CN103390720A - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件，其包括：支撑衬底；形成在所述支撑衬底上的至少一个发光叠层，其具有在其中层叠了半导体层的结构；形成在所述衬底上并围绕所述至少一个发光叠层的壁单元；以及布置在所述至少一个发光叠层上方的波长变换层。

Description

发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年5月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0048047的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本申请涉及发光器件。
背景技术
发光二极管（LED）作为将电能转换成光能的半导体器件是一种由化合物半导体制成的发光器件，其根据能带隙发出具有特定波长的光。
发光器件的应用已经从光通信和显示器（例如，移动设备显示器或计算机监视器）以及诸如用于LCD的背光单元（BLU）之类的平面光源扩展至普通照明设备。用于照明的发光器件的发展需要相对较高的电流、较高的光量以及均匀的发光特性（例如，发光属性或发射特性），使得在本领域中需要开发新的设计和制造工艺。
在传统的预模制反射型发光器件封装件结构中，将发光器件安装在具有反射器的封装件主体上，并且在封装件主体内形成树脂单元以保护发光器件。在此情况下，为了发射白光，用于变换从发光器件发出的光的波长的磷光体需要散布在树脂单元内。
发明内容
在本领域中有针对这样一种发光器件的需要，该发光器件具有降低的颜色分布。
根据本发明的一个方面，提供一种发光器件，包括：支撑衬底；至少一个发光叠层，其具有在其中层叠了半导体层的结构并且形成在所述支撑衬底上；壁单元，其形成在所述支撑衬底上并且围绕所述至少一个发光叠层；以及波长变换层，其布置在所述至少一个发光叠层上方。
所述壁单元可以形成为高于所述至少一个发光叠层，使得所述壁单元的上表面位于高于所述至少一个发光叠层的上表面的位置处。
所述壁单元可以通过镀敷方法由金属制成，并且可以沿着所述至少一个发光叠层的周边形成所述壁单元。
所述至少一个发光叠层可以包括多个发光叠层，并且所述壁单元可以形成在相互相邻的发光叠层之间，使得相互相邻的发光叠层布置在所述壁单元的两侧，并且相互相邻的发光叠层可以共享所述壁单元。
所述至少一个发光叠层可以包括多个发光叠层，并且围绕一个相邻发光叠层的任何一侧的所述壁单元与围绕另一个相邻发光叠层的不同的壁单元离开一定间隔，使得所述壁单元不与不同的壁单元连接。
所述至少一个发光叠层可以具有这样的结构，其中层叠了第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及插入在所述第一和第二导电类型半导体层之间的有源层，所述发光器件还可以包括形成在所述支撑衬底上的电极焊盘，所述电极焊盘电连接至所述第一和第二导电类型半导体层中的任何一个。
所述电极焊盘可以布置在沿着所述发光叠层的周边形成以向内围绕所述发光叠层的所述壁单元的外侧。
所述电极焊盘可以没有被所述波长变换层覆盖。
所述波长变换层可以具有这样的波长变换特性，将所述波长变换特性调整为考虑到相应的发光叠层的发光特性而具有最小化的颜色分布。
可以通过区分包含在所述波长变换层中的磷光体的类型或磷光体的含量来调整所述波长变换层的波长变换特性。
所述波长变换层可以固定地附接至所述壁单元。
所述支撑衬底可以由具有导电性的材料制成。
所述发光器件还可以包括布置在所述壁单元中以覆盖所述发光叠层的模塑部件。
根据本发明的另一个方面，提供一种发光器件，包括：支撑衬底；发光层，其形成在所述支撑衬底上；以及导电通路，其从所述支撑衬底延伸穿过所述发光层。
可以在所述发光层的上表面上形成凹陷和凸起。
所述发光层可以包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及插入在所述第一和第二导电类型半导体层之间的有源层。
所述导电通路可以延伸穿过所述发光层，以便电连接至所述第一和第二导电类型半导体层中的一个，并且与所述有源层以及所述第一和第二导电类型半导体层中的另一个电绝缘。
所述发光层的侧表面可以与所述发光层的底表面形成锐角。
壁单元可以形成在所述发光层上。
附图说明
通过以下结合附图的详细说明，将更清晰地理解本发明的上述和其他方面、特征和优点，其中：
图1是示意地示出了根据本发明一个示例性实施例的发光器件的透视图；
图2是图1的发光器件的剖面图；
图3是示意地示出了图1的发光器件的发光叠层的剖面图；
图4是示意地示出了图1的发光器件排列在支撑衬底上的状态的平面图；
图5是示意地示出了图1的发光器件排列在支撑衬底上的另一个状态的平面图；
图6是示意地示出了分离（或切割）图4的发光器件的示图；
图7是示意地示出了根据本发明另一个示例性实施例的发光器件的剖面图；
图8A至图8I是示意地示出了用于制造根据本发明另一个示例性实施例的图7的发光器件的方法的顺序工艺的示图；
图9是示意地示出了根据本发明另一个示例性实施例的发光器件的剖面图；以及
图10A至图10I是示意地示出了用于制造根据本发明另一个示例性实施例的图9的发光器件的方法的顺序工艺的示图。
具体实施方式
现在将参考附图对本发明的示例性实施例进行详细说明。
然而，可以按照许多不同的形式来具体实现本发明，并且不应当解释为将本发明限定于在此阐述的示例性实施例。
相反，提供这些实施例是为了使得本公开是彻底且完整的，并且将向本领域普通技术人员完整地传达本发明范围之内的示例。
在附图中，为了清楚起见会放大元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用于指示相同或相似的部件。
将参考图1至图6对根据本发明一个示例性实施例的发光器件进行描述。图1是示意地示出了根据本发明一个示例性实施例的发光器件的透视图。图2是图1的发光器件的剖面图。图3是示意地示出了图1的发光器件的发光叠层的剖面图。图4是示意地示出了图1的发光器件排列在支撑衬底上的状态的平面图。图5是示意地示出了图1的发光器件排列在支撑衬底上的另一个状态的平面图。图6是示意地示出了分离（或切割）图4的发光器件的示图。
参考图1和图2，根据本发明一个示例性实施例的发光器件10可以包括支撑衬底100、发光叠层200、壁单元300以及波长变换层400。
作为针对形成在其上的发光叠层200的支撑（或支持），支撑衬底100可以由包括以下至少其中之一的材料制成：金（Au）、镍（Ni）、铝（Al）、铜（Cu）、钨（W）、硅（Si）、硒（Se）以及砷化镓（GaAs）。例如，支撑衬底100可以由具有导电性的铜（Cu）或Si-Al（Si和Al的组合）制成。在此情况下，可以使用例如镀敷或接合方法形成支撑衬底100。
发光叠层200可以具有在其中层叠了多个半导体层的结构。可以在支撑衬底100上形成多个发光叠层。在此情况下，多个发光叠层200可以在水平和竖直方向上彼此离开一定间隔，从而排列成矩阵形式。
发光叠层200可以包括在支撑衬底100上顺序生长的第一导电类型半导体层210、有源层220和第二导电类型半导体层230。第一导电类型半导体层210可以是n型氮化物半导体层，第二导电类型半导体层230可以是p型氮化物半导体层，或反之亦然。
第一和第二导电类型半导体层210和230可以具有成分式AlxInyGa(1-x-y)N（例如，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），其对应于诸如GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等材料。形成在第一和第二导电类型半导体层210和230之间的有源层220根据电子-空穴复合而发出具有特定能量级别的光，并且可以具有多量子阱（MQW）结构，在该结构中交替地层叠了量子阱层和量子势垒层。在此，MQW结构可以例如是InGaN/GaN结构。
发光叠层200中的一个半导体层可以电连接至支撑衬底100，而其他半导体层可以电连接至形成在支撑衬底100上的电极焊盘241。在此情况下，可以在电极焊盘241与支撑衬底100之间插入绝缘体，以便使得电极焊盘241与支撑衬底100电绝缘。
具体而言，如图3所示，可以在支撑衬底100上形成导电接触层240作为导电衬底，并且发光叠层200（即，包括第一导电类型半导体层210、有源层220以及第二导电类型半导体层230的层叠结构）可以形成在导电接触层240上。导电接触层240可以与支撑衬底100电隔离，为此可以在导电接触层240可以与支撑衬底100之间插入绝缘体250。
导电接触层240可用于将从有源层220发出的光朝向发光器件的上部反射（例如，朝向第二导电类型半导体层230反射），并且可以与第一导线类型半导体层210形成欧姆接触。考虑到这个功能，导电接触层240可以包括诸如以下材料：银（Ag）、镍（Ni）、铝（Al）、铑（Rh）、钯（Pd）、铱（Ir）、钌（Ru）、镁（Mg）、锌（Zn）、铂（Pt）、金（Au）等，或者这些材料的组合。在此情况下，虽然没有详细示出，但是导电接触层240可以具有包括两层或更多层的结构以增强反射效率。例如，该结构可以包括Ni/Ag、Zn/Ag、Ni/Al、Zn/Al、Pd/Ag、Pd/Al、Ir/Ag、Ir/Au、Pt/Ag、Pt/Al、Ni/Ag/Pt等。在本示例性实施例中，导电接触层240的一部分可以暴露于外部，并且如图3所示，该暴露部分可以是没有形成发光叠层200的区域。导电接触层240的暴露部分对应于用于施加电信号的电连接部分，电极焊盘241可以形成在该部分上。即，电极焊盘241可以电连接至导电接触层240以便将电信号施加至第一导电类型半导体层210。电极焊盘241通过在导电接触层240与支撑衬底100之间插入的绝缘体250与支撑衬底100电绝缘。在本示例性实施例中，将电极焊盘241示出为与发光叠层200离开并且形成在邻近发光叠层200的一侧的发光器件10的一个角，但是本发明不限于此，从而可以变化地改变电极焊盘241的位置。
在本示例性实施例中，导电的支撑衬底100电连接至第二导电类型半导体层230，因而可以通过支撑衬底100将电信号施加至第二导电类型半导体层230。为此，可以使用导电通路110，该导电通路110从支撑衬底100延伸至第二导电类型半导体层230以便与其电连接。
导电通路110可以在第二导电类型半导体层230内连接至第二导电类型半导体层230。可以适当地调整导电通路110的数量、形状和节距以及导电通路110与第二导电类型半导体层230的接触面积，以便降低接触电阻。在此情况下，导电通路110可以通过绝缘体250与有源层220、第一导电类型半导体层210和导电接触层240电隔离，绝缘体250形成在导电通路110与有源层220、第一导电类型半导体层210和导电接触层240之间。可以采用任何材料作为绝缘体250，只要该材料具有电绝缘属性。另外，绝缘体250吸收尽可能少的光是理想的，因此例如SiO2、SiOxNy、SixNy等氧化硅或氮化硅可以用作绝缘体250的适当材料。
如上所述，在本示例性实施例中，支撑衬底100通过导电通路110连接至第二导电类型半导体层230，使得不需要在第二导电类型半导体层230的上表面上形成额外的电极。因此，从第二导电类型半导体层230的上表面发出的光量可以增加。在此情况下，虽然由于在部分有源层220处形成的导电通路110的存在而导致减少了发光区域，但是通过省略掉在第二导电类型半导体层230的上表面上形成电极而能够获得的增强光提取效率的效果会更大。同时，在半导体发光器件10中，由于不需要布置在第二导电类型半导体层230的上表面上的电极，所以整体电极布置可以看作类似于水平电极结构，同时可以通过形成在第二导电类型半导体层230内的导电通路110的存在来保证足够的电流散布效果。
同时，如图3所示，发光叠层200的侧面可以关于导电接触层240倾斜。例如，发光叠层200可以从导电接触层240的上表面向上倾斜。以此方式，发光叠层200的侧表面可以与导电接触层240的上表面形成例如锐角。可以通过刻蚀发光叠层200以暴露导电接触层240的工艺自然地形成这种倾斜结构。可以在发光叠层200的上表面上（也就是在第二导电类型半导体层230的上表面上）形成凹陷和凸起。可以通过诸如激光照射、干法刻蚀、湿法刻蚀等刻蚀工艺来形成这种凹陷和凸起。优选地，通过使用湿法刻蚀来形成具有不规则尺寸、形状和/或周期的凹陷和凸起结构。通过这种结构，将从有源层220入射的光发射到外部的概率增加了。
可以在支撑衬底100上形成壁单元300，使得壁单元300围绕多个发光叠层200中的每一个的周边。可以将壁单元300形成为高于发光叠层200，因而壁单元300的上表面位于高于发光叠层200的上表面的位置处。因此从发光叠层200的侧面发出的光可以被壁单元300反射，从而防止从侧面漏光。
可以通过镀敷诸如银（Ag）、铝（Al）、镍（Ni）等金属来形成壁单元300。作为镀敷方法，可以使用电镀方法或化学镀方法。虽然在本示例性实施例中可以通过镀敷形成壁单元300，但是本发明不限于此。
如图4所示，围绕一个相邻发光叠层200的任何一侧的壁单元300可以与围绕不同的相邻发光叠层200的不同的壁单元300离开一定间隔。也就是说，相互相邻的壁单元300不连接。在此情况下，如图6所示，通过比划线刀片D的厚度更大的间隔来隔开各个壁单元300，使得划线刀片D在将各个发光叠层200切割（或分离）成单独的发光器件时不会与壁单元300接触。
可替换地，如图5所示，壁单元300可以形成在相互相邻的发光叠层200之间。也就是说，相互相邻的发光叠层200可以布置在壁单元300两侧。因此，相互相邻的发光叠层可以共享它们之间的壁单元300。在利用划线刀片D将相互相邻的壁发光叠层200切割成单独的发光器件时，可以将壁单元300如图4所示地分离以围绕各个发光叠层200。
可以在衬底100上除了电极焊盘241以外沿着发光叠层200的周边形成壁单元300。因此，壁单元300将发光叠层200容纳其中，同时形成在支撑衬底100上的电极焊盘241布置在壁单元300之外。也就是说，壁单元300仅沿着发光叠层200的周边形成，使得从发光叠层200的侧面发出的光可以完全从壁单元300反射。而且，由于壁单元300用于保护发光叠层200，所以可以增强器件的电可靠性。例如，如果有源层220被暴露，则其在发光器件操作期间会作为漏电路径。在本示例性实施例中，通过利用壁单元300围绕发光叠层200的周边而防止有源层220被暴露。
模塑部件500可以形成为覆盖壁单元300内的发光叠层200。模塑部件500可以由具有电绝缘属性的透明树脂制成，并且可以气密地密封发光叠层200的暴露部分以防止产生漏电的可能性。
模塑部件500可以包含光扩散剂以增强光提取效率。光扩散剂可以包括从由以下材料构成的组中选择的一种或多种：SiO2、TiO2和Al2O3。
可以将波长变换层400布置在多个发光叠层200的各个上部上。例如，波长变换层400可以固定地附接至相应的壁单元300，并且可以不将波长变换层400布置在被布置在壁单元300之外的电极焊盘241的上部上，因而电极焊盘241不被波长变换层400覆盖。因此，在不被波长变换层400干扰的情况下，可以将电极焊盘241接合至导线W以电连接至要将发光器件10安装其上的外部电源，例如引线框等。
波长变换层400用于变换从发光叠层200发出的光的波长，为此可以使用将至少一种磷光体散布在透明树脂中的结构。被波长变换层400变换的光可以与从发光叠层200发出的光混合以实现白光。例如，当发光叠层200发出蓝光时，可以使用黄色磷光体；并且当发光叠层200发出紫外光时，可以混合地使用红色、绿色和蓝色磷光体。可以变化地组合磷光体的颜色和发光叠层200以发出白光。而且，可以应用针对不同颜色（诸如绿色、红色等）的波长变换材料以实现用于发出相关颜色（即，除了白光以外的颜色）的光源。
例如，当从发光叠层200发出蓝光时，在其中使用的红色磷光体可以包括MAlSiNx:Re（1≤x≤5）氮化物磷光体、MD:Re硫化物磷光体等。在此，M可以是从Ba、Sr、Ca和Mg当中选择的至少一种，D可以是从S、Se和Te当中选择的至少一种，而Re可以是从Eu、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、F、Cl、Br和I当中选择的至少一种。在其中使用的绿色磷光体可以包括M2SiO4:Re硅酸盐磷光体、MA2D4:Re硫化物磷光体、β-SiAlON:Re磷光体以及MA'2O4:Re'氧化物基磷光体等。在此，M可以是从Ba、Sr、Ca和Mg当中选择的至少一种，A可以是从Ga、Al和In当中选择的至少一种，D可以是从S、Se和Te当中选择的至少一种，A'可以是从Sc、Y、Gd、La、Lu、Al和In当中选择的至少一种，Re可以是从Eu、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、F、Cl、Br和I当中选择的至少一种，而Re'可以是从Ce、Nd、Pm、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、F、Cl、Br和I当中选择的至少一种。
波长变换层400可以包括替代磷光体的量子点或者具有磷光体的量子点。量子点是包括核和壳的纳米晶体粒子，其核的尺寸范围为从2nm至100nm。通过调整核的尺寸，量子点可以用作发出各种颜色（诸如蓝色（B）、黄色（Y）、绿色（G）和红色（R））的磷光体。II-VI族化合物半导体（例如，ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、MgTe等）、III-V族化合物半导体（例如，GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlAs、AlP、AlSb、AlS等）或IV族半导体（Ge、Si、Pb等）当中的至少两种半导体可以异质结合以形成构成量子点的核壳结构。在此情况下，为了终止在壳的外缘处在量子点的壳的表面上的分子键联、为了抑制量子点的凝聚以改进树脂（诸如硅树脂、环氧树脂等）的分散性、或者为了改进磷光体功能，可以使用诸如油酸之类的材料形成有机配位体。量子点易受到湿气或空气的损害，具体而言，当量子点与根据本发明的发光器件要安装在其中的封装件的引线框（未示出）或者照明设备的衬底的电极图案（未示出）等接触时，会发生化学反应。因此，如附图所示，可以将波长变换层400仅应用在发光叠层200的上表面上，从而消除了与电极焊盘或支撑衬底接触的可能性，因而增强其可靠性。虽然将磷光体用作波长变换材料的示例，但是可以使用量子点取代磷光体，或者可以将量子点添加至磷光体。
波长变换层400可以具有这样的波长变换特性，将所述波长变换特性调整为考虑到相应的发光叠层200的发光特性（例如，发光属性或发射特性）而使得颜色分布最小化。可以通过区分包含在每个波长变换层400中的磷光体的类型或者区分磷光体的含量等方式来调整每个波长变换层400的波长变换特性。
以此方式，通过根据每个发光叠层200的特性来选择地使用适当的波长变换层400，可以将颜色分布调整至MacAdam方差椭圆（variance ellipse）3阶水平。
图7示出了根据本发明另一个示例性实施例的发光器件。除了壁单元的结构以外，构成根据图7所示的示例性实施例的发光器件的组件与其基本结构与图1和图2所示的示例性实施例基本上类似。因此，与前述实施例相同的组件和结构的描述将被省略，并将主要描述壁单元的变化。
图7是示意地示出了根据本发明另一个示例性实施例的发光器件的剖面图。参考图7，发光器件10'可以包括支撑衬底100、发光叠层200、壁单元300'以及波长变换层400。
作为针对形成在其上的发光叠层200的支撑（或支持），支撑衬底100可以由例如包括从以下组中选择的至少其中之一的材料制成：金（Au）、镍（Ni）、铝（Al）、铜（Cu）、钨（W）、硅（Si）、硒（Se）以及砷化镓（GaAs）。例如，具有导电性的支撑衬底100可以由铜（Cu）或硅-铝（Si-Al）（即，Si和Al的组合）制成。
金属层120可以布置在支撑衬底100的下表面上并且电连接至支撑衬底100。
可以在支撑衬底100上形成具有在其中层叠了多个半导体层的结构的发光叠层200。在图3及其相应的说明书部分中详细示出并描述了发光叠层200的示例性结构和配置，所以在此将省略其详细描述。
在图7中，示出了在支撑衬底100上设置了单个发光叠层200，但是本发明不限于此。例如，可以设置多个发光叠层200，在此情况下，多个发光叠层200可以在水平和/或竖直方向上彼此离开一定间隔，从而排列成矩阵。
可以在发光叠层200的倾斜侧表面上形成壁单元300'，使得壁单元300'围绕相应的发光叠层200的周边。因此，当从上方观看发光叠层200时与图2所示的示例性实施例不同，在图2所示的示例性实施例中发光叠层200的上表面和倾斜侧表面是可见的，而在本实施例中，只有发光叠层200的上表面是可见的，同时倾斜侧表面被壁单元300'覆盖而不可见，并且仅有壁单元300'的上表面是可见的。
壁单元300'形成为延伸高于发光叠层200，使得壁单元300'的上表面位于高于发光叠层200的上表面的位置处。因此，此从发光叠层200的侧面发出的光可以被壁单元300'反射，从而防止从侧面漏光。
壁单元300'可以由在其中散布了至少一种类型的磷光体的树脂制成。而且，壁单元300'可以具有在其中散布了由诸如TiO2、Ag等材料形成的粉末的结构，替代磷光体。
同时，壁单元300'形成在发光叠层200的侧表面上并且围绕发光叠层200的周边，使得形成在支撑衬底100上的电极焊盘241可以布置在壁单元300'之外，类似于在图1和图2中所示的示例性实施例。
但是，在图2的实施例中，壁单元300形成在支撑衬底100上并且与发光叠层200离开预定的间隔。通过比较，在本实施例中，壁单元300'可以与发光叠层200的侧表面直接接触，从而实现更加适合于更小的发光器件的结构。
波长变换层400可以固定地附接至壁单元300'，使得波长变换层400覆盖发光叠层200。当从上方观看发光器件10'时，波长变换层400可以具有对应于发光叠层200的形状。由于没有将波长变换层400布置在被布置在壁单元300'之外的电极焊盘241的上部上，所以电极焊盘241没有被波长变换层400覆盖。因此，在不被波长变换层400干扰的情况下，可以将电极焊盘241接合至导线W以电连接至要将发光器件10'安装其上的外部电源，例如引线框等。
本实施例中的波长变换层400的配置与在图1中所示的示例性实施例基本上类似，所以将省略其详细描述。
将参考图8A至图8I来描述用于制造根据本实施例的发光器件的方法。图8A至图8I是示意地示出了用于制造根据本发明另一个示例性实施例的图7的发光器件的方法的顺序工艺的示图。
首先，如图8A所示，制备在其一个表面上形成有发光叠层200的支撑衬底100。多个发光叠层200可以在水平和/或竖直方向上彼此离开一定间隔，从而在支撑衬底100上排列成矩阵。
支撑衬底100可以由硅-铝（Si-Al）（即，硅（Si）和铝（Al）的组合）制成，以具有导电性。可以在支撑衬底100上形成导电接触层240。
导电接触层240的一部分可以暴露于外部，并且用于施加电信号的电极焊盘241可以形成在导电接触层240的暴露部分上。导电接触层240通过绝缘体250与支撑衬底100电隔离，绝缘体250可以插入在导电接触层240与支撑衬底100之间。
发光叠层200可以具有在其中层叠了多个半导体层的结构。发光叠层200可以包括第一导电类型半导体层210、有源层220和第二导电类型半导体层230。
导电支撑衬底100可以通过穿透有源层220、第一导电类型半导体层210和导电接触层240的导电通路110电连接至第二导电类型半导体层230。因此，可以通过支撑衬底100将电信号施加至第二导电类型半导体层230。在此情况下，可以在导电通路110与有源层220、第一导电类型半导体层210和导电接触层240之间形成绝缘体250。
发光叠层200和支撑衬底100的示例性结构与在图3中所示的基本上类似，所以将省略其详细描述。
如图8A所示，在支撑衬底100上形成光致抗蚀剂图案600，使得光致抗蚀剂图案600覆盖电极焊盘241和发光叠层200的上表面。
光致抗蚀剂图案600可以形成为部分地覆盖发光叠层200的上表面和衬底100的上表面，使得发光叠层200的倾斜侧表面不被覆盖。在此情况下，光致抗蚀剂图案600之间的间隔601可以具有对应于壁单元300'的形状，在间隔601中暴露出发光叠层200的倾斜侧表面。因此，光致抗蚀剂图案600可以用作一种模子。
可以通过诸如丝网印刷等方法形成光致抗蚀剂图案600。
此后，如图8B所示，将树脂R分配在其上形成有发光叠层200的衬底100上。树脂R完全覆盖包括光致抗蚀剂图案600和发光叠层200的支撑衬底100的上表面，使得树脂R填充光致抗蚀剂图案600之间的间隔601。因此，发光叠层200的倾斜侧表面被树脂R覆盖。可以通过另外的工艺固化树脂R。
至少一种类型的磷光体可以以散布的方式包含在树脂R中。而且，树脂R可以包含TiO2、Ag粉末等。
此后，如图8C所示，通过去除固化的树脂R的一部分和光致抗蚀剂图案600的一部分来执行平坦化，以获得整体平坦且平滑的上表面。
此后，如图8D所示，去除光致抗蚀剂图案600以在发光叠层200的倾斜侧表面上形成壁单元300'。通过对填充光致抗蚀剂图案600之间的间隔601的树脂R进行固化来形成壁单元300'，并且当去除光致抗蚀剂图案600时，从侧壁突出的壁单元300'可以被暴露。
此后，如图8E所示，从相对表面研磨支撑衬底100的一部分以部分地去除，并且在得到的支撑衬底100的相对表面上形成金属层120，如图8F所示。金属层120可以施加电信号，类似于形成在支撑衬底100上的电极焊盘241。金属层120可以对应于不同类型的电极焊盘，该不同类型的电极焊盘具有与电极焊盘241的极性不同的极性。
此后，如图8G所示，通过划片工艺将各个发光叠层200分离（或切割）成单独的发光器件。此后，如图8H所示，将功率施加至各个发光器件以测量其发光特性（例如，发光属性或发射特性）。然后根据测量的发光特性来对发光器件进行分类。
此后，如图8I所示，将波长变换层400附接至发光器件以完成发光器件10'。波长变换层400可以固定地附接至各个发光叠层200的壁单元300'，并且不将波长变换层400布置在被布置在壁单元300'之外的电极焊盘241的上部上，因而电极焊盘241不被波长变换层400覆盖。
可以采用这样的波长变换层作为波长变换层400，该波长变换层具有如下波长变换特性，将所述波长变换特性调整为考虑到相应的发光器件（具体地是发光叠层200）的发光特性而使得颜色分布最小化。可以通过区分包含在每个波长变换层400中的磷光体的类型、通过区分包含在每个波长变换层400中的磷光体的量、通过区分每个波长变换层400的厚度等来调整每个波长变换层400的波长变换特性。因此，可以将完成后的发光器件的颜色分布调整至MacAdam方差椭圆3阶水平。
图9是示意地示出了根据本发明另一个示例性实施例的发光器件的剖面图。除了壁单元的结构以外，构成根据图9所示的示例性实施例的发光器件的组件与其基本结构与图7所示的示例性实施例基本上类似。因此，与前述实施例相同的组件和结构的描述将被省略，并将主要描述壁单元的变化。
图9是示意地示出了根据本发明另一个示例性实施例的发光器件的剖面图。参考图9，发光器件10''可以包括支撑衬底100、发光叠层200、模塑部件500'和波长变换层400。
作为针对形成在其上的发光叠层200的支撑（或支持），支撑衬底100可以由例如具有导电性的铜（Cu）或硅-铝（Si-Al）（即，Si和Al的组合）制成。金属层120可以布置在支撑衬底100的下表面上并且电连接至支撑衬底100。
可以在支撑衬底100上形成具有在其中层叠了多个半导体层的结构的发光叠层200。在图3及其相应的说明书部分中详细示出并描述了发光叠层200的示例性结构和配置，所以在此将省略其详细描述。
可以在发光叠层200的倾斜侧表面上和上表面上形成模塑部件500'，以便密封发光叠层200。因此，当从上方观看发光叠层200时与图2所示的示例性实施例不同并且与图7所示的示例性实施例不同，在图2所示的示例性实施例中发光叠层200的上表面和倾斜侧表面是可见的，在图7所示的示例性实施例中只有发光叠层200的上表面是可见的，而在本实施例中，发光叠层200的表面被模塑部件500'覆盖而不可见，并且只有模塑部件500'的上表面是可见的。因此，从发光叠层200的侧面发出的光可以被模塑部件500'反射，从而防止从侧面漏光。
与壁单元300'类似，模塑部件500'可以由在其中散布了至少一种磷光体的树脂制成。而且，模塑部件500'可以具有在其中散布了由诸如TiO2、Ag等材料形成的粉末的结构，替代磷光体。
同时，模塑部件500'围绕发光叠层200的周边，从而类似于图2和图7所示的实施例，形成在支撑衬底100上的电极焊盘241可以布置在模塑部件500'之外，而不是被模塑部件500'覆盖。
此外，与图7的实施例相比，在图7的实施例中壁单元300'仅覆盖发光叠层200的侧表面，而在本实施例中，模塑部件500'覆盖发光叠层200的上表面和发光叠层200的侧表面。然而，这两个实施例的整体结构基本上类似，并且与图7的实施例相类似的是，有利地，可以减小根据本实施例的发光器件的尺寸。
波长变换层400可以固定地附接至模塑部件500'，使得波长变换层400覆盖发光叠层200。当从上方观看发光器件10''时，波长变换层400可以具有对应于发光叠层200的形状。由于没有将波长变换层400布置在被布置在模塑部件500'之外的电极焊盘241的上部上，所以电极焊盘241没有被波长变换层400覆盖。因此，在不被波长变换层400干扰的情况下，可以将电极焊盘241接合至导线W以电连接至要将发光器件10''安装其上的外部电源，例如引线框等。
本实施例中的波长变换层400的配置与在图1中所示的示例性实施例基本上类似，所以将省略其详细描述。
将参考图10A至图10I来描述用于制造根据本实施例的发光器件的方法。图10A至图10I是示意地示出了用于制造根据本发明另一个示例性实施例的图9的发光器件的方法的顺序工艺的示图。
首先，如图10A所示，制备在其一个表面上形成有发光叠层200的支撑衬底100。多个发光叠层200可以在水平和/或竖直方向上在它们之间彼此离开一定间隔，从而在支撑衬底100上排列成矩阵。
发光叠层200和支撑衬底100的示例性结构与图3和图7所示的示例性结构基本上类似，所以在此将省略其详细描述。
如图10A所示，在支撑衬底100上形成光致抗蚀剂图案600，使得光致抗蚀剂图案600覆盖电极焊盘241的上表面。光致抗蚀剂图案600可以形成为部分地覆盖衬底100的上表面，使得发光叠层200的倾斜侧表面和上表面不被覆盖。也就是说，与图7的实施例不同，在图7的实施例中光致抗蚀剂图案600形成在发光叠层200的上表面上，而在本实施例中，光致抗蚀剂图案600没有形成在发光叠层200的上表面上。
此后，如图10B所示，将树脂R分配在在其上形成有发光叠层200的衬底100上。树脂R完全覆盖包括光致抗蚀剂图案600和发光叠层200的支撑衬底100的上表面，使得树脂R填充光致抗蚀剂图案600之间的间隔。因此，发光叠层200的倾斜侧表面和上表面被树脂R覆盖。可以通过另外的工艺固化树脂R。
至少一种类型的磷光体可以以散布的方式包含在树脂R中。而且，树脂R可以包含TiO2、Ag粉末等。
此后，如图10C所示，通过去除固化的树脂R的一部分和光致抗蚀剂图案600的一部分来执行平坦化，以获得整体平坦且平滑的上表面。
此后，如图10D所示，去除光致抗蚀剂图案600以形成密封发光叠层200的倾斜侧表面和上表面的模塑部件500'。通过对填充光致抗蚀剂图案600之间的间隔的树脂R进行固化来形成模塑部件500'，并且当去除光致抗蚀剂图案600时，可以暴露密封发光叠层200的侧表面和上表面的模塑部件500'。
此后，如图10E所示，从相对表面研磨支撑衬底100的一部分以部分地去除，并且在得到的支撑衬底100的相对表面上形成金属层120，如图10F所示。金属层120可以施加电信号，类似于形成在支撑衬底100上的电极焊盘241。金属层120可以对应于不同类型的电极焊盘，该不同类型的电极焊盘具有与电极焊盘241的极性不同的极性。
此后，如图10G所示，通过划片工艺将各个发光叠层200分离（或切割）成单独的发光器件。此后，如图10H所示，将功率施加至各个发光器件以测量其发光特性（例如，发光属性或发射特性）。然后根据测量的发光特性来对发光器件进行分类。
此后，如图10I所示，将波长变换层400附接至发光器件以完成发光器件10''。波长变换层400可以固定地附接至各个发光叠层200的模塑部件500'，并且不将波长变换层400布置在被布置在模塑部件500'之外的电极焊盘241的上部上，因而电极焊盘241不被波长变换层400覆盖。
可以采用这样的波长变换层作为波长变换层400，该波长变换层具有如下波长变换特性，将所述波长变换特性调整为考虑到相应的发光器件（具体地是发光叠层200）的发光特性而使得颜色分布最小化。可以通过区分包含在每个波长变换层400中的磷光体的类型、通过区分包含在每个波长变换层400中的磷光体的量、通过区分每个波长变换层400的厚度等来调整每个波长变换层400的波长变换特性。因此，可以将完成后的发光器件的颜色分布调整至MacAdam方差椭圆3阶水平。
这样制造的发光器件可以用作诸如MR16灯、车辆头灯等发光设备的光源。
如前所述，根据本发明的示例性实施例，可以提供一种发光器件，其中即使将用于变换光的波长的波长变换层布置在发光器件的上方，也可以防止侧向漏光的发生，并且通过考虑到发光器件的光特性对波长变换特性进行调整来减小颜色分布。
本发明的各种特征和优点不限于前述内容，并且在详细描述本发明的实施例的过程中可以容易地理解本发明的各种特征和优点。
虽然已经结合示例性实施例示出并描述了本发明，但对于本领域普通技术人员清楚的是，在不背离由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下，可以进行修改和变形。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
支撑衬底；
至少一个发光叠层，其具有在其中层叠了半导体层的结构并且形成在所述支撑衬底上；
壁单元，其形成在所述支撑衬底上并且围绕所述至少一个发光叠层；以及
波长变换层，其布置在所述至少一个发光叠层上方。
2.权利要求1的发光器件，其中所述壁单元形成为高于所述至少一个发光叠层，使得所述壁单元的上表面位于高于所述至少一个发光叠层的上表面的位置处。
3.权利要求1的发光器件，其中所述壁单元由金属制成，并且沿着所述至少一个发光叠层的周边形成所述壁单元。
4.权利要求1的发光器件，其中所述至少一个发光叠层包括多个发光叠层，并且其中所述壁单元形成在相互相邻的发光叠层之间，使得相互相邻的发光叠层布置在所述壁单元的两侧，并且相互相邻的发光叠层共享所述壁单元。
5.权利要求1的发光器件，其中所述至少一个发光叠层包括多个发光叠层，并且其中围绕一个相邻发光叠层的任何一侧的所述壁单元与围绕另一个相邻发光叠层的不同的壁单元离开一定间隔，使得所述壁单元不与不同的壁单元连接。
6.权利要求1的发光器件，其中所述至少一个发光叠层具有这样的结构，其中层叠了第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及插入在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层，其中所述发光器件还包括形成在所述支撑衬底上的电极焊盘，所述电极焊盘电连接至所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层中的任何一个。
7.权利要求6的发光器件，其中所述电极焊盘布置在沿着所述发光叠层的周边形成以向内围绕所述发光叠层的所述壁单元的外侧。
8.权利要求7的发光器件，其中所述电极焊盘没有被所述波长变换层覆盖。
9.权利要求1的发光器件，其中所述波长变换层具有这样的波长变换特性，将所述波长变换特性调整为考虑到相应的发光叠层的发光特性而具有最小化的颜色分布。
10.权利要求9的发光器件，其中通过区分包含在所述波长变换层中的磷光体的类型或磷光体的含量来调整所述波长变换层的波长变换特性。
11.权利要求1的发光器件，其中所述波长变换层固定地附接至所述壁单元。
12.权利要求1的发光器件，其中所述支撑衬底由具有导电性的材料制成。
13.权利要求1的发光器件，还包括布置在所述壁单元中以覆盖所述发光叠层的模塑部件。
14.一种发光器件，包括：
支撑衬底；
发光层，其形成在所述支撑衬底上；以及
导电通路，其从所述支撑衬底延伸穿过所述发光层。
15.权利要求14的发光器件，其中在所述发光层的上表面上形成凹陷和凸起。
16.权利要求14的发光器件，其中所述发光层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及插入在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层。
17.权利要求16的发光器件，其中所述导电通路延伸穿过所述发光层，以便电连接至所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层中的一个，并且与所述有源层以及所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层中的另一个电绝缘。
18.权利要求14的发光器件，其中所述发光层的侧表面与所述发光层的底表面形成锐角。
19.权利要求14的发光器件，还包括形成在所述支撑衬底上或形成在所述发光层上并且围绕所述发光层的壁单元。
20.权利要求14的发光器件，还包括布置在所述发光层上方的波长变换层。
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