JP6947996B2 - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、図1に示すように、成長基板10上に半導体構造20を形成したウエハを準備する。成長基板10は、窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる基板であればよく、基板の大きさや厚さは特に限定されない。この成長基板10としては、例えば、C面を主面とするサファイアのような絶縁性基板が挙げられる。
次に、図2に示すように、ウエハの上側から底部を有する分離溝30を形成する。分離溝30は行方向及び列方向にそれぞれ複数形成される。分離溝30は成長基板10に達する深さで形成することもできるが、本実施形態のように、成長基板10に達しない深さで形成することが好ましい。例えばエッチングにより分離溝30を形成する場合、成長基板10まで分離溝30を形成しようとすると、成長基板10と半導体構造20のエッチングレートの差によりその表面が一平面になりにくいが、半導体構造20で分離溝30を止めておけばその表面を一平面としやすくなる。また、成長基板10をレーザリフトオフする場合であっても、半導体構造20で分離溝30を止めておけば、分離溝30の底部よりも下方で隣接する半導体構造20同士が繋がったままの状態となる。これにより、成長基板10をレーザリフトオフする場合に、レーザ照射がウエハ全体に照射されず、レーザが照射されない領域が部分的に残った場合であっても、半導体構造20はその下部にて全体が繋がっているため、素子抜けを抑制することができる。
次に、半導体構造20の上側に、p電極41及びn電極42を形成する。具体的には、p型半導体21の上面にp電極41を形成し、半導体構造20の上側から部分的にp型半導体21、活性層22、及びn型半導体23の一部を除去して露出したn型半導体23の上面にn電極42を形成する。
次に、図4に示すように、分離溝30を含むウエハの上側に反射膜50を形成する。つまり、反射膜50は、分離溝30の表面と分離溝30の表面から連続する半導体構造20の表面とに形成される。本実施形態では、反射膜50として、絶縁膜51、誘電体多層膜52、及び金属膜53を形成しているが、少なくとも誘電体多層膜52が形成されていればよい。反射膜50を形成することで、発光素子1000をフェイスダウン実装した際に、光出力を向上させることができる。
次に、図10に示すように、ウエハの下側(図10の上側)から分離溝30の底部に達するようにウエハの一部を除去して、ウエハを複数の発光素子1000に分離する。本実施形態では、半導体構造20と成長基板10とを分離した後に、半導体構造20の下側から分離溝30の底部に達するように半導体構造20の一部を除去している。半導体構造20の一部を除去する方法としては、機械研磨、化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)などを用いることができる。特に、CMPによれば、より平坦な面が得られると共に、素子にダメージを与えにくい。なお、分離溝30が成長基板10に達する深さで形成されている場合は、半導体構造20と成長基板10とを分離せず、機械研磨、化学機械研磨等により成長基板10の一部を除去することで発光素子1000を得ることができる。分離溝30の底部に達するようにウエハの一部を除去することにより、側面全域に誘電体多層膜52が形成された発光素子1000を得ることができる。
本実施例は、図1〜図13に示した発光素子1000に対応するものである。以下、図1〜図13を参照して実施例の発光素子について説明する。
(図3参照)。また、n型半導体23の上側にチタン/ロジウムからなるn電極42を形成した(図3参照)。
(図7参照)。その後、サファイアからなる支持基板110に剥離層100となる感光性樹脂層と接着樹脂90となるエポキシ樹脂を順に形成して、半導体構造20がエポキシ樹脂に埋没するようにウエハの上側と支持基板110とを貼り合わせた(図8参照)。
(図12参照)。以上のようにしてピーク波長459nmの発光素子を作製した。
実施例2では、ピーク波長が522nmとなるように半導体構造20を構成した。また、誘電体多層膜を構成する酸化チタンの設計膜厚を58.5nmとし、酸化ケイ素の設計膜厚を98.2nmとして、3ペア形成した。なお、誘電体多層膜52の各層の膜厚は、発光素子のピーク波長を考慮して決定した。本実施例のそれ以外の構成については実施例1と実質的に同様である。
比較例1は、実施例1の誘電体多層膜をスパッタ法により形成した以外は実施例1と実質的に同様である。
比較例2は、実施例2の誘電体多層膜をスパッタ法により形成した以外は実施例2と実質的に同様である。
実施例1で得られた発光素子は比較例1に比較して輝度が約50%上昇し、実施例2で得られた発光素子は比較例2に比較して輝度が約30%上昇した。比較例1に対する実施例1の輝度の上昇率と、比較例2に対する実施例2の輝度の上昇率と、は異なるものの、いずれの実施例も比較例に比較して輝度を大幅に向上させることができた。これは、各比較例ではスパッタを用いたことにより発光素子の上方と側方で誘電体多層膜の膜厚が異なってしまうのに対して、各実施例ではALDを用いたことにより発光素子の上方と側方の両方に(つまり、ウエハの上側全域)にある程度高い精度で一定の膜厚の誘電体多層膜が形成できたためと考えられる。
10…成長基板
20…半導体構造
21…p型半導体
22…活性層
23…n型半導体
30…分離溝
41…p電極
42…n電極
43…中間電極
50…反射膜
51…絶縁膜
52…誘電体多層膜
52a…高屈折率材質層
52b…低屈折率材質層
53…金属膜
60a…第1開口部
60b…第2開口部
71…第1保護膜
72…第2保護膜
73…第3保護膜
81…pパッド
82…nパッド
90…接着樹脂
100…剥離層
110…支持基板
W…発光素子の横方向の最大長さ
H…発光素子の縦方向の最大長さ
Claims (8)
- 成長基板と、前記成長基板上に設けられた半導体構造と、を有し、前記成長基板側を下側とし、前記半導体構造側を上側とするウエハを準備する工程と、
前記ウエハの上側から、前記成長基板に達しないように底部を有する分離溝を形成する工程と、
前記半導体構造の上側にp電極及びn電極を形成する工程と、
前記分離溝を含む前記ウエハの上側に、原子層堆積法により誘電体多層膜を形成する工程と、
前記ウエハの下側から前記分離溝の底部に達するように前記ウエハの一部を除去することにより、前記ウエハを複数の発光素子に分離しつつ、前記誘電体多層膜の一部を前記半導体構造から露出させる工程と、
前記ウエハの一部を除去する工程により前記半導体構造から露出した前記誘電体多層膜に第2保護膜を形成する工程と、
前記第2保護膜を形成する工程の後、前記半導体構造を粗面化処理する工程と、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 成長基板と、前記成長基板上に設けられた半導体構造と、を有し、前記成長基板側を下側とし、前記半導体構造側を上側とするウエハを準備する工程と、
前記ウエハの上側から、前記成長基板に達するように底部を有する分離溝を形成する工程と、
前記半導体構造の上側にp電極及びn電極を形成する工程と、
前記分離溝を含む前記ウエハの上側に、原子層堆積法により誘電体多層膜を形成する工程と、
前記ウエハの下側から前記分離溝の底部に達するように前記ウエハの一部を除去することにより、前記ウエハを複数の発光素子に分離しつつ、前記誘電体多層膜の一部を前記成長基板から露出させる工程と、
前記ウエハの一部を除去する工程により前記成長基板から露出した前記誘電体多層膜に第2保護膜を形成する工程と、
前記第2保護膜を形成する工程の後、前記半導体構造を粗面化処理する工程と、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記p電極及びn電極を形成する工程の後であって、前記誘電体多層膜を形成する工程の前に、
前記分離溝を含む前記ウエハの上側に絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子の製造方法。 - 前記誘電体多層膜を形成する工程の後であって、前記ウエハの一部を除去する工程の前に、
前記誘電体多層膜の上側に金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。 - 前記金属膜を形成する工程の後であって、前記ウエハの一部を除去する工程の前に、
前記金属膜の上側に第1保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項4に記載の発光素子の製造方法。 - 前記ウエハを準備する工程において、前記成長基板と、前記成長基板側から順にn型半導体とp型半導体とを順に備える半導体構造と、を有するウエハを準備し、
前記p電極及び前記n電極を形成する工程において、前記p電極として透光膜を形成し、
前記誘電体多層膜を形成する工程において、前記p電極の上側に前記誘電体多層膜を形成することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。 - 前記誘電体多層膜を形成する工程の後であって、前記ウエハの一部を除去する工程の前に、
前記p電極の上側に設けられた前記誘電体多層膜を部分的に除去する工程と、
前記p電極と前記n電極にそれぞれpパッドとnパッドとを電気的に接続して形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。 - 前記ウエハの一部を除去する工程は、レーザリフトオフ法により前記半導体構造と前記成長基板とを分離することを含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
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