JP5947069B2 - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5947069B2 JP5947069B2 JP2012063325A JP2012063325A JP5947069B2 JP 5947069 B2 JP5947069 B2 JP 5947069B2 JP 2012063325 A JP2012063325 A JP 2012063325A JP 2012063325 A JP2012063325 A JP 2012063325A JP 5947069 B2 JP5947069 B2 JP 5947069B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- bonding
- metal
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
11 成長基板
13 半導体構造層
15 p電極層
17 第1の接合層
19 素子部
20 支持構造体
21 支持基板
23 第2の接合層
25 保護層
27 カバー金属層
27A 密着層
27B 低延性層
27C 反射層
29 n電極
30、40、50 発光素子
Claims (7)
- 第1の基板上に、半導体層を含む素子構造層を形成するステップと、
前記第1の基板に至る溝を前記素子構造層に形成し、前記素子構造層を複数の素子部に分離するステップと、
前記複数の素子部の各々の上に金属からなる第1の接合層を形成するステップと、
第2の基板上の前記複数の素子部の前記第1の接合層に対応する位置に、前記第1の接合層との共晶を形成する金属からなる第2の接合層を形成するステップと、
前記第1の接合層と前記第2の接合層との各々を加熱圧着して共晶接合を行うステップと、
前記第1の基板を前記素子構造層から除去するステップと、
前記素子部の側面と、前記第1の接合層と、前記第2の接合層の少なくとも一部と、を覆うように絶縁性材料からなる保護層を形成するステップと、
前記第2の基板における前記第2の接合層及び前記保護層が形成されていない露出面から前記保護層の端部上に至る領域を覆うように前記第2の接合層の材料よりも延性の低い金属からなる低延性層を含むカバー金属層を形成するステップと、
前記カバー金属層によって前記第2の基板が覆われた領域を切断してダイシングを行うステップと、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記カバー金属層は、複数の金属層から構成され、前記低延性層の層厚は、前記カバー金属層全体の層厚の7割以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記低延性層は、15〜50×1010Paのヤング率を有する金属から構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記低延性層は、W、Rh、Ni及びPtのいずれか1から形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記カバー金属層は、前記第2の接合層の上面上の前記保護層の表面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記カバー金属層は、前記低延性層よりも前記第2の基板及び前記保護層との密着性が高い金属からなる密着層をさらに含み、前記低延性層は、前記第2の基板の露出面及び前記保護層上に、前記密着層を介して形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記カバー金属層は、前記低延性層よりも光反射性の高い金属からなる反射層をさらに含み、前記反射層は、前記低延性層上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012063325A JP5947069B2 (ja) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | 半導体素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012063325A JP5947069B2 (ja) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | 半導体素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013197336A JP2013197336A (ja) | 2013-09-30 |
JP5947069B2 true JP5947069B2 (ja) | 2016-07-06 |
Family
ID=49395917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012063325A Active JP5947069B2 (ja) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | 半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5947069B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109860369B (zh) * | 2019-03-26 | 2021-02-02 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种半导体发光器件及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150423A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
JP2003150423A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-23 | Nec Corp | 文書管理方法及び文書管理装置並びにプログラム |
JP2007173465A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2009105123A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Showa Denko Kk | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
-
2012
- 2012-03-21 JP JP2012063325A patent/JP5947069B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013197336A (ja) | 2013-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100867541B1 (ko) | 수직형 발광 소자의 제조 방법 | |
JP6221926B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP4841378B2 (ja) | 垂直構造発光ダイオードの製造方法 | |
JP5612336B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
US8168459B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor light-emitting device | |
US8790944B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor element | |
US7553682B2 (en) | Method of manufacturing vertical nitride light emitting device | |
US9543474B2 (en) | Manufacture method of making semiconductor optical device | |
US20170162745A1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same | |
JP4835409B2 (ja) | Iii−v族半導体素子、およびその製造方法 | |
JP4910664B2 (ja) | Iii−v族半導体素子の製造方法 | |
US8470625B2 (en) | Method of fabricating semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device | |
TW201539788A (zh) | 氮化物半導體發光元件及其製造方法 | |
JP2008117824A (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
JP2008140871A5 (ja) | ||
JP2007158131A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体光素子 | |
JP5947069B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP6617875B2 (ja) | Led素子及びその製造方法 | |
JP5596375B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子 | |
JP2014150177A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2014086575A (ja) | 半導体素子 | |
JP6690139B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP6428890B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP2017139298A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2014157921A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150312 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5947069 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |