TW201829649A - 製造發光二極體器件的方法及製造的發光二極體器件 - Google Patents

製造發光二極體器件的方法及製造的發光二極體器件 Download PDF

Info

Publication number
TW201829649A
TW201829649A TW107102959A TW107102959A TW201829649A TW 201829649 A TW201829649 A TW 201829649A TW 107102959 A TW107102959 A TW 107102959A TW 107102959 A TW107102959 A TW 107102959A TW 201829649 A TW201829649 A TW 201829649A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
material layer
emitting diode
light emitting
template
phosphor material
Prior art date
Application number
TW107102959A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI669357B (zh
Inventor
家儀 麥
浩然 黃
浩賢 盧
Original Assignee
新加坡商先進科技新加坡有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 新加坡商先進科技新加坡有限公司 filed Critical 新加坡商先進科技新加坡有限公司
Publication of TW201829649A publication Critical patent/TW201829649A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI669357B publication Critical patent/TWI669357B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明提供了一種包括發光二極體晶片的發光二極體器件。用於製造發光二極體器件的方法包括：將第一範本定位在載體上；通過第一範本的至少一個孔將磷光體材料印刷到載體上，以在載體上形成磷光體材料片；以及將發光二極體晶片附著到印製的磷光體材料片上。

Description

製造發光二極體器件的方法及製造的發光二極體器件
本發明的各個方面涉及一種發光二極體器件以及一種用於製造發光二極體器件的方法，例如，涉及一種包括反射體材料層的發光二極體器件以及用於製造這種發光二極體器件的方法。
發光二極體(“LED”)器件通常表現為低耗電、低發熱以及長壽命和小體積。由於這些特性，LED器件近來被用作各種照明應用中的光源。
LED器件通常包括安裝在襯底上的LED晶片。這種LED晶片通常包括堆疊層結構，包括各種半導體層，使得LED晶片能夠發射特定波長範圍的光，從而根據所使用的材料產生特定顏色的發射光。例如在US 6,650,044B1和US 7,049,159B2中描述了具有堆疊層結構的這種LED晶片的示例。由於這樣的LED晶片不會自然地發射白光，因此通常將磷光體材料應用於LED晶片，以便調節發射光的顏色，使得光對於人眼而言基本上呈現為白光。
此外，為了以期望的方式分配由LED晶片發射的 光，LED器件可以另外設置有白色反射層。在US 8,921,131 B2中描述了一種用於製造具有反射層的LED器件的方法。
用於形成磷光體層和反射層的常規方法通常使用模塑技術，如US 8,921,131 B2中所述的注塑或傳遞模塑，或分配/噴塗技術，例如使用噴嘴來分配反射體材料到LED晶片上或將磷光體材料噴塗到LED晶片上。然而，這些方法通常不夠精確並且需要後處理，例如將通過模制形成的材料層研磨至期望的最終厚度。這些額外的工藝使得傳統的方法變慢並且在研磨期間具有損壞LED晶片的風險。而且，需要額外的和昂貴的專用設備，如用於成型、噴塗和後處理的機器，研磨增加了所用材料的浪費，從而增加了生產成本。另外，傳統方法不能充分地控制印刷層邊緣的清晰度，並且由於用於形成磷光體層和反射層的液體材料在其固化之前的液體性質以及因此形成彎液面而受到表面張力的影響，從而不能足夠好地控制表面的平整度。
因此，本公開的各個方面提供了一種包括LED晶片的LED器件。LED器件進一步包括設置在LED晶片之上的磷光體材料層。LED器件還包括反射體材料層，所述反射體材料層至少部分地圍繞磷光體材料層的側表面，從而使得在反射體材料層和磷光體材料層之間形成圓形介面。
本公開的各個方面還提供了一種LED器件，其包括LED晶片和反射體材料層，所述反射體材料層至少部分地圍繞LED晶片的側表面並且包括具有凹形輪廓的表面。凹形輪廓形成為使得凹形輪廓朝向LED晶片的電極彎曲。
本公開的各個方面進一步提供了一種製造LED器 件的方法。該方法包括將第一範本定位在載體上，並通過第一範本的至少一個孔將磷光體材料印刷到載體上，以在載體上形成磷光體材料片。該方法進一步包括將LED晶片附著到印刷的磷光體材料片上。
10‧‧‧LED器件
100‧‧‧第三範本
102‧‧‧覆蓋部分
102a‧‧‧凹部
103‧‧‧突出部分
104‧‧‧孔
106‧‧‧板體
108‧‧‧開口
10a‧‧‧LED器件
10b‧‧‧LED器件
10c‧‧‧LED器件
10d‧‧‧LED器件
110‧‧‧網格部分
112‧‧‧網格部分
12‧‧‧LED晶片
120‧‧‧反射體材料
122‧‧‧刮板裝置
130‧‧‧帶
14‧‧‧頂表面
140‧‧‧UV輻射源
144‧‧‧鋸線
16‧‧‧側表面
18‧‧‧底表面
19a‧‧‧邊緣
19b‧‧‧邊緣
19c‧‧‧邊緣
19d‧‧‧邊緣
200‧‧‧方法
202‧‧‧步驟
203‧‧‧步驟
203a‧‧‧步驟
203b‧‧‧步驟
203c‧‧‧步驟
203d‧‧‧步驟
204‧‧‧步驟
205‧‧‧步驟
206‧‧‧步驟
207‧‧‧步驟
208‧‧‧步驟
20a‧‧‧第一電極
20b‧‧‧第二電極
22‧‧‧磷光體材料層
24‧‧‧頂表面
25‧‧‧邊緣
25a‧‧‧邊緣
25b‧‧‧邊緣
25c‧‧‧邊緣
25d‧‧‧邊緣
26‧‧‧側表面
28‧‧‧底表面
29‧‧‧邊緣
30‧‧‧粘合材料層
32‧‧‧側表面
40‧‧‧反射體材料層
42a‧‧‧第一介面表面
42b‧‧‧第二介面表面
43‧‧‧內側表面
44‧‧‧頂表面
46‧‧‧底表面
48‧‧‧外側表面
50‧‧‧接觸部分
55‧‧‧載體
56‧‧‧襯底
60‧‧‧第一範本
62‧‧‧孔
64‧‧‧板體
66‧‧‧開口
68‧‧‧網格部分
70‧‧‧磷光體材料
72‧‧‧刮板裝置
76‧‧‧刮板裝置
80‧‧‧第二範本
82‧‧‧開口
84‧‧‧板體
86‧‧‧凹部
88‧‧‧覆蓋部分
90‧‧‧粘合材料
92‧‧‧粘合材料滴
94‧‧‧肩角
R‧‧‧箭頭
S‧‧‧箭頭
T‧‧‧光軸
V‧‧‧箭頭
α‧‧‧接觸角
當結合非限制性實施例和附圖考慮時，參照詳細描述將更好地理解本發明，其中：圖1A是沿著圖3的線A-A的LED器件的示意性剖視圖；圖1B和圖1C是圖1A所示的LED器件10的放大剖視圖；圖2是LED器件的示意性透視圖；圖3是LED器件的示意性俯視圖；圖4是LED器件的示意性仰視圖；圖5是其中形成粘合層以至少部分地圍繞LED晶片的側表面的LED器件的示意性剖視圖；圖6是示出用於製造LED器件的方法的流程圖；圖7示出了在製造方法中將第一範本定位在載體上的過程；圖8是示例性第一範本的平面圖；圖9示出了在製造方法中通過第一範本將磷光體材料印刷到載體上的過程；圖10示出了在製造方法中從載體上去除第一範本的過程；圖11示出了在製造方法中將第二範本定位在載體上的過程； 圖12是示例性的第二範本的平面圖；圖13示出了在製造方法中通過第二範本將粘合材料印刷到印刷的磷光體材料片上的過程；圖14示出了在製造方法中從載體上去除第二範本的過程；圖15示出了在製造方法中將LED晶片附著到印刷的磷光體材料片的過程；圖16A和圖16B示出了在應用反射體材料之前的製造方法期間的中間LED器件；圖17示出了在製造方法中將第三範本定位在載體上的過程；圖18是示例性的第三範本的平面圖；圖19示出了在製造方法中通過第三範本將反射體材料印刷到載體上的過程；圖20示出了在製造方法中去除第三範本的過程；圖21示出了在製造方法中將帶附著到LED晶片的電極的過程；圖22示出了在製造方法中去除載體和襯底的過程；圖23示出了在製造方法中分開多個LED晶片以形成單獨的LED器件的過程。
以下詳細描述參照附圖，附圖以舉例說明的方式示出了可以實施本發明的具體細節和實施例。
這裡使用詞語“示例性”來表示“用作示例、實例或說明”。在此描述為“示例性”的任何實施例或設計不一定被解釋 為比其他實施例或設計優選或有利。
本發明的各個方面提供了一種LED器件及其相應的製造方法，所述LED器件可以以更快且更具成本效益的方式製造，與傳統的LED器件相比具有更少的生產缺陷和更高的產量。此外，與傳統的LED器件相比，這樣的LED器件可以具有改進的反射層的性能以增強光分佈並且具有改進的可靠性和耐用性。
現在將參照圖1A至圖5詳細描述示例性的LED器件。
圖1A是沿著圖3的線A-A的LED器件10的示意性剖視圖，並且圖1B和圖1C是圖1A中示出的LED器件10的放大的剖視圖。LED器件10可以以晶片級封裝的形式實施，但不限於此。LED器件10包括LED晶片12，其包括頂表面14、側表面16和底表面18。LED晶片10被配置為從其頂表面14發射光。為此，LED晶片10可以在其頂表面下方包括被配置成發光的堆疊層結構。堆疊層結構可以包括半導體層，諸如p型氮化鎵層和n型氮化鎵層，並且可以另外包括取決於LED晶片的組成的其他活性層。可以在LED晶片12中實現用於LED晶片的各種其他堆疊層結構。例如，US 6,650,044B1和US 7,049,159B2中描述的用於LED器件的堆疊層結構可以用在LED晶片12中，並且各種示例不限於LED晶片12的特定結構。頂表面14可以是該結構的頂層(例如透明材料層(例如，藍寶石襯底))的一部分。
此外，底表面18設置成與頂表面14間隔開並且與頂表面14相對。頂表面14和底表面18可以彼此平行並且可以基本水準地延伸。底表面14包括至少一個電極。舉例來說，圖 1A至圖5中所示的LED晶片12的底表面14包括電耦合到LED晶片12的堆疊層結構以提供用於光產生的電能的第一電極20a和第二電極20b，但是不限於此。
側表面16將頂表面14和底表面18彼此連接。側表面16可以基本垂直地延伸。側表面16在將頂表面14和底表面18彼此連接的同時包圍頂表面14和底表面18。例如，頂表面14和底表面18可以各自包括通過側表面16分別彼此連接的四個邊緣(示例性地，底表面18的四個邊緣19a至19d在圖4中示出)。儘管LED晶片12的頂表面和底表面在圖中示出為具有四個邊緣並且具有基本矩形的形狀，但是應當注意的是，可以為LED晶片的頂表面和底表面設想任何數量的邊緣和任何類型的形狀。還要注意的是，在圖中示意性地示出了LED晶片12，並且LED晶片12的表面可以包括各種形狀和表面特徵，諸如脊，凹陷，突起等。
LED器件10還包括磷光體材料層22和反射體材料層40。在磷光體材料層22和反射體材料層40之間形成圓形介面。
磷光體材料層22設置在LED晶片12之上，並且磷光體材料層22可以附著到LED晶片12的頂表面14上。磷光體材料層22包括頂表面24、側表面26和底表面28。如圖所示，磷光體材料層22的頂表面24可以是LED器件10的暴露的外表面，但是不限於此，並且一個或多個另外的層(例如透明層)可以設置在磷光體材料層22的頂表面24之上。此外，磷光體材料層22的頂表面24和底表面28可以是基本上平坦的，但是不限於此，並且可以包括表面特徵，諸如脊，凹陷，突起等。磷光體材料層22的底表面28的面積可以對應於LED晶片12的頂表面 14的面積，並且磷光體材料層22的頂表面24的面積可能會大於磷光體材料層22的底表面28的面積。
磷光體材料層22的側表面26從磷光體材料層22的頂表面24的邊緣25延伸到磷光體材料層22的底表面28的邊緣29。LED晶片12的頂表面24和底表面28的邊緣25和29在橫向方向上彼此間隔開距離B(在圖1B中示出)，並且連接磷光體材料層22的頂表面24和底表面28的側表面26形成有具有凸形輪廓的彎曲形狀。因此，側表面26沿著基本上對應於弧(例如，圓弧)的軌跡在邊緣25和29之間延伸，如圖1A和圖1B的剖視圖所示。如圖1A和圖1B中進一步所示，磷光體材料層22可以具有帶有圓角的二等分矩形的截面形狀。進一步地，頂表面24的邊緣25可以在比底表面28的邊緣29更遠離LED晶片12的橫向方向上佈置，使得磷光體材料層22的側表面26形成有凸形介面輪廓。
如圖所示，磷光體材料層22的底表面28和頂表面24可各自具有基本上矩形的形狀，其具有包括限定矩形形狀的四個邊緣(圖3中示例性地示出了頂表面24的四個邊緣25a，25b，25c和25d)的相應的周邊部分。然後，側表面26可以從頂表面24的周邊部分延伸到磷光體材料層22的底表面28的周邊部分。磷光體材料層22的頂表面24的周邊部分的四個邊緣可以在橫向方向上彼此間隔一定距離，並且連接磷光體材料層22的頂表面26和底表面28的周邊部分的側表面26可以沿著具有彎曲形狀的周邊部分形成，以與上面關於邊緣25和29所描述的類似的方式形成凸形輪廓。四個邊緣還可以設置在比磷光體材料層22的底表面28的周邊部分的四個邊緣更遠離LED晶片12的相應橫向方向上。儘管磷光體材料層22的頂表面24和底表面 28已經在上面進行了描述並且在圖1A至圖5中與矩形形狀相關地示出，應理解，磷光體材料層22的頂表面24和底表面28的形狀不限於此。磷光體材料層22的頂表面24和底表面28可以具有具有其他數量的邊緣的其他形狀(例如，僅具有一個邊緣來限定圓形形狀的圓形形狀或具有任何數量的邊緣的任何種類的多邊形形狀)，這取決於所使用的LED晶片以及從LED器件發射的光的預期分佈。
磷光體材料層22包括磷光體材料，磷光體材料被配置為允許從LED晶片12的頂表面14發射的光通過其中並且同時調節所述光的顏色，使得最終從LED器件10發射的光基本對應於白光。下面還將給出關於磷光體材料層22的磷光體材料的進一步的資訊。
粘合材料層30將磷光體材料層22的底表面28和LED晶片12的頂表面16彼此附著。粘合材料層30在其上側連接到磷光體材料層22的底表面28，並且在其下側連接到LED晶片12的頂層18。如圖5所示，粘合材料層30也可以形成為使得其至少部分地圍繞LED晶片12的側表面16，例如，至少部分地圍繞LED晶片12的頂表面14和底表面18之間的側表面16。粘合材料層30至少部分地由粘合材料製成，該粘合材料被配置成允許從LED晶片12的頂表面16發射的光通過其中，例如透明膠質材料。然而，粘合材料層30可以使用至少部分可透過由LED晶片12發射的光的任何粘合材料(例如，任何透明粘合材料)。
反射體材料層40被配置為反射從LED晶片12發射的光。例如，反射體材料層40包括被配置為反射從LED晶片發射並且穿過磷光體材料層22的光的反射體材料(例如白色反 射體材料)。關於用於反射體材料層40的反射體材料的進一步的資訊也將在下面進一步給出。
反射體材料層40至少部分地圍繞磷光體材料層22的側表面26(例如沿著側表面26的凸形介面輪廓的至少一部分在邊緣25和29之間圍繞磷光體材料層22的側表面26)，使得圓形介面形成在反射體材料層40和磷光體材料層22之間。如圖1A至圖5中所示，反射體材料層40例如沿著側表面26的凸形介面輪廓的至少一部分(例如沿著整個長度)從頂表面24的邊緣25到磷光體材料層22的底表面28的邊緣29圍繞磷光體材料層22的側表面26。反射體材料層40包括對應於磷光體材料層22的側表面26的介面表面42a(也稱為第一介面表面42a)。介面表面42a形成有凹形介面輪廓。反射體材料層40和磷光體材料層22之間的圓形介面可以包括例如曲率半徑基本恒定的曲率。因此，反射體材料層40與磷光體材料層22之間的圓形介面對從LED晶片12發射的光提供改進的反射效果。反射體材料層40與磷光體材料層22之間的圓形介面可進一步被配置使得從LED晶片12發射的光的至少一部分在圓形介面處被反射體材料層40反射，使得光的反射部分的光線平行於光軸T延伸，光軸T垂直於LED晶片12的頂表面，從而進一步改善反射體材料層40所提供的配光效果。
如圖1A、圖1B和圖5所示，反射體材料層40至少部分地圍繞粘合材料層30的側表面32，使得在反射體材料層40和粘合材料層30之間形成圓形介面。粘合材料層30的側表面32形成有凸形介面輪廓，並且反射體材料層包括與粘合材料層30的側表面32相對應的介面表面42b(也被稱為第二介面表面42b)。介面表面42b形成有凹形介面輪廓。如圖1A和圖5中 所示，反射體材料層40例如沿著粘合材料層30的側表面32的凸形介面輪廓的至少一部分(例如整個長度)圍繞粘合材料層30的側表面32。反射體材料層40與粘合材料層30之間的圓形介面包括例如曲率半徑基本恒定的曲率。反射體材料層40和粘合材料層30之間的圓形介面還可以被配置為使得從LED晶片12發射的光的至少一部分(例如從LED晶片12的頂表面14的側邊緣部分發射)在反射體材料層40與粘合材料層30之間的圓形介面處被反射體材料層40反射，使得光的反射部分的光線平行於光軸T延伸，光軸T基本上垂直於LED晶片12的頂表面14。
反射體材料層40也包括頂表面44和底表面46。在圖1A和圖5中所示，反射體材料層40的頂表面44和底表面46在一側上由外側表面48相互連接，並且在相對側上由第一介面表面42a、第二介面表面42b和內側表面43相互連接。如附圖所示，底表面46和外側表面48可以是LED器件10的暴露的外表面，但是不限於此，並且其它材料層可以覆蓋底表面46和外側表面48。如圖1A和圖5中進一步所示，反射體材料層40的內側表面43至少部分地沿著LED晶片12的側表面16在反射體材料層40的第二介面表面42b和底表面46之間延伸(例如，沿著側表面16的整個長度延伸)，使得反射體材料層40至少部分地圍繞LED晶片12的側表面16。反射體材料層40的頂表面44圍繞磷光體材料層22的頂表面24，並且磷光體材料層22的頂表面24與反射體材料層40的頂表面44基本齊平。類似於磷光體材料層22的頂表面24，反射體材料層40的頂表面44可以是暴露的表面，如圖所示，但是不限於此，並且一個或多個另外的層可以設置在磷光體材料層40的頂表面44上方。反射體材料 層40的頂表面44可以是基本平坦的，但不限於此。
底表面46設置成與頂表面44間隔開並與頂表面44相對。底表面46具有凹形輪廓，該凹形輪廓形成為使得凹形輪廓朝向LED晶片12的電極(例如分別是第一電極20a和第二電極20a)彎曲。凹形輪廓例如相對於距LED晶片12的橫向距離C朝向電極20a彎曲。如圖1A、圖1C和圖5所示，底表面46的凹形輪廓向LED晶片12的電極彎曲，使得反射體材料層40的底表面46在接觸部分50(例如，LED晶片12的頂表面14和底表面18之間的接觸部分)處接觸LED晶片12的側表面16。反射體材料層的表面與LED晶片的側表面之間的接觸角α可以小於90度。底表面46的凹形輪廓和反射體材料層40的底表面46與LED晶片12的側表面16之間形成的接觸角減小了接觸不良(例如，LED晶片12和反射體材料層40之間的接觸不良)以及空隙產生的發生，從而增加了LED器件10的可靠性和耐用性，並且在製造LED器件10的過程中實現了更少的生產缺陷和更高的產量。
一方面，以上參考圖1A至圖5描述的示例性的LED器件10包括反射體材料層和磷光體層之間和/或反射體材料層和粘合材料層之間的圓形介面，另一方面包括反射體材料層的表面，所述表面具有朝向LED晶片12的電極彎曲的凹形輪廓。然而，應當理解的是，示例還包括LED器件10，其包括反射體材料層40和磷光體層22之間和/或在反射體材料層40和粘合材料層30之間的圓形介面。底表面46不一定具有朝向LED晶片12的電極20a，20b彎曲的凹形輪廓。還應該理解，示例還包括LED器件10，其包括反射體材料層40的表面，所述表面具有朝向LED晶片12的電極20a，20b彎曲的凹形輪廓，但是不一定 包括前面提到的圓形介面。
在下文中，將參考圖6至圖23詳細描述用於製造LED器件的方法200，諸如上面描述的和圖1A至圖5中所示的LED器件10。
圖6示出了用於製造根據本發明的LED器件的方法200，圖7至圖23圖示了圖6的方法200的各個過程以及在圖6的方法200中所使用的元件。
方法200在201中包括將第一範本60定位在載體55上，如圖7所示。方法200還可以包括，在將第一範本60定位在載體55上之前，將載體55附著到諸如玻璃板的襯底56上。襯底56可以包括至少一個標記(未示出)，該標記指示磷光體材料70要被印刷到載體55上的位置，並且載體55可以是透明的，使得襯底56上的標記通過載體可見。作為載體55可以設置諸如透明釋放膜的釋放膜。釋放膜可以包括預定的釋放機構，釋放機構被配置成在啟動時釋放釋放膜和附著到釋放膜的部分之間的連接。
圖8是示例性第一範本60的平面圖。示例性第一範本60包括至少一個孔62。孔62形成在板體64中。示例性第一範本60包括開口66並且包括網格部分68，網格部分68設置在開口66內，使得網格部分66將開口分隔成第一範本中的多個孔62，並且磷光體材料70通過孔62印刷到載體55上。如圖8所示，示例性的第一範本60可以包括具有相應的網格部分68的多個開口66，每個開口包括由相應的網格部分68形成的相應的多個孔62(為了清楚起見，在圖8中通過附圖標記表示出第一範本的僅一個所述元件)。
方法200還包括在202中通過第一範本60的至少 一個孔62將磷光體材料70印刷到載體55上以在載體55上形成磷光體材料片(其對應於待製造的LED器件的磷光體材料層，並且因此將在下面用相同的附圖標記22來表示)。如圖9所示，在第一範本60上提供磷光體材料70，並且使用刮板裝置72將磷光體材料70推過第一範本60的頂表面(例如通過將刮板裝置72在圖9中從左向右移動)並且進入至少一個孔62。隨著刮板裝置72將磷光體材料70在至少一個孔62上推過，磷光體材料70流過至少一個孔62，填充第一範本60的開口66並設置在載體55上。
磷光體材料例如是包括磷光體顆粒並且被配置成使得其能夠流過第一範本60中的孔62並且不會在第一範本60從載體55去除之後塌陷或散佈(例如由於印刷的磷光體材料的粘性)的可固化液體組合物。可以在根據本公開的方法和LED器件的各種示例中提供如US 6,650,044B1和US 7,049,159中所述的磷光體材料的示例。
方法200還包括在203中將LED晶片12附著到印刷的磷光體材料片22上。將LED晶片12附著到印刷的磷光體材料片22上可以包括在203a中去除第一範本60，例如，通過沿箭頭R的方向從載體55上提起範本60，如圖10中所示。在202中通過第一範本60印刷磷光體材料片22，然後在203a中去除第一範本60得到印刷的磷光體材料片22，其包括對應於磷光體材料層的側表面26的彎曲側表面，參照圖1A至圖5所描述的。
如圖11所示，然後，將LED晶片12附著到印刷的磷光體材料片22上可包括在203b中將第二範本80定位在載體55上，使得第二範本80中的開口82對應於印刷的磷光體材 料片22之上的位置(例如中心位置)。圖12是示例性的第二範本80的平面圖。示例性的第二範本80包括板體84和形成在板體84內的至少一個開口82。示例性的第二範本80還包括形成在板體84中固定凹部86，所述凹部86與開口82流體連接並且設置在開口82下方。示例性的第二範本80位於載體55上，使得印刷的磷光體材料片22至少部分地如圖11所示設置在凹部86內。示例性的第二範本80還包括板體84的覆蓋部分88。開口82形成在第二範本80的覆蓋部分88中。示例性的第二範本80定位在載體55上方，使得印刷的磷光體材料片22的一部分被第二範本80的覆蓋部分88覆蓋，並且使得印刷的磷光體材料片22的一部分(例如中央部分)通過第二範本80的開口82暴露。因此，第二範本80中的開口82允許將粘合材料90印刷到印刷材料片22上。如圖12所示，示例性的第二範本80可以包括在第二範本80的板體84中的多個開口82，第二範本80中的開口82的數量對應於在步驟202中用第一範本60印刷的磷光體材料片22的數量。
然後，將LED晶片12附著到印刷的磷光體材料片22上可以進一步包括在203c中通過第二範本80的開口82將粘合材料90印刷到印刷的磷光體材料片22上。如圖13所示，粘合材料90設置在第二範本80上，刮板裝置76用於推動粘合材料90經過第二範本80的頂表面(例如通過在圖13中從左向右移動刮板裝置76)並且進入開口82中。隨著刮板裝置76將粘合材料90從開口82上方推過，粘合材料90流過開口82並設置在印刷的磷光體材料片22上。如上文關於圖1至圖5所示，粘合材料可以是透明的膠合材料或任何合適的粘合材料，其對於所使用的LED晶片所發出的光是至少部分可透的。
在203中將LED晶片12附著到印刷的磷光體材料片22上可以進一步包括在203d中去除第二範本80，例如，通過沿箭頭R的方向從載體55提起第二範本80，如圖14所示，接著，如圖15所示，通過印刷的粘合材料將LED晶片12附著到印刷的磷光體材料片22上，從而在印刷的磷光體材料片22和LED晶片12之間形成粘合材料層30。在圖14和圖15中所示，去除第二範本80會導致在印刷的磷光體材料片22上的粘合材料滴92。被印刷到印刷的磷光體材料片22上的粘合材料的量可以被設置為使得當LED晶片12是通過印刷的粘合材料附著到印刷的磷光體材料片22時，LED晶片12的側表面16可以基本上沒有粘合材料，並且在印刷的磷光體材料片22和LED晶片12之間形成粘合材料層30，如圖16A所示。印刷到印刷的磷光體材料片22上的粘合材料的量也可以被設置成使得，當通過印刷的粘合材料將LED晶片12附著到印刷的磷光體材料片22上時，一部分粘合材料至少部分地圍繞LED晶片12(例如其側表面16)以在LED晶片12周圍形成凸起的肩角94，如圖16B所示。
方法200可以進一步包括在204中將第三範本100定位到LED晶片12上，使得第三範本100的覆蓋部分102覆蓋至少一個電極(例如，如圖17中所示的兩個電極20a和20b)，並且使得第三範本100中的至少一個孔104位於至少部分地圍繞印刷的磷光體材料片22的載體表面(例如載體55的一部分)之上。圖18是示例性的第三範本100的平面圖。示例性的第三範本100包括板體106和形成在板體106內的至少一個孔104。示例性的第三範本100還包括在覆蓋部分102中的凹部102a。示例性的第三範本100定位在LED晶片12上，使得LED晶片12至少部分地設置在凹部102a內。示例性的第三範本100進一步 包括從覆蓋部分102沿著朝向載體55的方向突出的突出部分103。突出部分103可以與覆蓋部分102一體地形成並且限定覆蓋部分102的凹部102a，如圖17所示。示例性的第三範本100被定位在LED晶片12上，使得凹部102a內的間隙在LED晶片12(例如，LED晶片12的側表面)與第三範本100的突起部分103之間在橫向方向上形成。示例性的第三範本100還包括圍繞第三範本的覆蓋部分102的開口108，並且還包括網格部分110，網格部分110佈置在開口108中並連接到覆蓋部分102，使得網格部分110將開口108分隔成多個孔104，反射體材料120通過孔104印刷到載體55上。如圖18所示，示例性的第三範本100可以包括具有相應的網格部分112的多個開口108，每個開口包括由相應的網格部分112形成的相應的多個孔104(為了清楚起見，在圖18中通過附圖標記表示出第三範本100的僅一個元件)。
如圖19所示，方法200可以進一步包括，在205中，通過至少一個孔104將反射體材料120印刷到載體55上。如圖19所示，在第三範本100上提供反射體材料120，並且使用刮板裝置122將反射體材料120推過第三範本100的頂表面(例如通過將刮板裝置122在圖19中從左向右移動)並且進入至少一個孔104。隨著刮板裝置122將反射體材料120在至少一個孔104上推過，反射體材料120流過至少一個孔104，至少部分地填充第一範本100的開口108並且設置在載體55上。在205中反射體材料120可以印刷到載體55上，使得得到的反射體材料層40以封閉的方式圍繞印刷的磷光體材料片22和LED晶片12兩者的側表面，即其沿著印刷的磷光體材料片22和LED晶片12的全部四個邊緣延伸，如圖2至圖4所示。在205中印刷反射體材料120期間，覆蓋部分102防止LED晶片12的電極被 反射體材料120覆蓋。通過在205中印刷反射體材料120，形成印刷的反射體材料層40，其至少部分地圍繞LED晶片12、粘合材料層30和印刷的磷光體材料片22。如圖19和圖20中所示，可以將反射體材料120印刷到載體55上，使得印刷的反射體材料層40的表面(對應於製造過程之後的LED器件10的反射體材料層40的頂表面44)和磷光體材料層22的表面(對應於製造過程之後的LED器件10的磷光體材料層22的頂表面24)基本上彼此齊平，所述表面與載體55接觸。
反射體材料120例如是可固化的液體組合物，其被配置為使得其能夠流過第三範本100中的孔104並且至少不會爬上和/或溢出LED晶片12的頂表面而擴散。反射體材料120可以包括氧化鈦和其他化合物的混合物。適合的反射體材料是本領域技術人員已知的，例如可從Penchem Technologies獲得的OP957-5W。
如圖20所示，方法200可以進一步包括，在206中，去除第三範本100，例如，通過沿箭頭R的方向從載體55上提起範本100。如圖20中所示，反射體材料可以在其附著到LED晶片12的側表面的同時至少部分地處於液態(即，在其完全固化之前)形成凹形彎液面，而不會溢出LED晶片12的頂表面，並且因此使用第三範本100印刷反射體材料層40、然後去除第三範本100可以因此導致反射體材料層40的形成，該反射體材料層40包括具有凹形輪廓的表面，凹形輪廓形成為使得凹形輪廓朝向LED晶片12的電極彎曲(所述表面具有與如參照圖1A至圖5描述的磷光體材料層40的底表面46相對應的凹形輪廓)。
方法200還可以包括，在207中，將帶130附著到 LED晶片12的至少一個電極(例如，到電極20a和20b兩者)上，例如，如圖21所示，通過沿箭頭S的方向將帶130從上方放置到LED晶片12上。帶可以是膠帶並且可以粘附到LED晶片12的電極。帶130可以被安裝在穩定環(例如金屬環)上，並且可以被提供用於在製造過程結束後保持製造的LED器件。
方法200可以進一步包括，在208中，從印刷的磷光體材料片22和印刷的反射體材料層40上去除載體55。在提供釋放膜作為載體55的情況下，在208中將載體55從印刷的磷光體材料片22和印刷的反射體材料層40去除可以通過啟動釋放膜的預定的釋放機構來執行。圖22示出了其中釋放膜是具有預定的釋放機構的UV釋放膜的示例，所述釋放機構在暴露於紫外線(UV)輻射時被啟動。如圖22所示，釋放膜通過襯底56暴露於由UV輻射源140發射的UV輻射，以啟動釋放機構。在這種情況下，形成載體55的襯底56和UV釋放膜都至少部分地可透過紫外線輻射，以允許啟動設置在UV釋放膜的兩側上的釋放機構。在釋放機構被啟動之後，襯底56和UV釋放膜之間的連接被釋放，並且UV釋放膜與印刷的磷光體材料片22和反射體材料層40之間的連接被釋放。因此，襯底56能夠沿著圖22中的箭頭V的方向從UV釋放膜分離。然後將UV釋放膜從印刷的磷光體材料片22和印刷的反射體材料層40以相同的方向分離。要注意的是，為了去除載體55的過程，待製造的LED器件的圖22的整個結構已經被翻轉了180度，但是示例不限於此。在另一示例中，釋放膜是具有預定的釋放機構的熱釋放膜，其在加熱時被啟動，並且從印刷的磷光體材料片22和印刷的反射體材料層40上去除載體可以通過對載體55施加熱來執行，印刷的磷光體材料片22和印刷的反射體材料層40通過熱源使得熱釋放膜的 釋放機構被啟動。載體55和襯底56可隨後(如圖22所示)去除或作為一個單元去除(例如在襯底56和釋放膜彼此固定連接的情況下)。
方法200還可以包括在印刷磷光體材料之後和/或在去除第一範本之後固化印刷的磷光體材料片的過程，以及在通過印刷的粘合材料將LED晶片附著到印刷的磷光體材料片之後固化印刷的磷光體材料片與LED晶片之間的粘合劑層的過程，以及在印刷反射體材料之後和/或在去除第三範本之後固化印刷的反射體材料層的過程。例如，磷光體材料和/或反射體材料可以在印刷之後以及在分別使用的範本去除之前至少部分固化，然後可以在相應使用的範本被隨後去除之後被完全固化。
儘管已經參照一個LED器件的製造對圖6中示出的方法進行了描述，但是對於本領域技術人員顯而易見的是，方法200也可以被實現為同時製造多個LED器件。方法200因此還可以包括將多個磷光體材料片印刷到載體上，將多個LED晶片附著到多個磷光體材料片上，並且將LED晶片彼此分開以形成單獨的LED器件。圖23示出了一個示例，其中在LED晶片周圍形成各種材料層22,30和40並且帶130已經被附著以及載體55已經被去除之後，單獨的LED晶片被分開。如圖23所示，可以通過沿著鋸線144的鋸切工藝來執行將LED晶片彼此分開的過程，以便形成單獨的LED器件10a，10b，10c，10d，每個LED器件均與如上所述的LED器件10相對應。當同時生產多個LED器件時，還可以可選地相應執行上述圖6所示的方法200的過程，例如，以形成多個粘合材料層，用於分別將LED晶片附著到磷光體材料片，以印刷反射體材料層40，使得它通過使用上述範本圍繞多個LED晶片、粘合劑層和磷光體材料片等。
該方法可以在正常的室溫和常壓下進行，從而減少了在材料層中積聚的應力。此外，基本上不需要通常通過研磨進行的平面化工藝和/或用於去除過量材料的工藝。此外，由於使用上述範本，所以可以減少製造過程中的材料洩漏。

Claims (19)

  1. 一種製造發光二極體器件的方法，其中，該方法包括：將第一範本定位在載體上；通過所述第一範本的至少一個孔將磷光體材料印刷到所述載體上以在所述載體上形成磷光體材料片；以及將發光二極體晶片附著到所述印刷的磷光體材料片上，其中將所述發光二極體晶片附著到所述印刷的磷光體材料片上包括：去除所述第一範本並將第二範本定位在所述載體上，使得所述第二範本中的開口對應於所述印刷的磷光體材料片之上的位置；通過所述第二範本的開口將粘合材料印刷到所述印刷的磷光體材料片上；去除所述第二範本並通過印刷的粘合材料將所述發光二極體晶片附著到印刷的磷光體材料片上，從而在所述印刷的磷光體材料片和所述發光二極體晶片之間形成粘合材料層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，所述第二範本還包括設置在所述第二範本的所述開口下方並且與所述第二範本的開口相連的凹部，其中所述第二範本位於所述載體上方，使得所述印刷的磷光體材料片至少部分地設置在所述凹部內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，所述方法還包括：將第三範本定位到所述發光二極體晶片上，使得所述第三範本的覆蓋部分覆蓋所述發光二極體晶片的電極，並且使得所述第三範本中的至少一個孔位於至少部分地圍繞所述印刷的磷光體材料片的載體表面上；通過所述第三範本的所述至少一個孔將反射體材料印刷到所述載體上以形成至少部分地圍繞所述發光二極體晶片、所述粘合材料層和所述印刷的磷光體材料片的印刷的反射體材料層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的方法，其中，所述第三範本進一步包括所述覆蓋部分中的凹部，並且其中所述第三範本定位在所述發光二極體晶片上，使得所述發光二極體晶片至少部分地設置在所述凹部內。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的方法，其中，所述方法還包括：去除所述第三範本並將帶附著到所述發光二極體晶片的所述電極上；以及從所述印刷的磷光體材料片和所述印刷的反射體材料層去除所述載體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的方法，其中，所述方法還包括：提供作為所述載體的釋放膜，其中所述釋放膜包括預定的釋放機構，所述釋放機構被配置成在啟動時釋放所述釋放膜與附著到所述釋放膜的部分之間的連接，其中從所述印刷的磷光體材料片和所述印刷的反射體材料層去除所述載體包括：通過啟動所述預定的釋放機構而從所述印刷的磷光體材料和所述印刷的反射體材料去除所述釋放膜。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，所述方法還包括：將多個磷光體材料片印刷到所述載體上；將多個發光二極體晶片附著到所述多個磷光體材料片上；以及將發光二極體晶片彼此分開以形成分離的發光二極體器件。
  8. 一種發光二極體器件，其中，包括：發光二極體晶片；設置在發光二極體晶片上方的磷光體材料層；以及反射體材料層，其至少部分地圍繞所述磷光體材料層的側表面，使得在所述反射體材料層和所述磷光體材料層之間形成圓形 介面。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體器件，其中，所述磷光體材料層的所述側表面從所述磷光體材料層的頂表面的邊緣延伸到所述磷光體材料層的底表面的邊緣，並且所述磷光體材料層的頂表面的邊緣被設置在比所述磷光體材料層的底表面的邊緣更遠離發光二極體晶片的橫向方向上，使得所述磷光體材料層的側表面形成有凸形介面輪廓，並且所述反射體材料層的相應的介面表面形成有凹形介面輪廓。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體器件，其中，所述發光二極體晶片通過粘合材料層附著到所述磷光體材料層，並且所述反射體材料層還至少部分地圍繞所述粘合材料層的側表面，使得在所述反射體材料層和所述粘合材料層之間形成圓形介面。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體器件，其中，所述粘合材料層至少部分地圍繞所述發光二極體晶片的側表面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的發光二極體器件，其中，述粘合材料層的側表面形成有凸形介面輪廓，並且所述反射體材料層的相應介面表面形成有凹形介面輪廓。
  13. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體器件，其中，所述反射體材料層進一步至少部分地圍繞所述發光二極體晶片的側表面。
  14. 一種發光二極體器件，其中，包括：發光二極體晶片；以及反射體材料層，其至少部分地圍繞所述發光二極體晶片的側表面並且包括具有凹形輪廓的表面，所述凹形輪廓形成為使得所述凹形輪廓朝向所述發光二極體晶片的電極彎曲。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體器件，其中，隨著與所述發光二極體晶片的橫向距離減小，所述反射體材料層的所述表面的所述凹形輪廓朝向所述發光二極體晶片的所述電極彎曲。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體器件，其中，所述發光二極體晶片包括頂表面和底表面，所述底表面與所述發光二極體晶片的所述頂表面間隔開並與所述頂表面相對設置，並且所述電極設置在所述底表面上，其中所述發光二極體晶片的所述側表面將所述發光二極體晶片的所述頂表面和底表面相互連接，所述反射體材料層的表面的凹形輪廓朝向所述發光二極體晶片的電極彎曲，使得所述反射體材料層的表面在所述發光二極體晶片的頂表面和底表面之間的接觸部分處接觸所述發光二極體晶片的側表面。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的發光二極體器件，其中，所述反射體材料層還包括基本平坦的頂表面，並且具有所述凹形輪廓的所述反射體材料層的所述表面是所述反射體材料層的底表面，該反射體材料層的底表面設置成與所述反射體材料層的頂表面間隔開並與之相對。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的發光二極體器件，其中，還包括：磷光體材料層，其包括附著到發光二極體晶片的頂表面的底表面並且包括頂表面，其中所述磷光體材料層的所述頂表面與所述反射體材料層的所述頂表面基本齊平。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的發光二極體器件，其中，所述反射體材料層的頂表面和所述磷光體材料層的頂表面被露出。
TW107102959A 2017-02-09 2018-01-26 製造發光二極體器件的方法及製造的發光二極體器件 TWI669357B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/428,302 2017-02-09
US15/428,302 US10014450B1 (en) 2017-02-09 2017-02-09 Method for manufacturing a light emitting diode device and the light emitting diode device so manufactured

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201829649A true TW201829649A (zh) 2018-08-16
TWI669357B TWI669357B (zh) 2019-08-21

Family

ID=62684421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107102959A TWI669357B (zh) 2017-02-09 2018-01-26 製造發光二極體器件的方法及製造的發光二極體器件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10014450B1 (zh)
KR (1) KR102011644B1 (zh)
CN (1) CN108417674B (zh)
MY (1) MY187404A (zh)
TW (1) TWI669357B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10903266B2 (en) * 2018-12-31 2021-01-26 Lumileds Llc Ultra-smooth sidewall pixelated array LEDs
DE102022121519A1 (de) * 2022-08-25 2024-03-07 Ams-Osram International Gmbh Strahlung emittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von strahlung emittierenden halbleiterbauelementen

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
TWI297784B (en) * 2005-09-22 2008-06-11 Lite On Technology Corp Optical module having a lens formed without contacting a reflector and method of manufacturing the same
US7626210B2 (en) * 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
KR100849813B1 (ko) 2007-03-22 2008-07-31 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 제조방법 및 발광소자 패키지 제조용 몰드
US8723409B2 (en) * 2010-04-07 2014-05-13 Nichia Corporation Light emitting device
KR20120061376A (ko) * 2010-12-03 2012-06-13 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자에 형광체를 도포하는 방법
US20140339582A1 (en) * 2011-06-07 2014-11-20 Nobuo Matsumura Resin sheet laminate, method for manufacturing the same and method for manufacturing led chip with phosphor-containing resin sheet
JP5883662B2 (ja) * 2012-01-26 2016-03-15 スタンレー電気株式会社 発光装置
CN103311400A (zh) 2012-03-15 2013-09-18 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
JP6097084B2 (ja) * 2013-01-24 2017-03-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
CN103200775B (zh) * 2013-03-25 2016-03-23 乐健科技（珠海）有限公司 用于led安装的陶瓷基印刷电路板的制备方法
DE102013211634A1 (de) * 2013-06-20 2014-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements
KR101517219B1 (ko) * 2013-10-22 2015-05-04 한국광기술원 웨이퍼 단위 발광다이오드 셀별 형광체 도포방법
KR101590472B1 (ko) * 2014-06-25 2016-02-18 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 광변환 시트 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
JP6217705B2 (ja) * 2015-07-28 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN106058020A (zh) * 2016-07-08 2016-10-26 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 碗状结构芯片级封装发光装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108417674A (zh) 2018-08-17
KR102011644B1 (ko) 2019-08-19
CN108417674B (zh) 2021-04-16
KR20180092895A (ko) 2018-08-20
TWI669357B (zh) 2019-08-21
MY187404A (en) 2021-09-22
US10014450B1 (en) 2018-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI686965B (zh) 發光裝置及其製造方法
TWI630731B (zh) 白光發光二極體元件
US9601670B2 (en) Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
CN107039573B (zh) 发光元件及其制造方法
US10916685B2 (en) Package structure and manufacturing method thereof
KR101923588B1 (ko) 발광장치, 그 제조방법 및 조명장치
US20150091035A1 (en) Semiconductor device structure
US10381536B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP2016006832A (ja) 光学素子、発光素子パッケージおよび発光素子パッケージの製造方法
KR101476771B1 (ko) 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR20150107086A (ko) 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
JP2016146480A (ja) Ｌｅｄパッケージング構造及びその製造方法
JP5543386B2 (ja) 発光装置、その製造方法及び照明装置
US20210399041A1 (en) Light emitting module having a plurality of unit pixels, method of fabricating the same, and displaying apparatus having the same
KR101575366B1 (ko) 발광소자 패키지
JP5452645B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
TWI669357B (zh) 製造發光二極體器件的方法及製造的發光二極體器件
TWI741339B (zh) 發光裝置及其製造方法
TW201724583A (zh) 用於增進封裝效率之覆晶晶片尺寸封裝發光二極體之反射塗層
JP6116228B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
KR20150129890A (ko) 발광각도 조절이 가능한 형광필름이 구비된 led 조명 모듈 제조 방법
KR101460742B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
TW201340407A (zh) 發光二極體之封裝結構與其製法
KR101501553B1 (ko) 발광소자 패키지
JP6399783B2 (ja) Ｌｅｄ発光装置及びその製造方法