JP7054430B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
図2は、図1におけるII-II断面図である。
φ2は図5に示す絶縁膜43の直径φ2の増大に伴うnコンタクト部22aの面積の減少に対するVfの変化を表す。
図11は、他の実施形態の発光素子におけるn側コンタクト面11bが設けられた領域の模式拡大断面図である。
Claims (4)
- 第1領域、第2領域、及び第3領域を有する上面と、前記上面の反対側に位置する下面とを含むn型半導体層と、前記n型半導体層の前記上面の前記第1領域上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられたp型半導体層と、を有する半導体積層体を備える発光素子であって、
前記n型半導体層と、前記n型半導体層の前記上面の前記第2領域上に設けられた前記発光層及び前記p型半導体層とを含む積層部を有し、
前記積層部の側面を連続して覆い、前記積層部の前記n型半導体層の側面、前記積層部の前記発光層の側面および前記積層部の前記p型半導体層の側面に接して設けられた金属材料からなる反射膜と、
前記反射膜に接して設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜に接して設けられ、前記n型半導体層の前記上面の前記第3領域に接するnコンタクト部を有するn側電極と、
前記第1領域上に位置する前記p型半導体層上に設けられ、前記p型半導体層に接するp側電極と、
を備え、
上面視において、前記積層部は、前記n側電極と接する前記n型半導体層の前記上面の前記第3領域に囲まれている発光素子。 - 上面視において、前記n型半導体層の前記上面の前記第3領域は、円環状であり、
前記第1の絶縁膜は、円形状である請求項1記載の発光素子。 - 前記p側電極の上に設けられた第2の絶縁膜をさらに備え、
前記n側電極は、前記第2の絶縁膜上に設けられ、前記nコンタクト部とつながった外部接続部を有する請求項1または2に記載の発光素子。 - 前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜は、同種材料の膜である請求項3に記載の発光素子。
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