KR20210063518A - 발광다이오드 패키지 - Google Patents

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KR20210063518A
KR20210063518A KR1020190151399A KR20190151399A KR20210063518A KR 20210063518 A KR20210063518 A KR 20210063518A KR 1020190151399 A KR1020190151399 A KR 1020190151399A KR 20190151399 A KR20190151399 A KR 20190151399A KR 20210063518 A KR20210063518 A KR 20210063518A
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윤승진
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 리드 프레임 및 상기 리드 프레임이 저면에 노출된 오목부를 갖는 패키지 본체; 상기 오목부의 저면에 배치되며 상기 리드 프레임과 전기적으로 접속되는 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩을 덮도록 배치되는 형광체 시트; 상기 오목부의 저면에 상기 발광다이오드 칩과 소정의 간격으로 이격 배치되며, 상기 발광다이오드 칩의 측면 중 적어도 일 측면과 나란하게 배치되고 상기 패키지 본체와 동일한 물질로 이루어진 차단벽 - 상기 차단벽은 상기 저면을 기준으로 상기 발광다이오드 칩의 상면 보다 높으며, 상기 형광체 시트의 상면에서 50㎛ 이하의 레벨을 갖도록 배치됨 - ; 및 상기 발광다이오드 칩, 상기 형광체 시트 및 상기 차단벽의 측면을 덮으며 상기 패키지 본체와 상이한 물질로 이루어진 봉지부;를 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드와 같은 반도체 발광소자는, 접합된 반도체의 전자와 정공이 재결합하며 발생하는 에너지를 광으로 변환하여 방출한다. 이러한 발광 다이오드는 현재 조명, 표시장치 및 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.
특히, 질화갈륨(GaN)계 발광 다이오드를 이용한 일반 조명 개발이 활기를 띠고 있다. 또한, 대형 TV의 백라이트 유닛 및 자동차 전조등, 일반 조명 등 그의 응용제품과 같이, 발광다이오드의 용도가 점차 대형화, 고출력화, 고효율화된 제품으로 진행하고 있다.
이 중 자동차 전조등은 복수의 발광다이오드 패키지를 채용하여, 운전 중 상대 차량 및 보행자의 눈부심 방지를 위해, 일부 발광다이오드 패키지를 선택적으로 턴 온(turn on) 및 턴 오프(turn off)하는 기술이 실용화되었다. 이에 따라, 턴 온된 발광다이오드 패키지에서 방출된 빛이 턴 오프된 발광다이오드 패키지의 조사 영역에 영향을 미치지 않도록 명암비(contrast)를 증가시킬 필요성이 증가하고 있다.
본 발명의 일 실시예의 목적 중의 하나는 명암비가 증가된 발광다이오드 패키지를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 일 실시예는, 리드 프레임 및 상기 리드 프레임이 저면에 노출된 오목부를 갖는 패키지 본체; 상기 오목부의 저면에 배치되며 상기 리드 프레임과 전기적으로 접속되는 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩을 덮도록 배치되는 형광체 시트; 상기 오목부의 저면에 상기 발광다이오드 칩과 소정의 간격으로 이격 배치되며, 상기 발광다이오드 칩의 측면 중 적어도 일 측면과 나란하게 배치되고 상기 패키지 본체와 동일한 물질로 이루어진 차단벽 - 상기 차단벽은 상기 저면을 기준으로 상기 발광다이오드 칩의 상면 보다 높으며, 상기 형광체 시트의 상면에서 50㎛ 이하의 레벨을 갖도록 배치됨 - ; 및 상기 발광다이오드 칩, 상기 형광체 시트 및 상기 차단벽의 측면을 덮으며 상기 패키지 본체와 상이한 물질로 이루어진 봉지부;를 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 적어도 하나의 발광다이오드 칩; 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩을 덮는 형광체 시트; 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩이 실장되는 제1 영역 및 상기 제1 영역 이외의 영역인 제2 영역이 배치된 일면을 갖는 패키지 본체; 상기 제2 영역에, 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩과 소정의 간격으로 이격 배치되며, 상기 패키지 본체와 동일한 물질로 이루어진 차단벽; 및 상기 발광다이오드 칩, 상기 형광체 시트 및 상기 차단벽의 측면을 덮어 봉지하며 상기 패키지 본체와 상이한 물질로 이루어진 봉지부;를 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 적어도 하나의 발광다이오드 칩; 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩을 덮는 형광체 시트; 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩이 실장되는 일면을 갖는 패키지 본체; 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩의 주변에 소정의 간격으로 이격 배치되는 차단벽 - 상기 차단벽은 상기 일면을 기준으로 상기 발광다이오드 칩의 상면 보다 높으며, 상기 형광체 시트의 상면에서 50㎛ 이하의 레벨을 갖도록 배치됨 - ; 및 상기 발광다이오드 칩, 상기 형광체 시트 및 상기 차단벽의 측면을 덮어 봉지하는 봉지부;를 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 리드 프레임 및 상기 리드 프레임이 저면에 노출된 오목부를 갖는 패키지 본체; 상기 오목부의 저면에 배치되며 상기 리드 프레임과 전기적으로 접속되는 발광다이오드 칩; 상기 발광다이오드 칩을 덮도록 배치되는 형광체 시트; 상기 오목부의 저면에 상기 발광다이오드 칩과 소정의 간격으로 이격 배치되며, 상기 발광다이오드 칩의 측면 중 적어도 일 측면과 나란하게 배치되고 상기 패키지 본체와 동일한 물질로 이루어진 차단벽 - 상기 차단벽은 상기 저면을 기준으로 상기 발광다이오드 칩의 상면 보다 높으며, 상기 형광체 시트의 상면에서 50㎛ 이하의 레벨을 갖도록 배치됨 - ; 및 상기 발광다이오드 칩, 상기 형광체 시트 및 상기 차단벽의 측면을 덮으며 상기 패키지 본체와 상이한 물질로 이루어진 봉지부;를 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 적어도 하나의 발광다이오드 칩; 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩을 덮는 형광체 시트; 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩이 실장되는 제1 영역 및 상기 제1 영역 이외의 영역인 제2 영역이 배치된 일면을 갖는 패키지 본체; 상기 제2 영역에, 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩과 소정의 간격으로 이격 배치되며, 상기 패키지 본체와 동일한 물질로 이루어진 차단벽; 및 상기 발광다이오드 칩, 상기 형광체 시트 및 상기 차단벽의 측면을 덮어 봉지하며 상기 패키지 본체와 상이한 물질로 이루어진 봉지부;를 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 적어도 하나의 발광다이오드 칩; 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩을 덮는 형광체 시트; 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩이 실장되는 일면을 갖는 패키지 본체; 상기 적어도 하나의 발광다이오드 칩의 주변에 소정의 간격으로 이격 배치되는 차단벽 - 상기 차단벽은 상기 일면을 기준으로 상기 발광다이오드 칩의 상면 보다 높으며, 상기 형광체 시트의 상면에서 50㎛ 이하의 레벨을 갖도록 배치됨 - ; 및 상기 발광다이오드 칩, 상기 형광체 시트 및 상기 차단벽의 측면을 덮어 봉지하는 봉지부;를 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광다이오드 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'축을 따라 절개한 측단면도이다.
도 3은 도 2의 A부분의 확대도이다.
도 4 내지 도 6은 발광다이오드 패키지의 다양한 변형예이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 다음과 같이 설명한다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 의한 발광다이오드 패키지에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광다이오드 패키지의 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I'축을 따라 절개한 측단면도이며, 도 3은 도 2의 A부분의 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 발광다이오드 패키지(10)는 패키지 본체(100), 발광다이오드 칩(300), 형광체 시트(400), 차단벽(500) 및 봉지부(600)를 포함할 수 있다.
패키지 본체(100)는 발광다이오드 칩(300)이 실장되는 영역을 제공할 수 있으며, 발광다이오드 칩(300)에 전원을 인가하기 위한 전극 구조가 배치될 수 있다. 실시예에 따라서는 패키지 본체(100)의 중앙 영역에 오목부(C)가 배치될 수 있으며, 발광다이오드 칩(300)이 실장되는 영역은, 오목부(C)의 저면에 배치될 수 있다. 따라서, 패키지 본체(100)는 발광다이오드 패키지(10)의 제조 공정에서 발광다이오드 칩(300)이 실장되는 베이스 기판의 역할을 할 수 있다.
패키지 본체(100)에는 발광다이오드 칩(300)에 전원을 인가하기 위한 전극 구조로, 리드 프레임(lead frame)(200)이 배치될 수 있다. 리드 프레임(200)은 제1 및 제2 리드 프레임(210, 220)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 리드 프레임(210, 220)은 일부가 오목부(C)의 저면에 노출될 수 있다. 일 실시예의 경우, 발광다이오드 칩(300)은 제1 리드 프레임(210)에 실장될 수 있으며, 제1 와이어(WR1)를 통해 제2 리드 프레임(220)에 와이어 본딩될 수 있다
패키지 본체(100)는 에폭시, 트리아진, 실리콘, 폴리이미드 등을 함유하는 절연성 수지 소재로 형성될 수 있으나, 방열 특성 및 발광 효율의 향상을 위해, 고내열성, 우수한 열전도성, 고반사효율 등의 특성을 갖는 세라믹(ceramic) 재질, 예를 들어, Al2O3, AlN 등과 같은 물질로 이루어질 수도 있다.
일 실시예는 패키지 본체(100)가 에폭시 몰딩 컴파운드(epoxy molding compound)로 형성된 경우를 예를 들어 설명한다. 일 실시예의 경우, 패키지 본체(100)는 제1 및 제2 리드 프레임(210, 220)의 일 영역에 절연성 수지 소재를 몰딩하여 형성할 수 있다.
발광다이오드 칩(300)은 패키지 본체(100)에 실장될 수 있다. 발광다이오드 칩(300)은 복수개가 배치될 수 있으며, 이 경우, 복수의 발광다이오드 칩(300)은 일 방향으로 길게 배치될 수 있다.
발광다이오드 칩(300)은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 가질 수 있다. 활성층은 청색 광(예, 440nm ~ 460nm) 또는 자외선 광(예, 380nm ~ 440nm)을 방출할 수 있다. 발광다이오드 칩(300)에는 발광구조물에 전원을 인가하기 위한 제1 및 제2 전극(310, 320)이 배치될 수 있다. 일 실시예의 경우, 발광다이오드 칩(300)의 상면 및 하면에 각각 제1 및 제2 전극(310, 320)이 배치된 경우를 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 제1 및 제2 전극(310, 320)은 발광다이오드 칩(300)의 일 면 상에 모두 배치될 수도 있다.
형광체 시트(400)는 실질적으로 일정한 두께를 가지는 시트(sheet) 형상으로 형성될 수 있다. 형광체 시트(400)는 반경화된 수지물질에 파장변환물질이 혼합되어 이루어지며, 예를 들어, 수지, 경화제 및 경화 촉매 등으로 이루어진 폴리머 바인더에 파장변환물질이 혼합되고 반경화된 복합재일 수 있다. 형광체 시트(400)에 사용되는 수지는 에폭시(epoxy) 수지 또는 실리콘(silicone) 수지가 사용될 수 있다.
일 실시예의 경우, 형광체 시트(400)는 B-stage 실리콘에 형광체가 혼합되어 반경화된 것일 수 있다. 형광체 시트(400)는 하나의 층이 적층된 구조일 수 있으나, 다층으로 형성될 수도 있다. 형광체 시트(400)를 다층으로 형성한 경우에 각각의 층에 서로 다른 종류의 형광체 등을 포함하게 할 수도 있다.
형광체로는 가넷(garnet) 계열 형광체(YAG, TAG, LuAG), 실리케이트 계열 형광체, 질화물계 형광체, 황화물계 형광체, 산화물계 형광체 등이 사용될 수 있으며, 단일종으로 구성되거나 또는 소정 비율로 혼합된 복수종으로 구성될 수 있다.
오목부(C)의 저면에는 차단벽(500)이 배치될 수 있다. 차단벽(500)은 발광다이오드 칩(300)의 적어도 일 측면에, 발광다이오드 칩(300)과 소정의 간격(D) 만큼 이격되어 나란하게 배치될 수 있다. 실시예에 따라서는, 복수 개의 차단벽(500)이 발광다이오드 칩(300)의 각 측면에 배치될 수 있으며, 하나의 차단벽(500)이 발광다이오드 칩(300)의 각 측면을 둘러싸도록 배치될 수도 있다. 또한 복수의 발광다이오드 칩(300)이 배치된 경우에는 복수의 발광다이오드 칩(300)이 길게 배치된 일 방향을 따라 차단벽이 배치될 수 있으며, 복수의 발광다이오드 칩(300)을 전체적으로 둘러싸도록 배치될 수도 있다.
차단벽(500)은 에폭시, 트리아진, 실리콘, 폴리이미드 등을 함유하는 절연성 수지 소재로 형성될 수 있다. 실시예에 따라서는, 차단벽(500)은 패키지 본체(100)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 차단벽(500)은 검은색일 수 있다. 일 실시예는 차단벽(500)이 에폭시 몰딩 컴파운드(epoxy molding compound)로 형성된 경우를 예를 들어 설명한다. 따라서, 패키지 본체(100)를 제조하는 공정에서, 패키지 본체(100)와 함께 제조될 수 있다. 다만, 이에 한정하는 것은 아니며, 차단벽(500)은 패키지 본체(100)의 제조공정과 다른 제조공정에서 제조된 후에, 패키지 본체(100)의 제조과정에서, 패키지 본체(100)의 오목부(C) 내에 부착될 수도 있다. 차단벽(500)은 상면(500a) 및 측면들(500b, 500c)로 이루어진 벽(wall) 형상일 있다. 상면(500a)은 평면을 이루도록 형성될 수 있다. 측면들(500b, 500c)은 오목부(C)의 저면에 대해 수직하도록 형성될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 소정의 경사면을 이루도록 형성될 수도 있다. 차단벽(500)의 상면(500a) 및/또는 측면들(500b, 500c)에는 광반사 효과를 향상시키기 위한 요철부가 더 배치될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 차단벽(500)의 상면(500a)은 발광다이오드 칩(300)의 상면(300a) 보다 높은 레벨을 가지도록 배치되되, 형광체 시트(400)의 상면(400a)에서 50㎛를 초과하지 않는 레벨을 갖는 범위 내의 크기(T1)를 갖도록 배치될 수 있다. 즉, 차단벽(500)의 크기(T1)는 적어도 발광다이오드 칩(300)의 크기(T2) 보다 크며, 발광다이오드 칩(300)의 크기(T2) 및 형광체 시트의 두께(T3)를 합한 크기(T2+T3)에서 50㎛ 이하만큼만 더 큰 크기(T2+T3+50㎛ 이하)로 배치될 수 있다. 차단벽(500)이 발광다이오드 칩(300)의 상면(300a)보다 낮은 경우, 발광다이오드 칩(300)의 측면 방향으로 방출되는 광(L1)이 차단벽(500)을 넘어 발광다이오드 패키지의 측면 방향으로 방출되게 되므로, 차단벽(500)을 채용하여 발광다이오드 패키지의 명암비를 향상시키는 효과가 낮아질 수 있다. 또한, 차단벽(500)이 형광체 시트(400)의 상면(400a)에서 50㎛ 이상이 될 경우, 차단벽(500)이 발광다이오드 패키지(10) 상부에서 지나치게 돌출되어 발광다이오드 패키지(10)의 신뢰성이 저하될 수 있다. 일 실시예의 경우, 형광체 시트(400)의 상면(400a), 봉지부(600)의 상면(600a) 및 차단벽(500)의 상면(500a)은 공면(coplannar)(P)을 이룰 수 있다.
차단벽(500)은 길이(W1)가 발광다이오드 칩(300)의 일 측면의 길이(W2)와 같도록 배치될 수 있다. 실시예에 따라서는 차단벽(500)의 길이(W1)가 발광다이오드 칩(300)의 일 측면의 길이(W2) 보다 더 길도록 배치될 수 있다. 또한, 차단벽(500)은 발광다이오드 칩(300)과 소정의 간격(D)을 갖도록 배치될 수 있다. 일 실시예의 경우, 소정의 간격(D)은 약 50㎛ 내지 200㎛일 수 있다.
실시예에 따라서는, 제1 리드 프레임(210) 상에 제너 다이오드(zenor diode)와 같은 보호 소자(700)가 실장될 수 있다. 보호 소자(700)는 제2 리드 프레임(220)과 제2 와이어(WR2)에 의해 본딩되어, 발광다이오드 칩(300)과 전기적으로 병렬 연결될 수 있다. 따라서, 정전기로 인하여 발광다이오드 칩(300)에 역방향의 전류가 인가되어도 보호 소자(700)를 통해 전류가 바이패스(By-Pass)되므로 정전기에 의해 발광다이오드 칩(300)이 손상되는 것을 방지될 수 있다.
봉지부(600)는 발광다이오드 칩(300) 및 형광체 시트(400)의 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 봉지부(600)는 발광다이오드 칩(300) 및 형광체 시트(400)를 봉지하여 수분 및 열로부터 보호하며, 표면 형상을 조절하여 상기 발광다이오드 칩(300)에서 방출된 광의 배광 분포를 조절하도록 할 수 있다.
봉지부(600)는 광투과성 물질로 형성될 수 있으며, 구체적으로, 실리콘, 변형 실리콘, 에폭시, 우레탄, 옥세탄, 아크릴, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 이들의 조합으로 구성된 조성물 등과 같은 투광성을 갖는 절연수지로 형성될 수 있다. 일 실시예의 경우, 봉지부(600)는 백색 실리콘 수지(white silicone resin)로 형성될 수 있다. 또한, 패키지 본체는 및 세라믹(ceramic)으로 이루어지고, 차단벽(500)은 에폭시 몰딩 컴파운드로 이루어진 경우에, 봉지부(600)는 리퀴드 크리스탈 폴리머(liquid crystal polymer)로 이루어 질 수 있다.
일 실시예에 의한 발광다이오드 패키지(10)는 방출되는 광의 명암비가 형성되는 효과가 있다. 이에 대해서, 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3을 참조하면, 발광다이오드 칩(300)에서 방출되는 광 중 형광체 시트(400)를 거치지 않고 곧바로 봉지부(600)로 입사되는 광, 즉 발광다이오드 칩(300)의 측면 방향으로 방출되는 광(L1)은 차단벽(500)에 의해 차단 및 반사되어 발광다이오드 칩(300) 방향 또는 형광체 시트(400) 방향으로 향하게 된다. 또한, 발광다이오드 칩(300)에서 방출된 후 형광체 시트(400)를 거쳐 방출되는 광(L2)은 차단벽(500)에 의해 소정의 조사각(θ) 이상인 경우에만 차단벽(500)을 넘어 조사될 수 있다. 따라서, 부가적인 렌즈 구조물이 없이도, 차단벽(500)에 의해 발광다이오드 칩(300)에서 방출되는 빛의 조사각을 제한할 수 있다. 따라서, 발광다이오드 패키지(10)의 전방으로 광이 조사되는 영역과 조사되지 않는 영역의 구분이 명확해지므로 발광다이오드 패키지(10)의 명암비(contrast)가 증가되는 효과가 있다.
복수의 발광다이오드 패키지(10)가 채용된 자동차 전조등의 경우, 운전 중 상대 차량 및 보행자의 눈부심 방지를 위해, 일부 발광다이오드 패키지를 선택적으로 턴 온(turn on) 및 턴 오프(turn off)하게 되는 기술이 적용될 수 있다. 이러한 기술은 각각의 발광소자 패키지(10)에서 방출되는 빛이 방출되는 영역이 이웃한 발광소자 패키지(10)에서 방출되는 빛과 중첩되지 않아야 효과가 극대화될 수 있다. 발광다이오드 패키지(10)의 명암비가 낮은 경우, 선택적으로 턴 온된 발광다이오드 패키지에서 방출된 빛이 턴 오프된 발광다이오드 패키지에 대응되는 영역에 조사되어, 발광다이오드 패키지(10)가 턴 오프된 영역이 완전히 소등되지 못하게 될 수 있다. 일 실시예의 발광다이오드 패키지(10)의 경우, 명암비가 증가되어 턴 온된 발광다이오드 패키지에서 방출된 빛이 턴 오프된 발광다이오드 패키지에 대응되는 영역에 조사되는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 턴 오프된 영역이 완전히 소등되어, 상대 차량 또는 보행자의 눈부심을 방지하는 효과가 향상될 수 있다.
발광다이오드 칩의 일 측에 차단벽을 배치하고, 차단벽이 배치되지 않은 타측 영역과의 명암비를 비교한 결과, 하기의 표 1과 같은 결과를 얻을 수 있었다. 차단벽이 배치되지 않은 영역의 명암비에 비해, 차단벽이 배치된 영역의 명암비가 향상된 것으로 측정되었다. 실험예1의 경우, 차단벽이 배치된 영역의 명암비가 28.9% 상승했으며, 실험예2의 경우, 43.3% 상승한 것으로 측정되었다.
실험예1 실험예2
차단벽이 배치되지 않은 영역의 명암비 1:816 1:738
차단벽이 배치된 영역의 명암비 1:1149 1:1303
도 4 내지 도 6을 참조하여, 발광다이오드 패키지의 다양한 실시예에 대해 설명한다. 도 4 내지 도 6은 발광다이오드 패키지의 다양한 실시예를 도시한 도면이다. 앞서 설명한 일 실시예와 설명이 중복되는 것을 방지하기 위해 차이점을 중심으로 설명한다.
도 4는 발광다이오드 칩(2400)이 패키지 기판(2100)에 실장되고, 발광다이오드 칩(2400) 상에 형광체 시트(2300)가 배치된 점은 앞서 설명한 일 실시예와 동일하나, 발광다이오드 칩(2400)의 각 측면을 둘러싸는 하나의 차단벽(2500)이 배치된 차이점이 있다. 앞서 설명한 실시예와 비교할 때, 발광다이오드 칩(2400)의 각 측면에 차단벽(2500)이 배치되어 명암비가 더욱 향상되는 효과가 있다.
도 5는 발광다이오드 칩(3400)이 패키지 기판(3100)에 실장되고, 발광다이오드 칩(3400) 상에 형광체 시트(3300)가 배치된 점은 앞서 설명한 일 실시예와 동일하나, 발광다이오드 칩(3400)의 각 측면에 복수의 차단벽(3500a ~ 3400d)이 배치된 차이점이 있다. 앞서 설명한 실시예와 비교할 때, 발광다이오드 칩(3400)의 각 측면에 차단벽(2500)이 배치되어 명암비가 더욱 향상되는 효과가 있다. 또한, 복수의 차단벽(3500a ~ 3400d)이 서로 이격 배치되므로, 이격된 공간을 통해 봉지부를 형성하기 위한 수지 물질이 용이하게 유입될 수 있으므로, 봉지부의 제조가 간편한 효과가 있다.
도 6은 발광다이오드 칩(4400)이 복수의 발광다이오드 칩(4400a ~ 4400c)으로 구성된 예이다. 복수의 발광다이오드 칩(4400a ~ 4400c)이 패키지 기판(4100)에 실장되고, 복수의 발광다이오드 칩(4400a ~ 4400c) 상에 각각 형광체 시트(4300)가 배치된 점은 앞서 설명한 일 실시예와 동일하다. 복수의 발광다이오드 칩(4400a ~ 4400c)은 일 방향(DR)으로 길게 배치될 수 있으며, 차단벽(4500)도 동일하게 일 방향(DR)을 따라서, 복수의 발광다이오드 칩(4400a ~ 4400c)의 일 측에 길게 배치될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
10: 발광다이오드 패키지
100: 패키지 본체
200: 리드 프레임
210: 제1 리드 프레임
220: 제2 리드 프레임
300: 발광다이오드 칩
400: 형광체 시트
500: 차단벽
600: 봉지부
700: 보호 소자
WR1: 제1 와이어
WR2: 제2 와이어

Claims (10)

  1. 리드 프레임 및 상기 리드 프레임이 저면에 노출된 오목부를 갖는 패키지 본체;
    상기 오목부의 저면에 배치되며 상기 리드 프레임과 전기적으로 접속되는 발광다이오드 칩;
    상기 발광다이오드 칩을 덮도록 배치되는 형광체 시트;
    상기 오목부의 저면에 상기 발광다이오드 칩과 소정의 간격으로 이격 배치되며, 상기 발광다이오드 칩의 측면 중 적어도 일 측면과 나란하게 배치되고 상기 패키지 본체와 동일한 물질로 이루어진 차단벽 - 상기 차단벽은 상기 저면을 기준으로 상기 발광다이오드 칩의 상면 보다 높으며, 상기 형광체 시트의 상면에서 50㎛ 이하의 레벨을 갖도록 배치됨 - ; 및
    상기 발광다이오드 칩, 상기 형광체 시트 및 상기 차단벽의 측면을 덮으며 상기 패키지 본체와 상이한 물질로 이루어진 봉지부;를 포함하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 본체 및 상기 차단벽은 에폭시 몰딩 컴파운드(epoxy molding compound)로 이루어지며,
    상기 봉지부는 백색 실리콘 수지(white silicone resin)로 이루어진 발광다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 차단벽의 측벽 및 상면 중 적어도 하나에는 요철부가 배치된 발광다이오드 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 형광체 시트의 상면, 상기 봉지부의 상면 및 상기 차단벽의 상면은 공면(coplannar)을 이루는 발광다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 차단벽은 복수의 분리된 영역을 포함하며, 상기 복수의 분리된 영역은 각각 상기 발광다이오드 칩의 각 측면에 배치되는 발광다이오드 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 복수의 발광다이오드 칩을 포함하며,
    상기 복수의 발광다이오드 칩은 일 방향으로 길게 배치되고,
    상기 차단벽은 상기 복수의 발광다이오드 칩의 일 측에 상기 일 방향으로 배치되는 발광다이오드 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 차단벽은 상기 복수의 발광다이오드 칩의 외곽에, 상기 복수의 발광다이오드 칩을 둘러싸도록 배치되는 발광다이오드 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 리드 프레임은 제1 및 제2 리드 프레임을 포함하며,
    상기 발광다이오드 칩은 상기 제1 리드 프레임 상에 실장되며 상기 제2 리드 프레임과 와이어 본딩에 의해 전기적으로 접속되는 발광다이오드 패키지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 소정의 간격은 50㎛ 내지 200㎛인 발광다이오드 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 차단벽의 상면은 상기 패키지 본체의 상면보다 동일하거나 높은 레벨을 갖도록 배치되는 발광다이오드 패키지.
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