KR20130111792A - 전류 분산 효과가 우수한 고휘도 질화물 발광소자 - Google Patents

전류 분산 효과가 우수한 고휘도 질화물 발광소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 우수한 전류 분산 효과를 나타내면서, 비발광 영역을 최소화할 수 있는 전극 구조를 가지는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
본 발명의 질화물계 발광소자는 질화물층을 통하여 흐르는 전류를 고르게 분산하면서도, 메사 식각 등으로 인한 활성층의 손실을 최소화하여 유효 발광 면적을 넓힐 수 있다.
또한 복수개의 컨택홀을 형성하여 전류 분산 효과를 높이고, 컨택홀의 크기, 연장 전극의 위치 등을 조절함으로써 발광소자의 휘도(Brightness) 향상을 기대할 수 있다.

Description

전류 분산 효과가 우수한 고휘도 질화물 발광소자{Nitride based Light Emitting Diode with Improved Current Spreading Performance and High Brightness}
본 발명은 우수한 전류 분산 효과를 나타내면서, 비발광 영역을 최소화할 수 있는 전극 구조를 가지는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
종래의 질화물 반도체 소자에는 예를 들어 GaN계 질화물 반도체 소자를 들 수 있고, 이 GaN계 질화물 반도체 발광소자는 그 응용 분야에 있어서 청색 또는 녹색 LED의 발광소자, MESFET과 HEMT 등의 고속 스위칭과 고출력 소자 등에 응용되고 있다.
특히, 청색 또는 녹색 LED 발광소자는 이미 양산화가 진행된 상태이며 전 세계적인 매출은 크게 증가하고 있는 상황이다.
도 1은 일반적인 질화물계 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 질화물계 발광소자는 성장 기판(11)로부터 형성된다. 보다 구체적으로, 질화물계 발광소자는, n형 질화물 반도체층(12), 활성층(13) 및 p형 질화물 반도체층(14)을 포함한다.
이 때, n형 질화물 반도체층(12)에 전자를 주입하기 위하여, n형 질화물 반도체층(12)에 전기적으로 연결되도록 n측 전극 패드(15)이 형성된다. 또한, p형 질화물 반도체층(14)에 정공을 주입하기 위하여, p형 질화물 반도체층(14)에 전기적으로 연결되도록 p측 전극 패드(16)가 형성된다.
그러나 p형 질화물 반도체층은 높은 비저항을 가지므로, p형 질화물 반도체층 내에서 전류가 고르게 분산되지 못하고, 상기 p측 전극 패드가 형성된 부분에 전류가 집중된다. 또한, 상기 전류는 반도체층들을 통해 흘러서 n측 전극 패드로 빠져나간다. 이에 따라, 상기 n형 질화물 반도체층에서 n측 전극 패드가 형성된 부분에 전류가 집중되며, 발광 다이오드의 모서리를 통해 전류가 집중적으로 흐르는 문제점이 발생된다. 상기와 같은 전류의 집중은 발광영역의 감소로 이어지고, 결과적으로 발광 효율을 저하시킨다.
특히, 2개의 전극이 발광구조의 상면에 거의 수평으로 배열되는 플래너(planar)구조 질화물 발광소자는, 수직(vertical)구조 발광소자에 비해 전류흐름이 전체 발광영역에 균일하게 분포하지 못하므로, 발광에 가담하는 유효면적이 크지 못하다는 문제가 있다.
한편, 조명용 발광소자와 같이 고출력을 위해서, 발광소자는 점차 약 1㎟ 이상으로 대면적화되는 추세에 있다. 하지만, 발광소자는 대면적화될수록 전체면적에서 균일한 전류분포를 실현하는 것은 보다 어려운 문제이다. 이와 같이, 대면적화에 따른 전류분산효율문제는 질화물 발광소자에서 중요한 기술적 과제로 인식되고 있다.
종래 전류밀도를 향상시키고 면적효율성을 향상시키기 위하여 주로 다양한 p측 전극과 n측 전극의 형태과 배열을 개선하는 방향으로 연구되어 왔다. 그 일 예로 미국특허 제6,486,499호에서는 n측 전극과 p측 전극이 서로 일정한 간격을 갖도록 연장되어 맞물린 다수의 전극지(finger)를 포함하는 것을 개시하고 있다. 이러한 전극 구조를 통하여 추가적인 전류 경로를 제공하고, 넓은 유효발광면적을 확보하며 균일한 전류 흐름을 형성하고자 하였다.
그러나 이러한 전극 구조에서도 p측 전극 부근의 p형 질화물 반도체층에서 전류밀도가 증가함에 따라 출력효율이 저하되고, 전류 분산 효율에 한계가 있었다.
따라서 질화물 반도체층을 통하여 흐르는 전류를 고르게 분산시킬 수 있는 질화물 반도체 발광소자의 개발이 지속적으로 요구되는 실정이다.
이에 본 발명자들은 우수한 전류 분산 효과를 나타낼 수 있고, 비발광 영역을 최소화할 수 있는 전극 구조를 가지는 질화물 반도체 발광소자를 개발하고자 연구, 노력한 결과, 제1 반도체층을 노출시키도록 형성된 컨택홀 내부 및 제2 반도체층 상부에 노출된 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 제1 연장 전극을 형성하고, 제2 반도체층과 제1 연장 전극 사이 및 상기 컨택홀의 측벽과 제1 연장 전극 사이에 절연층을 형성하여 전류 분산을 극대화하고, 발광 영역을 증가시켜 휘도를 향상시킬 수 있음을 발견함으로써 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서 본 발명의 목적은 우수한 전류 분산 효과를 나타내면서도 비발광 영역을 최소화한 전극 구조를 가지는 질화물 반도체 발광소자를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하고, 상기 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 연장 전극; 상기 제1 반도체층을 노출시키도록 형성된 컨택홀; 및 상기 컨택홀에 의하여 노출된 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 제1 연장 전극을 포함하며, 상기 제1 연장 전극과 상기 활성층 또는 제2 반도체층간을 전기적으로 절연하는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
보다 구체적인 일 예의 질화물 반도체 발광소자는,
n형 질화물층, 활성층 및 p형 질화물층을 포함하고, 상기 p형 질화물층 상부에 형성된 p측 전극 패드; 상기 p측 전극 패드에 전기적으로 연결된 p측 연장 전극; 상기 p형 질화물층 및 활성층을 관통하여 상기 n형 질화물층을 노출시키도록 형성된 컨택홀; 상기 컨택홀 내부 및 p형 질화물층 상부에 형성되고, 컨택홀에 의하여 노출된 n형 질화물층을 전기적으로 연결하는 n측 연장 전극; 및 상기 n측 연장 전극과 전기적으로 연결된 n측 전극 패드를 포함하며, 상기 n측 연장 전극 하부 영역에는 상기 p형 질화물층과 n측 연장 전극 사이 및 상기 컨택홀의 측벽과 n측 연장 전극 사이에 직접 접촉하여 형성되는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 질화물계 발광소자는 질화물층을 통하여 흐르는 전류를 고르게 분산하면서도, 메사 식각 등으로 인한 활성층의 손실을 최소화하여 유효 발광 면적을 넓힐 수 있다.
또한 복수개의 컨택홀을 형성하여 전류 분산 효과를 높이고, 컨택홀의 크기, 연장 전극의 위치 등을 조절함으로써 발광소자의 휘도(Brightness) 향상을 기대할 수 있다.
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광소자의 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 평면도이다.
도 3은 도 2의 절취선 A-A에서 얻어진 단면도이다.
도 4는 도 2의 절취선 B-B에서 얻어진 단면도이다.
도 5 내지 10는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 평면도이다.
도 11은 본 발명의 비교예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 질화물계 발광소자에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같으며, 제1 반도체층은 n형 질화물층, 제2 반도체층은 p형 질화물층, 제1 연장 전극은 n측 연장 전극, 제2 연장 전극은 p측 연장 전극으로 나타난다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 수평형 질화물 반도체 발광소자의 평면도이다.
도 2에서 도시된 바와 같이, p형 질화물층 및 활성층을 관통하여 상기 n형 질화물층을 노출시키도록 형성된 컨택홀(110)과, 상기 컨택홀 내부 및 p형 질화물층 상부에 컨택홀에 의하여 노출된 n형 질화물층을 전기적으로 연결하는 n측 연장 전극(111)을 포함한다. 또한 상기 n측 연장 전극(111)은 n측 전극 패드(112)에 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 컨택홀(110)은 n측 연장 전극(111) 내 2개 이상 포함될 수 있다. 상기 2개 이상의 컨택홀(110)은 서로 떨어져 규칙적으로 형성될 수 있으나, 형성되는 위치가 특별히 한정되지 아니하고, 일직선 상이 아닌 다양한 형태로 배열될 수 있다.
그리고 p측 연장 전극(121)이 p형 질화물층 상부 중 일부에 위치한 p측 전극 패드(122)와 전기적으로 연결되어 p측 전극부를 형성한다. 상기 n측 연장 전극(111)은 상기 p측 연장 전극(121)과 전기적으로 절연되도록 형성된다.
보다 구체적인 구성을 설명하기 위하여 도 3 및 4에서 도 2의 절취선 A-A, B-B를 따라 보여지는 단면도를 나타내었다.
도 3에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 기판(130)의 상부 방향으로 버퍼층(140), n형 질화물층(150), 활성층(160), p형 질화물층(170)이 적층되어 형성된다.
상기 p형 질화물층(170) 및 활성층(160)을 관통하여 상기 n형 질화물층(150)을 노출시키도록 컨택홀(110)이 형성된다. 상기 컨택홀(110)은 포토레지스트 등을 통하여 형성될 수 있는데, 패턴 마스크로 포토 레지스트를 이용하는 경우 요철패턴은 포토 리소그래피(photo-lithography), 전자빔 리소그래피(e-beam lithography), 이온빔 리소그래피(Ion-beam Lithography), 극자외선 리소그래피(Extreme Ultraviolet Lithography), 근접 X선 리소그라피(Proximity X-ray Lithography) 또는 나노 임프린트 리소그래피(nano imprint lithography) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있고, 또한 이와 같은 방법은 건식 식각 또는 습식 식각을 이용할 수 있다.
상기 컨택홀(110)에 의하여 노출된 n형 질화물층(150) 상에는 n-컨택층(151)이 더 포함될 수 있다. 상기 n-컨택층(151)은 n형 질화물(150)에 오믹 컨택되어 접촉 저항을 낮춘다. 상기 n-컨택층(151)은 투명 전도성 산화물로 이루어질 수 있으며, 그 재질은 In, Sn, Al, Zn, Ga 등의 원소를 포함하며, 예컨대 ITO, CIO, ZnO, NiO, In2O3 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
또한 상기 컨택홀(110)의 측벽에는 절연층(180)이 형성되어, 컨택홀(110)의 측벽과 n측 연장 전극(111)을 이격시키며, 상기 컨택홀(110)에 의하여 노출되는 n형 질화물층의 일부는 노출되도록 한다. 또한 상기 컨택홀은 p형 질화물(170)의 상부로 연장되어 p형 질화물층(170)과 n측 연장 전극(111)을 이격시킨다. 상기 절연층(180)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성될 수 있으며, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법, 스퍼터링 방법, MOCVD 방법 또는 전자빔 증착(e-beam evaporation) 방법으로 형성될 수 있다.
상기 n측 연장 전극(111)은 컨택홀(110) 내부 및 p형 질화물층(170) 상부에 형성되어, 컨택홀(110)에 의하여 노출된 n형 질화물층을 전기적으로 연결하는 역할을 하며, 금속, 합금 도는 금속 산화물 등 전기적 연결이 가능한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 n측 연장 전극(111) 하부 영역에 상기 p형 질화물층(170)과 n측 연장 전극 사이(111) 및 상기 컨택홀(110)의 측벽과 n측 연장 전극(111) 사이에 직접 접촉하여 절연층(180)이 형성된다.
상기 n측 연장 전극(111)과 이격되어 형성된 p측 연장 전극(121)의 하부에는 p-컨택층(171)이 형성될 수 있으며, 상기 p-컨택층(171)은 p형 질화물(170)에 오믹 컨택되어 접촉 저항을 낮춘다. 상기 p-컨택층(171)은 투명 전도성 산화물로 이루어질 수 있으며, 그 재질은 In, Sn, Al, Zn, Ga 등의 원소를 포함하며, 예컨대 ITO, CIO, ZnO, NiO, In2O3 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 p-컨택층(171)은 상기 n측 연장 전극(111) 하부 영역에는 형성되지 아니한다.
도 4에서 도시된 바와 같이, p측 연장 전극(121)의 하부에는 기판(130)의 상부 방향으로 버퍼층(140), n형 질화물층(150), 활성층(160), p형 질화물층(170)이 형성되고, 상기 p측 연장 전극(121)은 p측 전극 패드(122)와 전기적으로 연결된다.
한편 상기 기판(130)은 사파이어를 비롯하여, SiC, Si, GaN, ZnO, GaAs, GaP, LiAl2O3, BN 또는 AlN 등의 화합물로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(140)은 기판(130)과 n형 질화물층(150) 사이의 격자 부정합을 해소하기 위해 선택적으로 형성될 수 있고, 예컨대 AlN 또는 GaN으로 형성할 수 있다.
n형 질화물층(150)은 기판(130) 또는 버퍼층(140)의 상부면에 형성되고, n형 도판트가 도핑되어 있는 질화물로 형성된다. 상기 n형 도판트로는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 등이 될 수 있다. 여기서, n형 질화물층(150)은 Si을 도핑한 n형 AlGaN 또는 언도우프 AlGaN으로 이루어진 제 1 층, 및 언도우프 또는 Si을 도핑한 n형 GaN로 이루어진 제 2 층이 번갈아가며 형성된 적층 구조일 수 있다. 물론, n형 질화물층(150)은 단층의 n형 질화물층으로 성장시키는 것도 가능하나, 제 1 층과 제 2 층의 적층 구조로 형성하여 크랙이 없는 결정성이 좋은 캐리어 제한층으로 작용할 수 있다.
활성층(160)은 n형 질화물층(150)과 p형 질화물층(170) 사이에서 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조로　이루어질 수 있으며, n형 질화물층(150)을 통하여 흐르는 전자와, p형 질화물층(170)을 통하여 흐르는 정공이 재결합(re-combination)되면서, 광이 발생된다. 여기서, 활성층(160)은 다중양자우물구조로서, 양자장벽층과 양자우물층은 각각 AlxGayInzN(이 때, x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1)으로 이루어질 수 있다. 이러한 양자장벽층과 양자우물층이 반복되어 형성된 구조의 활성층(160)은 발생하는 응력과 변형에 의한 자발적인 분극을 억제할 수 있다.
p형 질화물층(170)은 예컨대 Mg을 도핑한 p형 AlGaN 또는 언도우프 AlGaN으로 이루어진 제 1 층, 및 언도우프 또는 Mg을 도핑한 p형 GaN로 이루어진 제 2 층을 번갈아가며 적층한 구조로 형성될 수 있다. 또한, p형 질화물층(170)은 n형 질화물층(150)과 마찬가지로 단층의 p형 질화물층으로 성장시키는 것도 가능하나, 적층 구조로 형성하여 크랙이 없는 결정성이 좋은 캐리어 제한층으로 작용할 수 있다.
한편 상기 도 2의 평면도에서 보는 바와 같이, 상기 컨택홀(110)의 단면은 원으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니하고, 삼각형, 사각형 기타 다각형의 형태로 형성될 수 있다.
또한 상기 컨택홀(110)의 단면의 직경은 1 ~ 200 ㎛, 바람직하게는 5 ~ 150 ㎛ 의 범위로 형성될 수 있으며, 2 이상의 컨택홀이 형성되는 경우 그 단면의 크기는 모두 같거나 다를 수 있다. 특히, 상기 n측 연장 전극(111) 내에 2 이상의 컨택홀(110)이 형성되는 경우, 도 5에서 보는 바와 같이 전극 패드로부터 거리가 멀어질수록 컨택홀의 단면의 크기가 커질 수 있으며, 또한 그 반대로 도 6에서 보는 바와 같이 전극 패드로부터 거리가 멀어질수록 컨택홀의 단면의 크기가 작아질 수 있다.
상기 n측 연장 전극(111) 내 이웃하는 컨택홀(110) 간의 거리는 전체 발광 소자의 단면적에 따라 달라질 수 있으나, 바람직하게는 상기 n측 연장 전극 내 이웃하는 컨택홀 간의 거리가 10 ~ 500 ㎛, 더욱 바람직하게는 50 ~ 400 ㎛ 범위 내에 있도록 조절한다.
또한 상기 n측 연장 전극(111)의 폭은 1 ~ 100 ㎛, 바람직하게는 5 ~ 50 ㎛ 범위 내로 조절할 수 있으나, 이에 제한되지 아니한다. 특히, 상기 n측 연장 전극(111)의 폭이 일정하게 유지되면서 형성될 수 있으나, 도 7에서 보는 바와 같이 상기 n측 전극 패드로부터 거리가 멀어질수록 컨택홀을 연결하는 n측 연장 전극의 폭이 감소할 수 있으며, 또한 그 반대로 도 8에서 보는 바와 같이 상기 n측 연장 전극 내에서 n측 전극 패드로부터 거리가 멀어질수록 컨택홀을 연결하는 n측 연장 전극의 폭이 커질 수 있다.
상기 n측 전극 패드(112)에는 하나 또는 2 이상의 n측 연장 전극(111)이 전기적으로 연결될 수 있으며, 이 때 각각의 n측 연장 전극에 하나 이상의 컨택홀이 형성될 수 있다. 특히 상기 n측 연장 전극(111)은 절곡점이 없는 직선 형태뿐 만 아니라 도 9에서 보는 바와 같이 하나 이상의 절곡점을 갖도록 형성될 수 있다.
그리고 상기 p측 전극 패드(122)에도 역시 하나 또는 2 이상의 p측 연장 전극(121)이 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 2 이상의 p측 연장 전극(121)이 형성되는 경우 p측 전극 패드(122)에 연결되지 않는 반대편의 끝단은 각각 이격되어 형성되는 것이 일반적이나, 끝단이 서로 연결되어 폐도형을 형성할 수 있으며, 그 예로 도 10에서 보는 바와 같이 p측 연장 전극(121)이 직사각형을 형성하도록 이루어질 수 있다. 상기와 같이 p측 연장 전극(121)의 끝단이 서로 연결되더라도 n측 연장 전극(111)과는 절연층에 의하여 이격될 수 있음은 당업자에게 자명한 사실이다.
이하, 본 발명의 하기 실시예를 통하여 본 발명의 질화물 반도체 발광소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
실시예
도 2 내지 4와 같은 질화물계 발광소자를 구성하기 위하여 사파이어 기판에 질화물 발광소자의 질화물층으로 GaN을 적용하였고, 연장 전극으로 일반적인 Au 기반 전극을 적용하여 발광소자를 얻었다.
비교예
사파이어 기판에 실시예와 동일한 질화물계 성분으로 적층하되, 도 11과 같은 평면도를 가지는 발광소자를 제조하였다.
상기 실시예 및 비교예의 발광소자에서의 발광 출력을 패키지 상태에서 120 mA의 동일 전류를 인가하여 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1 에 나타내었다.
실시예 비교예
광출력(Optical power)
(mW)		 189 180
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 실시예의 발광소자는 비교예에 비하여 약 5% 이상 광출력 특성이 개선된 바, 실시예의 발광소자는 발광 면적의 증가로 인하여 우수한 광출력 특성을 나타낼 수 있음을 확인할 수 있었다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 이하에 기재되는 특허청구범위에 의해서 판단되어야 할 것이다.
110: 컨택홀 111: n측 연장 전극
112: n측 전극 패드 121: p측 연장 전극
122: p측 전극 패드 130: 기판
140: 버퍼층 150: n형 질화물층
151: n-컨택층 160: 활성층
170: p형 질화물층 171: p-컨택층
180: 절연층

Claims (20)

  1. 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자에 있어서,
    상기 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 연장 전극;
    상기 제1 반도체층을 노출시키도록 형성된 컨택홀; 및
    상기 컨택홀에 의하여 노출된 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 제1 연장 전극을 포함하고,
    상기 제1 연장 전극과 상기 활성층 또는 제2 반도체층간을 전기적으로 절연하는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제2 반도체층과 제1 연장 전극 사이 및 상기 컨택홀의 측벽과 제1 연장 전극 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극은 컨택홀 내부 및 제2 반도체층 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 컨택홀은 제1 연장 전극 내 2개 이상 포함되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 컨택홀에 의하여 노출된 제1 질화물층과 제1 연장 전극 사이에 제1 컨택층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 컨택홀의 단면은 원, 삼각형 또는 사각형 형태인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. 제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 컨택홀의 단면의 직경은 1 ~ 200 ㎛ 범위에 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극 내 컨택홀의 단면의 크기가 모두 같은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극과 전기적으로 연결된 제1 전극 패드 및 상기 제2 연장 전극과 전기적으로 연결된 제2 전극 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극 내에서 제1 전극 패드로부터 거리가 멀어질수록 컨택홀의 단면의 크기가 커지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극 내에서 제1 전극 패드로부터 거리가 멀어질수록 컨택홀의 단면의 크기가 작아지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  12. 제4항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극 내 컨택홀 간의 거리는 10 ~ 500 ㎛ 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  13. 제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극의 폭은 1 ~ 100 ㎛ 범위에 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  14. 제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극의 폭이 일정하게 유지되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극 내에서 제1 전극 패드로부터 거리가 멀어질수록 컨택홀을 연결하는 제1 연장 전극의 폭이 감소하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극 내에서 제1 전극 패드로부터 거리가 멀어질수록 컨택홀을 연결하는 제1 연장 전극의 폭이 커지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  17. 제9항에 있어서,
    상기 제1 전극 패드에 2 이상의 제1 연장 전극이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  18. 제1항 내지 제3항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 연장 전극은 하나 이상의 절곡점을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  19. 제9항에 있어서,
    상기 제2 전극 패드에 2 이상의 제2 연장 전극이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 2 이상의 제2 연장 전극의 끝단이 서로 연결되어 폐도형을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
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