TWI489656B - 發光二極體、發光二極體之製造方法、發光二極體模組及發光二極體模組之製造方法 - Google Patents

發光二極體、發光二極體之製造方法、發光二極體模組及發光二極體模組之製造方法 Download PDF

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Description

發光二極體、發光二極體之製造方法、發光二極體模組及發光二極體模組之製造方法 相關申請案的交互參照
本申請案主張在韓國智慧財產局於2011年10月12日申請之韓國專利申請案案號10-2011-0104223、2011年3月25日申請之韓國專利申請案案號10-2011-0027021以及2011年3月25日申請之韓國專利申請案案號10-2011-0027033的優先權，該等申請案的揭露內容併入本申請案作為參考。
本發明是關於具有一致波長轉換特性的發光二極體(LED)、該LED的製造方法、LED模組以及該LED模組的製造方法。
發光二極體(LED)晶片是將電能轉換為光學能量的半導體裝置。該LED晶片包含根據能量帶隙產生具有特定波長的化合物半導體。LED的使用擴展至顯示器領域，例如行動顯示器與電腦螢幕、液晶顯示器(LCD)的背光單元領域，以及發光領域。
通常，LED的製造是使用螢光體樹脂至LED晶片的上部，因而LED可產生具有所要波長的光。例如，分配螢光體樹脂在LED晶片的上部，製造具有凸面半球面的白LED。
根據另一範例，可在基板上放置遮罩，暴露附接在該基板上的至少一LED晶片，以及螢光體樹脂可被印刷。接著，可移除該遮罩，因而製造具有直角平行六面體表面的 白色LED。
然而，在前述習知方法中，由於螢光體樹脂並非一致使用，所以無法得到一致的白光。當螢光體樹脂的一致性極低時，可增加色彩分布的非一致性，因而LED無法應用於產物。因此，產率受到影響。
當藉由分散方式使用螢光體樹脂時，以一片晶片接著一片晶片方式進行製程。因此，每單位時間的生產率被認為是減少的。再者，當使用該遮罩進行螢光體樹脂的印刷時，移除該遮罩時，該螢光體樹脂可形變。
藉由在印刷電路板(PCB)上固定LED封裝而將該LED封裝模組化的結構對於LED模組的微小化具有限制，並且由於在至少兩個固定製程過程中的高錯誤率而不會降低LED模組的價格。由於LED的波長與發光偏差、與例如鉛框的工藝相關的製造耐受度以及與螢光體包覆製程、鏡片模組製程等相關的製程耐受性，該LED封裝的發光與顏色可能具有偏差。
為了改善LED模組的光學一致性，例如作為所得產物的LED模組的發光與顏色一致性，可進行儲存分組具有不同發光程度的不同LED，以及可同時使用不同組的LED。
在LED中形成螢光體層的螢光體層形成方法可在基板上固定LED之前，將基板包覆螢光體，因而在LED晶片階層發出白光。此方法的範例包含電泳方案、噴霧方案、印刷方案、模組方案、螢光體預成形物附接方案等。
在垂直LED晶片的例子中，在已經附接至基板的晶片 上形成螢光體層的方法可包含使用傳導黏著物，將LED晶片附接在該基板上，包含接線、藉由線結合連接電極與另一電極、以透明黏著物包覆頂側，以及附接螢光體預成形物至該頂側。然而，前述方法對於製造提供白光的LED晶片具有困難，並且對於在LED封裝階層中降低顏色分散具有限制。
市場要求的顏色分散範圍降低，以及顏色分散的降低可決定與品質及產率相關的競爭力。因此，需要得到高產率降低顏色分散範圍以及改善生產力與競爭力的方法。
本發明之一方面係提供發光二極體(LED)，包含螢光體模與插入該螢光體模中的LED晶片，該螢光體模包含螢光體與樹脂。
本發明之另一方面係提供LED、該LED的製造方法、LED模組以及該LED模組的製造方法，藉由使用螢光體預成形物(phosphor pre-form)而達到一致波長轉換特性與顏色分布的低非一致。
本發明的另一方面係提供LED、該LED的製造方法、LED模組以及該LED模組的製造方法，藉由使用螢光體預成形物增加每單位時間的生產力。
本發明的再一方面係提供LED、該LED的製造方法、LED模組以及該LED模組的製造方法，藉由在LED晶片上的兩步驟結構中形成第一凸塊與第二凸塊，固定螢光體預形成物與線結合空間的結合力。
根據本發明，提供製造的LED的方法，包含製造複數個LED晶片、製造螢光體預形成物，包含複數個固定區域用於固定該複數個LED晶片、在該螢光體預形成物內側施加黏著物、將該複數個LED晶片的每一個LED晶片固定在該複數個固定區域的每一固定區域中，以及將被該複數個LED晶片固定的該螢光體預形成物切割成包含個別LED晶片的單元。
根據本發明的另一方面，提供LED，包含螢光體片與LED晶片，該螢光體片包含固定區域以及形成在該固定區域的底部表面上的複數個支撐物，該LED晶片藉由光發散表面結合至該固定區域的內側而由該複數個支撐物支撐。
根據本發明的另一方面，提供LED模組的製造方法，該製造方法包含製造複數個LED晶片、製造螢光體預形成物，包含複數個固定區域用於固定該複數個LED晶片、在該螢光體預形成物內側施加黏著物、將該複數個LED晶片中的每一個LED晶片固定在該複數個固定區域中的每一個固定區域中、將被該複數個LED晶片固定的該螢光體預形成物切割成包含個別LED晶片的單元，以及將該個別LED固定在基板上。
根據本發明的另一方面，提供LED模組，包含具有電路圖案的基板、螢光體片包含固定區域以及形成在該固定區域的底部表面上的複數個支撐物、藉由光發散表面結合至該固定區域的內側而由該複數個支撐物支撐的LED晶片，沿著該螢光體片被固定在該基板上，以及位在該螢光 體片上的鏡片部分。
詳細內容請參閱本發明的實施例，附隨圖式的相同元件符號是指相同的元件。在本發明的說明中，如果相關揭露技藝或架構的詳細說明不存在被認為是不造成與本發明的標的模糊不清，則可省略。以下使用的詞語定義是以其在本發明中的功能為基礎，並且可根據使用者、使用者用益或實施而改變。因此，該詞語的定義應以整個說明書為基礎。
第1圖是根據本發明的實施例說明發光二極體(LED)的橫切面圖。參閱第1圖，根據本發明的實施例，LED可包含螢光體模10以及插入該螢光體模10中的LED晶片11，該螢光體模10包含螢光體粒與透明樹脂。再者，可在該LED晶片11上形成電連接部分12。該電連接部分12可為凸塊。雖然第1圖說明覆晶型式LED，但本發明的實施例可使用於任何其他型式的LED。
該螢光體模10可包含螢光體粒，可接收LED晶片11發出的紫外光(UV)或藍光，因而發出白光，以及包含透明樹脂。以適當的混合比例，混合至少一螢光體粒與該透明樹脂，而得到該螢光體模10。該透明樹脂可以是具有高黏著強度、高抗熱性、低濕性與高光穿透性的材料。例如，該透明樹脂可以是聚合物樹脂、環氧樹脂或矽硬化樹脂。由於可藉由硬化模內的螢光體粒與透明樹脂而形成該螢光體模10，所以該螢光體模10可以是熱固性樹脂。在本申 請案中，該螢光體粒的型式與內容不受限，且可根據LED的光學性質與封裝程度而控制。例如，該螢光體粒可包含矽酸鹽、三氧化矽、過氧磷酸鹽、鹼土氧化物或稀土元素，含量約幾至數十重量百分比(%)。再者，在製造該螢光體模10的過程中，可加入例如硬化劑、加速劑與模釋放劑的添加物。
該螢光體模10可包含具有固定該LED晶片11的凹槽形狀與尺寸。例如，使用模的注入製程可製造該螢光體模10，包含可插入該LED晶片11的凹槽。
在製造該螢光體模10的過程中，藉由控制該模的形狀，可控制該螢光體模10的形狀與螢光體模10的凹槽。雖然螢光體模10與凹槽C可具有矩形結構，但本發明並不受限於此，並且該螢光體模10與該凹槽可具有多角形、圓形或橢圓形結構。同樣地，雖然該螢光體模10的角部具有角度的角形，但該螢光體模10的角部具有彎曲形狀。再者，可在該螢光體模10的頂部表面中，形成不平坦的表面結構或圖案。
例如，該LED晶片11可以是半導體LED，包含GaN半導體。然而，本發明並不受限於此，並且LED晶片11可以是任何種類的LED晶片，例如覆晶型式或是epi-up型式。
而後，根據本發明的實施例，參考附隨圖式描述製造LED的方法。
第2A與2B圖是根據本發明的實施例說明製造LED的方法。
參閱第2A圖，包含螢光體粒與透明樹脂的該螢光體模10可位在基膜20上。參閱第2B圖，LED晶片11可插入該螢光體模10的凹槽中。在此狀態中，該螢光體模10可不完全硬化或是暫時硬化。亦即該螢光體模10可以是預形成物狀態。在該LED晶片11插入該螢光體模10的該凹槽之後，不完全硬化的螢光體模10可被硬化，因而結合至該LED晶片11。在預先製造的LED晶片之外，只有符合所需效能的LED晶片11可被選擇，並且插入該螢光體模10的該凹槽中。
除了使用硬化技術的前述直接結合方法之外，可藉由加入額外的結合材料，使得該螢光體模10與該LED晶片11可彼此結合，如第3A圖至第3C圖所述。
第3A圖至第3C圖是根據本發明的另一實施例，說明製造LED的方法。
參閱第3A圖，包含螢光體粒與透明樹脂的螢光體模10可位在基膜20上，以及結合材料14可插入該螢光體模10的凹槽中。在此狀態中，該螢光體模10可以是暫時硬化或完全硬化。
參閱第3B圖與第3C圖，LED晶片11可插入該螢光體模10的凹槽中，以及可進行硬化，因而該LED晶片11結合至該螢光體模10的內部。由於該結合材料14先注入至該螢光體模10的該凹槽中，所以該LED晶片11可簡單結合至該螢光體模10的凹槽內部。由於該結合材料14預先注入至該螢光體模10的該凹槽中，所以該LED晶片11可 簡單結合至該螢光體模10的凹槽內部。
在本申請案中，該結合材料14可為光敏感黏著物(PSA)、聚烯烴與光聚合的丙烯酸樹脂的單一或複合材料，或光聚合聚亞醯胺、環氧樹脂為基礎的聚合物與矽為基礎的光聚合物材料的單一或複合材料。
根據本發明的實施例，LED可產生為大量的陣列型式。藉由使用模射出成型而將該螢光體模10製造為陣列型式，描述如第4A圖至第4C圖。
第4A圖至第4C圖是根據本發明的實施例說明製造LED為陣列型式的方法。
第4A圖是包含複數個凹槽C陣列的螢光體模10平面圖。在該螢光體模10中形成的凹槽C數目不受限，以及根據該LED晶片11的形狀可決定該凹槽C的深度與直徑。考量切割該凹槽C的後續製程，可選擇凹槽C之間的間隔。
雖然第4A圖說明該螢光體模10與該凹槽C具有矩形形狀，但本發明並不受限於此，以及該螢光體模10與該凹槽的形狀可有不同的修飾。除了矩形結構之外，該螢光體模10與該凹槽C可具有多角形、圓形或橢圓結構。同樣地，該螢光體模10的端部可具有有角度的角形或具有弧度的任何形狀。可在該LED晶片11固定的該螢光體模10的表面中，形成不平坦表面或圖案。
第4B圖是說明插入LED晶片11至該陣列型式螢光體模10的個別凹槽C中得到的結合結構的切面圖。如第4B圖所示，根據本發明的實施例，該LED的製造可分別包含 製造該螢光體模10，包含螢光體粒與透明樹脂，以及藉由將該LED晶片11插入該螢光體模10的該凹槽C中而結合該LED晶片11與該螢光體模10。
第4C圖說明第4B圖中顯示的切割陣列型式LED的製程圖式。為了增加製造效率，LED可大量生產為陣列型式，且視需要使用切割物件13將LED切割為個別封裝。
雖然僅說明覆晶封裝，其中在該LED晶片11的頂部表面上形成電極連接部分12，但根據本發明的實施例，LED可使用具有其他不同形狀的LED晶片11。為達此目的，該螢光體模10可包含穿孔，可形成電極連接部分通過該穿孔。
第5圖是根據本發明的實施例說明LED的圖式，其中螢光體模30包含穿孔32。
參閱第5圖，可製備螢光體模30，以及可在該螢光體模30的凹槽中，形成LED晶片31。可在該LED晶片31的下部形成該穿孔32，穿過該螢光體模30。該穿孔32作為電極連接部可連接穿過該LED晶片31的側表面。為達此目的，可在該螢光體模30的形成過程中，控制該穿孔32的位置。
第6圖是第5圖的LED封裝的該螢光體模30的平面圖。參閱第6圖，該螢光體模30可包含凹槽C的陣列，用以製造複數個LED封裝。可在各個凹槽C中，形成該穿孔32，用於形成該電極連接部。
在該螢光體模30的形成過程中，藉由控制模的形狀， 該螢光體模30與其凹槽C的形狀可有不同的修飾。雖然第6圖說明該螢光體模30與該凹槽C具有矩形結構，但本發明並不受限於此，以及該螢光體模30與該凹槽C可具有多角形、圓形或橢圓結構。再者，該螢光體模30的角部可具有角度的角形或是有弧度的形狀。可在該螢光體模30的表面中，形成不平坦的表面或圖案。
第7圖與第8圖是根據本發明的實施例說明螢光體預形成物40。更明確地，第7圖是上述螢光體預形成物40的平面圖，而第8圖是第7圖中沿著線A-A’切割的螢光體預形成物40的橫切面圖。
參閱第7圖與第8圖，該螢光體預形成物40可包含複數個固定區域41，用於固定發光二極體(LED)晶片。該複數個固定區域41可各包含凹處，可接收上至側表面的LED晶片。
第一支撐物41a、第二支撐物41b與第三支撐物41c可位在該複數個固定區域41各自的底部表面上。
該第一支撐物41a、該第二支撐物41b與第三支撐物41c可指示用於各固定區域41中黏著物的適當厚度，同時支撐固定在各固定區域41中的該LED晶片。該第一支撐物41a、該第二支撐物41b與第三支撐物41c的位置平衡，用以支撐該LED晶片。
如第8圖所示，該第一支撐物41a、該第二支撐物41b與第三支撐物41c可自各固定區域41的底部表面突出。由於可透過該突出結構辨識該黏著物的該適當厚度，故可便 於黏著物的使用。同樣地，可避免光學特性的退化以及溢出黏著物造成產生缺陷LED。
第9A圖與第9B圖說明第7圖與第8圖所示製造該螢光體預形成物40的製程。
第7圖與第8圖所是該螢光體預形成物40的製造方法可包含混合螢光體粒與透明樹脂而製造螢光體樹脂1，以及在第一模50中注入該螢光體樹脂1。
該螢光體模50可包含矩形的接收部，對應於該螢光體預形成物40的外觀。該螢光體樹脂1可注入該接收部中。
接著，如第9B圖中所示，該螢光體預形成物40的製造方法可包含藉由第一模60加壓該螢光體樹脂1。
更明確地，該第一模60的大小可被接收於該第一模50的該接收部中。亦即該第一模60的周長比該第一模50的周長短。
該第一模60的加壓表面的結構可對應於該螢光體預形成物40。亦即該加壓表面可包含複數個突出部31，用於形成複數個固定區域41、複數個第一凹處31a用於在該複數個固定區域41的每一個中形成第一支撐物41a、第二支撐物41b與第三支撐物41c，以及複數個凹處32用於在固定區域的單元中分割該螢光體樹脂1。
當在該第一模50中接收該第一模60以及該加壓表面加壓該螢光體樹脂1時，可移除該螢光體樹脂1，隔開該第一模50與該第一模60。可在此狀態中進行該螢光體樹脂1的未完全硬化。
在藉由第9B圖中所述的第一模60加壓該第一模50中注入的該螢光體樹脂1之後，移除該第一模50與該第一模60，因而製造第7圖與第8圖所示的該螢光體預形成物40。
第10A圖與第10B圖是根據本發明的另一實施例說明製造螢光體預形成物的製程。
參閱第10A圖，螢光體預形成物的製造方法可包含藉由第二模70加壓第一模50中注入的螢光體樹脂80。由該第二模70加壓的螢光體樹脂可被部分硬化，因而製造螢光體預形成物80。
該第二模70的加壓表面可包含複數個突出部71、複數個第一凹處71a與複數個第二凹處72。
然而，該第二模70的突出部71可包含不平坦的表面圖案P。因此，當使用第10A圖所示的該第二模70製造該螢光體預形成物80時，該不平坦的表面圖案P可直接轉換至該螢光體預形成物80。
接著，藉由從螢光體片80’移除該第一模50與該第二模70，可得到第10B圖所示的螢光體預形成物200’。該螢光體預形成物80’可包含複數個固定區域81以及複數個支撐物82位於各個該複數個固定區域81的底部表面上。此外，該複數個固定區域81的底部表面可各包含不平坦的表面圖案。
第11A圖與第11B圖是根據本發明的實施例說明螢光體預形成物40’與90中包含的支撐物的不同架構。由於 第11A圖與第11B圖中該螢光體預形成物40’與90的說明用來解釋支撐物，分別僅顯示該螢光體預形成物40’與90中的單一固定區域41與91。
該第11A圖中所示的螢光體預形成物40’可為單元螢光體預形成物，從第7圖的螢光體預形成物40切割成為單元晶片。參閱第11A圖，該螢光體預形成物40’可包含LED晶片的固定區域41、第一支撐物41a、第二支撐物41b與第三支撐物41c。
該第一支撐物41a、該第二支撐物41b與該第三支撐物41c可位於與該固定區域41的底部表面的中心點P1相距預先決定的距離。當連接該第一支撐物41a與該第二支撐物41b，連接該第二支撐物42b與該第三支撐物41c，以及連接該第三支撐物41c與該第一支撐物41a時，可配置該第一支撐物41a、該第二支撐物41b與該第三支撐物41c，形成三角形。在此範例中，該第一支撐物41a、該第二支撐物41b與該第三支撐物41c可為該三角形的頂點。
雖然第1圖和第7圖所示的該第一支撐物41a、該第二支撐物41b與該第三支撐物41c可具有圓筒形，但並不受限於此，可使用其他形狀，例如矩形柱狀物。
該第一支撐物41a、該第二支撐物41b與該第三支撐物41c具有微米(μm)單位的寬度或直徑、長度與高度。例如，該第一支撐物41a、該第二支撐物41b與該第三支撐物41c的長度與高度皆約為10μm。然而，大小尺寸並不特別受限，而是可根據固定區域41的大小或支撐物的數目 而變化。
參閱第11B圖，該螢光體預形成物90可包含LED晶片的固定區域91、第一支撐物91a、第二支撐物91b、第三支撐物91c與第四支撐物91d。
該第一支撐物91a至該第四支撐物91d可位於與預固定區域310的底部表面的中心點P2相距預先決定的距離。該第一支撐物91a至該第四支撐物91d可與該固定區域91的個別角相鄰。
該第一支撐物91a至該第四支撐物91d可配置為相對於該中心點P2為軸對稱結構或是點對稱結構。當配置對稱時，該第一支撐物91a至該第四支撐物91d可更穩定支撐固定在固定區域310中的LED晶片。同樣地，該LED晶片可固定於相同高度。
此外，當連接該第一支撐物91a與該第二支撐物91b，連接該第二支撐物91b與該第三支撐物91c，連接該第三支撐物91c與該第四支撐物91d，以及連接該第四支撐物91d與該第一支撐物91a時，該第一支撐物91a至該第四支撐物91d可配置形成矩形。
該第一支撐物91a至該第四支撐物91d具有微米單位的寬度、長度與高度。可根據用於該固定區域310的黏著物的適當厚度，而變化該高度。
第12A圖至第12D圖是根據本發明的實施例說明LED的製造方法。為了說明方便，第12A圖至第12D圖的說明參照第8圖所示的螢光體預形成物40。
參閱第12A圖，LED的製造方法可包含在第2圖所示的該螢光體預形成物40內側，施加黏著物3。
該黏著物3的高度不超過該複數個固定區域41中提供的該第一支撐物41a、該第二支撐物41b與該第三支撐物41c的高度。亦即可使用該第一支撐物41a至該第三支撐物41c，僅施加適當數量的該黏著物3。因此，可防止缺少該黏著物3造成的結合力降低。同樣地，可防止該黏著物3過多厚度造成的光學特性退化。
參閱第12B圖，LED的製造方法可包含固定LED晶片100在各該複數個固定區域41中。在此實施例中，該LED晶片100可包含在一表面上的光發射表面，以及具有電極的覆晶結構位於相對於該光發射表面的另一表面上。該LED晶片100的光發射表面被固定至各該複數個固定區域41。在本申請案中，可先在該LED晶片的電極處，形成凸塊。
如第12C圖所示，在該LED晶片100被固定在各該複數個固定區域41的狀態中，該製造方法可包含該黏著物3的未完全硬化，該LED晶片100與該螢光體預形成物40彼此結合。
參閱第12D圖，該製造方法可包含將第12C圖所示的該螢光體預形成物40切割為包含個別LED晶片的單元。各個該個別LED晶片可以是單元螢光體預形成物40’附接的該LED晶片100。
因此，由於該單元螢光體預形成物40’具有一致厚 度，所以該LED晶片100可具有一致的波長轉換特性。在該LED晶片100的該光發射表面與側表面，該單元螢光體預形成物40’可具有一致厚度。例如，該厚度可為約5微米或更小。因此，關於白光，包含該單元螢光體預形成物40’的該LED晶片100可具有改善的色彩重製特性。此外，可減少色彩分布的非一致性。
再者，通過大面積片階層而非個別晶片單元，進行關於該複數個LED晶片的單元螢光體預形成物40’的形成。因此，可增加每單位時間的生產率。
同樣地，在該LED晶片100固定至該螢光體預形成物40之後，進行切割。因此，可改善該LED晶片100與該單元螢光體預形成物40’的形狀與對準。
第13圖是根據本發明的另一實施例說明由製造方法製造的LED。
該LED的製造可藉由在包含第10B圖所示不平坦的表面圖案P的該螢光體預形成物80’上，固定複數個LED晶片100，而後將該螢光體預形成物80’切割成為包含個別晶片的單元。各個該個別LED晶片可為該螢光體預形成物200’附接的該LED晶片100。
參閱第12D圖與第13圖，該LED晶片100的光發射表面具有覆晶結構，分別結合至該螢光體預形成物40與80。然而，該LED晶片的結構可為其他形式。
第14A圖與第14B圖是根據本發明的實施例說明LED模組的製造方法。
參閱第14A圖，該LED模組的製造方法可包含第12A至12D圖的方法製造的LED覆晶結合在基板120上。該基板120可包含第一電路圖案121與第二電路圖案122連接至外部電路或外部電源。因此，該LED可為覆晶結合在該基板120上，因而提供在該LED晶片100的電極面對該第一電路圖案121與該第二電路圖案122。
該LED晶片100的光發射表面可附接該單元螢光體預形成物40’。
接著，如第14B圖所示，可藉由使用透明樹脂至LED晶片100的上部與該單元螢光體預形成物40’，形成鏡片部分130。
第15A圖至第15F圖是根據本發明的另一實施例說明LED的製造方法。
第15A圖說明一晶片LED的製造過程。
參閱第15A圖，LED晶片200具有垂直結構，並且包含第一電極211與第二電極212位於包含光發射表面的一表面上。根據此實施例的製造方法，在該LED晶片200的該第一電極211與該第二電極212上，形成第一凸塊221與222。藉由電鍍金屬材料而形成該第一凸塊221與222，該第一凸塊221與222可具有圓筒形。
該第一凸塊221與222可形成為第一尺寸。該第一尺寸可包含至少一元素，選自第一寬度w1、第一長度與第一高度h1。根據此實施例，該第一凸塊221與222具有第一寬度w1與第一長度相同的圓筒形。
第15B圖是根據本發明的另一實施例說明螢光體預形成物700。
由於使用具有覆晶結構的LED晶片，所以第7圖與第8圖所示的螢光體預形成物40不需要暴露電極。然而，由於包含電極的表面結合至螢光體預形成物的固定區域，所以具有epi-up結構或垂直結構的LED晶片需要暴露電極。因此，第15B圖說明該螢光體預形成物700用於固定具有該epi-up結構或該垂直結構的LED晶片。
該螢光體預形成物300可包含單一固定區域310，用於固定第15A圖中所示的該LED晶片200。然而，這只是範例。因此，事實上，該螢光體預形成物可包含複數個固定區域。
該螢光體預形成物300可包含凸塊接收部311與312以及支撐物311a與312a，位於該固定區域310的底部表面。
該凸塊接收部311與312用於接收該LED晶片200的第一凸塊221與222。因此，該凸塊接收部311與312可具有圓筒形對應於該第一凸塊221與222的形狀。
該凸塊接收部311與312的直徑可大於該第一凸塊221與222的第一寬度w1 ，用以平滑接收該第一凸塊221與222。同樣地，該凸塊接收部311與312的高度稍小於該第一凸塊221與222的第一高度h1 ，因而該第一凸塊221與222稍微突出。
該支撐物331a與312a可連接至該凸塊接收部311與 312，並且從該固定區域310的該底部表面突出。該支撐物331a與312a可指示黏著物的適當厚度，因而防止該黏著物溢出至該凸塊接收部311與312。
可用前述方式製造第15B圖所示的螢光體預形成物300，亦即使用模加壓螢光體樹脂，以及未完全硬化該螢光體樹脂。
參閱第15C圖，該LED的製造方法可包含在該螢光體預形成物300的固定區域310中，施加黏著物320。施加的該黏著物320不超過該支撐物311a與312a的高度。此外，該黏著物320僅施加在該固定區域310的底部表面，除了該凸塊接收部311與312。
參閱第15D圖，該LED的製造方法可包含將該LED晶片200固定至該螢光體預形成物300。如第15A圖所示，該LED晶片200可包含該第一電極211與該第二電極212位於一表面上，以及該第一凸塊211與222位於該第一電極211與該第二電極212上。根據此結構，該LED晶片200可固定在該固定區域310中，因而該第一凸塊211與222被接收在該凸塊接收部311與312中。
在該LED晶片200固定至該螢光體預形成物300之後，該螢光體預形成物300可完全硬化，因而製造LED。該完全硬化的預形成物300作為螢光體層可轉換該LED晶片200發射的光波長。
參閱第15E圖，該LED的製造方法可包含藉由拋光該螢光體預形成物300的一表面而打開該凸塊接收部311與 312。可藉由該拋光而打開該凸塊接收部311與312，因而暴露該第一凸塊221與222。該拋光的螢光體預形成物300的厚度約為5微米或更小。
參閱第15F圖，該LED的製造方法可包含在該第一凸塊221與222上，形成第二凸塊231與232。該第二凸塊231與232可位在該凸塊接收部311與312內該螢光體預形成物的外部，因而結合至該第一凸塊221與222。在此實施例中，該第二凸塊231與232可具有第二尺寸，大於該第一凸塊221與222的第一尺寸。該第二尺寸可包含至少一元素，選自於第二寬度w2 、第二長度與第二高度h2 。
該第二凸塊231與232可具有圓筒形，類似於該第一凸塊221與222的形狀。該第二寬度w2 可大於該第一寬度w1 。由於該第二凸塊231與232具有線結合結構，所以該第二寬度w2 可大於線的橫切面直徑。例如，當線的橫切面直徑是1.5mil時，該第二寬度w2 可大於1.5mil。
此外，該第二凸塊231與232的寬度可大於該凸塊接收部311與312的寬度。因此，在該螢光體預形成物300的外部，結構覆蓋該凸塊接收部311與312的該第二凸塊231與232可固定該螢光體預形成物300。
第16A至16B圖是根據本發明的另一實施例說明LED的製造方法。
參閱第16A圖，該LED的製造方法可包含在基板400上結合第15A至15F圖所示方法製造的LED。
該基板400可包含第一電路圖案410與第二電路圖案 420連接至外部電路或外部電源。在結合該LED之後，線241與242可結合至該第一電路圖案410與該第二電路圖案420，以及形成在該螢光體預形成物300外部的兩個凸塊231與232，如第16B圖所示。
接著，如第16B圖所示，可施加透明樹脂至該螢光體預形成物700’的上部，因而形成鏡片部分250。
在第16B圖所示的LED中，在該LED晶片200的該光發射表面與側表面上，該螢光體預形成物300可形成為厚度約5微米或更小。該螢光體預形成物300可增加色彩重製特性，同時減少色彩分布的不一致性。
此外，由於藉由位於該凸塊接收部711與712上的第二凸塊231與232而固定該螢光體預形成物300，所以可增加對於該LED晶片200的結合力。
第17A與17B圖是根據本發明的另一實施例說明LED模組的製造方法。
第17A圖說明包含螢光體預形成物500與LED晶片600的LED。第17A圖所示的LED是以類似於第15A至15F圖所示的方法而製造。然而，根據此實施例，該LED晶片600可具有垂直結構，其中第一電極610位於上表面，而第二電極620位於下表面。該LED晶片600可更包含第一凸塊630，位在該第一電極610上。
為了固定該LED晶片600，該螢光體預形成物500可包含凸塊接收部810，用於接收該第一凸塊630。該凸塊接收部810的尺寸與形狀對應於該第一凸塊630，用於接收 該第一凸塊630。
藉由施加在該螢光體預形成物500內側的黏著物820，該螢光體預形成物500可結合至該LED晶片600。在該螢光體預形成物500的外部處，包含該凸塊接收部510的區域中形成第二凸塊630。該第二凸塊640的尺寸大於該第一凸塊630與該凸塊接收部810。該第二凸塊640可提供線結合空間，同時增加該螢光體預形成物500與該LED晶片600之間的結合力。
參閱第17B圖，該LED模組的製造方法可包含固定第17A圖的該LED於基板700上，以及進行線結合。
該基板700可包含第一電路圖案710與第二電路圖案720。藉由結合該LED晶片600的該第二電極920至該第一電路圖案710，該LED固定至該第一電路圖案710。在此狀態中，線50結合至通過該該螢光體預形成物500的圖塊接收部810而暴露的第二凸塊940以及第二電路圖案720。在本申請案中，該第二凸塊940尺寸大於該線950的橫切面，並且便於結合線950。
接著，該LED模組的製造方法可包含在該螢光體預形成物500的上部，形成鏡片部660。
根據前述實施例，該螢光體預形成物達到一致的波長轉換以及色彩分布的低非一致性。
此外，由於複數個LED晶片固定至螢光體預形成物，以及該螢光體預形成物被切割成為包含個別LED晶片的單元，所以可增加每單位時間的生產率。同樣地，可改善LED 晶片與螢光體預形成物的形狀與對準。
再者，由於第一凸塊與第二凸塊是在2-階段結構中形成在LED晶片上，因此可增加螢光體預形成物的結合力以及固定線結合空間。
根據本發明的實施例，螢光體層形成方法可包含製備具有相同光學性質的至少一LED晶片，製備螢光體預形成物，對應於該至少一LED晶片以及包含該螢光體預形成物與黏著層，以及結合該螢光體預形成物與該至少一LED晶片。通過前述方法，可製造具有波長轉換特性的LED。
根據本發明的實施例，用於在LED晶片上形成螢光體層的螢光體層形成方法可依各性質分類LED晶片，用以提供白光。藉由進行存放(binning)，該LED晶片配置於每一組。在本申請案中，存放是根據相同的光學性質，將LED晶片分類與分組的過程。亦即先根據相同的光學性質，分類與配置該LED晶片，以提供白光。因此，可改善光一致性，例如LED模組的發光、色彩一致性與類似性質。
根據在LED晶片上形成螢光體層的螢光體層形成方法，該螢光體預形成物可依形狀分為兩種型式。一種是薄膜型，用於透過LED晶片頂部發射最多光的結構，該LED晶片例如覆晶或垂直LED晶片，其成長基板被移除。另一種是凹槽型式，用於透過成長基板的頂部與側部發光的結構，該成長基板未被移除。當描述該凹槽型式螢光體預形成物與LED晶片的結合時，會描述該凹槽螢光體預形成物。
第18A至18F圖是根據實施例說明薄膜型式螢光體預 形成物800的結構。
參閱第18A至18F圖，該薄模型式螢光體預形成物800的結構可分為四種型式。型式(a)的薄膜型式螢光體預形成物800可包含載體薄膜810、光敏感黏著物(PSA)層820、螢光體層830、黏著層840以及覆蓋薄膜850。該覆蓋薄膜850可保護該黏著層840，且可在處理之前被移除。該黏著層840可幫助附接該螢光體層830至LED晶片的頂部。該PSA層820可為暫時黏著層，當照射紫外線時會失去黏性，因而該螢光體層830可輕易與該載體薄膜810分開。在該螢光體預形成物的轉換過程中，該載體薄膜810可保護該PSA層820與該螢光體層830。
在型式(b)薄膜型螢光體預形成物800中，該PSA層820從型式(a)薄膜型螢光體預形成物800移除。相較於包含該PSA層820的薄膜型螢光體預形成物，在型式(b)薄膜型螢光體預形成物800中，從該載體薄膜810分開該螢光體層830是困難的。然而，當LED晶片的尺寸小以及螢光體層830的黏性可調整時，該PSA層820可輕易被移除。
在型式(c)薄膜型螢光體預形成物800中，該黏著層840從型式(a)薄膜螢光體預形成物100移除。在型式(c)薄膜型螢光體預形成物800中，當該螢光體層830的黏性足以附接該薄膜螢光體預形成物800至該LED晶片或當藉由調整該螢光體層830中的硬化程度而優化螢光體層830的結合過程時，可移除該黏著層840。
在型式(d)薄膜型螢光體預形成物800中，該PSA層 820與該黏著層840從型式(a)薄膜螢光體預形成物800移除。由於層數減少，所以型式(d)薄膜型螢光體預形成物800在成本方面具有效益。在型式(d)薄膜型螢光體預形成物800中，當該螢光體層830設計用於保持最佳黏性或是當控制黏性的元素添加至該載體薄膜810與該螢光體層830之間的介面時，可移除該PSA層820與該黏著層840。該薄膜螢光體預形成物800的黏著層840的折射率可大於或等於該螢光體層830的折射率。因此，可將對於LEF晶片產生的光的光擷取效率最大化。參閱第18E圖，螢光體層830的頂部可被圖案畫成為不平坦的表面，而改善該光擷取效率。參閱第18F圖，可更包含形成該螢光體層830上的突出部860。
該突出部860的折射率可等於該螢光體層830的折射率，並且可由抗熱且透明的有機與無機聚合物組成。可使用先前圖案化覆蓋薄膜的狹縫晶粒印刷，形成該螢光體層830上的不平坦表面或是該突出部860上的不平坦表面。
該黏著層840可為透明的，因而該黏著層840發射光至外部，以及可包含環氧樹脂或是矽樹脂。高熱傳導粒子可平均分散在該黏著層840中，因而該LED晶片產生的熱可透過該螢光體層830而有效傳輸至外部，以及該粒子可為奈米級粒子。該黏著層840厚度範圍約40微米至60微米，以及厚度約為50微米的該黏著層840是令人滿意的。
當製備LED晶片與薄膜型式螢光體預形成物時，該LED晶片與薄膜形成螢光體預形成物可個別結合。複數個LED 晶片與複數個薄膜型式螢光體預形成物可同時結合。當LED晶片形成在晶圓上以及薄膜型式螢光體預形成物是片狀形式時，該LED晶片與該螢光體預形成物可同時結合。在此範例中，在結合之前，可配置該LED晶片與螢光體預形成物彼此對應。
以下描述結合該LED晶片與該薄膜型式螢光體預形成物的製程。
第19圖是根據實施例說明結合該薄膜型式螢光體預形成物800與LED晶片900。
參閱第19圖，可分別配置不同的薄膜型式螢光體預形成物800。該黏著層840可包含在該薄膜型式螢光體預形成物800的頂部，因而該LED晶片900可附接至該薄膜型式螢光體預形成物800。在本申請案中，該薄膜型式螢光體預形成物800與該LED晶片900可個別結合。
LED晶片200分別配置。在此範例中，該薄膜型式螢光體預形成物800可使用黏著層而個別結合至該LED晶片900。
依實施例，在LED晶片中形成螢光體層的螢光體層形成設備可同時結合複數個薄膜型式螢光體預形成物至複數個LED晶片。
第20A圖是根據實施例說明結合該LED晶片900與片狀形式的薄膜型式螢光體預形成物。第20B圖是根據實施例說明結合在第20A圖中個別分割的LED晶片900的俯視圖。
參閱第20A與20B圖，該薄膜型式螢光體預形成物1000可為片狀形式。可在片狀形式的薄膜型式螢光體預形成物1000上形成圖案化的孔洞1100，配置該LED晶片900。
該LED晶片900配置在彼此間隔的圖案化孔洞1100之間，該LED晶片900與該薄膜型式螢光體預形成物1000被結合，以及基於第20A圖所示的LED晶片900，可分割片狀形式的該薄膜型式螢光體預形成物1000。圖案化孔洞1100可作為導線，用於將該薄膜型式螢光體預形成物1000分割為該LED晶片900。
在LED晶片中形成螢光體層的螢光體層形成設備可同時結合片狀形式的薄膜型式螢光體預形成物與複數個LED晶片，以及可分割該薄膜型式螢光體預形成物。
第21圖是根據實施例說明結合晶圓1200上的LED晶片900與薄膜型式螢光體預形成物1300。
參閱第21圖，提供該LED晶片900，形成在該晶圓1200上。該LED晶片900與該薄膜型式螢光體預形成物1300結合，以及可基於該LED晶片900而分割該晶圓1200。該薄膜型式螢光體預形成物1300可結合至該晶圓1200上的該LED晶片900，以及可基於該LED晶片900而分割該薄膜型式螢光體預形成物1300。
取決於本發明的實施例，在LED晶片中形成螢光體層的螢光體層形成設備可同時結合晶圓上的LED晶片與薄膜型式螢光體預形成物，以及螢光體層形成設備可基於該LED晶片而分割該晶圓。
依本發明的實施例，螢光體預形成物可為片狀形式，以及LED晶片可形成在晶圓上。形成在晶圓上的LED晶片可結合至該片狀形式的螢光體預形成物，以及可基於LED晶片單元，分割該片狀形式的螢光體預形成物與該晶圓。
取決於本發明的實施例，該螢光體層形成設備可同時結合片狀形式的薄膜型式螢光體預形成物至晶圓上的LED晶片，以及可分割該薄膜型式螢光體預形成物與該晶圓。
根據本發明的其他實施例，螢光體層形成方法可包含製備具有相同光學性質的至少一LED晶片，製備螢光體預形成物，對應於該至少一LED晶片且包含在中心區域中形成的凹槽，以及結合該螢光體預形成物至該至少一LED晶片。第22圖是根據實施例說明結合凹槽型式螢光體預形成物1400與該LED晶片900。
參閱第22圖，凹槽型式螢光體預形成物1400分開配置。該凹槽型式螢光體預形成物1400可具有凹槽，該凹槽形成在該凹槽型式螢光體預形成物1400的中心區域中，並且該凹槽厚度小於螢光體預形成物的厚度，因而該LED晶片900可包含在該凹槽中。因此，螢光體層可形成在LELD晶片900的側邊與頂側，以及從該LED晶片900發射的光可完全被轉換成為白光。分散器(D)可將液體黏著物4噴塗在凹槽型式螢光體預形成物1400的凹槽中，因而該LED晶片900可附接至該凹槽型式螢光體預形成物1400。該LED晶片可個別結合至第19圖所示的該凹槽型式螢光體預形成物1400。
該LED晶片900可分開配置。在此範例中，該凹槽型式螢光體預形成物1400可個別結合至該LED晶片900，在該LED晶片900的頂側。
取決於本發明的實施例，在LED晶片中形成螢光體層的螢光體層形成設備可同時結合複數個凹槽型式螢光體預形成物與複數個LED晶片。
當製備LED晶片與凹槽型式螢光體預形成物時，該LED晶片與該凹槽螢光體預形成物可個別結合。複數個LED晶片與複數個薄膜型式螢光體預形成物可同時結合。當提供LED晶片形成在晶圓上以及薄膜型式螢光體預形成物是片狀形式時，該LED晶片與該螢光體預形成物可同時結合。在此範例中，該LED晶片與該凹槽型式螢光體預形成物可在結合之前彼此對應配置。
再者，可提供凹槽型式螢光體預形成物類似於第3A圖的該薄膜型式螢光體預形成物100，片狀形式包含對應於LED晶片的複數個凹槽。在此範例中，該LED晶片可結合至片狀形式的該凹槽型式螢光體預形成物，以及可基於該LED晶片，分割該凹槽型式螢光體預形成物。
取決於本發明的實施例，可提供類似於第21圖形成在晶圓上的LED晶片。在此範例中，凹槽型式螢光體預形成物與該LED晶片結合，以及基於螢光體層附接的LED晶片單元，分割該晶圓。
取決於本發明的實施例，凹槽型式螢光體預形成物可為片狀形式，包含對應於LED晶片的複數個凹槽，以及該 LED晶片可形成在晶圓上。該片狀形式的凹槽型式螢光體預形成物與形成在晶圓上的該LED晶片可結合，以及可基於LED晶片單元，分割該片狀形式的凹槽型式螢光體預形成物與該晶圓。
取決於本發明的實施例，該螢光體層形成設備可同時結合片狀形式的凹槽型式螢光體預形成物與LED晶片，以及可分割該凹槽型式螢光體預形成物與該晶圓。
第23A圖是根據實施例說明凹層型式螢光體預形成物1400的結構。第23B圖說明LED晶片900固定在第23A圖的凹槽型式螢光體預形成物1400上。
參閱第23A與23B圖，在凹槽型式螢光體預形成物1400中，可形成凹槽的傾斜側，使得該凹槽的底側1410小於該凹槽的頂側1420。由於該傾斜側1430，包含在該凹槽的LED晶片900可自動配置在該凹槽的中心。
可藉由調整凹槽內側的傾斜與尺寸而控制該LED晶片900與該凹槽型式螢光體預形成物1400之間的間隔。使用黏著物4，該LED晶片900可附接至該凹槽型式螢光體預形成物1400的凹槽。而後，包含螢光體層的LED晶片900可使用凸塊910而固定在基板上。
根據實施例，螢光體層形成方法可藉由結合螢光體預形成物在LED晶片階層中形成螢光體層，以及對於使用提供白光的LED晶片選擇性地進行封裝製程。因此，可將LED封裝的產率最大化。
根據實施例，螢光體層形成設備可同時結合複數個螢 光體預形成物至LED晶片，藉由存放(binning)製程，該LED晶片配置於每一組，用於提供白光，因而可減少色彩分散並且改善生產率。
根據實施例，雖然基於以下方法可將包含螢光體層形成方法所形成的螢光體層的LED晶片固定在基板上，但所述固定並不受限於此。
第24A至24C圖說明在基板2000上固定包含螢光體層1800的LED晶片900的方法。
參閱第24A至24C圖，包含螢光體層1800的LED晶片900被放置在載體帶1500上，以及金屬框1600被配置在該載體帶1500的兩側上。
參閱第24A圖，配置在載體帶1500底部的紫外線輻射器1700可發射紫外線，降低該載體帶1500與該螢光體層1800之間的黏性。而後，拾起(pick-ep)裝置1900可舉起LED晶片900，並且旋轉該LED晶片900約180度，使得該螢光體層1800面對頂側。可使用另一拾起裝置1900，將LED晶片900固定在基板2000上。
參閱第24B圖，配置在載體帶1500頂部的紫外線輻射器1700可發射紫外線，用以降低該載體帶1500與該螢光體層1800之間的黏性。而後，可進行轉換製程，因而該LED晶片900被附接至另一載體帶。該拾起裝置100可舉起包含螢光體層1800的LED晶片900，並且將該LED晶片900固定在該基板2000上。
參閱第24C圖，配置在該載體帶1500頂部上的紫外 線輻射器1700可發射紫外線，用以降低該載體帶1500與該螢光體層1800之間的黏性。而後，推壓裝置可從該載體帶1500的頂部壓該LED晶片900，因而該LED晶片900可直接固定在該基板2000上。
其他實施例的螢光體層形成方法描述如下。根據實施例，在螢光體層形成設備中，螢光體預形成物可為包含螢光體層與黏著層的薄膜型式螢光體預形成物，以及可為凹槽型式螢光體預形成物，包含形成在中心區域中的凹槽。
使用凹槽螢光體預形成物的螢光體層形成設備描述如下。使用薄膜型式螢光體預形成物的螢光體層形成設備可在相同方式中操作，以及可省略噴塗黏著物的分散器。LED晶片的位置與螢光體預形成物的位置可交換。該LED晶片可配置在第二載體帶上，以及該螢光體預形成物可配置在第一載體帶上。
第25A圖與第25B圖是根據實施例說明螢光體層形成設備用於在LED中形成螢光體層。第25C圖是根據實施例說明使用螢光體層形成設備，使螢光體層結合至LED晶片。
參閱第25A圖至第25C圖，該螢光體層形成設備可包含第一載體帶1510、第二載體帶1520、感應器1550、配置單元2200、第一金屬框1610、上壓1810、下壓1820與滾筒2100。
第一載體帶1510可轉換具有相同光學性質的至少一LED晶片900。該第二載體帶1520可轉換附接至該LED晶片900的凹槽型式螢光體預形成物1150。該第二載體帶 1520可使用滾筒2100轉換該凹槽型式螢光體預形成物1150。在該第二載體帶1520於配置狀態中，提供該凹槽型式螢光體預形成物1150。該感應器1550可辨識該第二載體帶1520的位置，以及該轉換的螢光體預形成物1150可被該感應器1550握持。
該配置單元2200可配置該LED晶片900，對應於該配置的螢光體預形成物1150。該第一金屬框1610可配置在該配置單元2200的底側，協助配置由該第一載體帶1510轉換的LED晶片900。
參閱第25B圖，該配置單元2200可黏至整個第一載體帶1510，用以配置該LED晶片900。當該配置單元2200黏至整個第一載體帶1510時，該第一載體帶1510上的LED晶片900位置的改變可被最小化，因而改善配置的準確性。
當該配置單元2200握持該第一金屬框1610時，該配置單元2200可配置第一載體帶1510轉換的LED晶片900，基於LED晶片900與凹槽型式螢光體預形成物1150之間視覺裝置(未說明)的資訊，而對應於該凹槽型式螢光體預形成物1150。在此範例中，該配置單元2200可使用真空或磁性，握持該第一金屬框1610。
當LED晶片900對應於凹槽型式螢光體預形成物1150時，該配置單元2200可向下移動。當LED晶片900與凹槽型式螢光體預形成物1150接近時，該配置單元2200可緩慢移動，因而該LED晶片900與該凹槽型式螢光體預形成物1150平順地彼此接觸。
該上壓1810可降低第一載體帶1510，以及該下壓1820可提升第二載體帶1520，因而該LED晶片900與該凹槽型式螢光體預形成物1150結合。
該上壓1810與該下壓1820可更包含加熱單元，在結合該LED晶片900與該凹槽型式螢光體預形成物1150過程中，加熱用於硬化黏著物。可形成加熱單元，與該上壓1810與該下壓1820整合。
可包含將黏著物45噴塗在轉換的凹槽型式螢光體預形成物150的分散器(D)，結合該凹槽型式螢光體預形成物1150與該LED晶片900。該紫外線輻射器1700可配置在第二載體帶1520的底側，在該凹槽型式螢光體預形成物1150結合至該LED晶片900之後，輕易將該凹槽型式螢光體預形成物1150從該第二載體帶1520分開。
第26A圖是根據實施例說明在螢光體層形成設備中提供片狀形式的凹槽型式螢光體預形成物1150，該螢光體層形成設備是在LED晶片中形成螢光體層。第26B圖是根據實施例說明結合至第26A圖中LED晶片的螢光體層。第26C圖是根據實施例說明基於LED晶片單元，分割第26B圖的LED晶片。
參閱第26A至26C圖，根據實施例，該螢光體層形成設備可與第25B圖的螢光體層形成設備相同，以及由第二載體帶1520轉換的該凹槽型式螢光體預形成物1150可為片狀形式。該凹槽型式螢光體預形成物1150可為片狀形式，包含對應於LED晶片900的複數個凹槽。該片狀形式 的凹槽型式螢光體預形成物1150與LED晶片900結合，以及基於該LED晶片單元，藉由分割單元2300，可分割該凹槽型式螢光體預形成物1150。
第27圖是根據實施例說明在螢光體層形成設備中提供形成在晶圓1310上的LED晶片，該螢光體層形成設備在LED晶片900中形成螢光體層。
參閱第27圖，可提供LED晶片900形成在晶圓1310上。該凹槽型式螢光體預形成物1150與該LED晶片900可結合，以及可基於包含螢光體層的LED晶片單元，藉由分割該晶圓1310而分開該LED晶片900。
第28圖是根據實施例說明在螢光體層形成設備中提供片狀形式的螢光體預形成物與形成在晶圓上的LED晶片900，該螢光體層形成設備是在LED晶片900中形成螢光體層。
參閱第28圖，該凹槽型式螢光體預形成物1150可為片狀形式，包含複數個凹槽對應於該LED晶片900，以及該LED晶片900可形成在該晶圓1310上。該片狀形式的凹槽型式螢光體預形成物1150可結合至形成在晶圓1310上的LED晶片900，以及可基於LED晶片單元，可分割該凹槽型式螢光體預形成物1150與晶圓1310。
第29A圖是根據其他實施例說明用於在LED中形成螢光體層的螢光體層形成設備。第29B圖說明藉由移動第29A圖的上壓與下壓，結合該LED晶片900與該凹槽型式螢光體預形成物1150。第29C圖分別說明在第29B圖中結合的 螢光體層與LED晶片900。
參閱第29A至29C圖，根據實施例，螢光體層形成設備可另包含第一金屬框1610與第二金屬框1620。該第二金屬框1620可放置在與下壓1820相隔的握持部650上，以及可協助該凹槽型式螢光體預形成物1150的配置。該金屬框握持部650可握持該第二金屬框1620，以及該第二金屬框1620可維持配置狀態中的凹槽型式螢光體預形成物1150。
在該LED晶片配置對應於該凹槽型式螢光體預形成物1150之後，該上壓1810可降低該第一載體帶1510，以及該下壓1820可提升第二載體帶1520，因而該LED晶片900與該凹槽型式螢光體預形成物1150可結合。
第30A圖是根據其他實施例說明用於在LED中形成螢光體層的螢光體層形成設備。第30B圖說明藉由移動第30A圖的上壓與下壓，結合該LED晶片900與該凹槽型式螢光體預形成物1150。第30C圖分別說明在第30B圖中結合的螢光體層與LED晶片900。
參閱第30A至30C圖，根據實施例，螢光體層形成設備可更包含紫外線輻射器1700於該下壓1820中。該紫外線輻射器1700可與該下壓1820一體成型。在該LED晶片900與凹槽型式螢光體預形成物結合之後，該紫外線輻射器1700可將該凹槽型式螢光體預形成物1150從該第二載體帶1520分開。因此，該紫外線輻射器1700可與該下壓1820一體成型，輕易將該凹槽型式螢光體預形成物1150 從該第二載體帶1520分開，因而簡化製程。
根據實施例，螢光體層形成設備可同時結合複數個螢光體預形成物至LED晶片，通過存放製程將該LED晶片配置於每一組，用以提供白光，因而可增加LED晶片與螢光體預形成物之間結合的準確性或精準度。再者，由於製程簡化，所以可增加生產率。
雖然已經顯示且說明本發明的一些範例實施例，但本發明並不受限於所描述的實施例。熟知此技藝的人士應理解實施例可經變化而不會脫離本發明的原則與精神，本發明的範圍定義於申請專利範圍及其均等物。
1、80‧‧‧螢光體樹脂
3、4、320、820‧‧‧黏著物
10、30‧‧‧螢光體模
11、31、100、200、600、900‧‧‧LED晶片
12‧‧‧電連接部分
13‧‧‧切割物件
14‧‧‧結合材料
20‧‧‧基膜
32‧‧‧穿孔
41‧‧‧固定區域
41a、91a‧‧‧第一支撐物
41b、91b‧‧‧第二支撐物
41c、91c‧‧‧第三支撐物
40、40’、90’200’、300、500、700、800、1000、1150、1300、1400‧‧‧螢光體預形成物
50、60‧‧‧第一模
71‧‧‧突出部
71a‧‧‧第一凹處
72‧‧‧第二凹處
80’‧‧‧螢光體片
70‧‧‧第二模
81、91‧‧‧固定區域
82‧‧‧支撐物
91d‧‧‧第四支撐物
120、400‧‧‧基板
121、410、710‧‧‧第一電路圖案
122、420、720‧‧‧第二電路圖案
130、250‧‧‧鏡片部分
211、610‧‧‧第一電極
212、620‧‧‧第二電極
221、222、630‧‧‧第一凸塊
310‧‧‧預固定區域
311、312、711、712、810‧‧‧凸塊接收部
311a、312a‧‧‧支撐物
231、232、640‧‧‧第二凸塊
241、242‧‧‧線
650‧‧‧握持部
660‧‧‧鏡片部
810‧‧‧載體薄膜
820‧‧‧光敏感黏著物層
830‧‧‧螢光體層
840‧‧‧黏著層
850‧‧‧覆蓋薄膜
1100‧‧‧孔洞
1200、1310‧‧‧晶圓
1420‧‧‧頂側
1430‧‧‧傾斜側
1500‧‧‧載體帶
1600‧‧‧金屬框
1700‧‧‧紫外線輻射器
1800‧‧‧螢光體層
1900‧‧‧拾起裝置
2000‧‧‧基板
1510‧‧‧第一載體帶
1520‧‧‧第二載體帶
1550‧‧‧感應器
1610‧‧‧第一金屬框
1810‧‧‧上壓
1820‧‧‧下壓
2100‧‧‧滾筒
2200‧‧‧配置單元
2300‧‧‧分割單元
從以下的實施例說明以及附隨的圖式，可更了解本發明的這些與/或其他方面、特徵與優點。
第1圖是根據本發明實施例的發光二極體(LED)圖式。
第2A與2B圖是根據本發明的實施例說明製造LED的方法。
第3A至3C圖是根據本發明的另一實施例說明製造LED的方法。
第4A至4C圖是根據本發明的實施例說明製造陣列型式的LED的方法。
第5圖是根據本發明的實施例說明LED中螢光體模包含穿孔的圖式。
第6圖是第5圖所示螢光體模的平面圖。
第7圖與第8圖是根據本發明的實施例說明螢光體預 形物的圖式。
第9A圖與第9B圖是根據本發明的實施例說明製造該螢光體預形成物的製程圖式。
第10A圖與第10B圖是根據本發明的另一實施例說明製造螢光體預形成物的製程圖式。
第11A圖與第11B圖是根據本發明的實施例說明包含在螢光體預形成物中的支撐物的不同架構圖式。
第12A圖至第12D圖是根據本發明的實施例說明LED製造方法的圖式。
第13圖是根據本發明的另一實施例說明製造方法製造的LED。
第14A圖與第14B圖是根據本發明的實施例說明LED模組製造方法的圖式。
第15A圖至第15F圖是根據本發明的另一實施例說明LED製造方法的圖式。
第16A圖至第16B圖是根據本發明的另一實施例說明LED模組製造方法的圖式。
第17A圖與第17B圖是根據本發明的另一實施例說明LED模組製造方法的圖式。
第18A圖至第18F圖是根據本發明的實施例說明薄膜型式螢光體預形成物結構的圖式。
第19圖是根據本發明的實施例說明結合薄膜型式螢光體預形成物與LED晶片的圖式。
第20A圖是根據本發明的實施例說明結合LED晶片與 片狀形式的薄膜形式螢光體預形成物圖式，以及第20B圖是說明分割第20A圖結合的LED晶片的俯視圖。
第21圖是根據本發明的實施例說明結合形成在晶圓上的LED晶片至薄膜型式螢光體預形成物的圖式。
第22圖是根據本發明的實施例說明結合凹型螢光體預形成物至LED晶片的圖式。
第23A圖是根據本發明的實施例說明凹型螢光體預形成物的結構，以及第23B圖說明LED晶片固定在第23A圖的凹型螢光體預形成物的圖式。
第24A圖至第24C圖說明固定包含基板上螢光體層的LED晶片的方法圖式。
第25A圖與第25B圖是根據本發明的實施例說明在LED中形成螢光體層的螢光體層形成設備圖式，以及第25C圖是根據本發明的實施例說明使用螢光體層形成設備而結合至LED晶片的螢光體層。
第26A圖是根據本發明的實施例說明在LED中形成螢光體層的螢光體層形成設備中片形式的螢光體預形成物圖式，第26B圖是根據本發明的實施例說明結合至LED晶片的螢光體層圖式，以及第26C圖是根據本發明的實施例說明以LED晶片單元為基礎，切割第26B圖的LED晶片的圖式。
第27圖是根據本發明的實施例說明在LED中形成螢光體層的螢光體層形成設備中晶圓上形成的LED晶片圖式，以及第28圖是根據本發明的實施例說明在LED中形成 螢光體層的螢光體層形成設備中，在晶圓上提供LED晶片以及提供片形式的螢光體預形成物的圖式。
第29A圖是根據本發明說明在LED中形成螢光體層的螢光體層形成設備圖式，第29B圖說明藉由移動第29A圖的上壓與下壓而結合LED晶片與螢光體預形成物的圖式，以及第29C圖分別說明螢光體層結合至第29B圖中的LED晶片。
第30A圖是根據本發明的另一實施例說明在LED形成螢光體層的螢光體層形成設備圖式，第30B圖說明藉由移動第30A圖的上壓與下壓而結合LED晶片與螢光體預形成物圖式，以及第30C圖分別說明螢光體層結合至第30B圖中的LED晶片。
第31A圖是根據本發明的另一實施例說明在LED中形成螢光體層的螢光體層形成設備。
第31B圖說明藉由移動第31A圖的上壓與下壓而結合LED晶片與螢光體預形成物的圖式。
第31C圖分別說明螢光體層結合至第31B圖中的LED晶片。
500‧‧‧螢光體預形成物
600‧‧‧LED晶片
610‧‧‧第一電極
620‧‧‧第二電極
630‧‧‧第一凸塊
640‧‧‧第二凸塊
650‧‧‧握持部
660‧‧‧鏡片部
700‧‧‧基板
710‧‧‧第一電路圖案
720‧‧‧第二電路圖案
810‧‧‧載體薄膜

Claims (30)

  1. 一種發光二極體(LED)的製造方法，包括：製造複數個彼此分開的LED晶片；製造預螢光體片，該預螢光體片包括用於固定該複數個LED晶片的複數個固定區域以及用於分隔該複數個固定區域的複數個突出區域；施加黏著物在該螢光體預形成物內側；固定該複數個LED晶片的每一個LED晶片於該複數個固定區域的每一個固定區域中；以及在用於分隔該複數個固定區域的該複數個突出區域中，將該螢光體預形成物切割成為包含個別LED晶片的單元。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，其中固定該複數個LED晶片的每一個LED晶片於該複數個固定區域的每一個固定區域中包括：將該複數個LED晶片的各個具有覆晶結構的LED晶片的發光表面結合在該複數個固定區域的各個固定區域中。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，其中該製造該複數個LED晶片包括：在該複數個LED晶片的各個LED晶片的一表面上的至少一電極，形成具有第一尺寸的第一凸塊。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的製造方法，其中該製造該螢光體預形成物包括： 在該複數個固定區域的各個固定區域的底部表面上，形成凸塊接收部，位置對應於該第一凸塊。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的製造方法，其中在該複數個固定區域的各個固定區域中，進行固定該複數個LED晶片的各個LED晶片，因而該第一凸塊被接收在該凸塊接收部中。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的製造方法，另包括：拋光該螢光體預形成物，因而在該複數個固定區域的各個固定區域中固定該複數個LED晶片的各個LED晶片之後，該凸塊接收部被打開。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的製造方法，另包括：在該第一凸塊上形成第二凸塊，在該螢光體預形成物的外部穿過該凸塊接收部而暴露，該第二凸塊具有大於該第一尺寸的第二尺寸，並且該第二凸塊的寬度係大於該凸塊接收部的寬度。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的製造方法，其中該拋光該螢光體預形成物包括：拋光該螢光體預形成物至約5微米或更小的厚度。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，其中該製造該螢光體預形成物包括：形成至少一支撐物，指示在該複數個固定區域的各個固定區域中該黏著物的適當厚度。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的製造方法，其中該至少一支撐物具有突出結構在該複數個固定區域的各個固定 區域中，以及具有微米單位的寬度、長度與高度。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，其中該製造該螢光體預形成物包括：藉由混合螢光體粒與透明樹脂而製造螢光體樹脂；在第一模中注入該螢光體樹脂；藉由結構對應於該螢光體預形成物的第二模，加壓注入在該第一模中的該螢光體樹脂；部分硬化該加壓的螢光體樹脂；以及移除該第一模與該第二模。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的製造方法，其中該第二模包括不平坦表面圖案，位置對應於該螢光體預形成物中該複數個固定區域的各個固定區域的該底部表面，以及將該不平坦表面圖案轉換至該螢光體預形成物。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，另包括：在固定該複數個LED晶片的各個LED晶片於該複數個固定區域的各個固定區域中之後，完全硬化該螢光體預形成物。
  14. 一種發光二極體(LED)，包括：螢光體片，包括固定區域以及從該固定區域的底部表面突出的複數個支撐物；以及受到該複數個支撐物支撐的LED晶片，藉由黏著物使發光表面結合至該固定區域的內側，該黏著物的高度不超過該複數個支撐物的高度。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的LED，其中該LED晶片 包括位於該發光表面上的至少一電極，以及位於該至少一電極上的第一凸塊，該第一凸塊具有第一尺寸。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的LED，其中該螢光體片包括凸塊接收部，接收該第一凸塊，以及該LED晶片另包括第二凸塊，位於該第一凸塊上，透過該凸塊接收部而暴露，該第二凸塊具有大於該第一尺寸的第二尺寸。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的LED，其中該複數個支撐物具有軸對稱結構與點對稱結構中的任何一個。
  18. 一種發光二極體(LED)模組的製造方法，該製造方法包括：製造複數個彼此分開的LED晶片；製造螢光體預形成物，包括用於固定該複數個LED晶片的複數個固定區域以及用於分隔該複數個固定區域的複數個突出區域；施加黏著物於該螢光體預形成物內側；固定該複數個LED晶片的各個LED晶片於該複數個固定區域的各個固定區域中；在用於分隔該複數個固定區域的該複數個突出區域中，將該螢光體預形成物切割成為包含個別LED晶片的單元；以及固定該切割的LED晶片於基板上。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的製造方法，其中該固定 該複數個LED晶片的各個LED晶片於該複數個固定區域的各個固定區域中包括：將該複數個LED晶片的各個具有覆晶結構的LED晶片的發光表面結合在該複數個固定區域的各個固定區域中。
  20. 如申請專利範圍第18項所述的製造方法，其中該製造該複數個LED晶片包括：在該複數個LED晶片的各個LED晶片的一表面上的至少一電極，形成具有第一尺寸的第一凸塊。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的製造方法，其中該製造該螢光體預形成物包括：在該複數個固定區域的各個固定區域的底部表面上，形成凸塊接收部，位置對應於該第一凸塊。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的製造方法，其中在該複數個固定區域的各個固定區域中，進行固定該複數個LED晶片的各個LED晶片，因而該第一凸塊被接收在該凸塊接收部中。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的製造方法，另包括：拋光該螢光體預形成物，因而在該複數個固定區域的各個固定區域中固定該複數個LED晶片的各個LED晶片之後，該凸塊接收部被打開。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的製造方法，另包括：在該第一凸塊上形成第二凸塊，在該螢光體預形成物的外部穿過該凸塊接收部而暴露，該第二凸塊具有大 於該第一尺寸的第二尺寸，並且該第二凸塊的寬度係大於該凸塊接收部的寬度。
  25. 如申請專利範圍第23項所述的製造方法，其中該拋光該螢光體預形成物包括：拋光該螢光體預形成物至約5微米或更小的厚度。
  26. 如申請專利範圍第18項所述的製造方法，另包括：鏡片部分，藉由施加透明樹脂於固定在該基板上該個別LED晶片上。
  27. 一種發光二極體(LED)模組，包括：基板，包括電路圖案；螢光體片，包括固定區域與複數個支撐物，該複數個支撐物從該固定區域的底部表面突出；受到該複數個支撐物支撐的LED晶片，藉由黏著物使發光表面結合至該固定區域的內側，該黏著物的高度不超過該複數個支撐物的高度，並且該LED晶片沿著該螢光體片而固定在該基板上；以及鏡片部分，位於該螢光體片上。
  28. 如申請專利範圍第27項所述的LED模組，其中該LED晶片包括位於該發光表面上的至少一電極，以及位於該至少一電極上的第一凸塊，該第一凸塊具有第一尺寸。
  29. 如申請專利範圍第28項所述的LED模組，其中該螢光體片包括凸塊接收部，接收該第一凸塊，以及該LED晶片另包括第二凸塊，位於該第一凸塊 上，透過該凸塊接收部而暴露，該第二凸塊具有大於該第一尺寸的第二尺寸。
  30. 如申請專利範圍第27項所述的LED模組，其中該螢光體片具有約5微米或更小的厚度。
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