층으로서 상기 DAF의 이면에 노출되는 위치에 형성된 제2 개질층을 구비하고, 상기 제1 개질층과 상기 제2 개질층이 교대로 형성되어 있어도 좋다.
또한, 익스펜드 테이프 상에 적층되어 상기 익스펜드 테이프와 일체로 성형되어 있어도 좋다. 또한, 상기 DAF은 롤 형상으로 휘감겨져 있어도 좋다.
본 발명에 의하면, 피가공물에 접착되기 전의 상태에서 DAF의 내부에 파단 기점이 되는 개질층이 형성되어 있기 때문에, 피가공물을 가공할 때의 소요 시간이 장시간화되는 것을 억제할 수 있고, DAF을 칩마다 용이하게 분할할 수 있다.
도 1은 실시형태 1에 따른 DAF을 갖는 점착 시트의 일례를 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I 단면도이다.
도 3은 DAF에 형성된 개질층의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 4는 DAF이 접착되는 피가공물의 일례를 도시하는 사시도이다.
도 5는 DAF 및 익스펜드 테이프가 접착된 피가공물의 일례를 도시하는 사시도이다.
도 6은 실시형태 2에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대도이다.
도 7은 실시형태 2에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대 단면도이다.
도 8은 실시형태 3에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대도이다.
도 9는 실시형태 3에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대 단면도이다.
도 10은 실시형태 4에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 도면이다.
도 11은 실시형태 4에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 단면도이다.
도 12는 실시형태 5에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대도이다.
도 13은 실시형태 5에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대 단면도이다.
도 14는 레이저 가공 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도이다.
도 15는 레이저 가공 장치의 일부를 도 14에 도시하는 Y축 방향에 평행한 방향에서 봤을 때의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 16은 레이저 광선 조사 유닛의 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
이하 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 더욱이, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 다양한 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
[실시형태 1]
실시형태 1에 따른 DAF(Die Attached Film: 다이 어태치 필름)에 관해서 설명한다. 도 1은 실시형태 1에 따른 DAF을 갖는 점착 시트의 일례를 도시하는 사시도이다. 도 2는 도 1의 I-I 단면도이다. 도 3은 DAF에 형성된 개질층의 일례를 도시하는 평면도이다. 도 4는 DAF이 접착되는 피가공물의 일례를 도시하는 사시도이다. 도 5는 DAF 및 익스펜드 테이프가 접착된 피가공물의 일례를 도시하는 사시도이다.
본 실시형태에 있어서, DAF이 접착되는 피가공물로서의 웨이퍼(121)는, 실리콘을 모재로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 사파이어, SiC(탄화규소) 등을 모재로 하는 광디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼(121)는, 도 4에 도시하는 것과 같이, 표면(121A)과 이면(121B)을 가지고, 표면(121A)에 형성된 복수의 분할 예정 라인(102)에 의해서 구획된 복수의 영역에 각각 디바이스(103)가 형성되어 있다. 이들 분할 예정 라인(102)은, 상호 직교하여 격자형으로 배치되어 있고, 웨이퍼(121)는, 기존의 가공 방법(예컨대 SDBG 공법 혹은 DBG 공법)에 의해서, 분할 예정 라인(102)을 따라 각 디바이스 칩으로 분할된다.
점착 시트(111)는, 도 1에 도시하는 것과 같이, 박리 시트(113)와 DAF(115)과 익스펜드 테이프(117)를 구비한다. 점착 시트(111)는, DAF(115)과 익스펜드 테이프(117)가 일체로 성형된 복합 타입의 시트이다. 점착 시트(111)(익스펜드 테이프(117))는, 장척으로 형성되어 롤 형상으로 감겨져 있다. 점착 시트(111)는, 예컨대 가열된 수지가 제1 방향(10)을 따라 이동되면서 제1 방향(10)과 이 제1 방향(10)에 대하여 직교하는 제2 방향(11)으로 연신되어, 제1 롤러(106)에 감겨진다. 본 실시형태에서는, 제1 방향(10)은 소위 유동 방향(MD: Machine Direction 방향)이고, 제2 방향(11)은 소위 수직 방향(TD: Transverse Direction 방향)이다.
익스펜드 테이프(117)는, 도 2에 도시하는 것과 같이, 합성수지로 구성된 수지층(117a) 및 점착층(117b)을 갖는다. 점착층(117b)은 수지층(117a)에 적층된다. 수지층(117a)에는 두께 100 ㎛ 정도의 폴리올레핀 등을 이용할 수 있고, 점착층(117b)에는 두께 10 ㎛ 정도의 아크릴 수지계의 풀 등을 이용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 점착층(117b)은 예컨대 미리 정해진 파장(300∼400 nm)의 자외선을 조사함으로써 점착력이 저하하는 점착 재료가 이용되고 있다.
DAF(115)은, 다이본딩용의 필름형 점착성 부재이며, 익스펜드 테이프(117)의 점착층(117b)에 미리 적층된다. DAF(115)은, 도 1에 도시하는 것과 같이, 상기한 제1 방향(10)으로 미리 정해진 간격을 두고서 익스펜드 테이프(117) 상에 복수 마련된다. DAF(115)은, 예컨대 아크릴계 접착제나 폴리이미드계 접착제 등을 이용할 수 있으며, 익스펜드 테이프(117)의 점착층(117b) 상에 배치된다. 본 실시형태에서는, DAF(115)은, 접착되는 웨이퍼(121)와 같은 형태인 원반형의 외형을 가지고, 도 5에 도시하는 웨이퍼(121)의 이면(121B)에 접착된다. DAF(115)은, 웨이퍼(121)의 이면 전체를 덮은 상태에서 웨이퍼(121)에 접착할 수 있도록, 웨이퍼(121)가 갖는 직경보다도 긴 직경을 갖는다. 또한, DAF(115)이 적층된 익스펜드 테이프(117)는, 미리 정해진 길이 및 미리 정해진 형상(원반형)으로 절단되어, 익스펜드 테이프(117)의 외주부가 웨이퍼(121)의 주위에 배치되는 환상의 프레임(133)에 접착된다.
웨이퍼(121) 및 프레임(133)에, DAF(115) 및 익스펜드 테이프(117)를 접착함으로써, 도 5에 도시하는 판상물(板狀物)(프레임 유닛)(200)이 생성된다. 익스펜드 테이프(117)는, DAF(115)을 통해 웨이퍼(121)에 간접적으로 접착하고, 또한 프레임(133)에 직접 접착된다. DAF(115) 및 익스펜드 테이프(117)를 접착함으로써, 웨이퍼(121)는 프레임(133) 내측에 지지된 상태가 된다. 즉, 웨이퍼(121) 및 프레임(133)은, DAF(115) 및 익스펜드 테이프(117)(점착 시트(111))를 통해 일체화된 부재가 된다.
웨이퍼(121)의 표면(121A)에, 분할 예정 라인(102)을 따라 절삭된 홈(도시하지 않음)이 형성되는 DGB 가공이 실시되는 경우, 복수의 디바이스 칩으로 분할된 상태의 웨이퍼(121)의 이면(121B)에 점착 시트(111)가 접착된 판상물(200)이 생성된다. 또한, 웨이퍼(121)의 내부에, 분할 예정 라인(102)을 따른 개질층이 형성되는 SDBG 가공이 실시되는 경우, 복수의 디바이스 칩으로 분할되기 전의 상태의 웨이퍼(121)의 이면(121B)에 점착 시트(111)가 접착된 판상물(200)이 생성된다. 판상물(200)에 있어서, DAF(115)은 웨이퍼(121)의 이면(121B) 전체를 덮도록 접착된다. 또한, 웨이퍼(121)의 표면(121A)에는, 점착 시트(111)를 접착하기 전에 표면 보호 부재(도시하지 않음)가 접착된다.
박리 시트(113)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 것과 같이, DAF(115) 및 익스펜드 테이프(117)를 덮도록, DAF(115) 및 익스펜드 테이프(117)에 중첩된다. 박리 시트(113)는, 접착 전의 DAF(115) 및 점착층(117b)의 표면을 보호하고, 웨이퍼(121)및 프레임(133)에 접착할 때에 박리되어, DAF(115) 및 점착층(117b)의 표면을 노출시킨다.
점착 시트(111)의 DAF(115)에는, 도 2 및 도 3에 도시하는 것과 같이, 상기 DAF(115)의 내부에 개질층(20)이 형성되어 있다. 개질층(20)이란, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위가 그것과는 다른 상태가 된 변질 영역이며, 예컨대 DAF(115)을 확장 처리한 경우의 파단 기점이 된다. 개질층(20)은, 예컨대 DAF(115)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 상기 DAF(115)에 조사함으로써 형성된다. 개질층(20)은, 평면에서 봤을 때 DAF(115)의 전면에 형성되어 있고, 도 3의 예에서는, 레이저 광선을 스폿형으로 조사함으로써, 스폿형의 개질층(20)이 DAF(115)의 내부에, 상기한 제1 방향(10) 및 제2 방향(11)을 따라 각각 간헐적으로 형성되어 있다. 이 구성에 의하면, 웨이퍼(121)에 접착하기 전에 DAF(115)의 내부에 개질층(20)이 미리 형성되어 있기 때문에, 종래와 같이 어블레이션 가공 등에 의해 DAF(115)을 절단하는 공정을 구비하는 경우와 비교하여, 웨이퍼(121)에 접착된 DAF(115)을 디바이스 칩마다 분할하는 시간을 억제할 수 있고, 결과적으로 DAF(115)이 접착된 웨이퍼(121)를 가공할 때의 소요 시간의 장기화를 억제할 수 있다.
또한, 예컨대 DAF(115)에 접착되는 웨이퍼(121)에 형성된 인접하는 분할 예정 라인(102)의 간격(L1)(도 5)이 미리 판명되어 있는 경우, 제1 방향(10) 및 제2 방향(11)을 따라 연장되는 일련의 개질층(20)의 라인의 간격(La)을, 분할 예정 라인(102)의 간격(L1)과 동등하게 하여 개질층(20)를 형성하는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 웨이퍼(121)에 접착된 DAF(115)의 개질층(20)은, 웨이퍼(121)의 분할 예정 라인(102)에 상당하는 위치에 형성되기 때문에, 보다 효율적으로 DAF(115)이 접착된 웨이퍼(121)를 분할할 수 있다.
또한, 상기한 일련의 개질층(20)의 라인의 간격(La)은, 웨이퍼(121)의 분할 예정 라인(102)의 폭(L2)에 대하여,
1/2L2≤La<L2 (1)
을 만족하도록 형성하여도 좋다. 이 구성에 의하면, 일련의 개질층(20)의 라인의 간격(La)은, 웨이퍼(121)의 분할 예정 라인(102)의 폭(L2)보다도 작기 때문에, DAF(115)의 개질층(20)은, 분할 예정 라인(102)에 대응하는 위치에 형성됨으로써, 웨이퍼(121)에 접착된 DAF(115)을 디바이스 칩마다 용이하게 분할할 수 있다. 또한, 일련의 개질층(20)의 라인의 간격(La)을, 웨이퍼(121)의 분할 예정 라인(102)의 폭(L2)의 1/2 이상으로 함으로써, DAF(115)에 형성되는 개질층(20)을 억제할 수 있어, 상기 개질층(20)을 형성하는 공정의 장시간화를 억제할 수 있다.
[실시형태 2]
이어서, 실시형태 2에 따른 DAF에 관해서 설명한다. 도 6은 실시형태 2에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대도이다. 도 7은 실시형태 2에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대 단면도이다. 이 실시형태 2에서는, 개질층(20)이 형성되는 패턴이 상기한 실시형태 1과 다르고, 그 밖의 구성은 동일하기 때문에, 동일한 구성에 관해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
실시형태 1에서는, DAF(115)의 내부에, 스폿형의 개질층(20)이 제1 방향(10) 및 제2 방향(11)을 따라 각각 간헐적으로 형성되어 있는 구성을 설명했지만, 이 실시형태 2에 따른 DAF(115A)은, 도 6 및 도 7에 도시하는 것과 같이, 상기 DAF(115A)의 내부에 형성된 스폿형의 개질층(20)이 제1 방향(10) 및 제2 방향(11)을 따라 각각 연속해 있다. 이 구성에 의하면, 스폿형의 개질층(20)이 제1 방향(10) 및 제2 방향(11)을 따라 각각 연속해 있기 때문에, DAF(115)이 접착된 웨이퍼(121)를 실시형태 1의 DAF(115)으로부터 용이하게 분할할 수 있다.
[실시형태 3]
이어서, 실시형태 3에 따른 DAF에 관해서 설명한다. 도 8은 실시형태 3에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대도이다. 도 9는 실시형태 3에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대 단면도이다. 이 실시형태 3에 관해서도, 개질층(20)이 형성되는 패턴이 상기한 실시형태 1과 다르고, 그 밖의 구성은 동일하기 때문에, 동일한 구성에 관해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
실시형태 1, 2에서는, 제1 방향(10) 및 제2 방향(11)을 따라 연장되는 개질층(20)의 라인의 간격(La)은 모두 동일하게 형성되어 있는 구성을 설명했지만, 이 실시형태 3에 따른 DAF(115B)은, 도 8에 도시하는 것과 같이, 제1 방향(10) 및 제2 방향(11)을 따라 연장되는 개질층(20)의 라인의 간격(La)을 다르게 하고 있다. 또한, 각 라인 상에 형성되는 개질층(20)의 간격(Lb)을 서로 다르게 하고 있다. 이 구성에 의하면, DAF(115B)에 대하여, 레이저 광선을 조사할 때의 조사 조건 및 예컨대 레이저 조사 장치에 대한 점착 시트(111)의 이송 속도 조건 등을 엄밀하게 관리할 필요가 없고, DAF(115B)의 내부에 개질층(20)를 간이하게 형성할 수 있다. 이 경우라도, 개질층(20)의 라인의 간격(La)은 상기한 식(1)을 만족하는 것이 바람직하다. 이에 따르면, 개질층(20)의 라인의 간격(La)이 다르다고 하더라도, 분할 예정 라인(102)에 대응하는 위치에 적어도 하나의 개질층(20)의 라인이 형성됨으로써, 웨이퍼(121)에 접착된 DAF(115B)을 디바이스 칩마다 용이하게 분할할 수 있다. 또한, 이 실시형태 3에서는 상기 라인 상에 간격(Lb)을 두고서 개질층(20)을 형성하고 있지만, 이들 개질층(20)을 연속되도록 형성하여도 물론 좋다.
[실시형태 4]
이어서, 실시형태 4에 따른 DAF에 관해서 설명한다. 도 10은 실시형태 4에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 도면이다. 도 11은 실시형태 4에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 단면도이다. 이 도 11에서는, 설명의 편의상, 제1 방향(10)을 따라 연장되는 개질층(20)만을 도시하고 있지만, 제2 방향(11)을 따라 연장되는 개질층(20)을 구비할 수 있음은 물론이다. 이 실시형태 4에 관해서도, 개질층(20)이 형성되는 패턴이 상기한 실시형태 1과 다르고, 그 밖의 구성은 동일하기 때문에, 동일한 구성에 관해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
이 실시형태 4에 따른 DAF(115C)은, 도 10 및 도 11에 도시하는 것과 같이, 중앙부(115C1)와 외주부(115C2)를 구비하고, DAF(115C)의 중앙부(115C1)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 비율이, DAFC의 외주부(115C2)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 비율보다도 크다. 즉, 외주부(115C2)에 대응하는 영역보다도 중앙부(115C1)에 대응하는 영역에 있어서의 단위 체적 당 개질층(20)의 체적(량)이 크다. 또 바꿔 말하면, DAF(115C)의 중앙부(115C1)에는 개질층(20)이 빽빽하게 형성되고, 외주부(115C2)에는 중앙부(115C1)보다도 개질층(20)이 성기게 형성되어 있다.
DAF(115)의 중앙부(115C1)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 비율을 외주부(115C2)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 비율보다도 크게 형성하기 위해서는, 예컨대 레이저 조사 장치에 대한 점착 시트(111)의 이송 속도를, 외주부(115C2)보다도 중앙부(115C1)에서 늦게 하면, 레이저 조사 조건을 변경하지 않더라도 가능하다. 또한, 중앙부(115C1)에 레이저 광선의 출력(파워)을 외주부(115C2)보다도 강하게 함에 의해서도 가능하다. 개질층(20)의 양은, 일반적으로 레이저 광선의 출력 크기에 의존하는 경향이 있기 때문에, 보다 출력이 큰 레이저 광선을 조사함으로써, 중앙부(115C1)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 비율을 외주부(115C2)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 비율보다도 크게 형성할 수 있다.
마찬가지로, DAF(115C)의 중앙부(115C1)에 대응하는 영역에 조사되는 레이저 광선의 집광점을 DAF(115C)의 두께 방향으로 변경하고, 중앙부(115C1)에 대응하는 영역의 두께 방향에 형성되는 개질층의 개수를, 외주부(115C2)에 대응하는 영역에 형성되는 개질층의 개수보다도 많게 할 수도 있다. 개질층의 개수가 증가하면, 그 만큼 개질층의 비율이 증가하기 때문에, 중앙부(115C1)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 비율을 외주부(115C2)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 비율보다도 크게 형성할 수 있다. 또한, 중앙부(115C1)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 라인의 간격(La)을, 외주부(115C2)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 라인의 간격(La)보다도 좁혀, 중앙부(115C1)에 대응하는 영역에 형성되는 개질층(20)의 비율을 늘리더라도 좋다. 더욱이, 중앙부(115C1)에 대응하는 영역에 있어서의 레이저 광선의 반복 주파수를, 외주부(115C2)에 대응하는 영역에 있어서의 레이저 광선의 반복 주파수보다도 높게 하여도 좋다.
일반적으로, DAF을 직경 방향으로 확장함으로써 상기 DAF을 분할하는 경우, DAF의 중앙부 쪽이 외주부보다도 확장되기 어렵기 때문에, 중앙부가 분할되기 어려운 경향이 있다. 실시형태 4에 의하면, DAF(115)의 중앙부(115C1)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 비율을 외주부(115C2)에 대응하는 영역에 있어서의 개질층(20)의 비율보다도 크게 형성하고 있기 때문에, 중앙부(115C1)에 대응하는 영역이 외주부(115C2)에 대응하는 영역보다도 분할하기 쉽게 된다. 이 때문에, DAF(115)을 직경 방향으로 확장함으로써 상기 DAF(115)을 분할할 때에, DAF(115)의 중앙부(115C1)의 미분할을 막을 수 있다.
[실시형태 5]
이어서, 실시형태 5에 따른 DAF에 관해서 설명한다. 도 12는 실시형태 5에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대도이다. 도 13은 실시형태 5에 따른 DAF에 형성된 개질층의 패턴을 도시하는 부분 확대 단면도이다. 이 도 12에서는, 설명의 편의상, 제1 방향(10)을 따라 연장되는 개질층(20)만을 도시하고 있지만, 제2 방향(11)을 따라 연장되는 개질층(20)을 구비할 수 있음은 물론이다. 이 실시형태 5에 관해서도, 개질층(20)이 형성되는 패턴이 상기한 실시형태 1과 다르고, 그 밖의 구성은 동일하기 때문에, 동일한 구성에 관해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
이 실시형태 5에 따른 DAF(115D)은, 도 12 및 도 13에 도시하는 것과 같이, 개질층(20)으로서 DAF(115D)의 표면(115D1)에 노출되는 위치에 형성된 제1 개질층(20A)과, DAF(115D)의 이면(115D2)(점착층(117b) 측)에 노출되는 위치에 형성된 제2 개질층(20B)을 구비한다. 또한, 제1 개질층(20A)과 제2 개질층(20B)은, 이들 제1 개질층(20A)과 제2 개질층(20B)이 연장되는 라인 상에 있어서 교대로 형성되어 있다.
제1 개질층(20A)은, 레이저 광선의 초점(집광점)을 DAF(115D)의 표면(115D1)에 맞춰 조사함으로써 형성된다. 또한, 제2 개질층(20B)은, 레이저 광선의 초점(집광점)을 DAF(115D)의 이면(115D2)에 맞춰 조사함으로써 형성된다. 이 구성에 의하면, 제1 개질층(20A) 및 제2 개질층(20B)이, 각각 DAF(115D)의 다른 두께 위치에 형성되기 때문에, 예컨대 DAF의 내부에 개질층이 형성된 경우와 비교하여, 파단 기점이 증가하기 때문에 DAF(115D)을 용이하게 분할할 수 있다. 또한, 개질층이 연장되는 라인에 있어서, DAF의 표면 및 이면 양측에서 동일한 위치에 개질층이 형성되어 있으면, 그 부분의 강도가 낮아져, DAF 접착 시에 DAF이 파손되어 버릴 가능성이 있다. 이에 대하여, 이 구성에서는 제1 개질층(20A)과 제2 개질층(20B)은 상기 제1 개질층(20A) 및 제2 개질층(20B)이 연장되는 라인 상에 있어서 교대로 형성되어 있기 때문에, DAF(115D)의 강도와 분할 용이성을 양립할 수 있다.
이어서, 상기한 실시형태의 DAF(115, 115A∼115D)에 개질층(20)을 형성하기 위한 레이저 가공 장치에 관해서 설명한다. 도 14는 레이저 가공 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도이다. 도 15는 레이저 가공 장치의 일부를 도 14에 도시하는 Y축 방향에 평행한 방향에서 봤을 때의 개략 구성을 도시하는 도면이다. 도 14 및 도 15에서는, 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치의 구성의 일부를 적절하게 생략하여 도시한다. 또한 도 14 및 도 15에서는, 레이저 가공 장치의 X축 방향은 상기한 점착 시트(111)의 제1 방향(10)에 평행한 방향과 일치하고, 레이저 가공 장치의 Y축 방향은 상기한 점착 시트(111)의 제2 방향(11)에 평행한 방향과 일치하고, 레이저 가공 장치의 Z축 방향은 상기한 점착 시트(111)의 제1 방향(10) 및 제2 방향(11)에 대하여 각각 수직인 방향에 평행한 방향과 일치한다.
레이저 가공 장치(1)는, 본체부(15)와, 본체부(15)로부터 세워 설치한 벽부(12)와, 벽부(12)로부터 연속하여 연장되는 아암부(13)를 갖는다. 아암부(13)의 선단부에는, 레이저 광선 조사 유닛(150) 및 촬상 장치(154)가 부착된다.
레이저 가공 장치(1)는, 본체부(15)의 위쪽에, 롤 형상으로 감긴 상태에서 상기한 점착 시트(111)가 셋트되는 제1 롤러(106)가 배치된다. 제1 롤러(106)에는, 점착 시트(111)가 본체부(15)의 상면과 평행하게 마주보게 된 상태로 송출되도록 점착 시트(111)가 셋트된다. 제1 롤러(106)는 점착 시트(111)를 송출하는 송출 수단으로서 기능한다. 본체부(15)는 안내 기구(G1) 및 안내 기구(G2)를 갖는다. 안내 기구(G1) 및 안내 기구(G2)는, 안내 기구(G1) 및 안내 기구(G2)로, 점착 시트(111)의 폭 방향 양측에서 점착 시트(111)를 사이에 끼우게 하여, 본체부(15)의 상면에 설치된다.
제1 롤러(106)의 아래쪽에는 제2 롤러(112)와 제3 롤러(114)가 배치된다. 제2 롤러(112)의 원통형의 외주면 및 제3 롤러(114)의 원통형의 외주면은, 제2 롤러(112)와 제3 롤러(114) 사이에 삽입 관통되는 점착 시트(111)를 통해 간접적으로 접해 있다. 제2 롤러(112)는, 도시하지 않는 구동 기구에 의해서 점착 시트(111)의 이송 방향(d1)에 수직인 회전축 둘레로 회전할 수 있다. 제2 롤러(112)는, 점착 시트(111)를 송출할 때, 방향(r1)으로 향하여 회전한다. 제3 롤러(114)는, X축 방향에 평행한 방향을 따라 제2 롤러(112)와 인접하여 배치된다. 제3 롤러(114)는 제2 롤러(112)의 회전 운동에 따라서 동작한다.
제2 롤러(112) 및 제3 롤러(114)로부터 X축 방향에 평행한 방향으로 약간 간격을 두고서 제4 롤러(116) 및 제5 롤러(118)가 배치된다. 제4 롤러(116)의 원통형의 외주면 및 제5 롤러(118)의 원통형의 외주면은, 제4 롤러(116)와 제5 롤러(118)의 사이에 삽입 관통되는 점착 시트(111)를 통해 간접적으로 접해 있다. 제4 롤러(116)는, 도시하지 않는 구동 기구에 의해서 점착 시트(111)의 이송 방향(d1)에 수직인 회전축 둘레로 회전할 수 있다. 제4 롤러(116)는 점착 시트(111)를 송출할 때 방향(r1)으로 향하여 회전한다. 제5 롤러(118)는 X축 방향에 평행한 방향을 따라 제4 롤러(116)와 인접하여 배치된다. 제5 롤러(118)는 제4 롤러(116)의 회전 운동에 따라서 동작한다.
제4 롤러(116) 및 제5 롤러(118)의 위쪽에는, 제2 롤러(112) 및 제3 롤러(114)에 의해서 송출된 점착 시트(111)에, 레이저 광선 조사 유닛(150)에 의해 레이저 광선이 조사된 점착 시트(111)를 권취하는 권취 수단으로서 기능하는 제6 롤러(120)가 배치된다. 제6 롤러(120)는, 점착 시트(111)의 송출 타이밍에 동기하면서 점착 시트(111)의 권취를 실행한다. 제6 롤러(120)는, 레이저 광선이 조사된 후의 점착 시트(111)를 권취할 수 있도록 점착 시트(111)의 한쪽의 단부가 셋트된다.
레이저 가공 장치(1)는, 제1 롤러(106), 제2 롤러(112) 및 제4 롤러(116)의 각각을 제어하는 구동 회로(도시하지 않음)를 제어함으로써 점착 시트(111)의 송출량을 조정한다. 레이저 가공 장치(1)는, 제6 롤러(120)를 제어하는 구동 회로(도시하지 않음)를 제어함으로써, 점착 시트(111)의 송출 타이밍과 점착 시트(111)의 권취 타이밍을 동기시키면서 점착 시트(111)의 권취량을 조정한다. 또한, 레이저 가공 장치(1)는, 제2 롤러(112) 또는 제4 롤러(116)의 회전 방향을 전환함으로써 점착 시트(111)에 장력을 부가할 수도 있다.
제2 롤러(112) 및 제4 롤러(116)에 의해 송출되는 점착 시트(111)는, 안내 기구(G1) 및 안내 기구(G2)에 의해, 본체부(15)의 표면(15SF)(도 15)에 대하여 평행하게 위치하게 된다.
레이저 광선 조사 유닛(150)은, 점착 시트(111)의 DAF(115)에 대하여 레이저 광선을 조사한다. 도 16은 레이저 광선 조사 유닛의 구성의 일례를 도시하는 도면이다. 레이저 광선 조사 유닛(150)은, 도 16에 도시하는 것과 같이, 레이저 광선 발진부(51)와 조사 각도 조정 기구(52)와 집광 기구(53)를 갖는다.
레이저 광선 발진부(51)는, 미리 설정되는 주파수에 기초하여, DAF(115)이 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(L)을 발진한다. 조사 각도 조정 기구(52)는 미러(52a) 및 액츄에이터(52b)를 갖는다. 미러(52a)는, 레이저 광선 발진부(51)로부터 발진된 레이저 광선(L)의 광축을 Y축 방향으로 편향할 수 있다. 액츄에이터(52b)는 미러(52a)의 각도를 변경한다. 집광 기구(53)는, 조사 각도 조정 기구(52)에 의해 편향된 레이저 광선(L)을 집광하고, 집광한 레이저 광선(L)을 DAF(115)에 조사한다.
제어 장치(100)는, 레이저 가공 장치(1)의 각 부를 제어함으로써 DAF(115)의 가공 처리를 실행한다. 즉 DAF(115)의 가공 처리는, 점착 시트(111)의 송출 처리 및 DAF(115)에 대한 레이저 광선(L)의 조사 처리를 포함한다. 제어 장치(100)는, 점착 시트(111)의 송출 처리를 실행하기 위해서, 제1 롤러(106), 제2 롤러(112), 제4 롤러(116) 및 제6 롤러(120)의 동작을 제어할 수 있다. 또한, 제어 장치(100)는, DAF(115)에 대한 레이저 광선(L)의 조사 처리를 실행하기 위해서, 레이저 광선 조사 유닛(150)을 제어할 수 있다.
제어 장치(100)는, 제1 롤러(106), 제2 롤러(112), 제4 롤러(116) 및 제6 롤러(120)를 제어하면서 점착 시트(111)의 송출을 시작한다. 점착 시트(111)는, 예컨대 DAF(115)을 본체부(15)의 표면(15SF)에 평행하게 마주보게 한 상태로 송출된다. 제어 장치(100)는, DAF(115)이 레이저 광선(L)의 조사 시작 위치에 도달하면, 점착 시트(111)의 송출을 정지한다. 제어 장치(100)는, 촬상 장치(154)에 의해 촬영되는 화상에 기초하여, 송출되는 DAF(115)의 위치를 특정하고, DAF(115)의 위치를 조정할 수 있다. 또한 제어 장치(100)는, 제2 롤러(112) 또는 제4 롤러(116)를 이송 방향(d1)과는 역방향으로 회전시킴으로써, DAF(115)에 대한 레이저 광선(L)의 조사를 시작하기 전에, DAF(115)에 장력을 부가할 수 있다.
레이저 광선(L)의 조사 시작 위치에 DAF(115)을 위치시킨 후, 제어 장치(100)는, 집광 기구(53)를 제어하여, 레이저 광선 조사 유닛(150)으로부터 조사하는 레이저 광선(L)의 초점(집광점; 도시하지 않음)을 DAF(115)의 내부에 맞춘다. 이어서, 제어 장치(100)는, 레이저 광선 발진부(51)로부터의 레이저 광선(L)의 발진 및 조사 각도 조정 기구(52)에 의한 레이저 광선(L)의 편향을 제어하여, Y축 방향으로 DAF(115)을 주사하면서 DAF(115)에 대하여 레이저 광선(L)을 조사한다. 즉 제어 장치(100)는, DAF(115)이 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(L)을 DAF(115)의 내부에 초점(집광점)을 맞춘 상태로 조사할 수 있다.
레이저 광선의 조사 시작 위치에 있어서의 레이저 광선의 조사가 완료되면, 제어 장치(100)는, 다음 레이저 광선의 조사 위치까지 DAF(115)을 송출하여, 다음 레이저 광선의 조사 위치에 위치하게 된 DAF(115)에 대하여 레이저 광선(L)을 조사한다. 제어 장치(100)는, DAF(115)의 전면에 대한 레이저 광선(L)의 조사를 완료할 때까지, DAF(115)의 송출 및 DAF(115)에 대한 레이저 광선(L)의 조사를 반복해서 실행한다.
레이저 광선(L)의 조사에 의해서, DAF(115)의 내부에 상기 DAF(115)을 효율적으로 파단하기 위한 개질층(20)을 형성할 수 있다. 레이저 가공 장치(1)는, 점착 시트(111)에 마련되는 DAF(115)의 내부에 개질층(20)를 미리 형성해 둘 수 있기 때문에, 어블레이션 가공 등에 의해 DAF(115)을 절단하는 경우와 비교하여, 웨이퍼(121)에 접착된 DAF을 디바이스 칩마다 분할하는 시간을 억제할 수 있고, 결과적으로 DAF이 접착된 웨이퍼(121)(피가공물)를 가공할 때의 소요 시간의 장기화를 억제할 수 있다.
제어 장치(100)는 연산 처리 장치 및 기억 장치를 포함한다. 연산 처리 장치는 CPU(Central Processing Unit) 마이크로 프로세서, 마이크로 컴퓨터, DSP, 시스템 LSI(Large Scale Integration) 등의 프로세서이다. 기억 장치는 RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), 플래시 메모리, EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory), EEPROM(등록상표)(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) 등의 불휘발성 또는 휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크, 플렉시블 디스크, 광 디스크, 컴팩트 디스크, 미니 디스크 또는 DVD(Digital Versatile Disc)이다.
기억 장치는, 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치(1)의 처리를 실현하는 컴퓨터 프로그램 및 컴퓨터 프로그램에 의한 처리에 이용되는 데이터를 기억한다. 컴퓨터 프로그램은, 레이저 광선 조사 유닛(150) 및 촬상 장치(154) 등의 제어를 실현하기 위한 기능을 제공하는 제어용 프로그램을 포함한다. 연산 처리 장치가 실행하는 컴퓨터 프로그램은, 컴퓨터로 실행 가능한, 데이터 처리를 행하기 위한 복수의 명령을 포함하는 컴퓨터 판독 가능하면서 또한 비천이적(non-transitory)인 기록 매체를 갖는 컴퓨터 프로그램 프로덕트라고도 말할 수 있다. 기억 장치는, 연산 처리 장치가 컴퓨터 프로그램에 기술된 명령을 실행할 때의 일시적인 작업 영역으로서 이용되어도 좋다.
연산 처리 장치가 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 독출하여, 컴퓨터 프로그램에 기술된 명령을 실행함으로써, 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치(1)의 처리, 즉 상술한 점착 시트(111)의 송출 처리 및 레이저 광선 조사 처리가 실현된다.
연산 처리 장치는 전용의 하드웨어로 실현되어도 좋다. 이 경우, 연산 처리 장치는, 단일 회로, 복합 회로, 프로그램화한 프로세서, 병렬 프로그램화한 프로세서, ASIC(Application Specific Integrated Circuit), FPGA(Field Programmable Gate Array) 또는 이들을 조합시킨 것이다.
제어 장치(100)는, 제1 롤러(106), 제2 롤러(112), 제4 롤러(116) 및 제6 롤러(120)의 동작을 제어하는 구동 회로, 레이저 광선 조사 유닛(150) 및 촬상 장치(154)를 제어하기 위한 제어 신호를 출력하는 출력용의 인터페이스 장치(도시하지 않음), 촬상 장치(154)의 화상 데이터를 입력하는 입력용의 인터페이스 장치(도시하지 않음), 각종 정보나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 표시 장치(도시하지 않음)와, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 이용하는 입력 장치(도시하지 않음) 등을 갖더라도 좋다. 제어 장치(100)는, 입력용 및 출력용의 인터페이스 장치, 표시 장치, 입력 장치에 접속되어도 좋다. 입력 장치는, 표시 장치에 마련되는 터치 패널이나 키보드 등의 사용자 인터페이스에 의해 구성되어도 좋다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다. 예컨대 레이저 가공 장치(1)는, DAF(115)의 전체 영역 중, 웨이퍼(121)에 표면(121A)에 형성되는 분할 예정 라인(102)에 대응하는 위치에 레이저 광선(L)을 조사하도록 하여도 좋다. 이 경우, 레이저 가공 장치(1)는, 촬상 장치(154)에 의해 촬영되는 DAF(115)의 화상에 기초하여 DAF(115)의 단부를 특정하고, DAF(115)의 끝에서 얼라인먼트를 하여, DAF(115)의 끝에서부터 미리 정해진 거리에 설정하는 가공 시작 위치로부터 미리 정해진 피치로 레이저 광선(L)의 조사를 실행한다고 하는 것과 같이, DAF(115)의 레이저 가공을 실행하여도 좋다. 또한 상기한 구성에서는, 레이저 가공 장치(1)는, 익스펜드 테이프(117)의 수지층(117a) 너머로 DAF(115)에 대하여 레이저 광선(L)을 조사하는 예를 나타내지만, 이 예에 한정되는 것이 아니라, 박리 시트(113) 너머로 DAF(115)에 대하여 레이저 광선(L)을 조사하여도 좋다.
또한 상기한 구성에서는, 레이저 광선 조사 유닛(150)의 조사 각도 조정 기구(52)는, 레이저 광선 발진부(51)로부터 발진된 레이저 광선(L)의 광축을 Y축 방향으로 편향하는 구성으로 했지만, 상기 레이저 광선(L)을 더욱 X축 방향으로 편향하는 조사 각도 조정 기구를 별도 설치하여도 좋다. 이 구성에 의하면, 예컨대 본체부(15)의 표면(15SF) 상에 DAF(115)(점착 시트(111))을 멈추게 한 상태에서 DAF(115)의 전면에 개질층(20)을 형성할 수 있다.
1: 레이저 가공 장치 20: 개질층
20A: 제1 개질층 20B: 제2 개질층
102: 분할 예정 라인 103: 디바이스
111: 점착 시트 113: 박리 시트
115, 115A, 115B, 115C, 115D: DAF 115C1: 중앙부
115C2: 외주부 115D1: 표면
115D2: 이면 117: 익스펜드 테이프
117a: 수지층 117b: 점착층
121: 웨이퍼(피가공물) 121A: 표면
121B: 이면 133: 프레임
200: 판상물

Claims (6)

  1. 내부에 파단 기점이 되는 개질층이 형성된 다이 어태치 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 개질층이 스폿형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이 어태치 필름.
  3. 제1항에 있어서, 접착 대상의 피가공물과 같은 형태이며,
    상기 개질층은, 중앙부가 외주부보다 많은 것을 특징으로 하는 다이 어태치 필름.
  4. 제1항에 있어서, 상기 개질층으로서 상기 다이 어태치 필름의 표면에 노출되는 위치에 형성된 제1 개질층과, 상기 개질층으로서 상기 다이 어태치 필름의 이면에 노출되는 위치에 형성된 제2 개질층을 포함하고, 상기 제1 개질층과 상기 제2 개질층이 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이 어태치 필름.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 익스펜드 테이프 상에 적층되어 상기 익스펜드 테이프와 일체로 성형되는 것을 특징으로 하는 다이 어태치 필름.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 다이 어태치 필름은, 롤 형상으로 휘감기는 것을 특징으로 하는 다이 어태치 필름.
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