CN106549095B - 制造光源模块的方法 - Google Patents
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Abstract
制造光源模块的方法可包括:在承载件的上表面上的衬底上安装发光器件;安装光学装置以覆盖发光器件;以及基于选择性地捕获的发光器件和光学装置的图像来检查发光器件和光学装置。可基于对承载件上的光源模块扫描仪组件的控制来捕获图像。衬底可在第一方向上延伸,并且可在第二方向上间隔开。对光源模块扫描仪组件的控制可包括:使光源模块扫描仪组件沿着选择的方向运动,以将光源模块扫描仪组件定位在发光器件和光学装置中的至少一个上。可基于衬底的量和衬底中的每一个上的发光器件和光学装置的量来选择所述方向。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年9月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0131440的优先权和利益,该申请的公开以引用方式并入本文中。
技术领域
本发明构思的示例实施例涉及制造光源模块。
背景技术
由于公认的消费者在显示装置和发光器件的领域中偏爱利用发光二极管(LED)作为光源,光源模块制造中的重要考虑可包括能够减小装置尺寸和降低生产成本的价值工程(VE)设计。改变透镜可允许这些条件得到满足。透镜可减小LED与目标平面之间的光学距离,并且可增大LED之间的节距。
在通过LED和透镜的表面安装技术(SMT)工艺制造的LED模块中,LED和透镜的同轴精度的程度可影响光源模块的质量。例如,同轴精度的程度方面的缺陷可导致包括Mura现象的光学均匀性缺陷。因此,对安装了透镜和LED的状态的检查可为重要的。
在一些情况下,根据LED的集成程度的降低,实施对安装了透镜和LED的状态的检查所依据的检查方法可具有诸如工艺效率的降低和随之产生的生产率的降低的局限性。
发明内容
本发明构思的一些示例实施例可提供一种制造光源模块的方法。一些示例实施例可基于在制造光源模块的过程中检查诸如Mura现象的光学均匀性缺陷的原因和去除所述原因来提供提高的产品可靠性和制造生产率。
根据一些示例实施例,一种制造光源模块的方法可包括:在承载件的上表面上布置多个衬底;在所述多个衬底上安装多个发光器件;安装多个光学装置以覆盖所述多个衬底上的所述多个发光器件;以及基于对承载件的上表面上的光源模块扫描仪组件的控制,选择性地捕获发光器件和光学装置中的每一个的至少一个图像。所述多个衬底可分别平行地在第一方向上延伸。所述多个衬底可在第二方向上间隔开。第二方向可实质上垂直于第一方向。所述控制可包括:使光源模块扫描仪组件沿着第一方向或第二方向选择性地运动,以将光源模块扫描仪组件定位在发光器件和光学装置中的至少一个上;以及控制光源模块扫描仪组件捕获发光器件和光学装置中的至少一个的图像。
根据一些示例实施例,一种制造光源模块的方法可包括:基于对承载件的上表面上的光源模块扫描仪组件的控制,选择性地捕获多个衬底上的多个发光器件以及所述多个发光器件上的多个光学装置中的每一个的至少一个图像。所述多个衬底可位于承载件的上表面上。所述多个衬底可分别平行地在第一方向上延伸,所述多个衬底可在第二方向上间隔开,并且第二方向可实质上垂直于第一方向。对光源模块扫描仪组件的控制可包括:选择性地旋转光源模块扫描仪组件,以将光源模块扫描仪组件与选择的运动方向对准,所述运动方向为第一方向或第二方向中的选择的一个;以及使光源模块扫描仪组件沿着选择的运动方向运动,以将光源模块扫描仪组件定位在发光器件和光学装置中的至少一个上。
根据一些示例实施例,一种方法可包括选择性地捕获多个发光器件中的每一个的至少一个图像。所述多个发光器件可包括多行发光器件。每行可在第一方向上延伸。所述多行可在第二方向上间隔开。选择性地捕获可包括:基于所述多行的量和包括在每一行中的发光器件的量来选择运动方向,所述运动方向为第一方向或第二方向之一;以及使光源模块扫描仪组件沿着选择的运动方向运动,以将光源模块扫描仪组件定位在发光器件中的至少一个上。
附图说明
如附图所示,根据本发明构思的非限制性实施例的更具体的描述,本发明构思的以上和其它特征将变得清楚,在附图中,相同标号在不同附图中始终指代相同部件。附图不一定按照比例绘制,而是重点在于示出本发明构思的原理。在图中:
图1是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的用于检查光源模块的设备的构造的框图;
图2A和图2B是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的光源模块的剖视图和平面图;
图3是图2A的部分“A”的放大的剖视图;
图4是示出根据本发明构思的一些示例实施例可采用的波长转换材料的CIE 1931色度图;
图5是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的将多个衬底布置在承载件上的处理的平面图;
图6是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的将多个发光器件安装在所述多个衬底上的处理的平面图;
图7A和图7B是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件安装在衬底上的状态的立体图和剖视图;
图8是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的检查所述多个发光器件的处理的平面图;
图9是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的将多个光学装置安装在所述多个衬底上的处理的平面图;
图10是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的检查所述多个光学装置的处理的平面图;
图11、图12、图13和图14是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的选择成像部件的运动方向的处理的平面图;
图15A是示出可在本发明构思的一些示例实施例中采用的LED芯片的示例的平面图;
图15B是沿着线I-I’截取的图15A所示的LED芯片的侧剖视图;
图16是示出可在本发明构思的一些示例实施例中采用的LED芯片的示例的侧剖视图;
图17是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的照明装置的剖视图;以及
图18是示出根据本发明构思的一些示例实施例的扫描仪控制装置的框图。
具体实施方式
现在将参照其中示出了一些示例实施例的附图更完全地描述示例实施例。
图1是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的用于检查光源模块的设备的构造的框图。
如图1所示,根据本发明构思的一些示例实施例的用于检查光源模块的设备1可包括承载件支承基座10、电源单元20、光源模块扫描仪组件30和扫描仪控制装置40。
对光源模块100的检查可包括:控制光源模块扫描仪组件30选择性地捕获光源模块100的一个或多个部分的一个或多个图像。控制光源模块扫描仪组件30可包括:将光源模块扫描仪组件30以可调整的方式定位在光源模块100的一个或多个特定部分上。
对光源模块100的检查可包括:利用在光源模块100开启(“激活”)的状态下通过光源模块扫描仪组件30捕获和获得的数据来确定光源模块100是否有缺陷。这种确定可包括处理由光源模块扫描仪组件30捕获的一个或多个图像。
图2A、图2B和图3示意性地示出了根据本发明构思的一些示例实施例的光源模块。图2A和图2B是示意性地示出根据本发明构思的一些示例实施例的光源模块的剖视图和平面图。图2A是沿着图2B的线IIA-IIA’截取的剖视图,图2B是沿着图2A的线IIB-IIB’的平面图。图3是图2A的部分“A”的放大的剖视图。
参照图2A、图2B和图3,根据本发明构思的一些示例实施例的光源模块100可包括衬底110、安装在衬底110上的多个发光器件200以及布置在所述多个发光器件200上的多个光学装置300。
衬底110可为印刷电路板(PCB)。例如,衬底110可为FR4型PCB或者被构造为变形的柔性PCB。衬底110可由包含环氧树脂、三嗪、硅、聚酰亚胺等的有机树脂材料或者其它有机树脂材料形成。在一些示例实施例中,衬底110可由陶瓷材料(诸如氮化硅、AIN、Al2O3等)形成,或者可由金属和金属化合物(诸如金属芯印刷电路板(MCPCB)、MCCL等)形成。
衬底110可具有在纵向上延长的矩形杆结构。然而,根据一些示例实施例的衬底110的结构仅以示例的方式提供,并不限于此。纵向可在本文中称作沿着衬底110的纵向轴线的方向。
发光器件200可为通过外部施加的驱动功率产生具有期望的(或者可替换地,预定的)波长的光的光电器件。例如,发光器件200可包括半导体发光二极管(LED),其包括n型半导体层和p型半导体层以及介于它们之间的有源层。
发光器件200可根据其中包含的材料或者其与磷光体的组合而发射蓝光、绿光或红光。在一些示例实施例中,发光器件200可发射白光、紫外光等。发光器件200可不同地构造,诸如产生具有相同波长的光的相同类型的发光器件或者产生不同波长的光的不同类型的发光器件。另外,发光器件200可根据诸如0.5W和1W的功率水平的使用而不同地构造。
发光器件200可包括具有一种或多种结构的一个或多个发光二极管(LED)芯片。发光器件200可包括LED封装件。LED封装件可包括LED芯片中的一个或多个。LED封装件可根据一个或多个不同工艺形成。LED封装件可包括一种或多种LED芯片构造。
如图3所示,发光器件200可包括封装件结构,在该封装件结构中LED芯片220安装在具有反射杯211的封装件主体210上。LED芯片220可由含磷光体的包封部件230覆盖。图3所示的示例实施例包括LED封装件形式的发光器件200,但是不限于此。
封装件主体210可对应于LED芯片220安装于其上并且由其支承的基底构件。封装件主体210可由具有高度光反射率的白色模塑化合物形成,从而可提供通过反射LED芯片220发射的光来增加向外发射的光的量的效果。这种白色模塑化合物可包含具有高耐热性的热固性树脂或者硅树脂。另外,白色模塑化合物可由FR-4、CEM-3、环氧材料、陶瓷材料等形成。此外,白色模塑化合物可由诸如铝(Al)的金属形成。
LED芯片220可由形成在封装件主体210的反射杯211中的包封部件230包围。包封部件230可包含波长转换材料。
包含在包封部件230中的波长转换材料可包含受LED芯片220产生的光激发并且发射不同波长的光的至少一种或多种磷光体。这样,可进行控制,从而可发射各种颜色的光以及白光。
例如,在LED芯片220发射蓝光的情况下,可通过将黄色、绿色、红色和/或橙色磷光体进行组合来发射白光。另外,LED芯片220可被构造为包括发射紫光、蓝光、绿光、红光或紫外光的至少一个LED芯片。在这种情况下,可将LED芯片220的显色指数(CRI)在约40至100的范围内进行调整,并且LED芯片220可产生色温范围为从约2000K至20000K的各种白光。在一些示例实施例中,LED芯片220可产生可见的紫光、蓝光、绿光、红光或橙光,或者红外光,以根据周围环境或期望的用户情绪来调整光的颜色。另外,LED芯片220可产生用于促进植物生长的特定波长的光。
通过将黄色、绿色或红色磷光体与蓝色LED芯片组合和/或将绿色LED芯片与红色LED芯片组合而形成的白光可具有两个或更多个峰值波长,并且其在图4的CIE 1931色度图中的坐标(x,y)可为位于连接(0.4476,0.4074)、(0.3484,0.3516)、(0.3101,0.3162)、(0.3128,0.3292)和(0.3333,0.3333)的线段上。在一些示例实施例中,其在CIE 1931色品图中的坐标(x,y)可位于由所述线段和黑体辐射光谱包围的区域中。白光的色温可在从约2000K至20000K的范围内。
在图4中,布置在黑体辐射光谱下方的点E(0.3333,0.3333)附近的白光可处于黄光的水平相对低的状态,并且可用作表现出更亮或更新鲜感觉的区域中的照明光源。因此,利用布置在黑体辐射光谱下方的点E(0.3333,0.3333)附近的白光的照明产品可高效地作为销售杂物、衣物等的零售空间的照明装置。
磷光体可具有以下成分式和颜色:
氧化物:黄色和绿色Y3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce;
硅酸盐:黄色和绿色(Ba,Sr)2SiO4:Eu、黄色和橙色(Ba,Sr)3SiO5:Ce;
氮化物:绿色β-SiAlON:Eu、黄色La3Si6N11:Ce、橙色α-SiAlON:Eu、红色CaAlSiN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、SrSiAl4N7:Eu、SrLiAl3N4:Eu、Ln4-x(EuzM1-z)xSi12-yAlyO3+x+yN18-x-y(0.5≤x≤3,0<z<0.3,0<y≤4)(其中,Ln为选自IIIa族元素和稀土元素中的至少一种元素,M为选自Ca、Ba、Sr和Mg中的至少一种元素);
氟化物:基于KSF的红色K2SiF6:Mn4+、K2TiF6:Mn4+、NaYF4:Mn4+、NaGdF4:Mn4+和K3SiF7:Mn4+;
磷光体组合物可基本符合化学计算法,并且各个元素可由周期表的各个族的其它元素置换。例如,锶(Sr)可由碱土族(II)中的钡(Ba)、钙(Ca)、镁(Mg)等置换,并且钇(Y)可由诸如铽(Tb)、镥(Lu)、钪(Sc)、钆(Gd)等的基于镧(La)的元素置换。另外,根据光的期望能级,作为活化剂的铕(Eu)可由铈(Ce)、铽(Tb)、镨(Pr)、铒(Er)、镱(Yb)等置换,并且活化剂可单独应用,或者可与共活化剂一起应用来改变磷光体的特性。
具体地说,为了提高在高温和高湿度下的可靠性,可将基于氟化物的红色磷光体涂布不含锰(Mn)的氟化物,或者在其上涂布有机材料。所述有机材料可涂布在涂布有不含锰(Mn)的氟化物的基于氟化物的红色磷光体上。与其它磷光体不同的是,基于氟化物的红色磷光体可实现等于或小于40nm的窄半峰全宽(FWHM),因此,可将其用于诸如UHD TV的高清TV中。
此外,作为替代磷光体的材料,可在波长转换材料中使用量子点(QD)等,并且可单独使用或与磷光体组合使用QD。
量子点可具有利用III-V族或II-VI族化合物半导体的核-壳结构。例如,量子点可具有诸如CdSe或InP的核或者诸如ZnS或ZnSe的壳。另外,量子点可包括用于稳定核和壳的配体。例如,核可具有约1nm至30nm(具体地,约3nm至10nm)范围内的直径。壳可具有约0.1nm至20nm(具体地,约0.5nm至2nm)范围内的厚度。
量子点可根据其大小实现各种颜色的光,具体地说,当量子点用作磷光体替代物时,其可替代红色或绿色磷光体。量子点的使用可允许实现窄FWHM(例如,约35nm)。
光学装置300中的每一个可布置在发光器件200上,并且可调整由发光器件200发射的光的波束角。光学装置300可包括宽波束角透镜,其通过扩散发光器件200的光来实现宽角度的波束散布。
每个光学装置300可具有:第一表面310,其具有面对发光器件200的入射部分311;和第二表面320,其布置为与第一表面310相对。
第一表面310在光轴O穿过的其中心部分中可具有朝着第二表面320凹进的凹进部分330。凹进部分330可具有相对于穿过光学装置300的中心部分的光轴O的旋转对称结构,并且其表面可限定来自发光器件200的光通过其入射的入射部分311。凹进部分330可通过第一表面310向外暴露,并且可为布置为面对发光器件200。
第一表面310可具有朝着发光器件200突出的支承部分340。支承部分340可设为沿着凹进部分330的周边部分布置以包围凹进部分330的多个支承部分340。
当光学装置300安装在衬底110上时,支承部分340可固定和支承光学装置300。也就是说,光学装置300可通过支承部分340安装在衬底110上。
第二表面320可布置为与第一表面310相对。第二表面320(通过入射部分311入射的光从其向外发射的发光表面)可为光学装置300的顶表面。第二表面320可从其连接至第一表面310的边缘在光传播的向上方向上凸形地突出。
光学装置300可由具有透光性的树脂材料形成,例如可包含聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、丙烯酸材料等。另外,光学装置300可由玻璃形成,但是不限于此。
光学装置300可包含约3%至15%范围内的光散射材料。光散射材料可包括选自SiO2、TiO2和Al2O3中的至少一个。在包括的光散射材料的量小于3%的情况下,光不能充分散射,从而可能不能获得光散射效果。在包括的光散射材料的量大于15%的情况下,通过光学装置300向外发射的光的量可减少,因此降低了光提取效率。
光学装置300可通过将液体溶剂注入模具中以待固化的方案来形成。例如,所述方案可包括注塑成型法、传递模塑法、压缩模塑法等。
在一些示例实施例中,除所述多个发光器件200和所述多个光学装置300之外,连接器400也可安装在衬底110上,以连接至外部电源。连接器400可布置在衬底110的一个端部中。
再参照图1,承载件支承基座10可支承作为可被检查的对象的光源模块100。其上安装有发光器件200和光学装置300的单个衬底110或者多个衬底110可排列在承载件上,并且可布置在承载件支承基座10的一个表面上。
电源单元20(本文中还称作“电源”、“功率源”等)可按照可开启所述多个发光器件200的方式将电流供应至所述多个发光器件200。电源单元20可被外部信号驱动,并且可将作为待检查的对象的发光器件200开启或关闭。
在所述多个发光器件200开启的状态下,光源模块扫描仪组件30可对所述多个发光器件200和所述多个光学装置300成像,以获得它们的图像。例如,作为一种成像元件的相机可用作光源模块扫描仪组件30,但是本发明构思不限于此。除相机外,可使用任何装置,只要其可对对象成像以进行感测或者获得其图像即可。
光源模块扫描仪组件30可包括相机组件31和连接至相机组件31的旋转夹具32。旋转夹具32可被构造为使相机组件31旋转。
光源模块扫描仪组件30可布置在承载件支承基座10上方,并且可在选择的方向上运动的同时选择性地捕获所述多个发光器件200和所述多个光学装置300的一个或多个图像。选择的方向在本文中可称作选择的“运动方向”。
扫描仪控制装置40可控制光源模块扫描仪组件30和电源单元20。可基于信息的一个或多个实例控制电源单元20和光源模块扫描仪组件30中的至少一个。所述信息的一个或多个实例可包括所述多个衬底110、所述多个发光器件200和所述多个光学装置300中的至少一个的量和位置中的一个或多个。所述信息可存储在扫描仪控制装置40中。
在一些示例实施例中,扫描仪控制装置40可基于对发光器件和光学装置的一个或多个捕获图像的处理来确定发光器件200和光学装置300是否有缺陷。可通过光源模块扫描仪组件30捕获所述图像,并且所述图像可被传递至扫描仪控制装置40。
将参照图5、图6、图7A、图7B、图8、图9和图10描述根据本发明构思的一些示例实施例的制造光源模块的方法。图5、图6、图7A、图7B、图8、图9和图10示意性地示出了制造光源模块的对应处理。
如图5所示,所述多个衬底110可布置在承载件11的上表面上。
衬底110可为印刷电路板(PCB)。例如,衬底110可为FR4型PCB或被构造为变形的柔性PCB。衬底110可由包含环氧树脂、三嗪、硅、聚酰亚胺等的有机树脂材料或者其它有机树脂材料形成。在一些示例实施例中,衬底110可由陶瓷材料(诸如氮化硅、AIN、Al2O3等)形成,或者可由金属和金属化合物(诸如金属芯印刷电路板(MCPCB)、MCCL等)形成。
衬底110可具有在纵向上延长的矩形杆结构。然而,仅以示例的方式提供根据一些示例实施例的衬底110的结构,但是不限于此。
布置在承载件11的上表面上的所述多个衬底110可在第一方向上分别平行地延伸,并且可在垂直于第一方向的第二方向上以期望的(或者可替换地,预定的)间隔彼此间隔开。例如,在附图中,可将第一方向定义为x轴方向,并且可将第二方向定义为y轴方向。另外,第一方向可对应于衬底110的纵向轴线,并且可对应于承载件11的运动方向。在一些示例实施例中,承载件11可沿着运动方向运动。承载件11可独立于在承载件11上运动的光源模块扫描仪组件30而运动。
布置在承载件11上的所述多个衬底110中的每一个可通过连接器400电连接至承载件11的端子11a。
如图6、图7A和图7B所示,所述多个发光器件200可安装在衬底110中的每一个上。
所述多个发光器件200可沿着纵向(也就是说,沿着第一方向(x轴方向))排列在衬底110中的每一个上。发光器件200可为通过外部施加的驱动功率产生具有期望的(或者可替换地,预定的)波长的光的光电器件。例如,发光器件200可包括半导体发光二极管(LED),其包括n型半导体层和p型半导体层以及介于它们之间的有源层。
发光器件200可为具有各种结构的发光二极管(LED)芯片或者包括所述LED芯片并且按照各种方式形成的LED封装件。在一些示例实施例中,按照LED封装件的形式提供发光器件200。
在一些示例实施例中,在所述多个衬底110布置在承载件11上的情况下和/或当所述多个衬底110布置在承载件11上时,将所述多个发光器件200安装在衬底110中的每一个上。在一些示例实施例中,还可在所述多个发光器件200安装在衬底110中的每一个上的状态下将衬底110布置在承载件11上。也就是说,将衬底110布置在承载件11上和将所述多个发光器件200安装在衬底110中的每一个上的次序可颠倒。
如图8所示,可执行对所述多个发光器件200的检查(第一检查处理)。
对所述多个发光器件200的检查可包括:选择性地捕获所述多个发光器件200中的每一个的至少一个图像。对所述多个发光器件200的检查可包括:处理发光器件200的捕获的图像中的一个或多个,以确定发光器件200是否有缺陷。可利用用于检查光源模块的设备1(参照图1)通过自动光学检查来执行对所述多个发光器件200的检查。
例如,当承载件11在第一方向上运动(“平移”)并且被布置在承载件支承基座10上时,可通过电源单元20将电流供应至所述多个发光器件200,因此,可开启(“选择性地激活”)所述多个发光器件200中的一个或多个。然后,在可通过光源模块扫描仪组件30扫描承载件11的上表面的同时,可通过光源模块扫描仪组件30捕获所述多个发光器件200的一个或多个图像。光源模块扫描仪组件30可包括相机组件31和连接至相机组件31的旋转夹具32。
相机组件31可选择运动方向(即,第一方向或第二方向),并且可在对应的选择的运动方向上运动的同时捕获所述多个发光器件200的一个或多个图像。例如,相机组件31可包括区域扫描相机和线扫描相机中的至少一个,但是不限于此。光源模块扫描仪组件30可包括被构造为捕获对象的图像的一个或多个装置。在一些示例实施例中,相机组件31包括线扫描相机。
旋转夹具32可按照相机组件31与选择的运动方向(第一方向或第二方向)对准并且由此可在选择的运动方向上运动的方式使相机组件31选择性地旋转。与一方向“对准”的相机组件被构造为在该方向上运动。
扫描仪控制装置40可基于通过光源模块扫描仪组件30获得的处理数据确定发光器件200是否有缺陷。所述数据可包括由光源模块扫描仪组件30捕获的一个或多个图像,其中捕获的一个或多个图像是发光器件200的图像。发光器件200的缺陷可包括发光器件200未开启(未激活)的操作缺陷、发光器件200未安装在正确位置的定位缺陷、发光器件200以倾斜状态安装的安装缺陷、它们的一些组合等。
在一些示例实施例中,当在发光器件200的一部分中检测到操作缺陷时,可执行将对应的有缺陷的发光器件200替换为良好产品的处理。另外,其上有缺陷的发光器件已被替换为良好的发光器件200的衬底110可再组合或再安装在承载件11上。
扫描仪控制装置40可控制光源模块扫描仪组件30。例如,扫描仪控制装置40可选择相机组件31的运动方向(第一方向或第二方向),并且可通过控制旋转夹具32使相机组件31旋转以与选择的运动方向对准。
详细地说,可基于排列在承载件11上的衬底110的量和安装在衬底110中的每一个上的发光器件200的量中的至少一个来选择光源模块扫描仪组件30的运动方向。响应于对运动方向的选择,扫描仪控制装置40可确定是否旋转相机组件31以与选择的运动方向对准。例如,当选择运动方向以使得相机组件31在第二方向上运动的同时执行成像,并且将相机组件31在第一方向上布置(“对准”)时,相机组件31可按照在第二方向上指向(“对准”)的方式通过旋转夹具32旋转。
另外,扫描仪控制装置40可控制电源单元20。
如图9所示,可安装覆盖衬底110中的每一个上的所述多个发光器件200的多个光学装置300。
可通过将光学装置300通过粘合剂附着于衬底110或者发光器件200随后热固化的回流工艺来执行光学装置300的附着。在一些示例实施例中,光学装置300附着于衬底110上。在一些示例实施例中,光学装置300可附着于发光器件200。在一些示例实施例中,光学装置300可通过除热固化方法之外的方法附着。
可安装光学装置300使其覆盖发光器件200中的每一个。光学装置300可由具有允许发光器件200中的每一个发射的光向外辐射的透光性的材料形成。例如,光学装置300的材料可包括聚碳酸酯(PC)或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、丙烯酸等。
如图10所示,可执行对所述多个光学装置300的检查(第二检查处理)。
对所述多个光学装置300的检查可包括:选择性地捕获所述多个光学装置300中的每一个的至少一个图像。对所述多个光学装置300的检查可包括:处理光学装置300的捕获的图像中的一个或多个,以确定光学装置300是否有缺陷。与上述对所述多个发光器件200的检查相似,可利用用于检查光源模块的设备1(参照图1)通过自动光学检查来执行对所述多个光学装置300的检查。
在其上安装有所述多个发光器件200和覆盖所述多个发光器件200的所述多个光学装置300的所述多个衬底110布置在承载件11上的情况下和/或当其上安装有所述多个发光器件200和覆盖所述多个发光器件200的所述多个光学装置300的所述多个衬底110布置在承载件11上时,以及在承载件11在第一方向上转移和布置在承载件支承基座10上的情况下和/或当承载件11在第一方向上转移和布置在承载件支承基座10上时,可通过电源单元20将电流供应至所述多个发光器件200,因此可开启(选择性地激活)所述多个发光器件200。
然后,在发光器件200开启的情况下和/或当发光器件200开启时,在承载件11的上表面可被光源模块扫描仪组件30扫描的同时,可通过光源模块扫描仪组件30捕获所述多个光学装置300的一个或多个图像。
扫描仪控制装置40可基于通过光源模块扫描仪组件30获得的处理数据确定光学装置300是否有缺陷。所述数据可包括通过光源模块扫描仪组件30捕获的一个或多个图像,其中捕获的一个或多个图像是光学装置300的图像。光学装置300的缺陷可包括光学装置未对准的对准缺陷、光学装置300以倾斜状态安装的倾斜缺陷、由于光学装置300本身的缺陷造成的外来缺陷、它们的一些组合等。当在光学装置300的一部分中检测到缺陷时,可分开执行将对应的有缺陷的光学装置300替换为良好产品的处理或者再安装光学装置300的处理。
扫描仪控制装置40可控制光源模块扫描仪组件30的运动方向。例如,扫描仪控制装置40可选择相机组件31的运动方向(第一方向或第二方向),并且可通过控制旋转夹具32来使相机组件31旋转。
例如,可基于排列在承载件11上的衬底110的量和安装在衬底110中的每一个上的发光器件200和光学装置300的量中的至少一个来选择光源模块扫描仪组件30的运动方向。响应于对运动方向的选择,扫描仪控制装置40可确定是否使相机组件31旋转,以与选择的运动方向对准。
将参照图11、图12、图13和图14描述选择光源模块扫描仪组件30的运动方向的方法。
图11和图12示出了根据一些示例实施例的十个衬底110在承载件11上在第二方向上间隔开以及在衬底110中的每一个上安装三个覆盖发光器件200的光学装置300的情况。在图11至图12所示的示例实施例中,用作相机组件的线扫描相机的视场(FOV)值可涵盖三(3)个光学装置300。
在一些示例实施例中,如图11所示,在相机组件在第一方向上运动的情况下和/或当相机组件在第一方向上运动时,相机组件可运动四次以扫描排列在承载件11上的光学装置300的整体(例如,捕获光学装置300的整体的一个或多个图像)。
如图11所示,一旦光源模块扫描仪组件在第一方向上的每次运动完成,光源模块扫描仪组件就可旋转。光源模块扫描仪组件可旋转和运动,以使光源模块扫描仪组件沿着与在第一方向上的先前运动的轴线平行的轴线与第一方向对准。所述轴线可在第二方向上间隔开,如图11所示。
例如,一旦在第一方向上运动(1),光源模块扫描仪组件可旋转为与第二方向对准,在第二方向上运动(1a),并且旋转为与第一方向对准,以使得光源模块扫描仪组件可在第一方向上运动(2)。
在一些示例实施例中,如图12所示,在相机组件在第二方向上运动的情况下和/或当相机组件在第二方向上运动时,相机组件可运动三次,以扫描排列在承载件11上的光学装置300的整体(例如,捕获光学装置300的整体的一个或多个图像)。
如图12所示,一旦光源模块扫描仪组件在第二方向上的每次运动完成,光源模块扫描仪组件就可旋转。光源模块扫描仪组件可旋转和运动,以使光源模块扫描仪组件沿着与在第二方向上的先前运动的轴线平行的轴线与第二方向对准。所述轴线可在第一方向上间隔开,如图12所示。
例如,一旦在第二方向上运动(1),光源模块扫描仪组件可旋转为与第一方向对准,在第一方向上运动(1a),并且旋转为与第二方向对准,以使得光源模块扫描仪组件可在第二方向上运动(2)。
因此,基于使相机组件在第二方向上运动相对于使相机组件在第一方向上运动可导致相机组件的运动量减少的判定,可通过扫描仪控制装置40和/或一个或多个装置判定出相机组件在第二方向上的运动可导致检查时间的缩短。扫描仪控制装置40可基于关于排列在承载件11上的衬底110的量和安装在衬底110中的每一个上的发光器件200和光学装置300的量中的至少一个的信息来选择相机组件31的运动方向。扫描仪控制装置40可选择第二方向作为运动方向并且可通过控制旋转夹具32的操作使相机组件31旋转为与选择的第二方向对准。
图13和图14示出了根据一些示例实施例的十个衬底110在承载件11上在第二方向上间隔开并且在衬底110中的每一个上安装五个光学装置300以覆盖发光器件200的情况。在图13至14所示的示例实施例中,用作相机组件的线扫描相机的视场(FOV)值可涵盖三(3)个光学装置300。
在一些示例实施例中,如图13所示,在相机组件可在第一方向上运动的情况下和/或当相机组件可在第一方向上运动时,相机组件可运动四次以扫描排列在承载件11上的光学装置300的整体(例如,捕获光学装置300的整体的一个或多个图像)。
如图13所示,一旦光源模块扫描仪组件在第一方向上的每次运动完成,光源模块扫描仪组件就可旋转。光源模块扫描仪组件可旋转和运动,以使光源模块扫描仪组件沿着与在第一方向上的先前运动的轴线平行的轴线与第一方向对准。所述轴线可在第二方向上间隔开,如图13所示。
例如,一旦在第一方向上运动(1),光源模块扫描仪组件可旋转为与第二方向对准,在第二方向上运动(1a),并且旋转为与第一方向对准,以使得光源模块扫描仪组件可在第一方向上运动(2)。
在一些示例实施例中,如图14所示,在相机组件在第二方向上运动的情况下和/或当相机组件在第二方向上运动时,相机组件可运动五次,以扫描排列在承载件11上的光学装置300的整体(例如,捕获光学装置300的整体的一个或多个图像)。
因此,基于使相机组件在第一方向上运动相对于使相机组件在第二方向上运动可导致相机组件的运动量减少的判定,可通过扫描仪控制装置40和/或一个或多个装置判定出相机组件在第一方向上的运动可导致检查时间的缩短。当扫描仪控制装置40通过其判定选择第一方向时,其可控制旋转夹具32并使相机组件31旋转为与选择的第一方向对准。
按照这种方式,可在制造光源模块100的工艺中检查所述多个发光器件200和光学装置300,从而降低有缺陷的产品通过其在后续工艺中的装入或运输流通到消费者手中的可能性和/或防止这种情况。这样,可减少和/或预先防止诸如产品破损和随之发生的产品可靠性的降低、产品图像的损坏、损坏补偿等的其它缺陷的发生。
具体地说,在检查所述多个发光器件200和光学装置300的过程中,相机组件31可连接至旋转夹具32,并且可基于扫描仪控制装置40对旋转夹具32的控制而选择性地旋转,以在选择的方向上运动。因此,与相机组件在固定状态下仅在一个方向上运动的现有技术的情况不同,扫描仪控制装置40可在多个运动方向中选择期望的运动方向,并且可控制光源模块扫描仪组件30使相机组件31在选择的运动方向上运动。因此,可减少检查时间。检查时间减少可导致生产率提高。
图15A、图15B和图16示意性地示出了可在根据本发明构思的一些示例实施例的光源模块中采用的LED芯片的各个示例。图15A、图15B和图16是示出可在发光器件中采用的LED芯片的各个示例的图。
图15A是示出可在本发明构思的一些示例实施例中采用的LED芯片的示例的平面图,图15B是沿着线I-I’截取的图15A所示的LED芯片的侧剖视图。
图15A和图15B所示的LED芯片400可具有用于高照明输出的大面积结构。LED芯片400可被构造为增大电流散布效率和热辐射效率。
LED芯片400可包括发光层合件S、第一电极420、绝缘层430、第二电极408和导电衬底410。发光层合件S可包括按次序一个一个堆叠的第一导电类型的半导体层404、有源层405和第二导电类型的半导体层406。
第一导电类型的半导体层404可为满足n型InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1,0≤y<1,0≤x+y<1)的氮化物半导体,并且n型掺杂剂可为硅(Si)。例如,第一导电类型的半导体层404可为n型GaN。
第二导电类型的半导体层406可为满足p型InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1,0≤y<1,0≤x+y<1)的氮化物半导体层,并且p型掺杂剂可为镁(Mg)。例如,第二导电类型的半导体层406可为p型GaN。
有源层405可具有量子阱层与量子势垒层交替地堆叠的多量子阱(MQW)结构。例如,量子阱层和量子势垒层可由不同组成的InxAlyGa1-x-yN形成。在一些示例实施例中,量子阱层可为InxGa1-xN(0<x≤1),量子势垒层可为GaN或AlGaN。量子阱层和量子势垒层中的每一个的厚度可在从约1nm至50nm的范围内。有源层405的结构不限于多量子阱(MQW)结构,而是还可为单量子阱(SQW)结构。
第一电极420可包括一个或多个导电过孔480,它们与第二导电类型的半导体层406和有源层405电绝缘并且延伸至第一导电类型的半导体层404的至少一部分以电连接至第一导电类型的半导体层404。导电过孔480可从第一电极420的界面穿过第二电极408、第二导电类型的半导体层406和有源层405,并且可延伸至第一导电类型的半导体层404的内部。可利用例如电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)等的蚀刻工艺形成导电过孔480。
绝缘层430可设置在第一电极420上,以使第一电极420与除第一导电类型的半导体层404以外的其它区电绝缘。如图15B所示,绝缘层430也可形成在导电过孔480的侧表面上以及第二电极408与第一电极420之间。这样,暴露于导电过孔480的侧表面的第二电极408、第二导电类型的半导体层406和有源层405可与第一电极420绝缘。绝缘层430可通过诸如SiO2、SiOxNy或SixNy的绝缘材料的沉积来形成。
第一导电类型的半导体层404的接触区C可通过导电过孔480暴露,并且第一电极420的一部分可形成为通过导电过孔480接触接触区C。这样,第一电极420可连接至第一导电类型的半导体层404。
可适当地调整导电过孔480的数量、形状或间距,或者其相对于第一导电类型的半导体层404和第二导电类型的半导体层406的接触直径(或者接触面积),从而降低接触电阻(参照图15A)。此外,导电过孔480可不同地排列成多行和多列,从而可提高电流流动。可调整导电过孔480的数量或其接触面积,以使得接触区C的面积可在发光层合件S的平面面积的约0.1%至20%(例如,0.5%至15%,进一步地,1%至10%)的范围内。在电极面积小于0.1%的情况下,电流散布可不均匀,从而劣化光发射效率。另一方面,在电极面积等于或大于20%的情况下,发光面积可相对减小,从而导致光发射特性和亮度特性的降低。
例如,接触区域中的各个导电过孔480与第一导电类型的半导体层404接触的半径可为大约1μm至50μm。在发光层合件S的每个区中,根据发光层合件S的区的面积,导电过孔480的数量可为1至48000个。在发光层合件S的每个区中,导电过孔480的数量可为2至45000个,特别地说,5至40000个,更特别地说,10至35000个,但是可根据发光层合件S的区的面积而变化。对应的导电过孔480之间的距离可具有矩阵结构,该矩阵结构具有10μm至1000μm的多行多列(例如,50μm至700μm的多行多列,特别地说,100μm至500μm的多行多列,更特别地说,150μm至400μm的多行多列)。
在对应的导电过孔480之间的距离小于10μm的情况下,导电过孔480的数量可增加,同时发光面积可相对减小,从而导致光发射效率的降低。在对应的导电过孔480之间的距离大于1000μm的情况下,可不利于电流散布,从而降低光发射效率。导电过孔480的深度可根据第二导电类型的半导体层406和有源层405的厚度而不同地形成,并且例如可在从0.1μm至5.0μm的范围内。
如图15B所示,第二电极408可提供从发光层合件S向外延伸和暴露的电极形成区E。电极形成区E可包括用于将外部电源连接至第二电极408的电极焊盘部分419。在一些示例实施例中,提供了单个电极形成区E。在一些示例实施例中,可提供多个电极形成区E。如图15A所示,电极形成区E可形成在LED芯片400的一个边缘上,以显著增大发光面积。
在一些示例实施例中,用于停止蚀刻的绝缘层440可布置在电极焊盘部分419的周边。在已形成发光层合件S之后,在形成第二电极408之前,用于停止蚀刻的绝缘层440可形成在电极形成区E中,并且可在电极形成区E的蚀刻工艺中用作蚀刻停止层。
第二电极408可由具有高程度的反射率同时与第二导电类型的半导体层406形成欧姆接触的材料形成。第二电极408的材料可为先前例示的反射电极材料。
图16是示出可在本发明构思的一些示例实施例中采用的LED芯片500的示例的侧剖视图。
参照图16,LED芯片500可包括形成在衬底501上的半导体层合件510。半导体层合件510可包括第一导电类型的半导体层514、有源层515和第二导电类型的半导体层516。
LED芯片500可包括分别连接至第一导电类型的半导体层514和第二导电类型的半导体层516的第一电极522和第二电极524。第一电极522可包括穿过第二导电类型的半导体层516和有源层515以连接至第一导电类型的半导体层514的诸如导电过孔的连接电极部分522a和连接至连接电极部分522a的第一电极焊盘522b。连接电极部分522a可由绝缘部分521包围,并且可与有源层515和第二导电类型的半导体层516电分离。连接电极部分522a可布置在半导体层合件510的蚀刻区中。可适当地设计连接电极部分522a的数量、形状或间距或者其相对于第一导电类型的半导体层514的接触面积,以降低接触电阻。此外,连接电极部分522a可在半导体层合件510上排列成多行多列,从而可改进电流流动。第二电极524可包括第二导电类型的半导体层516上的欧姆接触层524a和第二电极焊盘524b。
连接电极部分522a和欧姆接触层524a中的每一个可包括具有与第一导电类型的半导体层514和第二导电类型的半导体层516的欧姆特性的导电材料的单层或多层结构。例如,连接电极部分522a和欧姆接触层524a可通过诸如沉积或溅射Ag、Al、Ni、Cr、透明导电氧化物(TCO)等中的一个或多个的工艺形成。
第一电极焊盘522b和第二电极焊盘524b可连接至连接电极部分522a和欧姆接触层524a,以用作LED芯片500的外部端子。例如,第一电极焊盘522b和第二电极焊盘524b可由Au、Ag、Al、Ti、W、Cu、Sn、Ni、Pt、Cr、NiSn、TiW、AuSn或者它们的共晶金属形成。
第一电极522和第二电极524可布置在相同方向上,并且可按照倒装芯片方案安装在引线框架等上。
在一些示例实施例中,所述两个电极522和524可通过绝缘部分521彼此电分离。绝缘部分521可由任何材料形成,只要该材料具有电绝缘特性即可。可采用具有电绝缘特性同时具有低程度的光吸收性的任何材料。例如,绝缘部分521可由氧化硅或者硅的氮化物(诸如SiO2、SiOxNy、SixNy等)形成。在一些示例实施例中,光反射结构可通过在光透射材料中散布光反射填料形成。相反地,绝缘部分521可具有多层反射结构,在该多层反射结构中具有不同折射率的多个绝缘层可交替地堆叠。例如,这种多层反射结构可为具有第一折射率的第一绝缘层和具有第二折射率的第二绝缘层交替地堆叠的分布式布拉格反射器(DBR)。
可通过将具有不同折射率的多个绝缘层重复地堆叠2次至100次(例如,3次至70次,进一步地,4次至50次)来形成所述多层反射结构。所述多层反射结构的所述多个绝缘层可由氧化物或氮化物和它们的组合(诸如SiO2、SiN、SiOxNy、TiO2、Si3N4、Al2O3、TiN、AlN、ZrO2、TiAlN、TiSiN等)形成。例如,当在有源层中产生的光的波长为λ,并且对应层的折射率为n时,第一绝缘层和第二绝缘层可形成为具有λ/4n(大约至)的厚度。在这种情况下,可选择性地设计第一绝缘层和第二绝缘层的折射率和厚度,以使得绝缘层相对于在有源层515中产生的光的波长具有高程度的反射比(95%或更大)。
可确定第一绝缘层和第二绝缘层的折射率在约1.4至约2.5的范围内,并且可低于第一导电类型的半导体层514和衬底的折射率,但是也可高于衬底的折射率同时低于第一导电类型的半导体层514的折射率。
参照图17,将描述采用根据本发明构思的一些示例实施例的光源模块的照明装置。图17示意性地示出了根据本发明构思的一些示例实施例的照明装置。
参照图17,以举例的方式,照明装置1000可具有面光源类型的结构,并且可为直下式背光单元。
照明装置1000可包括光学片材1040和排列在光学片材1040下方的光源模块1010。
光学片材1040可包括散射片材1041、光收集片材1042、保护片材1043等。
光源模块1010可包括板1011、安装在板1011的上表面上的多个发光器件1012和覆盖所述多个对应的发光器件1012的多个光学装置1013。在一些示例实施例中,光源模块1010可具有与图2的光源模块100基本相似的结构。可参照先前的示例实施例来理解关于光源模块1010的对应的组件的具体描述。
如上所述,根据本发明构思的一些示例实施例,可提供一种制造光源模块的方法,其能够通过在制造光源模块的过程中检查诸如Mura现象的光学均匀性缺陷的原因和去除该原因来提高产品的可靠性和生产率。
图18是示出根据本发明构思的一些示例实施例的扫描仪控制装置40的框图。扫描仪控制装置40可包括计算机处理装置。参照图18,扫描仪控制装置40可包括处理装置(“处理器”)1810、存储器1830、输入-输出装置1850和存储装置1870。在一些示例实施例中,扫描仪控制装置40可包括被构造为执行各种检查程序的计算系统。这种检查程序可包括用于如上所述地控制光源模块扫描仪组件30的计算机可执行程序指令。
处理装置1810(还被称作“处理器”)可被构造为运行诸如应用程序、操作系统和装置驱动程序的多种软件的实例。例如,处理装置1810可被构造为运行加载在工作存储器1830上的操作系统(未示出)。此外,处理装置1810可被构造为在操作系统上运行各种应用程序。例如,处理装置1810可被构造为如上所述地控制光源模块扫描仪组件30。
可将操作系统或者应用程序加载在工作存储器1830上。例如,当计算机系统开始启动操作时,存储在存储装置1870中的OS图像(未示出)可根据启动顺序被加载到工作存储器1830上。在扫描仪控制装置40中,可通过操作系统管理整体的输入/输出操作。相似地,可将一些应用程序(“计算机可执行指令程序”)加载到工作存储器1830上。
工作存储器(还被称作“存储器”)1830可为易失性存储器装置(例如,静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)装置)或者非易失性存储器装置(例如,PRAM、MRAM、ReRAM、FRAM、NOR FLASH存储器装置)中的一种。
输入-输出装置1850可被构造为控制用户界面装置的用户输入和输出操作。例如,输入-输出装置1850可包括允许操作员输入相关信息、指令、它们的一些组合等的键盘或显示器。
存储装置(还被称作“存储器”)1870可用作用于扫描仪控制装置40的非临时存储介质。存储装置1870可被构造为存储应用程序、OS图像和各种数据。可按照存储卡(例如,MMC、eMMC、SD、MicroSD等)或硬盘驱动器(HDD)之一的形式设置存储装置1870。存储装置1870可包括具有大存储容量的NAND FLASH存储器装置。存储装置1870可包括下一代非易失性存储器装置(例如,PRAM、MRAM、ReRAM或FRAM)或者NOR FLASH存储器装置中的至少一种。
系统互连器1890可设为用作用于在扫描仪控制装置40中实现网络的系统总线。处理装置1810、工作存储器1830、输入-输出装置1850和存储装置1870可通过系统互连器1890彼此电连接,因此,可在它们之间交换数据。然而,系统互连器1890可不限于上述构造;例如,其还可包括用于提高数据通信的效率的额外元件。
应该理解本文所述的示例实施例应该仅被看作是描述性的而非为了限制的目的。根据示例实施例的各个装置或方法中的特征或方面的描述应该通常被看作可用于根据示例实施例的其它装置或方法中的其它相似的特征或方面。虽然已经具体示出并描述了一些示例实施例,但是本领域普通技术人员应该理解,在不脱离权利要求的精神和范围的情况下,可在其中作出各种形式和细节上的修改。
Claims (20)
1.一种制造光源模块的方法,所述方法包括:
在承载件的上表面上布置多个衬底,其中所述多个衬底分别平行地在第一方向上延伸,所述多个衬底在第二方向上间隔开,并且第二方向实质上垂直于第一方向;
在所述多个衬底上安装多个发光器件;
安装多个光学装置以覆盖所述多个衬底上的所述多个发光器件;以及
基于对所述承载件的上表面上的光源模块扫描仪组件的控制,选择性地捕获发光器件和光学装置中的每一个的至少一个图像,所述控制包括:
使所述光源模块扫描仪组件沿着第一方向或第二方向中的选择的运动方向选择性地运动,以将所述光源模块扫描仪组件定位在发光器件和光学装置中的至少一个上,以及
控制所述光源模块扫描仪组件捕获发光器件和光学装置中的至少一个的图像。
2.根据权利要求1所述的方法,其中使所述光源模块扫描仪组件沿着选择的运动方向选择性地运动包括:
基于所述承载件上的所述多个衬底的量和所述多个衬底中的每一个上的发光器件和光学装置的量来选择第一方向或者第二方向作为运动方向;以及
基于选择的运动方向来确定是否旋转所述光源模块扫描仪组件。
3.根据权利要求1所述的方法,其中选择性地捕获发光器件和光学装置中的每一个的至少一个图像包括:
控制所述光源模块扫描仪组件选择性地捕获发光器件中的每一个的至少一个第一图像,以及
控制所述光源模块扫描仪组件选择性地捕获光学装置中的每一个的至少一个第二图像。
4.根据权利要求3所述的方法,其中选择性地捕获发光器件和光学装置中的每一个的至少一个图像包括:
在安装所述多个光学装置以覆盖所述多个衬底上的所述多个发光器件之前,控制所述光源模块扫描仪组件选择性地捕获发光器件中的每一个的至少一个第一图像;以及
在安装所述多个光学装置以覆盖所述多个衬底上的所述多个发光器件之后,控制所述光源模块扫描仪组件选择性地捕获光学装置中的每一个的至少一个第二图像。
5.根据权利要求1所述的方法,其中选择性地捕获发光器件和光学装置中的每一个的至少一个图像包括:
选择性地激活发光器件,
捕获选择性地激活的发光器件中的每一个的至少一个图像,以及
捕获选择性地激活的发光器件上的光学装置中的每一个的至少一个图像。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:
使所述承载件在第一方向上运动,以将所述承载件布置在承载件支承基座上。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述光源模块扫描仪组件包括
相机组件,以及
连接至所述相机组件的旋转夹具。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述相机组件包括区域扫描相机或线扫描相机。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个发光器件和所述多个光学装置实质上平行于衬底的纵向轴线延伸。
10.根据权利要求1所述的方法,其中发光器件中的每一个包括至少一个发光二极管(LED)芯片。
11.根据权利要求1所述的方法,其中
所述承载件包括多个端子,并且
所述方法包括将所述多个衬底电耦合至分离的各个端子。
12.一种制造光源模块的方法,所述方法包括:
基于对承载件的上表面上的光源模块扫描仪组件的控制,选择性地捕获多个衬底上的多个发光器件以及所述多个发光器件上的多个光学装置中的每一个的至少一个图像,所述多个衬底位于所述承载件的上表面上,其中所述多个衬底分别平行地在第一方向上延伸,所述多个衬底在第二方向上间隔开,并且第二方向实质上垂直于第一方向;
对所述光源模块扫描仪组件的控制包括:
选择性地旋转所述光源模块扫描仪组件,以将所述光源模块扫描仪组件与选择的运动方向对准,所述运动方向为第一方向或第二方向中的选择的一个方向,以及
使所述光源模块扫描仪组件沿着选择的运动方向运动,以将所述光源模块扫描仪组件定位在发光器件和光学装置中的至少一个上。
13.根据权利要求12所述的方法,其中对所述光源模块扫描仪组件的控制包括:
基于所述多个衬底的量和安装在所述多个衬底中的每一个上的发光器件和光学装置的量来选择运动方向;以及
基于选择的运动方向来确定是否旋转所述光源模块扫描仪组件。
14.根据权利要求12所述的方法,其中选择性地捕获发光器件和光学装置中的每一个的至少一个图像包括:
选择性地激活发光器件,
捕获选择性地激活的发光器件中的每一个的至少一个图像,以及
捕获选择性地激活的发光器件上的光学装置中的每一个的至少一个图像。
15.根据权利要求12所述的方法,其中选择性地捕获发光器件和光学装置中的每一个的至少一个图像包括:
控制所述光源模块扫描仪组件选择性地捕获发光器件中的每一个的至少一个第一图像,以及
控制所述光源模块扫描仪组件选择性地捕获光学装置中的每一个的至少一个第二图像。
16.一种制造光源模块的方法,包括:
基于对多个发光器件上的光源模块扫描仪组件的控制,选择性地捕获所述多个发光器件中的每一个的至少一个图像,所述多个发光器件包括多行发光器件,每行在第一方向上延伸,所述多行在第二方向上间隔开,选择性地捕获包括:
基于所述多行的量和包括在每一行中的发光器件的量来选择运动方向,所述运动方向为第一方向或第二方向之一;以及
使所述光源模块扫描仪组件沿着选择的运动方向运动,以将所述光源模块扫描仪组件定位在发光器件中的至少一个上。
17.根据权利要求16所述的方法,其中
使所述光源模块扫描仪组件沿着选择的运动方向运动包括:使所述光源模块扫描仪组件旋转,以与选择的运动方向对准。
18.根据权利要求16所述的方法,还包括:
根据激活顺序选择性地激活发光器件中的每一个;以及
使所述光源模块扫描仪组件根据激活顺序运动,以捕获选择性地激活的发光器件中的每一个的至少一个图像。
19.根据权利要求16所述的方法,还包括:
基于对至少一个捕获的图像的处理来确定至少一个发光器件是否有缺陷;
其中确定至少一个发光器件是否有缺陷包括:确定所述至少一个发光器件是否为未激活的和以倾斜状态安装的中的至少一种。
20.根据权利要求16所述的方法,还包括:
使承载件在第一方向上运动,以将承载件布置在承载件支承基座上。
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