CN108417674A - 制造发光二极管器件的方法及制造的发光二极管器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种包括发光二极管芯片的发光二极管器件。用于制造发光二极管器件的方法包括:将第一模板定位在载体上;通过第一模板的至少一个孔将磷光体材料印刷到载体上,以在载体上形成磷光体材料片;以及将发光二极管芯片附着到印制的磷光体材料片上。
Description
技术领域
本发明的各个方面涉及一种发光二极管器件以及一种用于制造发光二极管器件的方法,例如,涉及一种包括反射体材料层的发光二极管器件以及用于制造这种发光二极管器件的方法。
背景技术
发光二极管(“LED”)器件通常表现为低耗电、低发热以及长寿命和小体积。由于这些特性,LED器件近来被用作各种照明应用中的光源。
LED器件通常包括安装在衬底上的LED芯片。这种LED芯片通常包括堆叠层结构,包括各种半导体层,使得LED芯片能够发射特定波长范围的光,从而根据所使用的材料产生特定颜色的发射光。例如在US 6,650,044B1和US 7,049,159B2中描述了具有堆叠层结构的这种LED芯片的示例。由于这样的LED芯片不会自然地发射白光,因此通常将磷光体材料应用于LED芯片,以便调节发射光的颜色,使得光对于人眼而言基本上呈现为白光。
此外,为了以期望的方式分配由LED芯片发射的光,LED器件可以另外设置有白色反射层。在US 8,921,131 B2中描述了一种用于制造具有反射层的LED器件的方法。
用于形成磷光体层和反射层的常规方法通常使用模塑技术,如US 8,921,131 B2中所述的注塑或传递模塑,或分配/喷涂技术,例如使用喷嘴来分配反射体材料到LED芯片上或将磷光体材料喷涂到LED芯片上。然而,这些方法通常不够精确并且需要后处理,例如将通过模制形成的材料层研磨至期望的最终厚度。这些额外的工艺使得传统的方法变慢并且在研磨期间具有损坏LED芯片的风险。而且,需要额外的和昂贵的专用设备,如用于成型、喷涂和后处理的机器,研磨增加了所用材料的浪费,从而增加了生产成本。另外,传统方法不能充分地控制印刷层边缘的清晰度,并且由于用于形成磷光体层和反射层的液体材料在其固化之前的液体性质以及因此形成弯液面而受到表面张力的影响,从而不能足够好地控制表面的平整度。
发明内容
因此,本公开的各个方面提供了一种包括LED芯片的LED器件。LED器件进一步包括设置在LED芯片之上的磷光体材料层。LED器件还包括反射体材料层,所述反射体材料层至少部分地围绕磷光体材料层的侧表面,从而使得在反射体材料层和磷光体材料层之间形成圆形界面。
本公开的各个方面还提供了一种LED器件,其包括LED芯片和反射体材料层,所述反射体材料层至少部分地围绕LED芯片的侧表面并且包括具有凹形轮廓的表面。凹形轮廓形成为使得凹形轮廓朝向LED芯片的电极弯曲。
本公开的各个方面进一步提供了一种制造LED器件的方法。该方法包括将第一模板定位在载体上,并通过第一模板的至少一个孔将磷光体材料印刷到载体上,以在载体上形成磷光体材料片。该方法进一步包括将LED芯片附着到印刷的磷光体材料片上。
附图说明
当结合非限制性实施例和附图考虑时,参照详细描述将更好地理解本发明,其中:
图1A是沿着图3的线A-A的LED器件的示意性剖视图。
图1B和图1C是图1A所示的LED器件10的放大剖视图。
图2是LED器件的示意性透视图。
图3是LED器件的示意性俯视图。
图4是LED器件的示意性仰视图。
图5是其中形成粘合层以至少部分地围绕LED芯片的侧表面的LED器件的示意性剖视图。
图6是示出用于制造LED器件的方法的流程图。
图7示出了在制造方法中将第一模板定位在载体上的过程。
图8是示例性第一模板的平面图。
图9示出了在制造方法中通过第一模板将磷光体材料印刷到载体上的过程。
图10示出了在制造方法中从载体上去除第一模板的过程。
图11示出了在制造方法中将第二模板定位在载体上的过程。
图12是示例性的第二模板的平面图。
图13示出了在制造方法中通过第二模板将粘合材料印刷到印刷的磷光体材料片上的过程。
图14示出了在制造方法中从载体上去除第二模板的过程。
图15示出了在制造方法中将LED芯片附着到印刷的磷光体材料片的过程。
图16A和图16B示出了在应用反射体材料之前的制造方法期间的中间LED器件。
图17示出了在制造方法中将第三模板定位在载体上的过程。
图18是示例性的第三模板的平面图。
图19示出了在制造方法中通过第三模板将反射体材料印刷到载体上的过程。
图20示出了在制造方法中去除第三模板的过程。
图21示出了在制造方法中将带附着到LED芯片的电极的过程。
图22示出了在制造方法中去除载体和衬底的过程。
图23示出了在制造方法中分开多个LED芯片以形成单独的LED器件的过程。
具体实施方式
以下详细描述参照附图,附图以举例说明的方式示出了可以实施本发明的具体细节和实施例。
这里使用词语“示例性”来表示“用作示例、实例或说明”。在此描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定被解释为比其他实施例或设计优选或有利。
本发明的各个方面提供了一种LED器件及其相应的制造方法,所述LED器件可以以更快且更具成本效益的方式制造,与传统的LED器件相比具有更少的生产缺陷和更高的产量。此外,与传统的LED器件相比,这样的LED器件可以具有改进的反射层的性能以增强光分布并且具有改进的可靠性和耐用性。
现在将参照图1A至图5详细描述示例性的LED器件。
图1A是沿着图3的线A-A的LED器件10的示意性剖视图,并且图1B和图1C是图1A中示出的LED器件10的放大的剖视图。 LED器件10可以以芯片级封装的形式实施,但不限于此。LED器件10包括LED芯片12,其包括顶表面14、侧表面16和底表面18。LED芯片10被配置为从其顶表面14发射光。为此,LED芯片10可以在其顶表面下方包括被配置成发光的堆叠层结构。堆叠层结构可以包括半导体层,诸如p型氮化镓层和n型氮化镓层,并且可以另外包括取决于LED芯片的组成的其他活性层。可以在LED芯片12中实现用于LED芯片的各种其他堆叠层结构。例如,US 6,650,044B1和US 7,049,159B2中描述的用于LED器件的堆叠层结构可以用在LED芯片12中,并且各种示例不限于LED芯片12的特定结构。顶表面14可以是该结构的顶层(例如透明材料层(例如,蓝宝石衬底))的一部分。
此外,底表面18设置成与顶表面14间隔开并且与顶表面14相对。顶表面14和底表面18可以彼此平行并且可以基本水平地延伸。底表面14包括至少一个电极。举例来说,图1A至图5中所示的LED芯片12的底表面14包括电耦合到LED芯片12的堆叠层结构以提供用于光产生的电能的第一电极20a和第二电极20b,但是不限于此。
侧表面16将顶表面14和底表面18彼此连接。侧表面16可以基本垂直地延伸。侧表面16在将顶表面14和底表面18彼此连接的同时包围顶表面14和底表面18。例如,顶表面14和底表面18可以各自包括通过侧表面16分别彼此连接的四个边缘(示例性地,底表面18的四个边缘19a至19d在图4中示出)。尽管LED芯片12的顶表面和底表面在图中示出为具有四个边缘并且具有基本矩形的形状,但是应当注意的是,可以为LED芯片的顶表面和底表面设想任何数量的边缘和任何类型的形状。还要注意的是,在图中示意性地示出了LED芯片12,并且LED芯片12的表面可以包括各种形状和表面特征,诸如脊,凹陷,突起等。
LED器件10还包括磷光体材料层22和反射体材料层40。在磷光体材料层22和反射体材料层40之间形成圆形界面。
磷光体材料层22设置在LED芯片12之上,并且磷光体材料层22可以附着到LED芯片12的顶表面14上。磷光体材料层22包括顶表面24、侧表面26和底表面28。如图所示,磷光体材料层22的顶表面24可以是LED器件10的暴露的外表面,但是不限于此,并且一个或多个另外的层(例如透明层)可以设置在磷光体材料层22的顶表面24之上。此外,磷光体材料层22的顶表面24和底表面28可以是基本上平坦的,但是不限于此,并且可以包括表面特征,诸如脊,凹陷,突起等。磷光体材料层22的底表面28的面积可以对应于LED芯片12的顶表面14的面积,并且磷光体材料层22的顶表面24的面积可能会大于磷光体材料层22的底表面28的面积。
磷光体材料层22的侧表面26从磷光体材料层22的顶表面24的边缘25延伸到磷光体材料层22的底表面28的边缘29。LED芯片12的顶表面24和底表面28的边缘25和29在横向方向上彼此间隔开距离B(在图1B中示出),并且连接磷光体材料层22的顶表面24和底表面28的侧表面26形成有具有凸形轮廓的弯曲形状。因此,侧表面26沿着基本上对应于弧(例如,圆弧)的轨迹在边缘25和29之间延伸,如图1A和图1B的剖视图所示。如图1A和图1B中进一步所示,磷光体材料层22可以具有带有圆角的二等分矩形的截面形状。进一步地,顶表面24的边缘25可以在比底表面28的边缘29更远离LED芯片12的横向方向上布置,使得磷光体材料层22的侧表面26形成有凸形界面轮廓。
如图所示,磷光体材料层22的底表面28和顶表面24可各自具有基本上矩形的形状,其具有包括限定矩形形状的四个边缘(图3中示例性地示出了顶表面24的四个边缘25a,25b,25c和25d)的相应的周边部分。然后,侧表面26可以从顶表面24的周边部分延伸到磷光体材料层22的底表面28的周边部分。磷光体材料层22的顶表面24的周边部分的四个边缘可以在横向方向上彼此间隔一定距离,并且连接磷光体材料层22的顶表面26和底表面28的周边部分的侧表面26可以沿着具有弯曲形状的周边部分形成,以与上面关于边缘25和29所描述的类似的方式形成凸形轮廓。四个边缘还可以设置在比磷光体材料层22的底表面28的周边部分的四个边缘更远离LED芯片12的相应横向方向上。尽管磷光体材料层22的顶表面24和底表面28已经在上面进行了描述并且在图1A至图5中与矩形形状相关地示出,应理解,磷光体材料层22的顶表面24和底表面28的形状不限于此。磷光体材料层22的顶表面24和底表面28可以具有具有其他数量的边缘的其他形状(例如,仅具有一个边缘来限定圆形形状的圆形形状或具有任何数量的边缘的任何种类的多边形形状),这取决于所使用的LED芯片以及从LED器件发射的光的预期分布。
磷光体材料层22包括磷光体材料,磷光体材料被配置为允许从LED芯片12的顶表面14发射的光通过其中并且同时调节所述光的颜色,使得最终从LED器件10发射的光基本对应于白光。下面还将给出关于磷光体材料层22的磷光体材料的进一步的信息。
粘合材料层30将磷光体材料层22的底表面28和LED芯片12的顶表面16彼此附着。粘合材料层30在其上侧连接到磷光体材料层22的底表面28,并且在其下侧连接到LED芯片12的顶层18。如图5所示,粘合材料层30也可以形成为使得其至少部分地围绕LED芯片12的侧表面16,例如,至少部分地围绕LED芯片12的顶表面14和底表面18之间的侧表面16。粘合材料层30至少部分地由粘合材料制成,该粘合材料被配置成允许从LED芯片12的顶表面16发射的光通过其中,例如透明胶质材料。然而,粘合材料层30可以使用至少部分可透过由LED芯片12发射的光的任何粘合材料(例如,任何透明粘合材料)。
反射体材料层40被配置为反射从LED芯片12发射的光。例如,反射体材料层40包括被配置为反射从LED芯片发射并且穿过磷光体材料层22的光的反射体材料(例如白色反射体材料)。关于用于反射体材料层40的反射体材料的进一步的信息也将在下面进一步给出。
反射体材料层40至少部分地围绕磷光体材料层22的侧表面26(例如沿着侧表面26的凸形界面轮廓的至少一部分在边缘25和29之间围绕磷光体材料层22的侧表面26),使得圆形界面形成在反射体材料层40和磷光体材料层22之间。如图1A至图5中所示,反射体材料层40例如沿着侧表面26的凸形界面轮廓的至少一部分(例如沿着整个长度)从顶表面24的边缘25到磷光体材料层22的底表面28的边缘29围绕磷光体材料层22的侧表面26。反射体材料层40包括对应于磷光体材料层22的侧表面26的界面表面42a(也称为第一界面表面42a)。界面表面42a形成有凹形界面轮廓。反射体材料层40和磷光体材料层22之间的圆形界面可以包括例如曲率半径基本恒定的曲率。因此,反射体材料层40与磷光体材料层22之间的圆形界面对从LED芯片12发射的光提供改进的反射效果。反射体材料层40与磷光体材料层22之间的圆形界面可进一步被配置使得从LED芯片12发射的光的至少一部分在圆形界面处被反射体材料层40反射,使得光的反射部分的光线平行于光轴T延伸,光轴T垂直于LED芯片12的顶表面,从而进一步改善反射体材料层40所提供的配光效果。
如图1A、图1B和图5所示,反射体材料层40至少部分地围绕粘合材料层30的侧表面32,使得在反射体材料层40和粘合材料层30之间形成圆形界面。粘合材料层30的侧表面32形成有凸形界面轮廓,并且反射体材料层包括与粘合材料层30的侧表面32相对应的界面表面42b(也被称为第二界面表面42b)。界面表面42b形成有凹形界面轮廓。如图1A和图5中所示,反射体材料层40例如沿着粘合材料层30的侧表面32的凸形界面轮廓的至少一部分(例如整个长度)围绕粘合材料层30的侧表面32。反射体材料层40与粘合材料层30之间的圆形界面包括例如曲率半径基本恒定的曲率。反射体材料层40和粘合材料层30之间的圆形界面还可以被配置为使得从LED芯片12发射的光的至少一部分(例如从LED芯片12的顶表面14的侧边缘部分发射)在反射体材料层40与粘合材料层30之间的圆形界面处被反射体材料层40反射,使得光的反射部分的光线平行于光轴T延伸,光轴T基本上垂直于LED芯片12的顶表面14。
反射体材料层40也包括顶表面44和底表面46。在图1A和图5中所示,反射体材料层40的顶表面44和底表面46在一侧上由外侧表面48相互连接,并且在相对侧上由第一界面表面42a、第二界面表面42b和内侧表面43相互连接。如附图所示,底表面46和外侧表面48可以是LED器件10的暴露的外表面,但是不限于此,并且其它材料层可以覆盖底表面46和外侧表面48。如图1A和图5中进一步所示,反射体材料层40的内侧表面43至少部分地沿着LED芯片12的侧表面16在反射体材料层40的第二界面表面42b和底表面46之间延伸(例如,沿着侧表面16的整个长度延伸),使得反射体材料层40至少部分地围绕LED芯片12的侧表面16。反射体材料层40的顶表面44围绕磷光体材料层22的顶表面24,并且磷光体材料层22的顶表面24与反射体材料层40的顶表面44基本齐平。类似于磷光体材料层22的顶表面24,反射体材料层40的顶表面44可以是暴露的表面,如图所示,但是不限于此,并且一个或多个另外的层可以设置在磷光体材料层40的顶表面44上方。反射体材料层40的顶表面44可以是基本平坦的,但不限于此。
底表面46设置成与顶表面44间隔开并与顶表面44相对。底表面46具有凹形轮廓,该凹形轮廓形成为使得凹形轮廓朝向LED芯片12的电极(例如分别是第一电极20a和第二电极20a)弯曲。凹形轮廓例如相对于距LED芯片12的横向距离C朝向电极20a弯曲。如图1A、图1C和图5所示,底表面46的凹形轮廓向LED芯片12的电极弯曲,使得反射体材料层40的底表面46在接触部分50(例如,LED芯片12的顶表面14和底表面18之间的接触部分)处接触LED芯片12的侧表面16。反射体材料层的表面与LED芯片的侧表面之间的接触角α可以小于90度。底表面46的凹形轮廓和反射体材料层40的底表面46与LED芯片12的侧表面16之间形成的接触角减小了接触不良(例如,LED芯片12和反射体材料层40之间的接触不良)以及空隙产生的发生,从而增加了LED器件10的可靠性和耐用性,并且在制造LED器件10的过程中实现了更少的生产缺陷和更高的产量。
一方面,以上参考图1A至图5描述的示例性的LED器件10包括反射体材料层和磷光体层之间和/或反射体材料层和粘合材料层之间的圆形界面,另一方面包括反射体材料层的表面,所述表面具有朝向LED芯片12的电极弯曲的凹形轮廓。然而,应当理解的是,示例还包括LED器件10,其包括反射体材料层40和磷光体层22之间和/或在反射体材料层40和粘合材料层30之间的圆形界面。底表面46不一定具有朝向LED芯片12的电极20a,20b弯曲的凹形轮廓。还应该理解,示例还包括LED器件10,其包括反射体材料层40的表面,所述表面具有朝向LED芯片12的电极20a,20b弯曲的凹形轮廓,但是不一定包括前面提到的圆形界面。
在下文中,将参考图6至图23详细描述用于制造LED器件的方法200,诸如上面描述的和图1A至图5中所示的LED器件10。
图6示出了用于制造根据本发明的LED器件的方法200,图7至图23图示了图6的方法200的各个过程以及在图6的方法200中所使用的元件。
方法200在201中包括将第一模板60定位在载体55上,如图7所示。方法200还可以包括,在将第一模板60定位在载体55上之前,将载体55附着到诸如玻璃板的衬底56上。衬底56可以包括至少一个标记(未示出),该标记指示磷光体材料70要被印刷到载体55上的位置,并且载体55可以是透明的,使得衬底56上的标记通过载体可见。作为载体55可以设置诸如透明释放膜的释放膜。释放膜可以包括预定的释放机构,释放机构被配置成在激活时释放释放膜和附着到释放膜的部分之间的连接。
图8是示例性第一模板60的平面图。示例性第一模板60包括至少一个孔62。孔62形成在板体64中。示例性第一模板60包括开口66并且包括网格部分68,网格部分68设置在开口66内,使得网格部分66将开口分隔成第一模板中的多个孔62,并且磷光体材料70通过孔62印刷到载体55上。如图8所示,示例性的第一模板60可以包括具有相应的网格部分68的多个开口66,每个开口包括由相应的网格部分68形成的相应的多个孔62(为了清楚起见,在图8中通过附图标记表示出第一模板的仅一个所述元件)。
方法200还包括在202中通过第一模板60的至少一个孔62将磷光体材料70印刷到载体55上以在载体55上形成磷光体材料片(其对应于待制造的LED器件的磷光体材料层,并且因此将在下面用相同的附图标记22来表示)。如图9所示,在第一模板60上提供磷光体材料70,并且使用刮板装置72将磷光体材料70推过第一模板60的顶表面(例如通过将刮板装置72在图9中从左向右移动)并且进入至少一个孔62。随着刮板装置72将磷光体材料70在至少一个孔62上推过,磷光体材料70流过至少一个孔62,填充第一模板60的开口66并设置在载体55上。
磷光体材料例如是包括磷光体颗粒并且被配置成使得其能够流过第一模板60中的孔62并且不会在第一模板60从载体55去除之后塌陷或散布(例如由于印刷的磷光体材料的粘性)的可固化液体组合物。可以在根据本公开的方法和LED器件的各种示例中提供如US6,650,044B1和US 7,049,159中所述的磷光体材料的示例。
方法200还包括在203中将LED芯片12附着到印刷的磷光体材料片22上。将LED芯片12附着到印刷的磷光体材料片22上可以包括在203a中去除第一模板60,例如,通过沿箭头R的方向从载体55上提起模板60,如图10中所示。在202中通过第一模板60印刷磷光体材料片22,然后在203a中去除第一模板60得到印刷的磷光体材料片22,其包括对应于磷光体材料层的侧表面26的弯曲侧表面,参照图1A至图5所描述的。
如图11所示,然后,将LED芯片12附着到印刷的磷光体材料片22上可包括在203b中将第二模板80定位在载体55上,使得第二模板80中的开口82对应于印刷的磷光体材料片22之上的位置(例如中心位置)。图12是示例性的第二模板80的平面图。示例性的第二模板80包括板体84和形成在板体84内的至少一个开口82。示例性的第二模板80还包括形成在板体84中固定凹部86,所述凹部86与开口82流体连接并且设置在开口82下方。示例性的第二模板80位于载体55上,使得印刷的磷光体材料片22至少部分地如图11所示设置在凹部86内。示例性的第二模板80还包括板体84的覆盖部分88。开口82形成在第二模板80的覆盖部分88中。示例性的第二模板80定位在载体55上方,使得印刷的磷光体材料片22的一部分被第二模板80的覆盖部分88覆盖,并且使得印刷的磷光体材料片22的一部分(例如中央部分)通过第二模板80的开口82暴露。因此,第二模板80中的开口82允许将粘合材料90印刷到印刷材料片22上。如图12所示,示例性的第二模板80可以包括在第二模板80的板体84中的多个开口82,第二模板80中的开口82的数量对应于在步骤202中用第一模板60印刷的磷光体材料片22的数量。
然后,将LED芯片12附着到印刷的磷光体材料片22上可以进一步包括在203c中通过第二模板80的开口82将粘合材料90印刷到印刷的磷光体材料片22上。如图13所示,粘合材料90设置在第二模板80上,刮板装置76用于推动粘合材料90经过第二模板80的顶表面(例如通过在图13中从左向右移动刮板装置76)并且进入开口82中。随着刮板装置76将粘合材料90从开口82上方推过,粘合材料90流过开口82并设置在印刷的磷光体材料片22上。如上文关于图1至图5所示,粘合材料可以是透明的胶合材料或任何合适的粘合材料,其对于所使用的LED芯片所发出的光是至少部分可透的。
在203中将LED芯片12附着到印刷的磷光体材料片22上可以进一步包括在203d中去除第二模板80,例如,通过沿箭头R的方向从载体55提起第二模板80,如图14所示,接着,如图15所示,通过印刷的粘合材料将LED芯片12附着到印刷的磷光体材料片22上,从而在印刷的磷光体材料片22和LED芯片12之间形成粘合材料层30。在图14和图15中所示,去除第二模板80会导致在印刷的磷光体材料片22上的粘合材料滴92。被印刷到印刷的磷光体材料片22上的粘合材料的量可以被设置为使得当LED芯片12是通过印刷的粘合材料附着到印刷的磷光体材料片22时,LED芯片12的侧表面16可以基本上没有粘合材料,并且在印刷的磷光体材料片22和LED芯片12之间形成粘合材料层30,如图16A所示。印刷到印刷的磷光体材料片22上的粘合材料的量也可以被设置成使得,当通过印刷的粘合材料将LED芯片12附着到印刷的磷光体材料片22上时,一部分粘合材料至少部分地围绕LED芯片12(例如其侧表面16)以在LED芯片12周围形成凸起的肩角94,如图16B所示。
方法200可以进一步包括在204中将第三模板100定位到LED芯片12上,使得第三模板100的覆盖部分102覆盖至少一个电极(例如,如图17中所示的两个电极20a和20b),并且使得第三模板100中的至少一个孔104位于至少部分地围绕印刷的磷光体材料片22的载体表面(例如载体55的一部分)之上。图18是示例性的第三模板100的平面图。示例性的第三模板100包括板体106和形成在板体106内的至少一个孔104。示例性的第三模板100还包括在覆盖部分102中的凹部102a。示例性的第三模板100定位在LED芯片12上,使得LED芯片12至少部分地设置在凹部102a内。示例性的第三模板100进一步包括从覆盖部分102沿着朝向载体55的方向突出的突出部分103。突出部分103可以与覆盖部分102一体地形成并且限定覆盖部分102的凹部102a,如图17所示。示例性的第三模板100被定位在LED芯片12上,使得凹部102a内的间隙在LED芯片12(例如,LED芯片12的侧表面)与第三模板100的突起部分103之间在横向方向上形成。示例性的第三模板100还包括围绕第三模板的覆盖部分102的开口108,并且还包括网格部分110,网格部分110布置在开口108中并连接到覆盖部分102,使得网格部分110将开口108分隔成多个孔104,反射体材料120通过孔104印刷到载体55上。如图18所示,示例性的第三模板100可以包括具有相应的网格部分112的多个开口108,每个开口包括由相应的网格部分112形成的相应的多个孔104(为了清楚起见,在图18中通过附图标记表示出第三模板100的仅一个元件)。
如图19所示,方法200可以进一步包括,在205中,通过至少一个孔104将反射体材料120印刷到载体55上。如图19所示,在第三模板100上提供反射体材料120,并且使用刮板装置122将反射体材料120推过第三模板100的顶表面(例如通过将刮板装置122在图19中从左向右移动)并且进入至少一个孔104。随着刮板装置122将反射体材料120在至少一个孔104上推过,反射体材料120流过至少一个孔104,至少部分地填充第一模板100的开口108并且设置在载体55上。在205中反射体材料120可以印刷到载体55上,使得得到的反射体材料层40以封闭的方式围绕印刷的磷光体材料片22和LED芯片12两者的侧表面,即其沿着印刷的磷光体材料片22和LED芯片12的全部四个边缘延伸,如图2至图4所示。在205中印刷反射体材料120期间,覆盖部分102防止LED芯片12的电极被反射体材料120覆盖。通过在205中印刷反射体材料120,形成印刷的反射体材料层40,其至少部分地围绕LED芯片12、粘合材料层30和印刷的磷光体材料片22。如图19和图20中所示,可以将反射体材料120印刷到载体55上,使得印刷的反射体材料层40的表面(对应于制造过程之后的LED器件10的反射体材料层40的顶表面44)和磷光体材料层22的表面(对应于制造过程之后的LED器件10的磷光体材料层22的顶表面24)基本上彼此齐平,所述表面与载体55接触。
反射体材料120例如是可固化的液体组合物,其被配置为使得其能够流过第三模板100中的孔104并且至少不会爬上和/或溢出LED芯片12的顶表面而扩散。反射体材料120可以包括氧化钛和其他化合物的混合物。适合的反射体材料是本领域技术人员已知的,例如可从Penchem Technologies获得的OP957-5W。
如图20所示,方法200可以进一步包括,在206中,去除第三模板100,例如,通过沿箭头R的方向从载体55上提起模板100。如图20中所示,反射体材料可以在其附着到LED芯片12的侧表面的同时至少部分地处于液态(即,在其完全固化之前)形成凹形弯液面,而不会溢出LED芯片12的顶表面,并且因此使用第三模板100印刷反射体材料层40、然后去除第三模板100可以因此导致反射体材料层40的形成,该反射体材料层40包括具有凹形轮廓的表面,凹形轮廓形成为使得凹形轮廓朝向LED芯片12的电极弯曲(所述表面具有与如参照图1A至图5描述的磷光体材料层40的底表面46相对应的凹形轮廓)。
方法200还可以包括,在207中,将带130附着到LED芯片12的至少一个电极(例如,到电极20a和20b两者)上,例如,如图21所示,通过沿箭头S的方向将带130从上方放置到LED芯片12上。带可以是胶带并且可以粘附到LED芯片12的电极。带130可以被安装在稳定环(例如金属环)上,并且可以被提供用于在制造过程结束后保持制造的LED器件。
方法200可以进一步包括,在208中,从印刷的磷光体材料片22和印刷的反射体材料层40上去除载体55。在提供释放膜作为载体55的情况下,在208中将载体55从印刷的磷光体材料片22和印刷的反射体材料层40去除可以通过激活释放膜的预定的释放机构来执行。图22示出了其中释放膜是具有预定的释放机构的UV释放膜的示例,所述释放机构在暴露于紫外线(UV)辐射时被激活。如图22所示,释放膜通过衬底56暴露于由UV辐射源140发射的UV辐射,以激活释放机构。在这种情况下,形成载体55的衬底56和UV释放膜都至少部分地可透过紫外线辐射,以允许激活设置在UV释放膜的两侧上的释放机构。在释放机构被激活之后,衬底56和UV释放膜之间的连接被释放,并且UV释放膜与印刷的磷光体材料片22和反射体材料层40之间的连接被释放。因此,衬底56能够沿着图22中的箭头V的方向从UV释放膜分离。然后将UV释放膜从印刷的磷光体材料片22和印刷的反射体材料层40以相同的方向分离。要注意的是,为了去除载体55的过程,待制造的LED器件22的图22的整个结构已经被翻转了180度,但是示例不限于此。在另一示例中,释放膜是具有预定的释放机构的热释放膜,其在加热时被激活,并且从印刷的磷光体材料片22和印刷的反射体材料层40上去除载体可以通过对载体55施加热来执行,印刷的磷光体材料片22和印刷的反射体材料层40通过热源使得热释放膜的释放机构被激活。载体55和衬底56可随后(如图22所示)去除或作为一个单元去除(例如在衬底56和释放膜彼此固定连接的情况下)。
方法200还可以包括在印刷磷光体材料之后和/或在去除第一模板之后固化印刷的磷光体材料片的过程,以及在通过印刷的粘合材料将LED芯片附着到印刷的磷光体材料片之后固化印刷的磷光体材料片与LED芯片之间的粘合剂层的过程,以及在印刷反射体材料之后和/或在去除第三模板之后固化印刷的反射体材料层的过程。例如,磷光体材料和/或反射体材料可以在印刷之后以及在分别使用的模板去除之前至少部分固化,然后可以在相应使用的模板被随后去除之后被完全固化。
尽管已经参照一个LED器件的制造对图6中示出的方法进行了描述,但是对于本领域技术人员显而易见的是,方法200也可以被实现为同时制造多个LED器件。方法200因此还可以包括将多个磷光体材料片印刷到载体上,将多个LED芯片附着到多个磷光体材料片上,并且将LED芯片彼此分开以形成单独的LED器件。图23示出了一个示例,其中在LED芯片周围形成各种材料层22,30和40并且带130已经被附着以及载体55已经被去除之后,单独的LED芯片被分开。如图23所示,可以通过沿着锯线144的锯切工艺来执行将LED芯片彼此分开的过程,以便形成单独的LED器件10a,10b,10c,10d,每个LED器件均与如上所述的LED器件10相对应。当同时生产多个LED器件时,还可以可选地相应执行上述图6所示的方法200的过程,例如,以形成多个粘合材料层,用于分别将LED芯片附着到磷光体材料片,以印刷反射体材料层40,使得它通过使用上述模板围绕多个LED芯片、粘合剂层和磷光体材料片等。
该方法可以在正常的室温和常压下进行,从而减少了在材料层中积聚的应力。此外,基本上不需要通常通过研磨进行的平面化工艺和/或用于去除过量材料的工艺。此外,由于使用上述模板,所以可以减少制造过程中的材料泄漏。
Claims (19)
1.一种制造发光二极管器件的方法,其特征在于,该方法包括:
将第一模板定位在载体上;
通过所述第一模板的至少一个孔将磷光体材料印刷到所述载体上以在所述载体上形成磷光体材料片;以及
将发光二极管芯片附着到所述印刷的磷光体材料片上,其中将所述发光二极管芯片附着到所述印刷的磷光体材料片上包括:去除所述第一模板并将第二模板定位在所述载体上,使得所述第二模板中的开口对应于所述印刷的磷光体材料片之上的位置;通过所述第二模板的开口将粘合材料印刷到所述印刷的磷光体材料片上;去除所述第二模板并通过印刷的粘合材料将所述发光二极管芯片附着到印刷的磷光体材料片上,从而在所述印刷的磷光体材料片和所述发光二极管芯片之间形成粘合材料层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二模板还包括设置在所述第二模板的所述开口下方并且与所述第二模板的开口相连的凹部,其中所述第二模板位于所述载体上方,使得所述印刷的磷光体材料片至少部分地设置在所述凹部内。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
将第三模板定位到所述发光二极管芯片上,使得所述第三模板的覆盖部分覆盖所述发光二极管芯片的电极,并且使得所述第三模板中的至少一个孔位于至少部分地围绕所述印刷的磷光体材料片的载体表面上;
通过所述第三模板的所述至少一个孔将反射体材料印刷到所述载体上以形成至少部分地围绕所述发光二极管芯片、所述粘合材料层和所述印刷的磷光体材料片的印刷的反射体材料层。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第三模板进一步包括所述覆盖部分中的凹部,并且其中所述第三模板定位在所述发光二极管芯片上,使得所述发光二极管芯片至少部分地设置在所述凹部内。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
去除所述第三模板并将带附着到所述发光二极管芯片的所述电极上;以及
从所述印刷的磷光体材料片和所述印刷的反射体材料层去除所述载体。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
提供作为所述载体的释放膜,其中所述释放膜包括预定的释放机构,所述释放机构被配置成在激活时释放所述释放膜与附着到所述释放膜的部分之间的连接,
其中从所述印刷的磷光体材料片和所述印刷的反射体材料层去除所述载体包括:通过激活所述预定的释放机构而从所述印刷的磷光体材料和所述印刷的反射体材料去除所述释放膜。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
将多个磷光体材料片印刷到所述载体上;
将多个发光二极管芯片附着到所述多个磷光体材料片上;以及
将发光二极管芯片彼此分开以形成分离的发光二极管器件。
8.一种发光二极管器件,其特征在于,包括:
发光二极管芯片;
设置在发光二极管芯片上方的磷光体材料层;以及
反射体材料层,其至少部分地围绕所述磷光体材料层的侧表面,使得在所述反射体材料层和所述磷光体材料层之间形成圆形界面。
9.根据权利要求8所述的发光二极管器件,其特征在于,
所述磷光体材料层的所述侧表面从所述磷光体材料层的顶表面的边缘延伸到所述磷光体材料层的底表面的边缘,并且
所述磷光体材料层的顶表面的边缘被设置在比所述磷光体材料层的底表面的边缘更远离发光二极管芯片的横向方向上,使得所述磷光体材料层的侧表面形成有凸形界面轮廓,并且所述反射体材料层的相应的界面表面形成有凹形界面轮廓。
10.根据权利要求8所述的发光二极管器件,其特征在于,
所述发光二极管芯片通过粘合材料层附着到所述磷光体材料层,并且
所述反射体材料层还至少部分地围绕所述粘合材料层的侧表面,使得在所述反射体材料层和所述粘合材料层之间形成圆形界面。
11.根据权利要求10所述的发光二极管器件,其特征在于,所述粘合材料层至少部分地围绕所述发光二极管芯片的侧表面。
12.根据权利要求11所述的发光二极管器件,其特征在于,述粘合材料层的侧表面形成有凸形界面轮廓,并且所述反射体材料层的相应界面表面形成有凹形界面轮廓。
13.根据权利要求8所述的发光二极管器件,其特征在于,所述反射体材料层进一步至少部分地围绕所述发光二极管芯片的侧表面。
14.一种发光二极管器件,其特征在于,包括:
发光二极管芯片;以及
反射体材料层,其至少部分地围绕所述发光二极管芯片的侧表面并且包括具有凹形轮廓的表面,所述凹形轮廓形成为使得所述凹形轮廓朝向所述发光二极管芯片的电极弯曲。
15.根据权利要求14所述的发光二极管器件,其特征在于,随着与所述发光二极管芯片的横向距离减小,所述反射体材料层的所述表面的所述凹形轮廓朝向所述发光二极管芯片的所述电极弯曲。
16.根据权利要求14所述的发光二极管器件,其特征在于,
所述发光二极管芯片包括顶表面和底表面,所述底表面与所述发光二极管芯片的所述顶表面间隔开并与所述顶表面相对设置,并且所述电极设置在所述底表面上,其中所述发光二极管芯片的所述侧表面将所述发光二极管芯片的所述顶表面和底表面相互连接,
所述反射体材料层的表面的凹形轮廓朝向所述发光二极管芯片的电极弯曲,使得所述反射体材料层的表面在所述发光二极管芯片的顶表面和底表面之间的接触部分处接触所述发光二极管芯片的侧表面。
17.根据权利要求15所述的发光二极管器件,其特征在于,
所述反射体材料层还包括基本平坦的顶表面,并且
具有所述凹形轮廓的所述反射体材料层的所述表面是所述反射体材料层的底表面,该反射体材料层的底表面设置成与所述反射体材料层的顶表面间隔开并与之相对。
18.根据权利要求17所述的发光二极管器件,其特征在于,还包括:
磷光体材料层,其包括附着到发光二极管芯片的顶表面的底表面并且包括顶表面,其中所述磷光体材料层的所述顶表面与所述反射体材料层的所述顶表面基本齐平。
19.根据权利要求18所述的发光二极管器件,其特征在于,所述反射体材料层的顶表面和所述磷光体材料层的顶表面被露出。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10903266B2 (en) * | 2018-12-31 | 2021-01-26 | Lumileds Llc | Ultra-smooth sidewall pixelated array LEDs |
DE102022121519A1 (de) * | 2022-08-25 | 2024-03-07 | Ams-Osram International Gmbh | Strahlung emittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von strahlung emittierenden halbleiterbauelementen |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200712565A (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-01 | Lite On Technology Corp | Optical module having a lens formed without contacting a reflector and method of manufacturing the same |
CN101467269A (zh) * | 2006-06-09 | 2009-06-24 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 薄外形侧面发光的发光二极管 |
US20110248623A1 (en) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US20120142124A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | Yoo Cheol-Jun | Method of applying phosphor to semiconductor light-emitting device |
CN103153611A (zh) * | 2011-06-07 | 2013-06-12 | 东丽株式会社 | 树脂片材层合体、其制造方法及使用其的带有含荧光体树脂片材的led芯片的制造方法 |
CN103200775A (zh) * | 2013-03-25 | 2013-07-10 | 乐健科技(珠海)有限公司 | 用于led安装的陶瓷基印刷电路板的制备方法 |
US20130193458A1 (en) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method |
KR20150046658A (ko) * | 2013-10-22 | 2015-04-30 | 한국광기술원 | 웨이퍼 단위 발광다이오드 셀별 형광체 도포방법 |
US20160247987A1 (en) * | 2013-01-24 | 2016-08-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
CN106058020A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-10-26 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | 碗状结构芯片级封装发光装置及其制造方法 |
US20170033267A1 (en) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6650044B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-11-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Stenciling phosphor layers on light emitting diodes |
KR100849813B1 (ko) * | 2007-03-22 | 2008-07-31 | 삼성전기주식회사 | 발광소자 패키지 제조방법 및 발광소자 패키지 제조용 몰드 |
CN103311400A (zh) | 2012-03-15 | 2013-09-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
DE102013211634A1 (de) * | 2013-06-20 | 2014-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements |
KR101590472B1 (ko) * | 2014-06-25 | 2016-02-18 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 광변환 시트 및 발광 소자 패키지의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-02-09 US US15/428,302 patent/US10014450B1/en active Active
-
2018
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- 2018-02-08 CN CN201810125735.5A patent/CN108417674B/zh active Active
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200712565A (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-01 | Lite On Technology Corp | Optical module having a lens formed without contacting a reflector and method of manufacturing the same |
CN101467269A (zh) * | 2006-06-09 | 2009-06-24 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 薄外形侧面发光的发光二极管 |
US20110248623A1 (en) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US20120142124A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | Yoo Cheol-Jun | Method of applying phosphor to semiconductor light-emitting device |
CN103153611A (zh) * | 2011-06-07 | 2013-06-12 | 东丽株式会社 | 树脂片材层合体、其制造方法及使用其的带有含荧光体树脂片材的led芯片的制造方法 |
US20130193458A1 (en) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method |
US20160247987A1 (en) * | 2013-01-24 | 2016-08-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
CN103200775A (zh) * | 2013-03-25 | 2013-07-10 | 乐健科技(珠海)有限公司 | 用于led安装的陶瓷基印刷电路板的制备方法 |
KR20150046658A (ko) * | 2013-10-22 | 2015-04-30 | 한국광기술원 | 웨이퍼 단위 발광다이오드 셀별 형광체 도포방법 |
US20170033267A1 (en) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
CN106058020A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-10-26 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | 碗状结构芯片级封装发光装置及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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