KR20140092088A - 발광소자 패키지 - Google Patents

발광소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20140092088A
KR20140092088A KR1020130004394A KR20130004394A KR20140092088A KR 20140092088 A KR20140092088 A KR 20140092088A KR 1020130004394 A KR1020130004394 A KR 1020130004394A KR 20130004394 A KR20130004394 A KR 20130004394A KR 20140092088 A KR20140092088 A KR 20140092088A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cavity
light emitting
round
light
disposed
Prior art date
Application number
KR1020130004394A
Other languages
English (en)
Inventor
김원중
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020130004394A priority Critical patent/KR20140092088A/ko
Publication of KR20140092088A publication Critical patent/KR20140092088A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

광추출 효율이 향상된 발광소자 패키지가 개시된다.
일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 측벽 및 바닥면을 포함하는 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치되는 발광소자; 및 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임;을 포함하고, 상기 캐비티는 서로 이격된 복수 개의 라운드 영역을 포함하고, 인접한 두 개의 라운드 영역 사이에 상기 캐비티의 측벽의 일부가 중첩되어 배치된다.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTINTG DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
도 1은 발광소자를 포함한 종래의 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 발광소자 패키지(1)는 캐비티(11a)를 갖는 몸체(11), 상기 몸체(11)에 배치된 제1,2 리드 프레임(21, 22), 상기 캐비티(11a) 내에 배치되며 제1,2 리드 프레임(21, 22)과 전기적으로 연결된 발광소자(30)를 포함한다.
종래의 발광소자 패키지(1)는 캐비티(11a) 내측면의 모서리(A)가 각진 형태로 되어 있어 발광소자(30)에서 생성된 광을 외부로 효과적으로 반사시키기 어렵다. 따라서, 광의 일부가 발광소자 패키지(1)의 내부에 트랩되어 외부로 방출되지 못함으로써 광효율의 저하를 초래할 수 있다.
실시예는 발광소자 패키지의 광추출 효율을 향상시키고자 한다.
일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 측벽 및 바닥면을 포함하는 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치되는 발광소자; 및 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임;을 포함하고, 상기 캐비티는 서로 이격된 복수 개의 라운드 영역을 포함하고, 인접한 두 개의 라운드 영역 사이에 상기 캐비티의 측벽의 일부가 중첩되어 배치된다.
상기 라운드 영역 각각은 상기 캐비티의 바닥면을 기준으로 0.3mm 내지 0.4mm 범위의 반경을 가질 수 있다.
상기 라운드 영역은 상기 캐비티의 바닥면에서부터 측벽의 일부까지 연장되어 배치될 수 있다.
상기 몸체는 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임 사이에 배치된 전극 분리 영역을 포함하고, 상기 전극 분리 영역은 상기 제1,2 리드 프레임보다 상부로 돌출될 수 있다.
상기 캐비티의 측벽의 내측면에 제1 광추출 패턴이 위치할 수 있다.
상기 캐비티 내에 배치된 상기 제1,2 리드 프레임의 표면에 제2 광추출 패턴이 위치할 수 있다.
상기 캐비티의 내측면 또는 상기 제1,2 리드 프레임의 표면에 반사 부재가 배치될 수 있다.
상기 제1 광추출 패턴은 상기 몸체의 내부를 향해 오목한 오목 패턴이거나, 상기 몸체의 외부를 향해 볼록한 볼록 패턴일 수 있다.
상기 제2 광추출 패턴은 상기 제1,2 리드 프레임의 내부를 향해 오목한 오목 패턴이거나, 상기 제1,2 리드 프레임의 외부를 향해 볼록한 볼록 패턴일 수 있다.
상기 캐비티는 제1 라운드 영역, 상기 제1 라운드 영역과 제1 방향을 따라 나란히 배치된 제2 라운드 영역, 상기 제1 라운드 영역과 대각선 방향으로 마주한 제3 라운드 영역, 및 상기 제1 라운드 영역과 대각선 방향으로 마주한 제4 라운드 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 라운드 영역과 상기 제2 라운드 영역의 거리와 상기 제1 라운드 영역과 상기 제3 라운드 영역 사이의 거리가 서로 다를 수 있다.
다른 실시예에 따른 발광소자 패키지는 측벽 및 바닥면을 포함하는 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치되는 발광소자; 및 상기 발광소자와 전기적으로 연결된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임;을 포함하고, 상기 캐비티의 바닥면은 제1 선분 및 상기 제1 선분과 마주하는 제2 선분을 포함하고, 상기 제1 선분과 상기 제2 선분 사이의 거리가 일정하지 않다.
실시예에 따르면 몸체의 캐비티의 형상을 변화시킴으로써 발광소자 패키지의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
실시예에 따르면 몸체나 리드 프레임에 광추출 패턴을 형성함으로써 발광소자 패키지의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 발광소자를 포함한 종래의 발광소자 패키지의 평면도.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도.
도 3 및 도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 포함된 몸체의 캐비티의 형상의 예시들을 나타낸 도면.
도 5는 도 2의 발광소자 패키지를 BB 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도.
도 6 내지 도 9는 도 5의 C 부분을 확대하여 나타낸 도면.
도 10 내지 도 13은 도 5의 D 부분을 확대하여 나타낸 도면.
도 14는 도 5의 E 부분을 확대하여 나타낸 도면.
도 15는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면.
도 16은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 3 및 도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 포함된 몸체의 캐비티의 형상의 예시들을 나타낸 도면이고, 도 5는 도 2의 발광소자 패키지를 BB 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 몸체(210), 상기 몸체(210)에 배치된 제1,2 리드 프레임(221, 222), 상기 제1,2 리드 프레임(221, 222)과 전기적으로 연결된 발광소자(100)를 포함한다.
몸체(210)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 몸체(210)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 몸체(210)의 표면에 절연층이 코팅되어 제1,2 리드 프레임(221, 222) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.
몸체(210)는 몸체(210)의 내부를 향해 함몰된 캐비티(212)를 포함한다. 캐비티(212)는 측벽과 바닥면을 포함한다. 캐비티(212) 내에 발광소자(100)가 배치된다. 캐비티(212)의 측벽은 발광소자(100)에서 발생된 광의 반사 효율을 향상시키기 위하여 경사면으로 형성될 수 있다.
발광소자(100)는 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 청색, 녹색 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
몸체(210)와 구조적으로 연결되며 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)이 배치된다. 제1,2 리드 프레임(221, 222)은 일부가 캐비티(212)의 바닥면을 통해 노출된다. 실시예에 따라, 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 일부가 캐비티(212)의 바닥면을 통해 노출되고, 다른 일부는 몸체(210)의 측벽을 따라 몸체(210)의 바닥면까지 연장될 수 있다.
캐비티(112)의 내측면 및/또는 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 표면에 반사 부재가 배치될 수도 있다. 반사 부재는 시트(sheet) 또는 코팅 형식으로 위치할 수 있다. 반사 부재는 반사율이 높은 금속을 포함할 수 있으며, 일 예로서 Al, Ag, Au, 또는 이들을 포함한 합금을 포함하여 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(100)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 발광소자(100)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.
발광소자(100)는 캐비티(212)의 바닥면에 접하여 배치되거나, 제2 리드 프레임(221) 또는 제2 리드 프레임(222) 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 제2 리드 프레임(222) 상에 배치된 것으로 도시하였다. 발광소자(100)는 제1,2 리드 프레임(221, 222)과 와이어 본딩에 의해 전기적으로 연결될 수도 있고, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
발광소자(100)는 복수 개 존재할 수도 있으며, 발광소자(100)의 개수는 실시예에 따라 달라질 수 있다. 도시하지는 않았으나, 발광소자(100)와 역극성을 갖는 병렬 연결 상태로 보호 다이오드가 배치될 수도 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 몸체(210)의 캐비티(212)는 서로 이격된 복수 개의 라운드 영역(212R)을 포함한다. 본 실시예에서는 일 예로서, 제1 라운드 영역(212R1), 상기 제1 라운드 영역(212R1)과 제1 방향을 따라 나란히 배치된 제2 라운드 영역(212R2), 상기 제1 라운드 영역(212R1)과 대각선 방향으로 마주한 제3 라운드 영역(212R3), 상기 제1 라운드 영역(212R1)과 대각선 방향으로 마주한 제4 라운드 영역(212R4)을 포함하는 것으로 도시하였다. 제1 라운드 영역(212R1)과 제3 라운드 영역(212R3)은 제1 방향과는 다른 제2 방향을 따라 나란히 배치되며, 제2 라운드 영역(212R2)과 제4 라운드 영역(212R4)도 상기 제2 방향을 따라 나란히 배치될 수 있다. 상기 제1 방향과 제2 방향은 서로 직각일 수 있다. 복수 개의 라운드 영역을 통칭하여 라운드 영역(212R)이라 할 수 있다.
라운드 영역(212R)은 캐비티(212)의 바닥면에서부터 측벽의 일부까지 연장되어 형성될 수 있다.
실시예에 따르면 캐비티(212)의 모서리에 라운드 영역(212R)을 형성함으로써, 발광소자(100)에서 생성된 빛이 모서리 부분에서 트랩되지 않고 반사에 의해 외부로 효과적으로 추출될 수 있다.
인접한 두 개의 라운드 영역(212R) 사이에 캐비티(212)의 측벽의 일부가 중첩되어 배치된다. 예를 들어, 제1 라운드 영역(212R1)과 제2 라운드 영역(212R2)의 사이, 제2 라운드 영역(212R2)과 제3 라운드 영역(212R3)의 사이, 제3 라운드 영역(212R3)과 제4 라운드 영역(212R4)의 사이, 제4 라운드 영역(212R4)과 제1 라운드 영역(212R1)의 사이의 빗금친 부분에 캐비티(212)의 측벽이 배치된다.
다시 설명하면, 캐비티(212)의 바닥면은 제1 선분(M1) 및 상기 제1 선분(M1)과 마주하는 제2 선분(M2)을 포함하고, 제1 선분(M1)과 제2 선분(M2) 사이의 거리가 일정하지 않다. 즉, 라운드 영역(212R)이 존재하는 부분에서 제1 선분(M1)과 제2 선분(M2) 사이의 거리(D1)가 라운드 영역(212R)이 존재하지 않는 부분에서 제1 선분(M1)과 제2 선분(M2) 사이의 거리(D2)보다 크다. 마찬가지로, 상기 제1 선분(M1)과 일측이 이어진 제3 선분(M3) 및 상기 제3 선분(M3)과 마주하는 제4 선분(M4) 사이의 거리도 일정하지 않을 수 있다. 일 예로서, 제1 선분(M1)과 제3 선분(M3)이 이어지는 부분에서 제1 선분(M1)과 제3 선분(M3)의 구분은 제1 라운드 영역(212R1)을 이루는 선분의 절반이 되는 지점으로 정의할 수 있다.
복수 개의 라운드 영역(212R) 각각은 동일한 크기로 형성될 수 있다. 실시예에 따라, 복수 개의 라운드 영역(212R)은 몸체(210)의 중심(C)을 지나는 가상의 수직선을 기준으로 좌우 대칭으로 형성됨으로써, 몸체(210)나 몸체(210) 위에 배치된 리드 프레임(221, 222) 등이 열에 의해 비대칭적으로 뒤틀리는 현상을 방지할 수도 있다.
복수 개의 라운드 영역(212R) 각각은 캐비티(212)의 바닥면을 기준으로 0.3mm 내지 0.4mm의 반경(R)을 가질 수 있다. 즉, 캐비티(212)의 바닥면에서 각각의 라운드 영역(212R)을 이루는 선분을 포함하는 가상의 원의 반경(R)이 0.3mm 내지 0.4mm 범위를 나타낼 수 있다. 라운드 영역(212R)의 반경(R)이 0.3mm보다 작으면 발광소자(100)에서 생성된 광을 반사시켜 외부로 효과적으로 방출시키기 어렵고, 0.4mm보다 크면 캐비티(212)의 측벽과 발광소자(100) 사이의 거리가 멀어지게 되어 오히려 광추출 효율을 저하시킬 수 있다.
제1 라운드 영역(212R1)과 제2 라운드 영역(212R2) 사이의 거리(D3)와 제1 라운드 영역(212R1)과 제3 라운드 영역(212R3) 사이의 거리(D4)는 서로 같을 수도 있고 서로 다를 수도 있다. 제1 라운드 영역(212R1)과 제2 라운드 영역(212R2) 사이의 거리(D3)와 제1 라운드 영역(212R1)과 제3 라운드 영역(212R3) 사이의 거리(D4)가 서로 같은 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 캐비티(212)의 바닥면은 정사각형 기반일 수 있다. 또는, 제1 라운드 영역(212R1)과 제2 라운드 영역(212R2) 사이의 거리(D3)와 제1 라운드 영역(212R1)과 제3 라운드 영역(212R3) 사이의 거리(D4)가 서로 다른 경우, 일 예로서, 제1 라운드 영역(212R1)과 제2 라운드 영역(212R2) 사이의 거리(D3)가 더 큰 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 캐비티(212)의 바닥면은 직사각형 기반일 수 있다. 캐비티(122)의 바닥면의 형태는 캐비티(212) 내에 배치되는 발광소자(100)의 개수나 형태, 복수 개의 발광소자(100) 간의 직렬 연결 또는 병렬 연결 여부에 따라 달라질 수 있다.
아래의 표 1은 종래의 발광소자 패키지와 실시예에 따른 발광소자 패키지의 광속(luminous flux)을 비교하여 나타낸 것이다.
종래의 경우 1 종래의 경우 2 실시예의 경우
캐비티 형태 원형 사각형 사각형+라운드 영역
라운드 영역의 반경(R) 0.3mm
luminous flux(lm) 56.5 57.48 59.1
종래의 경우 1은 캐비티의 형태가 원형이고 별도의 라운드 영역이 없는 발광소자 패키지이고, 종래의 경우 2는 캐비티의 형태가 사각형이고 모서리에 라운드 영역을 포함하지 않는 발광소자 패키지이고, 실시예의 경우는 캐비티의 형태가 사각형 기반이고 네 개의 모서리에 0.3mm 반경의 라운드 영역을 포함하는 발광소자 패키지이다.
표 1을 참조하면, 종래의 경우 1 및 2에 비해 실시예의 경우 광속 값이 향상된 것을 확인할 수 있다. 그 이유는, 캐비티(112)의 형태를 사각형 기반으로 하면서 발광소자(100)와 캐비티(112)의 측벽의 거리를 반사도에 유리한 거리를 유지하면서도 모서리 부분에 라운드 영역(212R)을 형성하여 빛의 트랩을 방지하여 광추출 효율이 향상되었기 때문이다.
도 5를 참조하면, 발광소자(100)를 포위하여 몰딩부(230)가 배치될 수 있다. 몰딩부(230)는 캐비티(212) 내를 채우도록 형성될 수 있다. 몰딩부(230)는 발광소자(100) 및 와이어 등을 보호하며, 발광소자(100)의 분리 또는 이탈을 방지할 수 있다. 몰딩부(230)는 투광성을 가지며, 투명 실리콘 수지 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
몰딩부(230)는 형광체를 포함하여 이루어질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)일 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +일 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN을 포함하는 CaAlSiN3:Eu2 +일 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON을 포함하는 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)일 수 있다.
몰딩부(230)는 형광체와 함께 광 확산제를 포함할 수도 있으며, 광 확산제로서 필러(filler)를 사용할 수 있다. 필러의 종류로는, 예를 들어, SiO2, Y2O3, TiO2, Al2O3 또는 실리콘 파우더를 사용할 수 있으나, 이에 제한을 두는 것은 아니다. 광 확산제를 사용함으로써 광 분산 효과, 형광체 침전 방지, 광도 및 광속 증가의 효과를 가져올 수 있다.
도 6 내지 도 9는 도 5의 C 부분을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 6 내지 도 9를 참조하면, 실시예에 따라, 몸체(210)의 캐비티(212) 측벽의 내측면에 제1 광추출 패턴(P1)이 위치할 수 있다. 제1 광추출 패턴(P1)은 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 몸체(210)의 외부를 향해 볼록한 볼록 패턴일 수도 있고, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 몸체(210)의 내부를 향해 오목한 오목 패턴일 수도 있다.
몸체(210)의 캐비티(212) 측벽의 내측면에 제1 광추출 패턴(P1)을 형성하여 발광소자(100)에서 발생된 광을 난반사시킴으로써 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 7 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 광추출 패턴(P1)이 형성된 캐비티(212)의 측벽의 내측면에 반사 부재(214)가 배치될 수도 있다. 반사 부재(214)는 반사율이 높은 금속을 포함할 수 있으며, 일 예로서 Al, Ag, Au, 또는 이들을 포함한 합금을 포함하여 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
도 10 내지 도 13은 도 5의 D 부분을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 10 내지 도 13을 참조하면, 실시예에 따라, 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 표면에 제2 광추출 패턴(P2)이 위치할 수도 있다. 일 예로서, 제2 리드 프레임(222)만을 도시하였으나, 제1 리드 프레임(221)의 표면에도 제2 광추출 패턴(P2)이 위치할 수 있다. 제2 광추출 패턴(P2)은 광추출 효율을 향상시키기 위한 것이므로, 캐비티(212)를 통해 노출된 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 표면에만 위치할 수 있다.
제2 광추출 패턴(P2)은 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 외부를 향해 볼록한 볼록 패턴일 수도 있고, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 내부를 향해 오목한 오목 패턴일 수도 있다.
도 11 및 도 13에 도시된 바와 같이, 제2 광추출 패턴(P2)이 형성된 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 표면에 반사 부재(214)가 배치될 수도 있다. 반사 부재(214)는 반사율이 높은 금속을 포함할 수 있으며, 일 예로서 Al, Ag, Au, 또는 이들을 포함한 합금을 포함하여 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
도 14는 도 5의 E 부분을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 14를 참조하면, 몸체(210)는 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222) 사이에 배치된 전극 분리 영역(216)을 포함한다. 전극 분리 영역(216)은 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)을 전기적으로 분리하는 역할을 한다.
실시예에 따라, 전극 분리 영역(216)은 제1,2 리드 프레임(221, 222)보다 상부로 돌출된 돌출부(216a)를 포함할 수 있다. 전극 분리 영역(216)의 돌출부(216a)는 발광소자(100)에서 생성된 광을 반사시켜 광추출 효율 개선에 기여하며, 몰딩부(230)와의 접촉 면적을 증가시켜 몰딩부(230)와 몸체(210)가 견고하게 결합할 수 있도록 한다.
도 15는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면이다.
도 15를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 발광 모듈(710)에서 방출된 빛이 리플렉터(720)와 쉐이드(730)에서 반사된 후 렌즈(740)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.
상기 발광 모듈(710)은 회로기판 상에 발광소자 패키지가 복수 개로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.
도 16은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면이다.
도 16을 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(800)는 발광 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.
발광 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 상술한 바와 같다.
상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.
상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.
본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.
상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
200: 발광소자 패키지 210: 몸체
212: 캐비티 212R: 라운드 영역
216: 전극 분리 영역 221, 222: 전극 분리 영역
230: 몰딩부 710: 발광 모듈
720: 리플렉터 730: 쉐이드
800: 표시장치 810: 바텀 커버
820: 반사판 840: 도광판
850: 제1 프리즘시트 860: 제2 프리즘시트
870: 패널 880: 컬러필터

Claims (12)

  1. 측벽 및 바닥면을 포함하는 캐비티를 갖는 몸체;
    상기 캐비티 내에 배치되는 발광소자; 및
    상기 발광소자와 전기적으로 연결된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임;을 포함하고,
    상기 캐비티는 서로 이격된 복수 개의 라운드 영역을 포함하고, 인접한 두 개의 라운드 영역 사이에 상기 캐비티의 측벽의 일부가 중첩되어 배치된 발광소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 라운드 영역 각각은 상기 캐비티의 바닥면을 기준으로 0.3mm 내지 0.4mm 범위의 반경을 갖는 발광소자 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 라운드 영역은 상기 캐비티의 바닥면에서부터 측벽의 일부까지 연장되어 배치된 발광소자 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임 사이에 배치된 전극 분리 영역을 포함하고, 상기 전극 분리 영역은 상기 제1,2 리드 프레임보다 상부로 돌출된 발광소자 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐비티의 측벽의 내측면에 제1 광추출 패턴이 위치하는 발광소자 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐비티 내에 배치된 상기 제1,2 리드 프레임의 표면에 제2 광추출 패턴이 위치하는 발광소자 패키지.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐비티의 내측면 또는 상기 제1,2 리드 프레임의 표면에 반사 부재가 배치된 발광소자 패키지.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 광추출 패턴은 상기 몸체의 내부를 향해 오목한 오목 패턴이거나, 상기 몸체의 외부를 향해 볼록한 볼록 패턴인 발광소자 패키지.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2 광추출 패턴은 상기 제1,2 리드 프레임의 내부를 향해 오목한 오목 패턴이거나, 상기 제1,2 리드 프레임의 외부를 향해 볼록한 볼록 패턴인 발광소자 패키지.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐비티는 제1 라운드 영역, 상기 제1 라운드 영역과 제1 방향을 따라 나란히 배치된 제2 라운드 영역, 상기 제1 라운드 영역과 대각선 방향으로 마주한 제3 라운드 영역, 및 상기 제1 라운드 영역과 대각선 방향으로 마주한 제4 라운드 영역을 포함하는 발광소자 패키지.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 라운드 영역과 상기 제2 라운드 영역의 거리와 상기 제1 라운드 영역과 상기 제3 라운드 영역 사이의 거리가 서로 다른 발광소자 패키지.
  12. 측벽 및 바닥면을 포함하는 캐비티를 갖는 몸체;
    상기 캐비티 내에 배치되는 발광소자; 및
    상기 발광소자와 전기적으로 연결된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임;을 포함하고,
    상기 캐비티의 바닥면은 제1 선분 및 상기 제1 선분과 마주하는 제2 선분을 포함하고, 상기 제1 선분과 상기 제2 선분 사이의 거리가 일정하지 않은 발광소자 패키지.
KR1020130004394A 2013-01-15 2013-01-15 발광소자 패키지 KR20140092088A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130004394A KR20140092088A (ko) 2013-01-15 2013-01-15 발광소자 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130004394A KR20140092088A (ko) 2013-01-15 2013-01-15 발광소자 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140092088A true KR20140092088A (ko) 2014-07-23

Family

ID=51738937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130004394A KR20140092088A (ko) 2013-01-15 2013-01-15 발광소자 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140092088A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016080676A1 (ko) * 2014-11-18 2016-05-26 엘지이노텍(주) 발광소자 패키지

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016080676A1 (ko) * 2014-11-18 2016-05-26 엘지이노텍(주) 발광소자 패키지
US10374135B2 (en) 2014-11-18 2019-08-06 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6339161B2 (ja) 発光素子パッケージ
CN108700731B (zh) 光学透镜和具有该光学透镜的灯单元
JP2023130396A (ja) 照明モジュール及びこれを備えた照明装置
CN102537780B (zh) 发光器件模块和包括发光器件模块的背光单元
JP6457713B2 (ja) 発光素子パッケージ
KR101830717B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR20150027480A (ko) 발광 소자 패키지
KR102371290B1 (ko) 광원 패키지 및 그를 포함하는 백라이트 유닛
KR20240012590A (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR102160775B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR101806551B1 (ko) 형광체 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20140092088A (ko) 발광소자 패키지
KR101724699B1 (ko) 발광 장치 및 조명 시스템
KR101813167B1 (ko) 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템
KR101888603B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 표시장치
KR101992367B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함한 소켓형 발광 패키지
KR102145920B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102425618B1 (ko) 광원 패키지 및 그를 포함하는 백라이트 유닛
KR20200126290A (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR20130114872A (ko) 발광소자 패키지
KR102221599B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR101928358B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101894349B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
KR102160777B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102160779B1 (ko) 발광소자 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application