KR101179605B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents

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KR101179605B1
KR101179605B1 KR1020110016843A KR20110016843A KR101179605B1 KR 101179605 B1 KR101179605 B1 KR 101179605B1 KR 1020110016843 A KR1020110016843 A KR 1020110016843A KR 20110016843 A KR20110016843 A KR 20110016843A KR 101179605 B1 KR101179605 B1 KR 101179605B1
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electrode
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전수근
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주식회사 세미콘라이트
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Abstract

본 개시는 제1 전도성을 가지는 제1 반도체층, 제1 전도성과 다른 제2 전도성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층; 제2 반도체층 위에 위치하는 2개의 제1 패드 전극; 제1 반도체층 위에서 2 개의 제1 패드 전극 사이를 향하여 뻗은 제1 가지 전극; 그리고 두개의 제2 패드 전극으로부터 각각 연장되어 X 자 형상으로 교차하며 제1 가지 전극의 양측으로 뻗으며, 제1 가지 전극에 대해 외측으로 볼록하게 휘어진 제2 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자 {SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 발광의 균일성이 향상된 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(10; 예; 사파이어 기판), 기판(10) 위에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(30), n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 성장되는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(50), p형 3족 질화물 반도체층(50) 위에 형성되는 전류확산 전극(60), 전류확산 전극(60) 위에 형성되는 p측 패드 전극(70), p형 3족 질화물 반도체층(50)과 활성층(40)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 형성되는 n측 패드 전극(80), 그리고 보호막(90)을 포함한다.
전류확산 전극(60)은 p형 3족 질화물 반도체층(50) 전체로 전류가 잘 공급되도록 하기 위해 구비된다. 전류확산 전극(60)은 p형 3족 질화물 반도체층의 거의 전면에 걸쳐서 형성되며, 예를 들어, ITO 또는 Ni 및 Au를 사용하여 투광성 전극으로 형성되거나, Ag를 사용하여 반사형 전극으로 형성될 수 있다.
p측 패드 전극(70)과 n측 패드 전극(80)은 전류의 공급과 외부로의 와이어 본딩을 위한 메탈 전극으로서, 예를 들어, 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 사용하여 형성될 수 있다.
보호막(90)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략될 수도 있다.
반도체 발광소자의 대면적화 및 고전력 소모에 따라, 반도체 발광소자 내에서 원활한 전류확산을 위해 가지 전극과 복수의 전극이 도입되고 있다. 예를 들어, 3족 질화물 반도체 발광소자가 대면적화됨(예를 들어, 가로/세로가 1000um/1000um)에 따라, p측 패드 전극(70)과 n측 패드 전극(80)에 가지 전극을 구비함으로써, 전류확산을 개선하고 있으며, 더하여 충분한 전류 공급을 위해 p측 패드 전극(70)과 n측 패드 전극(80)이 각각 복수 개가 마련되기도 한다.
그러나 전극과 가지 전극은 전기적으로 연결되어 있어서 이상적으로는 등전위이지만, 실제로는 전류가 p측 패드 전극(70)과 n측 패드 전극(80)의 사이로 전류가 쏠리는 경향이 있다.
예를 들어, 도 2는 미국특허 제6,307,218호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자가 대면적화됨에 따라 p측 패드 전극(710)과 n측 패드 전극(810) 사이에 등간격을 가지는 가지 전극(910)을 구비하여 전류 확산을 개선하는 기술이 기재되어 있다. 그러나 이러한 전극 구조를 지니는 발광소자는 p측 패드 전극(710)과 n측 패드 전극(810) 간의 거리가 가까운 영역(R1)으로 전류가 집중되는 문제가 있다. 또한, 가지 전극의 끝에 대응하는 영역(R2)에서는 가지 전극의 끝과 주변의 전극과의 거리가 불균일하여 전류확산이 불균일한 문제가 있다.
이와 같이 전류가 반도체 발광소자의 국부적인 영역에 편중되는 경우, 반도체 발광소자의 발광면적 전체에서 균일하게 빛을 낼 수가 없어 장기적으로 반도체 발광소자의 특성이 저하되는 문제가 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 전도성을 가지는 제1 반도체층, 제1 전도성과 다른 제2 전도성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층; 제2 반도체층 위에 위치하는 2개의 제1 패드 전극; 제1 반도체층 위에서 2 개의 제1 패드 전극 사이를 향하여 뻗은 제1 가지 전극; 그리고 두개의 제1 패드 전극으로부터 각각 연장되어 X 자 형상으로 교차하며 제1 가지 전극의 양측으로 뻗으며, 제1 가지 전극에 대해 외측으로 볼록하게 휘어진 제2 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국특허 제6,307,218호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 3 및 도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하는 도면,
도 5는 도 4에 도시된 반도체 발광소자의 발광을 측정한 사진,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3 및 도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하는 도면이다.
반도체 발광소자(300)는 기판(도시되지 않음), 버퍼층(도시되지 않음), 제1 반도체층(330), 활성층(도시되지 않음), 제2 반도체층(350), 투광성 전극(360), 제1 패드 전극(370), 제2 패드 전극(380), 제1 가지 전극(381), 제2 가지 전극(371), 제3 가지 전극(383) 및 제4 가지 전극(373)을 포함한다.
기판 위에, 도 3에 도시된 것과 같이, 버퍼층, 제1 반도체층(330), 활성층 및 제2 반도체층(350)이 형성된다. 기판(310) 위에 에피성장되는 반도체층들은 주로 유기금속기상성장법(MOCVD)에 의해 성장되며, 필요에 따라서 각 층들은 다시 세부층들을 포함할 수 있다.
이하에서는 제1 반도체층(330), 제2 반도체층(350) 및 활성층이 III-V족 화합물 반도체로 형성된 경우로서, Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)으로 표현되는 3족 질화물 반도체로 형성된 경우를 예로 하여 설명한다.
기판은 동종기판으로 GaN계 기판이 이용되며, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용되지만, 3족 질화물 반도체층이 성장될 수 있는 기판이라면 어떠한 형태이어도 좋다.
제1 반도체층(330)과 제2 반도체층(350)은 서로 다른 도전성을 갖도록 구비된다. 본 개시에서는 제1 반도체층(330)은 n형 질화물 반도체층(330; 예를 들어, n형 GaN층)으로, 제2 반도체층(350)은 p형 질화물 반도체층(350; 예를 들어, p형 GaN층)으로, 제1 패드 전극(370)은 p측 패드 전극(370)으로, 제2 패드 전극(380)은 n측 패드 전극(380)으로 사용한다.
이후, p형 질화물 반도체층(350) 및 활성층을 식각하여 n형 질화물 반도체층(330)을 노출한다. 여러 개의 반도체층을 제거하는 방법으로 건식식각 방법, 예를 들어 ICP(Inductively Coupled Plasma)이 사용될 수 있다. 식각 공정에 의해 n측 패드 전극(380), 제1 가지 전극(381) 및 제3 가지 전극(383)에 대응하는 n-contact 영역(335)의 n형 질화물 반도체층(330)이 도 3에 도시된 것과 같이 노출된다.
계속해서 스퍼터링(Sputtering)법, 전자빔 증작법(E-beam Evaporation), 열증착법 등을 사용하여, 도 4에 도시된 것과 같이, p형 질화물 반도체층(350)의 거의 전면에 투광성 전극(360)을 형성한다. 전술된 것과 다르게 투광성 전극(360)을 형성한 이후 n-contact 영역(335)을 노출하는 식각공정을 수행할 수도 있다.
투광성 전극(360)은 전류를 확산시켜 빛의 균일성을 향상한다. 투광성 전극(360)은 주로 ITO 또는 Ni/Au 산화막으로 형성된다. 투광성 전극(360)이 너무 얇으면 전류확산에 불리하여 구동전압이 높아지며, 너무 두꺼우면 빛 흡수로 인해 광추출효율이 저하될 수 있다.
계속해서, 스퍼터링(Sputtering)법, 전자빔 증작법(Ebeam Evaporation), 열증착법 등의 방법으로, 예를 들어, 크롬, 니켈 및 금을 적층하여 n측 패드 전극(380), p측 패드 전극(370), 제1 가지 전극(381), 제2 가지 전극(371), 제3 가지 전극(383) 및 제4 가지 전극(373)을 형성한다.
반도체 발광소자(300)의 형상은 다양하게 변경될 수 있다. 도 4에는 대략 가로 및 세로가 비슷한 사각형의 평면 형상을 갖는 반도체 발광소자(300)가 예시되어 있다. 따라서 반도체 발광소자(300)는 서로 대향하는 제1 변 및 제2 변과, 제1 변 및 제2 변을 연결하며 서로 대향하는 제3 변 및 제4 변을 가진다.
반도체 발광소자(300)의 사이즈가 증가함에 따라 패드 전극 및 가지 전극의 수도 증가될 수 있으며, 도 4에서 2개의 p측 패드 전극(370)과, 2개의 n측 패드 전극(380)과, 제1 내지 제4 가지 전극(381, 371, 383, 373)이 구비된 반도체 발광소자(300)의 일 예가 도시되어 있다.
2개의 p측 패드 전극(370)은 발광영역의 제1 변에 근접하게 투광성 전극(360) 위에 위치한다. 2개의 n측 패드 전극(380)은 제1 변과 대향하는 발광영역의 제2 변에 근접하게 n형 질화물 반도체층(330) 위에 위치한다.
제1 가지 전극(381)은 n형 질화물 반도체층(330) 위에 위치하며, 발광영역의 가운데에서 2개의 p측 패드 전극(370) 사이를 향하여 뻗어 있다. 예를 들어, 제1 가지 전극(381)은 2개의 n측 패드 전극(380)을 연결하는 수평부와, 수평부의 가운데로부터 연장되어 두개의 p측 패드 전극(370)의 중간을 향하여 일직선으로 뻗은 수직부를 포함할 수 있다. 따라서 제1 가지 전극(381)은, 도 4에 도시된 것과 같이, 대략 ㅗ자 형상 또는 뒤집어진 T자 형상을 가질 수 있다.
제2 가지 전극(371)은 투광성 전극(360) 위에 위치하며, 2개의 p측 패드 전극(370)으로부터, 도 4에 도시된 것과 같이, 대략 X자 형상으로 연장된다. 제2 가지 전극(371)의 X자 형상 가지는 서로 마주보는 p측 패드 전극(370)을 향하여 각각 연장되다가 제1 가지 전극(381)의 단부를 향하여 휘어지며 교차하고, 제1 가지 전극(381)의 수직부 양측으로 뻗어 있다. 제2 가지 전극(371)의 X자 형상의 가지는 제1 가지 전극(381)에 대해 발광영역의 외측으로 볼록하게 휘어져 있다. 따라서 제1 가지 전극(381)과 제2 가지 전극(371)과의 거리는 제1 가지 전극(381)의 수직부의 가운데로 갈수록 증가한다. 따라서 제1 가지 전극(381)과 제2 가지 전극(371) 사이의 면적도 제1 가지 전극(381)의 수직부의 가운데로 갈수록 증가한다.
제2 가지 전극(371)의 X자 형상의 교차점은 발광영역의 제1 변과 제1 가지 전극(381)의 단부로부터 대략 등거리에 위치하므로, 제1 가지 전극(381)의 단부와 제2 가지 전극(371) 사이의 거리가 비교적 균일하게 될 수 있다. 따라서 도 2에서 설명된 것과 같이 가지 전극의 단부와 주변의 전극의 거리가 편차가 큰 경우에 비하여 전류확산의 균일성이 더 향상된다.
가지 전극 사이의 간격이 좁을수록 전류밀도가 높아질 수 있다. 균일한 발광을 위해서는 가지 전극 사이의 간격이 일정한 것이 좋을 것 같지만, 실제로는 n측 패드 전극(380)과 p측 패드 전극(370)의 사이 영역, 특히 제1 가지 전극(381)의 가운데 영역은 전류가 쏠릴 수 있다. 따라서 도 4에 도시된 것과 같이, 제2 가지 전극(371)을 볼록하게 형성하여 제1 가지 전극(381)의 가운데 영역에서 가지 전극 사이의 간격을 더 크게 하는 것이 발광의 균일성을 위해 오히려 더 좋을 수 있다.
이와 같이, 도 4에 도시된 제1 가지 전극(381) 및 제2 가지 전극(371)의 형상은 가지 전극의 가운데에 전류가 편중되거나 가지 전극의 끝에서 전류확산이 불균일한 문제를 효과적으로 해결할 수 있다.
2개의 제3 가지 전극(383)은 n형 질화물 반도체층(330) 위에서 두 개의 n측 패드 전극(380)으로부터 각각 대향하는 p측 패드 전극(370)을 향하여 제2 가지 전극(371)을 따라 볼록하게 휘어지도록 뻗어 있다. 제2 가지 전극(371)의 X자 형상의 가지가 제1 가지 전극(381)과 제3 가지 전극(383)의 사이에 위치한다. 따라서 제2 가지 전극(371)과 제3 가지 전극(383) 사이의 간격은 거의 일정하다. 제3 가지 전극(383)의 단부는 p측 패드 전극(370)에 근접하게 위치하여 전류가 n측 패드 전극(380)에 쏠리는 것을 방지한다.
제4 가지 전극(373)은 하나의 p측 패드 전극(370)으로부터 제3 가지 전극(383), n측 패드 전극(380) 및 제1 가지 전극(381)의 외측으로 연장되며 발광영역의 가장자리를 돌아서 다른 하나의 p측 패드 전극(370)에 연결된다. 제3 가지 전극(383)에 대응하는 제4 가지 전극(373)은 제3 가지 전극(383)을 따라 반도체 발광소자(300)의 제3 변 및 제4 변을 향하여 볼록하게 휘어져 있다.
바람직하게는 전류밀도의 균일성을 향상하기 위해 전류가 적게 흐를 수 있는 영역에는 가지 전극의 간격을 좁게 하고, 전류가 많이 흐를 수 있는 영역, 예를 들어, 전술한 바와 같이 패드 전극들 사이에 해당하는 발광영역의 가운데 영역에서는 가지 전극의 간격을 넓게 하면 전체적으로 전류밀도의 균일성을 향상할 수 있다.
예를 들어, 도 4에서 제1 변에 인접하여 2개의 p측 패드 전극(370)이 위치하고, 제2 변에 인접하여 2개의 n측 패드 전극(380)이 위치한다. 따라서 제3 변 및 제4 변측이 전류 흐름이 약할 수 있으므로, 가지 전극들 사이의 간격은 발광영역의 제3 변 및 제4 변에 가까울수록 좁게 형성되어 있다. 즉 제1 가지 전극(381)의 가운데와 제2 가지 전극(371) 사이의 간격(L1), 제2 가지 전극(371)과 제3 가지 전극(383) 사이의 간격(L2), 제3 가지 전극(383)과 제4 가지 전극(373) 사이의 간격(L3), 제4 가지 전극(373)과 제3 변 또는 제4 변과의 간격(L4)는 L4 < L3 < L2 < L1 관계로 형성되어 있다.
도 5는 도 4에 도시된 반도체 발광소자의 발광을 측정한 사진이다.
도 5를 참조하면, 제1 가지 전극(381), 제2 가지 전극(371), 제3 가지 전극(383) 및 제4 가지 전극(373) 사이의 영역에서 발광의 휘도가 거의 균일한 것을 확인할 수 있다. 또한, 제1 가지 전극(381)의 끝 및 제2 가지 전극(371)의 끝에서도 다른 영역과 휘도가 거의 차이 없이 균일하게 나오는 것을 확인할 수 있다. 이와 같이, 발광면적 전체적으로 균일한 휘도의 빛이 나오는 것을 확인할 수 있다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자(500)는 제4 가지 전극(573)이 반도체 발광소자(500)의 제2 변측에서 끊긴 것을 제외하고는 도 3 및 도 4에서 설명된 반도체 발광소자(300)와 실질적으로 동일하다. 따라서 대응하는 요소에는 대응하는 참조번호를 부여하고 중복된 설명은 생략한다.
가지 전극의 배치와 형상을 변경할 수 있으며, 예를 들어, 제4 가지 전극을 도 6에 도시된 것과 같이 일부 영역에서 끊어지게 형성할 수 있다.
이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 제2 가지 전극의 X자 형상의 가지의 교차점은 반도체 발광소자의 변과 제1 가지 전극의 단부의 사이의 중간에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
가지 전극의 가운데와 끝에서 전류 쏠림 또는 불균일을 함께 해결하는 일 예로 제2 가지 전극이 X자 형상을 갖는 예를 설명하였지만, 이외에도 다양한 형상으로 가지 전극을 형성할 수 있다.
(2) 제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이의 거리는 제1 가지 전극의 가운데로 갈수록 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(3) 두개의 제1 패드 전극에 대향하여 제1 반도체층 위에 위치하며, 제1 가지 전극과 전기적으로 연결된 2개의 제2 패드 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(4) 제1 가지 전극은 두개의 제2 패드 전극을 연결하는 수평부; 그리고 수평부로부터 돌출되어 제2 가지 전극의 X 자 형상의 가지 사이로 연장되는 수직부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(5) 두 개의 제2 패드 전극으로부터 각각 대향하는 제1 패드 전극을 향하여 제2 가지 전극을 따라 볼록하게 휘어지도록 연장되는 제3 가지 전극;으로서, 제2 가지 전극의 X자 형상의 가지가 제1 가지 전극과 제3 가지 전극의 사이에 위치하는 제3 가지 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(6) 2개의 제1 패드 전극으로부터 각각 제3 가지 전극, 제1 패드 전극 및 제1가지 전극의 외측으로 연장되며, 제3 가지 전극을 따라 볼록하게 휘어진 제4 가지 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(7) 제2 반도체층 위에 형성되는 투광성 전극;으로서, 제1 패드 전극, 제2 가지 전극 및 제4 가지 전극이 투광성 전극 위에 위치하는 투광성 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(8) 제2 반도체층 및 활성층이 식각되어 노출된 제1 반도체층 위에 제2 패드 전극, 제1 가지 전극 및 제3 가지 전극이 위치하며, 2개의 제1 패드 전극은 반도체 발광소자의 제1 변에 위치하며, 2개의 제2 패드 전극은 제1 변과 대향하는 반도체 발광소자의 제2 변에 위치하며, 제2 가지 전극, 제3 가지 전극 및 제4 가지 전극은 제1 변 및 제2 변을 연결하며 서로 대향하는 반도체 발광소자의 제3 변 및 제4 변을 향하여 볼록하게 휘어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(9) 제1 가지 전극의 가운데와 제2 가지 전극 사이의 간격(L1), 제2 가지 전극과 제3 가지 전극 사이의 간격(L2), 제3 가지 전극과 제4 가지 전극 사이의 간격(L3), 제4 가지 전극과 제3 변 또는 제4 변과의 간격(L4)는 L4 < L3 < L2 < L1 관계로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
본 개시에 따른 반도체 발광소자에 의하면, 전류확산의 균일성이 향상되어 발광의 균일성이 향상된다.
300 : 반도체 발광소자 330 : n형 질화물 반도체층
350 : p형 질화물 반도체층 360 : 투광성 전극
370 : p측 패드 전극 371 : 제2 가지 전극
373 : 제4 가지 전극 380 : n측 패드 전극
381 : 제1 가지 전극 383 : 제3 가지 전극

Claims (10)

  1. 제1 전도성을 가지는 제1 반도체층, 제1 전도성과 다른 제2 전도성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층;
    제2 반도체층 위에 위치하는 2개의 제1 패드 전극;
    제1 반도체층 위에서 2 개의 제1 패드 전극 사이를 향하여 뻗은 제1 가지 전극; 그리고
    두개의 제1 패드 전극으로부터 각각 연장되어 X 자 형상으로 교차하며 제1 가지 전극의 양측으로 뻗으며, 제1 가지 전극에 대해 외측으로 볼록하게 휘어진 제2 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    제2 가지 전극의 X자 형상의 가지의 교차점은 반도체 발광소자의 변들 중 제1 가지 전극이 향하는 변과 제1 가지 전극의 단부의 사이의 중간에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이의 거리는 제1 가지 전극의 가운데로 갈수록 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    두개의 제1 패드 전극에 대향하여 제1 반도체층 위에 위치하며, 제1 가지 전극과 전기적으로 연결된 2개의 제2 패드 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 청구항 4에 있어서,
    제1 가지 전극은
    두개의 제2 패드 전극을 연결하는 수평부; 그리고
    수평부로부터 돌출되어 제2 가지 전극의 X 자 형상의 가지 사이로 연장되는 수직부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 청구항 4에 있어서,
    두 개의 제2 패드 전극으로부터 각각 대향하는 제1 패드 전극을 향하여 제2 가지 전극을 따라 볼록하게 휘어지도록 연장되는 제3 가지 전극;을 더 포함하되, 제2 가지 전극의 X자 형상의 가지가 제1 가지 전극과 제3 가지 전극의 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 청구항 6에 있어서,
    2개의 제1 패드 전극으로부터 각각 제3 가지 전극, 제1 패드 전극 및 제1가지 전극의 외측으로 연장되며, 제3 가지 전극을 따라 볼록하게 휘어진 제4 가지 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    제2 반도체층 위에 형성되는 투광성 전극;으로서, 제1 패드 전극, 제2 가지 전극 및 제4 가지 전극이 투광성 전극 위에 위치하는 투광성 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 청구항 8에 있어서,
    제2 반도체층 및 활성층이 식각되어 노출된 제1 반도체층 위에 제2 패드 전극, 제1 가지 전극 및 제3 가지 전극이 위치하며, 2개의 제1 패드 전극은 반도체 발광소자의 제1 변에 위치하며, 2개의 제2 패드 전극은 제1 변과 대향하는 반도체 발광소자의 제2 변에 위치하며, 제2 가지 전극, 제3 가지 전극 및 제4 가지 전극은 제1 변 및 제2 변을 연결하며 서로 대향하는 반도체 발광소자의 제3 변 및 제4 변을 향하여 볼록하게 휘어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 청구항 9에 있어서,
    제1 가지 전극의 가운데와 제2 가지 전극 사이의 간격(L1), 제2 가지 전극과 제3 가지 전극 사이의 간격(L2), 제3 가지 전극과 제4 가지 전극 사이의 간격(L3), 제4 가지 전극과 제3 변 또는 제4 변과의 간격(L4)는 L4 < L3 < L2 < L1 관계로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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US9070834B2 (en) 2013-06-18 2015-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100890740B1 (ko) 2007-02-15 2009-03-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자
KR100998322B1 (ko) 2008-09-25 2010-12-03 (주)더리즈 발광 소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100890740B1 (ko) 2007-02-15 2009-03-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자
KR100998322B1 (ko) 2008-09-25 2010-12-03 (주)더리즈 발광 소자

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101349891B1 (ko) * 2012-09-13 2014-02-13 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
US9070834B2 (en) 2013-06-18 2015-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device

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