CN102468391A

CN102468391A - 发光二极管结构及其制作方法

Info

Publication number: CN102468391A
Application number: CN2010105352174A
Authority: CN
Inventors: 余国辉; 庄文宏; 朱长信
Original assignee: FOSHAN QIMING PHOTOELECTRIC Co Ltd; Chi Mei Lighting Technology Corp
Current assignee: FOSHAN QIMING PHOTOELECTRIC Co Ltd; Chi Mei Lighting Technology Corp
Priority date: 2010-11-03
Filing date: 2010-11-03
Publication date: 2012-05-23

Abstract

本发明公开一种发光二极管结构及其制作方法。此发光二极管结构包含一基板、一外延结构、一保护层以及至少一电极。外延结构设于基板上。保护层覆盖在外延结构上，其中此保护层具有至少一开口，且此至少一开口位于外延结构的至少一部分上。前述的至少一电极设于至少一开口中，且延伸覆盖在外延结构的前述至少一部分、以及前述至少一开口周围的保护层上。

Description

发光二极管结构及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种发光元件，且特别是涉及一种发光二极管结构及其制作方法。

背景技术

请参照图1，其是绘示一种传统发光二极管结构的剖面示意图。发光二极管结构100主要包含基板102、外延结构104、透明导电层106、电极114与保护层116。外延结构104设于基板102上。透明导电层106则设于外延结构104上。电极114设置在部分的透明导电层106上方。电极114一般是由三层金属层108、110与112所堆叠而成。保护层116则覆盖在电极114与透明导电层106的暴露部分上。保护层116具有开口118，其中开口118暴露出部分的电极114，以利电极114与外部电源进行电连接。

在此种传统发光二极管结构100中，在制作工艺中定义电极114时，所使用的酸碱溶液或酸碱气体会损及透明导电层106，而在透明导电层106的上表面上产生缺陷。由于在发光二极管结构100中，其是先形成电极114，然后才在电极114的定义，因此酸碱溶液或酸碱气体极易从电极114与透明导电层106的接触界面的外围120，而进入两者的接触界面。

此外，在完成电极114的定义后，进行光致抗蚀剂清洁时所使用的等离子体，或者后续沉积保护层116所使用的等离子体，也同样极易从电极114与透明导电层106的接触界面的外围120，而进入两者的接触界面。

而无论是酸碱侵蚀，或是等离子体侵入，均会导致电极114对于透明导电层106的附着力下降。电极114对透明导电层106的附着力不佳，将会造成发光二极管结构100的电性特性异常，影响发光二极管结构100的稳定性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管结构及其制造方法，其是先形成保护层，再形成电极。如此一来，电极可填入形成保护层期间在透明导电层表面上所形成的缺陷中。因此，可降低酸碱溶液、酸碱气体或等离子体经由电极与透明导电层的界面的外围进入，进而可减低酸碱溶液、酸碱气体或等离子体对于电极与透明导电层的接合界面的损害。故，可大幅提升电极对于透明导电层的附着力。

本发明的另一目的在于提供一种发光二极管结构及其制造方法，其电极的周缘抬高而位在保护层之上，且并未与外延结构的半导体层或透明导电层接触。因此，可有效避免酸碱溶液、酸碱气体或等离子体侵入电极与外延结构的半导体层或透明导电层之间的界面，进而可提高发光二极管结构的电极的稳定性，有效提升发光二极管结构的操作性能。

本发明的又一目的在于提供一种发光二极管结构及其制造方法，其可有效增进电极对于透明导电层的附着力，因此可提高发光二极管结构的电性品质，进一步达到提升发光二极管结构的稳定性的效果。

根据本发明的上述目的，提出一种发光二极管结构。此发光二极管结构包含一基板、一外延结构、一保护层以及至少一电极。外延结构设于基板上。保护层覆盖在外延结构上，其中此保护层具有至少一开口，且此至少一开口位于外延结构的至少一部分上。前述的至少一电极设于至少一开口中，且延伸覆盖在外延结构的前述至少一部分、以及前述至少一开口周围的保护层上。

依据本发明的一实施例，上述的外延结构包含：一第一电性半导体层位于基板上；一发光层位于第一电性半导体层的第一部分上，且暴露出第一电性半导体层的第二部分；以及一第二电性半导体层位于发光层上。其中，发光二极管结构更包含一透明导电层位于第二电性半导体层上，且保护层的上述至少一开口包含第一开口与第二开口分别位于部分的透明导电层与第一电性半导体层的第二部分上。其中，发光二极管结构的上述至少一电极包含第一电极与第二电极分别设于第一开口与第二开口中，且第一电极延伸覆盖在透明导电层的上述部分、以及第一开口周围的保护层上，第二电极延伸覆盖在第一电性半导体层的第二部分、以及第二开口周围的保护层上。

依据本发明的另一实施例，上述的外延结构包含依序堆叠在基板上的第二电性半导体层、发光层以及第一电性半导体层，且上述的至少一开口暴露出第一电性半导体层的一部分。此外，上述的发光二极管结构更包含：一反射镜位于第二电性半导体层与基板之间；以及一接合层位于反射镜与基板之间。

依据本发明的又一实施例，上述的保护层可为单层结构或双层结构，且保护层的厚度可介于

与20μm之间。

根据本发明的上述目的，另提出一种发光二极管结构的制作方法，包含下列步骤。提供一基板。形成一外延结构于基板上。其中，前述的外延结构包含：一第一电性半导体层位于基板上；一发光层位于第一电性半导体层的第一部分上，且暴露出第一电性半导体层的第二部分；以及一第二电性半导体层位于发光层上。形成一透明导电层于第二电性半导体层上。形成一保护层覆盖在外延结构上，其中保护层具有第一开口与第二开口分别位于部分的透明导电层与第一电性半导体层的第二部分上。形成一第一电极与一第二电极分别位于第一开口与第二开口中，其中第一电极延伸覆盖在透明导电层的前述部分、以及第一开口周围的保护层上，且第二电极延伸覆盖在第一电性半导体层的第二部分、以及第二开口周围的保护层上。

依据本发明的一实施例，上述形成第一电极与第二电极的步骤包含：形成一光致抗蚀剂层覆盖在保护层上，其中光致抗蚀剂层具有第三开口与第四开口分别暴露出第一开口和第一开口周围的保护层、与第二开口和第二开口周围的保护层；形成一电极层覆盖在光致抗蚀剂层上，且填满第一开口、第三开口、第二开口与第四开口；以及进行一浮离步骤，以移除光致抗蚀剂层与位于光致抗蚀剂层上的电极层。

依据本发明的另一实施例，上述形成光致抗蚀剂层的步骤更包含使每一第三开口的内侧面与第四开口的内侧面具有底切结构。

根据本发明的上述目的，更提出一种发光二极管结构的制作方法，包含下列步骤。提供一第一基板。形成一外延结构于第一基板上，其中此外延结构包含依序堆叠在第一基板上的第一电性半导体层、发光层以及第二电性半导体层。利用一接合层将一第二基板接合在第二电性半导体层上。移除第一基板，以暴露出第一电性半导体层。形成一保护层覆盖在外延结构上，其中保护层具有一开口暴露出第一电性半导体层的一部分。形成一电极于开口中，其中电极延伸覆盖在第一电性半导体层的前述部分、以及开口周围的保护层上。

依据本发明的一实施例，上述形成电极的步骤包含：形成一光致抗蚀剂层覆盖在保护层上，其中此光致抗蚀剂层具有另一开口暴露出上述开口和开口周围的保护层；形成一电极层覆盖在光致抗蚀剂层上，且填满前述的开口与另一开口；以及进行一浮离步骤，以移除光致抗蚀剂层与位于光致抗蚀剂层上的电极层。

依据本发明的另一实施例，在形成外延结构的步骤与将第二基板接合在第二电性半导体层上的步骤之间，上述的制造方法更包含形成一反射镜于第二电性半导体层上。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1是一种传统发光二极管结构的剖面示意图；

图2A至图2E是本发明一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺剖视图；

图3A至图3F是本发明另一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺剖视图。

主要元件符号说明

100：发光二极管结构 102：基板

104：外延结构 106：透明导电层

108：盒属层 110：盒属层

112：金属层 114：电极

116：保护层 118：开口

120：外围 200：基板

202：第一电性半导体层 204：发光层

206：第二电性半导体层 208：外延结构

210：第一部分2 12：第二部分

214：透明导电层 216：保护层

218：开口 220：开口

222：孔径 224：孔径

226：光致抗蚀剂层 228：开口

230：开口 232：底切结构

234：底切结构 236：电极层

238：电极 240：电极

242：尺寸 244：尺寸

246：发光二极管结构 300：第一基板

302：第一电性半导体层 304：发光层

306：第二电性半导体层 308：外延结构

310：沟槽 312：反射镜

314：接合层 316：第二基板

318：保护层 320：开口

324：孔径 326：光致抗蚀剂层

328：开口 330：底切结构

332：电极层 334：电极

336：尺寸 338：发光二极管结构

具体实施方式

请参照图2A至图2E，其是绘示依照本发明一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺剖面图。在本实施方式中，制作发光二极管结构时，可先提供基板200，以供外延层成长于其上。基板200的材料可例如为蓝宝石、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)。接着，利用例如外延方式，在基板200的表面上成长外延结构208。在一实施例中，如图2A所示，可利用例如有机金属化学气相沉积(MOCVD)方式，依序在基板200上成长第一电性半导体层202、发光层204与第二电性半导体层206，来作为外延结构208。其中，第一电性例如为N型，第二电性例如为P型。在一例子中，外延结构208的材料可采用磷化铟铝镓(InAlGaP)系列或氮化镓系列，例如氮化铟铝镓(InAlGaN)。

在另一实施例中，外延结构208更可包含缓冲层(未绘示)，其中此缓冲层介于基板200与第一电性半导体层202之间，以作为基板200与第一电性半导体层202之间的缓冲结构，避免因为基板200与外延结构间的晶格常数不匹配造成外延结构的晶格缺陷。

接下来，如图2B所示，利用光刻与蚀刻方式，例如干蚀刻或湿蚀刻，移除部分的第二电性半导体层206、部分的发光层204与部分的第一电性半导体层202，以定义出外延结构208的平台结构。经平台定义后，发光层204与第二电性半导体层206依序堆叠在第一电性半导体层202的第一部分210上，且暴露出第一电性半导体层202的第二部分212。

接着，利用例如蒸镀方式，形成透明导电层214覆盖在第二电性半导体层206上。在一实施例中，透明导电层214的材料可采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)与氧化锌铝(AZO)。透明导电层214可提供电流分散的作用，以避免电流拥挤效应(Current Crowding Effect)发生。

接下来，利用沉积方式，例如等离子体增益CVD(PECVD)方式，形成保护层216覆盖在外延结构208及透明导电层214上。保护层216为透明绝缘性材料，可例如为二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、旋涂玻璃(SOG)、二氧化钛(TiO₂)与氧化铝(Al₂O₃)。在一实施例中，保护层216可为单层结构。在另一实施例中，保护层216可为多层结构，这些层可具有不同的折射率，例如各层由下而上的折射率为由大而小的方式堆叠，以利于发光层204产生的光的导出。保护层216的厚度可例如介于

与20μm之间。

然后，如图2C所示，利用例如光刻与蚀刻方式，图案化保护层216，以在保护层216中形成开口218与220。其中，开口218与220分别位于部分的透明导电层214与部分的第一电性半导体层202的第二部分212上。在图2C所示的实施例中，开口218与220分别暴露出部分的透明导电层214与第一电性半导体层202的第二部分212。开口218具有孔径222，且开口220具有孔径224。

接着，制作发光二极管结构的电极。在一实施方式中，可利用浮离(Lift-off)方式，进行电极的制作。如图2D所示，先涂布一层光致抗蚀剂层226覆盖在保护层216上。接下来，利用例如光刻方式图案化光致抗蚀剂层226，以移除部分的光致抗蚀剂层226，而在光致抗蚀剂层226中形成开口228与230。其中，开口228暴露出下方的保护层216的开口218、以及开口218周围的保护层216；开口230则暴露出下方的保护层216的开口220、以及开口220周围的保护层216。因此，经图案化后，光致抗蚀剂层226并未填入保护层216的开口218与220中。

在一较佳实施例中，光致抗蚀剂层226为负型光致抗蚀剂，以利在图案化光致抗蚀剂层226时，使光致抗蚀剂层226的开口228的内侧面具有底切结构232、以及使开口230的内侧面具有底切结构234，如图2D所示。

接着，利用例如蒸镀方式，形成电极层236覆盖在经图案化的光致抗蚀剂层226上，并使电极层236填满保护层216的开口218与220、以及光致抗蚀剂层226的开口228与230。此时，电极层236分别与保护层216的开口218与220所暴露出的透明导电层214与第一电性半导体层202接触。在一实施例中，电极层236可为由依序堆叠在光致抗蚀剂层226上的三层金属层所构成的多层结构，例如铬/铂/金(Cr/Pt/Au)结构。在一例子中，构成电极层236的多层结构的第一层金属可例如为铬、镍(Ni)、钛(Ti)与钛钨合金(TiW)。

随后，进行浮离步骤，以移除剩余的光致抗蚀剂层226与位于光致抗蚀剂层226上方的电极层236的部分。通过使光致抗蚀剂层226的开口228与230的内侧面分别具有底切结构232与234，有助于使电极层236位于光致抗蚀剂层226的开口228和保护层216的开口218中、以及位于光致抗蚀剂层226的开口230和保护层216的开口220中的部分，在浮离步骤后，顺利留置在开口218以及220中。如此一来，如图2E所示，可形成电极238与240分别于保护层216的开口218与220中，而完成发光二极管结构246的制作。其中，电极238与240分别位于透明导电层214的暴露部分与第一电性半导体层202的暴露出的第二部分220上。

在浮离过程中，由于光致抗蚀剂层226的开口228暴露出下方的保护层216的开口218及其周围的保护层216，且开口230暴露出下方的保护层216的开口220及其周围的保护层216。因此，经浮离后，所形成的电极238与240不仅分别位于保护层216的开口218与220中，且也分别延伸覆盖在开口218周围与开口220周围的保护层216上。因此，请参照图2E，电极238的尺寸242大于保护层216的开口218的孔径222，且电极240的尺寸244大于保护层的开口220的孔径224。

在此实施方式中，通过先设置保护层再制作电极的方式，电极的周缘可抬高而位于保护层之上，且电极的周缘并未与外延结构或透明导电层接触。因此，可有效避免酸碱溶液、酸碱气体或等离子体侵入电极与外延结构或透明导电层之间的界面，进而可提高发光二极管结构的电极的稳定性，有效提升发光二极管结构的操作性能。

本发明的发光二极管结构也可为垂直导通型结构。请参照图3A至图3F，其是绘示依照本发明另一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺剖面图。在本实施方式中，制作发光二极管结构时，可先提供成长外延层用的第一基板300。第一基板300的材料可例如为蓝宝石、碳化硅、砷化镓或氮化镓。接着，利用例如MOCVD等外延技术，在第一基板300的表面上成长外延结构308。在一实施例中，如图3A所示，外延结构308包含依序堆叠在第一基板300上的第一电性半导体层302、发光层304与第二电性半导体层306。其中，第一电性例如为N型，第二电性例如为P型。在一例子中，外延结构308的材料可采用磷化铟铝镓系列或氮化镓系列，例如氮化铟铝镓。

在另一实施例中，外延结构308更可包含缓冲层(未绘示)，其中此缓冲层介于第一基板300与第一电性半导体层302之间，以作为第一电性半导体层302成长时的缓冲结构，避免因为第一基板300与外延结构间的晶格常数不匹配造成外延结构的晶格缺陷。

接下来，如图3B所示，利用光刻与蚀刻方式，移除部分的出外延结构308，而形成数个暴露出部分的第一基板300的沟槽310，以定义出数个管芯。当然，在仅制作单一发光二极管结构时，可免除前述定义管芯尺寸的程序。

接着，可根据产品需求而选择性地利用例如蒸镀方式，形成反射镜312覆盖在第二电性半导体层306上。在一实施例中，反射镜312可例如为镍/银(Ni/Ag)结构或分散式布拉格反射镜(DBR)。接下来，如图3C所示，可利用接合层314，而将第二基板316接合在外延结构308的第二电性半导体层306上。在一实施例中，可将接合层314先形成在第二基板316上，再利用接合层314接合第二基板316与第二电性半导体层306。接合层314可例如为钛/金(Ti/Au)结构。

在一实施例中，第二基板316可直接作为发光二极管结构的一电极，因此第二基板316需采用可导电的材料，例如硅。此外，为了增加发光二极管结构的散热能力，也可采用可导电且热传导能力佳的材料来作为第二基板316的材料。在另一实施例中，也可不直接采用第二基板316来作为发光二极管结构的一电极，而是另行制作电极于第二基板316的相对于接合层314的另一表面上。

接着，如图3D所示，先将图3C的结构予以翻转，再利用例如激光剥除(Laser Lift Off；LLO)、蚀刻或研磨方式，移除第一基板300，而暴露出外延结构308的第一电性半导体层302。

接下来，利用沉积方式，例如PECVD方式，形成保护层318覆盖在外延结构308上。保护层318为透明绝缘性材料，可例如为二氧化硅、氮化硅、旋涂玻璃、二氧化钛与氧化铝。在一实施例中，保护层318可为单层结构。在另一实施例中，保护层318可为多层结构，其中这些层可具有不同的折射率，例如各层以折射率由大而小的方式堆叠。保护层318的厚度可例如介于

与20μm之间。

接着，利用例如光刻与蚀刻方式，图案化保护层318，以在保护层318中形成开口320。其中，开口320位于部分的第一电性半导体层302上。在图3E所示的实施例中，开口320暴露出部分的第一电性半导体层302。开口320具有孔径324。在图3E中，为了能清楚图示出本实施方式的特征，仅绘示单一管芯的剖面图。

接着，制作发光二极管结构的电极。在一实施方式中，可利用浮离方式，进行电极的制作。如图3E所示，先涂布一层光致抗蚀剂层326覆盖在保护层318上。接下来，利用例如光刻方式，图案化光致抗蚀剂层326，以移除部分的光致抗蚀剂层326，而在光致抗蚀剂层326中形成开口328。开口328暴露出下方的保护层318的开口320、以及开口320周围的保护层318。在一较佳实施例中，光致抗蚀剂层326为负型光致抗蚀剂，以利在光致抗蚀剂层326的图案化过程中，使光致抗蚀剂层326的开口328的内侧面具有底切结构330，如图3E所示。

然后，利用例如蒸镀方式，形成电极层332覆盖在图案化后的光致抗蚀剂层326上，并使电极层332填满保护层318的开口320与光致抗蚀剂层326的开口328。此时，电极层332与保护层318的开口320所暴露出的第一电性半导体层302接触。在一实施例中，电极层332可包含依序堆叠在光致抗蚀剂层326上的三层金属层结构，例如铬/铂/金结构。在一例子中，构成电极层332的多层结构的第一层金属可例如为铬、镍、钛与钛钨合金。

随后，进行浮离步骤，以移除剩余的光致抗蚀剂层326与位于光致抗蚀剂层326上方的电极层332的部分。光致抗蚀剂层326的开口328内侧面的底切结构330，可使电极层332位于光致抗蚀剂层326的开口328和保护层318的开口320中的部分，在浮离步骤后，顺利留置在开口320中。因此，如图3F所示，可在保护层318的开口320中形成电极334。再经切割而分离所有管芯后，即可完成发光二极管结构338的制作。其中，电极334位于第一电性半导体层302的暴露出的部分上。

在浮离过程中，由于光致抗蚀剂层326的开口328暴露出下方的开口320及开口320周围的保护层318。因此，经浮离步骤后，所形成的电极334不仅位于保护层318的开口320中，且也延伸覆盖在开口320周围的保护层318上。因此，请参照图3F，电极334的尺寸336大于保护层318的开口320的孔径322。

由上述本发明的实施方式可知，本发明的一优点就是因为本发明的发光二极管结构及其制造方法是先形成保护层，再形成电极。因此，电极可填入形成保护层期间在透明导电层表面上所形成的缺陷中。于是，可降低酸碱溶液、酸碱气体或等离子体经由电极与透明导电层的界面的外围进入，进而可减低酸碱溶液、酸碱气体或等离子体对于电极与透明导电层的接合界面的损害。故，可大幅提升电极对于透明导电层的附着力。

由上述本发明的实施方式可知，本发明的另一优点就是因为本发明的发光二极管结构的电极的周缘抬高而位在保护层之上，且并未与外延结构的半导体层或透明导电层接触。因此，可有效避免酸碱溶液、酸碱气体或等离子体侵入电极与外延结构的半导体层或透明导电层之间的界面，进而可提高发光二极管结构的电极的稳定性，有效提升发光二极管结构的操作性能。

由上述本发明的实施方式可知，本发明的又一优点就是因为本发明的发光二极管结构及其制造方法可有效增进电极对于透明导电层的附着力，因此可提高发光二极管结构的电性品质，进一步达到提升发光二极管结构的稳定性的效果。

虽然结合以上实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何在此技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围应以附上的申请专利范围所界定的为准。

Claims

1.一种发光二极管结构，包含：

基板；

外延结构，设于该基板上；

保护层，覆盖在该外延结构上，其中该保护层具有至少一开口，该至少一开口位于该外延结构的至少一部分上；以及

至少一电极，设于该至少一开口中，且延伸覆盖在该外延结构的该至少一部分、以及该至少一开口周围的该保护层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该外延结构包含：

第一电性半导体层，位于该基板上；

发光层，位于该第一电性半导体层的一第一部分上，且暴露出该第一电性半导体层的一第二部分；以及

第二电性半导体层，位于该发光层上，

其中，该发光二极管结构还包含透明导电层，其位于该第二电性半导体层上，且该保护层的该至少一开口包含第一开口与第二开口，其分别位于部分的该透明导电层与该第一电性半导体层的该第二部分上，

其中，该发光二极管结构的该至少一电极包含第一电极与第二电极，其分别设于该第一开口与该第二开口中，且该第一电极延伸覆盖在该透明导电层的该部分、以及该第一开口周围的该保护层上，该第二电极延伸覆盖在该第一电性半导体层的该第二部分、以及该第二开口周围的该保护层上。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该外延结构包含依序堆叠在该基板上的第二电性半导体层、发光层以及第一电性半导体层，且该至少一开口暴露出该第一电性半导体层的一部分。

4.如权利要求3所述的发光二极管结构，还包含：

反射镜，位于该第二电性半导体层与该基板之间；以及

接合层，位于该反射镜与该基板之间。

5.一种发光二极管结构的制作方法，包含：

提供一基板；

形成一外延结构于该基板上，其中该外延结构包含：

第一电性半导体层，位于该基板上；

第二电性半导体层，位于该发光层上；

形成一透明导电层于该第二电性半导体层上；

形成一保护层，覆盖在该外延结构上，其中该保护层具有第一开口与第二开口，分别位于部分的该透明导电层与该第一电性半导体层的该第二部分上；以及

形成一第一电极与一第二电极分别位于该第一开口与该第二开口中，其中该第一电极延伸覆盖在该透明导电层的该部分、以及该第一开口周围的该保护层上，且该第二电极延伸覆盖在该第一电性半导体层的该第二部分、以及该第二开口周围的该保护层上。

6.如权利要求5所述的发光二极管结构的制作方法，其中形成该第一电极与该第二电极的步骤包含：

形成一光致抗蚀剂层覆盖在该保护层上，其中该光致抗蚀剂层具有第三开口与第四开口，其分别暴露出该第一开口和该第一开口周围的该保护层、与该第二开口和该第二开口周围的该保护层；

形成一电极层覆盖在该光致抗蚀剂层上，且填满该第一开口、第三开口、第二开口与第四开口；以及

进行一浮离步骤，以移除该光致抗蚀剂层与位于该光致抗蚀剂层上的该电极层。

7.如权利要求6所述的发光二极管结构的制作方法，其中形成该光致抗蚀剂层的步骤还包含使每一该第三开口的内侧面与该第四开口的内侧面具有一底切结构。

8.如权利要求6所述的发光二极管结构的制作方法，其中该光致抗蚀剂层是一负型光致抗蚀剂。

9.一种发光二极管结构的制作方法，包含：

提供一第一基板；

形成一外延结构于该第一基板上，其中该外延结构包含依序堆叠在该第一基板上的第一电性半导体层、发光层以及第二电性半导体层；

利用一接合层，将一第二基板接合在该第二电性半导体层上；

移除该第一基板，以暴露出该第一电性半导体层；

形成一保护层覆盖在该外延结构上，其中该保护层具有开口，以暴露出该第一电性半导体层的一部分；以及

形成一电极于该开口中，其中该电极延伸覆盖在该第一电性半导体层的该部分、以及该开口周围的该保护层上。

10.如权利要求9所述的发光二极管结构的制作方法，其中形成该电极的步骤包含：

形成一光致抗蚀剂层覆盖在该保护层上，其中该光致抗蚀剂层具有另一开口暴露出该开口和该开口周围的该保护层；

形成一电极层覆盖在该光致抗蚀剂层上，且填满该开口与该另一开口；以及

11.如权利要求10所述的发光二极管结构的制作方法，其中形成该光致抗蚀剂层的步骤还包含使该另一开口的内侧面有一底切结构。

12.如权利要求10所述的发光二极管结构的制作方法，其中该光致抗蚀剂层是一负型光致抗蚀剂。

13.如权利要求9所述的发光二极管结构的制作方法，在形成该外延结构的步骤与将该第二基板接合在该第二电性半导体层上的步骤之间，还包含形成一反射镜于该第二电性半导体层上。