JP2008103499A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子は、(a)基体10上に順次形成された、n型の第1化合物半導体層11、活性層12、及び、p型の第2化合物半導体層13、(b)露出した第1化合物半導体層11の部分17の上に形成された第1電極15、並びに、(c)第2化合物半導体層13の上に形成された第2電極14を備えており、少なくとも、露出した第1化合物半導体層11の部分、露出した活性層12の部分、露出した第2化合物半導体層13の部分、及び、第2電極14は、SOG層16で被覆されている。
【選択図】 図1
Description
(A)基体上に、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第1導電型とは導電型が異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層を、順次、形成した後、
(B)第1化合物半導体層の一部分を露出させ、露出した第1化合物半導体層の一部分の上に第1電極を形成し、第2化合物半導体層の上に第2電極を形成する、
工程を備えた発光素子の製造方法であって、
前記工程(B)に引き続き、
(C)少なくとも、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、及び、露出した第2化合物半導体層の部分、並びに、第2電極の一部分を、SOG層で被覆する、
工程を更に備えていることを特徴とする。
(A)基体上に、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第1導電型とは導電型が異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層を、順次、形成した後、
(B)第1化合物半導体層の一部分を露出させ、第2化合物半導体層の上に第2電極を形成する、
工程を備えた発光素子の製造方法であって、
前記工程(B)に引き続き、
(C)第1電極を形成すべき部分を除く露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、及び、第2電極の一部分を、SOG層で被覆した後、
(D)露出した第1化合物半導体層の一部分における第1電極を形成すべき部分の上に、第1電極を形成する、
工程を更に備えていることを特徴とする。
前記工程(C)において、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、及び、第2電極を、SOG層で被覆し、次いで、第1化合物半導体層の一部分における第1電極を形成すべき部分を被覆したSOG層の部分に第1開口部を形成し、第2電極を被覆したSOG層の部分に第2開口部を形成し、
前記工程(D)において、第1開口部の底部に露出した第1化合物半導体層の部分の上に第1電極を形成する形態とすることが好ましい。
焼成雰囲気:不活性ガス雰囲気、若しくは、
酸素ガスを0.1容量%乃至20容量%、好ましくは2容量%乃至5容量% 含有する不活性ガス雰囲気
焼成温度 :250゜C乃至700゜C、好ましくは400゜C乃至600゜C
焼成時間 :5分乃至60分、好ましくは20分乃至40分
(a)基体上に順次形成された、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第1導電型とは導電型が異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層、
(b)露出した第1化合物半導体層の部分の上に形成された第1電極、並びに、
(c)第2化合物半導体層の上に形成された第2電極、
を備えた発光素子であって、
少なくとも、露出した第1化合物半導体層の部分、露出した活性層の部分、及び、露出した第2化合物半導体層の部分、並びに、第2電極の一部分は、SOG層で被覆されていることを特徴とする。
(1)露出した第1化合物半導体層の部分(第1電極で覆われていない第1化合物半導体層の部分)、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分(第2電極で覆われていない第2化合物半導体層の部分)、及び、第2電極の一部分を被覆している形態、
(2)露出した第1化合物半導体層の部分(第1電極で覆われていない第1化合物半導体層の部分)、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分(第2電極で覆われていない第2化合物半導体層の部分)、第2電極の一部分、及び、第1電極の一部分を被覆している形態、
を挙げることができる。
(a)基体10上に順次形成された、第1導電型(実施例1においては、n型)を有する第1化合物半導体層11、活性層12、及び、第1導電型とは導電型が異なる第2導電型(実施例1においては、p型)を有する第2化合物半導体層13、
(b)露出した第1化合物半導体層11の部分17の上に形成された第1電極15、並びに、
(c)第2化合物半導体層13の上に形成された第2電極14、
を備えている。
先ず、サファイアから成る基板10AをMOCVD装置に搬入し、水素から成るキャリアガス中、基板温度1050゜Cで10分間の基板クリーニングを行った後、基板温度を500゜Cまで低下させる。そして、MOCVD法に基づき、窒素原料であるアンモニアガスを供給しながら、ガリウム原料であるトリメチルガリウム(TMG)ガスの供給を行い、GaNから成る下地層10Bを基板10Aの表面に結晶成長させた後、TMGガスの供給を中断する。
次いで、基体10上に、第1導電型を有する第1化合物半導体層11、活性層12、及び、第1導電型とは導電型が異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層13を、順次、形成する。
こうして結晶成長を完了した後、窒素ガス雰囲気中で約800゜C、10分間のアニール処理を行って、p型不純物(p型ドーパント)の活性化を行う。
その後、第2化合物半導体層13の上に、ITOから成る第2電極14をスパッタリング法に基づき形成する。次いで、第1化合物半導体層11の一部分を露出させる(図2の(A)参照)。具体的には、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術にて、第2電極14、第2化合物半導体層13、活性層12の一部を除去して、第1化合物半導体層11の一部分17を露出させる。その後、リフトオフ法に基づき、露出した第1化合物半導体層11の一部分の上に第1電極15を形成する(図2の(B)参照)。具体的には、全面にレジスト層を形成し、第1電極を形成すべき第1化合物半導体層11の一部分の上のレジスト層に開口を形成した後、全面に、第1電極15を構成する金属層をスパッタリング法にて成膜し、次いで、レジスト層を除去することで、第1電極15を形成することができる。
具体的には、先ず、全面を、即ち、露出した第1化合物半導体層11の一部分、露出した活性層12の部分、露出した第2化合物半導体層13の部分、第2電極14、及び、第1電極15を、SOG層16で被覆する(図3の(A)参照)。より具体的には、先ず、SOG層16の前駆体に相当するケイ酸化合物を有機溶剤に溶解した溶液から成るSOG材料層を、例えば、スピンコーティング法にて、全面に、形成する。次いで、SOG材料層から有機溶剤を除去した後、SOG材料層を焼成することで、ケイ酸ガラス(SiO2)を主成分としたSOG層16を得ることができる。SOG材料層の焼成条件として、窒素ガス雰囲気といった不活性ガス雰囲気において、400゜C、20分を例示することができる。このSOG材料層16の焼成によって、同時に、第2電極14を構成するITOをアニールすることができ、これによって、第2電極14においてキャリアを発生させることができる。
その後、第1電極15上のSOG層16の部分及び第2電極14上のSOG層16の部分に、それぞれ、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき、第1開口部18A及び第2開口部18Bを形成する(図3の(B)参照)。
次いで、第1電極15から第1開口部18Aを介してSOG層16上に延びる第1コンタクト部(第1パッド部)19Aを形成し、同時に、第2電極14から第2開口部18Bを介してSOG層16上に延びる第2コンタクト部(第2パッド部)19Aを形成する。尚、第1コンタクト部(第1パッド部)19A及び第2コンタクト部(第2パッド部)19Bは、例えば、蒸着法によって形成されたTi層/Pt層、及び、その上にメッキ法によって形成されたAu層から成る。その後、ダイシングによりチップ化を行い、図1の(B)に示した発光ダイオードを得ることができる。更には、樹脂モールド、パッケージ化を行うことで、例えば、砲弾型や面実装型といった種々の発光ダイオードを作製することができる。
プラズマ雰囲気:O2ガス、Arガス、N2ガス等を単独使用、又は、混合して使用
圧力 :0.1Pa〜100Pa
印加パワー :350W
処理時間 :10分
先ず、実施例1の[工程−100]及び[工程−110]と同様の工程を実行することで、基体10上に、第1導電型(実施例6においては、n型)を有する第1化合物半導体層11、活性層12、及び、第1導電型とは導電型が異なる第2導電型(実施例6においては、p型)を有する第2化合物半導体層13を、順次、形成し、その後、[工程−120]と同様の工程を実行する。
次いで、[工程−130]と同様の工程を実行することで、第2化合物半導体層13の上に第2電極14を形成した後、第1化合物半導体層11の一部分を露出させる。尚、この工程においては、第1電極は形成しない。
具体的には、次いで、露出した第1化合物半導体層11の一部分、露出した活性層12の部分、露出した第2化合物半導体層13の部分、及び、第2電極14を、SOG層16で被覆する。具体的には、実施例1の[工程−140]と同様の工程を実行することで、全面にSOG層16を形成する(図7の(A)参照)。
次いで、第1化合物半導体層11の一部分における第1電極15を形成すべき部分を被覆したSOG層16の部分に第1開口部18Aを形成し、第2電極14を被覆したSOG層16の部分に第2開口部18Bを形成する。具体的には、露出した第1化合物半導体層11の部分の上のSOG層16の部分及び第2電極14上のSOG層16の部分に、それぞれ、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき、第1開口部18A及び第2開口部18Bを形成する(図7の(B)参照)。
その後、露出した第1化合物半導体層11の一部分における第1電極15を形成すべき部分の上に、第1電極15を形成する。即ち、第1開口部18Aの底部に露出した第1化合物半導体層11の部分の上に第1電極15を形成する。具体的には、実施例1の[工程−130]と同様の工程を実行することで、第1開口部18Aの底部に露出した第1化合物半導体層11の部分の上から、第1開口部18Aの近傍のSOG層16の上に亙り、第1電極15を形成する。
次に、実施例1の[工程−160]と同様の工程を実行することで、第1電極15から第1開口部18Aを介してSOG層16上に延びる第1コンタクト部(第1パッド部)19Aを形成し、同時に、第2電極14から第2開口部18Bを介してSOG層16上に延びる第2コンタクト部(第2パッド部)19Bを形成する。その後、ダイシングによりチップ化を行い、図6に示した発光ダイオードを得ることができる。更には、樹脂モールド、パッケージ化を行うことで、例えば、砲弾型や面実装型といった種々の発光ダイオードを作製することができる。
Claims (18)
- (A)基体上に、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第1導電型とは導電型が異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層を、順次、形成した後、
(B)第1化合物半導体層の一部分を露出させ、露出した第1化合物半導体層の一部分の上に第1電極を形成し、第2化合物半導体層の上に第2電極を形成する、
工程を備えた発光素子の製造方法であって、
前記工程(B)に引き続き、
(C)少なくとも、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、及び、露出した第2化合物半導体層の部分、並びに、第2電極の一部分を、SOG層で被覆する、
工程を更に備えていることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記工程(C)において、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、第2電極、及び、第1電極を、SOG層で被覆した後、第1電極上のSOG層の部分及び第2電極上のSOG層の部分に、それぞれ、第1開口部及び第2開口部を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。
- 前記工程(C)において、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、第2電極、及び、第1電極を、第1の絶縁層で被覆した後、第1の絶縁層をSOG層で被覆し、SOG層及び第1の絶縁層に、第1開口部及び第2開口部を形成することを特徴とする請求項2に記載の発光素子の製造方法。
- 前記工程(C)において、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、第2電極、及び、第1電極を、SOG層で被覆した後、SOG層を第2の絶縁層で被覆し、第2の絶縁層及びSOG層に、第1開口部及び第2開口部を形成することを特徴とする請求項2に記載の発光素子の製造方法。
- 前記工程(C)において、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、第2電極、及び、第1電極を、第1の絶縁層で被覆した後、第1の絶縁層をSOG層で被覆し、SOG層を更に第2の絶縁層で被覆した後、第2の絶縁層、SOG層及び第1の絶縁層に、第1開口部及び第2開口部を形成することを特徴とする請求項2に記載の発光素子の製造方法。
- (A)基体上に、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第1導電型とは導電型が異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層を、順次、形成した後、
(B)第1化合物半導体層の一部分を露出させ、第2化合物半導体層の上に第2電極を形成する、
工程を備えた発光素子の製造方法であって、
前記工程(B)に引き続き、
(C)第1電極を形成すべき部分を除く露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、及び、第2電極の一部分を、SOG層で被覆した後、
(D)露出した第1化合物半導体層の一部分における第1電極を形成すべき部分の上に、第1電極を形成する、
工程を更に備えていることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記工程(C)において、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、及び、第2電極を、SOG層で被覆し、次いで、第1化合物半導体層の一部分における第1電極を形成すべき部分を被覆したSOG層の部分に第1開口部を形成し、第2電極を被覆したSOG層の部分に第2開口部を形成し、
前記工程(D)において、第1開口部の底部に露出した第1化合物半導体層の部分の上に第1電極を形成することを特徴とする請求項6に記載の発光素子の製造方法。 - 前記工程(C)において、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、及び、第2電極を、第1の絶縁層で被覆した後、第1の絶縁層をSOG層で被覆し、次いで、第1化合物半導体層の一部分における第1電極を形成すべき部分を被覆したSOG層及び第1の絶縁層の部分に第1開口部を形成し、第2電極を被覆したSOG層及び第1の絶縁層の部分に第2開口部を形成することを特徴とする請求項7に記載の発光素子の製造方法。
- 前記工程(C)において、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、及び、第2電極を、SOG層で被覆した後、SOG層を第2の絶縁層で被覆し、次いで、第1化合物半導体層の一部分における第1電極を形成すべき部分を被覆した第2の絶縁層及びSOG層の部分に第1開口部を形成し、第2電極を被覆した第2の絶縁層及びSOG層の部分に第2開口部を形成することを特徴とする請求項7に記載の発光素子の製造方法。
- 前記工程(C)において、露出した第1化合物半導体層の一部分、露出した活性層の部分、露出した第2化合物半導体層の部分、及び、第2電極を、第1の絶縁層で被覆した後、第1の絶縁層をSOG層で被覆し、SOG層を更に第2の絶縁層で被覆し、次いで、第1化合物半導体層の一部分における第1電極を形成すべき部分を被覆した第2の絶縁層、SOG層及び第1の絶縁層の部分に第1開口部を形成し、第2電極を被覆した第2の絶縁層、SOG層及び第1の絶縁層の部分に第2開口部を形成することを特徴とする請求項7に記載の発光素子の製造方法。
- 第2電極はITOから成り、
前記工程(C)において、SOG層前駆体としてのSOG材料層を形成した後、SOG材料層を焼成することでSOG層を得ると同時に、第2電極を構成するITOをアニールすることを特徴とする請求項1又は請求項6に記載の発光素子の製造方法。 - 前記工程(C)におけるSOG材料層の焼成条件は、不活性ガス雰囲気における焼成温度250゜C乃至700゜C、焼成時間5分乃至60分の条件、若しくは、酸素ガスを0.1容量%乃至20容量%含有する不活性ガス雰囲気における焼成温度250゜C乃至700゜C、焼成時間5分乃至60分の条件であることを特徴とする請求項11に記載の発光素子の製造方法。
- 第2電極は銀を含むことを特徴とする請求項1又は請求項6に記載の発光素子の製造方法。
- 前記工程(C)において、SOG層を形成した後、SOG層の表面をプラズマ雰囲気に暴露する工程を更に含むことを特徴とする請求項1又は請求項6に記載の発光素子の製造方法。
- (a)基体上に順次形成された、第1導電型を有する第1化合物半導体層、活性層、及び、第1導電型とは導電型が異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層、
(b)露出した第1化合物半導体層の部分の上に形成された第1電極、並びに、
(c)第2化合物半導体層の上に形成された第2電極、
を備えた発光素子であって、
少なくとも、露出した第1化合物半導体層の部分、露出した活性層の部分、及び、露出した第2化合物半導体層の部分、並びに、第2電極の一部分は、SOG層で被覆されていることを特徴とする発光素子。 - SOG層の下には第1の絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項15に記載の発光素子。
- SOG層の上には第2の絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項15に記載の発光素子。
- SOG層の下には第1の絶縁層が形成されており、SOG層の上には第2の絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項15に記載の発光素子。
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