TW201946989A - 黏晶薄膜 - Google Patents

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岡村卓
中村勝
良彰
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

[課題]提供一種可以抑制加工被加工物時之所需時間，並且容易地按每個元件晶片來進行分割的黏晶薄膜(DAF)。
[解決手段]一種黏晶薄膜(DAF)，是用於將從晶圓分割出的元件晶片固定於被固定構件，且於內部形成有成為斷裂起點的改質層。此改質層是形成為點狀。DAF是積層於擴張膠帶之上，而與該擴張膠帶一體地成形。

Description

黏晶薄膜
發明領域
本發明是有關於一種黏晶薄膜(DAF)。
發明背景
在將半導體晶圓或光元件晶圓等被加工物分割成一個個的元件晶片後，可使用用於將元件晶片固定於基板等的DAF(黏晶薄膜，Die Attached Film)(參照例如專利文獻1)。作為被加工物的加工方法之一而已知的SDBG(隱形切割後研磨，Stealth Dicing Before Grinding)步驟，是在已沿著分割預定線在內部形成有改質層的被加工物的背面貼附DAF及擴張膠帶後，將擴張膠帶擴張來將被加工物分割成一個個的元件晶片，並且將DAF按每個元件晶片來分割。
又，將記載於專利文獻1等之被加工物的加工方法即DBG(切割後研磨，Dicing Before Grinding)、及藉由雷射光束等來切斷DAF的步驟組合而成的步驟，是在被分割成一個個的元件晶片的被加工物的背面貼附DAF後，以燒蝕加工等按每個元件晶片來分割從分割溝露出之DAF。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2015-207724號公報
發明概要
發明欲解決之課題
在SDBG步驟中，依據加工條件，會有無法將DAF按每個元件晶片來完全地分割之疑慮。又，在組合有DBG與DAF的切斷的步驟中，會使元件晶片在磨削被加工物的背面時稍微移動，而使該元件晶片的排列產生偏差。因此，會由於因應於元件晶片的偏差之校準及用於分割DAF的燒蝕加工等，而使加工被加工物時的所需時間長時間化。
本發明是有鑒於所述的問題點而作成的發明，其目的為提供可以抑制加工被加工物時之所需時間，並且容易地按每個元件晶片來進行分割的黏晶薄膜(DAF)。
用以解決課題之手段
為了解決上述課題並達成目的，本發明之DAF的特徵在於：於內部形成有成為斷裂起點之改質層。
根據此構成，因為在貼附於被加工物前的狀態下，於DAF的內部形成有成為斷裂起點的改質層，所以可以抑制加工被加工物時的所需時間長時間化，並且可以容易地將DAF按每個晶片來分割。
在此構成中，該改質層亦可形成為點狀。又，其是設成與貼附對象之被加工物相同形狀，且該改質層為中央部比外周部多之構成。在此，改質層較多是指下述情形：對應於DAF之中央部的區域中的改質層的比例，比對應於DAF之外周部的區域中的改質層的比例更大。
又，亦可為：具備有作為該改質層而形成於露出於該DAF之正面的位置的第1改質層、及作為該改質層而形成於露出於該DAF之背面的位置的第2改質層，且該第1改質層與該第2改質層是交互地形成。
又，亦可積層於擴張膠帶之上，而與該擴張膠帶一體地成形。又，該DAF亦可捲繞成捲狀。
發明效果
根據本發明，因為在貼附於被加工物前的狀態下，於DAF的內部形成有成為斷裂起點的改質層，所以可以抑制加工被加工物時的所需時間長時間化，並且可以容易地將DAF按每個晶片來分割。
用以實施發明之形態
以下，參照圖式並且詳細地說明本發明的實施形態。本發明並非因以下的實施形態所記載之內容而受到限定之發明。又，在以下所記載之構成要件中，包含所屬技術領域中具有通常知識者可以輕易地設想得到的或實質上是相同的構成要件。此外，以下所記載之構成是可適當組合的。又，在不脫離本發明之要旨的範圍內，可以進行各種構成之省略、置換或變更。
[實施形態1]
針對實施形態1之DAF(黏晶薄膜，Die Attached Film)進行說明。圖1是顯示具有實施形態1之DAF的黏著片之一例的立體圖。圖2是圖1的I-I截面圖。圖3是顯示形成於DAF的改質層之一例的平面圖。圖4是顯示可貼附DAF的被加工物之一例的立體圖。圖5是顯示貼附有DAF及擴張膠帶的被加工物之一例的立體圖。
在本實施形態中，作為可貼附DAF的被加工物的晶圓121是將矽作為母材的圓板狀的半導體晶圓、或是將藍寶石、SiC(碳化矽)等作為母材的光元件晶圓。晶圓121是如圖4所示，具有正面121A及背面121B，且在藉由形成於正面121A之複數條分割預定線102所區劃出的複數個區域中，分別形成有元件103。這些分割預定線102是互相正交而格子狀地配置，且可將晶圓121藉由既有的加工方法(例如SDBG工法或是DBG工法)來沿著分割預定線102分割成各個元件晶片。
黏著片111是如圖1所示，具備剝離片113、DAF115、及擴張膠帶117。黏著片111是將DAF115及擴張膠帶117一體地成形的複合型式的片材。黏著片111(擴張膠帶117)是形成為長條並捲繞成捲狀。黏著片111是例如將已加熱之樹脂一邊沿著第1方向10移動一邊朝第1方向10及相對於該第1方向10正交的第2方向11延伸，並捲繞於第1滾筒106。在本實施形態中，第1方向10是所謂流通方向(MD：Machine　Direction方向，縱方向)，第2方向11是所謂垂直方向(TD：Transverse　Direction方向，橫方向)。
擴張膠帶117是如圖2所示，具有以合成樹脂所構成之樹脂層117a及黏著層117b。黏著層117b是積層於樹脂層117a。於樹脂層117a方面可以使用厚度100μm左右的聚烯烴等，於黏著層117b方面可以使用厚度10μm左右的丙烯酸樹脂系的糊等。在本實施形態中，黏著層117b可使用例如會因照射規定波長(300~400nm)的紫外線而降低黏著力的黏著材料。
DAF115是晶片接合用的薄膜狀的黏著性構件，且是事先積層於擴張膠帶117的黏著層117b上。DAF115是如圖1所示，在上述之第1方向10上空出規定間隔而在擴張膠帶117上設置複數個。DAF115可以使用例如丙烯酸系接著劑或聚醯亞胺系接著劑等，且可配置於擴張膠帶117的黏著層117b之上。在本實施形態中，DAF115具有與所要貼附的晶圓121相同形狀的圓盤狀的外形，且貼附於圖5所示之晶圓121的背面121B。DAF115是為了可以在覆蓋晶圓121的背面整體的狀態下貼附於晶圓121，而具有比晶圓121所具有的直徑更長的直徑。又，積層有DAF115的擴張膠帶117是被切斷成規定長度及規定形狀(圓盤狀)，且將擴張膠帶117的外周部貼附到載置於晶圓121的周圍的環狀的框架133上。
可藉由將DAF115及擴張膠帶117貼附於晶圓121及框架133，而生成圖5所示之板狀物(框架單元)200。擴張膠帶117是隔著DAF115而間接地貼附於晶圓121，又，可直接貼附於框架133。可藉由貼附DAF115及擴張膠帶117，而成為晶圓121被框架133支撐在內側的狀態。也就是說，晶圓121及框架133是透過DAF115及擴張膠帶117(黏著片111)成為被一體化之構件。
可在當對晶圓121的正面121A實施形成沿著分割預定線102來進行切割之溝(圖未示)的DGB加工的情況下，生成在已被分割成複數個元件晶片的狀態的晶圓121的背面121B貼附有黏著片111的板狀物200。又，可在對晶圓121的內部實施形成沿著分割預定線102的改質層的SDBG加工的情況下，生成板狀物200，前述板狀物200是在被分割成複數個元件晶片前的狀態的晶圓121的背面121B貼附有黏著片111的板狀物200。在板狀物200上，DAF115是貼附成覆蓋晶圓121的背面121B整體。再者，可在晶圓121的正面121A，於貼附黏著片111前貼附正面保護構件(圖未示)。
剝離片113是如圖1及圖2所示，重疊於DAF115及擴張膠帶117，以覆蓋DAF115及擴張膠帶117。剝離片113是保護貼附前的DAF115及黏著層117b的正面，並在對晶圓121及框架133進行貼附時被剝離，以將DAF115及黏著層117b的正面露出。
黏著片111的DAF115是如圖2及圖3所示地在該DAF115的內部形成有改質層20。改質層20是指密度、折射率、機械強度或其他物理特性已變得與周圍的該特性相異的狀態的變質區域，而成為例如對DAF115進行擴張處理時的斷裂起點。改質層20是例如藉由對DAF115照射對該DAF115具有穿透性之波長的雷射光線而形成。在平面視角下，改質層20是形成於DAF115的整面，在圖3的例子中，是藉由點狀地照射雷射光線，而在DAF115的內部沿著上述之第1方向10及第2方向11分別間斷地形成有點狀的改質層20。根據此構成，因為在貼附於晶圓121前在DAF115的內部已預先形成有改質層20，所以與如以往具備藉由燒蝕加工等來切斷DAF115的步驟的情況相比較，可以抑制將已貼附於晶圓121的DAF115按每個元件晶片來分割的時間，結果，可以抑制在對貼附有DAF115之晶圓121進行加工時的所需時間的延長化。
又，較佳的是，在例如已預先清楚貼附於DAF115之晶圓121上所形成的相鄰的分割預定線102的間隔L1(圖5)的情況下，將朝第1方向10及第2方向11延伸之一系列的改質層20的線(line)的間隔La，設為與分割預定線102的間隔L1同等來形成改質層20。根據此構成，因為貼附於晶圓121之DAF115的改質層20是形成在相當於晶圓121的分割預定線102的位置上，所以可以更有效率地分割貼附有DAF115的晶圓121。
又，上述之一系列的改質層20的線的間隔La亦可形成為相對於晶圓121的分割預定線102的寬度L2，滿足：1/2L2≦La＜L2 (1)。
根據此構成，因為一系列的改質層20的線的間隔La是比晶圓121的分割預定線102的寬度L2更小，所以可以藉由將DAF115的改質層20形成於對應於分割預定線102的位置上，而容易地將已貼附於晶圓121的DAF115按每個元件晶片來分割。又，藉由將一系列的改質層20的線的間隔La設為晶圓121之分割預定線102的寬度L2的1/2以上，可以抑制形成於DAF115的改質層20，而可以抑制形成該改質層20的步驟的長時間化。
[實施形態2]
接著，針對實施形態2之DAF進行說明。圖6是顯示形成於實施形態2的DAF之改質層的圖案的局部放大圖。圖7是顯示形成於實施形態2的DAF之改質層的圖案的局部放大截面圖。在此實施形態2中，因為形成改質層20的圖案與上述之實施形態1不同，而其他構成則為相同，所以針對相同的構成會附上相同的符號並省略說明。
在實施形態1中，雖然說明了在DAF115的內部沿著第1方向10及第2方向11分別間斷地形成有點狀的改質層20的構成，但此實施形態2之DAF115A是如圖6及圖7所示，將形成於該DAF115A的內部的點狀的改質層20沿著第1方向10及第2方向11各自相連。根據此構成，因為將點狀的改質層20沿著第1方向10及第2方向11各自相連，所以和實施形態1之DAF115相比，可以更容易地分割貼附有DAF115A的晶圓121。
[實施形態3]
接著，針對實施形態3之DAF進行說明。圖8是顯示形成於實施形態3的DAF之改質層的圖案的局部放大圖。圖9是顯示形成於實施形態3的DAF之改質層的圖案的局部放大截面圖。針對此實施形態3，也是因為形成改質層20的圖案與上述之實施形態1不同，而其他構成則是相同，所以針對相同的構成會附上相同的符號並省略說明。
在實施形態1、2中，雖然說明了沿著第1方向10及第2方向11延伸的改質層20的線的間隔La，是任一個皆形成為相同的構成，但此實施形態3之DAF115B是如圖8所示，使沿著第1方向10及第2方向11延伸的改質層20的線的間隔La不同。又，使形成於各線上的改質層20的間隔Lb相互不同。根據此構成，可以在毋須對DAF115B嚴密地管理照射雷射光線時的照射條件、及例如黏著片111相對於雷射照射裝置之進給速度條件等的情況下，輕易地在DAF115B的內部形成改質層20。即使是在此情況下，改質層20的線的間隔La仍宜滿足上述之公式(1)。據此，即使改質層20的線的間隔La不同，仍然可以藉由在對應於分割預定線102的位置上，形成有至少一條改質層20的線，而容易地將貼附於晶圓121的DAF115B按元件晶片來分割。再者，在此實施形態3中，雖然是在上述線上設置間隔Lb來形成改質層20，但當然亦可形成為將這些改質層20相連。
[實施形態4]
接著，針對實施形態4之DAF進行說明。圖10是顯示形成於實施形態4的DAF之改質層的圖案的圖。圖11是顯示形成於實施形態4的DAF之改質層的圖案的局部截面圖。在此圖11中，雖然為了方便說明，而僅繪製有沿著第1方向10延伸的改質層20，但當然可以具備沿著第2方向11延伸的改質層20。針對此實施形態4，也是因為形成改質層20的圖案與上述之實施形態1不同，而其他構成則是相同，所以針對相同的構成會附上相同的符號並省略說明。
此實施形態4之DAF115C是如圖10及圖11所示，具備有中央部115C1及外周部115C2，對應於DAF115C的中央部115C1的區域中的改質層20的比例，比對應於DAF115C的外周部115C2的區域中的改質層20的比例更大。也就是說，比起對應於外周部115C2的區域，對應於中央部115C1的區域中的每單位體積的改質層20的體積(量)較大。再換句話說，在DAF115C的中央部115C1是將改質層20形成得較緊密，在外周部115C2是將改質層20形成得比中央部115C1更稀疏。
要將對應於DAF115的中央部115C1之區域中的改質層20的比例形成得比對應於外周部115C2之區域中的改質層20的比例更大，只要例如將黏著片111相對於雷射照射裝置之進給速度在中央部115C1設得比在外周部115C2更慢即可，即使不變更雷射照射條件亦可。又，亦可藉由在中央部115C1將雷射光線的輸出(功率)設得比外周部115C2更強而做到。因為一般而言，有改質層20的量會取決於雷射光線的輸出的大小的傾向，所以可以藉由照射輸出較大的雷射光線，來使對應於中央部115C1之區域中的改質層20的比例形成得比對應於外周部115C2之區域中的改質層20的比例更大。
同樣地，也可以將照射至對應於DAF115C的中央部115C1之區域的雷射光線的聚光點於DAF115C的厚度方向上變更，使形成於對應於中央部115C1之區域的厚度方向的改質層的條數，比形成於對應於外周部115C2之區域的改質層的條數更多。因為若增加改質層的條數時，會使改質層的比例依該增加的量相應增加，所以可以讓對應於中央部115C1之區域中的改質層20的比例形成得比對應於外周部115C2之區域中的改質層20的比例更大。又，亦可以使對應於中央部115C1之區域中的改質層20的線的間隔La比對應於外周部115C2之區域中的改質層20的線的間隔La更窄，來增加形成於對應於中央部115C1之區域的改質層20的比例。此外，亦可將對應於中央部115C1之區域中的雷射光線的重複頻率設得比對應於外周部115C2之區域中的雷射光線的重複頻率更高。
一般而言，因為在藉由使DAF朝徑向方向擴張來分割該DAF的情況下，DAF的中央部這邊比外周部更難以被擴張，所以有中央部難以被分裂的傾向。根據實施形態4，因為將DAF115之對應於中央部115C1之區域中的改質層20的比例形成得比對應於外周部115C2之區域中的改質層20的比例更大，所以對應於中央部115C1之區域變得比對應於外周部115C2之區域更易於分割。因此，在藉由使DAF115朝徑向方向擴張來分割該DAF115時，可以防止DAF115的中央部115C1的未分割。
[實施形態5]
接著，針對實施形態5之DAF進行說明。圖12是顯示形成於實施形態5的DAF之改質層的圖案的局部放大圖。圖13是顯示形成於實施形態5的DAF之改質層的圖案的局部放大截面圖。在此圖12中，雖然為了方便說明，而僅繪製有沿著第1方向10延伸的改質層20，但當然可以具備沿著第2方向11延伸的改質層20。針對此實施形態5，也是因為形成改質層20的圖案與上述之實施形態1不同，而其他構成則是相同，所以針對相同的構成會附上相同的符號並省略說明。
此實施形態5之DAF115D是如圖12及圖13所示，並具備第1改質層20A及第2改質層20B，前述第1改質層20A是作為改質層20而形成於露出於DAF115D的正面115D1的位置，前述第2改質層20B是形成於露出於DAF115D的背面115D2(黏著層117b側)的位置。又，第1改質層20A及第2改質層20B是在這些第1改質層20A及第2改質層20B所延伸的線上交互地形成。
第1改質層20A是藉由將雷射光線的焦點(聚光點)對準DAF115D的正面115D1來照射而形成。又，第2改質層20B是藉由將雷射光線的焦點(聚光點)對準DAF115D的背面115D2來照射而形成。根據此構成，因為將第1改質層20A及第2改質層20B分別形成在DAF115D的不同的厚度位置，所以相較於例如在DAF的內部形成有改質層之情況，可以因為斷裂起點增加而容易地分割DAF115D。又，當在改質層延伸的線上，從DAF的正面及背面兩側在相同的位置形成有改質層時，會有該部分的強度變低，於進行DAF貼附時導致DAF破損的可能性。相對於此，在此構成中，因為第1改質層20A及第2改質層20B是在該第1改質層20A及第2改質層20B所延伸的線上交互地形成，所以可以兼顧DAF115D的強度與分割的容易度。
接著，針對用於使改質層20形成於上述之實施形態的DAF115、115A~115D的雷射加工裝置進行說明。圖14是顯示雷射加工裝置之概略構成的立體圖。圖15是顯示從平行於圖14所示之Y軸方向的方向觀看雷射加工裝置的一部分時的概略構成的圖。在圖14及圖15中，是適當省略本實施形態之雷射加工裝置的構成的一部份來顯示。又，在圖14及圖15中，雷射加工裝置的X軸方向是與平行於上述黏著片111的第1方向10的方向一致，雷射加工裝置的Y軸方向是與平行於上述黏著片111的第2方向11的方向一致，雷射加工裝置的Z軸方向是與對上述黏著片111的第1方向10及第2方向11分別垂直之方向平行的方向一致。
雷射加工裝置1具有本體部15、從本體部15豎立設置的壁部12、及從壁部12相連而延伸的臂部13。於臂部13的前端部安裝有雷射光線照射單元150及拍攝裝置154。
雷射加工裝置1是在本體部15的上方配置第1滾筒106，前述第1滾筒106是以捲繞成捲狀的狀態設置(set)上述之黏著片111。於第1滾筒106上是將黏著片111設置(set)成可將黏著片111以和本體部15的上表面平行地面向的狀態送出。第1滾筒106是作為送出黏著片111的送出組件而發揮功能。本體部15具有引導機構G1及引導機構G2。引導機構G1及引導機構G2是設成以引導機構G1及引導機構G2從黏著片111的寬度方向兩側來將黏著片111夾入，且是設置於本體部15的上表面。
於第1滾筒106的下方配置有第2滾筒112及第3滾筒114。第2滾筒112之圓筒狀的外周面及第3滾筒114之圓筒狀的外周面是隔著插通於第2滾筒112及第3滾筒114之間的黏著片111而間接地相接。第2滾筒112可以藉由圖未示之驅動機構而以繞著垂直於黏著片111的進給方向d1的旋轉軸的方式旋轉。第2滾筒112在送出黏著片111時是朝方向r1旋轉。第3滾筒114是沿著平行於X軸方向的方向與第2滾筒112鄰接而配置。第3滾筒114是隨著第2滾筒112的旋轉運動而動作。
可從第2滾筒112及第3滾筒114在平行於X軸方向的方向上稍微空出間隔來配置第4滾筒116及第5滾筒118。第4滾筒116之圓筒狀的外周面及第5滾筒118之圓筒狀的外周面是隔著插通於第4滾筒116及第5滾筒118之間的黏著片111而間接地相接。第4滾筒116可以藉由圖未示之驅動機構而以繞著垂直於黏著片111的進給方向d1的旋轉軸的方式旋轉。第4滾筒116在送出黏著片111時是朝方向r1旋轉。第5滾筒118是沿著平行於X軸方向的方向與第4滾筒116鄰接而配置。第5滾筒118是隨著第4滾筒116的旋轉運動而動作。
於第4滾筒116及第5滾筒118的上方配置有作為捲取組件而發揮功能的第6滾筒120，前述第6滾筒120是捲取已藉由雷射光線照射單元150對藉由第2滾筒112及第3滾筒114所送出的黏著片111照射了雷射光線的黏著片111。第6滾筒120是一邊與黏著片111的送出的時間點同步一邊執行黏著片111的捲取。第6滾筒120是以可以將照射雷射光線後之黏著片111捲取的方式來設置(set)於黏著片111的一邊的端部。
雷射加工裝置1是藉由控制對第1滾筒106、第2滾筒112及第4滾筒116的每一個進行控制的驅動電路(圖未示)而調整黏著片111的送出量。雷射加工裝置1是藉由控制對第6滾筒120進行控制的驅動電路(圖未示)，而一邊使黏著片111的送出的時間點與黏著片111的捲取的時間點同步，一邊調整黏著片111的捲取量。又，雷射加工裝置1也可以藉由切換第2滾筒112或第4滾筒116的旋轉方向來對黏著片111附加張力。
藉由第2滾筒112及第4滾筒116所送出的黏著片111，是藉由引導機構G1及引導機構G2而相對於本體部15之正面15SF(圖15)平行地定位。
雷射光線照射單元150是對黏著片111的DAF115照射雷射光線。圖16是顯示雷射光線照射單元的構成之一例的圖。雷射光線照射單元150是如圖16所示，並具有雷射光線振盪產生部51、照射角度調整機構52、及聚光機構53。
雷射光線振盪產生部51是依據預先設定的頻率來振盪產生對DAF115具有穿透性之波長的雷射光線L。照射角度調整機構52具有鏡子52a及致動器52b。鏡子52a可以讓從雷射光線振盪產生部51所振盪產生之雷射光線L的光軸於Y軸方向上偏向。致動器52b會變更鏡子52a的角度。聚光機構53是將已藉由照射角度調整機構52而偏向的雷射光線L聚光，並且將已聚光的雷射光線L照射於DAF115。
控制裝置100是藉由控制雷射加工裝置1的各部來執行DAF115的加工處理。也就是說，DAF115的加工處理包含黏著片111的送出處理、及雷射光線L對DAF115的照射處理。控制裝置100可以為了執行黏著片111的送出處理而控制第1滾筒106、第2滾筒112、第4滾筒116、及第6滾筒120的動作。又，控制裝置100可以為了執行雷射光線L對DAF115的照射處理，而控制雷射光線照射單元150。
控制裝置100是一面控制第1滾筒106、第2滾筒112、第4滾筒116及第6滾筒120，一面開始進行黏著片111的送出。黏著片111是例如使DAF115以平行地面向本體部15的正面15SF的狀態來被送出。控制裝置100在當DAF115到達雷射光線L的照射開始位置時，會停止黏著片111的送出。控制裝置100可以依據由拍攝裝置154所拍攝的圖像來特定所送出的DAF115的位置，並調整DAF115的位置。又，控制裝置100可以藉由使第2滾筒112或第4滾筒116朝與進給方向d1相反的相反方向旋轉，而在開始進行雷射光線L對DAF115的照射前，對DAF115附加張力。
在已將DAF115定位於雷射光線L的照射開始位置後，控制裝置100會控制聚光機構53，並使從雷射光線照射單元150所照射的雷射光線L的焦點(聚光點；圖未示)對準DAF115的內部。接著，控制裝置100會控制來自雷射光線振盪產生部51的雷射光線L的振盪產生、及由照射角度調整機構52所進行之雷射光線L的偏向，而一邊在Y軸方向上掃描DAF115，一邊對DAF115照射雷射光線L。也就是說，控制裝置100可以在已將焦點(聚光點)對準DAF115的內部的狀態下照射對DAF115具有穿透性之波長的雷射光線L。
當在雷射光線之照射開始位置中的雷射光線的照射完成時，控制裝置100會將DAF115送出至下一個雷射光線的照射位置，並對定位於下一個雷射光線的照射位置的DAF115照射雷射光線L。控制裝置100在完成雷射光線L對DAF115的整面的照射以前，會反覆地執行DAF115的送出及雷射光線L對DAF115的照射。
藉由雷射光線L的照射，可以在DAF115的內部形成用於有效率地使DAF115斷裂的改質層20。雷射加工裝置1由於可以在設置於黏著片111的DAF115的內部預先形成改質層20，因此相較於藉由燒蝕加工等來切斷DAF115的情況，更可以抑制將貼附於晶圓121的DAF按每個元件晶片來分割的時間，結果，可以抑制對貼附有DAF的晶圓121(被加工物)進行加工時的所需時間的延長化。
控制裝置100包含運算處理裝置及儲存裝置。運算處理裝置是CPU(中央處理單元，Central Processing Unit)微處理器、微電腦、DSP、系統LSI(大型積體電路，Large Scale Integration)等的處理器。儲存裝置是RAM(隨機存取記憶體，Random Access Memory)、ROM(唯讀記憶體，Read Only Memory)、快閃記憶體、EPROM(可抹除可程式化唯讀記憶體，Erasable Programmable Read Only Memory)、及EEPROM(註冊商標)(電子可抹除可程式化唯讀記憶體，Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)等的非揮發性或揮發性的半導體記憶體、磁碟、軟式磁碟(flexible disc)、光碟、CD(compact disc)、小型磁碟(MiniDisc)、或是DVD(多樣化數位光碟，Digital Versatile Disc)。
儲存裝置是儲存實現本實施形態之雷射加工裝置1的處理的電腦程式、及在藉由電腦程式所進行的處理中使用的資料。電腦程式包含提供用於實現雷射光線照射單元150及拍攝裝置154等的控制的功能的控制用程式。運算處理裝置所執行之電腦程式亦可說是電腦程式產品，該電腦程式產品是可在電腦執行、且具有用於進行資料處理之包含複數個命令的電腦可讀取且非遷移的(非暫態的，non-transitory)記錄媒體。儲存裝置亦可作為運算處理裝置執行記述於電腦程式的命令時的暫時的作業區域來利用。
可藉由讓運算處理裝置讀取儲存於儲存裝置的電腦程式，並執行記述於電腦程式的命令，而實現本實施形態之雷射加工裝置1的處理，也就是上述之黏著片111的送出處理及雷射光線照射處理。
運算處理裝置亦可利用專用的硬體來實現。在此情況下，運算處理裝置是單一電路、複合電路、已程式化之處理器、平行程式化之處理器、ASIC(特定應用積體電路，Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(現場可程式閘陣列，Field Programmable Gate Array)或組合這些而成的裝置。
控制裝置100亦可具有顯示裝置(圖未示)及輸入裝置(圖未示)等，前述顯示裝置是由驅動電路、輸出用的介面裝置(圖未示)、輸入用的介面裝置(圖未示)、液晶顯示裝置等所構成，前述驅動電路是控制第1滾筒106、第2滾筒112、第4滾筒116及第6滾筒120的動作，前述輸出用的介面裝置是將用於控制雷射光線照射單元150及拍攝裝置154的控制訊號輸出，前述輸入用的介面裝置是將拍攝裝置154的圖像資料輸入，前述液晶顯示裝置是顯示各種資訊或圖像等，前述輸入裝置是在操作人員登錄加工內容資訊等時使用。控制裝置100亦可連接於輸入用及輸出用的介面裝置、顯示裝置、輸入裝置。輸入裝置亦可藉由設置於顯示裝置之觸控面板或鍵盤等的使用者介面所構成。
再者，本發明並非限定於上述實施形態之發明。亦即，在不脫離本發明之要點的範圍內，可以進行各種變形來實施。例如，雷射加工裝置1亦可設成在DAF115的全區域中，在對應於形成在晶圓121的正面121A之分割預定線102的位置來照射雷射光線L。在此情況下，雷射加工裝置1亦可依據藉由拍攝裝置154所拍攝之DAF115的圖像來特定DAF115的端部，並在DAF115的末端進行校準，而將DAF115的雷射加工執行成：從設定於距離DAF115的末端規定的距離的加工開始位置，以規定的間距來執行雷射光線L的照射。又，在上述之構成中，雖然是顯示雷射加工裝置1是越過擴張膠帶117的樹脂層117a來對DAF115照射雷射光線L的例子，但並非限定於這個例子的構成，以越過剝離片113的方式來對DAF115照射雷射光線L亦可。
又，在上述構成中，雷射光線照射單元150的照射角度調整機構52雖然是設成使雷射光線振盪產生部51所振盪產生之雷射光線L的光軸在Y軸方向上偏向之構成，但亦可另外設置使該雷射光線L進一步在X軸方向上偏向的照射角度調整機構。根據此構成，可以在例如使DAF115(黏著片111)在本體部15的正面15SF上停住的狀態下，對DAF115的整面形成改質層20。
1‧‧‧雷射加工裝置
10‧‧‧第1方向
11‧‧‧第2方向
12‧‧‧壁部
13‧‧‧臂部
15‧‧‧本體部
15SF‧‧‧正面
20‧‧‧改質層
20A‧‧‧第1改質層
20B‧‧‧第2改質層
51‧‧‧雷射光線振盪產生部
52‧‧‧照射角度調整機構
52a‧‧‧鏡子
52b‧‧‧致動器
53‧‧‧聚光機構
102‧‧‧分割預定線
103‧‧‧元件
106‧‧‧第1滾筒
100‧‧‧控制裝置
111‧‧‧黏著片
112‧‧‧第2滾筒
113‧‧‧剝離片
114‧‧‧第3滾筒
115、115A、115B、115C、115D‧‧‧黏晶薄膜(DAF)
115C1‧‧‧中央部
115C2‧‧‧外周部
115D1‧‧‧正面
115D2‧‧‧背面
116‧‧‧第4滾筒
117‧‧‧擴張膠帶
117a‧‧‧樹脂層
117b‧‧‧黏著層
118‧‧‧第5滾筒
120‧‧‧第6滾筒
121‧‧‧晶圓(被加工物)
121A‧‧‧正面
121B‧‧‧背面
133‧‧‧框架
150‧‧‧雷射光線照射單元
154‧‧‧拍攝裝置
200‧‧‧板狀物(框架單元)
d1‧‧‧進給方向
G1、G2‧‧‧引導機構
L1、La、Lb‧‧‧間隔
L2‧‧‧寬度
L‧‧‧雷射光線
r1‧‧‧方向
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1是顯示具有實施形態1之DAF的黏著片之一例的立體圖。
圖2是圖1的I-I截面圖。
圖3是顯示形成於DAF的改質層之一例的平面圖。
圖4是顯示可貼附DAF的被加工物之一例的立體圖。
圖5是顯示貼附有DAF及擴張膠帶的被加工物之一例的立體圖。
圖6是顯示形成於實施形態2的DAF之改質層的圖案的局部放大圖。
圖7是顯示形成於實施形態2的DAF之改質層的圖案的局部放大截面圖。
圖8是顯示形成於實施形態3的DAF之改質層的圖案的局部放大圖。
圖9是顯示形成於實施形態3的DAF之改質層的圖案的局部放大截面圖。
圖10是顯示形成於實施形態4的DAF之改質層的圖案的圖。
圖11是顯示形成於實施形態4的DAF之改質層的圖案的局部截面圖。
圖12是顯示形成於實施形態5的DAF之改質層的圖案的局部放大圖。
圖13是顯示形成於實施形態5的DAF之改質層的圖案的局部放大截面圖。
圖14是顯示雷射加工裝置之概略構成的立體圖。
圖15是顯示從平行於圖14所示之Y軸方向的方向觀看雷射加工裝置的一部分時的概略構成的圖。
圖16是顯示雷射光線照射單元的構成之一例的圖。

Claims (6)

  1. 一種黏晶薄膜，於內部形成有成為斷裂起點的改質層。
  2. 如請求項1之黏晶薄膜，其中該改質層是形成為點狀。
  3. 如請求項1之黏晶薄膜，其是與貼附對象之被加工物相同形狀， 且該改質層是中央部比外周部多。
  4. 如請求項1之黏晶薄膜，其具備有作為該改質層而形成於露出於該黏晶薄膜之正面的位置的第1改質層、及作為該改質層而形成於露出於該黏晶薄膜之背面的位置的第2改質層，且該第1改質層與該第2改質層是交互地形成。
  5. 如請求項1或2之黏晶薄膜，其是積層於擴張膠帶之上，而與該擴張膠帶一體地成形。
  6. 如請求項1或2之黏晶薄膜，其是將該黏晶薄膜捲繞成捲狀。
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