KR102409966B1 - 광원 모듈의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈의 제조방법은, 복수의 기판을 캐리어 상면에 놓는 단계; 각 기판 상에 복수의 발광소자 및 상기 복수의 발광소자를 덮는 복수의 광학소자를 장착하는 단계; 및 상기 캐리어 상에 배치되어 상기 상면을 따라서 이동하는 촬영수단을 통해서 상기 복수의 발광소자와 광학소자를 촬영하여 상기 복수의 발광소자와 광학소자를 검사하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 복수의 기판은 각각 제1방향으로 연장되고, 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라서 간격을 두고 평행하게 배열될 수 있다. 그리고, 상기 촬영수단은 상기 제1방향 또는 제2방향 중 어느 일방향을 선택하여 해당 방향을 따라서 이동하도록 선택적으로 회전할 수 있다.

Description

광원 모듈의 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING LIGHT SOURCE MODULE}
본 발명은 광원 모듈의 제조방법에 관한 것이다.
광원으로 발광다이오드(LED)가 적용된 디스플레이와 조명 분야에서 여러 VOC(Voice of Customer)가 있는데, 중요한 것이 두께 축소(Slim)와 원가 절감을 위한 VE(Value Engineering) 설계이다. 이것을 만족시켜주는 것이 렌즈이다. 렌즈는 LED와 목표면(Target Plane) 사이에서 그 간격(Optical Distance)을 줄이고, LED 사이의 넓이(Pitch)를 키우는 역할을 한다.
LED와 렌즈의 SMT 공정을 통해 제조되는 LED 모듈은 조립되는 LED와 렌즈의 동축 정밀도가 품질 측면에서 중요한 요소이다. 정밀도 불량에 따라 얼룩(mura)과 같은 광 균일도(Optical Uniformity) 불량이 발생하는 문제가 있다. 따라서, LED와 렌즈가 장착된 상태의 검사가 중요하다. 특히, LED의 집적도가 낮아짐에 따라서 종래의 검사 방법은 공정 효율성이 저하되는 문제 및 이에 따른 생산성이 저하되는 문제가 있다.
이에 당 기술분야에서는 광원 모듈을 제조하는데 있어서 얼룩과 같은 광 균일도 불량을 발생시키는 원인을 검사하고 이를 제거함으로써 제품에 대한 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 방안이 요구되고 있다.
다만, 본 발명의 목적은 이에만 제한되는 것은 아니며, 명시적으로 언급하지 않더라도 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 이에 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈의 제조방법은, 복수의 기판을 캐리어 상면에 놓는 단계; 각 기판 상에 복수의 발광소자 및 상기 복수의 발광소자를 덮는 복수의 광학소자를 장착하는 단계; 및 상기 캐리어 상에 배치되어 상기 상면을 따라서 이동하는 촬영수단을 통해서 상기 복수의 발광소자와 광학소자를 촬영하여 상기 복수의 발광소자와 광학소자를 검사하는 단계;를 포함하고, 상기 복수의 기판은 각각 제1방향으로 연장되고, 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라서 간격을 두고 평행하게 배열되며, 상기 촬영수단은 상기 제1방향 또는 제2방향 중 어느 일방향을 선택하여 해당 방향을 따라서 이동하도록 선택적으로 회전할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈의 제조방법은, 복수의 발광소자 및 상기 복수의 발광소자 상에 배치되는 복수의 광학소자가 장착된 기판을 마련하는 단계; 및 복수의 상기 기판을 캐리어 상에 배열시킨 상태에서 상기 캐리어의 상면을 따라서 이동하는 촬영수단을 통해서 상기 복수의 발광소자와 광학소자를 검사하는 단계;를 포함하고, 상기 복수의 기판은 각각 제1방향으로 연장되고, 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라서 간격을 두고 평행하게 배열되며, 상기 촬영수단은 상기 제1방향 또는 제2방향 중 어느 일방향을 선택하여 해당 방향을 따라서 이동하도록 선택적으로 회전할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 광원 모듈을 제조하는데 있어서 얼룩과 같은 광 균일도 불량을 발생시키는 원인들을 검사하고 이를 제거함으로써 제품에 대한 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 광원 모듈의 제조방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈 검사장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈을 개략적으로 나타내는 단면도 및 평면도이다.
도 3은 도 2a에서 "A"부분을 확대한 단면도이다.
도 4는 본 발명에 채용가능한 파장변환물질을 설명하기 위한 CIE1931 좌표계이다.
도 5는 캐리어 상에 복수의 기판을 놓는 단계를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 6은 복수의 기판 상에 복수의 발광소자를 장착하는 단계를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7a 및 도 7b는 기판 상에 발광소자가 장착된 상태를 개략적으로 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 8은 복수의 발광소자를 검사하는 단계를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 9는 복수의 기판 상에 복수의 광학소자를 장착하는 단계를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 10은 복수의 광학소자를 검사하는 단계를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 11 내지 도 14는 촬상부의 이동방향을 선택하는 방법을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 15a는 본 발명에 채용될 수 있는 LED 칩의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 15b는 도 15a에 도시된 LED 칩을 I-I'선으로 절취한 측단면도이다.
도 16은 본 발명에 채용될 수 있는 LED 칩의 일 예를 나타내는 측단면도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 본 명세서에서, '상', '상부', '상면', '하', '하부', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 소자나 구성요소가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.
도 1에서는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈 검사장치를 개략적으로 나타내고 있다. 도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈 검사장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 1에서 도시하는 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈 검사장치(1)는 재치부(載置部)(10), 전원인가부(20), 촬상부(30), 제어부(40)를 포함할 수 있다.
광원 모듈(100)에 대한 검사는 광원 모듈(100)을 점등한 상태에서 촬상부(30)를 통해서 촬영하여 얻은 데이터를 사용하여 불량 여부를 판단하는 과정으로 진행될 수 있다.
도 2 및 도 3에서는 검사 대상인 광원 모듈을 개략적으로 나타내고 있다. 도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈을 개략적으로 나타내는 단면도 및 평면도이고, 도 3은 도 2a에서 "A"부분을 확대한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈(100)은 기판(110), 상기 기판(110) 상에 장착되는 복수의 발광소자(200) 및 상기 복수의 발광소자(200) 상에 배치되는 복수의 광학소자(300)를 포함할 수 있다.
상기 기판(110)은 인쇄회로기판일 수 있다. 예를 들어, FR4 타입의 인쇄회로기판(PCB) 혹은 변형이 쉬운 플렉서블(flexible) 인쇄회로기판일 수 있다. 이러한 인쇄회로기판은 에폭시, 트리아진, 실리콘, 및 폴리이미드 등을 함유하는 유기 수지 소재 및 기타 유기 수지 소재로 형성되거나, 실리콘 나이트라이드, AlN, Al2O3 등의 세라믹 소재로 형성되거나, MCPCB, MCCL 등과 같이 금속 및 금속화합물로 형성될 수 있다.
상기 기판(110)은 길이 방향으로 길이가 긴 직사각형 형상의 바(bar) 구조를 가질 수 있다. 다만, 이는 일 실시 형태에 따른 기판(110)의 구조를 예시하는 것이며, 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 발광소자(200)는 외부에서 인가되는 구동 전원에 의해 소정 파장의 광을 발생시키는 광전소자(Optoelectronic Device)일 수 있다. 예를 들어, n형 반도체층 및 p형 반도체층과 이들 사이에 배치된 활성층을 갖는 반도체 발광다이오드(LED)를 포함할 수 있다.
상기 발광소자(200)는 함유되는 물질 또는 형광체와의 조합에 따라서 청색 광, 녹색 광 또는 적색 광을 발광할 수 있으며, 백색 광, 자외 광 등을 발광할 수도 있다. 상기 발광소자(200)는 동일한 파장의 빛을 발생시키는 동종(同種)이거나 또는 서로 상이한 파장의 빛을 발생시키는 이종(異種)으로 다양하게 구성될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(200)는, 예를 들어 0.5W용 및 1W용과 같이 전력에 따라서 다양하게 구성될 수도 있다.
상기 발광소자(200)는 다양한 구조의 발광다이오드(LED) 칩 또는 이러한 발광다이오드 칩을 구비한 다양한 형태의 LED 패키지가 사용될 수 있다.
도 3에서 도시하는 바와 같이, 상기 발광소자(200)는 반사컵(211)을 갖는 패키지 몸체(210) 내에 LED 칩(220)이 실장된 패키지 구조를 가질 수 있다. 그리고, LED 칩(220)은 형광체를 함유하는 봉지부(230)에 의해 커버될 수 있다. 본 실시 형태에서는 발광소자(200)가 LED 패키지 형태인 경우를 예시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 패키지 몸체(210)는 상기 LED 칩(220)이 실장되어 지지되는 베이스 부재에 해당하며, 광 반사율이 높은 백색 성형 복합재(molding compound)로 이루어질 수 있다. 이는 LED 칩(220)에서 방출되는 광을 반사시켜 외부로 방출되는 광량을 증가시키는 효과가 있다. 이러한 백색 성형 복합재는 고 내열성의 열경화성 수지 계열 또는 실리콘 수지 계열을 포함할 수 있다. 또한, FR-4, CEM-3, 에폭시 재질 또는 세라믹 재질 등으로도 이루어질 수 있다. 또한, 알루미늄(Al)과 같은 금속 재질로 이루어지는 것도 가능하다.
상기 LED 칩(220)은 상기 패키지 몸체(210)의 반사컵(211) 내에 형성되는 봉지부(230)에 의해 밀봉될 수 있다. 상기 봉지부(230)에는 파장변환물질이 함유될 수 있다.
상기 봉지부(230)에 함유되는 파장변환물질로는, 예컨대 상기 LED 칩(220)에서 발생된 광에 의해 여기되어 다른 파장의 광을 방출하는 형광체가 적어도 1종 이상 함유될 수 있다. 이를 통해 백색 광을 비롯해 다양한 색상의 광이 방출될 수 있도록 조절할 수 있다.
예를 들어, LED 칩(220)이 청색 광을 발광하는 경우, 황색, 녹색, 적색 및/또는 오랜지색의 형광체를 조합하여 백색 광을 발광하도록 할 수 있다. 또한, 보라색, 청색, 녹색, 적색 또는 적외선을 발광하는 LED 칩(220) 중 적어도 하나를 포함하게 구성할 수도 있다. 이 경우, 상기 LED 칩(220)은 연색성(CRI)을 '40'에서 '100' 수준으로 조절할 수 있으며, 또한, 색온도를 대략 2000K에서 20000K 수준으로 다양한 백색 광을 발생시킬 수 있다. 또한, 필요에 따라서는 보라색, 청색, 녹색, 적색, 오랜지색의 가시광 또는 적외선을 발생시켜 주위 분위기 또는 기분에 맞게 색을 조정할 수 있다. 또한, 식물 성장을 촉진할 수 있는 특수 파장의 광을 발생시킬 수도 있다.
청색 LED 칩에 황색, 녹색, 적색 형광체 및/또는 녹색 LED 칩과 적색 LED 칩의 조합으로 만들어지는 백색 광은 2개 이상의 피크 파장을 가지며, 도 4에서 도시하는 CIE 1931 좌표계의 (x, y) 좌표가 (0.4476, 0.4074), (0.3484, 0.3516), (0.3101, 0.3162), (0.3128, 0.3292), (0.3333, 0.3333)을 잇는 선분 상에 위치할 수 있다. 또는, 상기 선분과 흑체 복사 스펙트럼으로 둘러싸인 영역에 위치할 수 있다. 상기 백색 광의 색 온도는 대략 2000K ~ 20000K사이에 해당한다.
도 4에서 상기 흑체 복사 스펙트럼 하부에 있는 점 E(0.3333, 0.3333) 부근의 백색 광은 상대적으로 황색계열 성분의 광이 약해진 상태로 사람이 육안으로 느끼기에는 보다 선명한 느낌 또는 신선한 느낌을 가질 수 있는 영역의 조명 광원으로 사용될 수 있다. 따라서, 상기 흑체 복사 스펙트럼 하부에 있는 점 E(0.3333, 0.3333) 부근의 백색 광을 이용한 조명 제품은 식료품, 의류 등을 판매하는 상가용 조명으로 효과가 좋다.
형광체는 다음과 같은 조성식 및 컬러(color)를 가질 수 있다.
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 La3Si6N11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:Eu, SrLiAl3N4:Eu, Ln4 -x(EuzM1 -z)xSi12- yAlyO3 +x+ yN18 -x-y (0.5≤x≤3, 0<z<0.3, 0<y≤4) (단, 여기서 Ln은 IIIa 족 원소 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 한 종의 원소이고, M은 Ca, Ba, Sr 및 Mg로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 한 종의 원소일 수 있다.)
플루오라이트(fluoride)계: KSF계 적색 K2SiF6:Mn4 +, K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4:Mn4+ , K3SiF7:Mn4 +
형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.
특히, 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 40nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, UHD TV와 같은 고해상도 TV에 활용될 수 있다.
또한, 파장변환물질은 형광체 대체 물질로 양자점(Quantum Dot, QD) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, 형광체와 QD를 혼합 또는 QD 단독으로 사용될 수 있다.
QD는 III-V 또는 II-VI화합물 반도체를 이용하여 코어(Core)-쉘(Shell)구조를 가질 수 있다. 예를 들면, CdSe, InP 등과 같은 코어(core)와 ZnS, ZnSe과 같은 쉘(shell)을 가질 수 있다. 또한, 상기 QD는 코어 및 쉘의 안정화를 위한 리간드(ligand)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 코어 직경은 대략 1 ~ 30nm, 나아가 대략 3 ~ 10nm일 수 있다. 상기 쉘 두께는 대략 0.1 ~ 20nm, 나아가 0.5 ~ 2nm일 수 있다.
상기 양자점은 사이즈에 따라 다양한 컬러를 구현할 수 있으며, 특히 형광체 대체 물질로 사용되는 경우에는 적색 또는 녹색 형광체로 사용될 수 있다. 양자점을 이용하는 경우, 협반치폭(예, 약 35nm)을 구현할 수 있다.
상기 광학소자(300)는 상기 발광소자(200) 상에 각각 배치되어 상기 발광소자(200)에서 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 상기 광학소자(300)는 상기 발광소자(200)의 광을 확산시켜 넓은 지향각을 구현하는 광(廣)지향각 렌즈를 포함할 수 있다.
상기 광학소자(300)는 상기 발광소자(200)와 마주하는 입사면(311)을 갖는 제1면(310)과, 상기 제1면(310)과 반대에 배치되는 제2면(320)을 포함할 수 있다.
상기 제1면(310)은 광축(O)이 지나는 중앙에 상기 제2면(320)을 향해 함몰된 홈부(330)를 가질 수 있다. 상기 홈부(330)는 상기 광학소자(300)의 중심을 지나는 상기 광축(O)에 대해 회전대칭을 이루는 구조를 가지며, 그 표면은 상기 발광소자(200)의 광이 입사되는 상기 입사면(311)을 정의할 수 있다. 상기 홈부(330)는 상기 제1면(310)을 통해서 외부로 개방되며, 상기 발광소자(200)와 마주하도록 배치될 수 있다.
상기 제1면(310)은 상기 발광소자(200)를 향해 돌출되는 지지부(340)를 가질 수 있다. 상기 지지부(340)는 복수개가 상기 홈부(330)의 둘레를 따라서 상기 홈부(330)를 둘러싸는 구조로 배열될 수 있다.
상기 지지부(340)는 상기 광학소자(300)가 상기 기판(110) 상에 장착되는 경우 상기 광학소자(300)를 고정 및 지지할 수 있다. 즉, 상기 광학소자(300)는 상기 지지부(340)를 통해서 상기 기판(110) 상에 장착될 수 있다.
상기 제2면(320)은 상기 제1면(310)과 반대에 배치되며, 상기 입사면(311)을 통해 입사된 광을 외부로 방출하는 광출사면으로 상기 광학소자(300)의 상면에 해당한다. 상기 제2면(320)은 상기 제1면(310)과 연결되는 테두리로부터 광이 진행하는 상부 방향으로 볼록하게 돌출될 수 있다.
상기 광학소자(300)는 투광성을 갖는 수지 재질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 아크릴(acrylic) 등을 포함할 수 있다. 또한, 글라스 재질로 이루어질 수도 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 광학소자(300)는 광분산 물질을 대략 3% 내지 15% 사이의 범위 내에서 함유할 수 있다. 상기 광분산 물질로는, 예를 들어, SiO2, TiO2 및 Al2O3로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 광분산 물질이 3%보다 적게 함유되는 경우에는 광이 충분히 분산되지 않아 광분산 효과를 기대할 수 없다는 문제가 발생한다. 그리고, 광분산 물질이 15% 이상 함유되는 경우에는 상기 광학소자(300)를 통해 외부로 방출되는 광량이 감소하게 되어 광추출 효율이 저하되는 문제가 발생한다.
상기 광학소자(300)는 유동성의 용제를 금형 내부로 주입하고 고형화하는 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 인젝션 몰딩(injection molding), 트랜스퍼 몰딩(transfer molding), 컴프레션 몰딩(compression molding) 등의 방식이 포함될 수 있다.
한편, 상기 기판(110) 상에는 상기 복수의 발광소자(200)와 광학소자(300) 외에 외부 전원과의 연결을 위한 커넥터(400)가 장착될 수 있다. 상기 커넥터(400)는 상기 기판(110)의 일측 단부 영역에 배치될 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 상기 재치부(10)는 검사 대상인 광원 모듈(100)을 지지한다. 그리고, 상기 발광소자(200) 및 광학소자(300)가 장착된 기판(110)은 단일 또는 복수개가 캐리어(carrier) 상에 놓여 배열된 상태로 상기 재치부(10)의 일면에 배치될 수 있다.
상기 전원인가부(20)는 상기 복수의 발광소자(200)가 점등되도록 상기 복수의 발광소자(200)에 전류를 인가할 수 있다. 상기 전원인가부(20)는 외부에서 가해지는 신호에 의해 구동될 수 있으며, 검사 대상 발광소자(200)를 점등할 수 있고 소등할 수 있다.
상기 촬상부(30)는 상기 복수의 발광소자(200)가 점등된 상태에서 상기 복수의 발광소자(200) 및 상기 복수의 광학소자(300)를 촬영하여 이미지를 획득할 수 있다. 상기 촬상부(30)로는, 예를 들어, 촬영수단의 일종인 카메라가 사용될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 카메라 이외에 사물을 촬영하여 이미지를 획득하거나 감지할 수 있는 장치라면 모두 사용될 수 있다.
상기 촬상부(30)는 비전 헤드(31) 및 상기 비전 헤드(31)와 연결되어 상기 비전 헤드(31)를 회전시키는 회전 지그(32)를 포함할 수 있다.
상기 촬상부(30)는 상기 재치부(10) 상측에 배치될 수 있으며, 선택된 방향을 따라서 이동하며 상기 복수의 발광소자(200) 및 복수의 광학소자(300)를 촬영할 수 있다.
상기 제어부(40)는 상기 촬상부(30)와 상기 전원인가부(20)의 구동을 제어할 수 있다. 상기 촬상부(30)와 상기 전원인가부(20)의 구동을 위한 정보, 예를 들어, 상기 복수의 기판(110), 복수의 발광소자(200) 및 복수의 광학소자(300)의 수량 및 위치 등의 데이터는 사전에 상기 제어부에 저장될 수 있다.
또한, 상기 제어부(40)는 상기 촬상부(30)를 통해 획득된 데이터를 통해서 상기 발광소자(200)와 광학소자(300)의 불량 여부를 판단할 수 있다.
도 5 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈의 제조방법을 설명한다. 도 5 내지 도 10에서는 광원 모듈의 제조 공정을 단계별로 개략적으로 나타내고 있다.
도 5에서 도시하는 바와 같이, 복수의 기판(110)을 캐리어(11) 상면에 놓는다.
상기 기판(110)은 인쇄회로기판일 수 있다. 예를 들어, FR4 타입의 인쇄회로기판(PCB) 혹은 변형이 쉬운 플렉서블(flexible) 인쇄회로기판일 수 있다. 이러한 인쇄회로기판은 에폭시, 트리아진, 실리콘, 및 폴리이미드 등을 함유하는 유기 수지 소재 및 기타 유기 수지 소재로 형성되거나, 실리콘 나이트라이드, AlN, Al2O3 등의 세라믹 소재로 형성되거나, MCPCB, MCCL 등과 같이 금속 및 금속화합물로 형성될 수 있다.
상기 기판(110)은 길이 방향으로 길이가 긴 직사각형 형상의 바(bar) 구조를 가질 수 있다. 다만, 이는 일 실시 형태에 따른 기판(110)의 구조를 예시하는 것이며, 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 캐리어(11)에 놓인 상기 복수의 기판(110)은 각각 제1방향으로 연장되고, 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라서 소정의 간격을 두고 평행하게 배열될 수 있다. 예를 들어, 도면을 참조할 때 상기 제1방향은 x축 방향, 제2방향은 y축 방향으로 정의될 수 있다. 또한, 상기 제1방향은 상기 기판(110)의 길이 방향에 해당하며, 상기 캐리어(11)의 이동 방향에 해당할 수 있다.
상기 캐리어(11)에 놓인 상기 복수의 기판(110)은 각각 상기 커넥터(400)를 통해서 상기 캐리어(11)의 단자(11a)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6 및 도 7에서 도시하는 바와 같이, 각 기판(110) 상에 복수의 발광소자(200)를 장착한다.
각 기판(110)에는 복수의 발광소자(200)가 길이 방향, 즉 제1방향(x축 방향)을 따라서 배열될 수 있다. 상기 발광소자(200)는 외부에서 인가되는 구동 전원에 의해 소정 파장의 광을 발생시키는 광전소자(Optoelectronic Device)일 수 있다. 예를 들어, n형 반도체층 및 p형 반도체층과 이들 사이에 배치된 활성층을 갖는 반도체 발광다이오드(LED)를 포함할 수 있다.
상기 발광소자(200)는 다양한 구조의 발광다이오드(LED) 칩 또는 이러한 발광다이오드 칩을 구비한 다양한 형태의 LED 패키지가 사용될 수 있다. 본 실시 형태에서는 발광소자(200)가 LED 패키지 형태인 경우를 예시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
본 실시 형태에서는 상기 캐리어(11) 상에 상기 복수의 기판(110)이 놓인 상태에서 상기 복수의 발광소자(200)가 각 기판(110)에 장착되는 것으로 예시하고 있다. 그러나, 각 기판(110) 상에 상기 복수의 발광소자(200)가 장착된 상태에서 상기 기판(110)을 상기 캐리어(11) 상에 놓는 것도 가능하다. 즉, 기판(110)을 캐리어(11) 상에 놓는 단계와 각 기판(110) 상에 복수의 발광소자(200)를 장착하는 단계의 순서가 반대로 뒤바뀌는 것도 가능하다.
도 8에서 도시하는 바와 같이, 상기 복수의 발광소자(200)에 대한 검사를 수행한다(제1 검사 단계).
상기 복수의 발광소자(200)에 대한 검사는 상기 광원 모듈 검사장치(1)를 사용하여 자동광학검사(AOI, Automatic Optical Inspection)를 통해 수행될 수 있다(도 1 참조).
예를 들어, 상기 캐리어(11)가 상기 제1방향을 따라서 이송되어 상기 재치부(10) 상에 배치되면, 상기 전원인가부(20)를 통해서 상기 복수의 발광소자(200)에 전류를 인가하여 상기 복수의 발광소자(200)를 점등한다. 다음으로, 상기 촬상부(30)를 통해서 캐리어(11) 상면을 스캔하며 상기 복수의 발광소자(200)를 촬영한다. 상기 촬상부(30)는 비전 헤드(31) 및 상기 비전 헤드(31)와 연결되는 회전 지그(32)를 포함할 수 있다.
상기 비전 헤드(31)는 상기 제1방향 또는 제2방향 중 어느 일방향을 선택하여 해당 방향을 따라서 이동하며 상기 복수의 발광소자(200)를 촬영할 수 있다. 상기 비전 헤드(31)는, 예를 들어, 영역 스캔 카메라(Area Scan Camera) 또는 라인 스캔 카메라(Line Scan Camera)를 포함할 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 카메라 이외에 사물을 촬영할 수 있는 장치라면 모두 사용될 수 있다. 본 실시예에서는 라인 스캔 카메라가 상기 비전 헤드(31)로 사용된 것으로 설명한다.
상기 회전 지그(32)는 상기 비전 헤드(31)가 상기 제1방향 또는 제2방향 중 선택된 방향을 따라서 이동하도록 상기 비전 헤드(31)를 선택적으로 회전시킬 수 있다.
제어부(40)는 상기 촬상부(30)를 통해 획득된 데이터를 통해서 상기 발광소자(200)의 불량 여부를 판단할 수 있다. 상기 발광소자(200)의 불량으로는, 예를 들어, 점등되지 않는 작동 불량, 올바른 위치에 장착되지 않는 위치 불량, 기울어진 상태로 장착되는 장착 불량 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 일부 발광소자(200)에서 작동 불량이 검출되는 경우에는 해당 발광소자(200)를 양품으로 교체하는 프로세스가 별도로 수행될 수 있다. 그리고, 양품의 발광소자(200)로 교체된 기판(110)을 상기 캐리어(11) 상에 재그룹화하는 단계가 수행될 수 있다.
상기 제어부(40)는 상기 촬상부(30)의 구동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 비전 헤드(31)를 상기 제1방향 또는 제2방향 중 어느 방향으로 이동시킬지를 판단하고, 상기 회전 지그(32)를 통해서 상기 비전 헤드(31)를 해당 방향으로 회전시킬 수 있다.
구체적으로, 상기 캐리어(11) 상에 배열된 상기 복수의 기판(110)의 배열수, 각 기판(110)상에 장착된 복수의 발광소자(200)의 개수를 통해서 상기 촬상부(30)의 이동방향을 선택하고, 상기 선택된 이동방향에 대응하여 상기 비전 헤드(31)의 회전 여부를 결정할 수 있다. 예를 들어, 상기 비전 헤드(31)를 제2방향을 따라서 이동시키며 촬영하도록 이동방향을 선택하였고 상기 비전 헤드(31)가 제1방향을 향하여 배치되어 있다면, 상기 회전 지그(32)를 통해서 상기 비전 헤드(31)가 제2방향을 향하도록 회전시킬 수 있다.
또한, 상기 제어부(40)는 상기 전원인가부(20)의 구동을 제어할 수 있다.
도 9에서 도시하는 바와 같이, 각 기판(110) 상에 상기 복수의 발광소자(200)를 덮는 복수의 광학소자(300)를 장착한다.
상기 광학소자(300)는, 예를 들어 접착제를 통해 기판(110) 또는 발광소자(200)에 부착한 후 열경화시키는 리플로우(reflow) 공정을 통해 부착될 수 있다. 본 실시예에서는 광학소자(300)가 기판(110) 상에 부착되는 것으로 예시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 실시예에 따라서 발광소자(200) 상에 부착되는 것도 가능하다. 또한, 실시예에 따라서 열경화 이외의 방식으로 광학소자(300)를 부착하는 것도 가능하다.
상기 광학소자(300)는 복수의 발광소자(200)를 각각 덮는 구조로 장착될 수 있다. 상기 광학소자(300)는 발광소자(200)에서 발광된 광이 외부로 조사될 수 있도록 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 상기 광학소자(300)의 재질로는, 예를 들어, 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 아크릴(acrylic) 등을 포함할 수 있다.
도 10에서 도시하는 바와 같이, 상기 복수의 광학소자(300)에 대한 검사를 수행한다(제2 검사 단계).
상기 복수의 광학소자(300)에 대한 검사는 상기 복수의 발광소자(200)에 대한 검사와 마찬가지로 상기 광원 모듈 검사장치(1)를 사용하여 자동광학검사(AOI)를 통해 수행될 수 있다(도 1 참조).
상기 복수의 발광소자(200) 및 상기 복수의 발광소자(200)를 덮는 복수의 광학소자(300)가 장착된 복수의 상기 기판(110)을 상기 캐리어(11) 상에 배열시킨 상태에서 상기 캐리어(11)가 상기 제1방향을 따라서 이송되어 상기 재치부(10) 상에 배치되면, 상기 전원인가부(20)를 통해서 상기 복수의 발광소자(200)에 전류를 인가하여 상기 복수의 발광소자(200)를 점등한다.
다음으로, 상기 촬상부(30)를 통해서 캐리어(11) 상면을 스캔하며 상기 발광소자(200)가 점등된 상태에서 상기 복수의 광학소자(300)를 촬영한다.
상기 제어부(40)는 상기 촬상부(30)를 통해 획득된 데이터를 통해서 상기 광학소자(300)의 불량 여부를 판단할 수 있다. 상기 광학소자(300)의 불량으로는, 예를 들어, 어긋난 위치에 장착되는 정렬 불량, 기울어진 상태로 장착되는 틸팅 불량, 광학소자 자체의 하자에 의한 이물 불량 등을 포함할 수 있다. 일부 발광소자(300)에서 이러한 불량이 검출되는 경우에는 해당 광학소자(300를 양품으로 교체하거나 재장착는 등의 프로세스가 별도로 수행될 수 있다.
상기 제어부(40)는 상기 촬상부(30)의 이동방향을 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 비전 헤드(31)를 상기 제1방향 또는 제2방향 중 어느 방향으로 이동시킬지를 판단하고, 상기 회전 지그(32)를 통해서 상기 비전 헤드(31)를 회전시킬 수 있다.
구체적으로, 상기 캐리어(11) 상에 배열된 상기 복수의 기판(110)의 배열수, 각 기판(110)상에 장착된 복수의 발광소자(200)와 광학소자(300)의 개수를 통해서 상기 촬상부(30)의 이동방향을 선택하고, 상기 선택된 이동방향에 대응하여 상기 비전 헤드(31)의 회전 여부를 결정할 수 있다.
도 11 내지 도 14를 참조하여 상기 촬상부의 이동방향을 선택하는 방법에 대해 설명한다.
도 11 및 도 12에서는 캐리어 상에 10개의 기판이 제2방향을 따라서 배열되고, 각 기판에는 발광소자를 덮는 광학소자가 3개씩 장착된 경우를 예시하고 있다. 본 실시예에서 비전 헤드로 사용되는 라인 스캔 카메라의 FOV(Field of View)값이, 예를 들어, 3이라고 가정한다.
먼저, 도 11에서 도시하는 바와 같이, 비전 헤드가 제1방향을 따라서 이동하는 경우, 비전 헤드는 4번의 이동을 통해서 상기 캐리어 상에 배열된 전체 광학소자를 스캔할 수 있다.
반면, 도 12에서 도시하는 바와 같이, 비전 헤드가 제2방향을 따라서 이동하는 경우, 비전 헤드는 3번의 이동을 통해서 상기 캐리어 상에 배열된 전체 광학소자를 스캔할 수 있다.
따라서, 비전 헤드가 제2방향을 따라서 이동하는 것이 검사 시간을 단축할 수 있음을 확인할 수 있다. 이렇게 제어부는 캐리어 상에 배열되는 기판의 개수 및 각 기판에 장착되는 발광소자와 광학소자의 개수에 대한 정보를 통해서 어느 방향으로 비전 헤드를 이동시킬지를 판단하고, 회전 지그의 작동을 통해서 상기 비전 헤드를 선택된 제2방향으로 회전시킬 수 있다.
한편, 도 13 및 도 14에서는 캐리어 상에 10개의 기판이 제2방향을 따라서 배열되고, 각 기판에는 발광소자를 덮는 광학소자가 5개씩 장착된 경우를 예시하고 있다. 마찬가지로 비전 헤드로 사용되는 라인 스캔 카메라의 FOV(Field of View)값이, 예를 들어, 3이라고 가정한다.
먼저, 도 13에서 도시하는 바와 같이, 비전 헤드가 제1방향을 따라서 이동하는 경우, 비전 헤드는 4번의 이동을 통해서 상기 캐리어 상에 배열된 전체 광학소자를 스캔할 수 있다.
반면, 도 14에서 도시하는 바와 같이, 비전 헤드가 제2방향을 따라서 이동하는 경우, 비전 헤드는 5번의 이동을 통해서 상기 캐리어 상에 배열된 전체 광학소자를 스캔할 수 있다.
따라서, 비전 헤드가 제1방향을 따라서 이동하는 것이 검사 시간을 단축할 수 있음을 확인할 수 있다. 제어부는 판단을 통해서 제1방향을 선택하면, 상기 회전 지그를 구동시켜 상기 비전 헤드를 선택된 제1방향으로 회전시킬 수 있다.
이와 같이, 광원 모듈(100)의 제조 공정에서 복수의 발광소자(200) 및 광학소자(300)에 대한 검사를 수행함으로써 하자 있는 제품이 다음 공정에 투입되거나 출하되어 소비자에게 전달되는 것을 방지할 수 있다. 이를 통해서 추가적인 문제, 예를 들어, 제품의 파손 및 이에 따른 제품의 신뢰도 저하, 이미지 손상, 손해배상 등의 문제가 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있다.
특히, 복수의 발광소자(200) 및 광학소자(300)에 대한 검사를 수행하는데 있어서 비전 헤드(31)가 회전 지그(32)와 연결되어 선택적으로 회전함으로써 선택된 이동방향을 따라서 이동할 수 있다. 따라서, 고정된 상태에서 일방향으로만 이동하는 종래와 달리 다수의 이동방향 중 원하는 방향을 선택하여 해당 방향을 따라서 이동하는 것이 가능하다. 따라서, 검사 시간을 단축하여 생산성이 향상되는 효과가 있다.
도 15 내지 도 16에서는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 광원 모듈에 채용될 수 있는 LED 칩의 다양한 예를 개략적으로 나타내고 있다. 도 15 및 도 16은 발광소자에 채용될 수 있는 LED 칩의 다양한 예를 나타내는 단면도이다.
도 15a는 본 발명에 채용될 수 있는 LED 칩의 일 예를 나타내는 평면도이며, 도 15b는 도 15a에 도시된 LED 칩을 I-I'선으로 절취한 측단면도이다.
도 15a 및 도 15b에 도시된 LED 칩(400)은 조명용으로 고출력을 위한 대면적 구조일 수 있다. 상기 LED 칩(400)은 전류 분산의 효율 및 방열 효율을 높이기 위한 구조이다.
상기 LED 칩(400)은 발광적층체(S)와, 제1 전극(420), 절연층(430), 제2 전극(408) 및 도전성 기판(410)을 포함할 수 있다. 상기 발광적층체(S)는 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층(404), 활성층(405), 제2 도전형 반도체층(406)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(404)은 n형 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체일 수 있으며, n형 불순물은 Si일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(404)은 n형 GaN을 포함할 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(406)은 p형 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체층일 수 있으며, p형 불순물은 Mg일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 반도체층(406)은 p형 GaN을 포함할 수 있다.
상기 활성층(405)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 양자우물층과 양자장벽층은 서로 다른 조성을 갖는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)일 수 있다. 특정 예에서, 상기 양자우물층은 InxGa1 - xN (0<x≤1)이며, 상기 양자장벽층은 GaN 또는 AlGaN일 수 있다. 양자우물층과 양자장벽층의 두께는 각각 대략 1nm ~ 50nm 범위일 수 있다. 상기 활성층(405)은 다중양자우물구조에 한정되지 않고, 단일양자우물(SQW) 구조일 수 있다.
상기 제1 전극(420)은 제1 도전형 반도체층(404)에 전기적으로 접속하기 위하여 제2 도전형 반도체층(406) 및 활성층(405)과는 전기적으로 절연되어 상기 제1 도전형 반도체층(404)의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 이상의 도전성 비아(480)를 포함할 수 있다. 상기 도전성 비아(480)는 제1 전극(420)의 계면에서부터 제2 전극(408), 제2 도전형 반도체층(406) 및 활성층(405)을 통과하여 제1 도전형 반도체층(404) 내부까지 연장될 수 있다. 이러한 도전성 비아(480)는 식각 공정, 예를 들어, ICP-RIE 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(420) 상에는 상기 제1 전극(420)이 상기 제1 도전형 반도체층(404)을 제외한 다른 영역과 전기적으로 절연시키기 위한 절연층(430)이 제공된다. 도 15b에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(430)은 상기 제2 전극(408)과 제1 전극(420)의 사이뿐만 아니라 상기 도전성 비아(480)의 측면에도 형성된다. 이로써, 상기 도전성 비아(480)의 측면에 노출되는 상기 제2 전극(408), 제2 도전형 반도체층(406) 및 활성층(405)과 상기 제1 전극(420)을 절연시킬 수 있다. 절연층(430)은 SiO2, SiOxNy, SixNy과 같은 절연 물질을 증착시켜 형성될 수 있다.
상기 도전성 비아(480)에 의해 제1 도전형 반도체층(404)의 컨택영역(C)이 노출되며, 상기 제1 전극(420)의 일부 영역은 상기 도전성 비아(480)를 통해 상기 컨택영역(C)에 접하도록 형성될 수 있다. 이로써, 상기 제1 전극(420)은 상기 제1 도전형 반도체층(404)에 접속될 수 있다.
상기 도전성 비아(480)는 접촉 저항이 낮아지도록 개수, 형상, 피치, 제1 및 제2 도전형 반도체층(404, 406)과의 접촉 직경(또는 접촉 면적) 등이 적절히 조절될 수 있으며(도 15a 참조), 행과 열을 따라 다양한 형태로 배열됨으로써 전류 흐름이 개선될 수 있다. 컨택영역(C) 면적은 발광적층체(S)의 평면 면적의 대략 0.1% 내지 20%의 범위가 되도록 도전성 비아(480)의 개수 및 접촉 면적이 조절될 수 있다. 예를 들어 0.5% 내지 15%이며, 나아가, 1% 내지 10%일 수 있다. 상기 면적이 0.1%보다 작으면 전류 분산이 균일하지 않아 발광 특성이 떨어지며, 또한 20% 이상으로 전극 면적이 증가하면 상대적으로 발광 면적의 감소로 발광 특성 및 휘도가 감소하는 문제가 발생할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(404)과 접촉하는 영역의 도전성 비아(480)의 반경은 예를 들어, 1㎛ 내지 50㎛의 범위일 수 있으며, 도전성 비아(480)의 개수는 발광적층체(S) 영역의 넓이에 따라, 발광적층체(S) 영역 당 1개 내지 48000개일 수 있다. 도전성 비아(480)는 발광적층체(S) 영역의 넓이에 따라 다르지만, 예를 들어 2개 내지 45000개이며, 나아가 5개 내지 40000개이며, 더 나아가 10개 내지 35000개일 수 있다. 각 도전성 비아(480) 간의 거리는 10㎛ 내지 1000㎛ 범위의 행과 열을 가지는 매트릭스 구조일 수 있으며, 예를 들어 50㎛ 내지 700㎛ 범위일 수 있으며, 나아가 100㎛ 내지 500㎛범위일 수 있고, 더 나아가 150㎛ 내지 400㎛범위 일 수 있다.
각 도전성 비아(480) 간의 거리가 10㎛보다 작으면 비아의 개수가 증가하게 되고 상대적으로 발광면적이 줄어들어 발광 효율이 떨어지며, 거리가 1000㎛보다 커지면 전류 확산이 어려워 발광 효율이 떨어지는 문제점이 있을 수 있다. 도전성 비아의 깊이는 제2 도전형 반도체층(406) 및 활성층(105)의 두께에 따라 다르게 형성될 수 있고, 예컨대, 0.1㎛ 내지 5.0㎛의 범위일 수 있다.
상기 제2 전극(408)은 도 15b에서 도시된 바와 같이 상기 발광적층체(S) 외부로 연장되어 노출된 전극형성영역(E)을 제공한다. 상기 전극형성영역(E)은 외부 전원을 상기 제2 전극(408)에 연결하기 위한 전극패드부(419)를 구비할 수 있다. 이러한 전극형성영역(E)을 1개로 예시되어 있으나, 필요에 따라 복수개로 구비할 수 있다. 상기 전극형성영역(E)은 도 15a에 도시된 바와 같이 발광면적을 최대화하기 위해서 상기 LED 칩(400)의 일측 모서리에 형성할 수 있다.
본 실시예와 같이, 전극패드부(419) 주위에는 에칭스톱용 절연층(440)이 배치될 수 있다. 상기 에칭스톱용 절연층(440)은 발광적층체(S) 형성 후 그리고 제2 전극(408)형성 전에 전극형성영역(E)에 형성될 수 있으며, 전극형성영역(E)을 위한 에칭공정시에 에칭스톱으로 작용할 수 있다.
상기 제2 전극(408)은 상기 제2 도전형 반도체층(406)과 오믹컨택을 이루면서도 높은 반사율을 갖는 물질이 사용될 수 있다. 이러한 제2 전극(408)의 물질로는 앞서 예시된 반사전극물질이 사용될 수 있다.
도 16은 본 발명에 채용될 수 있는 LED 칩의 일 예를 나타내는 측단면도이다.
도 16을 참조하면, 상기 LED 칩(500)은 기판(501) 상에 형성된 반도체 적층체(510)을 포함한다. 상기 반도체 적층체(510)는 제1 도전형 반도체층(514), 활성층(515) 및 제2 도전형 반도체층(516)을 포함할 수 있다.
상기 LED 칩(500)은 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(514,516)에 각각 접속된 제1 및 제2 전극(522, 524)을 포함한다. 상기 제1 전극(522)은 제2 도전형 반도체층(516) 및 활성층(515)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(514)과 접속된 도전성 비아와 같은 연결전극부(522a) 및 상기 연결전극부(522a)에 연결된 제1 전극 패드(522b)를 포함할 수 있다. 상기 연결전극부(522a)는 절연부(521)에 의하여 둘러싸여 활성층(515) 및 제2 도전형 반도체층(516)과 전기적으로 분리될 수 있다. 상기 연결전극부(522a)는 반도체 적층체(510)가 식각된 영역에 배치될 수 있다. 상기 연결전극부(522a)는 접촉 저항이 낮아지도록 개수, 형상, 피치 또는 제1 도전형 반도체층(514)과의 접촉 면적 등을 적절히 설계할 수 있다. 또한, 연결전극부(522a)는 반도체 적층체(510) 상에 행과 열을 이루도록 배열됨으로써 전류 흐름을 개선시킬 수 있다. 상기 제2 전극(524)은 제2 도전형 반도체층(516) 상의 오믹 콘택층(524a) 및 제2 전극 패드(524b)를 포함할 수 있다.
상기 연결전극부(522a) 및 오믹 콘택층(524a)은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층(514, 516)과 오믹 특성을 갖는 도전성 물질이 1층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, Ag, Al, Ni, Cr, 투명 도전성 산화물(TCO) 등의 물질 중 하나 이상을 증착하거나 스퍼터링하는 등의 공정으로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극 패드(522b, 524b)는 각각 상기 연결전극부(522a) 및 오믹 콘택층(524b)에 각각 접속되어 상기 LED 칩(500)의 외부 단자로 기능할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극 패드(522b, 524b)는 Au, Ag, Al, Ti, W, Cu, Sn, Ni, Pt, Cr, NiSn, TiW, AuSn 또는 이들의 공융 금속일 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극(522, 524)은 서로 동일한 방향으로 배치될 수 있으며, 리드 프레임 등에 소위, 플립칩 형태로 실장될 수 있다.
한편, 2개의 전극(522,524)은 절연부(521)에 의하여 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 절연부(521)는 전기적으로 절연 특성을 갖는 물질이면 어느 것이나 사용할 수 있으며, 전기 절연성을 갖는 물체라면 어느 것이나 채용 가능하지만, 광흡수율이 낮은 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, SiO2, SiOxNy, SixNy 등의 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 이용할 수 있을 것이다. 필요에 따라, 광투과성 물질 내에 광 반사성 필러를 분산시켜 광반사 구조를 형성할 수 있다. 이와 달리, 상기 절연부(521)는 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 절연막들이 교대로 적층된 다층 반사구조일 수 있다. 예를 들어 이러한 다층 반사구조는 제1 굴절률을 갖는 제1 절연막과 제2 굴절률을 갖는 제2 절연막이 교대로 적층된 분산 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)일 수 있다.
상기 다층 반사구조는 상기 굴절률이 서로 다른 복수의 절연막들이 2회 내지 100회 반복하여 적층될 수 있다. 예를 들어, 3회 내지 70회 반복하여 적층 될 수 있으며, 나아가 4회 내지 50회 반복하여 적층될 수 있다. 상기 다층 반사구조의 복수의 절연막은 각각 SiO2, SiN, SiOxNy, TiO2, Si3N4, Al2O3, TiN, AlN, ZrO2, TiAlN, TiSiN 등의 산화물 또는 질화물 및 그 조합일 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층에서 생성되는 빛의 파장을 λ이라고 하고 n을 해당 층의 굴절률이라 할 때에, 상기 제1 절연막과 제2 절연막은, λ/4n의 두께를 갖도록 형성될 수 있으며, 대략 약 300Å 내지 900Å의 두께를 가질 수 있다. 이때, 상기 다층 반사구조는 상기 활성층(1215)에서 생성된 빛의 파장에 대해서 높은 반사율(95% 이상)을 갖도록 각 제1 절연막 및 제2 절연막의 굴절률과 두께가 선택되어 설계될 수 있다.
상기 제1 절연막 및 제2 절연막의 굴절률은 약 1.4 내지 약 2.5 범위에서 결정될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(514)의 굴절률 및 기판의 굴절률보다 작은 값일 수 있으나, 상기 제1 도전형 반도체층(514)의 굴절률보다는 작되 기판의 굴절률보다는 큰 값을 가질 수도 있다.
도 17을 참조하여 본 발명의 광원 모듈을 채용하는 일 실시 형태에 따른 조명 장치를 설명한다. 도 17에서는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타낸다.
도 17을 참조하면, 조명 장치(1000)는 일 예로서 면 광원 타입의 구조를 가질 수 있으며, 직하형 백라이트 유닛일 수 있다.
조명 장치(1000)는 광학시트(1040) 및 상기 광학시트(1040) 하부에 배열된 광원 모듈(1010)을 포함할 수 있다.
상기 광학시트(1040)는 확산시트(1041), 집광시트(1042), 보호시트(1043) 등을 포함할 수 있다.
상기 광원 모듈(1010)은 기판(1011), 상기 기판(1011) 상면에 실장된 복수의 발광소자(1012) 및 상기 복수의 발광소자(1012)를 덮는 복수의 광학소자(1013)를 포함할 수 있다. 본 실시 형태에서 광원 모듈(1010)은 상기 도 2의 광원 모듈(1)과 유사한 구조를 가질 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(1010)의 각 구성 요소에 대한 구체적인 설명은 앞서 설명된 실시 형태를 참조하여 이해될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
1... 광원 모듈 검사장치
10... 재치부(載置部)
20... 전원인가부
30... 촬상부
31... 비전 헤드
32... 회전 지그
40... 제어부
100... 광원 모듈
110... 기판
200... 발광소자
300... 광학소자
400... 커넥터

Claims (10)

  1. 복수의 기판을 캐리어 상면에 놓는 단계;
    각 기판 상에 복수의 발광소자 및 상기 복수의 발광소자를 덮는 복수의 광학소자를 장착하는 단계; 및
    상기 캐리어 상에 배치되어 상기 상면을 따라서 이동하는 촬영수단을 통해서 상기 복수의 발광소자와 상기 복수의 광학소자를 촬영하여 상기 복수의 발광소자와 상기 복수의 광학소자를 검사하는 검사 단계;를 포함하고,
    상기 복수의 기판은 각각 제1방향으로 연장되고, 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라서 간격을 두고 평행하게 배열되며,
    상기 촬영수단은 제어부에 의해 상기 제1방향 또는 상기 제2방향 중 어느 일방향이 선택되어 상기 일방향을 바라보도록 선택적으로 회전하고 상기 일방향을 따라 이동되는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검사 단계는,
    상기 캐리어 상에 배열된 상기 복수의 기판의 배열수, 각 기판상에 장착된 복수의 발광소자와 복수의 광학소자의 개수 정보를 통해서 상기 촬영수단의 이동방향을 선택하는 단계; 및
    상기 선택된 이동방향에 대응하여 상기 촬영수단의 회전 여부를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 검사 단계는, 상기 복수의 발광소자를 검사하는 제1 검사 단계 및 상기 복수의 광학소자를 검사하는 제2 검사 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 검사 단계는 상기 기판 상에 상기 복수의 발광소자를 장착하고 상기 복수의 광학소자를 장착하기 이전에 진행되고,
    상기 제2 검사 단계는 상기 복수의 광학소자를 장착한 이후에 진행되는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 검사 단계는 상기 복수의 발광소자를 점등하고, 상기 복수의 발광소자가 점등된 상태에서 상기 복수의 발광소자와 상기 복수의 광학소자를 촬영하여 데이터를 획득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어는 상기 제1방향을 따라서 이송되어 상기 검사를 위한 재치부(載置部) 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 촬영수단은 비전 헤드 및 상기 비전 헤드와 연결되는 회전 지그를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 비전 헤드는 영역 스캔 카메라(Area Scan Camera) 또는 라인 스캔 카메라(Line Scan Camera)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 기판을 캐리어 상면에 놓는 단계는, 상기 복수의 기판을 상기 캐리어의 단자와 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조방법.
  10. 복수의 발광소자 및 상기 복수의 발광소자 상에 배치되는 복수의 광학소자가 장착된 복수의 기판을 마련하는 단계; 및
    상기 복수의 기판을 캐리어 상에 배열시킨 상태에서 상기 캐리어의 상면을 따라서 이동하는 촬영수단을 통해서 상기 복수의 발광소자와 상기 복수의 광학소자를 검사하는 단계;를 포함하고,
    상기 복수의 기판은 각각 제1방향으로 연장되고, 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라서 간격을 두고 평행하게 배열되며,
    상기 촬영수단은 촬영장치를 포함하는 비전 헤드 및 상기 비전 헤드와 연결되며 제어부에 의해 상기 제1방향 또는 상기 제2방향 중 어느 일방향을 선택하여 상기 비전 헤드를 선택적으로 회전시켜 상기 비전 헤드의 이동 방향을 결정하는 회전 지그를 포함하는 광원 모듈의 제조방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6954142B2 (ja) * 2018-01-17 2021-10-27 オムロン株式会社 画像検査装置および照明装置
WO2019213661A1 (en) 2018-05-04 2019-11-07 Red E Innovations, Llc System for monitoring an injection mold or stamping die
CN111864721B (zh) * 2020-07-15 2021-11-16 苏州浪潮智能科技有限公司 一种多输出组合的模块化服务器电源

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100963128B1 (ko) * 2009-10-06 2010-06-16 (주)오엠티 엘이디 광원 모듈의 고온 점등 검사장비
KR101207146B1 (ko) * 2012-04-03 2012-12-04 서승환 발광 다이오드 모듈의 광축 측정 장치 및 방법
JP2014215217A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 住友金属鉱山株式会社 物体検査装置及び物体検査方法

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481994B1 (ko) 1996-08-27 2005-12-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박리방법,박막디바이스의전사방법,및그것을이용하여제조되는박막디바이스,박막집적회로장치및액정표시장치
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR20040029301A (ko) 2001-08-22 2004-04-06 소니 가부시끼 가이샤 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
US7308157B2 (en) * 2003-02-03 2007-12-11 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for optical inspection of a display
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP5279992B2 (ja) 2006-07-13 2013-09-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査方法及び装置
KR100903882B1 (ko) 2006-09-28 2009-06-24 주식회사 미르기술 레이저 변위센서를 구비한 비전 검사 시스템 및 비전 검사방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR100945575B1 (ko) 2007-05-22 2010-03-08 충주대학교 산학협력단 글래스의 표면 검사장치
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
US9754926B2 (en) * 2011-01-31 2017-09-05 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9660153B2 (en) * 2007-11-14 2017-05-23 Cree, Inc. Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs
KR101101132B1 (ko) * 2007-11-23 2012-01-12 삼성엘이디 주식회사 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법
KR101000047B1 (ko) 2008-04-18 2010-12-09 주식회사 미르기술 비전 검사 시스템
KR100990641B1 (ko) * 2008-06-04 2010-10-29 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 검사 장치 및 그 방법
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101170928B1 (ko) 2010-11-05 2012-08-03 (주)미래컴퍼니 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법
US8687181B2 (en) * 2012-02-03 2014-04-01 Epistar Corporation Method and apparatus for testing light-emitting device
US9060125B2 (en) 2012-02-27 2015-06-16 Implicitcare, Llc 360° imaging system
JP2014085283A (ja) 2012-10-26 2014-05-12 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置
KR20140116244A (ko) * 2013-03-06 2014-10-02 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 제조 장치 및 이를 이용한 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR20140129426A (ko) 2013-04-29 2014-11-07 주식회사 앤비젼 반도체 검사용 카메라 마운팅 장치
KR20140143270A (ko) 2013-06-05 2014-12-16 엘지이노텍 주식회사 검사 모듈 및 발광 소자 검사 장치
KR101362329B1 (ko) 2013-09-12 2014-02-12 한동희 디스플레이용 패널의 검사장치
KR101514409B1 (ko) 2013-09-26 2015-04-24 (주)소닉스 비전검사장치
KR102192572B1 (ko) 2014-06-09 2020-12-18 삼성전자주식회사 광원 모듈의 불량 검사방법, 광원 모듈의 제조 방법 및 광원 모듈 검사장치
KR20160056167A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 삼성전자주식회사 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100963128B1 (ko) * 2009-10-06 2010-06-16 (주)오엠티 엘이디 광원 모듈의 고온 점등 검사장비
KR101207146B1 (ko) * 2012-04-03 2012-12-04 서승환 발광 다이오드 모듈의 광축 측정 장치 및 방법
JP2014215217A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 住友金属鉱山株式会社 物体検査装置及び物体検査方法

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