JP2003282946A - 発光ダイオード装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短波長発光ダイオード装置において、外部量
子効率と生産性とを共に高められるようにする。 【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓからなる基板１１の上に、
ブラッグ反射器構造を有する反射層１４と、ｎ型ＺｎＭ
ｇＳＳｅからなる第１のクラッド層１５と、Ｚｎ_1-x Ｃ
ｄ_x Ｓｅからなる量子井戸活性層１７と、ｐ型ＺｎＭｇ
ＳＳｅからなる第２のクラッド層１９と、ｐ型ＺｎＴｅ
からなるコンタクト層２２とが順次積層されて形成され
ている。コンタクト層２２の上面には、該コンタクト層
２２に対してポテンシャル障壁が０．３ｅＶ以上のＡｌ
からなるパッド用のショットキ電極２３が設けられてお
り、コンタクト層２２の上面には、ショットキ電極２３
を含む全面にわたって発光光を透過させるｐ側オーミッ
ク電極２４が形成されており、基板１１における結晶成
長面の裏面にはｎ側オーミック電極２５が形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示用等に用いら
れる発光ダイオード装置、特に、青色又は緑色の短波長
の光を効率良く出力する発光ダイオード装置及びその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】発光ダイオードは高効率で電球と比べて
消費電力が小さいため、表示用デバイスとして広く用い
られるようになってきている。数年前から既に、赤、橙
及び黄等の長波長の光を発する高輝度発光ダイオード装
置が実現されているが、緑及び青の短波長側の発光ダイ
オード装置はその輝度が低いために、屋外表示に使用で
きる数カンデラレベルの高輝度の発光ダイオード装置が
実現されていなかった。

【０００３】しかしながら、近年、新しい材料であるＧ
ａＮ系結晶を用いることにより、緑色では６カンデラ、
また青色でも２カンデラの高輝度発光ダイオード装置が
開発され、現在ではこれら高輝度発光ダイオード装置を
用いたフルカラーの高輝度ディスプレーが実現されてい
る。

【０００４】以下、活性層にＩｎ_x Ｇａ_1-x Ｎ（ｘは０
≦ｘ≦１の実数である。以下、同様とする。）からなる
量子井戸活性層を用いた、従来のＧａＮ系発光ダイオー
ド装置の概略を説明する。

【０００５】本装置は、動作電流を流すことにより、量
子井戸活性層に電子及び正孔が注入され、さらに電子と
正孔との再結合によってほぼＩｎ_x Ｇａ_1-x Ｎのバンド
ギャップエネルギーに相当する波長の光を発する。Ｉｎ
_x Ｇａ_1-x ＮのうちのＩｎの組成比ｘの値が０．１５の
場合には、発光ピーク波長が約４５０ｎｍの青色発光を
示し、Ｉｎの組成比ｘの値が０．２６の場合には、発光
ピーク波長が約５２０ｎｍの緑色発光を示す。

【０００６】しかしながら、前記従来のＧａＮ系の発光
ダイオード装置は、Ｉｎ_x Ｇａ_1-xＮからなる量子井戸
活性層におけるＩｎの組成比ｘの値を大きくしていくと
結晶性が低下するという問題を有している。元来、Ｉｎ
_x Ｇａ_1-x Ｎは均一な混晶とはなりにくいため、外部量
子効率（＝装置の外部に出射される光の出力／消費電
力）は、サファイア基板を用いた場合の基板裏面におけ
る反射光を含めても１％〜２％と極めて低いので、波長
の制御が困難となり、発光ダイオード装置の歩留まりも
非常に悪い。ちなみに、波長が６５０ｎｍ程度の赤色発
光ダイオード装置の外部量子効率は反射光を含めて約２
０％である。

【０００７】（第１の従来例）以下、III −Ｖ族からな
る前記のＧａＮ系半導体に代わって、最近注目を集めて
いるII−VI族からなるＺｎＳｅ系の化合物半導体を用い
た短波長発光ダイオード装置を第１の従来例として、図
面を参照しながら説明する。

【０００８】図８は第１の従来に係るＺｎＳｅ系発光ダ
イオード装置の断面構成を示している。図８に示すよう
に、例えば、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法を用い
て、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０１の上に、基板１０
１との格子不整合を緩和するｎ型ＧａＡｓからなる第１
のバッファ層１０２と、ｎ型ＺｎＳｅからなり、ＧａＡ
ｓ結晶とＺｎＳｅ結晶との格子不整合を緩和する第２の
バッファ層１０３と、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅからなり、後
述する活性層に対してポテンシャル障壁を形成して活性
層に効率良くｎ型キャリア（電子）を注入する第１のク
ラッド層１０４と、ノンドープＺｎＳＳｅからなり、活
性層の結晶品質を向上させると共にｎ型キャリアを効率
良く注入する第１のスペーサ層１０５と、Ｚｎ_1-x Ｃｄ
_x Ｓｅからなり、注入されたｎ型及びｐ型の少数キャリ
アが互いに再結合して発光する量子井戸活性層１０６
と、ノンドープＺｎＳＳｅからなり、活性層の結晶品質
を向上させると共にｐ型キャリア（正孔）を効率良く注
入する第２のスペーサ層１０７と、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ
からなり、活性層に対してポテンシャル障壁を形成して
活性層に効率良くｐ型キャリアを注入する第２のクラッ
ド層１０８と、ｐ型ＺｎＳＳｅからなり、第２のクラッ
ド層１０８と後述するコンタクト層との間の価電子帯の
エネルギー準位を段階的に接続する半導体層１０９と、
ｐ型ＺｎＳｅとｐ型ＺｎＴｅとが交互に積層されてな
り、半導体層１０９とコンタクト層との間の価電子帯の
エネルギー準位を段階的に接続する超格子層１１０と、
ｐ型ＺｎＴｅからなり、電極とオーミック接触するコン
タクト層１１１とが順次積層されて形成されている。

【０００９】コンタクト層１１１の上面には、Ｐｄ及び
Ａｕからなるｐ側オーミック電極１１２が全面にわたっ
て形成され、ｐ側オーミック電極１１２の上にはＡｕ等
からなるボンディングパッド１１３がドット形状に形成
されていると共に、基板１０１の下面にはｎ側オーミッ
ク電極１１４が全面にわたって形成されている。

【００１０】（第２の従来例）一方、III −Ｖ族からな
るＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いて波長が６２０
ｎｍ〜６６０ｎｍの赤色発光ダイオード装置を第２の従
来例として、図面を参照しながら説明する。

【００１１】図９は第２の従来例に係るＡｌＧａＩｎＰ
系発光ダイオード装置の断面構成を示している。図９に
示すように、例えば、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）
法を用いて、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１２１の上に、
基板１０１との格子不整合を緩和するｎ型ＧａＩｎＰか
らなるバッファ層１２２と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからな
る第１のクラッド層１２３と、ノンドープＧａＩｎＰか
らなる活性層１２４と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる第
２のクラッド層１２５と、ｎ型ＧａＡｓからなる電流ブ
ロック層１２６とを順次成長させた後、いったん結晶成
長装置から基板１２１を取り出す。その後、図９に示す
ように、電流ブロック層１２６におけるボンディングパ
ッド形成領域をマスクして電流ブロック層１２６に対し
てエッチングを行なうことにより、電流ブロック層１２
６をドット形状とする。次に、結晶成長装置に電流ブロ
ック層１２６が形成された基板１２１を再度投入し、第
２のクラッド層１２５及び電流ブロック層１２６の上に
全面にわたって、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなり、基板面
に垂直に流れる電流を基板面に平行な方向に拡散させる
電流拡散層１２７を成長させる。その後、電流拡散層１
２７におけるボンディングパッド形成領域にドット形状
を有するｐ側オーミック電極を形成すると共に、基板１
２１の下面にはｎ側オーミック電極１２９を全面に形成
する。

【００１２】このように、本装置は、ボンディングパッ
ドを兼ねるｐ側オーミック電極１２８直下に、電流拡散
層１２７及び該電流拡散層１２７とｐｎ接合を形成する
電流ブロック層１２６を設けているため、ｐ側オーミッ
ク電極１２８の直下には電流が流れずに活性層の周縁部
に電流が流れるので、活性層１２４におけるｐ側オーミ
ック電極１２８の下方の領域で生じるキャリアの再結合
が抑制される。従って、活性層１２４におけるｐ側オー
ミック電極１２８の下方の領域でキャリアの再結合が抑
制されるため、発生した光がｐ側オーミック電極１２８
に吸収されることがないので、高い外部量子効率を得る
ことができる。

【００１３】このように、第２の従来例においては、結
晶成長装置から基板１２１をいったん取り出して電流ブ
ロック層１２６を形成した後、再度結晶成長装置に投入
して結晶成長を行なう必要がある。

【００１４】しかしながら、III −VI族からなるＡｌＧ
ａＩｎＰ系の半導体結晶は、複数回にわたる結晶成長を
行なっても問題が生じないが、II−VI族からなるＺｎＳ
ｅ系の化合物半導体の場合は、熱履歴に弱いという性質
を有している。すなわち、図８に示す量子井戸活性層１
０６を成長させた後、再度、結晶成長装置に投入する
と、装置の外部で結晶成長面に生成した自然酸化膜を除
去するために、結晶成長温度よりも１００度程度高い温
度のサーマルエッチングを行なわなければならない。こ
のとき、ＺｎＳｅ系の量子井戸活性層１０６がサーマル
エッチング時の熱処理によって損傷を受けて破壊されて
しまう。従って、ＡｌＧａＩｎＰ系と同一の改善方法を
採用することはできない。

【００１５】また、結晶成長装置に同一基板を２回にわ
たって投入すると生産性が低下することにもなる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】第１の従来例において
は、Ｚｎ_1-x Ｃｄ_x Ｓｅからなる量子井戸活性層１０６
の組成比ｘの値を調整することにより、波長が４７０ｎ
ｍから５３０ｎｍまでの光を発光させることが可能であ
る。

【００１７】ところが、ＺｎＳｅ系発光ダイオード装置
の内部量子効率（＝活性層内部における光の出力／消費
電力）はほぼ１００％と極めて高いものの、外部量子効
率は７％程度と前述の赤色発光ダイオード装置の半分以
下である。

【００１８】このように、ＺｎＳｅ系の化合物半導体
は、結晶性が高いにも関わらず、活性層から発した光が
装置の外部に効率良く取り出せないという問題を有して
いる。

【００１９】本発明は、前記第１の従来例が有する外部
量子効率が低いという課題を解決し、短波長発光ダイオ
ード装置において、外部量子効率を向上させると共に生
産性を向上させることを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、電流ブロック層を形成するにあたり、ボ
ンディングパッド形成用のパッド電極の直下に、ショッ
トキ障壁や高抵抗領域を選択的に設ける構成とするもの
である。

【００２１】本発明に係る第１の発光ダイオード装置
は、ｎ型の半導体基板の上に形成された活性層と、活性
層の上に形成されたｐ型のコンタクト層と、コンタクト
層の上に選択的に形成され、コンタクト層とショットキ
接触するボンディングパッド用のショットキ電極と、コ
ンタクト層の上における前記ショットキ電極の周辺部に
前記ショットキ電極と電気的に接続されるように形成さ
れ、前記活性層からの発光光を透過させるオーミック電
極とを備えている。

【００２２】第１の発光ダイオード装置によると、コン
タクト層の上に選択的に形成されたボンディングパッド
用のパッド電極が、コンタクト層とショットキ接触する
ショットキ電極であり、コンタクト層の上のショットキ
電極の周辺部に形成されたオーミック電極が、ショット
キ電極と電気的に接続されるように形成されているた
め、ボンディングパッドとなるショットキ電極の直下に
は電流が流れず、代わりに該ショットキ電極の下方の周
辺部に電流が流れるので、活性層におけるショットキ電
極の下方の領域ではキャリアの注入が抑制される。

【００２３】第１の発光ダイオード装置において、ショ
ットキ電極とコンタクト層との間のショットキ障壁の大
きさが０．３ｅＶ以上であることが好ましい。

【００２４】第１の発光ダイオード装置において、ショ
ットキ電極が、アルミニウム、亜鉛又はタリウムを含む
導体膜からなることが好ましい。

【００２５】本発明に係る第２の発光ダイオード装置
は、第１導電型の半導体基板の上に形成された活性層
と、活性層の上に形成された第２導電型のコンタクト層
と、コンタクト層の上に選択的に形成されたボンディン
グパッド用のパッド電極と、コンタクト層の上における
パッド電極の周辺部に、パッド電極と電気的に接続され
るように形成され、活性層からの発光光を透過させるオ
ーミック電極と、パッド電極の下方に形成された高抵抗
領域とを備えている。

【００２６】第２の発光ダイオード装置によると、コン
タクト層の上に形成されたボンディングパッド用のパッ
ド電極の下方に高抵抗領域が設けられていると共に、コ
ンタクト層の上のパッド電極の周辺部に形成されたオー
ミック電極が、パッド電極と電気的に接続されるように
形成されているため、ボンディングパッドとなるパッド
電極の直下には電流が流れずに該パッド電極の下方の周
辺部に電流が流れるので、活性層におけるパッド電極の
下方の領域ではキャリアの注入が抑制される。

【００２７】第２の発光ダイオード装置において、第１
導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型であり、高抵抗
領域が、活性層とコンタクト層との間に形成され、窒素
原子が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上となるようにドープされた
亜鉛とセレンとを含むｐ型の半導体層からなることが好
ましい。

【００２８】第２の発光ダイオード装置において、高抵
抗領域が活性層の上方に形成された絶縁酸化膜からなる
ことが好ましい。

【００２９】第２の発光ダイオード装置において、絶縁
酸化膜が酸化亜鉛からなることが好ましい。

【００３０】第２の発光ダイオード装置において、高抵
抗領域が活性層の上方に形成された結晶欠陥導入層から
なることが好ましい。

【００３１】第２の発光ダイオード装置において、高抵
抗領域が半導体基板に形成されていることが好ましい。

【００３２】第１及び第２の発光ダイオード装置は、半
導体基板と活性層との間に形成され、ブラッグ反射器構
造を有する反射層をさらに備えていることが好ましい。

【００３３】本発明に係る第３の発光ダイオード装置
は、第１導電型の半導体基板の上に形成され、ブラッグ
反射器構造を有する反射層と、反射層の上に形成された
活性層と、活性層の上に形成された第２導電型のコンタ
クト層と、コンタクト層の上におけるパッド電極の周辺
部にパッド電極と電気的に接続されるように形成され、
活性層からの発光光を透過させるオーミック電極とを備
えている。

【００３４】第３の発光ダイオード装置によると、第１
導電型の半導体基板の上にブラッグ反射器構造を有する
反射層が設けられているため、活性層から半導体基板の
下方に向かって放射される発光光がコンタクト層側に反
射する。

【００３５】本発明に係る第１の発光ダイオード装置の
製造方法は、ｎ型の半導体基板の上に亜鉛及びセレンを
含む活性層を形成する工程と、活性層の上に、ｐ型の第
１のコンタクト層と、不純物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以
上の高濃度となるように窒素原子が注入されたｐ型の第
２のコンタクト層とを順次形成する工程と、第２のコン
タクト層の上に導体膜を堆積した後、該導体膜における
ボンディングパッド形成領域をマスクして導体膜及び第
２のコンタクト層に対してエッチングを行なうことによ
り、導体膜からなる島状のパッド電極を形成すると共
に、第２のコンタクト層を島状に形成する工程と、第１
のコンタクト層におけるパッド電極の周辺部に、該パッ
ド電極と接触すると共に活性層からの発光光を透過させ
るオーミック電極を形成する工程と、半導体基板に対し
てアニールを行なって、島状の第２のコンタクト層に含
まれる窒素原子を該島状の第２のコンタクト層から半導
体基板側の領域に選択的に拡散させることにより、島状
の第２のコンタクト層と活性層との間におけるパッド電
極の下方の領域に高抵抗領域を形成する工程とを備えて
いる。

【００３６】第１の発光ダイオード装置の製造方法によ
ると、ＺｎＳｅ系の活性層の上に、島状の第２のコンタ
クト層に含まれる高濃度の窒素原子を該島状の第２のコ
ンタクト層から半導体基板側の領域に選択的に拡散させ
ることにより、島状の第２のコンタクト層の下方の領域
に高抵抗領域を形成するため、島状の第２のコンタクト
層の下方に位置する半導体層がＺｎ及びＳｅを含む化合
物半導体層であれば、該化合物半導体層におけるパッド
電極の下方の領域に高抵抗領域が形成される。従って、
コンタクト層の上に形成されたパッド電極の下方の領域
に高抵抗領域が形成されると共に、オーミック電極がコ
ンタクト層におけるパッド電極の周辺部に形成されるた
め、パッド電極の直下には電流が流れずに該パッド電極
の下方の周辺部に電流が流れるので、活性層におけるパ
ッド電極の下方の領域ではキャリアの注入が抑制され
る。

【００３７】本発明に係る第２の発光ダイオード装置の
製造方法は、第１導電型の半導体基板の上に亜鉛及びセ
レンを含む活性層を形成する工程と、活性層の上に亜鉛
を含む化合物半導体からなる第２導電型のコンタクト層
を形成する工程と、コンタクト層におけるボンディング
パッド形成領域に対してプラズマ化した酸素原子を照射
することにより、ボンディングパッド形成領域に亜鉛が
酸化された酸化亜鉛からなる絶縁酸化膜を形成する工程
と、コンタクト層及び絶縁酸化膜の上に導体膜を堆積し
た後、該導体膜におけるボンディングパッド形成領域を
マスクして導体膜に対してエッチングを行なうことによ
り、導体膜からなる島状のパッド電極を形成する工程
と、コンタクト層におけるパッド電極の周辺部に、該パ
ッド電極と接触すると共に活性層からの発光光を透過さ
せるオーミック電極を形成する工程とを備えている。

【００３８】第２の発光ダイオード装置の製造方法によ
ると、ＺｎＳｅ系の活性層の上に亜鉛を含む化合物半導
体からなるコンタクト層を形成し、該コンタクト層にお
けるボンディングパッド形成領域に対してプラズマ化し
た酸素原子を照射することにより、該ボンディングパッ
ド形成領域に酸化亜鉛からなる絶縁酸化膜を形成するた
め、コンタクト層の上に形成されたボンディングパッド
用のパッド電極の下方の領域に絶縁領域が形成されると
共に、オーミック電極がコンタクト層におけるパッド電
極の周辺部に形成されるため、パッド電極の直下には電
流が流れずに該パッド電極の下方の周辺部に電流が流れ
るので、活性層におけるパッド電極の下方の領域ではキ
ャリアの注入が抑制される。

【００３９】本発明に係る第３の発光ダイオード装置の
製造方法は、第１導電型の半導体基板の上に活性層を形
成する工程と、活性層の上に第２導電型のコンタクト層
を形成する工程と、コンタクト層におけるボンディング
パッド形成領域に対してプラズマ化した不活性ガスを照
射することにより、ボンディングパッド形成領域に結晶
欠陥を含む結晶欠陥導入層を形成する工程と、コンタク
ト層及び結晶欠陥導入層の上に導体膜を堆積した後、該
導体膜におけるボンディングパッド形成領域をマスクし
て導体膜に対してエッチングを行なうことにより、導体
膜からなる島状のパッド電極を形成する工程と、コンタ
クト層におけるパッド電極の周辺部に、該パッド電極と
接触すると共に活性層からの発光光を透過させるオーミ
ック電極を形成する工程とを備えている。

【００４０】第３の発光ダイオード装置の製造方法によ
ると、活性層の上にコンタクト層を形成し、該コンタク
ト層におけるボンディングパッド形成領域に対してプラ
ズマ化した不活性ガスを照射することにより、該ボンデ
ィングパッド形成領域に結晶欠陥を含む結晶欠陥導入層
を形成するため、コンタクト層の上に形成されたボンデ
ィングパッド用のパッド電極の下方の領域に高抵抗領域
が形成されると共に、オーミック電極がコンタクト層に
おけるパッド電極の周辺部に形成されるため、パッド電
極の直下には電流が流れずに該パッド電極の下方の周辺
部に電流が流れるので、活性層におけるパッド電極の下
方の領域ではキャリアの注入が抑制される。

【００４１】本発明に係る第４の発光ダイオード装置の
製造方法は、第１導電型の半導体基板の上におけるボン
ディングパッド形成領域に対して、水素イオン、ホウ素
イオン又は酸素イオンを注入することにより、ボンディ
ングパッド形成領域に高抵抗領域を形成する工程と、半
導体基板の上に活性層を形成する工程と、活性層の上に
第２導電型のコンタクト層を形成する工程と、コンタク
ト層の上に導体膜を堆積した後、該導体膜におけるボン
ディングパッド形成領域をマスクして導体膜に対してエ
ッチングを行なうことにより、導体膜からなる島状のパ
ッド電極を形成する工程と、コンタクト層におけるパッ
ド電極の周辺部に、該パッド電極と接触すると共に活性
層からの発光光を透過させるオーミック電極を形成する
工程とを備えている。

【００４２】第４の発光ダイオード装置の製造方法によ
ると、半導体基板の上におけるボンディングパッド形成
領域に対して、水素イオン、ホウ素イオン又は酸素イオ
ンを注入することにより、ボンディングパッド形成領域
に高抵抗領域を形成するため、コンタクト層の上に形成
されたボンディングパッド用のパッド電極の下方に高抵
抗領域が形成されると共に、オーミック電極がコンタク
ト層におけるパッド電極の周辺部に形成されるため、パ
ッド電極の直下には電流が流れずに該パッド電極の下方
の周辺部に電流が流れるので、活性層におけるパッド電
極の下方の領域ではキャリアの注入が抑制される。

【００４３】

【発明の実施の形態】本願発明者らは、結晶性に優れ内
部量子効率が高いII−VI族からなるＺｎＳｅ系の化合物
半導体を用いた短波長発光ダイオード装置は外部量子効
率が低い理由について種々の検討を重ねた結果、以下の
ことを見出した。

【００４４】すなわち、外部量子効率が低い第１の理由
は、図８に示す量子井戸活性層１０６におけるボンディ
ングパッド１１３の直下の領域で発光した光のうちのほ
とんどが、ボンディングパッド１１３に吸収されてお
り、装置の外部に取り出すことができないという点であ
る。発光光を透過させるｐ側オーミック電極１１２がコ
ンタクト層１１１の全面に形成されているものの、この
オーミック電極１１２は素子内部からの発光光を透過さ
せるためにその膜厚を数十ｎｍ程度に小さくしているの
で、シート抵抗が増大しており、電流が広がりにくくな
る。このため、発光現象の多くは活性層１０６における
ボンディングパッド１１３の直下及びその近傍で起こっ
ている。このボンディングパッド１１３による発光光の
損失はＧａＮ系発光ダイオードにも当てはまる。

【００４５】第２の理由は、基板１０１が発光光を吸収
することである。量子井戸活性層１０６に生じた発光光
は基板１０１の表裏方向に同様に放出される。基板１０
１の表側に向かう発光光は外部へ取り出せるが、裏側に
向かう発光光は基板１０１に吸収されてしまい利用でき
ない。ちなみに、ＧａＮ系発光ダイオードにおいては、
通常、基板に発光光を透過させるサファイア基板を用い
る場合が多いので、問題はない。

【００４６】以上のことから、電流ブロック層を形成す
るにあたり、基板の上に一度の工程で結晶成長層を成長
させた後、ボンディングパッド形成用のパッド電極の直
下に、ショットキ障壁や高抵抗領域を選択的に設ける構
成とする。

【００４７】（第１の実施形態）本発明の第１の実施形
態について図面を参照しながら説明する。

【００４８】図１は本発明の第１の実施形態に係るＺｎ
Ｓｅ系の発光ダイオード装置の断面構成を示している。
図１に示すように、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１１の上
に、該基板１１との格子不整合を緩和するｎ型ＧａＡｓ
からなる第１のバッファ層１２と、ｎ型ＺｎＳｅからな
り、ＧａＡｓ結晶とＺｎＳｅ結晶との格子不整合を緩和
する第２のバッファ層１３と、ｎ型ＺｎＳＳｅとｎ型Ｚ
ｎＭｇＳＳｅとが交互に積層されてなるブラッグ反射器
（ＤＢＲ；distributed Bragg-reflector)構造を有する
反射層１４と、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅからなり、後述する
活性層に対してポテンシャル障壁を形成して該活性層に
効率良くｎ型キャリアを注入する第１のクラッド層１５
と、ノンドープＺｎＳＳｅからなり、活性層の結晶品質
を向上させると共にｎ型キャリアを効率良く注入する第
１のスペーサ層１６と、Ｚｎ_1-xＣｄ_x Ｓｅからなり、
注入されたｎ型及びｐ型の少数キャリアが互いに再結合
して発光する量子井戸活性層１７と、ノンドープＺｎＳ
Ｓｅからなり、活性層の結晶品質を向上させると共にｐ
型キャリアを効率良く注入する第２のスペーサ層１８
と、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅからなり、活性層に対してポテ
ンシャル障壁を形成して活性層に効率良くｐ型キャリア
を注入する第２のクラッド層１９と、ｐ型ＺｎＳＳｅか
らなり、第２のクラッド層１９と後述するコンタクト層
との間の価電子帯のエネルギー準位を段階的に接続する
半導体層２０と、ｐ型ＺｎＳｅとｐ型ＺｎＴｅとが交互
に積層されてなり、半導体層２０とコンタクト層との間
の価電子帯のエネルギー準位を段階的に接続する超格子
層２１と、ｐ型ＺｎＴｅからなり、電極とオーミック接
触するコンタクト層２２とが順次積層されて形成されて
いる。

【００４９】反射層１４の各層は、基板１１とそれぞれ
格子整合しており、その格子定数は実効的な発光波長の
４分の１の大きさに設定されている。例えば、バンドギ
ャップエネルギーが２．８５ｅＶであるｎ型ＺｎＭｇＳ
Ｓｅ結晶を用いる場合に、２０周期の反射層１４を設け
ると約７０％の反射率を得ることができる。前述のバン
ドギャップエネルギーを大きくするか又は周期を増やす
かすると、反射率をさらに増加させることも可能であ
る。

【００５０】コンタクト層２２の上面には、例えば、ｐ
型ＺｎＴｅからなる該コンタクト層２２に対してポテン
シャル障壁が０．３ｅＶ以上の比較的大きなショットキ
障壁を得られるＡｌからなり、膜厚が数百ｎｍのボンデ
ィングパッド形成用のドット形状（島形状）を有するシ
ョットキ電極２３が設けられている。さらに、コンタク
ト層２２の上面には、ショットキ電極２３を含む全面に
わたってＰｄ及びＡｕからなり、発光光が透過するよう
に膜厚が５０ｎｍ以下のｐ側オーミック電極２４が形成
されており、基板１１における結晶成長面とは反対側の
面には、Ｎｉ／ＡｕＧｅ／Ａｕからなるｎ側オーミック
電極２５が形成されている。

【００５１】以下、前記のように構成された発光ダイオ
ード装置の動作を説明する。

【００５２】順バイアスとなるように、ｎ側オーミック
電極２５を接地し、ｐ側オーミック電極２４に所定の動
作電圧を印加すると、量子井戸活性層１７にはｐ型半導
体層側から正孔が注入されると共にｎ型半導体層側から
電子が注入され、量子井戸活性層１７からは再結合時の
エネルギーが発光光として放出される。

【００５３】このように、本実施形態によると、ショッ
トキ電極２３は、厚さが数百ｎｍと大きいため、Ａｕ等
からなるワイヤをボンディングするためのパッドとして
機能するが、コンタクト層２２とはショットキ接触して
おり、高接触抵抗であるので、通常の発光ダイオードの
ようなオーミック電極ではない。また、ｐ側オーミック
電極２４は、量子井戸活性層１７において電子と正孔と
の再結合により生じた発光光を透過させるため５０ｎｍ
以下の膜厚で形成されている。

【００５４】従って、量子井戸活性層１７におけるショ
ットキ電極２３の下方の領域には、正孔電流がほとんど
注入されずに、代わりにｐ側オーミック電極２４から注
入されることになる。その結果、量子井戸活性層１７に
おけるショットキ電極２３の下方の領域の周辺部で発光
するため、発光光がショットキ電極２３に吸収されなく
なるので、発光光を効率良く装置の上面から取り出すこ
とができる。

【００５５】さらに、基板１１と量子井戸活性層１７と
の間にＤＢＲ構造の反射層１４が設けられているため、
量子井戸活性層１７から基板１１方向へ放出された発光
光のうちの大部分が反射層１４によって反射されること
により、装置の上側から発光光の大部分を取り出すこと
ができるので、効率が一層向上する。

【００５６】このように、ボンディングパッドとなるパ
ッド電極をショットキ障壁を有するショットキ電極２３
とすると共に、基板１１に吸収される発光光を反射して
基板１１の上方に取り出すための反射層１４とを設ける
ことにより、複数回にわたる結晶成長工程を行なうこと
なく、波長が５００ｎｍ付近で、最終的に２０％以上の
外部量子効率を容易に且つ確実に得ることができる。

【００５７】なお、ショットキ電極にＡｌを用いたが、
これに限らず、０．３ｅＶ以上のショットキ障壁を実現
できるＺｎ又はＴｌを用いてもよい。

【００５８】（第１の実施形態の一変形例）以下、本発
明の第１の実施形態の一変形例について図面を参照しな
がら説明する。

【００５９】図２は第１の実施形態の一変形例に係るＧ
ａＮ系の発光ダイオード装置の断面構成を示している。
図２に示すように、面方位が（０００１）のサファイア
からなる基板３１の上に、ＡｌＮからなり、サファイア
結晶とＧａＮ結晶との格子不整合を緩和するバッファ層
３２と、ｎ型ＧａＮからなり、上面の一部に発光素子部
が形成されると共に上面の他部に電極部が形成され、電
流の通路を確保する半導体層３３とが順次形成されてい
る。半導体層３３の電極部には、Ｔｉ／Ａｌからなるｎ
側オーミック電極３４が形成されており、発光素子部に
は、ｎ型ＡｌＧａＮからなり、活性層に対してポテンシ
ャル障壁を形成して活性層に効率良く電子を注入する第
１のクラッド層３５と、ＩｎＧａＮからなり、注入され
た電子及びホールが互いに再結合して発光する量子井戸
活性層３６と、活性層に対してポテンシャル障壁を形成
して活性層に効率良く正孔を注入する第２のクラッド層
３７と、ｐ型ＧａＮからなり、電極と接触するコンタク
ト層３８とが順次形成されている。コンタクト層３８の
上面には、例えば、ｐ型ＧａＮからなる半導体層に対し
てポテンシャル障壁が０．３ｅＶ以上のショットキ障壁
を得られるＡｌからなり、膜厚が数百ｎｍのボンディン
グパッド形成用のドット形状を有するショットキ電極３
９が設けられている。さらに、コンタクト層３８の上面
には、ショットキ電極３９を含む全面にわたってＮｉ／
Ａｕからなり、光が透過するように膜厚が５０ｎｍ以下
であるｐ側オーミック電極４０が形成されている。

【００６０】このように、本変形例によると、コンタク
ト層３８と接触させるボンディングパッド形成用のパッ
ド電極に０．３ｅＶ以上のポテンシャル障壁を持つショ
ットキ電極３９を用いると共に、コンタクト層３８の上
にショットキ電極３９を含めて全面にｐ側オーミック電
極４０を設けているため、正孔電流は、量子井戸活性層
３６におけるショットキ電極３９の下方の領域にはほと
んど注入されずにショットキ電極３９の周辺部に形成さ
れているｐ側オーミック電極２４から注入されることに
なる。その結果、量子井戸活性層１７におけるショット
キ電極２３の下方の領域の周辺部で発光するため、発光
光がショットキ電極２３に吸収されなくなるので、発光
光を効率良く装置の上面から取り出すことができる。

【００６１】なお、前述したように、本装置は基板３１
にサファイアを用いているため、量子井戸活性層３６か
ら基板方向へ放出される発光光は、サファイアと空気と
の光の屈折率の差からサファイアの端面で屈折してｐ側
オーミック電極４０側に反射するので、反射層を設ける
必要がない。

【００６２】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００６３】図３は本発明の第２の実施形態に係るＺｎ
Ｓｅ系の発光ダイオード装置の断面構成を示している。
図３に示すように、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１１の上
には、該基板１１との格子不整合を緩和するｎ型ＧａＡ
ｓからなる第１のバッファ層１２と、ｎ型ＺｎＳｅから
なり、ＧａＡｓ結晶とＺｎＳｅ結晶との格子不整合を緩
和する第２のバッファ層１３と、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅか
らなり、後述する活性層に対してポテンシャル障壁を形
成して活性層に効率良くｎ型キャリアを注入する第１の
クラッド層１５と、ノンドープＺｎＳＳｅからなり、活
性層の結晶品質を向上させると共にｎ型キャリアを効率
良く注入する第１のスペーサ層１６と、Ｚｎ_1-x Ｃｄ_x
Ｓｅからなり、注入されたｎ型及びｐ型の少数キャリア
が互いに再結合して発光する量子井戸活性層１７と、ノ
ンドープＺｎＳＳｅからなり、活性層の結晶品質を向上
させると共にｐ型キャリアを効率良く注入する第２のス
ペーサ層１８と、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅからなり、活性層
に対してポテンシャル障壁を形成して活性層に効率良く
ｐ型キャリアを注入する第２のクラッド層１９と、ｐ型
ＺｎＳＳｅからなり、第２のクラッド層１９と後述する
第１のコンタクト層との間の価電子帯のエネルギー準位
を段階的に接続する半導体層２０と、ｐ型ＺｎＳｅとｐ
型ＺｎＴｅとが交互に積層されてなり、半導体層２０と
第１のコンタクト層との間の価電子帯のエネルギー準位
を段階的に接続する超格子層２１と、正孔となる不純物
濃度が５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下となるようにＮ原子がドー
プされたｐ型ＺｎＴｅからなり、電極とオーミック接触
する第１のコンタクト層２２と、正孔となる不純物濃度
が高濃度の５×１０¹⁸ｃｍ^-3以上となるようにＮ原子が
ドープされたｐ型ＺｎＴｅからなり、パッド電極の幅方
向の形状と同一の形状を持つ第２のコンタクト層４１Ａ
とが順次積層されて形成されている。

【００６４】第２のコンタクト層４１Ａの上面には、該
第２のコンタクト層４１Ａとオーミック接触が可能なＡ
ｕからなり、膜厚が数百ｎｍのボンディングパッド形成
用のドット形状を有するパッド電極４２Ａが設けられて
いる。さらに、第１のコンタクト層２２の上面には、パ
ッド電極４２Ａを含む全面にわたってＰｄ及びＡｕから
なり、発光光が透過するように膜厚が５０ｎｍ以下のｐ
側オーミック電極２４が形成されており、基板１１にお
ける結晶成長面とは反対側の面には、Ｎｉ／ＡｕＧｅ／
Ａｕからなるｎ側オーミック電極２５が形成されてい
る。

【００６５】本実施形態の特徴として、さらに、超格子
層２１及び半導体層２０の上部におけるパッド電極４２
Ａの下方の領域に、第２のコンタクト層４１ＡからＮ原
子が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上の高濃度で拡散してなる電流
ブロック層としての高抵抗領域４３が形成されている。

【００６６】以下、本実施形態に係る発光ダイオード装
置の製造方法、特に、高抵抗領域４３の製造方法を図面
に基づいて説明する。ここで、ＺｎＳｅ系の化合物半導
体のドーパントとして、ｐ型にはＮ原子が用いられ、ｎ
型にはＣｌ原子が用いられている。

【００６７】まず、図４（ａ）に示すように、例えば、
ＭＢＥ法を用いて、基板１１の上に第１のバッファ層１
２から第２のコンタクト形成層４１Ｂまでを順次結晶成
長させた後、真空蒸着法等を用いて第２のコンタクト形
成層４１Ｂの上に全面にわたってＡｕからなる導体膜４
２Ｂを堆積する。

【００６８】次に、図４（ｂ）に示すように、導体膜４
２Ｂにおけるボンディングパッド形成領域をマスクし
て、第１のコンタクト層２２が露出するように導体膜４
２Ｂ及び第２のコンタクト形成層４１Ｂに対してエッチ
ングを行なうことにより、ドット形状のパッド電極４２
Ａ及び該パッド電極４２Ａと同一の幅寸法を持つ第２の
コンタクト層４１Ａを形成する。

【００６９】次に、図４（ｃ）に示すように、真空蒸着
法等を用いて、第１のコンタクト層２２の上面における
パッド電極４２Ａを含む全面にわたってＰｄ及びＡｕか
らなる導体膜を膜厚が５０ｎｍ以下となるように順次堆
積してｐ側オーミック電極２４を形成すると共に、基板
１１における結晶成長面とは反対側の面に、Ｎｉ／Ａｕ
Ｇｅ／Ａｕからなる導体膜を順次堆積してｎ側オーミッ
ク電極２５を形成する。

【００７０】次に、パッド電極４２Ａ、ｐ側オーミック
電極２４及びｎ側オーミック電極２５がそれぞれ形成さ
れた基板１１に対して、温度が２００℃から２５０℃程
度のアニールを施す。これにより、第１のコンタクト層
２２とｐ側オーミック電極２４との界面及び基板１１と
ｎ側オーミック電極２５との界面には低抵抗のオーミッ
ク接触が得られる。一方、第２のコンタクト層４１Ａは
不純物濃度が５×１０ ¹⁸ｃｍ^-3以上で過剰となる程度の
高濃度にＮ原子がドープされているため、過剰にドープ
されたＮ原子が、基板１１方向、すなわち、超格子層２
１及び半導体層２０の上部におけるパッド電極４２Ａの
下方の領域に熱拡散することによって、図３に示す高抵
抗領域４３が形成される。

【００７１】なお、１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上となる高濃度
のＮ原子が、Ｎ原子をドープされてなるｐ型のＺｎＳｅ
系の化合物半導体、例えば、ｐ型のＺｎＳｅ又はＺｎＳ
Ｓｅ等に拡散することにより、これらの化合物半導体を
高抵抗化することはよく知られている。

【００７２】以下、前記のように構成された発光ダイオ
ード装置の動作を説明する。

【００７３】順バイアスとなるように、ｎ側オーミック
電極２５を接地し、ｐ側オーミック電極２４に所定の動
作電圧を印加すると、量子井戸活性層１７にはｐ型半導
体層側から正孔が注入されると共にｎ型半導体層側から
電子が注入され、量子井戸活性層１７からは再結合時の
エネルギーが発光光として放射される。

【００７４】このとき、ｐ側オーミック電極２４は発光
光が透過する程度の膜厚であるため、ｐ側オーミック電
極２４におけるパッド電極４２Ａの周辺部から該発光光
を装置の外部に取り出すことができる。

【００７５】また、パッド電極４２Ａと量子井戸活性層
１７との間にはＮ原子がＺｎＳｅ系からなる半導体層に
拡散されてなる高抵抗領域４３が設けられているため、
パッド電極４２Ａと量子井戸活性層１７との間に正孔電
流が流れず、従って、量子井戸活性層１７におけるパッ
ド電極４２Ａの下方の領域には正孔電流がほとんど注入
されないので、この領域において発光現象が抑制される
ことになる。その結果、パッド電極４２Ａで吸収される
無効な正孔電流が流れなくなるので、外部量子効率が向
上する。

【００７６】このように、本装置においては、パッド電
極４２Ａと量子井戸活性層１７との間に自己整合的に形
成された高抵抗領域４３を設けることにより、複数回に
わたる結晶成長工程を行なうことなく、波長が５００ｎ
ｍ付近で１０％以上の外部量子効率を容易に且つ確実に
得ることができる。

【００７７】なお、第１の実施形態で示したように、第
２のバッファ層１３と第１のクラッド層１５との間にＤ
ＢＲ構造の反射層を設ければ、外部量子効率がさらに向
上することになる。

【００７８】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００７９】図５は本発明の第３の実施形態に係るＺｎ
Ｓｅ系の発光ダイオード装置の断面構成を示している。
図５に示すように、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１１の上
に、該基板１１との格子不整合を緩和するｎ型ＧａＡｓ
からなる第１のバッファ層１２と、ｎ型ＺｎＳｅからな
り、ＧａＡｓ結晶とＺｎＳｅ結晶との格子不整合を緩和
する第２のバッファ層１３と、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅから
なり、後述する活性層に対してポテンシャル障壁を形成
して活性層に効率良くｎ型キャリアを注入する第１のク
ラッド層１５と、ノンドープＺｎＳＳｅからなり、活性
層の結晶品質を向上させると共にｎ型キャリアを効率良
く注入する第１のスペーサ層１６と、Ｚｎ_1-x Ｃｄ_x Ｓ
ｅからなり、注入されたｎ型及びｐ型の少数キャリアが
互いに再結合して発光する量子井戸活性層１７と、ノン
ドープＺｎＳＳｅからなり、活性層の結晶品質を向上さ
せると共にｐ型キャリアを効率良く注入する第２のスペ
ーサ層１８と、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅからなり、活性層に
対してポテンシャル障壁を形成して活性層に効率良くｐ
型キャリアを注入する第２のクラッド層１９と、ｐ型Ｚ
ｎＳＳｅからなり、第２のクラッド層１９と後述するコ
ンタクト層との間の価電子帯のエネルギー準位を段階的
に接続する半導体層２０と、ｐ型ＺｎＳｅとｐ型ＺｎＴ
ｅとが交互に積層されてなり、半導体層２０とコンタク
ト層との間の価電子帯のエネルギー準位を段階的に接続
する超格子層２１と、ｐ型ＺｎＴｅからなり、電極とオ
ーミック接触するコンタクト層２２とが順次積層されて
形成されている。

【００８０】コンタクト層２２の上面には、該コンタク
ト層２２とオーミック接触が可能なＡｕからなり、膜厚
が数百ｎｍのボンディングパッド形成用のドット形状を
有するパッド電極４２が設けられている。さらに、第１
のコンタクト層２２Ａの上面には、パッド電極４２を含
む全面にわたってＰｄ及びＡｕからなり、発光光が透過
するように膜厚が５０ｎｍ以下のｐ側オーミック電極２
４が形成されており、基板１１における結晶成長面とは
反対側の面には、Ｎｉ／ＡｕＧｅ／Ａｕからなるｎ側オ
ーミック電極２５が形成されている。

【００８１】本実施形態の特徴として、さらに、コンタ
クト層２２におけるパッド電極４２の下方の領域に、電
流ブロック層としてのＺｎＯからなる絶縁酸化膜４４が
形成されている。

【００８２】以下、本実施形態に係る発光ダイオード装
置の製造方法、特に、絶縁酸化膜４４の製造方法を説明
する。

【００８３】まず、例えば、ＭＢＥ法を用いて、基板１
１の上に第１のバッファ層１２からコンタクト層２２ま
でを順次結晶成長させた後、コンタクト層２２における
ボンディングパッド形成領域に対して、例えば、Ｏ₂ の
分圧が２０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ出力が１００Ｗの条件下で
１０分間程度のプラズマ照射を行なうと、コンタクト層
２２のボンディングパッド形成領域に膜厚が１００ｎｍ
程度のＺｎＯからなる絶縁酸化膜４４が形成される。Ｚ
ｎＯはII−VI族化合物であるため非常に安定である。

【００８４】次に、真空蒸着法等を用いてコンタクト層
２２の上に全面にわたってＡｕからなる導体膜を堆積し
た後、該導体膜におけるボンディングパッド形成領域を
マスクして、コンタクト層２２が露出するように導体膜
に対してエッチングを行なうことにより、ドット形状の
パッド電極４２を形成する。その後、真空蒸着法等を用
いて、コンタクト層２２の上面におけるパッド電極４２
を含む全面にわたってＰｄ及びＡｕからなる導体膜を膜
厚が５０ｎｍ以下となるように順次堆積してｐ側オーミ
ック電極２４を形成すると共に、基板１１における結晶
成長面とは反対側の面に、Ｎｉ／ＡｕＧｅ／Ａｕからな
る導体膜を順次堆積してｎ側オーミック電極２５を形成
する。

【００８５】次に、パッド電極４２、ｐ側オーミック電
極２４及びｎ側オーミック電極２５がそれぞれ形成され
た基板１１に対して、温度が２００℃から２５０℃程度
のアニールを施して、コンタクト層２２とｐ側オーミッ
ク電極２４及びパッド電極４２との界面及び基板１１と
ｎ側オーミック電極２５との界面には低抵抗のオーミッ
ク接触が得られる。

【００８６】以下、前記のように構成された発光ダイオ
ード装置の動作を説明する。

【００８７】順バイアスとなるように、ｎ側オーミック
電極２５を接地し、ｐ側オーミック電極２４に所定の動
作電圧を印加すると、量子井戸活性層１７にはｐ型半導
体層側から正孔が注入されると共にｎ型半導体層側から
電子が注入され、量子井戸活性層１７からは再結合時の
エネルギーが発光光として放射される。

【００８８】このとき、ｐ側オーミック電極２４は発光
光が透過する程度の膜厚であるため、ｐ側オーミック電
極２４におけるパッド電極４２の周辺部から該発光光を
装置の外部に取り出すことができる。

【００８９】また、パッド電極４２と量子井戸活性層１
７との間にはコンタクト層２２を構成するＺｎがプラズ
マ酸化されてなる絶縁酸化膜４４が設けられているた
め、パッド電極４２と量子井戸活性層１７との間に正孔
電流が流れず、従って、量子井戸活性層１７におけるパ
ッド電極４２の下方の領域には正孔電流がほとんど注入
されないので、この領域では発光現象が抑制される。そ
の結果、パッド電極４２で吸収される無効な正孔電流が
流れなくなるので、外部量子効率が向上する。

【００９０】また、プラズマ酸化法を用いているため、
比較的低温下で絶縁酸化膜４４を形成できるので、量子
井戸活性層１７に熱的な損傷を与えることがない。

【００９１】このように、本装置においては、パッド電
極４２と量子井戸活性層１７との間に絶縁酸化膜４４を
設けることにより、複数回にわたる結晶成長工程を行な
うことなく、波長が５００ｎｍ付近で１０％以上の外部
量子効率を容易に得ることができる。

【００９２】なお、第１の実施形態で示したように、第
２のバッファ層１３と第１のクラッド層１５との間にＤ
ＢＲ構造の反射層を設ければ、外部量子効率がさらに向
上することになる。

【００９３】また、本実施形態においては、基板１１側
をｎ型とし、パッド電極４２側をｐ型としている。これ
は、絶縁酸化膜４４からなる電流ブロック層が、ｎ型半
導体層よりも抵抗率が小さいｐ型半導体層側に設けてお
くと、動作電流が基板面に平行な方向に広がりにくいの
で、遮蔽効果が上がるからである。

【００９４】しかしながら、発光ダイオード装置の場合
は、半導体レーザ装置ほど厳密さが要求されないので、
各半導体層の導電型を互いに入れ替えても効果が損なわ
れることがない。

【００９５】（第３の実施形態の一変形例）以下、本発
明の第３の実施形態の一変形例について図面を参照しな
がら説明する。

【００９６】図６は第３の実施形態の一変形例に係るＺ
ｎＳｅ系の発光ダイオード装置の断面構成を示してい
る。図６において、図５に示す構成部材と同一の構成部
材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。第
３の実施形態においては、Ｏ₂プラズマを照射するプラ
ズマ酸化法を用いて、パッド電極４２と量子井戸活性層
１７との間に電流ブロック層となる絶縁酸化膜４４を形
成したが、本変形例においては、不活性ガスであるＡｒ
ガスをコンタクト層２２のボンディングパッド形成領域
に対してプラズマ照射することにより、パッド電極４２
と量子井戸活性層１７との間に電流ブロック層としての
結晶欠陥導入層４５を形成している。

【００９７】結晶欠陥導入層４５は、プラズマ化された
Ａｒ原子によって正孔が消滅して、正孔濃度が１×１０
¹⁶ｃｍ^-3以下にまで低下しているため、量子井戸活性層
１７におけるパッド電極４２の下方の領域に正孔電流が
注入されることを抑制できる。従って、本装置において
は、パッド電極４２と量子井戸活性層１７との間に結晶
欠陥導入層４５を設けることにより、複数回にわたる結
晶成長工程を行なうことなく、波長が５００ｎｍ付近で
１０％以上の外部量子効率を容易に得ることができる。

【００９８】なお、第１の実施形態で示したように、第
２のバッファ層１３と第１のクラッド層１５との間にＤ
ＢＲ構造の反射層を設ければ、外部量子効率がさらに向
上することになる。

【００９９】また、本変形例においても、基板１１側を
ｎ型とし、パッド電極４２側をｐ型としたが、前述した
ように各半導体層の導電型を互いに入れ替えてもよい。

【０１００】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１０１】図７は本発明の第４の実施形態に係るＺｎ
Ｓｅ系の発光ダイオード装置の断面構成を示している。
図７に示すように、ｐ型ＧａＡｓからなる基板５１の上
面におけるボンディングパッド形成領域には、例えば、
Ｈ⁺ イオン（プロトン）を注入されてなる高抵抗領域５
１ａが形成されている。

【０１０２】この高抵抗領域５１ａが形成された基板５
１の上には、ＭＢＥ法を用いて、該基板５１との格子不
整合を緩和するｐ型ＧａＡｓからなる第１のバッファ層
５２と、ｐ型ＺｎＳｅからなり、ＧａＡｓ結晶とＺｎＳ
ｅ結晶との格子不整合を緩和する第２のバッファ層５３
と、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅからなり、後述する活性層に対
してポテンシャル障壁を形成して活性層に効率良くｐ型
キャリアを注入する第１のクラッド層５４と、ノンドー
プＺｎＳＳｅからなり、活性層の結晶品質を向上させる
と共にｐ型キャリアを効率良く注入する第１のスペーサ
層５５と、Ｚｎ _1-x Ｃｄ_x Ｓｅからなり、注入されたｎ
型及びｐ型の少数キャリアが互いに再結合して発光する
量子井戸活性層５６と、ノンドープＺｎＳＳｅからな
り、活性層の結晶品質を向上させると共にｎ型キャリア
を効率良く注入する第２のスペーサ層５７と、ｎ型Ｚｎ
ＭｇＳＳｅからなり、活性層に対してポテンシャル障壁
を形成して活性層に効率良くｎ型キャリアを注入する第
２のクラッド層５８と、ｎ型ＺｎＳｅからなり、電極と
オーミック接触するコンタクト層５９とが順次積層され
て形成されている。

【０１０３】コンタクト層５９の上面には、該コンタク
ト層５９とオーミック接触が可能なＡｕからなり、膜厚
が数百ｎｍのボンディングパッド形成用のドット形状を
有するパッド電極６０が設けられている。さらに、コン
タクト層５９の上面には、パッド電極６０を含む全面に
わたってＴｉ及びＡｕからなり、発光光が透過するよう
に膜厚が５０ｎｍ以下のｎ側オーミック電極６１が形成
されており、基板５１における結晶成長面とは反対側の
面には、例えば、ＡｕＺｎ／Ａｕからなるｐ側オーミッ
ク電極６２が形成されている。

【０１０４】以下、前記のように構成された発光ダイオ
ード装置の動作を説明する。

【０１０５】順バイアスとなるように、ｎ側オーミック
電極６１を接地し、ｐ側オーミック電極６２に所定の動
作電圧を印加すると、量子井戸活性層５６にはｐ型半導
体層側から正孔が注入されると共にｎ型半導体層側から
電子が注入され、量子井戸活性層５６からは再結合時の
エネルギーが発光光として放射される。

【０１０６】このとき、ｎ側オーミック電極６１は発光
光が透過する程度の膜厚であるため、ｎ側オーミック電
極６１におけるパッド電極６０の周辺部から該発光光を
装置の外部に取り出すことができる。

【０１０７】また、基板５１の上部におけるパッド電極
６０の下方の領域にはプロトンが注入されてなる高抵抗
領域５１ａが設けられているため、量子井戸活性層５６
における高抵抗領域５１ａの上方の領域に正孔電流が流
れず、従って、量子井戸活性層５６におけるパッド電極
６０の下方の領域には正孔電流がほとんど注入されない
ので、この領域では発光現象が抑制される。その結果、
パッド電極６０で吸収される無効な正孔電流が流れなく
なるので、外部量子効率が向上する。

【０１０８】このように、本装置においては、パッド電
極６０と量子井戸活性層５６との間に高抵抗領域５１ａ
を設けることにより、複数にわたる結晶成長工程を行な
うことなく、波長が５００ｎｍ付近で１０％以上の外部
量子効率を容易に且つ確実に得ることができる。

【０１０９】なお、基板５１の高抵抗領域５１ａを形成
するイオンとしてＨ⁺ イオンを用いたが、これに限ら
ず、Ｂ⁺ イオン又はＯ^2-イオンを用いてもよい。

【０１１０】また、第１の実施形態で示したように、第
２のバッファ層５３と第１のクラッド層５４との間にＤ
ＢＲ構造の反射層を設ければ、外部量子効率がさらに向
上する。

【０１１１】また、本変形例においては、電流ブロック
層としての高抵抗領域５１ａを設ける基板５１側をｐ型
とし、パッド電極６０側をｎ型としたが、各半導体層の
導電型を互いに入れ替えてもよい。

【０１１２】また、III −Ｖ族からなるＧａＮ系の発光
ダイオード装置の場合には、基板をサファイアの代わり
にＳｉＣからなる基板を用いれば、本実施形態と同様に
して電流ブロック層となる高抵抗領域を形成することが
できる。

【０１１３】

【発明の効果】本発明に係る第１の発光ダイオード装置
によると、コンタクト層の上に選択的に形成されたボン
ディングパッド用のパッド電極がコンタクト層とショッ
トキ接触するショットキ電極であり、コンタクト層の上
のショットキ電極の周辺部に形成されたオーミック電極
が、ショットキ電極と電気的に接続されるように形成さ
れ、且つ、活性層からの発光光を透過させるため、ボン
ディングパッドとなるショットキ電極の下方には電流が
流れずに該ショットキ電極の下方の周辺部に電流が流れ
るので、活性層におけるショットキ電極の下方の領域で
はキャリアの注入が抑制される。その結果、活性層にお
けるショットキ電極の下方の領域から放射される発光光
が減少する一方、活性層におけるショットキ電極の下方
の領域の周辺部から放射される発光光が増加するため、
外部量子効率が向上する。

【０１１４】第１の発光ダイオード装置において、ショ
ットキ電極とコンタクト層との間のショットキ障壁の大
きさが０．３ｅＶ以上であると、該ショットキ電極のポ
テンシャル障壁によって動作電流を確実に流れないよう
にできる。

【０１１５】第１の発光ダイオード装置において、ショ
ットキ電極が、アルミニウム、亜鉛又はタリウムを含む
導体膜からなると、ショットキ障壁の大きさを０．３ｅ
Ｖ以上とすることができる。

【０１１６】本発明に係る第２の発光ダイオード装置に
よると、コンタクト層の上に形成されたボンディングパ
ッド用のパッド電極の下方の領域に高抵抗領域が設けら
れていると共に、コンタクト層の上のショットキ電極の
周辺部に形成されたオーミック電極が、パッド電極と電
気的に接続されるように形成され、且つ、活性層からの
発光光を透過させるため、ボンディングパッドとなるパ
ッド電極の下方には電流が流れずに該パッド電極の下方
の周辺部に電流が流れるので、活性層におけるパッド電
極の下方の領域ではキャリアの注入が抑制される。その
結果、活性層におけるパッド電極の下方の領域から放射
される発光光が減少する一方、活性層におけるショット
キ電極の下方の領域の周辺部から放射される発光光が増
加するため、外部量子効率が向上する。

【０１１７】第２の発光ダイオード装置において、第１
導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型であり、高抵抗
領域が、活性層とコンタクト層との間に形成され、窒素
原子が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上となるようにドープされた
亜鉛とセレンとを含むｐ型の半導体層からなると、該ｐ
型の半導体層は、アクセプタとなる窒素原子を過剰にド
ープされて形成されているため、過剰にドープされた領
域が確実に高抵抗となる。

【０１１８】第２の発光ダイオード装置において、高抵
抗領域が活性層の上方の領域に形成された絶縁酸化膜か
らなると、該高抵抗領域は熱的に安定するため、装置の
動作が保証される。

【０１１９】第２の発光ダイオード装置において、絶縁
酸化膜が酸化亜鉛からなると、II−VI族からなる化合物
半導体を用いた装置に確実に形成できると共に、酸化亜
鉛自体がII−VI族からなる化合物であるため、非常に安
定である。

【０１２０】第２の発光ダイオード装置において、高抵
抗領域が活性層の上方の領域に形成された結晶欠陥導入
層からなると、結晶構造が破壊された結晶欠陥導入層は
半導体層における不純物濃度が低下するため、確実に高
抵抗化する。

【０１２１】第２の発光ダイオード装置において、高抵
抗領域が半導体基板に形成されていると、結晶成長工程
の前に、あらかじめ電流ブロック層となる高抵抗領域を
形成できるため、結晶成長層はどんな影響をも受けるこ
とがなく、装置の動作が保証される。

【０１２２】第１及び第２の発光ダイオード装置は、半
導体基板と活性層との間に形成され、ブラッグ反射器構
造を有する反射層をさらに備えていると、活性層から下
方に位置する基板方向に放出される発光光が、反射層で
反射されて活性層の上方から取り出せるので、外部量子
効率をさらに向上させることができる。

【０１２３】本発明に係る第３の発光ダイオード装置に
よると、第１導電型の半導体基板の上にブラッグ反射器
構造を有する反射層が設けられているため、活性層から
半導体基板側に向かって放出される発光光がコンタクト
層側に反射するので、半導体基板側に向かって放出され
た発光光をコンタクト層側から装置の外部に取り出せる
ようになり、外部量子効率を向上させることができる。

【０１２４】本発明に係る第１の発光ダイオード装置の
製造方法によると、島状の第２のコンタクト層に含まれ
る高濃度の窒素原子を該島状の第２のコンタクト層から
半導体基板側の領域に選択的に拡散させることにより高
抵抗領域を形成するため、島状の第２のコンタクト層の
下方に位置する半導体層がＺｎ及びＳｅを含む化合物半
導体層であれば、該化合物半導体層におけるパッド電極
の下方の領域に高抵抗領域が形成される。従って、第２
のコンタクト層上に設けられたボンディングパッド用の
パッド電極の下方に高抵抗領域が形成されると共に、オ
ーミック電極が第１のコンタクト層上のパッド電極と接
触し且つ活性層からの発光光を透過させるため、パッド
電極の下方には電流が流れずに該パッド電極の下方の周
辺部に電流が流れるので、活性層におけるパッド電極の
下方の領域ではキャリアの注入が抑制される。これによ
り、活性層におけるパッド電極の下方の領域から放射さ
れる発光光が減少する一方、該パッド電極の下方の領域
の周辺部から放射される発光光が増加するため、外部量
子効率が向上する。

【０１２５】また、第２のコンタクト層までの結晶成長
工程を中断することなく一貫して行なうため、活性層に
対して熱的損傷を与えることがなくなると共に、結晶成
長工程を複数回行なう場合に比べて生産性が向上する。

【０１２６】本発明に係る第２の発光ダイオード装置の
製造方法によると、コンタクト層におけるボンディング
パッド形成領域に対してプラズマ化した酸素原子を照射
することにより、該ボンディングパッド形成領域に酸化
亜鉛からなる絶縁酸化膜を形成するため、コンタクト層
上に設けられたパッド電極の下方に絶縁領域が形成され
ると共に、オーミック電極がコンタクト層上のパッド電
極と接触し且つ活性層からの発光光を透過させるため、
パッド電極の下方には電流が流れずに該パッド電極の下
方の周辺部に電流が流れるので、活性層におけるパッド
電極の下方の領域ではキャリアの注入が抑制される。こ
れにより、活性層におけるパッド電極の下方の領域から
放射される発光光が減少する一方、該パッド電極の下方
の領域の周辺部から放射される発光光が増加するため、
外部量子効率が向上する。

【０１２７】また、電流ブロック層となる絶縁酸化膜を
プラズマ酸化を用いて行なうため、プラズマ酸化は比較
的低温下で絶縁酸化膜を形成できるので結晶成長層に熱
的損傷を与えることがない。

【０１２８】また、コンタクト層までの結晶成長工程を
中断することなく一貫して行なうため、活性層に対して
熱的損傷を与えることがなくなると共に、一貫して結晶
成長を行なえるため生産性が向上する。

【０１２９】本発明に係る第３の発光ダイオード装置の
製造方法によると、コンタクト層におけるボンディング
パッド形成領域に対してプラズマ化した不活性ガスを照
射することにより、該ボンディングパッド形成領域に結
晶欠陥を含む結晶欠陥導入層を形成するため、コンタク
ト層上に設けられたパッド電極の下方に高抵抗領域が形
成されると共に、オーミック電極がコンタクト層上のパ
ッド電極と接触し且つ活性層からの発光光を透過させる
ため、パッド電極の下方には電流が流れずに該パッド電
極の下方の周辺部に電流が流れるので、活性層における
パッド電極の下方の領域ではキャリアの注入が抑制され
る。これにより、活性層におけるパッド電極の下方の領
域から放射される発光光が減少する一方、該パッド電極
の下方の領域の周辺部から放射される発光光が増加する
ため、外部量子効率が向上する。

【０１３０】また、電流ブロック層となる結晶欠陥導入
層をプラズマ化した不活性ガスを照射して形成するた
め、プラズマを用いたドーピングは比較的低温下で行な
えるので結晶成長層に熱的損傷を与えることがない。

【０１３１】また、コンタクト層までの結晶成長工程を
中断することなく一貫して行なうため、活性層に対して
熱的損傷を与えることがなくなると共に、一貫して結晶
成長を行なえるため生産性が向上する。

【０１３２】本発明に係る第４の発光ダイオード装置の
製造方法によると、半導体基板の上におけるボンディン
グパッド形成領域に対して、水素イオン、ホウ素イオン
又は酸素イオンを注入することにより、ボンディングパ
ッド形成領域に高抵抗領域を形成するため、コンタクト
層上に設けられたパッド電極の下方に高抵抗領域が形成
されると共に、オーミック電極がコンタクト層上のパッ
ド電極と接触し且つ活性層からの発光光を透過させるた
め、パッド電極の下方には電流が流れずに該パッド電極
の下方の周辺部に電流が流れるので、活性層におけるパ
ッド電極の下方の領域ではキャリアの注入が抑制され
る。従って、活性層におけるパッド電極の下方の領域か
ら放射される発光光が減少する一方、該パッド電極の下
方の領域の周辺部から放射される発光光が増加するた
め、外部量子効率が向上する。

【０１３３】また、基板に対してのみ電流ブロック層と
なる高抵抗領域を形成するため、結晶成長層に対してな
んらの悪影響を与えることがない。また、一貫して結晶
成長を行なえるため生産性も向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るＺｎＳｅ系の発
光ダイオード装置を示す構成断面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態の一変形例に係るＧａ
Ｎ系の発光ダイオード装置を示す構成断面図である。

【図３】本発明の第２の実施形態に係るＺｎＳｅ系の発
光ダイオード装置を示す構成断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係
るＺｎＳｅ系の発光ダイオード装置の製造方法を示す工
程順断面図である。

【図５】本発明の第３の実施形態に係るＺｎＳｅ系の発
光ダイオード装置を示す構成断面図である。

【図６】本発明の第３の実施形態の一変形例に係るＺｎ
Ｓｅ系の発光ダイオード装置を示す構成断面図である。

【図７】本発明の第４の実施形態に係るＺｎＳｅ系の発
光ダイオード装置を示す構成断面図である。

【図８】従来のＺｎＳｅ系の発光ダイオード装置を示す
構成断面図である。

【図９】従来のＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード装置
の構成断面図である。

【符号の説明】

１１ 基板 １２ 第１のバッファ層 １３ 第２のバッファ層 １４ 反射層 １５ 第１のクラッド層 １６ 第１のスペーサ層 １７ 量子井戸活性層 １８ 第２のスペーサ層 １９ 第２のクラッド層 ２０ 半導体層 ２１ 超格子層 ２２ コンタクト層（第１のコンタクト層） ２３ ショットキ電極 ２４ ｐ側オーミック電極 ２５ ｎ側オーミック電極 ３１ 基板 ３２ バッファ層 ３３ 半導体層 ３４ ｎ側オーミック電極 ３５ 第１のクラッド層 ３６ 量子井戸活性層 ３７ 第２のクラッド層 ３８ コンタクト層 ３９ ショットキ電極 ４０ ｐ側オーミック電極 ４１Ａ 第２のコンタクト層 ４１Ｂ 第２のコンタクト形成層 ４２Ａ パッド電極 ４２Ｂ 導体膜 ４３ 高抵抗領域 ４４ 絶縁酸化膜 ４５ 結晶欠陥導入層 ５１ 基板 ５１ａ 高抵抗領域 ５２ 第１のバッファ層 ５３ 第２のバッファ層 ５４ 第１のクラッド層 ５５ 第１のスペーサ層 ５６ 量子井戸活性層 ５７ 第２のスペーサ層 ５８ 第２のクラッド層 ５９ コンタクト層 ６０ パッド電極 ６１ ｎ側オーミック電極 ６２ ｐ側オーミック電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮永 良子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 西川 孝司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 齋藤 徹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 佐々井 洋一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA42 CA04 CA05 CA35 CA40 CA41 CA51 CA55 CA58 CA60 CA71 CA73 CA77 CA81 CA83 CA91 CA93 CA99 CB03 CB04 CB15

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電型の半導体基板の上に形成され
   た活性層と、 前記活性層の上に形成された第２導電型のコンタクト層
   と、 前記コンタクト層の上に選択的に形成されたボンディン
   グパッド用のパッド電極と、 前記コンタクト層の上における前記パッド電極の周辺部
   に前記パッド電極と電気的に接続されるように形成さ
   れ、前記活性層からの発光光を透過させるオーミック電
   極と、 前記パッド電極の下方に形成された高抵抗領域とを備え
   ていることを特徴とする発光ダイオード装置。
2. 【請求項２】 前記第１導電型はｎ型であり、 前記第２導電型はｐ型であり、 前記高抵抗領域は、 前記活性層と前記コンタクト層との間に形成され、窒素
   原子が１×１０¹⁸ｃｍ ^-3以上となるようにドープされた
   亜鉛とセレンとを含むｐ型の半導体層からなることを特
   徴とする請求項１に記載の発光ダイオード装置。
3. 【請求項３】 前記高抵抗領域は前記活性層の上方に形
   成された絶縁酸化膜からなることを特徴とする請求項１
   に記載の発光ダイオード装置。
4. 【請求項４】 前記絶縁酸化膜は酸化亜鉛からなること
   を特徴とする請求項３に記載の発光ダイオード装置。
5. 【請求項５】 前記高抵抗領域は前記活性層の上方に形
   成された結晶欠陥導入層からなることを特徴とする請求
   項１に記載の発光ダイオード装置。
6. 【請求項６】 前記高抵抗領域は前記半導体基板に形成
   されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイ
   オード装置。
7. 【請求項７】 前記半導体基板と前記活性層との間に形
   成され、ブラッグ反射器構造を有する反射層をさらに備
   えていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項
   に記載の発光ダイオード装置。
8. 【請求項８】 第１導電型の半導体基板の上に形成さ
   れ、ブラッグ反射器構造を有する反射層と、 前記反射層の上に形成された活性層と、 前記活性層の上に形成された第２導電型のコンタクト層
   と、 前記コンタクト層の上に選択的に形成されたボンディン
   グパッド用のパッド電極と、 前記コンタクト層の上における前記パッド電極の周辺部
   に前記パッド電極と電気的に接続されるように形成さ
   れ、前記活性層からの発光光を透過させるオーミック電
   極とを備えていることを特徴とする発光ダイオード装
   置。
9. 【請求項９】 ｎ型の半導体基板の上に亜鉛及びセレン
   を含む活性層を形成する工程と、 前記活性層の上に、ｐ型の第１のコンタクト層と、不純
   物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上の高濃度となるように窒
   素原子がドープされたｐ型の第２のコンタクト層とを順
   次形成する工程と、 前記第２のコンタクト層の上に導体膜を堆積した後、該
   導体膜におけるボンディングパッド形成領域をマスクし
   て前記導体膜及び第２のコンタクト層に対してエッチン
   グを行なうことにより、前記導体膜からなる島状のパッ
   ド電極を形成すると共に、前記第２のコンタクト層を島
   状に形成する工程と、 前記第１のコンタクト層における前記パッド電極の周辺
   部に該パッド電極と接触すると共に前記活性層からの発
   光光を透過させるオーミック電極を形成する工程と、 前記半導体基板に対してアニールを行なって、前記島状
   の第２のコンタクト層に含まれる窒素原子を該島状の第
   ２のコンタクト層から前記半導体基板側の領域に選択的
   に拡散させることにより、前記島状の第２のコンタクト
   層と前記活性層との間における前記パッド電極の下方の
   領域に高抵抗領域を形成する工程とを備えていることを
   特徴とする発光ダイオード装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 第１導電型の半導体基板の上に亜鉛及
    びセレンを含む活性層を形成する工程と、 前記活性層の上に亜鉛を含む半導体からなる第２導電型
    のコンタクト層を形成する工程と、 前記コンタクト層におけるボンディングパッド形成領域
    に対してプラズマ化した酸素原子を照射することによ
    り、前記ボンディングパッド形成領域に前記亜鉛が酸化
    された酸化亜鉛からなる絶縁酸化膜を形成する工程と、 前記コンタクト層及び絶縁酸化膜の上に導体膜を堆積し
    た後、該導体膜におけるボンディングパッド形成領域を
    マスクして前記導体膜に対してエッチングを行なうこと
    により、前記導体膜からなる島状のパッド電極を形成す
    る工程と、 前記コンタクト層における前記パッド電極の周辺部に、
    該パッド電極と接触すると共に前記活性層からの発光光
    を透過させるオーミック電極を形成する工程とを備えて
    いることを特徴とする発光ダイオード装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 第１導電型の半導体基板の上に活性層
    を形成する工程と、 前記活性層の上に第２導電型のコンタクト層を形成する
    工程と、 前記コンタクト層におけるボンディングパッド形成領域
    に対してプラズマ化した不活性ガスを照射することによ
    り、前記ボンディングパッド形成領域に結晶欠陥を含む
    結晶欠陥導入層を形成する工程と、 前記コンタクト層及び結晶欠陥導入層の上に導体膜を堆
    積した後、該導体膜におけるボンディングパッド形成領
    域をマスクして前記導体膜に対してエッチングを行なう
    ことにより、前記導体膜からなる島状のパッド電極を形
    成する工程と、 前記コンタクト層における前記パッド電極の周辺部に、
    該パッド電極と接触すると共に前記活性層からの発光光
    を透過させるオーミック電極を形成する工程とを備えて
    いることを特徴とする発光ダイオード装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 第１導電型の半導体基板の上における
    ボンディングパッド形成領域に対して、水素イオン、ホ
    ウ素イオン又は酸素イオンを注入することにより、前記
    ボンディングパッド形成領域に高抵抗領域を形成する工
    程と、 前記半導体基板の上に活性層を形成する工程と、 前記活性層の上に第２導電型のコンタクト層を形成する
    工程と、 前記コンタクト層の上に導体膜を堆積した後、該導体膜
    におけるボンディングパッド形成領域をマスクして前記
    導体膜に対してエッチングを行なうことにより、前記導
    体膜からなる島状のパッド電極を形成する工程と、 前記コンタクト層における前記パッド電極の周辺部に、
    該パッド電極と接触すると共に前記活性層からの発光光
    を透過させるオーミック電極を形成する工程とを備えて
    いることを特徴とする発光ダイオード装置の製造方法。