TW200834984A - Light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 194
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 190
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010411 cooking Methods 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 496
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- -1 containing In Chemical compound 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N dibismuth;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- MQBKFPBIERIQRQ-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene;cyclopentane Chemical compound [Mg+2].C=1C=C[CH-]C=1.[CH-]1[CH-][CH-][CH-][CH-]1 MQBKFPBIERIQRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N o-dicarboxybenzene Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000007763 reverse roll coating Methods 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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200834984 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光元件及其製造方法。 【先前技術】 例如，於曰本實用新案登錄第3068914號揭示之先前發 光二極體（LED)，如圖9之模式截面圖所示，於例如由藍寶 石構成之基板10A上，例如具有基於MOCVD法形成之基底 層10B、以及具有第1導電型（例如n型）之第i化合物半導體 層11、活性層12、及具有第2導電型（例如p型）之第2化合物 半導體層13所積層之積層構造的發光層。於第2化合物半 導體層13上設有第2電極14。此外，藉由除去第2化合物半 導體層13及活性層12之一部分，使第丨化合物半導體層u 之一部分露出，並於此露出之第i化合物半導體層^之部 分上設有第1電極15。然後，自第2電極14經由殘留之第2 化合物半導體層13正下方之活性層12的部分，向第1化合 物半導體層11、第1電極15傳輸電流。其結果，於活性層 12中’藉由電流注入激勵活性層12之量子井結構，於整個 面成為發光狀態。 於基板側取光型之發光二極體中，來自活性層12之光直 接通過基板10A向外部射出，或者於第2電極14反射，通過 基板10A向外部射出。此外，於電極透過取光型之發光二 極體中，來自活性層12之光通過第2電極14向外部射出。 因此’成為發光層之化合物半導體層的可靠性自不待言， 電極之可靠性（例如耐環境性及均一性）亦極其重要。 122622.doc 200834984 作為構成第2電極14的材料，於基板側取光型之發光二 極體中，係使用具有兩反射率之銀（Ag)，於電極透過取光 型之發光二極體中’係使用構成透明電極之IT〇。並且， 為提高第2電極14之可靠性，通常第2電極14係以藉由電漿 CVD法等CVD法、真空蒸鍍法、濺鍍法等pvD法形成之絕 緣膜116所被覆。並且，於第〗電極15及第2電極14上方之 絕緣膜116的部分，設有開口部18A、18B，並於露出之第 1電極15及第2電極14上，設有第丨接觸部19A、第2接觸部 19B 〇 [專利文獻1]日本實用新案登錄第3068914號 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 可是，於基於CVD法與PVD法成膜之絕緣膜116上易 於產生針孔及裂縫，於因電極構造及裝置構造而存在陡靖 之階差部時’有無法以絕緣膜〗16確實地覆蓋該階差部之 情形。此外，亦有因存在污染物與異物等，而於絕緣膜 116產生針孔及裂縫之情形。然後，即使n緣膜⑴上僅 產^細微之針孔或裂縫，或者階差被覆性不良時，來自外 部環境中之水份便會侵人，若水㈣達由銀（Ag)或⑽構 成之第2電極14,則於第2電極14中會產生離子遷移或生成 晶鬚’從而導致第2電極14之劣化，進而導致發光二極體 之特性劣化。 為抑制針孔及裂縫之產生，有藉由提高絕緣膜ιι6成膜 中之基板加熱溫度，或藉由以逆濺鍍法等清潔第2電極Η 122622.doc 200834984 之表面等而改善基底之方法等，纟因熱履歷及電漿損傷等 之衫響而易於發生其他問題。此外，難以用絕緣膜u 6確 只覆盍陡峭之階差部，且該階差部成為絕緣膜116之膜成 長不連續點的情形亦报多。 因此，本發明之目的在於提供一種難以產生針孔及裂 縫，且具有藉由階差被覆性優越之被覆層（絕緣層）被覆電 極之構造的發光元件及其製造方法。 [解決問題之技術手段] 用以達成上述目的之本發明第〗態樣之發光元件之製造 方法，其特徵在於具備： ()於基體上依序形成具有第丨導電型之第1化合物半導 體層活丨生層、及具有導電型與第1導電型不同之第2導電 型的第2化合物半導體層之步驟； ()使第1化合物半導體層之一部分露出，於露出之第工 化口物半‘體層的—部分上形成第^電極，於第2化合物半 導體層上形成第2電極之步驟； 且繼前述步驟（B)之後，進而具備 (C)至少以S0G層被覆露出之第Μ合物半導體層之一部 分、露出之活性層之部分，之第2化合物半導體層之 4为及弟2電極之一部分之步驟。 於本發明第1(態樣之發光元件之製造方法中，於前述步 驟⑹中’宜為以S0G層被覆露出之第】化合物半導體層之 -部分、露出之活性層之部分、冑出之第2化合物半導體 層之#刀、第2電極及第1電極後，於第極上之s〇g層 122622.doc 200834984 之部分及第2電極上之SOG層之八 及第2開口部之形態。 刀別形成弟1開口部 並且，於此情形，於前述步驟 被覆露出之第1化合物半導體層 可為以第1絕緣層 之部分、露出之第2化合物半導:：部分、露出之活性層 1電極後，以SOG層被覆第—自之^刀、第2電極及第 緣層形成第】開口部及第^部\層構成並於SOG層及第1絕 或者，於此情形，於前述步驟（ 覆露出之第1化合物半導體層之A ?、、、以S0G層被 部分、露出之第2化合物半導 ：％出之活性層之 Ψ v ^ ㈢之αΡ分、第2電極及第1 電極後，以第2絕緣層被覆s〇 層形成第心部及第2開。部二成—層及綱 ❿ :::於此情形’於前述步驟(c)中，可為以第^絕緣層 之弟1化合物半導體層之-部分、露出之活性層 之部分、露出之第2化合物半導體層之部分、第2電極及^ 電極後卩SOG層被覆第！絕緣層，進而以第2絕緣層被 覆s喝，之後於第2絕緣層、s〇g層及第i絕緣層形成第 1開口部及第2開口部之構成。 於本發明第1態樣之發光元件之製造方法中，亦可進而 具備形成自第1電極經由第〗開口部延伸至s〇G層上之第i 接觸部’且形成自第2電極經由第2開口部延伸至s〇G層上 之第2接觸部之步騾。 θ 再者’於本發明第1態樣之發光元件之製造方法中，自 簡化步驟之觀點來看，宜以同一步驟形成第1開口部與第2 122622.doc 200834984 開口部。又’雖自簡化步驟之觀點來看，宜以同— f第1接觸部與第2接觸部，但於必須使第】接觸部之頂面 南度與弟2接觸部之頂面古洚 ^ 1疋頂面同度一致之情形，宜以不同步驟 形成第1接觸部與第2接觸部。 . 用以達成前述目的之本發明第2態樣之發光元件之製造 方法，其特徵在於具備·· ⑷於基體上依序形成具有第1導電型之第i化合物半導 體層、活性層、及具有導電型與第1導電型不同之第2導電 • 型的第2化合物半導體層之步驟； (B) 使第1化合物半導體層之一部分露出，並於第]化合 物半導體層上形成第2電極之步驟； 且繼前述步驟（B)之後，進而具備 (C) 以S〇G層被覆除應形成第1電極之部分以外的露出之 第1化合物半導體層之一部分、露出之活性層之部分、露 出之第2化合物半導體層之部分及第2電極之一部分之步 驟； (D) 於露出之第1化合物半導體層的一部分中應形成第1 電極的部分上，形成第1電極之步驟。 • 於本發明第2態樣之發光元件之製造方法中，於前述步 •驟（C)中，宜為以SOG層被覆露出之第1化合物半導體層之 一部分、露出之活性層之部分、露出之第2化合物半導體 層之部分及第2電極，其次，於被覆第1化合物半導體層之 一部分中應形成第1電極的部分之SOG層的部分形成第J開 口部，並於被覆第2電極之SOG層的部分形成第2開口部之 122622.doc •10- 200834984 形態；且 於前述步驟⑼中， 1化合物半導體層之部分上开:：！於弟1開口部之底部的第 並且，A 形成弟1電極之形態。 卫且於此情形，於前述步驟 被覆露出之第i化合物半導體中，可為以第1絕緣層 之部分、露出P 體層之-部分、露出之活性層 出之弟2化合物半導體 卜 以SOG層被霜笙w ^ 口P分及弟2電極後， 層之一;中: 其次，於被覆第1化合物半導體 口P刀中應形成第1雷古
的部分形赤電本的刀之S〇G層及第i絕緣層 的P刀开/成弟1開口部，並於 絕緣層的部分形成第2開口部之構成。1之㈣層及第1 覆=之於前述步驟(C)中，可為以S〇G層被 覆路出之弟i化合物半導體層之一部分、露出之活性層之 部分、露出之第2化合物半導體層之部分及第2電極後，以 第2絕緣層被覆S〇G層，其次’於被覆第W合物半導體層 之-部分中應形成第i電極的部分之第2絕緣層及s〇g層的 部分形成第1開口冑，並於被覆第2電極之第2絕緣層及 SOG層的部分形成第2開口部之構成。 或者，於此情形，於前述步驟（c)中，可為以第丨絕緣層 被覆露出之第1化合物半導體層之一部分、露出之活性層 之部分、露出之第2化合物半導體層之部分及第2電極後， 以SOG層被覆第1絕緣層，進而以第2絕緣層被覆s〇G層， 然後於被覆第1化合物半導體層之一部分中應形成第1電極 之部分的第2絕緣層、SOG層及第1絕緣層之部分形成第j 開口部，並於被覆第2電極之第2絕緣層、s〇G層及第 122622.doc 11 200834984 緣層的部分形成第2開口部之構成。 於本發明第2態樣之發光元件之製造方法中，亦可進而 具備形成自第1電極經由第1開口部延伸至SOG層上之第1 接觸部，且形成自第2電極經由第2開口部延伸至s〇G層上 之弟2接觸部的步驟。 再者，於本發明第2態樣之發光元件之製造方法中，自 簡化步驟之觀點來看，宜以同一步驟形成第〗開口部與第2 開口部。又，雖自簡化步驟之觀點來看，宜以同一步驟形 成第1接觸部與第2接觸部，但於必須使第！接觸部之頂面 鬲度與第2接觸部之頂面高度一致之情形，宜以不同步驟 形成第1接觸部與第2接觸部。進而，為避免安裝時因焊料 而導致連接於第1接觸部之配線與第2接觸部的接觸及短 路’亦可开> 成覆蓋相關配線之絕緣膜。 μ於包含以上説明之較佳形態、構成之本發明第丨態樣或 第2態樣之發光元件之製造方法(以下總稱此等，有僅稱為 本發明之發光元件之製造方法之情形)中，第2電極可由 το(摻雜氧化錫之氧化銦）構《，並於前述步驟（〇中，可 為（於正個面）形成作為S0G層前驅體之S0G材料層後，藉 由培燒SOG材料層而得到s〇G層，同時對構成第2電極: ITO進行退火之構成，藉此，可謀求簡化發光元件之製造 步驟。再者，於此種構成中，於發光元件為發光二極體之 W ’該發光二極體係電極透過取光型，纟自活性層之光 1過第2化口物半導體層、第2電極、層向外部射出。 並且’於此情形’作為前述步驟（C)中S0G材料層之培 122622.doc -12- 200834984 燒條件，可列舉出以下之條件。 焙燒環境：惰性氣體環境、或含有容積〇1%至容積 2〇%，較佳為容積2%至容積5%之氧氣的惰性氣體環境 焙燒溫度：250。(：至700t，較佳為400。(：至6〇〇。(：：
焙燒時間·· 5分鐘至60分鐘，較佳為2〇分鐘至4〇分鐘 或者，於本發明之發光元件之製造方法中，第2電極可 為含有銀（包含含有In、Cu、Pd、Ni、c〇、Rh、扒之銀合 金）之構成。再者，於此種構成中，於發光元件為發光二 極體之情形，該發光二極體係基板側取光型，來自活性層 之光直接通過基體向外部射出，或於第2電極反射，通過 基體向外部射出。藉由以銀（Ag)構成第2電極，可達成例 如96%以上之光反射率。 於包含以上説明之較佳構成的本發明之發光元件之製造 方法中，於前述步驟（C)中，宜進而包含於（整個面）形成 SOG層之後，將SOG材料層之表面暴露於電漿環境中之步 驟。如此，可藉由將SOG材料層之表面暴露於電漿環境^ 而除去SOG層表面部分含有之有機物（例如碳氯化合物 等）’從而得到具有高品質之咖層。作為電襞環境之條 件，為單獨使用或混合使用〇2氣體、Ar氣體、①氣體等而 形成之電浆環境’壓力為O.i Pa〜100 Pa，並考慮電聚裝 置及電漿損傷和效果而決定施加功率及處理時間即可，例 如，可例示施加功率350 W、1〇分左右之處理時間。 ’其特徵在於具 用以達成上述目的之本發明之發光元件 備： 122622.doc -13- 200834984 u)依序形成於基體上之具有第i導電型之第丨化合物半導 體層、活性層、及具有導電型與第1電型不同之第2導電 型的第2化合物半導體層； (b)形成於露出之第丨化合物半導體層之部分上的第1電 極；及 (<0开y成於第2化合物半導體層上之第2電極；且 至少露出之第1化合物半導體層之部分、露出之活性層 之部分、露出之第2化合物半導體層之部分及第2電極之: 部分係由SOG層被覆。 再者，雖至少露出之第丨化合物半導體層之部分（未由第 1電極覆蓋之第1化合物半導體層的部分）、露出之活性層 之部分、露出之第2化合物半導體層之部分及第2電極之— 部分係由SOG層被覆，但依存於發光元件之構造，可列舉 以下形態： (1) SOG層被覆露出之第丨化合物半導體層之部分（未由第 1電極覆蓋之第1化合物半導體層的部分）、露出之活性層 之部分、露出之第2化合物半導體層之部分（未由第2電極 覆蓋之第2化合物半導體層的部分）及第2電極之一部分的 形態； (2) SOG層被覆露出之第Hb合物半導體層之部分（未由第 1電極覆蓋之第1化合物半導體層的部分）、露出之活性層 之部分、露出之第2化合物半導體層之部分（未由第2電極 覆盍之弟2化合物半導體層的部分）、第2電極之一部分及 第1電極之一部分的形態。 122622.doc -14- 200834984 於本發明之發光元件中，可為 卞τ J馬於SOG層下（具體言之， 門夕於露出之第1化合物半導體層之部分與SOG層之 之活性層之部分與⑽層之間、露出之第2化合 /導體層之部分與S0G層之間、及第2電極與層之 f:)形成有第!絕緣層之形態；或可為於s〇G層上形成有第 命緣g之形悲，或可為於s〇G層下（具體言之，係至少於 路出之第1化合物半導體層之部分與s〇G層之間、露出之 活:生層之部分與S0G層之間、露出之第2化合物半導體層 =部分與SOG層之間、及第2電極與s〇G層之間）形成有第1 、、邑緣層，並於SOG層上形成有第2絕緣層之形態。 ;匕έ以上説明之較佳形態、構造之本發明之發光元件 中，可為於第1電極上形成有第丨接觸部，並於第2電極上 形成有第2接觸部之構造。 於包3以上説明之較佳形態、構造之本發明之發光元件 之製造方法’或本發明之發光元件（以下總稱此等，有單 純稱為本發明之情形）中，SOG材料層係指將矽酸化合物 (主要為矽烷醇、聚矽氮烷（由Si、Ο、（Ν、Η)、烷基、燒 氧基等構成之化合物））溶解於有機溶劑（例如乙醇及醋酸丁 醋）之溶液，藉由各種塗佈法進行塗佈而形成之層。自 S〇G材料層除去有機溶劑後，焙燒SOG材料層，藉此可得 到以石夕酸玻璃（Si〇2)為主要成分之s〇G(Spin 〇n Glass，旋 塗玻璃）層。再者，依照構成S〇G材料層之材料的不同， 藉由向SOG材料層照射電子束或紫外線，亦可得到以矽酸 玻璃（Si〇2)為主要成分之s〇g層。一般而言，SOG層之内 I22622.doc -15- 200834984 部應力較大，但例如若形成！川·8 m(1() nm)至3χ1〇·7 __之薄SOG層，則不會產生起㈣此種内部應力: 問題。作為塗佈法可列舉出：旋轉塗佈法；網板印刷法、 贺墨印刷法、平版印刷法、凹版印刷法等各種印刷法；氣 刀塗佈法、到刀塗佈法、棒式塗佈法、刀刃塗佈法、擠磨 塗佈法、逆轉輥式塗佈法、轉送輥式塗佈法、凹版塗佈 法、、吻合式塗佈法、鎿造塗佈法、喷塗塗佈法、狹縫孔塗 佈法、軋輥塗佈法、浸潰法等各種塗佈法；壓印法；噴霧 法等。 、 本發明中，作為基體，可列舉出於藍寳石基板、 基板、GaN基板、SiC基板、氧化鋁基板、ZnS基板、Zn〇 基板、A1N基板、UMgO基板、UGa02基板、MgAl2〇4基 板ίηΡ基板、Sl基板之此等基板之表面（主面）形成基底層 或緩衝層者。 作為構成弟1化合物半導體層、活性層及第2化合物半導 體層之材料，可例示GaN類化合物半導體（包含AlGaN混晶 或AlInGaN混晶、InGaN混晶）、inN類化合物半導體、A1N 類化合物半導體、AlGalnP類化合物半導體、AlGalnAs類 化合物半導體、GalnAs類化合物半導體、GalnAsP類化合 物半導體、GaP類化合物半導體、ιηΡ類化合物半導體。作 為第1化合物半導體層、活性層及第2化合物半導體層之形 成方法（成膜方法），可列舉有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD法）及分子束磊晶法（MBE法）、輸送i素或利於反 應之氫化物氣相沉積法。 122622.doc -16- 200834984 於第1導電型為η型之情形，第2導電型為1)型，於第1導 電型為Ρ型之情形，第2導電型為11型。 作為使第1化合物半導體層之一部分露出的方法，可列 舉微影技術與濕式蝕刻法或乾式蝕刻法之組合。 第2電極由ΙΤΟ構成，或由Ag(包含Ag合金）構成，作為第 2電極之形成方m彳舉真空蒸鍍法及濺鍍法之㈣ 法、各種CVD法。
作為第1電極’可列舉由鈦（Ti)、TiW或TiMo之鈦合金構 成的電極（例如Tiw層、叫⑽層/Au層等），及由銘（A1)或 銘合金構成之電極。再者’記載於「/」之前之層係較接 近基體（即位於下側）。以下亦相同。此外，作為^接觸部 (弟1接點部）與第2接觸部（第2接點部），可例示W層他層 /Au層等的[接合層（Ti層或Cr層等）]/[阻障金屬層⑼層、丄 層、⑽層或M°層等）]/[對安裝相容性良好之金屬層（例如 Γ狀層積構造的多層金屬層。作為第1電極之形成方 ^弟1接觸部（第1接點部）、第2接觸部（第2接點部）之形 成方法，可列舉真空蒸鍍法及
法、镀敫法。 煨去之法、各種CVD 作為構成第i絕緣層、第2絕緣層之材肖，可例示
材料、SiNY類材料、Si〇 N類 X A1 ^ X~頬材枓、Ta2〇5、Zr02、A1N、 例I*:為第1絕緣層、第2絕緣層之形成方法，可列舉 一蒸鍍法及濺鍍法之PVD法、或CVD法。 作為第1開口部及第2開口部 術與濕式蚀刻法或乾式姓刻法二方法，可列舉微影技 J沄之組合。再者，於藉由向 122622.doc 200834984 SOG層照射電子束或紫外線而得到SOG層之情形，可不使 用曝光用光罩等而同時、直接形成第i開口部及第2開口 部。 作為發光元件，可列舉出發光二極體（LED)及半導體雷 射。 [發明之效果] 於例如真空蒸鍍法及濺鍍法之PVD法、CVD法之絕緣膜 成膜中，很難將晶界、裂缝、針孔等缺陷完全消除，並非 只要增加絕緣膜之膜厚即可解決者。即使為於平坦之絕緣 膜部分不產生缺陷之成膜條件的情形，例如，即使於頂多 數百nm程度之厚度之電極及裝置構造、無法避免而形成之 階差部等，於絕緣膜上易於產生裂縫及針孔。並且，來自 外部環境中之水分自此等裂缝及針孔侵入，使構成電極之 金屬原子容易離子化，從而導致起因於離子遷移等之裝置 故障相關聯之破壞劣化加劇。 本备明中，以SOG層被覆第2電極。用以形成s〇G層之 一種前驅體（SOG層前驅體）的SOG材料層為液狀，可以塗 佈法覆盍第2電極。因此，可藉由無晶界之連續膜確實地 被覆第2電極，不產生針孔及裂縫。其結果，可確實防止 來自外部環境中之水分到達由銀（Ag)或IT〇構成之第2電 極’從而可確實防止於第2電極產生離子遷移，或生成晶 4 ’第2電極之劣化，進而產生發光二極體之特性劣化等 問通。因此’可謀求提高發光元件之可靠性，即使於嚴酷 J衣境下’亦可不僅維持穩定之特性，還可達成發光元件製 122622.doc -18· 200834984 造良率之增加。
再者，若於s〇G層下形成第i絕緣層，及/或於麟層上 形成第2絕緣層，則可進—步提高發光元件之可靠性。此 外，因可以塗佈法覆蓋包含第2電極之基底，故可一邊 「填埋」例如於第2電極產生之裂縫及針孔等所謂基底之 各種缺陷，-邊藉由因表面張力而產生之平滑效果填補階 呈部之不連續性，從而可以更平滑之s〇G層被覆基底，亦 可於更平滑之SOG層上形成第2絕緣層。 【實施方式】 以下，參照圖式，基於實施例對本發明進行説明。 [實施例1 ] 實施例1係關於本發明第1態樣之發光元件之製造方法及 本發明之發光元件。 實施例1之發光元件，係由以GaN類化合物半導體層構 成之發光二極體構成，並如圖1(A)之構成要件之模式配置 圖’及沿圖1(A)之箭頭B-B的圖1(B)之模式截面圖所示， 具備： (a) 於基體10上依序形成之’具有第i導電型（於實施例^ 中為η型）之第1化合物半導體層11、活性層12、及具有導 電型與第1導電型不同之第2導電型（於實施例1中為ρ型）的 第2化合物半導體層13 ; (b) 形成於露出之第1化合物半導體層11之部分17上的第ι 電極1 5 ;及 (c) 形成於第2化合物半導體層13上之第2電極14。 122622.doc -19- 200834984 此處，基體10係由例如由藍寶石構成之基板10A、及形 成於基板10A上之由GaN構成的基底層10B構成。此外，發 光層構造係由第1化合物半導體層11、活性層12及第2化合 物半導體層13積層之層積構造構成，其中第1化合物半導 體層11係由摻雜Si之GaN(GaN : Si)構成，活性層12係由 InGaN層（井層）及GaN(阻障層）構成，並具有多層量子井結 構，第2化合物半導體層13係由摻雜Mg之GaN(GaN : Mg) 構成。進而，第1電極15，係設置於藉由除去（餘刻）第2化 合物半導體層13及活性層12之一部分而露出之第1化合物 半導體層11的一部分17上。並且，藉由自第2電極14經由 殘留之第2化合物半導體層13正下方之活性層12的部分， 向第1化合物半導體層11、第1電極15傳輸電流，於活性層 12中藉由電流注入激勵活性層12之量子井結構，於整個面 成為發光狀態。再者，於圖1(A)中，僅圖示發光二極體之 構成要件的一部份。 此外，至少露出之第1化合物半導體層丨i的部分、露出 之活性層12之部分、露出之第2化合物半導體層13之部分 及弟2電極14之一部分係由SOG層16被覆。於實施例1中， 更具體言之，SOG層16被覆露出之第1化合物半導體層η 的部分（未由第1電極15覆蓋之第1化合物半導體層丨1的部 分）、露出之活性層12之部分、第2電極14的一部分、第1 電極15的一部分、及露出之第2化合物半導體層13之部分 (未由第2電極14覆蓋之第2化合物半導體層13的部分）。 實施例1中’第2電極14由ITO構成。並且，實施例1之發 122622.doc -20- 200834984 光二極體為電極透過取光型，來自活性層12之光，通過第 2化合物半導體層13、第2電極14、SOG層16向外部射出。 此外，於實施例1之發光二極體中，於第1電極15上，形 成有自設於SOG層16之第1開口部18A延伸通過SOG層16之 第1接觸部（第1接點部）19A，於第2電極14上，形成有自設 於SOG層16之弟2開口部18B延伸通過SOG層16之第2接觸 部（第2接點部）19B。 以下，參照基板等之模式性部分截面圖的圖2(A)、 及圖3(A)、（B)，説明實施例1之發光元件之製造方法。 [步驟-100] 首先’將由藍寶石構成之基板〗0A搬入至MOCVD裝置， 並於由氫氣組成之載體氣體中，以基板溫度1〇5(rc進行1〇 分鐘之基板清潔，之後使基板溫度下降至5〇〇它。然後， 基於MOCVD法，一邊供給氮原料之氨氣，一邊供給鎵原 料之一甲基鎵（TMG)氣體，使由GaN構成之基底層10B於 基板10A之表面晶體生長，之後中斷TMG氣體的供給。 [步驟-110] 其次，於基體10上，依序形成具有第i導電型之第i化合 物半導體層11、活性層12、及具有導電型與第丨導電型不 同之第2導電型的第2化合物半導體層丨3。 具體言之，基於MOCVD法，使基板溫度上升至 1020 C ’之後於常壓下開始供給矽原料之甲矽烷（siH〇氣 體，藉此使由摻雜Si之GaN(GaN: Si)構成並具有n型導電 型之厚度3 μπι的第！化合物半導體層丨丨於基底層ι〇Β上晶體 122622.doc -21 - 200834984 生長。再者，摻雜濃度為例如約5x1018/cm3。 其後，暫時中斷TMG氣體、SiH4氣體之供給，使基板溫 度下降至750°C。然後，使用三乙基鎵（TEG)氣體及三甲基 銦（TMI)氣體，藉由閥門切換進行此等氣體之供給，藉此 使由InGaN及GaN構成並具有多重量子井結構的活性層12 晶體生長。 例如，若係發光波長400 rnn之發光二極體，可為In組成 約9%之InGaN與GaN(厚度分別為：2.5 nm及7.5 nm)的多重 量子井結構（例如由2層井層構成）。此外，若係發光波長 460 nm 士 10 nm之藍色發光二極體，貝可為In組成15%之 InGaN與GaN(厚度分別為：2·5 nm及7.5 nm)的多重量子井 結構（例如由15層井層構成）。進而，若係發光波長520 nm 士 10 nm之綠色發光二極體，則可為In組成23%之InGaN 與GaN(厚度分別為：2·5 nm及15 nm)的多重量子井結構 (例如由9層井層構成）。 活性層12之形成結束後，中斷TEG氣體、TMI氣體之供 給，同時將載體氣體自氮氣切換為氫氣，使基板溫度上升 至850°C，並開始供給TMG氣體與雙環戊二烯基鎂（Cp2Mg) 氣體，藉此使由厚度100 nm之摻雜Mg的GaN(GaN : Mg)構 成之第2化合物半導體層13於活性層12上晶體生長。再 者，摻雜濃度約為5xl019/Cm3。其後，中止TMG氣體及 Cp2Mg氣體之供給，同時使基板溫度降低至室溫，完成晶 體生長。 [步驟-120] 122622.doc -22- 200834984 如此完成晶體生長後，於氮氣環境中進行約80(rc、1〇 分鐘之退火處理，進行Ρ型雜質（？型摻雜物）之活性化。 [步驟-130] 其後’於第2化合物半導體層13上，基於濺鍍法形成由 ΙΤΟ構成之第2電極14。其次，使第合物半導體層丨〗之 一部分露出（參照圖2(A))。具體言之，以微影技術及乾式 餘刻技術，除去第2電極14、第2化合物半導體層13、活性 層12之一部份’使第1化合物半導體層丨丨之一部分丨了露 出。其後，基於剝離法，於露出之第i化合物半導體層j j 之一部分上形成第1電極15(參照圖2(B))。具體言之，於整 個面形成抗蝕層，並於應形成第i電極之第丨化合物半導體 層11之一部分上的抗蝕層形成開口，之後於整個面上以賤 鑛法使構成弟1電極15之金屬層成膜，其次除去抗餘層， 藉此可形成第1電極15。 其次，至少以SOG層16被覆露出之第1化合物半導體層 11之一部分、鉻出之活性層12之部分、露出之第2化合物 半導體層13之部分及第2電極14之一部分。 [步驟-140] 具體言之，首先，以SOG層16被覆整個面、即露出之第 1化合物半導體層11之一部分、露出之活性層丨2之部分、 露出之第2化合物半導體層13之部分、第2電極14、及第j 電極15(參照圖3(A))。更具體言之，首先，例如以旋轉塗 佈法於整個面形成SOG材料層，此SOG材料層係由將相合 於SOG層16前軀體的矽酸化合物溶解於有機溶劑之溶液妒 122622.doc -23- 200834984 成。其次，自SOG材料層除去有機溶劑，之後焙燒s〇g材 料層’藉此可得到以矽酸玻璃（si〇2)為主成分之s〇G層 16作為S〇G材料層的培燒條件，可例示於氮氣環境之惰
ί生氣體環境中，以4〇〇°c、2〇分鐘進行。藉由焙燒此s〇G ， 層16 ’可同時將構成第2電極14之ITO退火，藉此，可於第 2電極14中產生載子。 [步驟-1 5 0 ] ’、後於第1电極15上之SOG層16之部分及第2電極14上 之SOG層16的部分中，分別基於微影技術及乾式蝕刻技 術，形成第1開口部18A及第2開口部18B(參照圖3(b))。 [步驟-1 6 0 ] 其-人，形成自第1電極15經由第丨開口部18A延伸至SOG 層16上之第1接觸部（第1接點部）19A，同時形成自第2電極 14經由第2開口部18B延伸至咖層16上之第2接觸部（第2 接』^ )19B。再者，帛j接觸部（第}接點部）i9A及第2接觸 • 彳（第2接點部）19B，例如係由藉由蒸鍍法形成之Ti層/Pt 層、及藉由鍍敷法於Ti層/Pt層上形成之Au層構成。其 I ’藉由切割進行晶片化，可得到如圖i(b)所示之發光二 極體進而進仃樹脂鑄模、封裝，藉此可製作例如砲彈型 及面女裝型等各種發光二極體。 ±於實施例1中’藉由形成咖層16，可藉由無晶界之連 績膜確實被覆第2電極14，未發現針孔和裂縫之產生。其 ，可確只防止來自外部環境中之水分到達由ιτο構成 第電極14，伙而可確實防止於第2電極μ產生離子遷 122622.doc -24· 200834984 移’或生成晶鬚，第2電極14的劣化，進而導致產生發光 一極體之特性劣化等問題。此外，自波長400 nm至800 nm 測定了厚度140 nm之S〇G層16的折射率，SOG層16之折射 率（=n+i · k)之實數部分（n)的值為145，虛數部分（k)的值 為0，自波長400 nm至800 nm之範圍，未發現藉由s〇G層 16之光的吸收。 [實施例2] 實施例2係實施例丨之變形。實施例2中，第2電極14係由 以真空瘵鍍法成膜之厚度約1〇〇 nm的銀（Ag)構成。並且， 實施例2之發光二極體係基板侧取光型，來自活性層12之 光，直接通過基體1〇向外部射出，或者於第2電極14反 射，通過基體10向外部射出。將第2電極14由銀（Ag)構 成’藉此可達到例如96%以上之光反射率。 再者，因其他步驟、實施例2之發光元件的構成、構造 可與實施例1相同，故省略詳細説明。 [實施例3] 實施例3係實施例丨或實施例2之變形。實施例3中，於 [步驟-140]與[步驟_150]之間，進而包含將8〇〇層16之表面 暴露於電襞環境的步驟。如此，藉由將s〇G層狀表面暴 露於電聚環境’可除去於S0G層16之表面部分含有的有機 物(例如碳氫化合物等），從而可得到具有高品質之s〇g層 16。作為電漿環境之條#，可例示以下y所示之條件。 再者’於以下之實施例中’亦可同樣對s〇g層狀表面實 施暴露於電漿環境之處理。 122622.doc -25 - 200834984 [表i] 電装環境：單獨或混合使用A氣體、Ar氣體、N2氣體等 壓力 ：〇· 1 Pa〜1〇〇 Pa 施加功率：3 5 0 W 處理時間：10分鐘 再者’因其他步驟、實施例3之發光元件的構成、構造 可與實施例1或實施例2相同，故省略詳細説明。 [實施例4] 實施例4亦為實施例1或實施例2之變形。實施例4之發光 二極體中，於SOG層16下（具體言之，係至少於露出之第i 化合物半導體層11的部分與SOG層16之間、露出之活性層 12之部分與800層16之間、露出之第2化合物半導體層13 之部分與SOG層16之間、及第2電極14與SOG層16之間）， 形成有第1絕緣層21。實施例4中，於實施例1之[步驟_13〇] 與[步驟-140]之間，進而包含於整個面形成第1絕緣層21之 步驟（參照圖4(A))，即，包含以第1絕緣層21被覆露出之第 1化合物半導體層11的一部分、露出之活性層12之部分、 露出之第2化合物半導體層13之部分、第2電極14及第1電 極15之步驟，於與實施例1之[步驟-14〇]相同的步驟中，以 SOG層16被覆第1絕緣層21，於與實施例1之[步驟_ι50]相 同的步驟中’基於微影技術及乾式钱刻技術，於第1電極 15上之SOG層16的部分及第1絕緣層21的部分、第2電極14 上之SOG層16的部分及第1絕緣層21的部分中，分別形成 第1開口部18A及第2開口部18B(參照圖4(B))。此處，第i 122622.doc -26- 200834984 絕緣層21由厚度約10011〇1之8丨〇2形成，並以cvd法成膜。 如此，於S〇G層16下形成第1絕緣層2丨，藉此不僅可謀 求發光二極體之可靠性的提高，亦可謀求用以形成⑽層 16之基底的平坦化。 與實施例2相同，製作由Ag構成第2電極14之發光二極 體。再者，將此發光二極體稱為實施例4八之發光二極體。 另一方面，製作省 <卿層16之形成的發光二極體作為比 較例4。然後，對此實施例4A之發光二極體與比較例々之發 光二極體，進行高溫、高濕偏壓試驗（85。〇、RH85%)，比 較至產生起因於離子遷移之故障為止的時間。其結果，於 貝鈿例4A之發光二極體中，較比較例4之發光二極體，至 產生故障為止之時間延長2千小時以上。此外，於比較例4 之發光二極體中，發現起因於來自裂縫與針孔之水分的第 2電極14之腐蝕，但於實施例4入之發光二極體中，完全未 發現第2電極14之腐蝕。進而，對實施例4A之發光二極體 進行非常高之高溫（150艺）的老化，未產生任何問題，可知 未因為起因於構成S0G層16之材料的線膨脹係數與構成第 1絕緣層21之材料的線膨脹係數之差的應力而產生問題。 [實施例5] 實施例5亦為實施例丨或實施例2之變形。實施例5之發光 二極體中，於SOG層16上形成第2絕緣層22。實施例5中， 於與實施例1之[步驟-140]相同的步驟中，以SOG層16被覆 露出之第1化合物半導體層！1的一部分、露出之活性層12 之部分、露出之第2化合物半導體層13之部分、第2電極14 122622.doc -27- 200834984 及第1電極15，繼與實施例！之[步驟-14〇]相同的步驟後， 進而包含以第2絕緣層22被覆SOG層16之步驟，即於實施 例1之[步驟-140]與[步驟_15〇]之間進而包含於s〇g層16上 (整個面）形成第2絕緣層22之步驟（參照圖5(A))，於與實施 例1之[步驟-150]相同之步驟中，基於微影技術及乾式蝕刻 技術，於第1電極15上之第2絕緣層22的部分及SOG層16的 部分，和第2電極14上之第2絕緣層22的部分及S〇G層16的 邛刀’分別形成第1開口部18A及第2開口部18B(參照圖 5(B))。此處’第2絕緣層22，由厚度約1〇〇 nm之8丨02形 成’並以CVD法成膜。 如此，於SOG層16上形成第2絕緣層22，藉此不僅可謀 求發光二極體之可靠性的提高，因於光滑之8〇<3層16上形 成第2絕緣層22，故亦可謀求第2絕緣層22之階差被覆性的 提高等。 再者，亦可於實施例1之[步驟_13〇]與[步驟_14〇]之間， 於以第1絕緣層21被覆露出之第i化合物半導體層n之—部 分、露出之活性層12之部分、露出之第2化合物半導體層 13之部分、第2電極14及第丨電極15後，於與實施例丨之[步 驟-140]相同的步驟中，以8〇(}層16被覆第i絕緣層2i，1 而以第2絕緣層22被覆80(5層16，並於與實施例丨之[步驟· 150]相同之步驟中，於第2絕緣層22、§〇(}層16及第i絕緣 層21上形成第1開口部丨8 A及第2開口部丨8B。即，亦可為 於SOG層16下（具體言之，至少於露出之第丨化合物半導體 層11的部分與80(5層16之間、露出之活性層12之部分與 122622.doc •28- 200834984 SOG層16之間、露出之第2化合物半導體層13之部分與 SOG層16之間、及第2電極14與SOG層16之間）形成有第！絕 緣層21，於SOG層16上形成有第2絕緣層22之構成。即， 進而亦可於實施例5中包含於實施例i之[步驟·丨3〇]與[步 驟-140]之間於整個面形成第j絕緣層21的步驟。再者，於 此情形，於與實施例1之[步驟-15〇]相同的步驟中，於第2 絕緣層22、SOG層16及第1絕緣層η，形成第！開口部18A 及第2開口部18B。 [實施例6] 實施例6係關於本發明第2態樣之發光元件之製造方法， 除第1電極延伸至SOG層上之第1電極周邊部的構成、構造 以外，實施例6之發光二極體的基本構成、構造可與實施 例1之發光二極體的基本構成、構造相同，故省略詳細説 月以下，參^圖7(A)及（B)説明實施例6之發光二極體之 製造方法。 [步驟-600] 首先’實行與實施例1之[步驟-100]及[步驟_110]相同的 步驟，藉此於基體10上依序形成具有第丨導電型（於實施例 6中為η型）之弟1化合物半導體層I〗、活性層I?、及具有導 電型與第1導電型不同之第2導電型（於實施例6中為卩型）的 第2化合物半導體層13，其後，實行與[步驟_12〇]相同的步 驟。 [步驟·610] 其次，實行與[步驟-13〇]相同之步驟，藉此於第2化合物 122622.doc •29- 200834984 半導體層13上形成第2電極14 ’之後使第1化合物半導體層 11之一部分露出。再者，於此步驟中不形成第1電極。 其後，以SOG層16被覆除應形成第j電極之部分以外 的露出之第1化合物半導體層丨丨之一部分、露出之活性層 12之部分、露出之第2化合物半導體層13之部分、及第2電 極14之一部分。 [步驟-620] 具體言之，其次，以SOG層16被覆露出之第合物半 ‘體層11之一部分、露出之活性層12之部分、露出之第2 化合物半導體層13之部分、及第2電極14，具體言之，藉 由實行與實施例1之[步驟-140]相同的步驟，於整個面形成 SOG層16(參照圖7(A))。 [步驟-630] 其次，於被覆第1化合物半導體層i丨之一部分中應形成 第1電極15的部分之80(}層16的部分，形成第！開口部 18A，並於被覆第2電極14之SOG層16的部分，形成第2開 口部1 8B。具體言之，基於微影技術及乾式蝕刻技術，於 路出之第1化合物半導體層丨丨之部分上的S〇g層16之部分 及第2電極I4上之80(3層16的部分，分別形成第i開口部 18A及第2開口部18B(參照圖7(B))。 [步驟-640] 其後，於露出之第丨化合物半導體層丨丨的一部分中應形 成第1電極15的部分上，形成第1電極15。即，於露出於第 1開口部1 8A之底部的第丨化合物半導體層丨〗之部分上形成 122622.doc -30- 200834984 第1電極15 °具體言之，藉由實行與實施例1之[步驟-130] 相同的步驟，自露出於第i開口部i 8 A之底部的第i化合物 半導體層11之部分上，至第1開口部18A附近的8〇〇層16 上，形成第1電極15。 [步驟-650] 其次，實行與實施例1之[步驟_16〇]相同的步驟，藉此形 成自第1電極15經由第1開口部18A延伸至8〇(}層16上之第j 接觸部（第1接點部）19A，同時形成自第2電極14經由第2開 口部18B延伸至SOG層16上之第2接觸部（第2接 點部）19B。 其後’藉由切割進行晶片化，可得到如圖6所示之發光二 極體。進而進行樹脂鑄模及封裝，藉此可製作例如砲彈型 及面安裝型之各種發光二極體。 再者，實施例6中亦可與實施例2相同，取代IT〇而由銀 (Ag)構成第2電極14。 此外，亦可與實施例4相同，於[步驟-61〇]與[步驟_62〇] 之間，以弟1絕緣層21被覆露出之第1化合物半導體層11之 一部分、露出之活性層12之部分、露出之第2化合物半導 體層13之部分及第2電極14，之後於與[步驟·62〇]相同之步 驟中，以SOG層16被覆第1絕緣層21，於與[步驟-63〇]相同 之步驟中，於被覆第1化合物半導體層^之一部分中應形 成第1電極15的部分之SOG層16及第1絕緣層21之部分形成 第1開口部18Α，並於被覆第2電極14之SOG層16及第1絕緣 層21之部分形成第2開口部18Β。即，亦可於[步驟〗〇]與 [步驟-620]之間’進而包含於整個面形成第1絕緣層之步 122622.doc -31 - 200834984 驟，並於[步驟-630]中，基於微影技術及乾式蝕刻技術， 於第1電極15上之SOG層16的部分及第i絕緣層的部分，和 第2電極14上之s〇G層16的部分及第1絕緣層的部分，分別 形成第1開口部18A及第2開口部18B。 或者’亦可與實施例5相同，於與[步驟—62〇]相同的步驟 中’以SOG層16被覆露出之第1化合物半導體層η之一部 为、露出之活性層12之部分、露出之第2化合物半導體層 13之部分及第2電極14，其後以第2絕緣層22被覆SOG層 16 ’於與[步驟_630]相同之步驟中，於被覆第1化合物半導 體層11之一部分中應形成第1電極15之部分的第2絕緣層22 及SOG層16之部分形成第！開口部18α，並於被覆第2電極 14之第2絕緣層22及SOG層16的部分中形成第2開口部 18Β。即，亦可於[步驟_62〇]與[步驟_63〇]之間，進而包含 於SOG層16上（整個面）形成第2絕緣層之步驟，並於與[步 驟-630]相同之步驟中，基於微影技術及乾式蝕刻技術，於 第1電極15上之第2絕緣層的部分及s〇g層16的部分，和第 2電極14上之弟2絕緣層的部分及s〇g層16的部分中，分別 形成第1開口部18Α及第2開口部18Β。 或者，亦可於[步驟-610]與[步驟-62〇]之間，以第1絕緣 層21被覆露出之第合物半導體層一部分、露出之 活性層12之部分、露出之第2化合物半導體層13之部分及 第2電極14 ’之後於與[步驟·62〇]相同的步驟中，以s〇g層 16被覆第1絕緣層21，其後進而以第2絕緣層22被覆s〇g層 16，於與[步驟_630]相同之步驟中，於被覆第1化合物半導 122622.doc -32- 200834984 體層11之刀中應形成第J電極i 5的部分之第2絕緣層 22、SOG層16及第i絕緣層21的部分，形成第1開口部 18A ’並於被覆第2電極14之第2絕緣層22、⑽層16及第i 絕緣層21的部分，形成第2開口部18B。即，亦可於[步驟_ 61〇]與[步驟_62Q]之間進而包含於整個面形成㈣邑緣層之 步驟，進而於[步驟-620]與[步驟_63〇]之間進而包含於s〇g 層16上（整個面）形成第2絕緣層的步驟。再者，於此情形， 於與[步驟-630]相同之步驟中，於第2絕緣層、s〇g層16及 第1絕緣層形成第1開口部18A及第2開口部18B。 以上，基於較佳實施例對本發明進行了説明，但本發明 並未限定於此等實施例。於實施例中説明之發光元件的構 成、構造、構成發光元件之材料、發光元件之製造條件及 各種數值為例示，可進行適宜變更。例如，於實施例 實施例6説明之發光元件中，例如如於圖8中顯示之模式性 部分截面圖，亦可為第2電極14覆蓋第2化合物半導體層13 之一部份的構造。 【圖式簡單說明】 圖1 (A)及（B)分別係實施例1之發光元件之構成要件的模 式性配置圖，及沿圖1(A)之箭頭B-B的實施例工之發光元件 的模式性截面圖。 圖2(A)及（B)係用以説明實施例！之發光元件之製造方法 之基體等的模式性部分截面圖。 圖3(A)及（B)係繼圖2(B)，用以説明實施例！之發光元件 之製造方法之基體等的模式性部分截面圖。 122622.doc -33- 200834984 圖4(A)及（B)係用以説明實施例4之發光元件之製造方法 之基體等的模式性部分截面圖。 圖5(A)及（B)係用以説明實施例5之發光元件之製造方法 之基體專的模式性部分截面圖。 圖6係與沿圖1(a)之箭頭B-B相同之實施例6之發光元件 的模式性截面圖。 圖7(A)及（B)係用以説明實施例6之發光元件之製造方法 之基體等的模式性部分截面圖。 • 圖8係與沿圖1(A)之箭頭B-B相同之實施例1的發光元件 之變形例的模式性截面圖。 圖9係用以説明先前發光元件之問題點之先前發光元件 的模式性截面圖。 【主要元件符號說明】 10 基體 10A 基板 10B 基底層 11 第1化合物半導體層 12 活性層 13 第2化合物半導體層 14 第2電極 15 第1電極 16 SOG層 17 露出之第1化合物半導體層之部分 18A、18B 開口部 122622.doc -34- 200834984 19A、19B 接觸部 21 第1絕緣層 22 第2絕緣層
122622.doc -35-
Claims (1)
- 200834984 十、申請專利範圍： 1. 一種發光元件之製造方法，其特徵在於具備： (A) 於基體上依序形成具有第i導電型之第it合物半 導體層、活性層、及具有導電型與第i導電型不同之第2 導電型的第2化合物半導體層之步驟；及而後之 (B) 使第1化合物半導體層之一部分露出，於露出之第夏 化合物半導體層之一部分上形成第丨電極，於第2化合物 半導體層上形成第2電極之步驟； 且繼前述步驟（B)之後，進而具備 (C) 至少以SOG層被覆露出之第1化合物半導體層之一 口P刀、路出之活性層之部分、露出之第2化合物半導體 層之部分及第2電極之一部分之步驟。 2·如請求項丨之發光元件之製造方法，其中於前述步驟（c) 中’以SOG層被覆露出之第丨化合物半導體層之一部分、 露出之活性層之部分、露出之第2化合物半導體層之部 刀第2電極及第1電極後.，於第1電極上之S0G層的部分 及第2電極上之SOG層的部分，分別形成第i開口部及第2 開口部。 3.如請求項2之發光元件之製造方法，其中於前述步驟(c) 中，以第1絕緣層被覆露出之第1化合物半導體層之一部 分、露出之活性層之部分、露出之第2化合物半導體層 之部分、第2電極及第1電極後，以S0G層被覆^絕緣 層並於SOG層及第1絕緣層形成第】開口部及第2開口 部。 122622.doc 200834984 4·如請求項2之發光元件之製造方法，其中於前述步驟（c) 中’以SOG層被覆露出之第〗化合物半導體層之一部分、 露出之活性層之部分、露出之第2化合物半導體層之部 分、第2電極及第1電極後，以第2絕緣層被覆s〇G層，並 於第2絕緣層及SOG層形成第〗開口部及第2開口部。 5·如清求項2之發光元件之製造方法，其中於前述步驟（c) 中，以第1絕緣層被覆露出之第丨化合物半導體層之一部 分、露出之活性層之部分、露出之第2化合物半導體層 之部分、第2電極及第丨電極後，以s〇G層被覆第丨絕緣 層，進而以第2絕緣層被覆s〇G層，之後於第2絕緣層、 SOG層及第1絕緣層形成第丨開口部及第2開口部。 6· —種發光元件之製造方法，其特徵在於具備： (A) 於基體上依序形成具有第j導電型之第}化合物半 導體層、活性層、及具有導電型與第丨導電型不同之第2 型的弟2化合物半導體層之步驟；及而後之 (B) 使第1化合物半導體層之一部分露出，並於第2化合 物半導體層上形成第2電極之步驟； 且繼前述步驟（B)之後，進而具備 (C) 以SOG層被覆除應形成第i電極之部分以外的露出 之第1化合物半導體層之一部分、露出之活性層之部 分、露出之第2化合物半導體層之部分及第2電極之一部 分之步驟；及而後之 ⑼於露出之第i化合料導體層# 一部分中應形成第 1電極的部分上，形成第1電極之步驟。 122622.doc 2008349847·如请求項6之發光元件之製造方法，其中於前述步驟（c) 中’以SOG層被覆露出之第}化合物半導體層之一部分、 路出之活性層之部分、露出之第2化合物半導體層之部 为及第2電極’其次，於被覆第1化合物半導體層之一部 刀中應形成第1電極的部分之S〇g層的部分形成第1·開口 部’亚於被覆第2電極之SOG層的部分形成第2開口部； 於4述步驟（D)中’於露出於第1開口部的底部之第1化合 物半導體層的部分上形成第1電極。 8·如喷求項7之發光元件之製造方法，其中於前述步驟（c) 中，以第1絕緣層被覆露出之第！化合物半導體層之一部 刀路出之活性層之部分、露出之第2化合物半導體層 之部分及第2電極後，以SOG層被覆第i絕緣層，其次， 於被覆弟1化合物半導體層之一部分中應形成第」電極的 部分= S〇G層及第1絕緣層的部分形成第旧口部，並於 、覆第2電極之s〇G層及第丨絕緣層的部分形成第2開口 部〇 9·如請求項7之發光元件之製造方法，其中於前述步驟（c) I以SOG層被覆露出之第！化合物半導體層之一部分、 路出之活性層之部分、命山> # ^ 路出之弟2化合物半導體層之部 分及第2電極後，以第2絕綾 » 緣_被覆S O G層，其次，於被 覆第1化合物半導體層之一邱八 — ^ # 77中應形成第1電極的部分 之弟2絕緣層及SOG層的 斤 丨刀沿成弟1開口部，並於被覆 弟2電極之第2絕緣層及8〇〇厣 層的部分形成第2開口部。 1〇·如請求項7之發光元件之製造 乃床，其中於前述步驟（C) 122622.doc 200834984 中，以第1絕緣層被覆露出之第i化合物半導體層之_部 刀路出之活性層之部分、露出之第2化合物半導體屛 之部分及第2電極後，以S0G層被覆^絕緣層，進⑽ 弟2絕緣層被覆S0G層’然後於被覆第g合物半導體層 之一部分中應形成第1電極之部分的第2絕緣層、S〇G;I 及第/絕緣層之部分形成第1開口部，並於被覆第2電^ 之弟2絕緣層、s〇G屏；5楚1 μ 曰及弟U巴緣層的部分形成第2 部。 U·如請求们或請求項6之發光元件之製造方法，其 電極由ΙΤΟ構成； ^ 於前述步驟（C)中，形成作為s〇G層前驅體之s〇G材料 層之後’藉由料SGG材料層得到s崎 第2電極之IT0進行退火。 丁卞構成 12:請t項11之發光元件之製造方法，其中於前述步驟(C) I二二材科層之培燒條件，係於惰性氣體環境中培燒 〉皿度GC至7GG°C、培燒時間5分鐘至6〇分鐘之條件，或 ^於:有容積〇·”/。至容積20%的氧氣之惰性氣體環境 中二燒溫度25。。。至·。。，培燒時間5分鐘至6。分鐘之 條件。 如請求们或請求項6之發光元件之製 電極含有銀。 ，、T弟2 14.如請求項1或請求項6之發光元件之製造方法，盆中於前 = 中’進而包含於形成s〇G層之後，將s〇G層之 表面暴露於電漿環境中之步驟。 122622.doc 200834984 15· —種發光元件，其特徵在於具備： (a) 依序形成於基體上之且古 具有弟1導電型之第1化合物半 導體層、活性層、及且右蘧恭】A… 久，、有型與弟1導電型不同之第2 導電型的第2化合物半導體層； (b) 形成於露出之第丨化合物半導體層之部分上的第】電 極；及 (c) 形成於第2化合物半導體層上之第2電極； 且至少賂出之弟1化合物半導體層之部分、露出之活 性層之部分、露出之第2化合物半導體層之部分及第2電 極之一部分係由SOG層被覆。 16·如請求項15之發光元件，其中於SOG層下形成有第丨絕緣 層。 17.如請求項15之發光元件，其中於SOG層上形成有第2絕緣 層。 18·如請求項15之發光元件，其中於SOG層下形成有第丨絕緣 層，並於SOG層上形成有第2絕緣層。 122622.doc
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006284051A JP4172515B2 (ja) | 2006-10-18 | 2006-10-18 | 発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200834984A true TW200834984A (en) | 2008-08-16 |
| TWI362123B TWI362123B (zh) | 2012-04-11 |
Family
ID=38963042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW096138064A TW200834984A (en) | 2006-10-18 | 2007-10-11 | Light emitting device and method of manufacturing the same |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7858418B2 (zh) |
| EP (1) | EP1914812A3 (zh) |
| JP (1) | JP4172515B2 (zh) |
| KR (1) | KR20080035472A (zh) |
| CN (1) | CN101188267B (zh) |
| TW (1) | TW200834984A (zh) |
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| US9287457B2 (en) | 2010-03-15 | 2016-03-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
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| KR101020910B1 (ko) | 2008-12-24 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP5195452B2 (ja) | 2009-01-22 | 2013-05-08 | ソニー株式会社 | 発光素子 |
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| JP5644669B2 (ja) | 2011-05-19 | 2014-12-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP5629669B2 (ja) | 2011-10-11 | 2014-11-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
| CN102646765A (zh) * | 2012-05-03 | 2012-08-22 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种led芯片及其相应的制作方法 |
| KR20140018534A (ko) * | 2012-08-02 | 2014-02-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| JP5834120B2 (ja) * | 2014-08-11 | 2015-12-16 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| KR102427641B1 (ko) | 2015-09-16 | 2022-08-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| TWI634673B (zh) * | 2017-08-09 | 2018-09-01 | 國立交通大學 | 覆晶式發光二極體元件及其製造方法 |
| JP7011163B2 (ja) | 2018-02-22 | 2022-02-10 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| CN112289915B (zh) * | 2020-09-14 | 2021-11-05 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 倒装发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN115832143A (zh) * | 2021-09-24 | 2023-03-21 | 厦门三安光电有限公司 | 倒装发光二极管和发光装置 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0368914A (ja) | 1989-08-08 | 1991-03-25 | Sony Corp | レーザディスプレイ装置 |
| JP3223522B2 (ja) | 1991-05-21 | 2001-10-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5366910A (en) * | 1992-09-29 | 1994-11-22 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Process for the production of thin film transistors using on SOG film |
| JP3327994B2 (ja) * | 1993-04-20 | 2002-09-24 | 新日本製鐵株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3315770B2 (ja) | 1993-08-27 | 2002-08-19 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09199495A (ja) | 1995-12-29 | 1997-07-31 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子のエス．オー．ジー（ｓｏｇ）膜形成方法 |
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| JP2006351777A (ja) | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードアレイおよび発光ダイオードアレイの製造方法 |
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| JP2007096116A (ja) | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
-
2006
- 2006-10-18 JP JP2006284051A patent/JP4172515B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-11 TW TW096138064A patent/TW200834984A/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-10-17 KR KR1020070104429A patent/KR20080035472A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-10-17 EP EP07020315A patent/EP1914812A3/en not_active Withdrawn
- 2007-10-17 US US11/873,763 patent/US7858418B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-18 CN CN2007103051452A patent/CN101188267B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-12-01 US US12/957,908 patent/US8217407B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US9577150B2 (en) | 2010-03-15 | 2017-02-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
| US9837581B2 (en) | 2010-03-15 | 2017-12-05 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
| TWI608634B (zh) * | 2010-03-15 | 2017-12-11 | Ｌｇ伊諾特股份有限公司 | 發光裝置 |
| US10084116B2 (en) | 2010-03-15 | 2018-09-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
| US10510929B2 (en) | 2010-03-15 | 2019-12-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
| US10833226B2 (en) | 2010-03-15 | 2020-11-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110068363A1 (en) | 2011-03-24 |
| EP1914812A3 (en) | 2009-10-14 |
| US7858418B2 (en) | 2010-12-28 |
| EP1914812A2 (en) | 2008-04-23 |
| CN101188267A (zh) | 2008-05-28 |
| TWI362123B (zh) | 2012-04-11 |
| JP4172515B2 (ja) | 2008-10-29 |
| JP2008103499A (ja) | 2008-05-01 |
| US8217407B2 (en) | 2012-07-10 |
| KR20080035472A (ko) | 2008-04-23 |
| US20080128721A1 (en) | 2008-06-05 |
| CN101188267B (zh) | 2010-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |