TWI458134B - 具有磷光膜之封裝發光二極體及相關之系統和方法 - Google Patents

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TWI458134B TW100121668A TW100121668A TWI458134B TW I458134 B TWI458134 B TW I458134B TW 100121668 A TW100121668 A TW 100121668A TW 100121668 A TW100121668 A TW 100121668A TW I458134 B TWI458134 B TW I458134B
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Description

具有磷光膜之封裝發光二極體及相關之系統和方法
本發明概言之係關於具有磷光膜之封裝發光二極體(LED)、及相關之系統及方法。
由於LED有效產生高強度、高品質光，故出於許多目的對該等裝置之需要不斷增加。舉例而言，行動電話、個人數位助理、數位相機、MP3播放器及其他可攜式裝置使用LED或其他固態發光裝置產生白光用於背景照明。LED亦可用於除電子裝置外之應用中，例如用於天花板面板、桌燈、冰箱燈、臺燈、路燈、自動前照燈、及需要或期望發光之其他情形中。
與生產LED相關之一個挑戰係控制生產成本以使LED之定價與其他更習用之發光源相比具有競爭力。由於LED之成本大部分歸因於製備LED之方法，故製造商已嘗試降低處理成本。處理成本之一個態樣係關於磷光體在封裝LED系統中之使用。具體而言，典型LED發射藍光，而許多應用需要或至少受益於較柔和之有色光或白光。因此，製造商用吸收一部分所發射藍光並重新發射黃光形式之光的磷光體塗佈該等LED，從而產生白色或至少大約白色之複合光發射。
用於在LED之發射光途徑中提供磷光體區域的現有方法可顯著增加LED之成本。一種該方法包括將LED置於支撐基板之腔或凹槽中，且隨後用磷光體填充該腔。另一方法包括將LED置於平坦基板上且隨後在LED周圍構建壩並用磷光體填充內部區域。又一方法包括將磷光體層直接沈積於LED晶粒上且隨後去除磷光體之部分以暴露下伏焊墊，由此與晶粒電連接。儘管上述方法已獲得可產生適宜光發射特性之LED，但其均會增加LED之成本。因此，工業中仍需要改良之低成本處理技術。
本發明之態樣概言之係關於具有磷光膜之封裝發光二極體(LED)、及相關之系統及方法。下文參照特定LED闡述本發明之若干實施例的具體細節以便達成對該等實施例之透徹瞭解。在其他實施例中，本發明之態樣可與具有其他組態之LED結合使用。為清晰起見，以下說明中並未闡釋用以闡述眾所周知且經常與LED相關、但可不必要地淡化本發明之一些顯著態樣的若干細節。此外，儘管以下解釋內容闡釋本發明不同態樣之若干實施例，但若干其他實施例可具有與此部分中所述之彼等不同之組態、不同之組份及/或不同之方法或步驟。因此，本發明可具有其他實施例，該等實施例具有額外要素、及/或無下文參照圖1至5闡述之若干要素。
圖1係LED系統100之局部示意性剖視側面圖，該系統包括經組合形成本發明實施例的封裝101之組件。該等組件可包括攜載LED 130之支撐部件140、及視情況由載體120支撐之磷光膜110。磷光膜110具有等形性且在利用焊線104將LED 130後連接至支撐部件140後其附接至LED 130及支撐部件140。下文闡述此佈置及相關方法之其他細節。
在圖1中所示之特定實施例中，支撐部件140係自陶瓷或另一適宜基材材料形成且具有第一(例如，面朝上)表面143a及第二(例如，面朝下)表面143b。每一支撐部件140進一步包括為LED 130及/或自其提供電連通的第一及第二支撐部件結合位點141a、141b(例如焊墊)。因此，支撐部件結合位點141a、141b中之每一者藉由相應通孔142或另一導電結構連接至相應封裝結合位點102a、102b。第一及第二封裝結合位點102a、102b可自封裝101之外側接近以有利於在封裝101與外部裝置(圖1中未顯示)之間進行物理及電連接。
支撐部件140在(例如)支撐部件表面143a處攜載LED 130。LED 130可包括第一LED結合位點131a及第二LED結合位點131b。第二LED結合位點131b可面朝第二支撐部件結合位點141b且與其直接電連接。在另一實施例中，第二LED結合位點131b可背離第二支撐部件結合位點141b，且可利用焊線連接至第二支撐部件結合位點141b。在任一實施例中，第一LED結合位點131a可利用焊線104電連接至第一支撐部件結合位點141a。在圖1中所示之實施例的特定態樣中，封裝101亦可包括靜電放電(ESD)晶粒103，其為LED 130提供保護且亦利用焊線104電連接至第一支撐部件結合位點141a，並以適宜背側表面對表面連接電連接至第二支撐部件結合位點141b。在其他實施例中，可忽略ESD晶粒103。
在圖1中所示之實施例中，LED 130具有面朝上之作用表面132，透過其發射光(例如藍光)。磷光膜110定位於作用表面132上以改變方向遠離封裝101之光的特性。因此，磷光膜110可包括具有磷光體成份112之分佈的基質材料111。磷光體成份112接收LED 130之光且發射不同波長之光以(例如)產生白色而非藍色之複合發射光。
在一特定實施例中，磷光膜110係由自支撐、保留形狀但仍具有韌性或可等形之材料形成。舉例而言，磷光膜110之基質材料111可包括部分固化(例如b階段)之環氧樹脂材料，其在呈膜形式時具有足夠處理強度，但其在加熱時可與LED及相關特徵等形。在處理期間，如箭頭C所示使磷光膜110與LED 130及支撐部件140接觸，且加熱以形成下文參照圖2闡述之組裝單元。基質材料111可因加熱而軟化，從而使磷光膜110與LED 130及連接LED 130與支撐部件140之焊線104等形。在一特定實施例中，基質材料111於升高溫度下足夠順從以在焊線104周圍等形、流動或以其他方式變形，而不會代替、扭曲、干擾或以其他方式改變焊線104之位置及/或形狀。因此，可在添加磷光膜110之前將LED 130用焊線連接至支撐部件140，且磷光膜110不會干擾焊線104之完整性。
基質材料111亦選擇為對由LED 130及膜110發射之輻射至少部分(在特定實施例中，完全)透明。舉例而言，在LED發射藍光且磷光體成份112發射黃光之情形下，基質材料111選擇為對兩種波長大體上透明。在某些實施例中，膜110可包括多個磷光體成份112，不同磷光體成份經選擇以發射相應不同波長之光。在其他實施例中，封裝101可包括多個膜層110，其各自具有磷光體元件112以發射相應不同波長之光。在該等實施例中之任一者中，基質材料111可選擇為對一或多種(例如，所有)發射波長至少部分(且在特定實施例中，完全)透明。
在一特定實施例中，磷光膜110作為獨立式單元強到足以耐受常規微電子裝置處理技術。在其他實施例中，磷光膜110可附接至載體120，其可為剛性或半剛性以便在製程期間為磷光膜提供額外支撐。因此，磷光膜110可包括面朝LED 130及支撐部件140之第一表面113a、及與第一表面113a相反面對且附接至載體120之第二表面113b。載體120通常比磷光膜110更硬及/或剛性更強以提供額外支撐。在一特定實施例中，載體120可包括大體上平坦、大體上剛性且大體上透明的材料，其為磷光膜110提供支撐，而不會影響遠離LED 130之光的透射。舉例而言，載體120可包括對輻射(例如，光，且在特定實施例中，可見光)透明之玻璃的平坦層。在其他實施例中，載體120可包括不會影響由LED 130發射之光的特徵。舉例而言，載體120可包括重定向自LED 130發射之光的透鏡部分121。在另一實施例中，載體120可包括除磷光膜110中存在之彼等磷光體成份外的其他磷光體成份112。若載體120包括磷光體成份，則磷光體成份在載體120中之濃度通常小於磷光體成份112在磷光膜110中之濃度。載體120可固定附接至膜110，且可形成封裝101之永久部分。在其他實施例中，在膜110附接至LED 130及支撐部件140後，或體可自膜110釋放。
圖2繪示磷光膜110與LED 130及基板140接觸後之封裝101。在製程期間，對封裝101之元件施加熱105，使得磷光膜110軟化並與焊線104、LED 130、ESD晶粒103(若存在)、及/或可自基板140之第一表面143a凸起或自其凹陷的其他特徵等形。因此，磷光膜110可在第一LED結合位點131a、第一支撐部件結合位點141a處、及/或兩個結合位點131a、141a之間之焊線104的位置處完全包圍、囊封及/或以其他方式容納焊線104。隨後可以圖2中所示形狀及位置完全固化整個封裝101以硬化磷光膜110，磷光膜110黏附至LED 130及基板140。
圖3A係繪示根據本發明實施例形成磷光膜110之方法300a的示意性方塊圖。在本實施例之一個態樣中，將基質材料111(例如，軟化、液體或可以其他方式流動或延展之環氧樹脂或其他材料)與磷光體成份112合併形成混合物114。磷光體成份112可均勻分佈於基質材料111中。其後，該混合物114可經成形或以其他方式處理，以根據多種適宜技術中之任一者產生磷光膜110。該等技術可包括旋塗方法、橡皮輥方法、或產生具有均勻厚度之磷光膜110的另一方法。隨後可在將磷光膜110施加至LED之前對其進行部分固化，如上文參照圖1及2所述。
圖3B繪示根據多個其他實施例形成磷光膜310的另一方法300b。在該等實施例中，磷光體成份不需均勻分佈於基質材料中。舉例而言，該方法可包括使用上述形成膜之方法中的任一者自基質材料111形成基質膜層115a。因此，基質材料111可具有上述黏著及柔軟特性。隨後可使用磷光體沈積方法(示於方塊116中)將磷光體成份直接佈置於基質膜層115a上。在替代實施例中，磷光體成份自身亦可使用上述先前技術中之任一者形成為個別的磷光膜層115b。在此實施例中，隨後將磷光膜層115b附接至基質膜層115a。在上述實施例之任一者中，結果係具有磷光體成份之不均勻分佈的多層磷光膜310。
圖4係具有使用(例如)上述技術中之任一者參照圖3B形成的多層磷光膜310之封裝401的局部示意性立面分解圖。多層磷光膜310可包括自基質材料形成之第一層115a、及自磷光體成份112形成之第二層115b。如上文所論述，磷光體成份112及/或磷光體成份112之套組可經選擇以發射一個或一個以上波長之輻射。磷光體成份112係集中在與LED 130直接毗鄰之區域中。如上文參照圖1所論述，多層磷光膜310可自支撐或未自支撐，且在任一實施例中，可包括載體420以提供額外支撐。在圖4中所示之實施例中，載體420不包括透鏡部分。在其他實施例中，載體420可包括(例如)與上文參照圖1闡述之透鏡部分121類似的透鏡部分。
圖5係根據本發明之若干實施例對LED施加磷光膜之不同技術的局部示意性圖解。在一特定實施例中，磷光膜510可直接在載體晶圓520上形成且可定尺寸以為多種LED提供覆蓋。在此實施例之一個態樣中，可一起切割載體晶圓520及膜510以形成膜元件516。隨後使用習用拾取並放置方法將個別膜元件516個別地佈置於相應基板140(其中之一者示於圖5中)上。在另一實施例中，晶圓載體520及膜510可在附接至相應LED後進行切割。舉例而言，晶圓載體520及相關膜510可直接附接至LED晶圓133，其具有在LED晶圓133自身中已線結合至預圖案化或其他方式形成之電線的LED。在膜510及載體晶圓520已附接至LED晶圓133後，可切割或單切整個總成以產生(例如)組態與圖2中所示類似之個別封裝。
在另一實施例中，可對經單切LED施加不同磷光膜(例如，具有磷光體成份之不同濃度、分佈及/或類型之磷光膜)以負責由LED產生之輸出(例如，發射光之顏色)的差別。舉例而言，個別LED由於相關製程之變化而通常具有稍微不同之發射光特性且因此「分頻率倉(binned)」以使具有類似光特性之LED組合在一起。不同頻率倉之LED可接收具有不同磷光體特性之磷光膜以差異地調節所得封裝之光輸出。使用此技術可封裝不同頻率倉之LED以便產生相同或幾乎相同之光輸出，及/或可封裝頻率倉內之LED以與頻率倉內之其他LED等形。此技術之優點在於其可減少或消除用於歸類LED的頻率倉的數量、及/或改良頻率倉內之LED的均勻性。
上文參照圖1至5闡述之至少一些實施例的一個特徵在於其可包括預形成之含磷光體之膜，在已將LED線結合至適宜支撐結構後，該含磷光膜置於相應LED(在晶圓位準或個別晶粒位準下)上。由於磷光體成份係由膜攜載，故其不需直接沈積於呈液態或其他形式之LED上。因此，支撐部件不需包括腔、凹槽、壩、或含有及/或限制磷光體成份之另一圍阻特徵。另外，期望在至少一些實施例中，磷光體成份在施加至LED時其分佈會比利用習用技術獲得之分佈更均勻。
上述方法之實施例的另一優點在於：由於膜具有順從性，故其可與下伏焊線之形狀等形，而無需進一步處理。具體而言，膜之等形性質可消除在膜中切割溝槽或凹槽以容納焊線的需要。因此，該方法所需之步驟可比一些習用技術中所用少。該方法之實施例亦可消除如下需要：在將磷光體成份沈積於LED上之前鋪置覆蓋焊線之單獨層，此係其他習用技術中所用之方法。此特徵使得膜110中之磷光體直接毗鄰LED 130、例如直接毗鄰作用表面132定位。此外，可在膜與LED嚙合之前向膜中添加磷光體成份。此特徵使得可與LED晶粒完全分離、例如與製造及處理晶粒平行地製造膜。此佈置可減少封裝晶粒所需之流動時間且可允許單獨形成或貯備晶粒及膜，此減小在總體製程中形成瓶頸的可能性。上述特徵可單獨或組合減少與封裝晶粒相關之時間及花費，且因此可減少所得晶粒封裝之成本。
依據前文所述，將瞭解，本文已出於圖解闡釋目的闡釋了本發明之具體實施例，但可在不背離本發明之情況下作出各種修改。舉例而言，基質材料可包括亦為磷光體成份提供支撐、且具有黏著特性以有利於結合至LED及/或支撐部件的其他組成(例如，除環氧樹脂外)。該等材料可包括(但不限於)固態、部分固化之熱固性黏著材料，其中一個實例係b階段環氧樹脂。LED可具有與圖中所示之彼等不同之形狀、尺寸及/或其他特性。在其他實施例中，可組合或消除在特定實施例上下文中闡述之本發明的某些特徵。舉例而言，在一些實施例中，可消除圖1中所示之載體120，且在其他實施例中可與圖4中所示之磷光膜組合。此外，儘管已在彼等實施例之上下文中闡述與某些實施例相關之優點，但其他實施例亦可呈現該等優點。在本發明範疇內，並非所有實施例均需要一定呈現該等優點。因此，本發明及相關技術可涵蓋本文中未明確展示或闡述之其他實施例。
100．．．LED系統
101．．．封裝
102a．．．封裝結合位點
102b．．．封裝結合位點
103．．．靜電放電(ESD)晶粒
104．．．焊線
110．．．磷光膜
111．．．基質材料
112．．．磷光體成份
113a．．．第一表面
113b．．．第二表面
115a．．．基質膜層
115b．．．磷光膜層
120．．．載體
121．．．透鏡部分
130．．．LED
131a．．．第一LED結合位點
131b．．．第二LED結合位點
132．．．作用表面
133．．．LED晶圓
140．．．支撐部件
141a．．．第一支撐部件結合位點
141b．．．第二支撐部件結合位點
142．．．通孔
143a．．．第一表面
143b．．．第二表面
310．．．多層磷光膜
401．．．封裝
420．．．載體
510．．．磷光膜
516．．．膜元件
520．．．載體晶圓
圖1係根據本發明實施例而組態之LED系統中組件之局部示意性剖視側面圖。
圖2係圖1中所示各組件的局部示意性剖視側面圖，其結合形成本發明實施例之封裝。
圖3A係繪示根據本發明實施例形成磷光膜之方法的流程圖。
圖3B係繪示根據本發明之另一實施例形成多層磷光膜之方法的流程圖。
圖4係根據本發明之一實施例具有多層磷光膜之封裝的局部示意性分解剖視側面圖。
圖5係根據本發明之其他實施例形成LED封裝的多種方法之局部示意性圖解。
100．．．LED系統
101．．．封裝
102a．．．封裝結合位點
102b．．．封裝結合位點
103．．．靜電放電(ESD)晶粒
104．．．焊線
110．．．磷光膜
111．．．基質材料
112．．．磷光體成份
113a．．．第一表面
113b．．．第二表面
120．．．載體
121．．．透鏡部分
130．．．LED
131a．．．第一LED結合位點
131b．．．第二LED結合位點
132．．．作用表面
140．．．支撐部件
141a．．．第一支撐部件結合位點
141b．．．第二支撐部件結合位點
142．．．通孔
143a．．．第一表面
143b．．．第二表面

Claims (43)

  1. 一種LED系統，其包含：支撐部件，其具有支撐部件結合位點；LED，其由該支撐部件攜載且具有LED結合位點；焊線，其具有在該支撐部件結合位點與該LED位點之間電連接的線；磷光膜，其由該LED及該支撐部件攜載，該磷光膜經定位以自該LED接收第一波長之光並發射與該第一波長不同之第二波長之光，該磷光膜經定位以在該LED結合位點處與該焊線直接接觸；及載體，其非透鏡且在該磷光膜上，其中該載體具有與該磷光膜大體上平坦的界面；該界面缺乏用以含該磷光膜的腔；及該磷光膜將該載體及該焊線的線分開。
  2. 如請求項1之系統，其中該支撐部件攜載該LED之表面大體上平坦，且其中該表面不包括含有該磷光膜之特徵。
  3. 如請求項1之系統，其中該支撐部件攜載該LED之表面大體上平坦，且其中該表面不包括定位有該LED之腔。
  4. 如請求項1之系統，其中該磷光膜係結合至該LED及該支撐部件。
  5. 如請求項1之系統，其中該磷光膜包括基質材料及多個磷光體成份，且其中該等磷光體成份係大體上均勻地分佈於該基質材料中。
  6. 如請求項5之系統，其中該基質材料對由該LED發射之光 大體上透明。
  7. 如請求項1之系統，其中該磷光膜具有與該LED接觸之第一表面及背對該第一表面之第二表面，且其中磷光體成份在該膜中朝向該第一表面的濃度比朝向該第二表面的濃度大。
  8. 如請求項1之系統，其中該載體對該第二波長之光透明。
  9. 如請求項8之系統，其進一步包含定位於該載體上的透鏡，以影響由該LED發射之輻射。
  10. 如請求項1之系統，其中該LED包括LED焊墊，且其中該磷光膜經定位以與該LED直接接觸且與該焊線之一部分在該LED焊墊處直接接觸。
  11. 如請求項1之系統，其中該磷光膜沿該焊線之長度在至少一個位置處完全包圍該焊線之外表面。
  12. 如請求項1之系統，其中該焊線在與該LED結合位點間隔開之位置處由該磷光膜囊封。
  13. 如請求項1之系統，其中該LED具有作用表面，其經定位以使該LED發射之光可自其穿過，且其中該磷光膜係與該作用表面直接接觸。
  14. 一種LED系統，其包含：支撐部件，其具有支撐部件焊墊；LED，其由該支撐部件攜載且具有LED焊墊；焊線，其具有在該支撐部件焊墊與該LED焊墊之間電連接的線； 非透鏡的載體；及磷光膜，其定位於該LED與該載體之間以自該LED接收第一波長之光並發射與該第一波長不同之第二波長之光，其中該磷光膜與該焊線之至少一部分等形並將其囊封，該磷光膜亦將該載體自該焊線的線分開；該磷光膜及該載體具有大體上平坦的界面在其間，且該載體對該第二波長之光透明。
  15. 如請求項14之系統，其中磷光體在該磷光膜中之濃度大於磷光體在該載體中存在時之濃度。
  16. 如請求項14之系統，其中該磷光膜具有與該LED接觸之第一表面及與該載體接觸之第二表面，且其中磷光體成份在該磷光膜中朝向該第一表面之濃度比朝向該第二表面之濃度大。
  17. 如請求項14之系統，其進一步在包括定位在該載體上的透鏡，以收集並影響由該LED發射之光。
  18. 如請求項14之系統，其中該載體具有包括玻璃之第一組成且該磷光膜具有包括環氧樹脂之第二組成。
  19. 一種晶圓總成，其包含：發光二極體(LED)晶圓；載體晶圓；及磷光膜系統，將該LED晶圓及該載體晶圓分開，該磷光膜系統包含：形成第一層之順從性、大體上透明之基質材料膜，其 大體上覆蓋該LED晶圓；及形成第二層之磷光體成份的分佈，該第二層與該第一層及該載體晶圓表面對表面地接觸，其中該第二層具有與該載體晶圓大體上平坦的界面。
  20. 如請求項19之晶圓總成，其中磷光體在該第二層中之濃度大於磷光體在該第一層中存在時之濃度。
  21. 如請求項19之晶圓總成，其中該第二層係位於該第一層與該載體晶圓之間。
  22. 如請求項19之晶圓總成，其中該基質材料包括固態、部分固化之熱固性黏著材料。
  23. 一種晶圓總成，其包含：發光二極體(LED)晶圓；附接至該LED晶圓的膜，該膜具有順從性、透光基質材料及磷光體成份之分佈；及附接至該膜之剛性或半剛性透光載體，該載體具有與該膜大體上平坦的界面，且該載體藉由該膜與該LED晶圓分開。
  24. 如請求項23之晶圓總成，其中該基質材料具有第一組成且該載體具有與該第一組成不同之第二組成。
  25. 如請求項24之晶圓總成，其中該第二組成包括玻璃且該第一組成包括部分固化之環氧樹脂。
  26. 如請求項23之晶圓總成，其中磷光體在該膜中之濃度大於磷光體在該大體上剛性載體中存在時之濃度。
  27. 如請求項23之晶圓總成，其中該等磷光體成份對第一波 長之輻射主動反應並發射與該第一波長不同之第二波長之輻射，且其中該載體對該第一及第二波長二者大體上透明。
  28. 如請求項23之晶圓總成，其中該膜具有第一勁度且其中該載體具有大於該第一勁度之第二勁度。
  29. 如請求項23之晶圓總成，其中該膜包括基質材料之第一層及佈置為與該基質材料之第一層表面對表面接觸之磷光體成份的第二層。
  30. 如請求項24之晶圓總成，其中該基質材料及該載體對可見光透明。
  31. 一種用於製造LED系統之方法，其包含：將LED安裝至支撐部件；利用焊線將該LED電連接至該支撐部件；在該LED與該支撐部件之間在該焊線之至少一部分上使預形成磷光膜與該焊線等形，其中使該預形成磷光膜等形包括在該磷光膜附接於載體時使其等形，其中該載體形成與該磷光膜大體上平坦的界面，而無用以含該磷光膜的腔，且其中該磷光膜將該載體自該焊線的線分開；及將該磷光膜附接至該LED及該支撐部件。
  32. 如請求項31之方法，其中使預形成磷光膜等形包括加熱部分固化之磷光膜及用該磷光膜包圍該焊線之至少一部分，且其中附接該磷光膜包括進一步固化該磷光膜。
  33. 如請求項31之方法，其中該LED係形成LED晶圓之至少 一部分之多個LED晶粒中之一者，且其中將該磷光膜附接至該LED包括在自該晶圓切割多個晶粒之前將該膜附接至該晶圓之該等晶粒。
  34. 如請求項31之方法，其中該磷光膜包括基質材料之第一層及磷光體成份之第二層，該第二層在使該磷光膜與該焊線等形時經佈置為與該基質材料之第一層表面對表面接觸。
  35. 如請求項31之方法，其中使預形成磷光膜等形包括在自LED晶圓單切該LED後使該預形成磷光膜等形。
  36. 如請求項31之方法，其中使預形成磷光膜等形包括在自LED晶圓單切該LED之前使該預形成磷光膜等形。
  37. 如請求項31之方法，其中該載體之勁度大於該磷光膜之勁度且組成與該磷光膜之組成不同。
  38. 如請求項37之方法，其中該載體包括透鏡部分，該透鏡部分經定位以重定向由該LED發射之光。
  39. 如請求項31之方法，其中附接該磷光膜包括在附接該磷光膜時在該LED處不使用圍阻結構來容納磷光體成份流。
  40. 如請求項31之方法，其進一步包含藉由以下方式來形成該磷光膜：混合磷光體成份與基質材料；及至少部分固化該基質材料。
  41. 如請求項31之方法，其中該LED係具有第一輸出特性之第一LED，該支撐部件係第一支撐部件，該焊線係第一 焊線且該磷光膜係具有第一磷光體特性之第一磷光膜，且其中該方法進一步包含：將第二LED安裝至第二支撐部件，該第二LED具有與該第一輸出特性不同之第二輸出特性；用第二焊線將該第二LED電子連接至該第二支撐部件；在該第二LED與該第二支撐部件之間在該焊線之至少一部分上使第二預形成磷光膜與該第二焊線等形，該第二磷光膜具有與該第一磷光體特性不同之第二磷光體特性，以至少部分補償該第一輸出特性與該第二輸出特性之間的差異；及將該第二磷光膜附接至該第二LED及該第二支撐部件。
  42. 如請求項41之方法，其中該第一輸出特性係第一顏色特性，且其中該第二輸出特性係與該第一顏色特性不同之第二顏色特性。
  43. 如請求項42之方法，其中該第一顏色特性係第一波長，且該第二顏色特性係與該第一波長不同之第二波長。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110309393A1 (en) * 2010-06-21 2011-12-22 Micron Technology, Inc. Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods
DE112011102800T8 (de) * 2010-08-25 2013-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphorfilm, Verfahren zum Herstellen desselben, Beschichtungsverfahren für eine Phosphorschicht, Verfahren zum Herstellen eines LED-Gehäuses und dadurch hergestelltes LED-Gehäuse
JP5767062B2 (ja) * 2010-09-30 2015-08-19 日東電工株式会社 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法
US20120112237A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Led package structure
CN103427003B (zh) * 2012-05-25 2016-08-10 华夏光股份有限公司 半导体发光装置的形成方法
DE102012107290A1 (de) * 2012-08-08 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens
TWI644450B (zh) * 2012-08-30 2018-12-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
KR102071463B1 (ko) * 2013-04-08 2020-01-30 루미리즈 홀딩 비.브이. 형광체 변환 층에 높은 열 전도도 입자를 갖는 led 및 그 제조 방법
JP2015056650A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社東芝 発光装置
JP2015106641A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102116986B1 (ko) 2014-02-17 2020-05-29 삼성전자 주식회사 발광 다이오드 패키지
DE102014106074A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
CN112018224B (zh) * 2020-09-09 2022-10-28 京东方科技集团股份有限公司 固晶方法及显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070018573A1 (en) * 2004-02-18 2007-01-25 Showa Denko K,K. Phosphor, production method thereof and light-emitting device using the phosphor
US7176501B2 (en) * 2003-05-12 2007-02-13 Luxpia Co, Ltd Tb,B-based yellow phosphor, its preparation method, and white semiconductor light emitting device incorporating the same
US20100013373A1 (en) * 2008-07-18 2010-01-21 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1177377C (zh) * 2000-09-01 2004-11-24 西铁城电子股份有限公司 表面装配型发光二极管及其制造方法
JP4077170B2 (ja) * 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
US6989412B2 (en) * 2001-06-06 2006-01-24 Henkel Corporation Epoxy molding compounds containing phosphor and process for preparing such compositions
US20070013057A1 (en) * 2003-05-05 2007-01-18 Joseph Mazzochette Multicolor LED assembly with improved color mixing
KR100527921B1 (ko) * 2003-05-12 2005-11-15 럭스피아 주식회사 백색 반도체 발광장치
CN1317775C (zh) * 2003-12-10 2007-05-23 玄基光电半导体股份有限公司 发光二极管封装结构及其封装方法
KR100540848B1 (ko) * 2004-01-02 2006-01-11 주식회사 메디아나전자 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
US20050200796A1 (en) * 2004-02-09 2005-09-15 Hiroki Iwanaga LED lighting apparatus
EP1753035A4 (en) * 2004-04-28 2011-12-21 Panasonic Corp LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
US20050264194A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-01 Ng Kee Y Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US7372198B2 (en) 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
US20090314989A1 (en) * 2005-05-11 2009-12-24 Masaru Iwao Fluorescent substance composite glass, fluorescent substance composite glass green sheet, and process for producing fluorescent substance composite glass
TWI279929B (en) * 2005-05-20 2007-04-21 Cree Inc High efficacy white LED
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US7294861B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
US7365371B2 (en) 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
US7273768B2 (en) 2005-08-30 2007-09-25 Mutual-Pak Technology Co. Ltd. Wafer-level package and IC module assembly method for the wafer-level package
JP2007067204A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
US7928457B2 (en) * 2005-09-22 2011-04-19 Mitsubishi Chemical Corporation Member for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such member, and semiconductor light emitting device using such member
TW200730616A (en) * 2005-09-30 2007-08-16 Univ California Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
KR100685845B1 (ko) * 2005-10-21 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
US7569406B2 (en) * 2006-01-09 2009-08-04 Cree, Inc. Method for coating semiconductor device using droplet deposition
RU2008133603A (ru) 2006-01-16 2010-02-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) Светоизлучающее устройство с eu-содержащим кристаллофосфором
JP4820184B2 (ja) * 2006-02-20 2011-11-24 シチズン電子株式会社 発光装置とその製造方法
TWI284433B (en) * 2006-02-23 2007-07-21 Novalite Optronics Corp Light emitting diode package and fabricating method thereof
EP2011164B1 (en) * 2006-04-24 2018-08-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
TW200802948A (en) * 2006-06-28 2008-01-01 Everlight Electronics Co Ltd Method of packaging a multicolor LED and a packaging structure thereof
KR100851636B1 (ko) * 2006-07-27 2008-08-13 삼성전기주식회사 표면실장형 발광다이오드 소자
CN101513120A (zh) * 2006-08-03 2009-08-19 英特曼帝克司公司 包含发光磷光体的发光二极管照明布置
JP5409369B2 (ja) * 2006-10-12 2014-02-05 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション ナノワイヤベースの透明導電体およびその適用
TWI364823B (en) * 2006-11-03 2012-05-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Sensor type semiconductor package and fabrication method thereof
US20080121911A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
US20080169480A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Visera Technologies Company Limited Optoelectronic device package and packaging method thereof
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
TWI392111B (zh) 2007-04-11 2013-04-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程
JP5104490B2 (ja) 2007-04-16 2012-12-19 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US20090001599A1 (en) 2007-06-28 2009-01-01 Spansion Llc Die attachment, die stacking, and wire embedding using film
KR101361575B1 (ko) 2007-09-17 2014-02-13 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
EP2240964B1 (en) * 2008-01-31 2012-01-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. A light emitting device
US7928458B2 (en) * 2008-07-15 2011-04-19 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
US20100123386A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-20 Maven Optronics Corp. Phosphor-Coated Light Extraction Structures for Phosphor-Converted Light Emitting Devices
KR101039957B1 (ko) * 2008-11-18 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
CN101740707B (zh) * 2009-12-11 2013-11-06 晶科电子（广州）有限公司 预成型荧光粉贴片及其与发光二极管的封装方法
US8771577B2 (en) * 2010-02-16 2014-07-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with molded wavelength converting layer
US8598612B2 (en) * 2010-03-30 2013-12-03 Micron Technology, Inc. Light emitting diode thermally enhanced cavity package and method of manufacture
US20110309393A1 (en) * 2010-06-21 2011-12-22 Micron Technology, Inc. Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods
KR101253586B1 (ko) * 2010-08-25 2013-04-11 삼성전자주식회사 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지
DE112011102800T8 (de) * 2010-08-25 2013-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphorfilm, Verfahren zum Herstellen desselben, Beschichtungsverfahren für eine Phosphorschicht, Verfahren zum Herstellen eines LED-Gehäuses und dadurch hergestelltes LED-Gehäuse

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7176501B2 (en) * 2003-05-12 2007-02-13 Luxpia Co, Ltd Tb,B-based yellow phosphor, its preparation method, and white semiconductor light emitting device incorporating the same
US20070018573A1 (en) * 2004-02-18 2007-01-25 Showa Denko K,K. Phosphor, production method thereof and light-emitting device using the phosphor
US20100013373A1 (en) * 2008-07-18 2010-01-21 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

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