TWI452724B - 三族氮化物半導體發光元件之製造方法 - Google Patents

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Description

三族氮化物半導體發光元件之製造方法
本發明係關於在具有位於絕緣體上而接觸該絕緣體之反射膜的三族氮化物半導體發光元件之製造方法，可提升反射膜耐熱性與反射係數。
雖已知一種為提升三族氮化物半導體發光元件之光取出效率而設置Ag所構成之反射膜之構造，但Ag易於發生遷移。在此於專利文獻1中作為藉由SiO2 所構成之絕緣膜包夾反射膜之構造電性絕緣，以抑制遷移。且專利文獻1中記載有因Ag所構成之反射膜與SiO2 所構成之絕緣膜密接性差，故在反射膜與絕緣膜之間可夾隔著Ti、Ni、Al、W、Mo所構成之厚度0.3nm~3nm之密接層，藉此改善密接性。且亦記載有在反射膜上可形成離子化傾向大於Ag之Al等金屬所構成之導電膜以防止反射膜遷移。
且專利文獻2中揭示有可形成用作為相對於發光元件之p型層之電極及反射層之Ag合金層。具體而言，形成在p-GaN層上的p側電極係在p-GaN層上依序形成薄膜、Ag合金層、金屬阻障層、p側接合層之疊層構造。薄膜係用來使相對於p-GaN層之歐姆接觸良好之薄膜，係Pt、Pd、Ni或Co所構成之厚度0.5nm~5nm之薄膜。Ag合金層係包含Bi、Nd、Pd、Mg其中至少1種之Ag合金，或係包含PdCu、BiNd、NdAu、NdCu其中至少1種之Ag合金。Ag合金層其厚度為5nm~2000nm，用作為光的反射層。金屬阻障層係Ti、Mo、Pt或此等者之合金所構成之厚度10nm~200nm的層。金屬阻障層用來防止構成Ag合金層之金屬與構成p側接合層之金屬相互擴散的層。p側接合層由Au所構成。專利文獻2之技術藉由上述使用Ag合金作為反射層，即使在高溫高濕下亦可防止反射層在經施加電場的狀態下腐蝕、離子遷移，且防止反射係數降低。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-302747
[專利文獻2]日本特開2006-24750
Ag會因熱發生遷移，導致減少反射係數。因此，需在反射膜形成後之程序中注意熱歷程。專利文獻1中無關於因熱導致遷移之記載。且專利文獻2中暗示即使於溫度80℃，濕度90%之環境擱置100小時，亦未觀測到反射係數顯著降低。然而，專利文獻2未藉由以更高溫積極熱處理提升反射係數。
在此本發明之目的在於在具有反射膜之三族氮化物半導體發光元件之製造方法中提升反射膜之耐熱性及反射係數。
第1發明係一種三族氮化物半導體發光元件之製造方法，該三族氮化物半導體發光元件具有位在第1絕緣體上而接觸該第1絕緣體之反射膜，該三族氮化物半導體發光元件之製造方法之特徵在於：該反射膜在形成Ag所構成之第1層後，更在該第1層上形成由厚度1~30之Al所構成之第2層作為最上層，而呈至少2層構造，形成該反射膜後，以300~700℃之溫度進行熱處理。
反射膜雖只要至少係藉由Ag所構成之第1層，與在第1層上形成之厚度1~30的Al所構成之第2層構成之2層構造(包含Ag/Al之構造)，其中第2層係最上層(定義第1絕緣體側係下層，與此相反之一側係上層)即可為任意構造，但特別是宜為在厚度1~30之Al所構成之第3層上依序形成上述第1層、第2層之Al/Ag/Al之3層構造。相較於未進行熱處理之情形，反射膜存在於此厚度範圍內時可藉由熱處理提升反射係數。且相對於僅以Ag形成反射層並進行熱處理時之反射係數，本發明中之反射係數增大近2倍。同樣由Al所構成之第2層與第3層其厚度雖亦可不同，但因製作上之便利性厚度宜相同。且Ag所構成之第1層厚度宜為500~5000。若其厚度低於500，光之透射係數即會昇高而不佳。且其厚度在5000以上時，因該厚度造成之段差大，元件製作困難而不佳。更理想的反射膜第2層之厚度為5~10。反射膜為3層構造時亦與2層構造相同，相較於未進行熱處理之情形，反射膜其第3層、第2層之厚度皆存在於1~30之範圍內時，可藉由熱處理提升反射係數。且相對於僅以Ag形成反射層並進行熱處理時之反射係數，本發明中之反射係數增大近2倍。
熱處理溫度為300~600℃則更佳。若在此範圍內，反射膜反射係數之改善效果更大。又，反射膜形成後之熱處理亦可兼作為用來使三族氮化物半導體發光元件之電極形成歐姆接觸之熱處理等其他熱處理。300~600℃溫度範圍之熱處理在可實現電極與半導體層歐姆接觸之溫度範圍內，於同一程序可實現電極歐姆接觸之形成。熱處理程序只要在反射膜形成後進行即可係任意者。熱處理程序可在反射膜由第2絕緣體包覆前進行，亦可在包覆後進行。
第1絕緣體只要係SiO2 、Si3 N4 、Al2 O3 、TiO2 等相對於三族氮化物半導體發光元件之發光波長具有透光性之絕緣材料即可。係面朝上型時，第1絕緣體亦可係絕緣體所構成之成長基板，例如藍寶石基板。
第2發明係於第1發明中，該反射膜中形成由厚度1~30之Al所構成之第3層，在該第3層上依序形成該第1層、該第2層而呈3層構造。相較於2層構造係3層構造之情形下，Al總合厚度相同時，藉由熱處理亦可大幅改善反射係數。
第3發明係於第1發明或第2發明中，該熱處理兼作為用來使三族氮化物半導體發光元件之電極形成歐姆接觸之熱處理。同一程序中，可實現電極歐姆接觸之形成，故可使製造程序簡略化。
第4發明係於第1發明或第2發明中，三族氮化物半導體發光元件包含n型層、發光層、p型層、用來使電流擴散至該p型層之擴散電極，在形成該反射膜前，形成分別接合該n型層、該擴散電極之接觸電極。在此擴散電極係用以使電流朝p型層均勻擴散之電極，可使用透光性金屬薄膜、ITO、氧化鈦、氧化錫等透明導電膜。
且第5發明係於第4發明中，該熱處理在形成該反射膜後以該反射膜上表面露出之狀態進行，兼作為用來獲得該接觸電極對該n型層及該擴散電極之歐姆接觸、該擴散電極對該p型層之歐姆接觸之熱處理。相較於由第2絕緣體包覆上部並進行熱處理，以反射膜上表面露出之狀態進行熱處理其反射膜反射係數之增加率大。因此，以此狀態進行熱處理對改善反射係數效果大。
且第6發明係於第1發明至第4發明中，在該反射膜上接觸該反射膜而形成第2絕緣體，該熱處理在形成該第2絕緣體後進行。
第2絕緣體與第1絕緣體相同只要是相對於三族氮化物半導體發光元件之發光波長具有透光性之絕緣材料即可，第1絕緣體與第2絕緣體可係同一材料，亦可係不同材料。
第7發明係於第1發明至第6發明中，在該反射膜上形成防止Ag擴散之金屬阻障層。金屬阻障層可使用Ti、Ni、Al、W、Mo中1種或2種以上合金，或離子化傾向高於Ag之金屬，或ITO、IZO、ICO等n型氧化導電膜。且金屬阻障層亦可係上述材料之疊層構造。藉由設置金屬阻障層可抑制因濕度導致Ag遷移。
第8發明係於第6發明中，該三族氮化物半導體發光元件係在該第2絕緣體上呈配線狀形成電極，以該電極側為光取出側之面朝上型，該反射膜形成於以俯視觀察之與該電極對向之區域。此時，光之輸出雖因配線狀電極而被遮蔽，但此光因反射膜而被反射，因多重反射而自不存在配線狀電極之位置被輸出，故輸出效率獲得提升。
第9發明係於第1發明至第7發明中，該三族氮化物半導體發光元件係以基板為該第1絕緣體，在該基板上形成元件構造之面朝上型，該反射膜形成本該基板與該元件構造形成側相反之一側的面上。亦即，本發明不僅係防止因於電極之遮光導致光輸出降低之發光元件，亦可於基板背面(未形成元件層之一面)設置本發明之反射膜。
第10發明係於第1發明至第7發明中，該三族氮化物半導體發光元件係在基板上形成元件構造，在該元件構造上隔著該第1絕緣體形成該反射膜之覆晶型。可抑制因電極之遮光導致光輸出降低。
第11發明係於第1發明至第10發明中，該三族氮化物半導體發光元件之發光波長峰值在400nm以上。發光峰值波長在400nm以上的範圍內時，不具有第2絕緣體之元件中本發明反射膜之反射係數在90%以上，具有第2絕緣體之元件中反射係數在83%以上，可提高反射係數，故本發明之反射膜在此波長區域使用有效。
依本發明，於熱處理後可抑制反射膜反射係數降低，可形成反射係數與Ag同等或是在其以上的反射膜。其結果，可提升三族氮化物半導體發光元件之光取出效率。吾人認為此係因Ag因Al而呈純態，防止了熱遷移。且相較於AgAl與SiO2 等絕緣體之密接性佳，故可確保反射膜與絕緣體之密接性，可提升三族氮化物半導體發光元件之可靠性。
自圖1明顯可知，單層Ag所構成之反射膜無論在以絕緣膜包覆Ag上部時或在不包覆時皆會因熱處理導致反射係數降低。又，未以絕緣膜包覆Ag上部時，反射係數因熱處理自94.5%大幅降低至50%，減少幅度為47%。且單層Al所構成之反射膜無論在以絕緣膜包覆Al上部時或在不包覆時亦皆因熱處理導致反射係數降低。此時以絕緣膜包覆Al上部，反射係數因熱處理而自89%大幅降低至53.5%，減少幅度為40%。
相對於此，本發明中，反射膜由第1絕緣體上的Ag、其上的Al所構成時，在Al上部未由第2絕緣體包覆之情形下，反射係數因熱處理而自89%增加至96.5%，增加幅度為8%。且在Al上部由第2絕緣體包覆時，反射膜之反射係數因熱處理而自94.5%增加至96.5%，增加幅度為2%。相對於此，Ag與Al之上下關係相反時，亦即反射膜由第1絕緣體上的Al、其上的Ag所構成時，在Ag上部未由第2絕緣體包覆之情形下，反射係數因熱處理而自96%減少至67.5%，減少幅度為30%。且Ag上部由第2絕緣體包覆時，反射膜之反射係數因熱處理而自83.5%減少至82.5%，減少幅度為1%。自此可理解，Ag層上Al層之存在對藉由熱處理反射膜反射係數之改善作出巨大貢獻。
且已知在第1絕緣體上以Al所構成之第3層、Ag所構成之第1層、Al所構成之第2層之3層構造形成反射膜時，無論最上層第2層上不由第2絕緣體包覆或由其包覆反射係數皆可因熱處理而提升。且比較Al/Ag/Al之3層構造與Ag/Al之2層構造中，Al所構成之層的厚度為20Å時反射膜之反射係數或因熱處理反射係數之增加率即知其大致相等。自此可知，Al所構成之層作為位在Ag所構成之層上的層的存在對因熱處理反射係數之改善作出巨大貢獻。因此，自圖1可知，無關於Al/Ag/Al之3層構造與Ag/Al之2層構造，Al所構成之層之厚度(主要係Ag層上Al層(第2層)之厚度)在1-30Å之範圍內時，反射膜可因熱處理而提升反射係數。
圖1反射係數特性中，經對反射膜進行熱處理之元件中其處理溫度為600℃。圖3顯示Al/Ag/Al所構成之反射膜中，在第2層上不存在第2絕緣體之情形與存在有第2絕緣體之情形內，不進行熱處理時與使熱處理溫度變化時反射膜反射係數之特性。可理解藉由進行熱處理無論在任一情形下反射膜反射係數皆獲得提升。在300℃以上，600℃以下進行熱處理時，藉由熱處理可確實提升反射膜反射係數。且可觀察到以700℃進行熱處理時，反射係數取決於Al所構成之層之厚度傾向增加或傾向減少。800℃時，無關於Al所構成之層之厚度，反射係數大幅降低。自此可知，反射膜之熱處理溫度在300℃以上，700℃以下可適用，熱處理溫度宜在300℃以上，600℃以下。
以下雖參照圖式說明關於本發明之具體實施例，但本發明不由實施例限定。
[實施例1]
製作在藍寶石基板1上形成SiO2 所構成之厚度3000之第1絕緣膜2(第1絕緣體)，在第1絕緣膜2上藉由蒸鍍形成各種材料所構成之反射膜3之試樣A(參照圖2.A)，其後，分別就進行熱處理時與未進行時朝反射膜表面垂直照射光以測定反射係數。且與上述相同製作在藍寶石基板1上依序形成第1絕緣膜2、反射膜3後，更在反射膜3上藉由CVD法形成SiO2 所構成之厚度3000之第2絕緣膜4(第2絕緣體)之試樣B(參照圖2.B)，其後同樣就進行熱處理時與未進行時測定反射係數。反射膜材料中分別使用Al/Ag/Al(自第1絕緣膜2側起依Al膜、Ag膜、Al膜順序形成之意，以下亦相同)、Al/Ag、Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Al、Ag、Al6種材料。Ag之厚度任一者皆為2000。關於Al/Ag/Al，雙方Al之厚度相同，分別將其厚度換成1、3、5、10、20、30、50、100並測定反射係數。關於Al/Ag、Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Al，Al之厚度為20。關於單層之Ag厚度為2000，關於單層之Al厚度為1000。
圖1係顯示反射膜材料與波長450nm下反射係數之關係之曲線圖。以600℃進行熱處理3分鐘期間。
如圖1，已知作為反射膜使用單層Ag或單層Al時，無論在係試樣A、B其中任一者之情形下，相較於熱處理前熱處理後反射係數皆降低。係使用單層Ag之試樣A時，因熱處理反射膜反射係數之減少率為47%，係使用單層Al之試樣B時，因熱處理反射膜反射係數之減少率為40%，皆大幅減少。且試樣A於熱處理中雖暴露於環境下，但試樣B未暴露於環境中，故可知因熱處理導致反射係數降低之原因非熱處理中之環境。
另一方面，Al/Ag/Al在Al之厚度為1~30之範圍內，係試樣A、B其中任一者時，熱處理後之反射係數皆在95%以上，呈與熱處理前單層Ag之反射係數大致相同或是在其以上之反射係數。且關於Al之厚度為20之Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Al，熱處理後反射係數亦呈與熱處理前單層Ag之反射係數大致相同或是在其以上之反射係數。
因此可推斷若反射膜構造為在Ag層上形成Al層作為最上層之至少2層的構造，Al層厚度為1~30，則即使在熱處理後亦可呈與單層Ag大致相同或是在其以上之反射係數。且若Al層厚度為1~30，在係試樣A、B時，皆即可藉由熱處理使反射係數增大。因此可知相較於反射膜以Ag單層構成時，反射膜熱處理對反射係數改善有效。
圖3係顯示熱處理溫度與波長450nm下反射係數關係之曲線圖。熱處理時間為3分鐘期間，反射膜中使用Al/Ag/Al，Ag厚度為2000，Al厚度分別換成5、10、30、50並測定反射係數。如圖3，已知無論於在反射膜3上未形成第2絕緣膜4之試樣A、形成有第2絕緣膜4之試樣B任一者中，在熱處理溫度為800℃時反射係數皆降低，熱處理溫度宜為300~700℃。且已知熱處理溫度在300~600℃之範圍內時，無論Al厚度為何，皆會導致熱處理溫度愈高因熱處理造成反射係數增加之增加率愈大。因此，作為反射膜之熱處理溫度，熱處理溫度300~600℃係具有特別效果之範圍。
且圖9、10係顯示關於熱處理後試樣A及試樣B反射膜3之反射係數之波長相依性之曲線圖。如圖9，熱處理後試樣A之反射膜3中，反射膜3係1~30之Al/Ag/Al、Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Al之情形下，呈在波長420~1000nm時反射係數大致以約95%呈一定，波長一旦短於420nm反射係數即逐漸降低，於波長380nm時反射係數急劇降低之特性。且如圖10，熱處理後試樣B之反射膜3中，反射膜3係1~30之Al/Ag/Al、Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Al時，呈於波長650nm附近雖可觀察到反射係數稍微降低，但於波長450~1000nm反射係數大致可以約95%呈一定，波長一旦短於450nm反射係數即逐漸降低，波長一旦短於400nm反射係數即進行衰減振動並同時降低之特性。
自以上結果可知，製造在絕緣膜上具有反射膜之三族氮化物半導體發光元件時，作為反射膜3之材料宜使用Al/Ag/Al、Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Al，Al厚度為1~30，反射膜形成後熱處理溫度為300~700℃。藉此，反射膜3之反射係數與熱處理前之Ag同等或在其以上，可提升三族氮化物半導體發光元件之光取出效率。吾人認為如此可防止反射係數降低係因Ag因Al而呈純態，熱遷移被防止。且係反射膜3中之Ag不直接接觸絕緣膜之構造，故可確保反射膜3與絕緣膜之密接性，亦可實現提升三族氮化物半導體發光元件之可靠性。且自圖9、10可知，使用上述反射膜3時，三族氮化物半導體發光元件之發光波長峰值宜在400nm以上。400~600nm則更理想。
[實施例2]
圖4係實施例2三族氮化物半導體發光元件之俯視圖，圖5係於該俯視圖中A-A之剖面圖。
如圖4，實施例2之三族氮化物半導體發光元件包含藍寶石基板10、在藍寶石基板10上依序形成之n-GaN層11、發光層12、p-GaN層13。於p-GaN層13表面中央部呈直線狀設有複數深度自該p-GaN層13表面達n-GaN層11的孔14。且於p-GaN層13表面設有孔14之區域以外幾乎全面設有ITO電極15。且於ITO電極15表面、孔14的側面及底面、p-GaN層13表面中未形成ITO電極15之區域延續設有SiO2 所構成之絕緣膜16。
在絕緣膜16上形成n電極17與p電極18。n電極17藉由連接接合引線之墊部17a與延續墊部17a之配線狀引線部17b構成。且p電極18亦相同，藉由墊部18a與延續墊部18a之配線狀引線部18b構成。於絕緣膜16設有使n-GaN層11露出之孔20及使ITO電極15露出之孔21，n電極17之引線部17b與n-GaN層11通過孔20接觸，p電極18之引線部18b與ITO電極15通過孔21接觸。
在絕緣膜16中，俯視觀察之與n電極17及p電極18對向之區域嵌入反射膜19。反射膜19呈Al/Ag/Al之3層構造，Al厚度為1~30。
實施例2之三族氮化物半導體發光元件係自n電極17、p電極18側取出光之面朝上型元件。在此，嵌入絕緣膜16之反射膜19位於n電極17及p電極18下部。因此，自發光層12放射之光中朝n電極17及p電極18之光因反射膜19而被反射，回到元件內部，防止因n電極17及p電極18光被吸收。其結果，光取出效率較未設有反射膜19時更為提升。
其次，參照圖6說明關於實施例2之三族氮化物半導體發光元件之製造程序。
首先，在藍寶石基板10上藉由MOCVD法依序形成n-GaN層11、發光層12、p-GaN層13。原料氣體中，作為Ga源使用TMG(三甲基鎵)，作為In源使用TMI(三甲基銦)，作為Al源使用TMA(三甲基鋁)，作為氮源使用氨，作為n型摻雜氣體使用矽烷，作為p型摻雜氣體使用環戊二基鎂，載持氣體中使用氫或氮。又，於p-GaN層13上一部分區域藉由蒸鍍形成ITO電極15(圖6.A)。
其次，藉由光微影與乾蝕刻形成深度自p-GaN層13表面達n-GaN層11的孔14(圖6.B)。
又，亦可先形成孔14後形成ITO電極15。
其次，延續上表面全面，亦即ITO電極15表面、孔14的底面及側面、p-GaN層13表面中未形成ITO電極15之區域，藉由MOCVD法形成SiO2 所構成之第1絕緣膜16a。又，於第1絕緣膜16a上，與其後形成之n電極17、p電極18以俯視觀察之對向之區域，藉由濺鍍依序堆疊Al膜、Ag膜、Al膜以形成Al/Ag/Al所構成之反射膜19(圖6.C)。濺鍍氣體除Ar氣體外，亦可使用於Ar中添加氧氣(例如添加1體積%)者。Al膜為1~30。Ag膜為500~5000。
其次，延續第1絕緣膜16a表面、反射膜19表面，藉由MOCVD法形成SiO2 所構成之第2絕緣膜16b。藉此，以第1絕緣膜16a與第2絕緣膜16b一體形成絕緣膜16，形成為在絕緣膜16中，與其後形成之n電極17、p電極18以俯視觀察之對向之區域，嵌入反射膜19。其後，在絕緣膜16既定區域，形成使n-GaN層11露出之孔20及使ITO電極15露出之孔21(圖6.D)。
其次，藉由蒸鍍在絕緣膜16上形成Ni/Au/Al所構成之n電極17、p電極18。n電極17與p電極18可分別個別形成，亦可藉由使用同一材料同時形成。形成n電極17呈具有墊部17a與配線狀引線部17b之形狀，形成為引線部17b一部分掩埋孔20，引線部17b與n-GaN層11接觸。且形成p電極18呈具有墊部18a與配線狀引線部18b之形狀，形成為引線部18b一部分掩埋孔21，引線18b與ITO電極15接觸(圖6.E)。
其次，以300~700℃進行熱處理3分鐘期間。此係為使n電極17對n-GaN層11形成歐姆接觸，且為使p電極18對1TO電極15形成歐姆接觸，IT0電極15對p-GaN層13形成歐姆接觸而進行者。其後，除n電極17墊部17a及p電極18墊部18a全面形成絕緣膜22，藉此製造圖4、5所示實施例2之三族氮化物半導體發光元件。
以上所示實施例2三族氮化物半導體發光元件之製造程序中，使用作為反射膜19A1厚度為1~30之Al/Ag/Al，反射膜19形成後熱處理在300~700℃之範圍內進行，故即使在熱處理後，反射膜19之反射係數亦與Ag同等或是在其以上。因此，實施例2之三族氮化物半導體發光元件其光取出效率優異。且反射膜19中Ag與絕緣膜16不直接接觸，故亦可確保與絕緣膜16之密接性，提升三族氮化物半導體發光元件之可靠性。
[實施例3]
圖7係顯示實施例3三族氮化物半導體發光元件構成之剖面圖。實施例3之三族氮化物半導體發光元件在實施例2三族氮化物半導體發光元件之藍寶石基板10背面(與n-GaN層11形成側相反之一側表面)上依序形成反射膜119、SiO2 所構成之絕緣膜120、焊料層121。反射膜119係與反射膜19同一之構成，由Al/Ag/Al所構成。Al為1~30，Ag為500~5000。焊料層121係Au或AuSn。
實施例3之三族氮化物半導體發光元件與實施例2之三族氮化物半導體發光元件相同，係自n電極17、p電極18側取出光之面朝上型元件。反射膜119用來使自發光層12朝藍寶石基板10側放射之光朝光取出面側反射。隔著焊料層121使此三族氮化物半導體發光元件接合引線框架時，若其熱處理溫度為300~700℃，反射膜119之反射係數即可與Ag大致相同或是在其以上。其結果，實施例3之三族氮化物半導體發光元件其光取出效率非常優異。
[實施例4]
參照圖8說明關於實施例4之三族氮化物半導體發光元件之製造程序。
首先，在藍寶石基板200上藉由MOCVD法依序堆疊n-GaN層201、發光層202、p-GaN層203，於p-GaN層203上的一部分區域形成ITO電極205。其次，藉由光微影、乾蝕刻去除發光層202、p-GaN層203的一部分，使n-GaN層201露出。且於IT0電極205上的一部分區域形成Ni/Al/Au所構成之ITO接觸電極206，於露出之n-GaN層201的一部分區域形成Ni/Au/Al所構成之n接觸電極211(圖8.A)。
其次，以300~700℃進行熱處理3分鐘期間。此係為使n接觸電極211對n-GaN層201形成歐姆接觸，且為使ITO接觸電極206對1TO電極205形成歐姆接觸，為使ITO電極205對p-GaN層203形成歐姆接觸而進行者。
其次，延續ITO電極205上、ITO接觸電極206上及露出之n-GaN層201上、n接觸電極211側面，形成SiO2 所構成之絕緣膜207。在絕緣膜207上，以俯視觀察之不位在ITO接觸電極206及n接觸電極211上之區域，形成反射膜208。反射膜208由Al/Ag/Al所構成，Al厚度為1~30。其次，延續絕緣膜207上及反射膜208上更形成絕緣膜，藉此在絕緣膜207中嵌入反射膜208。又，蝕刻絕緣膜207的一部分以使ITO接觸電極206及n接觸電極211露出(圖8.B)。
其次，在露出之ITO接觸電極206上依序形成Ti/Ni所構成之阻障電極216、AuSn所構成之焊料層217、Au層218。且在露出之n接觸電極211上依序形成Ti/Ni所構成之阻障電極212、AuSn所構成之焊料層213、Au層214(圖8.C)。
以上，藉此製造之實施例4之三族氮化物半導體發光元件係自藍寶石基板200背面側(與n-GaN層201形成側相反之一側)取出光之覆晶型元件，可藉由反射膜使自發光層202朝與光取出側相反之一側放射之光朝光取出側反射，故可提升光取出效率。在此，使用作為反射膜208之材料Al厚度為1~30之Al/Ag/Al，反射膜208形成後之熱處理以300~700℃進行，故反射膜208之反射係數與Ag同等或是在其以上。因此，實施例4之三族氮化物半導體發光元件其光取出效率優異。且反射膜208中Ag與絕緣膜207不直接接觸，故亦可確保反射膜208與絕緣膜207之密接性，提升三族氮化物半導體發光元件之可靠性。
[實施例5]
其次，說明關於依實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造方法。圖11係依實施例5之方法製造之三族氮化物半導體發光元件之剖面圖。俯視圖與圖4相同，圖11係以圖4之A-A線為斷裂線之剖面圖。對與實施例2具有同一功能之部分賦予同一符號。
如圖11，實施例5之三族氮化物半導體發光元件與依圖5實施例2之三族氮化物半導體發光元件呈類似形狀。相異點如下。接觸n-GaN層11而形成接觸電極31，且接觸ITO電極15而形成接觸電極32。且形成在絕緣膜16上的n電極17接合接觸電極31，形成在絕緣膜16上的p電極18接合接觸電極32。接觸電極31係在n-GaN層11上離散而複數的位置接觸n-GaN層11而設置之圓形點狀電極。同樣地，接觸電極32係在ITO電極15(擴散電極)上離散而複數的位置接觸ITO電極15而設置之圓形點狀電極。在反射膜19上以與反射膜19同一形狀同一面積形成金屬阻障層30。金屬阻障層30由厚度1000之Ti所構成。作為三族氮化物半導體發光元件之構造，相對於實施例2僅以上特點不同。
作為金屬阻障層30之材料，除Ti外，可使用Ni、Al、W、Mo中1種，或此等金屬2種以上之合金，或至少包含1種此等金屬之合金，或離子化傾向高於Ag之金屬，或ITO、IZO、ICO等n型氧化導電膜。且金屬阻障層30可為單層，亦可以上述不同金屬之複數層構成。且金屬阻障層30之厚度宜為300~50000。若厚度大於5000即難以以絕緣膜16包覆金屬阻障層30故不佳，若厚度小於300金屬阻障層30即無法呈膜狀而不佳。500~2000則更理想。
其次，說明關於依實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造方法。如圖12.A所示，在藍寶石基板10上藉由MOCVD法依序形成n-GaN層11、發光層12、p-GaN層13。又，於p-GaN層13上一部分區域藉由形成蒸鍍ITO電極15。此程序與實施例2之圖6.A相同。其次，如圖12.B所示，進行光阻之塗布、曝光、顯影形成遮罩後，藉由乾蝕刻形成深度自p-GaN層13表面達n-GaN層11的孔14。此程序與實施例2之圖6.B之程序相同。又，亦可先形成孔14後形成ITO電極15。
其次，全面塗布光阻後，於既定區域使圓形點狀區域曝光、顯影，藉此形成形成有圓形點狀窗之遮罩。其後，依序堆積Ni、Au、Al。其後，剝離遮罩。藉此，如圖12.C所示，於孔14中n-GaN層11之露出面形成Ni/Au/Al之疊層構造所構成之接觸電極31。亦即，接觸電極31於複數位置呈圓形點狀接觸n-GaN層11。同樣地，如圖12.C所示，於ITO電極15表面形成Ni/Au/Al之疊層構造所構成之接觸電極32。亦即，接觸電極32於複數位置呈圓形點狀接觸ITO電極15。
其次，如圖12.D所示，延續上表面全面，亦即ITO電極15之露出面、接觸電極31、32之露出面、孔14之底面及側面、p-GaN層13之露出面，藉由MOCVD法形成SiO2 所構成之第1絕緣膜16a。又，在第1絕緣膜16a上，與其後形成之n電極17、p電極18以俯視觀察之對向之區域(因n電極17、p電極18而被遮光之區域)，藉由濺鍍依序堆疊Al膜、Ag膜、Al膜而形成Al/Ag/Al所構成之反射膜19。此程序與實施例2圖6.C之程序相同。與實施例2相同，Al膜為1~30。Ag膜為500~5000。
其次，在此狀態下，以300~700℃進行熱處理3分鐘期間。此係為使接觸電極31對n-GaN層11形成歐姆接觸，且為使接觸電極32對ITO電極15形成歐姆接觸，為使ITO電極15對p-GaN層13形成歐姆接觸而進行者。
其次，在此狀態下，如圖12.E所示，藉由光阻之塗布、曝光、顯影形成遮罩，藉由濺鍍在反射膜19上以同一形狀及同一面積形成金屬阻障層30。金屬阻障層30中形成厚度400nm之Ti。
其次，如圖12.F所示，延續第1絕緣膜16a表面、反射膜19表面，藉由MOCVD法形成SiO2 所構成之第2絕緣膜16b。藉此，以第1絕緣膜16a與第2絕緣膜16b一體形成絕緣膜16，形成為在絕緣膜16中，與其後形成之n電極17、p電極18以俯視觀察之對向之區域(因n電極17、p電極18而被遮光之區域)嵌入反射膜19與金屬阻障層30。其後，於絕緣膜16既定區域形成使接觸電極31露出之孔20及使接觸電極32露出之孔21。
其次，如圖12.G所示，藉由蒸鍍在絕緣膜16上形成Ni/Au/Al所構成之n電極17、p電極18。n電極17與p電極18可分別個別形成，亦可藉由使用同一材料同時形成。n電極17如圖4所示，形成呈具有墊部17a與配線狀引線部17b之形狀，形成為引線部17b一部分掩埋孔20，引線部17b與接觸電極31接觸。且p電極18如圖4所示，形成呈具有墊部18a與配線狀引線部18b之形狀，形成為引線部18b一部分掩埋孔21，引線部18b與接觸電極32接觸。
其次，如圖12.H所示，除n電極17墊部17a及p電極18墊部18a外全面形成絕緣膜22，藉此製造圖4、11所示之實施例5之三族氮化物半導體發光元件。
上述實施例5中，與實施例2相同，亦可在圖12.G所示形成第2絕緣膜16b與n電極17、p電極18之狀態下，於300~700℃(300~600℃佳)之範圍內進行熱處理。
以上所示之實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造程序中，使用作為反射膜19Al厚度為1~30之Al/Ag/Al形成反射膜19，以在反射膜19上形成金屬阻障層30前之狀態，於300~700℃(300~600℃佳)之範圍內進行熱處理，故即使在熱處理後，反射膜19之反射係數亦與Ag同等或是在其以上。且藉由在300~600℃之範圍內進行熱處理，相較於熱處理前可使反射膜反射係數增加。因此，實施例5之三族氮化物半導體發光元件其光取出效率優異。且藉由此熱處理可實現接觸電極31、32之歐姆接觸。且反射膜19中Ag與絕緣膜16不直接接觸，故亦可確保與絕緣膜16之密接性，提升三族氮化物半導體發光元件之可靠性。
[產業上利用性]
依本發明製造之三族氮化物半導體發光元件可用於照明裝置等。
A．．．試樣
B．．．試樣
1、200．．．藍寶石基板
2、4、16、16a、16b、22、120、207．．．絕緣膜
3、19、119、208．．．反射膜
10．．．藍寶石基板
11、201．．．n-GaN層
12、202．．．發光層
13、203．．．p-GaN層
14、20、21．．．孔
15、205．．．ITO電極
17．．．n電極
17a、18a．．．墊部
17b、18b．．．引線部
18．．．p電極
30．．．金屬阻障層
31、32．．．接觸電極
121、213、217．．．焊料層
206．．．ITO接觸電極
211．．．n接觸電極
212、216．．．阻障電極
214、218．．．Au層
圖1係顯示反射膜材料與反射係數之關係之曲線圖。
圖2.A係顯示用於測定反射係數之試樣之構成圖。
圖2.B係顯示用於測定反射係數之試樣之構成圖。
圖3係顯示熱處理溫度與反射係數之關係之曲線圖。
圖4係實施例2之三族氮化物半導體發光元件之俯視圖。
圖5係實施例2之三族氮化物半導體發光元件之剖面圖。
圖6.A係顯示實施例2之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖6.B係顯示實施例2之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖6.C係顯示實施例2之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖6.D係顯示實施例2之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖6.E係顯示實施例2之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖7係實施例3之三族氮化物半導體發光元件之剖面圖。
圖8.A係顯示實施例4之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖8.B係顯示實施例4之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖8.C係顯示實施例4之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖9係顯示反射係數波長相依性之曲線圖。
圖10係顯示反射係數波長相依性之曲線圖。
圖11係實施例5之三族氮化物半導體發光元件之剖面圖。
圖12.A係顯示實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖12.B係顯示實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖12.C係顯示實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖12.D係顯示實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖12.E係顯示實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖12.F係顯示實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖12.G係顯示實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。
圖12.H係顯示實施例5之三族氮化物半導體發光元件之製造程序圖。

Claims (19)

  1. 一種三族氮化物半導體發光元件之製造方法，該三族氮化物半導體發光元件具有位在第1絕緣體上而接觸該第1絕緣體之反射膜，該三族氮化物半導體發光元件之製造方法之特徵在於：該三族氮化物半導體發光元件包含n型層、發光層、p型層、及用來使電流擴散至該p型層之擴散電極，在形成該反射膜前，形成分別接合於該n型層、該擴散電極之接觸電極，該反射膜在形成由Ag所構成之第1層後，更在該第1層上形成由厚度1~30Å之Al所構成之第2層作為最上層，而呈至少2層構造，於形成該反射膜後，以300~700℃之溫度進行熱處理，該熱處理係在形成該反射膜後於該反射膜上表面露出之狀態進行，兼作為用來使該接觸電極對該n型層及該擴散電極形成歐姆接觸、與使該擴散電極對該p型層形成歐姆接觸的熱處理。
  2. 一種三族氮化物半導體發光元件之製造方法，該三族氮化物半導體發光元件具有位在第1絕緣體上而接觸該第1絕緣體之反射膜，該三族氮化物半導體發光元件之製造方法之特徵在於：該反射膜係先形成由厚度1~30Å之Al所構成之第3層，更在該第3層上形成由Ag所構成的第1層，並在該第1層上形成由厚度1~30Å之Al所構成的第2層作為最上層，而呈至少3層構造，於形成該反射膜後，以300~700℃之溫度進行熱處理。
  3. 一種三族氮化物半導體發光元件之製造方法，該三族氮化物半導體發光元件具有位在第1絕緣體上而接觸該第1絕緣體之反射膜，該三族氮化物半導體發光元件之製造方法之特徵在於：該反射膜係在形成由Ag所構成的第1層後，更在該第1層上形成由厚度1~30Å之Al所構成的第2層作為最上層，而呈至少2層構造，在該反射膜上接觸該反射膜而形成第2絕緣體，於形成該第2絕緣體後，以300~700℃之溫度進行熱處理。
  4. 一種三族氮化物半導體發光元件之製造方法，該三族氮化物半導體發光元件具有位在第1絕緣體上而接觸該第1絕緣體之反射膜，該三族氮化物半導體發光元件之製造方法之特徵在於：該三族氮化物半導體發光元件係以基板為該第1絕緣體，在該基板上形成元件構造之面朝上型，該反射膜形成在該基板之與該元件構造形成側相反之一側的面上，該反射膜係在形成由Ag所構成的第1層後，更在該第1層上形成由厚度1~30Å之Al所構成的第2層作為最上層，而呈至少2層構造，於形成該反射膜後，以300~700℃之溫度進行熱處理。
  5. 一種三族氮化物半導體發光元件之製造方法，該三族氮化物半導體發光元件具有位在第1絕緣體上而接觸該第1絕緣體之反射膜，該三族氮化物半導體發光元件之製造方法之特徵在於：該三族氮化物半導體發光元件係在基板上形成元件構造，在該元件構造上隔著該第1絕緣體形成該反射膜之覆晶型，該反射膜係在形成由Ag所構成的第1層後，更在該第1層上形成由厚度1~30Å之Al所構成的第2層作為最上層，而呈至少2層構造，於形成該反射膜後，以300~700℃之溫度進行熱處理。
  6. 如申請專利範圍第1項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該熱處理兼作為用來使三族氮化物半導體發光元件之電極形成歐姆接觸之熱處理。
  7. 如申請專利範圍第2項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該熱處理兼作為用來使三族氮化物半導體發光元件之電極形成歐姆接觸之熱處理。
  8. 如申請專利範圍第2項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該三族氮化物半導體發光元件包含n型層、發光層、p型層、用來使電流擴散至該p型層之擴散電極，在形成該反射膜前，形成分別接合於該n型層、該擴散電極 之接觸電極。
  9. 如申請專利範圍第8項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該熱處理係在形成該反射膜後於該反射膜上表面露出之狀態進行，兼作為用來使該接觸電極對該n型層及該擴散電極形成歐姆接觸、與使該擴散電極對該p型層形成歐姆接觸的熱處理。
  10. 如申請專利範圍第1、2、4至8項中任一項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中在該反射膜上接觸該反射膜而形成第2絕緣體，該熱處理係在形成該第2絕緣體之後進行。
  11. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中在該反射膜上形成防止Ag擴散之金屬阻障層。
  12. 如申請專利範圍第10項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中在該反射膜上形成防止Ag擴散之金屬阻障層。
  13. 如申請專利範圍第3項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該三族氮化物半導體發光元件係在該第2絕緣體上呈配線狀形成電極，以該電極側為光取出側之面朝上型，該反射膜形成於以俯視觀察之與該電極對向之區域。
  14. 如申請專利範圍第10項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該三族氮化物半導體發光元件係在該第2絕緣體上呈配線狀形成電極，以該電極側為光取出側之面朝上型，該反射膜形成於以俯視觀察之與該電極對向的區域。
  15. 如申請專利範圍第1、2、3、5至9項中任一項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該三族氮化物半導體發光元件係以基板為該第1絕緣體，在該基板上形成元件構造之面朝上型，該反射膜形成在該基板之與該元件構造形成側相反之一側的面上。
  16. 如申請專利範圍第12項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該三族氮化物半導體發光元件係以基板為該第1 絕緣體，在該基板上形成元件構造之面朝上型，該反射膜形成在該基板之與該元件構造形成側相反之一側的面上。
  17. 如申請專利範圍第1、2、3、4、6至9項中任一項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該三族氮化物半導體發光元件係在基板上形成元件構造，在該元件構造上隔著該第1絕緣體形成該反射膜之覆晶型。
  18. 如申請專利範圍第12項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該三族氮化物半導體發光元件係在基板上形成元件構造，在該元件構造上隔著該第1絕緣體形成該反射膜之覆晶型。
  19. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之三族氮化物半導體發光元件之製造方法，其中，該三族氮化物半導體發光元件之發光波長的峰值在400nm以上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP5541261B2 (ja) 2011-03-23 2014-07-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
WO2013190656A1 (ja) * 2012-06-20 2013-12-27 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6016014B2 (ja) * 2012-07-19 2016-10-26 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
TWI474516B (zh) * 2012-08-30 2015-02-21 Lextar Electronics Corp 覆晶式發光二極體結構及其製造方法
JP5920143B2 (ja) * 2012-09-25 2016-05-18 豊田合成株式会社 Ｌｅｄチップの実装方法
JP2014165337A (ja) 2013-02-25 2014-09-08 Rohm Co Ltd 発光素子、発光素子パッケージおよび発光素子の製造方法
CN105006506A (zh) * 2014-04-16 2015-10-28 晶元光电股份有限公司 发光装置
TWI620349B (zh) * 2015-01-05 2018-04-01 隆達電子股份有限公司 覆晶式發光二極體晶片
JP6501200B2 (ja) * 2015-09-17 2019-04-17 豊田合成株式会社 発光素子
JP6683003B2 (ja) * 2016-05-11 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 半導体素子、半導体装置及び半導体素子の製造方法
CN108011004B (zh) * 2017-12-12 2019-08-16 集美大学 具有复合式背镀反射层的发光二极管
US20190237629A1 (en) 2018-01-26 2019-08-01 Lumileds Llc Optically transparent adhesion layer to connect noble metals to oxides
JP6552660B1 (ja) * 2018-02-28 2019-07-31 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド用基板の製造方法
WO2020097792A1 (zh) * 2018-11-13 2020-05-22 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024750A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
CN101165928A (zh) * 2006-10-18 2008-04-23 三星电机株式会社 多重反射层电极以及含有该电极的化合物半导体发光器件
TW200907124A (en) * 2007-08-15 2009-02-16 Univ Nat Chiao Tung Method for forming group-III nitride semiconductor epilayer on silicon substrate
TW201021255A (en) * 2008-10-17 2010-06-01 Sumitomo Electric Industries Nitride series semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride series semiconductive light-emitting element, and lighting device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
EP1553640A4 (en) * 2002-08-01 2006-09-06 Nichia Corp SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT, PROCESS FOR ITS MANUFACTURE AND LIGHT EMISSIONING DEVICE THEREWITH
JP3956918B2 (ja) * 2002-10-03 2007-08-08 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
KR20050051920A (ko) * 2003-11-28 2005-06-02 삼성전자주식회사 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
JP4330476B2 (ja) * 2004-03-29 2009-09-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
JP2006269912A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2007157853A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Sony Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2007221029A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Sony Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP5091233B2 (ja) * 2006-06-23 2012-12-05 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 垂直型発光素子及びその製造方法
JP2008263130A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Toyoda Gosei Co Ltd ＡｕＳｎ層の形成方法及びＡｕＳｎ層を有する半導体発光素子の製造方法
JP5045336B2 (ja) * 2007-04-16 2012-10-10 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP2009260316A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置
JP5334601B2 (ja) * 2009-01-21 2013-11-06 株式会社東芝 半導体発光ダイオード素子及び半導体発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024750A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
CN101165928A (zh) * 2006-10-18 2008-04-23 三星电机株式会社 多重反射层电极以及含有该电极的化合物半导体发光器件
TW200907124A (en) * 2007-08-15 2009-02-16 Univ Nat Chiao Tung Method for forming group-III nitride semiconductor epilayer on silicon substrate
TW201021255A (en) * 2008-10-17 2010-06-01 Sumitomo Electric Industries Nitride series semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride series semiconductive light-emitting element, and lighting device

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