JP2012146724A - 光デバイスウェーハの加工方法および光デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の分割方法は、表面に発光層412が積層されたサファイアウェーハWの裏面Wbに窪みを形成する窪み形成工程と、分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハWを個々の光デバイス411に分割する光デバイスウェーハ分割工程とを含み、個々の光デバイス411の裏面Wbに対して様々な角度をもつ外形面を形成する構成とした。
【選択図】図5
Description
(位置情報)
サファイアウェーハの厚みa:100[μm]
サファイアウェーハの裏面からの浅溝の切り込み量b:7[μm]
サファイアウェーハの裏面からの深溝の切り込み量c:8[μm]
浅溝の幅寸法d:50[μm]
深溝の幅寸法e:30[μm]
深溝の平坦面から改質層までの間隔f:7〜12[μm]
改質層の寸法g:20〜25[μm]
サファイアウェーハの裏面からの集光位置h:40[μm]
(切削加工条件)
ブレードの種類:ダイヤモンド砥粒を使用したニッケルメッキブレード
砥粒の粒径:2000番
ブレード回転数:40000[min−1]
加工送り速度:20[mm/s]
(レーザー加工条件)
波長:1064波長[nm]
繰り返し周波数:100[kHz]
出力:0.3[W]
加工送り速度:400[mm/s]
(位置情報)
サファイアウェーハの厚みa:100[μm]
サファイアウェーハの裏面からの浅溝の切り込み量b:7[μm]
サファイアウェーハの裏面からの深溝の切り込み量c:8[μm]
浅溝の幅寸法d:75[μm]
深溝の幅寸法e:30[μm]
深溝の底面から改質層までの間隔f:7〜12[μm]
改質層の寸法g:20〜25[μm]
サファイアウェーハの裏面からの集光位置h:40[μm]
(切削加工条件)
ブレードの種類:ダイヤモンド砥粒を使用したニッケルメッキブレード
砥粒の粒径:2000番
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(レーザー加工条件)
波長:1064波長[nm]
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出力:0.3[W]
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111 切削ブレード
201 レーザー加工装置
301 テープ拡張装置
401 切削溝
401a 平坦面
401b、401c 曲面
402 改質層
403 予備溝
405 浅溝(窪み)
406 深溝(窪み)
407 凹部(窪み)
411 光デバイス
412 発光層
413 サファイア層(サファイア基板)
W サファイアウェーハ(光デバイスウェーハ)
Claims (6)
- サファイア基板の表面に発光層が積層され分割予定ラインによって区画された領域に複数の光デバイスが形成された光デバイスウェーハの加工方法であって、
サファイア基板の裏面に複数の窪みを形成して個々の光デバイスの裏面に窪みを形成する窪み形成工程と、
分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウェーハ分割工程と、から少なくとも構成されることを特徴とする光デバイスウェーハの加工方法。 - 前記窪み形成工程は、ポイントスクライバーまたは切削ブレードによって遂行されることを特徴とする請求項1に記載の光デバイスウェーハの加工方法。
- 前記光デバイスウェーハ分割工程は、分割予定ラインにレーザー光線を照射して分割の起点を形成し、その分割の起点に外力を付与して光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光デバイスウェーハの加工方法。
- サファイア基板の表面に発光層が積層されて構成された光デバイスであって、
サファイア基板の裏面に窪みが形成されていることを特徴とする光デバイス。 - 前記窪みは段差を持って形成されていることを特徴とする請求項4に記載の光デバイス。
- 前記窪みは2本以上形成されていることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の光デバイス。
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