CN110739371A - Led晶片的加工方法 - Google Patents

Led晶片的加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110739371A
CN110739371A CN201910572154.0A CN201910572154A CN110739371A CN 110739371 A CN110739371 A CN 110739371A CN 201910572154 A CN201910572154 A CN 201910572154A CN 110739371 A CN110739371 A CN 110739371A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led wafer
shaped cutting
processing
cutting tool
chamfering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910572154.0A
Other languages
English (en)
Inventor
大前卷子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN110739371A publication Critical patent/CN110739371A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Abstract

提供LED晶片的加工方法，实现LED的亮度的提高。该LED晶片的加工方法对在蓝宝石基板的上表面上的由相互交叉的多条分割预定线划分的各区域形成有多个LED的LED晶片进行加工，其中，该LED晶片的加工方法包含如下的工序：V形状切削刀具准备工序，准备切刃的前端部形成为V形状的V形状切削刀具；以及倒角加工工序，将以能够旋转的方式安装有V形状切削刀具的切削单元与保持着背面露出的LED晶片的保持工作台相对地进行加工进给，在LED晶片的背面的与分割预定线对应的位置形成倒角部。

Description

LED晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及LED晶片的加工方法，对在蓝宝石基板的上表面上形成有多个LED的LED晶片进行加工。
背景技术
LED晶片在蓝宝石基板的上表面上在由相互交叉的多条分割预定线划分的各区域内形成有LED，该LED晶片利用激光加工装置被分割成各个LED芯片，分割得到的LED芯片被用于移动电话、照明设备等电子设备。
通常蓝宝石的硬度较高，在使用切削刀具的切削装置中花费时间，难以高效地对LED晶片进行分割而生产各个分割得到的LED芯片，因此实施使用激光加工装置分割成LED芯片的方法。
作为实现蓝宝石基板的加工的激光加工装置，存在如下的类型：对蓝宝石基板照射对于蓝宝石具有吸收性的波长的激光光线而对分割预定线实施烧蚀加工，形成分割槽的类型(例如，参照专利文献1)；对蓝宝石基板照射对于蓝宝石具有透过性的波长的激光光线而在分割预定线的内部形成作为分割起点的改质层，对蓝宝石基板赋予外力而进行分割的类型(例如，参照专利文献2)，能够将晶片分割成各个LED芯片。
专利文献1：日本特开平10-305420号公报
专利文献2：日本特许第3408805号公报
根据上述的激光加工装置，与使用切削刀具的加工相比，能够将由蓝宝石基板构成的LED晶片高效地分割成各个LED芯片。但是，存在如下的问题：分割得到的LED芯片的分割面(侧面)由于激光光线的照射而发生变质，该发生了变质的侧面会使LED芯片的亮度降低。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供LED晶片的加工方法，实现LED的亮度的提高。
根据本发明，提供LED晶片的加工方法，对在蓝宝石基板的上表面上的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内形成有LED的LED晶片进行加工，其中，该LED晶片的加工方法具有如下的工序：V形状切削刀具准备工序，准备切刃的前端部形成为V形状的V形状切削刀具；以及倒角加工工序，将以能够旋转的方式安装有该V形状切削刀具的切削单元与保持着背面露出的LED晶片的保持工作台相对地进行加工进给，在LED晶片的背面的与分割预定线对应的位置形成倒角部。
优选在该V形状切削刀具准备工序中，准备切刃的前端部所成的角度不同的多个V形状切削刀具，在该倒角加工工序中，通过该多个V形状切削刀具多面地实施倒角加工。优选在该V形状切削刀具准备工序中所准备的V形状切削刀具是三种，是该V形状切削刀具的切刃的前端部所成的角度分别为110°～130°、80°～100°以及50°～70°这三种。并且，优选该V形状切削刀具包含金刚石磨粒而构成，该金刚石磨粒的粒径为#1800～#2200。
优选在该倒角加工工序中，按照每个该V形状切削刀具使切入深度阶段性地加深，沿着与相同的分割预定线对应的位置多次实施倒角加工工序。优选在该倒角加工工序中阶段性地加深时的切入深度为0.04mm～0.06mm。优选本发明的LED晶片的加工方法还具有如下的分割起点形成工序：在该倒角加工工序之前或之后，实施沿着LED晶片的分割预定线而形成分割起点的加工。
根据本发明，对LED芯片的背面实施倒角加工，能够实现亮度的提高。另外，在V形状切削刀具准备工序中，准备切刃的前端部所成的角度不同的多个V形状切削刀具，通过多个V形状切削刀具多面地实施倒角加工，从而在各个分割的LED芯片的背面形成作为近似曲面的倒角部，能够进一步实现亮度的提高。
附图说明
图1是示出将LED晶片支承于支承基板而构成一体化单元的方式的立体图。
图2是示出将图1所示的一体化单元保持于激光加工装置的保持工作台上的方式的立体图。
图3的(a)是示出对图1所示的LED晶片实施分割起点形成工序的方式的立体图，图3的(b)是示出LED晶片上所形成的分割起点的LED晶片的局部放大侧视图，图3的(c)是经分割起点形成工序而形成有分割起点的LED晶片的立体图，图3的(d)是在分割起点形成后已分割成各个LED芯片的情况下的LED晶片的局部放大侧视图。
图4是示出V形状切削刀具准备工序以及将V形状切削刀具安装于主轴的方式的立体图。
图5是示出将形成有分割起点的LED晶片保持于切削装置的保持工作台上的方式的立体图。
图6是示出倒角加工工序的实施方式的立体图。
图7的(a)是通过第一V形状切削刀具进行了倒角的LED晶片的局部放大侧视图，图7的(b)是通过第一V形状切削刀具以及第二V形状切削刀具进行了倒角的LED晶片的局部放大侧视图，图7的(c)是通过第一V形状切削刀具、第二V形状切削刀具以及第三V形状切削刀具进行了倒角的LED晶片的局部放大侧视图。
图8是示出将LED晶片借助划片带而保持于框架的方式的立体图。
图9是示出通过分割装置将LED晶片分割成各个LED芯片并通过拾取单元进行拾取的方式的侧视图。
标号说明
10：LED晶片；12：分割预定线；14：LED；14’：LED芯片；16：定向平面；20：支承基板；30：一体化单元；40：激光装置；42：保持工作台；44：激光光线照射单元；50：切削装置；60：主轴单元；62：主轴壳体；64：主轴；66：固定螺母；71：第一V形状切削刀具；71a：第一切刃；72：第二V形状切削刀具；72a：第二切刃；73：第三V形状切削刀具；73a：第三切刃；80：分割装置；85：拾取夹头；100：分割起点；102：倒角部；102a：第一倒角部；102b：第二倒角部；102c：第三倒角部。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式的LED晶片的加工方法进行详细的说明。
首先，在实施本实施方式的LED晶片的加工方法时，如图1所示，准备作为被加工物的LED晶片10。LED晶片10在厚度为0.45mm的蓝宝石基板的上表面上层叠GaN层，在该GaN层上在由相互交叉的多条分割预定线12划分的区域内形成有多个LED 14。在LED晶片10的外周形成有表示晶体取向的水平部即所谓的定向平面16。形成有LED 14的一侧是正面10a，相反的一侧是背面10b。
若准备了上述的LED晶片10，则如图1所示，准备比LED晶片10略大的圆板形状的支承基板20。支承基板20是具有规定的刚性的基板，例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。并且，如图所示，使LED晶片10的正面10a侧朝向支承基板20的上表面20a并使中心一致而进行粘贴，形成一体化单元30。在对支承基板20粘贴LED晶片10时，在LED晶片10的正面10b上涂布蜡等而提高紧贴强度。
(分割起点形成工序)
若使LED晶片10和支承基板20合在一起而形成了一体化单元30，则实施用于沿着分割预定线形成分割起点的分割起点形成工序。为了实施分割起点形成工序，将一体化单元30搬送至图2所示的激光加工装置40(仅示出一部分)，使支承基板20侧向下而载置于激光加工装置40的保持工作台42的吸附卡盘42a上。吸附卡盘42a按照比支承基板20略小的尺寸形状形成，使与保持工作台42连接的未图示的吸引单元进行动作而对一体化单元30进行吸引保持。
如图3所示，激光加工装置40具有激光光线照射单元44(仅示出一部分)，将从未图示的激光振荡器射出的对于蓝宝石基板具有吸收性的波长(为266nm)的激光光线LB通过配设在激光光线照射单元44的聚光透镜46进行会聚，从而能够对保持工作台42所吸引保持的LED晶片10进行照射。
若将一体化单元30吸引保持于保持工作台42上，则使用包含未图示的拍摄相机等的对准单元，进行保持工作台42所吸引保持的LED晶片10的背面10b的与分割预定线12对应的位置与激光光线照射单元44照射激光光线LB的位置的对位(对准)。
若结束了上述的对准，则将激光光线照射单元44定位于规定的分割预定线12上的作为加工开始位置的端部上方，将激光光线LB的聚光点位置定位于LED晶片10的与分割预定线12对应的背面10b。若将激光光线LB的聚光点位置定位于与分割预定线12对应的背面10b，则如图3的(a)所示，将保持工作台42向箭头X所示的方向按照例如90mm/秒的速度进行加工进给，沿着与分割预定线12对应的背面10b实施烧蚀加工，形成图3(b)所示的由激光加工槽构成的分割起点100。若在与规定的分割预定线12对应的背面10b上形成了分割起点100，则将激光光线照射单元44分度进给至与已经形成了分割起点100的分割预定线12相邻且尚未形成分割起点100的分割预定线12所对应的位置，实施同样的激光加工，形成分割起点100。若像这样在与沿着第一方向的所有分割预定线12对应的位置形成了分割起点100，则使保持工作台42旋转90°，对在与先形成了分割起点100的分割预定线12垂直的第二方向上延伸的分割预定线12所对应的位置也进行同样的激光加工，如图3的(c)所示，对与所有分割预定线12对应的背面10b形成分割起点100。通过以上，完成分割起点形成工序。
上述的分割起点形成工序中的激光加工条件例如如下设定。
Figure BDA0002111204700000051
若实施了上述的分割起点形成工序，则实施如下的工序：V形状切削刀具准备工序，准备切刃的前端部形成为V形状的V形状切削刀具；以及倒角加工工序，沿着LED晶片10的背面10b的分割预定线12实施切削加工而形成倒角部。以下，参照图4～图7，对V字形状切削刀具准备工序和倒角加工工序进行说明。
(V形状切削刀具准备工序)
如图4所示，V形状切削刀具准备工序是准备V形状切削刀具的工序，将通过金属结合剂等固定金刚石磨粒而形成的切刃形成为V形状。更具体而言，是准备如下的V形状切削刀具的工序：该V形状切削刀具能够安装于配设在后述的切削装置50中的主轴单元60的主轴64的前端部，具有直径为60mm的切刃，该切刃具有规定的厚度(例如为3mm)，该切刃包含平均粒径为#1800～#2200、更优选平均粒径为#2000的金刚石磨粒而构成。在本实施方式中，V形状切削刀具准备工序准备如下的V形状切削刀具：第一V形状切削刀具71，其具有前端部的V形状的角度为120°的第一V形状切刃71a；第二V形状切削刀具72，其具有前端部的V形状的角度为90°的第二V形状切刃72a；以及第三V形状切削刀具73，其具有前端部的V形状的角度为60°的第三V形状切刃73a。另外，各V形状切削刀具如图4所示那样通过将固定螺母66螺合在主轴64的前端部而进行固定，构成用于实施后述的倒角加工的切削单元。
在本实施方式中，在实施了上述的分割起点形成工序之后，实施倒角加工工序，沿着分割起点100形成倒角部102，该分割起点100是沿着LED晶片10的背面10b的分割预定线12形成的。以下，对倒角加工工序进行说明。
(倒角加工工序)
在实施倒角加工工序时，如图5所示，将一体化单元30搬送至实施倒角加工工序的切削装置50，使支承基板20侧朝向切削装置50的保持工作台52的吸附卡盘52a，在LED晶片10的背面10b向上方露出的状态下载置而进行吸引保持。如图6所示，在切削装置50中配设有主轴单元60，在切削装置50的主轴64的前端部安装第一V形状切削刀具71，该第一V形状切削刀具71具有前端部设定为120°的角度的第一V形状切刃71a。若将第一V形状切削刀具71安装于主轴64，则使用切削装置50的包含未图示的拍摄相机等的对准单元，进行在保持工作台52所保持的LED晶片10的背面10b所形成的分割起点100与第一V形状切削刀具71的对位(对准)。
若实施了上述对准，则通过未图示的旋转驱动机构使主轴64例如按照30,000rpm的旋转速度进行旋转，并且将第一V形状切削刀具71定位于LED晶片10的背面10b上所形成的分割起点100的作为加工开始位置的端部上方，并使第一V形状切削刀具71下降至规定的切入深度(例如，距离背面10b为0.05mm)。若使第一V形状切削刀具71下降，则将保持工作台52向箭头X所示的方向按照5mm/秒的速度进行加工进给，沿着分割起点100实施形成倒角部102的切削加工。由此，如图7的(a)所示，在背面10b侧的沿着分割起点100的两侧角部按照120°的角度形成构成倒角部102的第一倒角部102a。若对规定的分割预定线12形成了第一倒角部102a，则将第一V形状切削刀具71分度进给至与形成了第一倒角部102a的分割起点100相邻且尚未形成第一倒角部102a的相邻的分割起点100上，实施同样的切削加工，形成第一倒角部102a。若像这样与沿着第一方向的所有分割起点100对应而形成了第一倒角部102a，则使保持工作台52旋转90°，对在与先形成了第一倒角部102a的分割起点100垂直的第二方向上延伸的分割起点100也进行同样的切削加工，对所有的分割起点100形成深度为0.05mm且形成为120°的角度的第一倒角部102a。
若像上述那样沿着LED晶片10的背面10b的所有分割起点100形成了图7的(a)所示的第一倒角部102a，则使主轴64暂时停止，使主轴单元60上升，将第一V形状切削刀具71从主轴64取下，将具有前端部的角度设定为90°的第二V形状切刃72a的第二V形状切削刀具72安装于主轴64。若安装了第二V形状切削刀具72，则使切入深度从形成第一倒角部102a时的切入深度0.05mm进一步下降0.05mm(即下降至距离背面10b为0.1mm的深度)，除此以外，实施与形成上述的第一倒角部102a的切削加工相同条件的切削加工。由此，如图7的(b)所示，沿着形成了第一倒角部102a的分割起点100形成第二倒角部102b。由图7的(b)可理解，使用前端部的角度设定为90°的第二V形状切刃72a，将切入深度设定为比形成第一倒角部102a的切削加工时深0.05mm而进行切削加工，因此在第一倒角部102a的下方侧(分割起点100的中心侧)形成第二倒角部102b。
若形成了第二倒角部102b，则使主轴64再次停止而使主轴单元60上升，将第二V形状切削刀具72从主轴64取下，将具有前端部的角度设定为60°的第三V形状切刃73a的第三V形状切削刀具73安装于主轴64。若安装了第三V形状切削刀具73，则使切入深度从形成第二倒角部102b时的切入深度0.1mm进一步下降0.05mm(共计0.15mm)，除此以外，实施与形成上述的第一倒角部102a和第二倒角部102b时相同条件的切削加工。由此，如图7的(c)所示，在沿着分割起点100形成的倒角部102形成第三倒角部102c。由图7的(c)可理解，使用前端部的角度设定为60°的第三V形状切刃73a，使切入深度比形成第二倒角部102b的切削加工时进一步深0.05mm而进行切削加工，因此在第二倒角部102b的下方侧形成第三倒角部102c。
如上所述，为了形成倒角部102，按照阶段性地加深的方式设定切入深度，多次沿着与相同的分割预定线12对应的位置实施倒角加工，因此倒角部102通过第一倒角部102a、第二倒角部102b以及第三倒角部102c多面地形成，成为近似曲面。在本实施方式中，通过形成倒角部102，从而由激光加工槽构成的分割起点100消失，但倒角部102的特别是形成锐角的第三倒角部102c构成新的分割起点100。通过以上，完成倒角加工工序。另外，在本实施方式中，将第一切刃71a、第二切刃72a以及第三切刃73a的前端部的角度按照120°、90°以及60°进行设定，但本发明不限于该角度，可以考虑倒角部102的完工形状而例如分别按照从110°～130°、80°～100°以及50°～70°中选择的角度来设定各切刃的前端部的角度。另外，在该倒角加工工序中阶段性地使切入深度加深时的尺寸不限于上述的0.05mm，可以适当调整，优选从0.04mm～0.06mm中选择。另外，V形状切削刀具准备工序未必需要在即将进行倒角加工工序之前实施，只要是在倒角加工工序之前，则可以为任意的时机，例如可以在分割起点形成工序之前。
(分割工序)
若实施了上述的倒角加工工序，则根据需要实施分割工序。在实施分割工序时，如图8所示，将LED晶片10收纳在具有对沿着分割起点100形成了倒角部102的LED晶片10进行收纳的开口部的框架F的开口部，将划片带T粘贴于LED晶片10的背面10b和框架F上而进行一体化。另外，将支承部件20从借助划片带T支承于框架F的LED晶片10的正面10a上剥离。如上所述，分割起点100(倒角部102)形成于LED晶片10的背面10b侧，因此分割起点100未在正面10a侧露出，能够从正面10a侧确认透过的分割起点100(图中虚线所示)。
若将LED晶片10借助划片带T而保持于框架F，则实施分割工序，对支承晶片10的划片带T进行扩展而由划片带T对LED芯片14’进行分割。以下，参照图9进行具体的说明。
若将LED晶片10借助划片带T而支承于框架F，则搬送至图9所示的分割装置80。分割装置80具有：框架保持部件81，其构成为能够升降；夹具82，其将框架F载置于其上表面部而对框架F进行保持；扩展鼓83，其用于对安装于夹具82所保持的框架F的晶片10进行扩展，该扩展鼓由至少上方开口的圆筒形状构成；支承单元84，其包含按照围绕扩展鼓83的方式设置的多个气缸84a和从气缸84a延伸的活塞杆84b；以及拾取夹头85。在拾取夹头85上连接有未图示的吸引单元。
扩展鼓83设定成比框架F的内径小且比粘贴于安装在框架F的划片带T的LED晶片10的外径大。这里，如图9所示，分割装置80能够处于框架保持部件81与扩展鼓83的上表面部成为大致相同的高度的位置(虚线所示)以及通过支承单元84的作用使框架保持部件81下降从而使扩展鼓83的上端部与框架保持部件81的上端部相比相对地增高的位置(实线所示)。
当使框架保持部件81下降而使扩展鼓83的上端从虚线所示的位置相对变化至实线所示的较高的位置时，安装于框架F的划片带T通过扩展鼓83的上端缘进行扩展。这里，LED晶片10在分割起点形成工序中沿着分割预定线12形成了分割起点100，并且沿着分割起点100实施了倒角加工工序，从而划片带T被扩展而对LED晶片10呈放射状作用拉伸力(外力)，LED晶片10沿着分割预定线12被分割，LED芯片14’彼此之间的间隔被扩展而一个个地被分割，完成分割工序。
若通过上述的分割工序而使相邻的LED芯片14’彼此之间的间隔扩展，则使拾取夹头85进行动作，利用前端部对间隔已扩展的状态的LED芯片14’进行吸附，从划片带T上进行拾取。从划片带T拾取的LED芯片14’被搬送至下一工序或收纳于未图示的收纳容器中(拾取工序)。通过以上，完成了本实施方式的分割工序和拾取工序，完成了本实施方式的LED晶片的加工。另外，关于在上述的说明中所参照的示出了本实施方式的各图的尺寸和角度，为了便于说明进行了适当调整，并非表示实际的尺寸比和角度。
通过本实施方式形成的LED芯片14’在背面10b侧的角部形成有倒角部102，因此能够提高各个分割得到的LED的14的亮度。另外，利用由粒径较小的#1800～#2200的金刚石磨粒构成的切削刀具对倒角部102进行研磨，并且使用多个V形状切削刀具多面地实施倒角加工，从而成为近似曲面，能够进一步提高亮度。
根据本发明，不限于上述的实施方式，可提供各种变形例。例如在上述实施方式中，通过更换所准备的多个切削刀具而通过同一切削装置50实施了倒角加工工序，但也可以按照多个V形状切削刀具准备切削装置，将结束了规定的角度的V形状切削刀具的倒角加工工序的LED晶片10搬送至安装有角度不同的下一个V形状切削刀具的其他切削装置而实施下一次倒角加工。
在上述实施方式中，在分割起点形成工序中，对LED晶片10的背面10b的与分割预定线12对应的位置照射对于蓝宝石基板具有吸收性的波长的激光光线LB，沿着与分割预定线12对应的位置实施烧蚀加工而形成了由激光加工槽构成的分割起点100，但本发明不限于此。例如也可以实施如下的倒角加工工序：将对于蓝宝石基板具有透过性的波长(为532nm)的脉冲激光光线LB的聚光点定位于LED晶片10的内部而进行照射，在与分割预定线12对应的位置的内部形成改质层，形成由改质层构成的分割起点，然后对与该分割起点对应的位置实施倒角加工。通过预先形成由改质层构成的分割起点，从而与上述的分割工序同样地，通过分割装置80对LED晶片10呈放射状赋予拉伸力，从而能够分割成各个LED芯片14’。不过，在通过烧蚀加工实施分割起点形成工序的情况下，通过分割工序分割后的LED芯片14’的侧面由解理面构成，因此与形成了改质层的情况相比，能够期待成为亮度优异的LED芯片14’。另外，分割起点形成工序也可以从LED晶片10的正面10a侧实施。由此，在从LED晶片10的正面10a侧实施分割起点形成工序的情况下，也可以先实施倒角加工工序，然后从LED晶片10的正面10a侧照射激光光线而形成作为分割起点的激光加工槽或改质层，然后实施分割工序。另外，在上述的实施方式中，在实施了倒角加工工序之后，将LED晶片10分割成各个LED芯片14’，但本发明不限于此，也可以在实施了分割起点形成工序之后赋予外力等，从而如图3的(d)所示那样从分割起点100产生裂纹102而将LED晶片10分割成各个器件芯片14’，然后实施上述的倒角加工工序。
在上述实施方式中，作为V形状切削刀具，准备V形状的角度为120°的第一V形状切削刀具71、V形状的角度为90°的第二V形状切削刀具72、V形状的角度为60°的第三V形状切削刀具73这三种而实施了倒角加工工序，但本发明不限于此，例如也可以通过V形状的角度能够设定为任意角度的一种V形状切削刀具来实施倒角加工工序，也可以使用两种V形状切削刀具来实施倒角加工，另外也可以使用多于三种的V形状切削刀具来实施倒角加工。在准备多个V形状切削刀具而实施倒角加工时，可以根据所准备的V形状切削刀具的数量而适当调整V形状切削刀具的切刃的角度。这样，准备多个V形状的角度不同的V形状切削刀具而实施倒角加工工序，从而多面地构成倒角部102，能够成为近似曲线，有助于提高各个分割的LED芯片14’的亮度。
上述实施方式中的倒角加工工序时的主轴的旋转速度、阶段性地实施的切削加工的切入深度的尺寸、加工进给速度等加工条件不限于上述实施方式，当然可以进行适当调整。

Claims (7)

1.一种LED晶片的加工方法，对在蓝宝石基板的上表面上的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内形成有LED的LED晶片进行加工，其中，
该LED晶片的加工方法具有如下的工序：
V形状切削刀具准备工序，准备切刃的前端部形成为V形状的V形状切削刀具；以及
倒角加工工序，将以能够旋转的方式安装有该V形状切削刀具的切削单元与保持着背面露出的LED晶片的保持工作台相对地进行加工进给，在LED晶片的背面的与分割预定线对应的位置形成倒角部。
2.根据权利要求1所述的LED晶片的加工方法，其中，
在该V形状切削刀具准备工序中，准备切刃的前端部所成的角度不同的多个V形状切削刀具，在该倒角加工工序中，通过该多个V形状切削刀具多面地实施倒角加工。
3.根据权利要求2所述的LED晶片的加工方法，其中，
在该V形状切削刀具准备工序中所准备的V形状切削刀具是三种，是该V形状切削刀具的切刃的前端部所成的角度分别为110°～130°、80°～100°以及50°～70°这三种。
4.根据权利要求1所述的LED晶片的加工方法，其中，
该V形状切削刀具包含金刚石磨粒而构成，该金刚石磨粒的粒径为#1800～#2200。
5.根据权利要求2所述的LED晶片的加工方法，其中，
在该倒角加工工序中，按照每个该V形状切削刀具使切入深度阶段性地加深，沿着与相同的分割预定线对应的位置多次实施倒角加工工序。
6.根据权利要求5所述的LED晶片的加工方法，其中，
在该倒角加工工序中阶段性地加深时的切入深度为0.04mm～0.06mm。
7.根据权利要求1所述的LED晶片的加工方法，其中，
该LED晶片的加工方法还具有如下的分割起点形成工序：在该倒角加工工序之前或之后，实施沿着LED晶片的分割预定线而形成分割起点的加工。
CN201910572154.0A 2018-07-20 2019-06-28 Led晶片的加工方法 Pending CN110739371A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-137058 2018-07-20
JP2018137058A JP2020013962A (ja) 2018-07-20 2018-07-20 Ｌｅｄウエーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110739371A true CN110739371A (zh) 2020-01-31

Family

ID=69161959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910572154.0A Pending CN110739371A (zh) 2018-07-20 2019-06-28 Led晶片的加工方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10937658B2 (zh)
JP (1) JP2020013962A (zh)
KR (1) KR20200010042A (zh)
CN (1) CN110739371A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7158932B2 (ja) * 2018-07-13 2022-10-24 株式会社ディスコ Ｌｅｄウエーハの加工方法
KR102563495B1 (ko) 2022-08-19 2023-08-10 경북대학교 산학협력단 스테포게닌을 유효성분으로 포함하는 암 예방, 개선, 또는 치료용 조성물

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315646A (ja) * 1992-05-09 1993-11-26 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
JPH1064854A (ja) * 1996-07-18 1998-03-06 Hewlett Packard Co <Hp> ウェーハのカット方法
US20010011772A1 (en) * 1998-02-27 2001-08-09 Fujitsu Limited Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof
US20040185639A1 (en) * 2002-01-15 2004-09-23 Masateru Fukuoka Ic chip manufacturing method
CN101345212A (zh) * 2007-07-13 2009-01-14 株式会社迪思科 晶片的分割方法
CN101610870A (zh) * 2007-10-16 2009-12-23 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的u形槽加工方法以及使用该方法的去除加工方法、打孔加工方法和倒角方法
TW201103104A (en) * 2009-07-14 2011-01-16 Syn Mate Co Ltd Semiconductor wafer cutting method
US20110138857A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-16 Masashi Numata Bonded glass cutting method, package manufacturing method, package, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and atomic timepiece
JP2012049164A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Disco Abrasive Syst Ltd 発光デバイスの製造方法
JP2012146724A (ja) * 2011-01-07 2012-08-02 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウェーハの加工方法および光デバイス
US20150177558A1 (en) * 2012-08-30 2015-06-25 JVC Kenwood Corporation Lamination substrate and manufacturing method of the same
US20160133784A1 (en) * 2014-11-10 2016-05-12 Fuji Xerox Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor chips

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09326373A (ja) * 1996-06-06 1997-12-16 Deisuko Eng Service:Kk ダイシング方法及びトリプルスピンドルダイサー
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP2001127010A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP3857118B2 (ja) * 2001-12-04 2006-12-13 富士通株式会社 レジンダイヤモンドブレード及び該ブレードを使用した光導波路の製造方法
JP5758116B2 (ja) * 2010-12-16 2015-08-05 株式会社ディスコ 分割方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315646A (ja) * 1992-05-09 1993-11-26 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
JPH1064854A (ja) * 1996-07-18 1998-03-06 Hewlett Packard Co <Hp> ウェーハのカット方法
US20010011772A1 (en) * 1998-02-27 2001-08-09 Fujitsu Limited Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof
US20040185639A1 (en) * 2002-01-15 2004-09-23 Masateru Fukuoka Ic chip manufacturing method
CN101345212A (zh) * 2007-07-13 2009-01-14 株式会社迪思科 晶片的分割方法
CN101610870A (zh) * 2007-10-16 2009-12-23 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的u形槽加工方法以及使用该方法的去除加工方法、打孔加工方法和倒角方法
TW201103104A (en) * 2009-07-14 2011-01-16 Syn Mate Co Ltd Semiconductor wafer cutting method
US20110138857A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-16 Masashi Numata Bonded glass cutting method, package manufacturing method, package, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and atomic timepiece
JP2012049164A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Disco Abrasive Syst Ltd 発光デバイスの製造方法
JP2012146724A (ja) * 2011-01-07 2012-08-02 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウェーハの加工方法および光デバイス
US20150177558A1 (en) * 2012-08-30 2015-06-25 JVC Kenwood Corporation Lamination substrate and manufacturing method of the same
US20160133784A1 (en) * 2014-11-10 2016-05-12 Fuji Xerox Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor chips

Also Published As

Publication number Publication date
US20200027739A1 (en) 2020-01-23
JP2020013962A (ja) 2020-01-23
KR20200010042A (ko) 2020-01-30
US10937658B2 (en) 2021-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110718507B (zh) Led晶片的加工方法
JP4769560B2 (ja) ウエーハの分割方法
KR101881603B1 (ko) 광디바이스 웨이퍼의 가공 방법
CN107591361B (zh) 半导体器件芯片的制造方法
JP4590174B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR101661776B1 (ko) 광디바이스 웨이퍼의 가공 방법
JP2005086161A (ja) ウエーハの加工方法
TWI459452B (zh) A method of breaking the film attached to the back of the wafer, and a subsequent film
KR20100020420A (ko) 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
CN108022876B (zh) 晶片的加工方法
JP2007157887A (ja) ウエーハの分割方法
CN106992151B (zh) 晶片的加工方法
CN107039563B (zh) 光器件晶片的加工方法
JP2006202933A (ja) ウエーハの分割方法
CN108015650B (zh) 晶片的加工方法
CN110739371A (zh) Led晶片的加工方法
JP6009240B2 (ja) ウェーハの加工方法
KR20200014196A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
CN109421179B (zh) 加工方法
JP2014013807A (ja) ウエーハの加工方法
US11969916B2 (en) Wafer forming method
JP2014011381A (ja) ウエーハの加工方法
JP2010177566A (ja) ワーク支持用環状フレームおよびワーク移載方法
JP2005222986A (ja) ウエーハの分割方法
JP2021107878A (ja) ディスプレイパネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination