JP2019195050A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
図2は、図1におけるII−II断面図である。
φ2は図5に示す絶縁膜43の直径φ2の増大に伴うnコンタクト部22aの面積の減少に対するVfの変化を表す。
図11は、他の実施形態の発光素子におけるn側コンタクト面11bが設けられた領域の模式拡大断面図である。
Claims (9)
- 光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側に設けられたn側コンタクト面とを含むn型半導体層と、前記n型半導体層における前記n側コンタクト面を除く領域に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられたp型半導体層と、を有する半導体積層体を備える発光素子であって、
上面視において、
前記p型半導体層は、前記n側コンタクト面を囲むように設けられており、
前記n側コンタクト面の中央部を含む領域に設けられた第1の絶縁膜と、
前記n側コンタクト面における前記第1の絶縁膜の周囲に設けられ、前記n側コンタクト面に接するnコンタクト部を有するn側電極と、
前記p型半導体層上に設けられ、前記p型半導体層に接するp側電極と、
を備えた発光素子。 - 前記n側コンタクト面は、円形状であり、
前記第1の絶縁膜は、円形状である請求項1記載の発光素子。 - 前記第1の絶縁膜の断面視形状は上底と前記上底よりも長い下底とを有する台形であり、前記下底は前記n側コンタクト面との界面に位置する請求項1または2に記載の発光素子。
- 前記nコンタクト部の面積は、前記n側コンタクト面の面積の40%以上70%以下である請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光素子。
- 上面視において、前記n側コンタクト面で囲まれた領域に、前記n側コンタクト面よりも突出した前記半導体積層体の一部が設けられ、
前記第1の絶縁膜は、前記半導体積層体の前記一部の上面および側面を覆う請求項1記載の発光素子。 - 前記第1の絶縁膜と、前記半導体積層体の前記一部との間に設けられた反射膜をさらに備えた請求項5記載の発光素子。
- 前記p側電極の上に設けられた第2の絶縁膜をさらに備え、
前記n側電極は、前記第2の絶縁膜上に設けられ、前記nコンタクト部とつながった外部接続部を有する請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光素子。 - 前記第2の絶縁膜は、前記p型半導体層の側面、前記発光層の側面、前記n型半導体層の側面、および前記n側コンタクト面における外周領域にも設けられた請求項7記載の発光素子。
- 前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜は、同種材料の膜である請求項7または8に記載の発光素子。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2023235312A1 (en) * | 2022-06-01 | 2023-12-07 | Creeled, Inc. | Interconnect structures for improved light-emitting diode chip performance |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008210903A (ja) * | 2007-02-25 | 2008-09-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2009164423A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Nichia Corp | 発光素子 |
JP2011187958A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2012099700A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2012212849A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2015135951A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2015173177A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2016528728A (ja) * | 2013-07-18 | 2016-09-15 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 高反射フリップチップledダイ |
JP2016208012A (ja) * | 2015-04-27 | 2016-12-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017092477A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光デバイス |
US20180040788A1 (en) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
-
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008210903A (ja) * | 2007-02-25 | 2008-09-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2009164423A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Nichia Corp | 発光素子 |
JP2011187958A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2012099700A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2012212849A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2016528728A (ja) * | 2013-07-18 | 2016-09-15 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 高反射フリップチップledダイ |
JP2015135951A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2015173177A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2016208012A (ja) * | 2015-04-27 | 2016-12-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017092477A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光デバイス |
US20180040788A1 (en) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023235312A1 (en) * | 2022-06-01 | 2023-12-07 | Creeled, Inc. | Interconnect structures for improved light-emitting diode chip performance |
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