JP5151758B2 - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5151758B2 JP5151758B2 JP2008186776A JP2008186776A JP5151758B2 JP 5151758 B2 JP5151758 B2 JP 5151758B2 JP 2008186776 A JP2008186776 A JP 2008186776A JP 2008186776 A JP2008186776 A JP 2008186776A JP 5151758 B2 JP5151758 B2 JP 5151758B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- emitting element
- diffusion electrode
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
図2に示すように、発光素子1は、(0001)面を有するサファイア基板50と、サファイア基板50の上に設けられるバッファ層60と、バッファ層60の上に設けられるn側コンタクト層61と、n側コンタクト層61の上に設けられるn側クラッド層62と、n側クラッド層62の上に設けられる発光部としての発光層63と、発光層63の上に設けられるp側クラッド層64と、p側クラッド層64の上に設けられるp側コンタクト層65とを備える。
図3に示すように、各中間電極12は、各延在部11aの幅方向中央に配置され、互いの長手方向ピッチの半分の寸法a(以下、単位寸法aという)が、拡散電極11の延在部11aの外縁までの寸法bと等しくなっている。ここでいう、「長手方向ピッチ」とは各中間電極12の中心間の寸法をいい、「外縁までの寸法」は中間電極12から外縁までの寸法をいう。尚、各中間電極12の単位寸法aは、延在部11aの外縁までの寸法bより短くてもよい。本実施形態においては、各中間電極12の単位寸法aは、65μmと比較的狭くなっている。また、拡散電極11の延在部11aの総面積は578000μm2であり、14450μm2あたりに1個の中間電極12が設けられている。ここでは、中間電極12の1個あたりの面積は615μm2であるが、この面積は小さいほど発光素子1から発せられる光量が増大する。
また、前記実施形態においては、III族窒化物半導体層を備えた発光素子を示したが、他の半導体層を備えたものであってもよい。
10 p側電極
11 拡散電極
11a 延在部
12 中間電極
13 接合電極
20 n側電極
21 オーミック電極
22 接合電極
25 凹部
30 p側バンプ
40 n側バンプ
50 サファイア基板
60 バッファ層
61 n側コンタクト層
62 n側クラッド層
63 発光層
64 p側クラッド層
65 p側コンタクト層
70 絶縁部
71 開口
72 開口
80 反射部
100 マスク
102 マスク
Claims (4)
- 発光層へ電流を供給し、所定方向へ延びる長方形状の延在部を有する拡散電極と、
前記拡散電極上に設けられ、前記延在部の幅方向中央に該延在部の長手方向に並べられ、互いの長手方向ピッチの半分の寸法aが前記延在部の外縁までの寸法bと同じ若しくは短い複数の中間電極と、
前記拡散電極上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記中間電極を介して前記拡散電極へ電流を供給する接合電極と、を備え、
前記拡散電極がITOよりなる透明電極であるフリップチップ型発光素子。 - 前記拡散電極は、複数の前記延在部が該延在部の幅方向に並べられた平面視櫛歯状を呈する請求項1に記載のフリップチップ型発光素子。
- 前記中間電極は、直径が20μm以上80μm未満である平面視円形を呈する請求項2に記載のフリップチップ型発光素子。
- 前記aが前記bに等しい請求項1に記載のフリップチップ型発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008186776A JP5151758B2 (ja) | 2008-07-18 | 2008-07-18 | 発光素子 |
US12/458,362 US8124999B2 (en) | 2008-07-18 | 2009-07-09 | Light emitting element and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008186776A JP5151758B2 (ja) | 2008-07-18 | 2008-07-18 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010027824A JP2010027824A (ja) | 2010-02-04 |
JP5151758B2 true JP5151758B2 (ja) | 2013-02-27 |
Family
ID=41733372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008186776A Active JP5151758B2 (ja) | 2008-07-18 | 2008-07-18 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5151758B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5381853B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-01-08 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
JP5633477B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-12-03 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
JP5541260B2 (ja) * | 2011-03-21 | 2014-07-09 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2016526797A (ja) * | 2013-07-03 | 2016-09-05 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | メタライゼーション層の下に応力緩和層を有するled |
JP7011185B2 (ja) | 2019-07-23 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6486499B1 (en) * | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
JP4604488B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2011-01-05 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2006005171A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
KR100576870B1 (ko) * | 2004-08-11 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
JP5162909B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2013-03-13 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
-
2008
- 2008-07-18 JP JP2008186776A patent/JP5151758B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010027824A (ja) | 2010-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5333382B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5152133B2 (ja) | 発光素子 | |
US9142729B2 (en) | Light emitting element | |
US8124999B2 (en) | Light emitting element and method of making the same | |
JP5777879B2 (ja) | 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ | |
JP5012187B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5793292B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5326957B2 (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子 | |
JP2011071339A (ja) | 発光素子 | |
JP5377725B1 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5151758B2 (ja) | 発光素子 | |
JP6009041B2 (ja) | 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ | |
JP4862386B2 (ja) | 半導体発光ダイオード | |
JP2011071444A (ja) | 発光素子 | |
JP5151764B2 (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
JP5353809B2 (ja) | 半導体発光素子及び発光装置 | |
JP6617218B1 (ja) | 赤外led素子 | |
JP5543164B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2005086137A (ja) | GaN系発光ダイオード | |
JP5865870B2 (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120314 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121119 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5151758 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |