JP5947069B2 - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
11 成長基板
13 半導体構造層
15 p電極層
17 第1の接合層
19 素子部
20 支持構造体
21 支持基板
23 第2の接合層
25 保護層
27 カバー金属層
27A 密着層
27B 低延性層
27C 反射層
29 n電極
30、40、50 発光素子
Claims (7)
- 第1の基板上に、半導体層を含む素子構造層を形成するステップと、
前記第1の基板に至る溝を前記素子構造層に形成し、前記素子構造層を複数の素子部に分離するステップと、
前記複数の素子部の各々の上に金属からなる第1の接合層を形成するステップと、
第2の基板上の前記複数の素子部の前記第1の接合層に対応する位置に、前記第1の接合層との共晶を形成する金属からなる第2の接合層を形成するステップと、
前記第1の接合層と前記第2の接合層との各々を加熱圧着して共晶接合を行うステップと、
前記第1の基板を前記素子構造層から除去するステップと、
前記素子部の側面と、前記第1の接合層と、前記第2の接合層の少なくとも一部と、を覆うように絶縁性材料からなる保護層を形成するステップと、
前記第2の基板における前記第2の接合層及び前記保護層が形成されていない露出面から前記保護層の端部上に至る領域を覆うように前記第2の接合層の材料よりも延性の低い金属からなる低延性層を含むカバー金属層を形成するステップと、
前記カバー金属層によって前記第2の基板が覆われた領域を切断してダイシングを行うステップと、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記カバー金属層は、複数の金属層から構成され、前記低延性層の層厚は、前記カバー金属層全体の層厚の7割以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記低延性層は、15〜50×1010Paのヤング率を有する金属から構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記低延性層は、W、Rh、Ni及びPtのいずれか1から形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記カバー金属層は、前記第2の接合層の上面上の前記保護層の表面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記カバー金属層は、前記低延性層よりも前記第2の基板及び前記保護層との密着性が高い金属からなる密着層をさらに含み、前記低延性層は、前記第2の基板の露出面及び前記保護層上に、前記密着層を介して形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記カバー金属層は、前記低延性層よりも光反射性の高い金属からなる反射層をさらに含み、前記反射層は、前記低延性層上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。
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