KR100890740B1 - 질화물계 반도체 발광소자 - Google Patents

질화물계 반도체 발광소자 Download PDF

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KR100890740B1
KR100890740B1 KR1020070015947A KR20070015947A KR100890740B1 KR 100890740 B1 KR100890740 B1 KR 100890740B1 KR 1020070015947 A KR1020070015947 A KR 1020070015947A KR 20070015947 A KR20070015947 A KR 20070015947A KR 100890740 B1 KR100890740 B1 KR 100890740B1
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Abstract

본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명전극과, 상기 투명전극 상에 형성되며, 서로 대향하는 적어도 하나의 제2 도전형 전극패드와, 상기 제2 도전형 전극패드로부터 인출된 복수의 제2 도전형 전극과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 서로 대향하는 상기 제2 도전형 전극패드와 대향하는 적어도 하나의 제1 도전형 전극패드 및 상기 제1 도전형 전극패드로부터 인출된 복수의 제1 도전형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것이다.
발광소자, LED, 전극, 전류확산, 발광면

Description

질화물계 반도체 발광소자{NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
도 1은 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 구조를 나타낸 평면도.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 구조를 나타낸 평면도.
도 4는 도 3의 II -II'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 구조를 나타낸 평면도.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 구조를 나타낸 평면도.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 구조를 나타낸 평면도.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 구조를 나타낸 평면도.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 구조를 나타낸 평면도.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 구조를 나타낸 평면도.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 구조를 나타낸 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
201 : 기판 210: 버퍼층
220 : 제1 도전형 질화물 반도체층 230 : 활성층
240: 제2 도전형 질화물 반도체층
250, 350, 450, 550, 650, 750, 850, 950 : 투명전극
260, 360, 460, 560, 760, 860, 960 : 제1 도전형 전극
260a, 260b, 360a, 360b, 460a, 460b, 560a, 660a, 760a, 860a, 860b, 960a, 960b : 제1 도전형 전극패드
270, 370, 470, 570, 670, 770, 870, 970 : 제2 도전형 전극
270a, 270b, 370a, 370b, 470a, 470b, 570a, 570b, 670a, 670b, 770a, 770b, 870a, 870b, 970a, 970b : 제2 도전형 전극패드
본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 중·대면적 질화물 반도체 발광소자에서 전극 및 전극패드의 구조 개선을 통해 전류의 흐름이 균일하게 확산될 수 있도록 한 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물계 반도체는 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체결정으로서, 단파장광(자외선 내지 녹색광), 특히 청색광을 낼 수 있는 발광소자에 널리 사용된다.
한편, 상기 질화물계 반도체 발광소자는, 결정성장을 위한 격자정합조건을 만족하는 사파이어 기판이나 SiC 기판 등의 절연성 기판을 이용하여 제조되므로, 제1 도전형 및 제2 도전형 질화물 반도체층에 연결된 2개의 전극이 발광구조의 상면에 거의 수평으로 배열되는 수평(planar) 구조를 가진다.
최근 이러한 수평 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광소자를 조명광원으로 이용하기 위해서 고휘도화가 요구되고 있으며, 이러한 고휘도화를 달성하기 위하여 전류를 균일하게 확산시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있는 질화물계 반도체 발광소자를 제작하고 있으며, 공정이 단순하여 저렴하게 제작이 가능한 장점을 가지고 있다.
그러나, 이러한 수평 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광소자는, 발광에 사용되는 유효면적이 큼에도 불구하고 아직까지 공정적인 문제로 인하여 고휘도화 구현에 어려움이 있다. 즉, 2개의 전극이 발광구조물 상하면에 각각 배치된 수직(vertical) 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광소자에 비해 전류의 흐름이 전체 발광영역에 있어 균일하게 분포하지 못하므로, 발광에 사용되는 유효면적 또한 크지 않아 발광효율이 낮은 문제가 있다.
그러면, 이하 도 1 및 도 2를 참조하여 종래 기술에 따른 수평 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광소자의 문제점에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광소자(LED)의 구조를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 수평 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광소자(100)는, 사파이어 기판(101) 상에 순차적으로 형성된 버퍼층(110), 제1 도전형 질화물 반도체층(120), 다중우물구조인 GaN/InGaN 활성층(130) 및 제2 도전형 질화물 반도체층(140)을 포함하며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층(140)과 활성층(130)은 일부 메사 식각(mesa etching) 공정에 의하여 그 일부 영역이 제거되는 바, 제1 도전형 질화물 반도체층(120)의 상면 일부가 노출된 구조를 갖는다.
상기 노출된 제1 도전형 질화물 반도체층(120) 상에는 복수의 제1 도전형 전극패드(160a)와 상기 제1 도전형 전극(160) 및 상기 복수의 제1 도전형 전극패드(160a)로부터 일 방향으로 뻗어나와 상기 제1 도전형 전극(160)을 연결하는 제1 도전형 연결전극(160b)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층(140) 상에는 ITO(Indium-Tin oxide) 등으로 이루어진 투명전극(150)이 형성되어 있으며, 그 위에는 복수의 제2 도전형 전극패드(170a) 및 상기 복수의 제2 도전형 전극패드(170a)를 서로 연결해주는 제2 도전형 연결전극(170b)이 형성되어 있다.
또한, 상기 투명전극(150) 상에는 상기 복수의 제2 도전형 전극패드(170a) 및 제2 도전형 연결전극(170b)으로부터 일 방향으로 뻗어 있는 복수의 제2 도전형 전극(170)이 형성되어 있으며, 이는 상기 제1 도전형 전극(160)과 서로 맞물리는 구조, 즉 핑거(finger) 형상의 구조로 형성되어 있다. 따라서, 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광소자는, 상기 제2 도전형 전극(170)과 제1 도전형 전극(160)이 소자의 전면에서 서로 최대한 균일한 거리를 유지하여 전류의 흐름을 소자의 전체 발광영역에 있어 균일하게 확산시킬 수 있었다.
그런데, 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광소자(100)는, 상기 제1 도전형 전극패드(160a)와 상기 제2 도전형 전극패드(170a)는 서로 다른 면, 즉, 서로 마주 보는 면에 각각 형성되어 있다.
그러나, 상기 제1 도전형 전극패드(160a)와 상기 제2 도전형 전극패드(170a)가 서로 마주 보면 면에 각각 형성되는 경우, 전류의 균일한 확산이 어려운 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명은 상기 복수의 제1 또는 제2 도전형 전극패드를 같은 극끼리 서로 대향하는 위치에 구성함으로써, 전류의 균일한 분산을 꾀할 수 있는 질화물계 반도체 발광소자를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명전극과, 상기 투명전극 상에 형성되며, 서로 대향하는 적어도 두개의 제2 도전형 전극패드와, 상기 제2 도전형 전극패드로부터 인출된 복수의 제2 도전형 전극과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 서로 대향하는 적어도 두개의 제1 도전형 전극패드 및 상기 제1 도전형 전극패드로부터 인출된 복수의 제1 도전형 전극을 포함하는 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
이때, 상기 제1 도전형 전극패드와 제1 도전형 전극을 연결하는 제1 도전형 연결전극 또는 상기 제2 도전형 전극패드와 제2 도전형 전극을 연결하는 제2 도전형 연결전극을 더 포함하여 구성될 수도 있으며, 상기 제1 및 제2 도전형 연결전극은 소자의 외곽을 따라 형성된다.
그리고, 상기 제1 도전형 전극과 상기 제2 도전형 전극은 일정한 간격을 두고 번갈아 형성되어 있으며, 상기 제1 도전형 전극 및 상기 제2 도전형 전극 중 적어도 하나는 직선 또는 곡선 형태이거나, 직선과 곡선의 혼합형태로 이루어질 수도 있다.
또한, 상기 서로 대향하는 적어도 하나의 제2 도전형 전극패드는, 모서리 영역에 대각방향으로 마주보도록 배치될 수도 있으며, 이때 상기 제1 도전형 전극패드는, 상기 제2 도전형 전극패드의 어느 하나와 동일한 변에 형성된다. 그리고, 상기 제1 도전형 전극패드는, 상기 제2 도전형 전극패드가 위치하는 영역을 제외한 모서리 영역에 대각방향으로 마주보도록 배치된다.
또한, 상기 서로 대향하는 적어도 하나의 제2 도전형 전극패드는, 마주보는 변에 형성될 수도 있다.
상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층은 n형 또는 p형일 수 있으며, 상기 활성층은, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되되, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 사방 최외곽변으로부터 이격되어 형성된다.
또한, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명전극과, 상기 투명전극 상에 서로 분리되되, 서로 마주보는 변 상에 위치하도록 형성된 적어도 두개의 제2 도전형 전극패드와, 상기 제2 도전형 전극패드로부터 돌출된 제2 도전형 전극과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 상기 제2 도전형 전극패드가 형성된 변을 제외한 다른 변 상에 형성된 적어도 하나의 제1 도전형 전극패드 및 상기 제1 도전형 전극패드로부터 돌출되며, 상기 제2 도전형 전극과 번갈아 배치되어 형성된 복수의 제1 도전형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
이때, 상기 제1 도전형 전극 및 제2 도전형 전극 중 적어도 하나는 직선 또는 곡선 형태이거나, 직선과 곡선의 혼합형태로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층은 n형 또는 p형 일 수 있으며, 상기 활성층은, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되되, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 사방 최외곽변으로부터 이격되어 형성된다.
또한, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명전극과, 상기 투명전극 상의 모서리 영역에 형성되어, 서로 대향하는 복수의 제2 도전형 전극패드와, 상기 투명전극 상의 외곽을 따라 상기 제2 도전형 전극패드를 연결하는 제2 도전형 연결전극과, 상기 제2 도전형 전극패드로부터 인출되어, 상기 투명전극의 안쪽 방향으로 꺾어져 형성된 제2 도전형 전극과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 도전형 전극패드와 대향하되, 하나는 모서리 영역에 형성되고, 다른 하나는 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 중심부에 각각 형성된 복수의 제1 도전형 전극패드 및 상기 제1 도전형 전극패드로부터 상기 제1 도전형 전극패드를 연결하며, 상기 제2 도전형 전극과 교번하는 제1 도전형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
이때, 상기 제1 도전형 전극 및 제2도전형 전극 중 적어도 하는 직선 또는 곡선 형태이거나, 직선과 곡선의 혼합형태로 이루어질 수도 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층은 n형 또는 p형 일 수 있으며, 상기 활성층은, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되되, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 사방 최외곽변으로부터 이격되어 형성된다.
상기한 바와 같은 본 발명은, 같은 극을 가진 전극패드를 서로 마주보는 모서리 또는 변 영역에 형성하여 전류의 공급부를 분산시킴으로써, 발광면 내에 전류가 균일하게 분산될 수 있도록 한 것이다. 따라서, 본 발명은, 같은 극을 가진 전 극패드가 서로 대각방향 또는 대향하는 변에 형성되기만 한다면 상기 전극패드로부터 인출되는 전극이 어떠한 형태로든 형성될 수 있으며, 상기 같은 극을 가진 전극패드는 n형 또는 p형 중 하나 일 수 있다. 이때, 상기 대향하는 같은 전극패드는 n형 전극패드 또는 p형 전극패드 중 하나이거나, 상기 n형 전극패드와 p형 전극패드 각각이 모두 대향하는 위치에 형성될 수 있다. (여기서, 상기 대향하는 위치란, 대각 방향 또는 마주보는 변을 의미함.)
이하 첨부한 도면을 통해 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자를 나타낸 것으로, 도 3은 평면도이고, 도 4는 도 3의 II-II'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(200)는, 광투과성인 기판(201) 상에 버퍼층(210), 제1 도전형 질화물 반도체층(220), 활성층(230) 및 제2 도전형 질화물 반도체층(240)이 순차 적층되어 발광 구조물을 이루고 있다.
상기 기판(201)은, 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며. 사파이어 이외에, 기판(201)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등으로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(210)은, 상기 기판(201) 상에 제1 도전형 질화물 반도체층(220)을 성장시키기 전에 상기 사파이어를 포함하여 형성된 기판(201)과의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로, 일반적으로 GaN 또는 Ga을 포함한 질화물 예를 들어, SiC/InGaN으로 형성되어 있으며, 이는 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략 가능하다.
상기 제1 도전형 질화물 반도체층(220)과 활성층(230) 및 제2 도전형 질화물 반도체층(240)은, InXAlYGa1 -X- YN 조성식(여기서, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다.
보다 상세하게, 상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층(220, 240)은, n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층 또는 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 예를 들어, Si, Ge, Sn 등을 사용하고, p형 도전형 불순물로는 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 사용한다. 본 실시예에서는 제1 도전형은 n형, 제2 도전형은 p형으로 이루어져 있다.
그리고, 상기 활성층(230)은 다중 양자우물(Multi-Quantum Well) 구조의 InGaN/GaN층으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 활성층(230)은 하나의 양자우물층 또는 더블헤테로(duble-hetoro) 구조로 구성될 수도 있다.
상기 활성층(230)과 제2 도전형 질화물 반도체층(240)의 일부는 메사 식각(mesa etching)으로 제거되어, 저면에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체(220)의 일부 상면을 노출하고 있다. 이때, 상기 활성층(240)의 최외곽변은, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층(220)의 사방 최외곽변으로부터 소정 간격 들여져서 이격되도록 형성하는 것이 바람직하다. 이는 질화물계 반도체 발광소자 구동시, 후술하는 제1 도전형 전극패드로부터 인가받는 전류의 흐름을 활성층(230)의 전면 즉, 발광면적 전체에 균일하게 확산시키기 위함이다.
상기 노출된 제1 도전형 질화물 반도체층(220) 상에는 복수의 제1 도전형 전극패드(260a, 260b)가 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 도전형 전극패드들(260a, 260b)은, 서로 대향하는 모서리 영역에 각각 형성되어 있으며, 발광면적의 손실을 최소화하기 위하여 상기 제1 도전형 질화물 반도체층(220)의 최외곽 영역에 인접하는 위치에 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 노출된 제1 도전형 질화물 반도체층(220) 상에는 전류의 흐름을 원활히 하기 위해 상기 제1 도전형 전극패드(260a, 260b)로부터 인출된 복수의 제1 도전형 전극(260)이 형성되어 있으며, 상기 대각 방향으로 각각 배치된 제1 도전형 전극패드(260a, 260b)를 연결하는 제1 도전형 연결전극(260c)을 더 포함하여 구성되며, 상기 제1 도전형 연결전극(260c)은 제1 도전형 전극으로서의 역할도 함께 수행한다.
그리고, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층(240)의 상에는 투명전극(250)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 투명전극(250)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 도전성 금속산화물만이 아니라, 발광소자의 발광 파장에 대해 투과율이 높다면, 도전 성이 높고 콘택 저항이 낮은 금속박막으로도 이루어질 수 있다.
상기 제2 도전형 질화물 반도체층(240)이 p형 질화물 반도체층일 경우, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층(240)과 투명전극(250) 사이에 Mg, Cu 중 적어도 1종 이상을 포함하는 In2O3으로 이루어진 오믹형성층(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 상기 오믹형성층은 투과율 특성을 개선하면서 상기 제2 도전형 질화물 반도체층(240)과 상기 투명전극(250) 상의 제2 도전형 전극(270) 간의 오믹콘택을 형성할 수 있다.
더욱이, 상기 오믹형성층(미도시)과 투명전극(250) 사이에 Ag, Pt, Au, Co 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 일 금속으로 이루어진 한층 이상의 금속층(미도시)을 더 포함할 수도 있으며, 상기 금속층은 오믹콘택을 더욱 용이하게 하여 구동전압을 더욱 낮출 수도 있다.
한편, 상기 기판(201)의 하면 또는 하면 및 측면에 기판방향으로 방사되는 빛을 상부로 반사시키는 반사층(미도시) 더 포함할 수도 있다. 상기 반사층은 고굴절율 광학박막과 저굴절율 광학박막을 교대로 다수층 적층하여 형성될 수 있으며, 이때, 광학박막은 Si, Zr, Ta, Ti, Al 중 하나와 O 또는 N의 화합물인 산화막 또는 질화막 중에서 고굴절율 광학박막과 저굴절율 광학박막을 설정할 수 있다.
상기 투명전극(250) 상에는 대각 방향으로 마주보는 위치에 배치된 복수의 제2 도전형 전극패드(270a, 270b) 및 상기 제2 도전형 전극패드(270a, 270b)로부터 돌출된 복수의 제2 도전형 전극(270)이 형성되어 있으며, 상기 제2 도전형 전극패 드(270a, 270b) 또는 제2 도전형 전극(270)을 연결하는 제2 도전형 연결전극(270c)이 상기 투명전극(250)의 최외곽변을 따라 형성되어 발광면적의 손실을 최소화한다.
아울러, 상기 제1 도전형 전극(260) 및 상기 제2 도전형 전극(270)은 일정한 거리를 두고 번갈아 배치되어 있으며, 이는 상기 제2 도전형 전극(270)과 제1 도전형 전극(260)이 소자의 전면에서 서로 최대한 균일한 거리를 유지할 수 있도록 하여 전류의 흐름을 소자의 전체 발광영역에 있어 균일하게 확산시키기 위함이다.
이와 같이, 본 실시예에서는 동일 극을 갖는 제1 도전형 전극패드(260a, 260b) 또는 제2도전형 전극패드(270a, 270b)가 각각 대각 방향으로 마주보는 영역에 배치되어 전류의 공급을 균일하게 하고, 이에 따라 전류의 흐름을 소자의 전체 발광영역에 걸쳐서 더욱더 균일하게 확산될 수 있도록 한다.
더욱이, 본 실시예에서는 상기 제1 도전형 전극(260) 및 상기 제2 도전형 전극(270)이 직선형태를 갖는 구조가 도시되어 있으나, 소자의 전면에서 서로 최대한 균일한 거리를 유지할 수 있다면, 상기 제1 도전형 전극(260) 또는 상기 제2 도전형 전극(270)은 직선 또는 곡선형태가 모두 가능하며, 또는 직선과 곡선의 혼합으로 이루어진 구조도 모두 가능하다.
또한, 본 발명에서는 상기 제1 도전형 전극(260) 및 제2 도전형 전극(270)의 배치는 종방향 또는 횡방향으로 한정하지 않으며, 어느 방향으로든 자유롭게 변경될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 것으로, 특히, 제1 도전형 전극 및 제 2 도전형 전극이 종방향으로 배치되고, 제2 도전형 전극의 일부 영역이 곡선형태를 갖는 질화물계 반도체 발광소자를 나타낸 평면도이다. 본 실시예에서는 이전 실시예(도 3, 도 4)와 동일한 구성에 대해서는 그 구체적인 설명을 생략하고, 이전 실시예(도 3, 도 4)와 다른 구성을 중점으로 설명하도록 한다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(300)는, 도면에 도시되어 있지는 않지만, 광투과성인 기판 상에 버퍼층, 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층이 순차 적층되어 발광 구조물을 이루고 있다.
상기 제1 도전형 질화물 반도체층(미도시) 상에는 대각방향으로 마주보는 복수의 제1 도전형 전극패드(360a, 360b)가 형성되어 있으며, 상기 제1 도전형 전극패드(360a, 360b)로부터 종방향으로 인출된 복수의 제1 도전형 전극(360)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 제1 도전형 전극패드(360a, 360b) 및 제1 도전형 전극(360)을 연결하는 제1 도전형 연결전극(360c)도 형성되어 있으며, 상기 제1 도전형 연결전극(360c)과 상기 제1 도전형 전극(360)이 만나는 일부 영역이 완만한 곡선 형태를 이루고 있다.
한편, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층(미도시)의 상에는 투명전극(350)이 형성되어 있으며, 상기 투명전극(350) 상에는 상기 제1 도전형 전극(360)이 형성된 영역을 제외한 대각영역에 서로 마주보는 복수의 제2 도전형 전극패드(370a, 370b) 및 상기 제2 도전형 전극패드(370a, 370b)로부터 상기 제1 도전형 전극(360)과 나란한 방향으로 배치되는 복수의 제2 도전형 전극(370)이 상기 제1 도전형 전 극(360)과 함께 일정한 간격을 두고 번갈아 형성되어 있다. 그리고, 상기 제2 도전형 전극패드(370a, 370b) 및 제2 도전형 전극(370)을 연결하는 제2 도전형 연결전극(370c)이 상기 투명전극(350)의 최외곽변을 따라 형성되어 발광면적의 손실을 최소화한다. 이때에도, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층이 p형 질화물 반도체층일 경우, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층과 투명전극(350) 사이에 오믹형성층(미도시)을 두거나, 상기 오믹형성층(미도시) 상에 Ag, Pt, Au, Co 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 일 금속으로 이루어진 한층 이상의 금속층(미도시)을 더 두어, 오믹콘택을 더욱 용이하게 구현할 수 있다.
또한, 상기 기판(301)의 하면 또는 하면 및 측면에 기판방향으로 방사되는 빛을 상부로 반사시키는 반사층(미도시) 더 포함할 수도 있으며, 상기 반사층은 고굴절율 광학박막과 저굴절율 광학박막을 교대로 다수층 적층하여 형성될 수 있으며, 이때, 광학박막은 Si, Zr, Ta, Ti, Al 중 하나와 O 또는 N의 화합물인 산화막 또는 질화막 중에서 고굴절율 광학박막과 저굴절율 광학박막을 설정할 수 있다.
이와 같이 본 실시예에서는, 이전 실시예와 동일하게 제1 도전형 전극(360) 및 제2 도전형 전극(370) 각각이 서로 마주보는 모서리 영역에 대각방향으로 배치되어 있는 구조를 가지고 있으나, 상기 제1 도전형 전극(360) 및 제2 도전형 전극(370)이 종방향으로 배열되고, 상기 제1 도전형 전극(360)과 제1 도전형 연결전극(370)이 만나는 일부 영역이 곡선형태를 이루는 구조를 나타내고 있다.
한편, 본 발명에서는 제1 도전형 전극 및 제2 도전형 전극이 각각이 서로 마주보는 모서리 영역에 대각방향으로 배치되어 있는 구조라면, 상기 제1 도전형 전 극(360)과 상기 제2 도전형 전극(370)은 어떠한 형태로든 가능하다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸 것으로, 특히, 제1 도전형 전극 및 제2 도전형 전극이 수직으로 꺾인 구조를 나타낸 질화물계 반도체 발광소자를 나타낸 평면도로, 이전 실시예(도 5)와 동일한 구성의 설명은 생략하도록 한다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(400)의 제1 도전형 전극패드(460a, 460b) 및 제2 도전형 전극패드(470a, 470b)는 각각이 모두 모서리 영역에 형성되고, 동일 극이 서로 마주보는 위치에 형성되어 있다.
그리고, 제1 도전형 전극(460)은 적어도 한번 이상 수직으로 꺾인 구조를 가지고 있으며, 이때에도, 제2 도전형 전극(470)은 상기 제1 도전형 전극(460)과 함께 전류의 흐름을 소자의 전체 발광영역에 있어 균일하게 확산시킬 수 있도록 소자의 전면에 걸쳐서 상기 제1 도전형 전극(460)과 서로 균일한 거리를 유지할 수 있는 구조를 가지고 있다.
이외에, 본 발명은 상기 제1 도전형 전극 또는 제2 도전형 전극 중 어느 하나만이 모서리 영역에 형성되어 서로 대향하며, 다른 하나는 소자의 어느 한 변의 최외각에 단일개로 형성된 구조도 가능하다.
이때에도, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층이 p형 질화물 반도체층일 경우, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층과 투명전극(450) 사이에 오믹형성층(미도시)을 두거나, 상기 오믹형성층(미도시) 상에 Ag, Pt, Au, Co 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 일 금속으로 이루어진 한층 이상의 금속층(미도시)을 더 두거나, 기판(401)의 하면 또는 하면 및 측면에 반사층을 두는 것이 가능하다.
도 7 ~ 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자를 나타낸 것으로, 도 7은 제1 도전형 전극패드가 단일개로 형성되고, 제2 도전형 전극패드가 대각방향으로 대면하는 모서리 영역에 형성된 예를 나타내고, 도 8은 제1 도전형 전극패드가 단일개로 형성되고, 제2 도전형 전극패드가 분리되고, 대향변에 각각 형성된 예를 나타내고, 도 9는 도 8의 변형구조로, 제1 도전형 전극패드로부터 돌출된 제1 도전형 전극의 끝단이 양측 모서리 방향으로 꺾인 구조를 각각 나타내는 평면도이다. 이때에도, 이전 실시예(도 6)와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하고, 제1 및 제2 도전형 전극패드와 제1 및 제2 도전형 전극의 새로운 구조에 대한 설명만을 언급하도록 한다.
먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자(500)는 단일개의 제1 도전형 전극패드(560a)가 소자의 최외곽변 중 어느 한변에 형성되어 있으며, 대각 방향으로 마주보는 모서리 영역에 제2 도전형 전극패드(570a, 570b)가 각각 형성되어 있다. 이때, 상기 제2 도전형 전극패드(570a, 570b) 중 하나는 상기 제1 도전형 전극패드(560a)와 동일한 변에 형성될 수 있다.
이때에도, 상기 제1 도전형 전극패드(560a)로부터 인출된 복수의 제1 도전형 전극(560) 및 상기 제2 도전형 전극패드(570a, 570b)로부터 인출된 복수의 제2 도전형 전극(570)은 일정한 간격을 두고 평행하게 배치되어 있으며, 상기 제1 도전형 전극패드(560a)와 인접하는 제1 도전형 전극(560)의 일부가 곡선형태를 갖는다.
한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 도전형 전극패드(670a, 670b)가 독립적으로 분리되어 형성될 수도 있으며, 이때, 상기 제2 도전형 전극패드(670a) 및 제2 도전형 연결전극(670c)과 인접하는 제2 도전형 전극(670)의 일부를 곡선형태로 형성한 질화물계 반도체 발광소자(600)를 설계할 수도 있다.
또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 도전형 전극패드(770a, 770b)를 소자의 최외곽변 중 마주보는 대향변에 각각 형성하고, 제1 도전형 전극패드(760a)로부터 뻗어나온 제1 도전형 전극(760)의 끝단의 일부를 양측 모서리 방향으로 향하는 꺾임 구조를 갖는 질화물계 반도체 발광소자(700)도 가능하다.
이밖에, 도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 도전형 전극패드(870a, 870b)가 마주보는 모서리 영역에 각각 형성되고, 복수의 제1 도전형 전극패드(860a, 860b)가 제2 도전형 전극패드(870a, 870b)의 어느 하나와 동일한 변에 나란하게 형성된 구조를 갖는 질화물계 반도체 발광소자(800)의 구성도 가능하다.
이외에, 도 11에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 도전형 전극패드(970a, 970b)가 마주보는 모서리 영역에 각각 형성되고, 상기 제2 도전형 전극패드(970b)로부터 분기된 제2 도전형 전극(970)이 소자의 중심을 향하여 적어도 한번 이상 꺾이는 형태를 이루며, 상기 제2 도전형 전극패드(970a, 970b)가 형성된 영역을 제외한 나머지 모서리 영역 중 어느 한 영역과 소자의 중심부에 제1 도전형 전극패드(960a, 960b)가 각각 형성되고, 상기 제1 도전형 전극패드(960a, 960b)로부터 뻗어나와 이들을 연결하는 동시에, 상기 제2 도전형 전극(970)과 소정간격 이격되는 제1 도전형 전극(960)을 갖는 질화물계 반도체 발광소자(900)를 구성하는 것도 가능하다.
또한, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층이 p형 질화물 반도체층일 경우, 제2 도전형 질화물 반도체층과 투명전극 사이에 오믹형성층(미도시)을 두거나, 상 기 오믹형성층(미도시) 상에 Ag, Pt, Au, Co 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 일 금속으로 이루어진 한층 이상의 금속층(미도시)을 더 두어 제2 도전형 질화물 반도체층과 제2 도전형 전극 간의 오믹특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 기판의 하면 또는 하면 및 측면에 반사층을 두어 패키징된 발광소자의 휘도 특성을 더욱 향상시킬 수도 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 동일 극(n형 또는 p형)을 갖는 전극패드가 서로 마주보는 대향각 또는 대향하는 변에 형성함으로써, 전류의 흐름이 발명영역 전체에 걸쳐서 균일한 확산이 가능하도록 한 것으로, 상기 n형 전극패드 또는 p형 전극패드 중 어느 하나만 대향각 또는 대향변에 형성되는 경우도 모두 포함한다.
더욱이, 본 발명은 여러 실시예들에서 살펴본 바와 같이, 제1 도전형 전극패드로부터 인출된 제1 도전형 전극과 제2 도전형 전극패드로부터 인출된 제2 도전형 전극의 형태를 다양하게 설계할 수 있으며, 특히, 직선 또는 곡선 또는 직선과 곡선의 혼합으로 이루어진 형태등으로 설계할 수 있다.
따라서, 본 발명의 기본 개념은 n형 전극패드 또는 p형 전극패드 또는 n형 및 p형 전극패드를 같은 극끼리는 서로 대향하는 모서리 영역 또는 마주보는 변에 위치시키는 것으로, 상기 전극패드로부터 인출되는 전극은 실시예에서 언급하지 못한 어떠한 형태라도 가능하다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 동일 극을 갖는 전극패드가 서로 마주보는 대향각 또는 대향변에 형성함으로써, 전류의 집중 현상을 최소화하고, 전류의 흐름을 균일하게 분산시켜, 질화물계 반도체 발광소자의 휘도 특성을 향상시킴에 따라, 소자의 특성 및 신뢰성을 개선할 수 있는 효과가 있다.

Claims (42)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층;
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층;
    상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명전극;
    상기 투명전극 상에 형성되며, 서로 대향하는 적어도 두개의 제2 도전형 전극패드;
    상기 제2 도전형 전극패드로부터 인출된 복수의 제2 도전형 전극;
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 서로 대향하는 적어도 두개의 제1 도전형 전극패드; 및
    상기 제1 도전형 전극패드로부터 인출된 복수의 제1 도전형 전극;
    을 포함하는 포함하는 질화물계 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극패드와 제1 도전형 전극을 연결하는 제1 도전형 연결전극을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전형 전극패드와 제2 도전형 전극을 연결하는 제2 도전형 연결전극을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극과 상기 제2 도전형 전극은 일정한 간격을 두고 번갈아 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극 및 상기 제2 도전형 전극 중 적어도 하나는 직선 또는 곡선 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극 및 상기 제2 도전형 전극 중 적어도 하나는 직선과 곡선의 혼합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 서로 대향하는 적어도 두개의 제2 도전형 전극패드는, 모서리 영역에 대각방향으로 마주보도록 배치된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극패드는, 상기 제2 도전형 전극패드의 어느 하나와 동일한 변에 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극패드로부터 인출된 제1 도전형 전극의 끝단이 모서리 방향을 향해 굽은 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극패드는, 상기 제2 도전형 전극패드가 위치하는 영역을 제외한 모서리 영역에 대각방향으로 마주보도록 배치된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 서로 대향하는 적어도 두개의 제2 도전형 전극패드는, 마주보는 변에 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층은 n형 또는 p형인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 활성층은, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되되, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 사방 최외곽변으로부터 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전형 질화물 반도체층과 상기 투명전극 상에 형성되며, Mg, Cu 중 적어도 1종을 포함하는 In2O3으로 이루어진 오믹형성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 오믹형성층과 투명전극 사이에 형성되며, Ag, Pt, Au, Co 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 일 금속으로 이루어진 한층 이상의 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 하면에 형성되어, 기판방향으로 방사되는 빛을 상부로 반사시키는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 하면 및 측면에 형성되어, 발생된 빛을 상부로 반사시키는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 반사층은 다수의 고굴절율의 광학박막과 저굴절율의 광학박막이 교대로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 고굴절율 광학박막과 저굴절율 광학박막 각각은 산화막, 질화막 또는 금속막 중 어느 하나이며,
    상기 산화막은 Si, Zr, Ta, Ti, Al 중 하나와 O의 화합물이고,
    상기 질화막은 Si, Zr, Ta, Ti, Al 중 하나와 N의 화합물이고,
    상기 금속막은 Al 또는 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  20. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층;
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층;
    상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명전극;
    상기 투명전극 상에 서로 분리되되, 서로 마주보는 변 상에 위치하도록 형성된 적어도 두개의 제2 도전형 전극패드;
    상기 제2 도전형 전극패드로부터 돌출된 제2 도전형 전극;
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 상기 제2 도전형 전극패드가 형성된 변을 제외한 다른 변 상에 형성된 적어도 하나의 제1 도전형 전극패드; 및
    상기 제1 도전형 전극패드로부터 돌출되며, 상기 제2 도전형 전극과 번갈아배치되어 형성된 복수의 제1 도전형 전극;
    을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극 및 제2도전형 전극 중 적어도 하나는 직선 또는 곡선 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극 및 제2도전형 전극 중 적어도 하나는 직선 또는 곡선 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극 및 상기 제2 도전형 전극 중 적어도 하나는 직선과 곡 선의 혼합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  24. 제20항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층은 n형 또는 p형인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  25. 제20항에 있어서,
    상기 활성층은, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되되, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 사방 최외곽변으로부터 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  26. 제20항에 있어서,
    상기 제2 도전형 질화물 반도체층과 상기 투명전극 상에 형성되며, Mg, Cu 중 적어도 1종을 포함하는 In2O3으로 이루어진 오믹형성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 오믹형성층과 투명전극 사이에 형성되며, Ag, Pt, Au, Co 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 일 금속으로 이루어진 한층 이상의 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  28. 제20항에 있어서,
    상기 기판의 하면에 형성되어, 기판방향으로 방사되는 빛을 상부로 반사시키는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  29. 제20항에 있어서,
    상기 기판의 하면 및 측면에 형성되어, 발생된 빛을 상부로 반사시키는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  30. 제28항 또는 제29항에 있어서,
    상기 반사층은 다수의 고굴절율의 광학박막과 저굴절율의 광학박막이 교대로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 고굴절율 광학박막과 저굴절율 광학박막 각각은 산화막, 질화막 또는 금속막 중 어느 하나이며,
    상기 산화막은 Si, Zr, Ta, Ti, Al 중 하나와 O의 화합물이고,
    상기 질화막은 Si, Zr, Ta, Ti, Al 중 하나와 N의 화합물이고,
    상기 금속막은 Al 또는 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  32. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층;
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층;
    상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명전극;
    상기 투명전극 상의 모서리 영역에 형성되어, 서로 대향하는 복수의 제2 도전형 전극패드;
    상기 투명전극 상의 외곽을 따라 상기 제2 도전형 전극패드를 연결하는 제2 도전형 연결전극;
    상기 제2 도전형 전극패드로부터 인출되어, 상기 투명전극의 중심쪽을 향하여 적어도 한번 이상 꺾어져 형성된 제2 도전형 전극;
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 도전형 전극패드와 대향하되, 하나는 모서리 영역에 형성되고, 다른 하나는 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 중심부에 각각 형성된 복수의 제1 도전형 전극패드; 및
    상기 제1 도전형 전극패드로부터 상기 제1 도전형 전극패드를 연결하며, 상기 제2 도전형 전극과 일정한 간격을 두고 교번하는 제1 도전형 전극;
    을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극 및 제2도전형 전극 중 적어도 하나는 직선 또는 곡선 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  34. 제32항에 있어서,
    상기 제1 도전형 전극 및 상기 제2 도전형 전극 중 적어도 하나는 직선과 곡선의 혼합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  35. 제32항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층은 n형 또는 p형인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  36. 제32항에 있어서,
    상기 활성층은, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되되, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 사방 최외곽변으로부터 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  37. 제32항에 있어서,
    상기 제2 도전형 질화물 반도체층과 상기 투명전극 상에 형성되며, Mg, Cu 중 적어도 1종을 포함하는 In2O3으로 이루어진 오믹형성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  38. 제37항에 있어서,
    상기 오믹형성층과 투명전극 사이에 형성되며, Ag, Pt, Au, Co 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 일 금속으로 이루어진 한층 이상의 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  39. 제32항에 있어서,
    상기 기판의 하면에 형성되어, 기판방향으로 방사되는 빛을 상부로 반사시키는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  40. 제32항에 있어서,
    상기 기판의 하면 및 측면에 형성되어, 발생된 빛을 상부로 반사시키는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  41. 제39항 또는 제40항에 있어서,
    상기 반사층은 다수의 고굴절율의 광학박막과 저굴절율의 광학박막이 교대로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
  42. 제41항에 있어서,
    상기 고굴절율 광학박막과 저굴절율 광학박막 각각은 산화막, 질화막 또는 금속막 중 어느 하나이며,
    상기 산화막은 Si, Zr, Ta, Ti, Al 중 하나와 O의 화합물이고,
    상기 질화막은 Si, Zr, Ta, Ti, Al 중 하나와 N의 화합물이고,
    상기 금속막은 Al 또는 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
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