CN101188267A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光装置及其制造方法。
背景技术
根据现有技术的发光二极管(LED)，例如，日本实用新型No.3068914公开的一种发光二极管包括具有堆叠结构的发光层，其中，例如，在包括例如蓝宝石的衬底10A上方堆叠基于MOCVD方法形成的底层10B、第一导电类型(例如，n-型)的第一化合物半导体层11、有源层12、和第二导电类型(例如，p-型)的第二化合物半导体层13，如图8中的示意性截面图所示。第二电极14设置在第二化合物半导体层13上。此外，通过除去一部分第二化合物半导体层13和一部分有源层12暴露一部分第一化合物半导体层11，并在第一化合物半导体层11的暴露部分上方设置第一电极15。电流从第二电极14通过第二化合物半导体层13下面的有源层12部分并因此到达第一化合物半导体层11和第一电极15。结果，在有源层12中，有源层12的量子阱结构被注入的电流激励，并且在整个表面积上获得光发射状态。
在衬底侧光拾取型的发光二极管中，从有源层12发射的光直接穿过衬底10A透射到外部，或者被第二电极14反射后透射穿过衬底10A并到达外部。另一方面，在电极透射的光拾取型发光二极管中，从有源层12发射的光透射穿过第二电极14到达外部。因此，不仅起到发光层作用的化合物半导体层的可靠性而且电极的可靠性(例如，环境抵抗力和均匀性)都是格外重要的。
作为构成第二电极14的材料，具有高反射率的银(Ag)被用在衬底侧光拾取型的发光二极管中，而用于构成透明电极的ITO被用在电极透射的光拾取型发光二极管中。为了增强第二电极14的可靠性，通常，用通过诸如等离子体CVD等的CVD方法或诸如真空蒸镀、溅射等的PVD方法形成的绝缘膜116覆盖第二电极14。开口18A和18B设置在位于第一电极15和第二电极14上面上的绝缘膜16的部分中，并且第一接触部分19A和第二接触部分19B分别设置在第一电极15和第二电极14的暴露部分上方。
发明内容
此时，容易在基于CVD方法或PVD方法形成的绝缘膜116中产生小孔和裂纹，并且在出现从电极结构或装置结构延伸的陡峭台阶部分的情况下，也许不可能利用绝缘膜116安全地覆盖这种台阶部分。此外，在某些情况下，由于污染，外来物质等的存在，小孔和裂纹可能在绝缘膜116中产生。当一些小孔或裂纹在绝缘膜116中产生时或者当台阶部分的覆盖较差时，湿气(水)可从外部空气渗入装置中。当湿气(水)到达利用银(Ag)或ITO形成的第二电极14时，在第二电极14中可能产生离子迁移或形成晶须，可能导致第二电极14的损伤并且进一步导致发光二极管特性的损伤。
为了抑制小孔或裂纹的产生，可以采取在绝缘膜116的形成期间提高衬底的加热温度的方法或者例如通过利用诸如背溅射的方法清洁第二电极14的表面改善底层(衬底层)的方法。然而，由于热历史、等离子体损伤等等的影响，这些方法容易产生其他问题。此外，难于利用绝缘膜116安全地覆盖陡峭台阶部分，并且这种台阶部分在许多情况下将充当绝缘膜116的膜生长中不连续的点。
因此，需要一种发光装置，该发光装置具有一种结构，在该结构中小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖，并且需要一种制造该发光装置的方法。
根据本发明的一个实施例，提供一种制造发光装置的方法，包括步骤：
(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及
(B)暴露一部分第一化合物半导体层，在第一化合物半导体层的暴露部分上方形成第一电极并且在第二化合物半导体层上方形成第二电极，
其中该方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：
(C)利用SOG层至少覆盖第一化合物半导体层的暴露部分，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，和一部分第二电极。
在根据本发明的一实施例的制造发光装置的方法中，优选地，在步骤(C)中，利用SOG层覆盖第一化合物半导体层的暴露部分，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，第二电极，和第一电极，并且在此之后在SOG层的位于第一电极上方的部分和SOG层的位于第二电极上方的部分中分别形成第一开口和第二开口。
在这种情况下，可以采用这样一种构造，其中在步骤(C)中，利用第一绝缘层覆盖第一化合物半导体层的暴露部分，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，第二电极，和第一电极，在此之后利用SOG层覆盖第一绝缘层，并且在SOG层和第一绝缘层中形成第一开口和第二开口。
或者，在这种情况下，可以采用这样一种构造，其中在步骤(C)中，利用SOG层覆盖第一化合物半导体层的暴露部分，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，第二电极，和第一电极，在此之后利用第二绝缘层覆盖SOG层，并且在第二绝缘层和SOG层中形成第一开口和第二开口。
或者，在这种情况下，可以采用这样一种构造，其中在步骤(C)中，利用第一绝缘层覆盖第一化合物半导体层的暴露部分，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，第二电极，和第一电极，在此之后利用SOG层覆盖第一绝缘层，利用第二绝缘层进一步覆盖该SOG层，并且然后在第二绝缘层，SOG层和第一绝缘层中形成第一开口和第二开口。
在根据本发明的一实施例的制造发光装置的方法中，进一步，可以提供形成从第一电极穿过第一开口延伸到SOG层上面的第一接触部分和形成从第二电极穿过第二开口延伸到SOG层上面的第二接触部分的步骤。
在根据本发明的一实施例的制造发光装置的方法中，就简化步骤而言，第一开口和第二开口优选地被在同一步骤中形成。此外，就简化步骤而言，第一接触部分和第二接触部分优选地被在同一步骤中形成。但是，在此应该注意，在需要使第一接触部分的顶表面的水平和第二接触部分的顶表面的水平相匹配的情况下，优选地在不同步骤中形成第一接触部分和第二接触部分。
根据本发明的另一实施例，提供一种制造发光装置的方法，包括步骤：
(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及
(B)暴露一部分第一化合物半导体层并且在第二化合物半导体层上方形成第二电极，
其中该方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：
(C)利用SOG层覆盖第一化合物半导体层除了形成第一电极部分的暴露部分，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，和一部分第二电极；以及
(D)在第一化合物半导体层的暴露部分的形成第一电极的部分上方形成第一电极。
在根据本发明的另一实施例的制造发光装置的方法中，优选地，
在步骤(C)中，利用SOG层覆盖第一化合物半导体层的暴露部分，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，和第二电极，然后在SOG层的覆盖第一化合物半导体层的暴露部分的形成第一电极的部分中形成第一开口，并且在SOG层的覆盖第二电极的部分中形成第二开口；以及
在步骤(D)中，在第一化合物半导体层的在第一开口的底部暴露的部分上形成第一电极。
在这种情况下，可以采用这样一种构造，其中在步骤(C)中，利用第一绝缘层覆盖第一化合物半导体层的暴露部分，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，和第二电极，在此之后利用SOG层覆盖第一绝缘层，然后在SOG层和第一绝缘层的覆盖第一化合物半导体层的暴露部分的形成第一电极的部分的那些部分中形成第一开口，并且在SOG层和第一绝缘层的覆盖第二电极的那些部分中形成第二开口。
或者，在这种情况下，可以采用这样一种构造，其中在步骤(C)中，利用SOG层覆盖第一化合物半导体层的暴露部分，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，和第二电极，在此之后利用第二绝缘层覆盖SOG层，然后在第二绝缘层和SOG层的覆盖第一化合物半导体层的暴露部分的形成第一电极的部分的那些部分中形成第一开口，并且在第二绝缘层和SOG层的覆盖第二电极的那些部分中形成第二开口。
或者，在这种情况下，可以采用这样一种构造，其中在步骤(C)中，利用第一绝缘层覆盖第一化合物半导体层的暴露部分，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，和第二电极，在此之后利用SOG层覆盖第一绝缘层，利用第二绝缘层进一步覆盖SOG层，然后在第二绝缘层、SOG层和第一绝缘层的覆盖第一化合物半导体层的暴露部分的形成第一电极的部分的那些部分中形成第一开口，并且在第二绝缘层、SOG层和第一绝缘层的的覆盖第二电极的那些部分中形成第二开口。
在根据本发明的另一实施例的制造发光装置的方法中，进一步，可以提供形成从第一电极穿过第一开口延伸到SOG层上面的第一接触部分和形成从第二电极穿过第二开口延伸到SOG层上面的第二接触部分的步骤。
顺便提及，在根据本发明的另一实施例的制造发光装置的方法中，就简化步骤而言，第一开口和第二开口优选地被在同一步骤中形成。此外，就简化步骤而言，第一接触部分和第二接触部分优选地被在同一步骤中形成。但是，在此应该注意，在需要使第一接触部分的顶表面的水平和第二接触部分的顶表面的水平相匹配的情况下，优选地在不同步骤中形成第一接触部分和第二接触部分。此外，为了防止在安装时由于焊料导致的连接到第一接触部分的导线和第二接触部分间的接触或短路的发生，可以形成覆盖这种导线的绝缘膜。
在包括上述优选的构造的根据本发明的一实施例和另一实施例的制造发光装置的方法(下文中，这些一般被简单地称为本发明中的制造发光装置方法)中，第二电极可包括ITO(掺杂氧化锡的氧化铟)，并且，在步骤(C)中，作为SOG层前驱体的SOG材料层可以被(在整个表面区域上)形成，然后可焙烘该SOG材料层以获得SOG层，并且同时，使构成第二电极的ITO退火，从而可以设计简单化的发光装置的制造步骤。顺便提及，在这种构造中，在发光装置是发光二极管的情况下，该发光二极管是电极透射的光拾取型，其中从有源层发射的光透射穿过第二化合物半导体层，第二电极，和SOG层并到达外部。
在这种情况下，步骤(C)中的SOG材料层的焙烘条件的例子包括下述条件。
焙烘气氛：惰性气体气氛，或者包含0.1-20的体积百分比，优选地，是2-5的体积百分比的氧气的惰性气体气氛；
焙烘温度：250-700℃，优选地，400-600℃；
焙烘时间：5-60min，优选地，20-40min。
或者，在根据本发明的制造发光装置的方法中，第二电极可以包括银(包括含有In、Cu、Pd、Ni、Co、Rh或Pt的银合金)。顺便提及，在这种构造中，在发光装置是发光二极管的情况下，发光二极管是衬底例光拾取型的发光二极管，其中从有源层发射的光直接透射穿过衬底到达外部，或者被第二电极反射后透射穿过衬底并到达外部。由于第二电极包括银(Ag)，所以能够例如获得不小于96％的反射率。
在本发明的包括上述优选构造的发光装置的制造方法中，优选地，还提供在步骤(C)中(在整个表面区域)形成SOG层之后将SOG层的表面暴露于等离子体气氛中的步骤。由于SOG层的表面如此暴露于等离子体气氛中，包含在SOG层的表面部分中的有机物(例如，碳氢化合物)被除去，从而可以获得高质量的SOG层。等离子体气氛的条件包括通过利用单独的O2气，Ar气，N2气等或它们的混合组成的等离子体气氛，并且压力为0.1-100Pa。通过考虑等离子体装置，等离子体损伤和效果，可以确定施加的功率和处理时间；例如，可以采用大约350W的施加功率和大约10min的处理时间。
根据本发明的再一个实施例，提供一种发光装置，包括：
(a)顺序形成在衬底上方的第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；
(b)形成在第一化合物半导体层的暴露部分上方的第一电极；以及
(c)形成在第二化合物半导体层上方的第二电极，
其中至少第一化合物半导体层的暴露部分、有源层的暴露部分、第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分第二电极被SOG层覆盖。
当至少第一化合物半导体层的暴露部分(第一化合物半导体层的没有被第一电极覆盖的部分)，有源层的暴露部分，第二化合物半导体层的暴露部分，和一部分第二电极被SOG层覆盖时，根据发光装置的结构，SOG层可以具有：
(1)一种构造，其中SOG层覆盖第一化合物半导体层的暴露部分(第一化合物半导体层的没有被第一电极覆盖的部分)、有源层的暴露部分、第二化合物半导体层的暴露部分(第二化合物半导体层的没有被第二电极覆盖的部分)、和一部分第二电极；或者
(2)一种构造，其中SOG层覆盖第一化合物半导体层的暴露部分(第一化合物半导体层的没有被第一电极覆盖的部分)、有源层的暴露部分、第二化合物半导体层的暴露部分(第二化合物半导体层的没有被第二电极覆盖的部分)、一部分第二电极，和一部分第一电极。
在本发明的发光装置中，可以采用一种第一绝缘层在SOG层下面形成(特别地，至少在第一化合物半导体层的暴露部分和SOG层之间，有源层的暴露部分和SOG层之间，第二化合物半导体层的暴露部分和SOG层之间，以及第二电极和SOG层之间)的构造、一种第二绝缘层在SOG层上方形成的构造，或者一种第一绝缘层在SOG层下面形成(特别地，至少在第一化合物半导体层的暴露部分和SOG层之间，有源层的暴露部分和SOG层之间，第二化合物半导体层的暴露部分和SOG层之间，以及第二电极和SOG层之间)并且第二绝缘层在SOG层上方形成的构造。
在本发明的包括上述优选构造的发光装置中，可以采用在第一电极上形成第一接触部分，并且在第二电极上形成第二接触部分的构造。
在本发明的包括上述优选构造的发光装置的制造方法或发光装置(下文中，这些一般简单地被称为本发明)中，SOG材料层指的是由通过不同涂覆方法中的一种涂布由在有机溶剂(例如，乙醇或乙酸丁脂)中溶解硅酸化合物(主要由硅醇，聚硅氨烷(polysilazane)(Si，O，(N，H))，烷基，烷氧基等等组成的化合物)获得的溶液形成的层。当有机溶剂被从SOG材料层中除去并且然后焙烘SOG材料层时，能够获得包含硅酸盐玻璃(SiO2)作为主要成分的SOG(旋涂玻璃)层。顺便提及，根据组成SOG材料层的材料，通过利用电子束或UV光线照射SOG材料层也可以获得包含硅酸盐玻璃(SiO2)作为主要成分的SOG层。虽然SOG层通常具有高的内应力，但是如果SOG层被形成薄至例如1×10-8m(10nm)至3×10-7m(300nm)时，内应力也不产生问题。涂覆方法的例子包括旋涂方法；诸如丝网印刷方法，喷墨印刷方法，胶印方法，照相凹版印刷方法等等的不同印刷方法；诸如气刀涂布方法，刮板式涂布方法，棒式涂布方法，刮刀涂布方法，挤压涂布方法，逆转辊涂布方法，转送辊涂布方法，凹板式涂布方法，湿润辊涂布方法，注浇涂布方法，喷雾涂布方法，狭缝涂布方法，涂胶砑光(calendar coater)方法，浸渍方法等等的不同涂布方法；冲压方法；喷雾法，等等。
在本发明中，衬底的例子包括蓝宝石衬底、GaAs衬底、GaN衬底、SiC衬底、氧化铝衬底、ZnS衬底、ZnO衬底、AlN衬底、LiMgO衬底、LiGaO2衬底、MgAl2O4衬底、InP衬底、Si衬底、以及具有形成在其表面(主表面)上的底层或缓冲层的这些衬底。
构成第一化合物半导体层、有源层、和第二化合物半导体层的材料的例子包括GaN基化合物半导体(包括AlGaN混合晶体、AlInGaN混合晶体、和InGaN混合晶体)、InN基化合物半导体、AlN基化合物半导体、AlGaInP基化合物半导体、AlGaInAs基化合物半导体、GaInAs基化合物半导体、GaInAsP基化合物半导体、GaP基化合物半导体、和InP基化合物半导体。用于形成第一化合物半导体层、有源层、和第二化合物半导体层的方法(膜形成方法)的例子包括金属有机化学气相沉积法(MOCVD法)、电子束外延法(MBE法)、和.其中卤素有助于运输或反应的氢化物气相沉积法。
在第一导电类型是n-型的情形，第二导电类型是p-型，而在第一导电类型是p-型情形，第二导电类型是n-型。
暴露第一化合物半导体层的方法的例子包括光刻技术和湿蚀刻法或干蚀刻法的结合。
利用ITO或利用Ag(包括Ag合金)构造第二电极。形成第二电极的方法的例子包括诸如真空蒸镀法，溅射法等的PVD法，和各种CVD法。
第一电极的例子包括包括钛(Ti)或诸如TiW和TiMo的钛合金的电极(例如，TiW层，Ti层/Ni层/Au层，等等)，和包括铝(Al)或铝合金的电极。顺便提及，在这里和下文中，在“/”之前描述的层更接近衬底设置(即，位于更下面)。此外，第一接触部分(第一焊盘部分)和第二接触部分(第二焊盘部分)的例子包括具有[粘附层(Ti层、Cr层、等等)]/[阻挡金属层(Pt层、Ni层、TiW层、Mo层、等等)]/[具有良好的安装兼容性的金属层(例如，Au层)]的堆叠(层叠)结构的多层金属层，诸如Ti层/Pt层/Au层。形成第一电极的方法和形成第一接触部分(第一焊盘部分)及第二接触部分(第二焊盘部分)的方法的例子包括诸如真空蒸镀法，溅射法等的PVD法，各种CVD法，和镀覆法。
构成第一绝缘层和第二绝缘层的材料的例子包括SiOX基材料、SiNY基材料、SiOXNY材料、Ta2O5、ZrO2、AlN、和Al2O3。形成第一绝缘层和第二绝缘层的方法的例子包括诸如真空蒸镀法、溅射法等的PVD法，和CVD法。
形成第一开口和第二开口的方法的例子包括光刻技术和湿蚀刻法或干蚀刻法的结合。顺便提及，在SOG层是利用电子束或UV光线照射SOG材料层获得的情形，第一开口和第二开口可同时直接形成而不用利用曝光掩模等。
发光装置的例子包括发光二极管(LED)和半导体激光器。
例如，在通过诸如真空蒸镀法，溅射法等的PVD法，或CVD法的绝缘膜的形成中，非常难于完全地排除如晶界，裂纹，小孔等的缺陷或瑕疵的产生，并且该问题不能简单地通过增加绝缘膜的厚度解决。即使膜的形成条件很好地满足防止绝缘膜的平坦部分中缺陷或瑕疵的产生，相对于具有例如最多几百微米厚度的电极或装置结构所不可避免的形成的台阶等，绝缘膜中的裂纹或小孔的产生也易于发生。然后，湿气(水)可从外部空气通过这种裂纹或小孔渗入装置中，因此容易电离构成电极的金属原子并导致离子迁移等等，结果产生可以导致装置故障发生的破损或损伤。
在本发明中，利用SOG层覆盖第二电极。起到一种用于形成SOG层的前驱体(SOG层前驱体)作用的SOG材料层是液体，并且可以通过涂覆方法利用SOG材料层覆盖第二电极。因此，第二电极可以利用没有晶界的连续的膜确实地覆盖，并且可以排除小孔或裂纹的产生。结果，可以安全地防止外部空气的湿气(水)到达包括银(Ag)或ITO的第二电极，所以能够安全地排除导致第二电极的损伤并因此导致发光二极管的特性的损伤的在第二电极中产生离子迁移或形成晶须的问题。因此，能够设想发光装置的增强的可靠性，能够维持即使在恶劣的环境条件下的稳定特性，并实现发光装置产量的增加。
顺便提及，当第一绝缘层被形成在SOG层下面和/或第二绝缘层被形成SOG层上方时，可以进一步增强发光装置的可靠性。此外，由于可以利用涂覆方法覆盖包括第二电极的底层(衬底层)，通过由表面张力产生的平滑效应可以补偿台阶部分的不连续性，同时“填充”或“掩埋”例如存在于所谓的底层(衬底层)中的诸如在第二电极中产生裂纹、小孔等的各种缺陷或瑕疵。因此，能够利用较平滑的SOG层覆盖底层(衬底层)，并且能够在较平滑的SOG层上形成第二绝缘层。
附图说明
图1A和1B分别是根据本发明第一实施例的发光装置的部件的示意性布局图和沿着图1A中的B-B线所取的根据例1的发光装置的示意性截面图；
图2A和2B是用于示出根据例1的发光装置的制造方法的衬底等等的示意性局部截面图；
图2C和2D是用于示出根据例1的发光装置的制造方法的衬底等等的示意性局部截面图；
图3A和3B是用于示出根据本发明的例4的发光装置的制造方法的衬底等等的示意性局部截面图；
图4A和4B是用于示出根据本发明的例5的发光装置的制造方法的衬底等等的示意性局部截面图；
图5是根据本发明的例6的发光装置的示意性截面图，类似于沿着图1A的B-B线所取的视图；
图6A和6B是用于示出根据例6的发光装置的制造方法的衬底等等的示意性局部截面图；
图7是根据例1的发光装置的改进实施例的示意性截面图，类似于沿着图1A的B-B线所取的视图；以及
图8是根据相关技术的发光装置的示意性截面图，用于说明根据相关技术的发光装置中存在的问题。
具体实施方式
现在，将参考附图基于本发明的实施例描述本发明。
[例1]
例1涉及根据本发明的第一实施例的发光装置的制造方法，和基于本发明的发光装置。
根据例1的发光装置包括发光二极管，该发光二极管包括GaN基化合物半导体层，并且如图1A中示出了部件的示意性布局图及图1B中示出了沿着图1A中的线B-B所取的示意性截面图，该发光装置包括：
(a)顺序形成在衬底10上方的第一导电类型(例1中为n型)的第一化合物半导体层11、有源层12、和不同于第一导电类型的第二导电类型(例1中为p型)的第二化合物半导体层13；
(b)形成在第一化合物半导体层11的暴露部分17上方的第一电极15；以及
(c)形成在第二化合物半导体层13上方的第二电极14。
这里，衬底10包括例如包括蓝宝石的衬底10A和形成在衬底10A上的包括GaN的底层10B。此外，发光层结构包括堆叠结构，其中包括Si掺杂的GaN(GaN:Si)的第一化合物半导体层11，包括InGaN层(阱层)和GaN层(阻挡层)并具有多个量子阱结构的有源层12，以及包括Mg掺杂GaN(GaN:Mg)的第二化合物半导体层13被堆叠。此外，在第一化合物半导体层11的通过移去(蚀刻)部分第二化合物半导体层13和有源层12而暴露的部分17上方设置第一电极15。当电流从第二电极14穿过位于第一化合物半导体层11和第一电极15左面的第二化合物半导体层13正下方的部分有源层12时，有源层12的量子阱结构被有源层12内的注入电流激励，从而在整个表面区域产生发光状态。顺便提及，在图1A中，只示出了发光二极管的部分部件。
至少第一化合物半导体层11的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、和部分第二电极14被SOG层16覆盖。更特别地，在例1中，SOG层16覆盖第一化合物半导体层11的暴露部分(第一化合物半导体层11的没有被第一电极15覆盖的部分)，有源层12的暴露部分，一部分第二电极14，一部分第一电极15，和第二化合物半导体层13的暴露部分(第二化合物半导体层13的没有被第二电极14覆盖的部分)。
在例1中，第二电极14包括ITO。例1中的发光二极管是电极透射光拾取型，其中有源层12发射的光透射穿过第二化合物半导体层13、第二电极14、和SOG层16并到达外部。
此外，在例1的发光二极管中，在第一电极15上方形成从设置在SOG层16中的第一开口18A延伸到SOG层16上面的第一接触部分(第一焊盘部分)19A，并且在第二电极14上形成从设置在SOG层16中的第二开口18B延伸到SOG层16上面的第二接触部分(第二焊盘部分)19B。
现在，在下面将参考附图2A到2D描述根据例1的发光装置的制造方法，图2A到2D是衬底等等的示意性局部截面图。
[步骤100]
首先，包括蓝宝石的衬底10A被送入MOCVD装置，其中在包括氢的载气中清洗衬底在1050℃的衬底温度下进行10min，并将衬底温度降至500℃。然后，根据MOCVD法，当提供用作氮材料的氨气时，提供用作镓材料的三甲基镓(TMG)气，由此包括GaN的底层10B被晶体生长在衬底10A的表面上，并停止提供TMG气。
[步骤110]
接下来，在衬底10上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层11、有源层12、和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层13。
特别地，根据MOCVD法，衬底温度升高到1020℃，然后在正常压力下开始提供用作硅材料的硅烷(SiH4)气，从而在底层10B上晶体生长包括Si掺杂的GaN(GaN:Si)并具有n型导电类型和3μm厚度的第一化合物半导体层11。顺便提及，掺杂浓度例如是大约5×1018/cm3。
在此之后，TMG气体和SiH4气体的供应一度被停止，并且衬底温度被降至750℃。然后，提供三乙基镓(TEG)气体和三甲基铟(TMI)气体，并且这些气体的提供通过阀转换操作实施，由此晶体生长包括InGaN和GaN并具有多量子阱结构的有源层12。
例如，在具有400nm的发光波长的发光二极管情况下，可以形成包括大约9％-In的InGaN和GaN(厚度为2.5nm和7.5nm)的多量子阱结构(例如，具有两个阱层)。此外，在具有460±10nm的发光波长的蓝色发光二极管情况下，可以形成包括15％-In的InGaN和GaN(厚度为2.5nm和7.5nm)的多量子阱结构(例如，具有15个阱层)。再者，在具有520±10nm的发光波长的绿色发光二极管情况下，可以形成包括23％-In的InGaN和GaN(厚度为2.5nm和15nm)的多量子阱结构(例如，具有9个阱层)。
在有源层12的形成完成之后，停止TEG气体和TMI气体的提供，通过载气从氮到氢的的转换同时出现，衬底温度被升高到850℃，并且开始TMG气体和二戊镁(Cp2Mg)气体的提供，由此在有源层12上晶体生长包括Mg掺杂GaN(GaN:Mg)并具有100nm厚度的第二化合物半导体层13。顺便提及，掺杂浓度是大约5×1019/cm3。在此之后，停止TMG气体和Cp2Mg气体的提供，并且同时，将衬底温度降低至室温，以完成晶体生长。
[步骤120]
在如此完成晶体生长之后，在氮气气氛中以800℃实施退火处理10min，由此激活P-型杂质(P-型掺杂剂)。
[步骤130]
在此之后，基于溅射方法，在第二化合物半导体层13上形成包括ITO的第二电极14。接下来，暴露一部分第一化合物半导体层11(参见图2A)。特别地，部分第二电极14、第二化合物半导体层13、和有源层12通过光刻技术和干蚀刻技术移去，从而暴露第一化合物半导体层11的部分17。在此之后，基于剥离法(liff-off method)，在第一化合物半导体层11的暴露部分上形成第一电极15(参见图2B)。特别地，在整个表面区域上形成抗蚀剂层，开口形成在第一化合物半导体层11的将形成第一电极15的部分上的抗蚀剂层中，然后通过溅射法在整个表面区域上形成构成第一电极15的金属层，然后移去抗蚀剂层，从而可以形成第一电极15。
接下来，利用SOG层16覆盖至少第一化合物半导体层11的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、和一部分第二电极14。
[步骤140]
特别地，首先，利用SOG层覆盖整个表面区域，即第一化合物半导体层11的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、第二电极14、和第一电极15(参见图2C)。更特别地，首先，在整个表面区域上例如通过旋涂法形成包括通过在有机溶剂中溶解相当于SOG层16的前驱体的硅酸化合物获得的溶液的SOG材料层。接下来，从SOG材料层中移去有机溶剂，之后焙烘SOG材料层，从而可以获得主要由硅酸盐玻璃(SiO2)组成的SOG层16。SOG材料层的焙烘条件的例子包括诸如氮气气氛的惰性气体气氛、400℃以及20min。通过焙烘SOG材料层16，可以同时退火构成第二电极14的ITO，从而可以在第二电极14中产生载流子。
[步骤150]
在此之后，通过光刻技术和干蚀刻技术分别在位于第一电极15上的SOG层16的部分中和位于第二电极14上的SOG层16的部分中形成第一开口18A和第二开口18B(参见图2D)。
[步骤160]
接下来，形成从第一电极15穿过第一开口18A延伸到SOG层16上面的第一接触部分(第一焊盘部分)19A，并且同时形成从第二电极14穿过第二开口18B延伸到SOG层16上面的第二接触部分(第二焊盘部分)19B。顺便提及，第一接触部分(第一焊盘部分)19A和第二接触部分(第二焊盘部分)19B的每一个都例如包括通过气相沉积法形成的Ti层/Pt层和通过镀覆法在其上形成的Au层。在此之后，实施切片以获得芯片，从而可以获得如图1B所示的发光二极管。此外，可以实施树脂模制和封装，因此，例如，可以制造诸如子弹头型和表面安装型的各种发光二极管。
在例1中，通过形成SOG层16，第二电极14可被没有任何晶界的连续膜确实地覆盖，并且没有观察到小孔和裂纹的产生。结果，可以安全地防止湿气从外部气氛到达包括ITO的第二电极14以及第二电极14中的离子迁移的产生或晶须的形成，因此可以安全地防止第二电极14的恶化和发光二极管的特性的恶化。此外，在400-800nm的波长范围上测量具有140nm厚度的SOG层16的折射率。结果，发现SOG层16的折射率(＝n+i·k)的实部值(n)是1.45，虚部值(k)是0，并且发现SOG层16的光吸收在400-800nm的波长范围不存在。
[例2]
例2是例1的改进。在例2中，第二电极14包括通过真空蒸镀法形成的具有大约100nm厚度的银(Ag)层。例2中的发光二极管衬底侧光拾取型，其中有源层12发射的光直接透射穿过衬底10到达外部，或者被第二电极14反射后透射穿过衬底10并到达外部。由于第二电极14包括银(Ag)，所以可以例如实现不小于96％的反射率。
顺便提及，例2中的发光二极管的其他步骤和构造及结构可以制造成与例1中的相同，并且因此省略它们的详细描述。
[例3]
例3是例1或例2的改进。在例3中，还在[步骤140]和[步骤150]间提供暴露SOG层16的表面于等离子体气氛中的步骤。由于SOG层16的表面如此暴露于等离子体气氛中，可以移去包括在SOG层16的表面部分中的有机物(例如，碳氢化合物)，从而可以获得具有高质量的SOG层16。等离子体气氛条件的例子包括下面表格1中所示的条件。顺便提及，暴露SOG层16的表面于等离子体气氛中的处理也可相似地被在下述例子中实施。
[表格1]
等离子体气氛：单独使用或结合使用的O2气，Ar气，N2气等
压力：0.1-100Pa
施加功率：350W
处理时间：10min。
[例4]
例4同样是例1或例2的改进。在例4的发光二极管中，在SOG层16下面(更特别地，至少在第一化合物半导体层11的暴露部分和SOG层16之间、有源层12的暴露部分和SOG层16之间、第二化合物半导体层13的暴露部分和SOG层16之间、和第二电极14和SOG层16之间)形成第一绝缘层21。在例4中，还在例1的[步骤130]和[步骤140]之间提供在整个表面区域上形成第一绝缘层21的步骤(参见图3A)，即还提供利用第一绝缘层21覆盖第一化合物半导体层11的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、第二电极14、和第一电极15的步骤。此外，在类似于例1的[步骤140]的步骤中，利用SOG层16覆盖第一绝缘层21。此外，在类似于例1的[步骤150]的步骤中，通过光刻技术和干蚀刻技术分别在位于第一电极15上方的SOG层16和第一绝缘层21的那些部分中和位于第二电极14上方的SOG层16和第一绝缘层21的那些部分中形成第一开口18A和第二开口18B(参见图3B)。这里，第一绝缘层21包括具有大约100nm厚度的SiO2层，其是通过CVD法形成的。
由于第一绝缘层21被如此在SOG层16下面形成，不仅能够设法增强发光二极管的可靠性而且能够设法整平(平面化)用于在其上形成SOG层16的底层(衬底层)。
在如例2中的相同方式中，制造具有包括Ag的第二电极14的发光二极管。顺便提及，这种发光二极管指的是例4A的发光二极管。另一方面，制造其中省略SOG层16的形成的发光二极管作为比较例4。例4A的发光二极管和比较例4的发光二极管经过高温高湿偏压试验(85℃，85％RH)，以便比较直到由离子迁移而产生的故障发生的时间中的发光二极管。结果发现例4A的发光二极管的直到故障产生的时间长于比较例4的发光二极管的直到故障产生的时间不少于2000hr。此外，对于比较例4的发光二极管，可以观察到由穿过裂纹或小孔进入的湿气而产生的第二电极14的腐蚀，但是没有发现例4A的发光二极管的第二电极14的任何腐蚀。此外，当例4A的发光二极管经过以非常高的温度(150℃)老化时，没有产生任何问题；这种结果表明构成SOG层16的材料的线性膨胀系数和构成第一绝缘层21的材料的线性膨胀系数之差不引起问题。
[例5]
例5同样是例1或例2的改进。在例5的发光二极管中，在SOG层16上形成第二绝缘层22。在例5中，在类似于例1的[步骤140]的步骤中，利用SOG层16覆盖第一化合物半导体层11的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、第二电极14、和第一电极15。在类似于例1的[步骤140]之后，在例1的[步骤140]和[步骤150]之间还提供利用第二绝缘层22覆盖SOG层16的步骤，即在SOG层16(整个表面区域)上形成第二绝缘层22的步骤(参见图4A)。然后，在类似于例1的[步骤150]中，基于光刻法和干蚀刻法分别在位于第一电极15上方的第二绝缘层22和SOG层16的那些部分中和位于第二电极14上方的第二绝缘层22和SOG层16的那些部分中形成第一开口18A和第二开口18B(参见图4B)。这里，第二绝缘层22包括具有大约100nm厚度的SiO2层，其是通过CVD法形成的。
由于第二绝缘层22被如此在SOG层16上面形成，不仅能够设法增强发光二极管的可靠性而且能够设法增强关于第二绝缘层22等的台阶覆盖性，因为第二绝缘层22被形成在平滑的SOG层16上。
顺便提及，同样可以采用这样一种方法，其中在例1的[步骤130]和[步骤140]之间利用第一绝缘层21覆盖第一化合物半导体层11的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、第二电极14、和第一电极15之后，在类似于例1的[步骤140]的步骤中，利用SOG层16覆盖第一绝缘层21并且还利用第二绝缘层22覆盖SOG层16，并且在类似于例1的[步骤150]的步骤中，在第二绝缘层22、SOG层16和第一绝缘层21中形成第一开口18A和第二开口18B。换句话说，可以采用这样的构造，其中在SOG层16下面(更特别地，至少在第一化合物半导体层11的暴露部分和SOG层16之间、有源层12的暴露部分和SOG层16之间、第二化合物半导体层13和SOG层16之间、和第二电极14和SOG层16之间)形成第一绝缘层21，并在SOG层16上形成第二绝缘层22。对于更特别地，在例5中，可以在例1的[步骤130]和[步骤140]之间进一步提供在整个表面区域上形成第一绝缘层21的步骤。顺便提及，在这种情况下，在类似于例1的[步骤150]的步骤中，在第二绝缘层22、SOG层16和第一绝缘层21中形成第一开口18A和第二开口18B。
[例6]
例6涉及根据本发明的第二实施例制造发光二极管的方法。例6的发光二极管的基本构造和结构可以与例1的发光二极管的基本构造和结构相同，除了第一电极周围部分的构造和结构，例如第一电极延伸到SOG层的上面；因此，省略它们的详细描述。现在，将在下面参考图6A和6B描述例6中的制造发光二极管的方法。
[步骤600]
首先，执行类似于例1的[步骤100]和[步骤110]的步骤，从而在衬底10上方顺序形成第一导电类型(在例6中为n型)的第一化合物半导体层11，有源层12，和不同于第一导电类型的第二导电类型(在例6中为p型)的第二化合物半导体层13，然后执行类似于例1的[步骤120]的步骤。
[步骤610]
接下来，执行类似于[步骤130]的步骤，从而在第二化合物半导体层13上形成第二电极14，然后暴露一部分第一化合物半导体层11。顺便提及，第一电极不在该步骤中形成。
在此之后，利用SOG层16覆盖第一化合物半导体层11的除了其上形成第一电极15的部分之外的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、和一部分第二电极14。
[步骤620]
特别地，接下来，利用SOG层16覆盖第一化合物半导体层11的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、和第二电极14。特别地，通过执行类似于例1的[步骤140]的步骤，在整个表面区域上形成SOG层16(参见图6A)。
[步骤630]
接下来，在SOG层16的覆盖部分的第一化合物半导体层11的其上形成第一电极15的部分中形成第一开口18A，并且在SOG层16的覆盖第二电极14的部分中形成第二开口18B。特别地，基于光刻法和干蚀刻法将第一开口18A和第二开口18B分别形成在SOG层16的位于第一化合物半导体层11的暴露部分上的部分中和SOG层16的位于第二电极14上的部分中(参见图6B)。
[步骤640]
在此之后，第一电极15形成在第一化合物半导体层11的其上将形成第一电极15的暴露部分上。特别地，第一电极15形成在第一化合物半导体层11的在第一开口18A的底部暴露的暴露部分上。更特别地，执行类似于例1的[步骤130]的步骤，从而形成第一电极15以从第一化合物半导体层11的在第一开口18A的底部暴露的部分延伸到第一开口18A附近的SOG层16上。
[步骤650]
接下来，执行类似于例1的[步骤160]的步骤，从而形成从第一电极15穿过第一开口18A延伸到SOG层16上面的第一接触部分(第一焊盘部分)19A，并且同时，形成从第二电极14穿过第二开口18B延伸到SOG层16上面的第二接触部分(第二焊盘部分)19B。在此之后，实施切片以获得芯片，从而可以获得图5中所示的发光二极管。此外，实施树脂模制或封装，从而可以制造诸如子弹头型和表面安装型的各种发光二极管。
顺便提及，在例6中，同样可以利用银(Ag)代替ITO构造第二电极14，如同例2。
此外，如同例4，可以采用这样一种方法，其中在[步骤610]和[步骤620]之间利用第一绝缘层21覆盖第一化合物半导体层11的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、和第二电极14之后，在类似于[步骤620]的步骤中利用SOG层16覆盖第一绝缘层21，并且在类似于[步骤630]的步骤中，在SOG层16和第一绝缘层21的覆盖第一化合物半导体层11的在其上形成第一电极15的部分的那些部分中形成第一开口18A，并且在SOG层16和第一绝缘层21的覆盖第二电极14的那些部分中形成第一开口18B。更特别地，可以采用这样一种方法，其中还在[步骤610]和[步骤620]之间提供在整个表面区域上形成第一绝缘层的步骤，并且在[步骤630]中通过光刻法和干蚀刻法在SOG层16和第一绝缘层的位于第一电极15上方的那些部分中和SOG层16和第一绝缘层的位于第二电极14上方的那些部分中分别形成第一开口18A和第二开口18B。
或者，可以采用这样一种方法，其中如同例5中，在类似于[步骤620]的步骤中利用SOG层16覆盖第一化合物半导体层11的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、和第二电极14，然后利用第二绝缘层22覆盖SOG层16，并且在类似于[步骤630]的步骤中，在第二绝缘层22和SOG层16的覆盖第一化合物半导体层11的在其上形成第一电极15的部分的那些部分中形成第一开口18A，以及在第二绝缘层22和SOG层16的覆盖第二电极14的那些部分中形成第二开口18B。更特别地，可以采用这样一种方法，其中在[步骤620]和[步骤630]之间还提供在SOG层16(整个表面区域)上形成第二绝缘层的步骤，并且在类似于[步骤630]的步骤中利用光刻法和干蚀刻法在第二绝缘层和SOG层16的位于第一电极15上方的那些部分中和第二绝缘层和SOG层16的位于第二电极14上方的那些部分中分别形成第一开口18A和第二开口18B。
或者，可以采用这种方法，其中在[步骤610]和[步骤620]之间利用第一绝缘层21覆盖第一化合物半导体层11的暴露部分、有源层12的暴露部分、第二化合物半导体层13的暴露部分、和第二电极14，在此之后，在类似于[步骤620]的步骤中利用SOG层16覆盖第一绝缘层21并且然后再利用第二绝缘层22覆盖SOG层16，并且在类似于[步骤630]的步骤中，在第二绝缘层22、SOG层16和第一绝缘层21的覆盖第一化合物半导体层11的形成第一电极15的部分的那些部分中形成第一开口18A，以及在第二绝缘层22、SOG层16和第一绝缘层21的覆盖第二电极14的那些部分中形成第二开口18B。更特别地，可以采用这样一种方法，其中在[步骤610]和[步骤620]之间在整个表面区域上形成第一绝缘层，并且在[步骤620]和[步骤630]之间还提供在SOG层16(整个表面区域)上形成第二绝缘层的步骤。顺便提及，在这种情况下，在类似于[步骤630]的步骤中，在第二绝缘层、SOG层16、和第一绝缘层中形成第一开口18A和第二开口18B。
虽然上面已经描述了本发明的优选例子，但是本发明并不被解释成限制到这些例子。上面例子中描述的发光装置的构造和结构，构造发光装置的材料，发光装置的制造条件，和各种数值只是范例，并且它们可以根据需要而改变。例如，在例1-6中描述的发光装置中，可以采用这样一种结构，其中部分第二化合物半导体层13被第二电极14覆盖，例如，图7中示出了示意性截面图。
虽然已经利用具体的术语描述了本发明的优选实施例，但是这些描述只是为了说明的目的，并且可以理解的是在不脱离所附的权利要求的精神或范围下可以作出改变和变化。
本发明包含与于2006年10月18日在日本专利局中请的日本专利申请JP 2006-284051相关的主题，通过参考将其全部内容结合于此。

Claims (18)

1.一种制造发光装置的方法，包括步骤：
(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及
(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上方形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上方形成第二电极，
其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：
(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。
2.如权利要求1中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C)中，利用所述SOG层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、所述第二电极、和所述第一电极，并且在此之后在所述SOG层的位于所述第一电极上方的部分和所述SOG层位于所述第二电极上方的部分中分别形成第一开口和第二开口。
3.如权利要求2中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C)中，利用第一绝缘层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、所述第二电极、和所述第一电极，并且在此之后利用SOG层覆盖所述第一绝缘层，并且在所述SOG层和所述第一绝缘层中形成第一开口和第二开口。
4.如权利要求2中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C)中，利用SOG层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、所述第二电极、和所述第一电极，并且在此之后利用第二绝缘层覆盖所述SOG层，并且在所述第二绝缘层和所述SOG层中形成第一开口和第二开口。
5.如权利要求2中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C)中，利用第一绝缘层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、所述第二电极、和所述第一电极，并且在此之后利用SOG层覆盖所述第一绝缘层，利用第二绝缘层进一步覆盖所述SOG层，并且然后在所述第二绝缘层、所述SOG层和所述第一绝缘层中形成第一开口和第二开口。
6.一种制造发光装置的方法，包括步骤：
(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及
(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层并且在所述第二化合物半导体层上方形成第二电极，
其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：
(C)利用SOG层覆盖所述第一化合物半导体层的除了形成第一电极部分之外的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极；以及
(D)在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分的形成所述第一电极的所述部分上形成所述第一电极。
7.如权利要求6中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C)中，利用所述SOG层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、和所述第二电极，然后在所述SOG层的覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分的形成所述第一电极的所述部分的部分中形成第一开口，并且在所述SOG层的覆盖所述第二电极的部分中形成第二开口；以及
在所述步骤(D)中，在所述第一化合物半导体层的在所述第一开口的底部暴露的部分上形成所述第一电极。
8.如权利要求7中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C)中，利用第一绝缘层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、和所述第二电极，在此之后利用所述SOG层覆盖所述第一绝缘层，然后在所述SOG层和所述第一绝缘层的覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分的形成所述第一电极的所述部分的那些部分中形成所述第一开口，并且在所述SOG层和所述第一绝缘层的覆盖所述第二电极的那些部分中形成所述第二开口。
9.如权利要求7中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C)中，利用所述SOG层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、和所述第二电极，在此之后利用第二绝缘层覆盖所述SOG层，然后在所述第二绝缘层和所述SOG层的覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分的形成所述第一电极的所述部分的那些部分中形成所述第一开口，并且在所述第二绝缘层和所述SOG层的覆盖所述第二电极的那些部分中形成所述第二开口。
10.如权利要求7中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C)中，利用第一绝缘层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、和所述第二电极，在此之后利用所述SOG层覆盖所述第一绝缘层，利用第二绝缘层进一步覆盖所述SOG层，然后在所述第二绝缘层、所述SOG层和所述第一绝缘层的覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分的形成所述第一电极的所述部分的那些部分中形成所述第一开口，并且在所述第二绝缘层、所述SOG层和所述第一绝缘层的覆盖所述第二电极的那些部分中形成所述第二开口。
11.如权利要求6中所述的制造发光装置的方法，
其中所述第二电极包括ITO；以及
在所述步骤(C)中，SOG材料层形成为SOG层前驱体，在此之后焙烘所述SOG材料层以获得所述SOG层，并且同时，退火构成所述第二电极的所述ITO。
12.如权利要求11中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C)中的所述SOG材料层的焙烘条件是惰性气体气氛，250-700℃的焙烘温度和5-60min的焙烘时间，或者包含0.1-20体积百分比的氧气的惰性气体气氛，250-700℃的焙烘温度，和5-60min的焙烘时间。
13.如权利要求6中所述的制造发光装置的方法，其中所述第二电极包括银。
14.如权利要求6中所述的制造发光装置的方法，还包括在所述步骤(C)中形成所述SOG层之后暴露所述SOG层的表面于等离子体气氛中的步骤。
15.一种发光装置，包括：
(a)顺序形成在衬底上方的第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；
(b)形成在所述第一化合物半导体层的暴露部分上方的第一电极；以及
(c)形成在所述第二化合物半导体层上方的第二电极，
其中至少所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极被SOG层覆盖。
16.如权利要求15中所述的发光装置，其中第一绝缘层形成在所述SOG层的下方。
17.如权利要求15中所述的发光装置，其中第二绝缘层形成在所述SOG层的上方。
18.如权利要求15中所述的发光装置，其中第一绝缘层被形成在所述SOG层的下方，并且第二绝缘层被形成在所述SOG层的上方。
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