KR101887942B1 - 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자는, 지지 기판; 반도체층의 적층 구조로 이루어지며, 상기 지지 기판 상에 형성된 적어도 하나의 발광적층체; 상기 지지 기판 상에 형성되어 상기 발광적층체를 에워싸는 벽부; 및 상기 발광적층체의 상부에 배치되는 파장변환층;을 포함할 수 있다.

Description

발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광소자에 관한 것이다.
발광다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전기 에너지를 광 에너지로 변환하는 반도체 소자로서, 에너지 밴드갭에 따른 특정한 파장의 빛을 내는 화합물 반도체로 구성되는 발광소자의 일종이다.
이러한 발광소자는 광통신 및 디스플레이(모바일 디스플레이, 컴퓨터 모니터용), LCD용 평면광원(Backlight Unit, BLU)에서부터 조명의 영역까지 그 사용처를 확대해가고 있다. 특히, 조명용 발광소자의 개발은 기존의 발광소자에 비해 고전류, 고광량 및 균일한 발광특성을 요구하므로 새로운 디자인 및 공정 개발이 요구된다.
전통적인 발광소자 패키지 구조인 프리몰드(premold) 리플렉터 타입에서는 리플렉터가 구비된 패키지 본체 내에 발광소자를 실장하고, 이러한 발광소자를 보호하도록 수지부가 리플렉터 내에 형성된다. 이 경우, 백색광을 발광할 수 있도록 수지부 내에는 발광소자로부터 방출된 빛의 파장을 변환할 수 있는 형광체가 분산될 수 있다.
따라서, 당 기술분야에서는 색산포를 줄일 수 있는 발광소자가 요구되고 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자는, 지지 기판; 반도체층의 적층 구조로 이루어지며, 상기 지지 기판 상에 형성된 적어도 하나의 발광적층체; 상기 지지 기판 상에 형성되어 상기 발광적층체를 에워싸는 벽부; 및 상기 발광적층체의 상부에 배치되는 파장변환층;을 포함할 수 있다.
또한, 상기 벽부는 상기 발광적층체보다 높게 형성되어 상면이 상기 발광적층체의 상면보다 높은 위치에 위치할 수 있다.
또한, 상기 벽부는 도금을 통해 형성되는 금속재료로 이루어지며, 상기 발광적층체의 측면 둘레를 따라서 형성될 수 있다.
또한, 상기 벽부는 인접한 발광적층체 사이에 형성되어 상기 벽부의 양 측면으로 각각 상기 발광적층체가 배치되며, 상기 인접한 발광적층체는 상기 벽부를 서로 공유할 수 있다.
또한, 인접한 발광적층체의 어느 일측을 에워싸는 상기 벽부는 인접한 타측 발광적층체를 에워싸는 다른 벽부와 서로 일정 간격으로 이격되어 있어 서로 접속하지 않을 수 있다.
또한, 상기 발광적층체는 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과 그 사이에 형성된 활성층의 적층 구조를 가지며, 상기 반도체층 중 어느 하나와 전기적으로 접속되는 전극 패드가 상기 지지 기판상에 형성될 수 있다.
또한, 상기 전극 패드는 상기 발광적층체 둘레를 따라 형성되어 내측으로 상기 발광적층체를 에워싸는 상기 벽부의 외측에 배치될 수 있다.
또한, 상기 전극 패드는 상기 파장변환층에 의해 커버되지 않을 수 있다.
또한, 상기 파장변환층은 해당 발광적층체의 발광 특성을 고려하여 색산포가 최소화될 수 있도록 파장변환 특성을 조절할 수 있다.
또한, 상기 파장변환층은 함유되는 형광체의 종류를 다르게 하거나, 함유되는 형광체의 함유량을 다르게 하여 파장변환 특성을 조절할 수 있다.
또한, 상기 파장변환층은 상기 벽부 상에 부착되어 고정될 수 있다.
또한, 상기 지지 기판은 도전성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 벽부 내측에 채워져 상기 발광적층체를 덮는 몰딩부를 더 포함할 수 있다.
덧붙여, 상기한 과제의 해결 수단은 본 발명의 특징을 모두 열거한 것은 아니다. 본 발명의 다양한 특징과 그에 따른 장점과 효과는 아래의 구체적인 실시형태를 참조하여 보다 상세하게 이해될 수 있을 것이다.
발광소자 상부에 파장변환을 위한 파장변환층을 구비하되 측면 빛샘 발생을 방지할 수 있으며, 해당 발광소자의 광 특성을 고려하여 파장변환 특성을 조절함으로써 색산포를 줄일 수 있는 발광소자가 제공될 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자에서 발광적층체를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 발광소자가 지지 기판 상에 배열된 상태를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 1의 발광소자가 지지 기판 상에 배열된 다른 상태를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 4의 발광소자를 싱귤레이팅하는 모습을 개략적으로 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 단면도이며, 도 3은 도 1의 발광소자에서 발광적층체를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 1의 발광소자가 지지 기판 상에 배열된 상태를 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 5는 도 1의 발광소자가 지지 기판 상에 배열된 다른 상태를 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 6은 도 4의 발광소자를 싱귤레이팅하는 모습을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자(10)는 지지 기판(100), 발광적층체(200), 벽부(300) 및 파장변환층(400)을 포함할 수 있다.
지지 기판(100)은 그 상부에 형성되는 발광적층체(200)를 지지하는 지지체의 역할을 수행하며, Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs 중 어느 하나를 포함하는 물질, 예컨대, 도전성을 갖는 Cu 또는 Si와 Al의 결합형태의 물질인 Si-Al으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 선택된 물질에 따라, 지지 기판(100)은 도금 또는 본딩 접합 등의 방법으로 형성될 수 있다.
발광적층체(200)는 복수의 반도체층의 적층 구조로 이루어지며, 복수개가 상기 지지 기판(100)상에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 복수개의 발광적층체(200)는 각각 가로 및 세로 방향으로 서로 소정 간격으로 이격되어 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
상기 발광적층체(200)는 상기 지지 기판(100) 상에 순차적으로 성장된 제1 도전형 반도체층(210), 활성층(220) 및 제2 도전형 반도체층(230)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 도전형 반도체층(210)은 n형 질화물 반도체층, 제2 도전형 반도체층(230)은 p형 질화물 반도체층일 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(210, 230)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 가지며, 예컨대, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN 등의 물질이 이에 해당될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(210, 230) 사이에 형성되는 활성층(220)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조, 예컨대, InGaN/GaN 구조가 사용될 수 있다.
상기 발광적층체(200)의 반도체 중 하나는 상기 지지 기판(100)과 전기적으로 접속되고, 다른 하나는 상기 지지 기판(100) 상에 형성된 전극 패드(241)와 전기적으로 접속될 수 있다. 이 경우, 상기 전극 패드(241)와 상기 지지 기판(100) 사이에는 절연체가 개재되어 전기적으로 절연될 수 있다.
구체적으로, 도 3에서 도시하는 바와 같이, 도전성 기판인 지지 기판(100) 상에 도전형 컨택층(240)이 형성되며, 도전형 컨택층(240) 상에는 발광적층체(200), 즉, 제1 도전형 반도체층(210), 활성층(220) 및 제2 도전형 반도체층(230)을 구비하는 적층 구조가 형성될 수 있다. 도전형 컨택층(240)은 전기적으로 지지 기판(100)과 분리되어 있으며, 이를 위해 도전형 컨택층(240)과 지지 기판(100) 사이에는 절연체(250)가 개재될 수 있다.
도전형 컨택층(240)은 활성층(220)에서 방출된 빛을 발광소자의 상부, 즉 제2 도전형 반도체층(230) 방향으로 반사하는 기능을 수행할 수 있으며, 나아가, 제1 도전형 반도체층(210)과 오믹 컨택을 이루는 것이 바람직하다. 이러한 기능을 고려하여, 도전형 컨택층(240)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 자세하게 도시하지는 않았으나, 도전형 컨택층(240)은 2층 이상의 구조로 채용되어 반사 효율을 향상시킬 수 있으며, 구체적인 예로서, Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al, Ni/Ag/Pt 등을 들 수 있다. 본 실시형태에서 도전형 컨택층(240)은 일부가 외부로 노출될 수 있으며, 도시된 것과 같이, 상기 노출 영역은 상기 발광적층체(200)가 형성되지 않은 영역이 될 수 있다. 도전형 컨택층(240)의 상기 노출 영역은 전기 신호를 인가하기 위한 전기연결부에 해당하며, 그 위에는 상기 전극 패드(241)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 전극 패드(241)는 도전형 컨택층(240)과 전기적으로 접속되어 상기 제1 도전형 반도체층(210)에 전기 신호를 인가할 수 있다. 그리고, 상기 도전형 컨택층(240)과 지지 기판(100) 사이에 개재되는 절연체(250)에 의해 상기 지지 기판(100)과는 전기적으로 절연을 이룬다. 본 실시 형태에서 상기 전극 패드(241)는 상기 발광적층체(200)와 이격되어 상기 발광적층체(200)의 일측 모서리에 형성되는 것으로 도시하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 상기 전극 패드(241)의 위치는 다양하게 변경가능하다.
본 실시 형태의 경우, 도전성 지지 기판(100)은 제2 도전형 반도체층(230)과 전기적으로 연결되며, 이에 따라, 지지 기판(100)을 통하여 제2 도전형 반도체층(230)에 전기 신호가 인가될 수 있다. 이를 위하여 지지 기판(100)으로부터 연장되어 제2 도전형 반도체층(230)과 접속된 도전성 비아(110)가 구비될 필요가 있다.
도전성 비아(110)는 제2 도전형 반도체층(230)과 그 내부에서 접속되며, 접촉 저항이 낮아지도록 개수, 형상, 피치, 제2 도전형 반도체층(230)과의 접촉 면적 등이 적절히 조절될 수 있다. 이 경우, 도전성 비아(110)는 활성층(220), 제1 도전형 반도체층(210) 및 도전형 컨택층(240)과는 전기적으로 분리될 필요가 있으므로, 도전성 비아(110)와 이들 사이에는 절연체(250)가 형성된다. 절연체(250)는 전기 절연성을 갖는 물체라면 어느 것이나 채용 가능하지만, 빛을 최소한으로 흡수하는 것이 바람직하므로, 예컨대, SiO2, SiOxNy, SixNy 등의 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 이용할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태의 경우, 지지 기판(100)이 도전성 비아(110)에 의하여 제2 도전형 반도체층(230)과 연결되며, 제2 도전형 반도체층(230) 상면에 따로 전극을 형성할 필요가 없다. 이에 따라, 제2 도전형 반도체층(230) 상면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있다. 이 경우, 활성층(220)의 일부에 도전성 비아(110)가 형성되어 발광 영역이 줄어들기는 하지만, 제2 도전형 반도체층(230) 상면의 전극이 없어짐으로써 얻을 수 있는 광 추출 효율 향상 효과가 더 크다고 할 수 있다. 한편, 본 실시형태에 따른 발광소자(1)는 제2 도전형 반도체층(230) 상면에 전극이 배치되지 않음에 따라 전체적인 전극의 배치가 수직 전극 구조보다는 수평 전극 구조와 유사하다고 볼 수 있지만, 제2 도전형 반도체층(230) 내부에 형성된 도전성 비아(110)에 의하여 전류 분산 효과가 충분히 보장될 수 있다.
한편, 도 3에서 도시하는 바와 같이, 발광적층체(200)는 그 측면이 도전형 컨택층(240)에 대하여 기울어지도록, 구체적으로, 발광적층체(200)의 상부를 향하여 기울어지도록 형성될 수 있다. 발광적층체(200)의 이러한 기울어진 형상은 도전형 컨택층(240)을 노출하기 위하여 발광적층체(200)를 에칭하는 공정에 의하여 자연스럽게 형성될 수 있다. 그리고, 발광적층체(200)의 상면, 즉, 제2 도전형 반도체층(230)의 상면에는 요철이 형성될 수 있다. 이러한 요철은 레이저 조사 또는 건식 식각, 습식 식각 등의 식각 공정에 의하여 적절히 형성될 수 있으나, 습식 식각을 이용하여 크기, 형상, 주기 등이 불규칙한 요철 구조를 형성하는 것이 바람직할 것이다. 이를 통해 활성층(220) 방향으로부터 입사된 빛이 외부로 방출될 확률이 증가될 수 있다.
벽부(300)는 상기 지지 기판(100) 상에 형성되어 상기 복수의 발광적층체(200) 각각을 그 측면 둘레를 따라서 에워싸는 구조로 구비될 수 있다. 그리고, 상기 벽부(300)는 상기 발광적층체(200)보다 높게 형성되어 그 상면이 상기 발광적층체(200)의 상면보다 높은 위치에 위치하도록 한다. 이를 통해 상기 발광적층체(200)의 측면으로 방출되는 빛을 반사시켜 측면 빛샘을 방지할 수 있다.
상기 벽부(300)는 Ag, Al, Ni 등의 메탈을 도금하여 형성할 수 있으며, 도금 방법으로는 전해 또는 비전해 도금 방법이 사용될 수 있다. 본 실시 형태에서는 상기 벽부(300)가 도금을 통해 형성되는 것으로 설명하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
도 4에서 도시하는 바와 같이, 인접한 발광적층체의 어느 일측을 에워싸는 상기 벽부(300)는 인접한 다른 발광적층체(200)를 에워싸는 다른 벽부(300)와 서로 일정 간격으로 이격되어 있어 서로 접속하지 않도록 한다. 이 경우, 도 6에서 도시하는 바와 같이 상기 이격된 간격은 추후 각각의 발광적층체(200)를 개별 발광소자로 싱귤레이팅하는데 있어서 다이싱 블레이드(D)가 벽부(300)와 접촉하지 않을 정도로 다이싱 블레이드(D)의 두께보다 넓은 간격으로 이격되는 것이 바람직하다.
또한, 도 5에서 도시하는 바와 같이, 상기 벽부(300)는 인접한 발광적층체(200) 사이에 형성되어 상기 벽부(300)의 양 측면으로 각각 상기 발광적층체(200)가 배치될 수 있다. 따라서, 상기 인접한 발광적층체(200)는 상기 벽부(300)를 서로 공유할 수 있다. 그리고, 추후 다이싱 블레이드(D)를 통해 개별 발광소자로 싱귤레이팅함으로써 상기 벽부(300)는 도 4에서와 같이 각각의 발광적층체(200)를 에워싸도록 서로 분리될 수 있다.
한편, 상기 벽부(300)는 상기 지지 기판(100) 상에서 상기 전극 패드(241)를 제외한 상기 발광적층체(200)의 둘레를 따라서 형성되어 그 내측으로 상기 발광적층체(200)를 수용하고, 상기 지지 기판(100) 상에 형성된 상기 전극 패드(241)는 상기 벽부(300)의 외측에 배치된다. 즉, 상기 벽부(300)는 상기 발광적층체(200)의 둘레를 따라서만 형성됨으로써 상기 발광적층체(200)의 측면으로부터 방출되는 빛이 온전히 상기 벽부(300)에 의해 반사되도록 한다. 아울러, 상기 발광적층체(200)를 외부로부터 보호하는 기능을 함으로써 소자의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 특히, 외부로 노출된 활성층(220)은 발광소자의 작동 중에 전류 누설 경로로 작용할 수 있으므로, 발광적층체(200)의 둘레를 벽부(300)로 차단하여 외부로 노출되지 않도록 한다.
상기 벽부(300) 내측에는 상기 발광적층체(200)를 덮는 몰딩부(500)가 채워져 구비될 수 있다. 상기 몰딩부(500)는 전기절연성을 갖는 투명 수지로 이루어져 상기 발광적층체(200)의 노출 부위를 밀봉함으로써 전류 누설의 발생 가능성을 방지할 수 있다.
상기 몰딩부(500)에는 광추출 효율 향상을 위해 광 확산제가 함유될 수 있다. 광 확산제로는 SiO2, TiO2 및 Al2O3로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
파장변환층(400)은 상기 복수의 발광적층체(200) 각각의 상부에 배치되어 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 파장변환층(400)은 각 발광적층체(200)의 벽부(300) 상에 부착되어 고정되며, 상기 벽부(300)의 외측에 배치되는 전극 패드(241) 상부에는 배치되지 않아 상기 전극 패드(241)는 상기 파장변환층(400)에 의해 커버되지 않는다. 따라서, 상기 전극 패드(241)는 상기 파장변환층(400)에 의해 방해받지 않고 와이어(w)와 본딩되어 발광소자(1)가 실장될 외부 전원, 예컨대, 리드 프레임 등과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 파장변환층(400)은 발광적층체(200)로부터 방출된 빛의 파장을 변환하는 기능을 수행하며, 이를 위하여, 투명 수지 내에 적어도 일종의 형광체가 분산된 구조가 사용될 수 있다. 그리고, 파장변환층(400)에 의하여 변환된 빛은 발광적층체(200)로부터 방출된 빛과 혼합되어 백색 광을 구현할 수 있다. 예컨대, 발광적층체(200)가 청색 광을 방출할 경우에는 황색 형광체를 사용할 수 있으며, 발광적층체(200)가 자외 광을 방출할 경우에는 적색, 녹색, 청색 형광체를 혼합하여 사용할 수 있을 것이다. 이 외에 백색 발광을 위하여 발광적층체(200) 및 형광체의 색은 다양하게 조합될 수 있다. 또한, 반드시 백색이 아니더라도 녹색, 적색 등의 파장변환 물질만을 도포하여 해당 색을 방출하는 광원을 구현할 수도 있을 것이다.
구체적으로, 발광적층체(200)로부터 청색 빛이 방출되는 경우, 적색 형광체로는 MAlSiNx:Re(1≤x≤5)인 질화물계 형광체 및 MD:Re인 황화물계 형광체 등이 있다. 여기서, M은 Ba, Sr, Ca, Mg 중 선택된 적어도 하나이고, D는 S, Se 및 Te 중 선택된 적어도 하나이며, Re는 Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 하나이다. 또한, 녹색 형광체는 M2SiO4:Re인 규산염계 형광체, MA2D4:Re인 황화물계 형광체, β-SiAlON:Re인 형광체, MA'2O4:Re'인 산화물계 형광체 등이 있으며, M은 Ba, Sr, Ca, Mg 중 선택된 적어도 하나의 원소이고, A는 Ga, Al 및 In 중 선택된 적어도 하나이고, D는 S, Se 및 Te 중 선택된 적어도 하나이며, A'은 Sc, Y, Gd, La, Lu, Al 및 In 중 선택된 적어도 하나이며, Re는 Eu, Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 하나이고, Re'는 Ce, Nd, Pm, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 하나일 수 있다.
한편, 형광체를 대체하여 또는 형광체와 함께 파장변환층(400)에는 양자점(Quantum Dot)이 구비될 수도 있다. 양자점은 코어(core)와 쉘(shell)로 이루어진 나노 크리스탈 입자로, 코어의 사이즈가 약 2mm ~ 100nm 범위에 있다. 또한, 양자점은 코어의 사이즈를 조절함으로 청색(B), 황색(Y), 녹색(G), 적색(R)과 같은 다양한 색깔을 발광하는 형광물질로 사용될수 있으며, II-VI족의 화합물반도체(ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgTe등), III-V족의 화합물반도체 (GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlAs, AlP, AlSb, AlS 등) 또는 Ⅳ족 반도체(Ge, Si, Pb 등) 중 적어도 두 종류의 반도체를 이종 접합하여 양자점을 이루는 코어(core)와 쉘(shell) 구조를 형성할 수 있다. 이 경우, 양자점의 쉘(shell) 외각에 쉘 표면의 분자 결합을 종료시키거나 양자점의 응집을 억제하고 실리콘 수지나 에폭시 수지 등 수지 내에 분산성을 향상시키거나 또는 형광체 기능을 향상시키기 위해 올레인산(Oleic acid)과 같은 물질을 이용한 유기 리간드(Organic ligand)를 형성할 수도 있다. 이러한 양자점은 수분이나 공기에 취약한 특성을 보이며, 특히, 본 실시 형태에 따른 발광소자가 장착될 조명 장치 등의 기판의 전극 패턴(미도시)이나 패키지의 리드 프레임(미도시)과 접촉할 경우, 화학 반응이 일어날 수 있다. 도면에서와 같이, 파장변환층(400)을 발광적층체(200)의 상부에만 적용하여 전극 패드나 지지 기판과 접촉되지 않게 함으로써 신뢰성이 향상될 수 있을 것이다. 따라서, 이하, 파장변환물질로서 형광체를 예로 든 경우라 하여도, 형광체를 양자점으로 치환하거나 형광체에 양자점을 부가할 수 있을 것이다.
이러한 파장변환층(400)은 각각 해당 발광적층체(200)의 발광 특성을 고려하여 색산포가 최소화될 수 있도록 파장변환 특성을 조절한 것을 채용할 수 있다. 그리고, 각 파장변환층(400)은 함유되는 형광체의 종류를 다르게 하거나, 함유되는 형광체의 함유량을 다르게 하는 등의 방식을 통해 그 파장변환 특성을 조절할 수 있다.
이와 같이, 각 발광적층체(200)의 특성에 맞춰서 적절한 파장변환층(400)을 선택하여 사용함으로써 색산포를 맥아덤(MacAdam) 편차 타원 3step 수준으로 조절할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100... 지지 기판 110... 도전성 비아
200... 발광적층체 210... 제1 도전형 반도체층
220... 활성층 230... 제2 도전형 반도체층
240... 도전형 컨택층 300... 벽부
400... 파장변환층 500... 몰딩부

Claims (13)

  1. 지지 기판;
    제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과 그 사이에 형성된 활성층의 적층 구조로 이루어지며, 상기 지지 기판 상에 형성된 적어도 하나의 발광적층체;
    상기 지지 기판 상에 형성되어 상기 발광적층체를 에워싸는 벽부;
    상기 발광적층체의 상부에 배치되는 파장변환층;
    상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하며 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 활성층과 이격되고 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 도전성 비아; 및
    상기 지지 기판 상의 전극 패드;를 포함하되,
    상기 전극 패드는 상기 발광적층체를 에워싸는 상기 벽부의 외측에 배치되는 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 벽부는 상기 발광적층체보다 높게 형성되어 상면이 상기 발광적층체의 상면보다 높은 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 벽부는 도전성 물질로 이루어지며, 상기 발광적층체의 측면 둘레를 따라서 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 벽부는 인접한 발광적층체 사이에 형성되어 상기 벽부의 양 측면으로 각각 상기 발광적층체가 배치되며, 상기 인접한 발광적층체는 상기 벽부를 서로 공유하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    인접한 발광적층체의 어느 일측을 에워싸는 상기 벽부는 인접한 타측 발광적층체를 에워싸는 다른 벽부와 서로 일정 간격으로 이격되어 있어 서로 접속하지 않는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층과 상기 도전성 비아 사이에 개재되며 상기 활성층과 상기 도전성 비아 사이에 개재되는 절연체를 더 포함하는 발광소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 지지 기판과 상기 제1 도전형 반도체층 사이의 도전형 컨택층을 더 포함하되,
    상기 절연체는 상기 도전형 컨택층 및 상기 도전성 비아 사이로 연장되면서 상기 도전형 컨택층과 상기 지지 기판 사이로 연장되어 상기 도전형 컨택층과 상기 지지 기판을 이격시키고,
    상기 도전형 컨택층은 상기 전극 패드 및 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되고,
    상기 전극 패드는 상기 도전형 컨택층 상에 배치되고,
    상기 지지 기판은 도전성을 갖는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전극 패드는 상기 파장변환층에 의해 커버되지 않는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환층은 상기 벽부 상에 부착되어 고정되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 벽부 내측에 채워져 상기 발광적층체를 덮는 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
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