JP4767157B2 - 垂直構造の窒化ガリウム系ｌｅｄ素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、垂直構造（垂直電極型）の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子及びその製造方法に関し、特に、ｎ型電極とコンタクトされるｎ型ＧａＮ層が損傷されるのを防止することによって、ｎ型電極のコンタクト抵抗を安定に確保し、動作電圧を減少させ、発光効率を上げることのできる垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子及びその製造方法に関する。

一般に、窒化ガリウム系発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：以下、ＬＥＤという）素子は、サファイア基板上に成長するが、かかるサファイア基板は硬く、電気的に不導体であり、熱伝導特性がよくないことから、窒化ガリウム系ＬＥＤ素子のサイズを減らして製造原価を低減するのに限界があり、また光出力及びチップの特性を改善させるのにも限界がある。特に、ＬＥＤ素子の高出力化のためには、大電流印加が必須となっているため、ＬＥＤ素子の熱放出問題を解決することが重要である。

上記のような問題を解決するための手段として、従来は、レーザリフトオフ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ−Ｏｆｆ；以下、ＬＬＯという）技術を用いてサファイア基板を除去した垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子が提案されている。

以下に、図１Ａ〜図１Ｄを参照して従来の技術に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子について詳細に説明する。

図１Ａ〜図１Ｄは、従来の技術に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。

まず、図１Ａに示すように、サファイア基板１００上にアンドープ（ｕｎ−ｄｏｐｅｄ）のＧａＮ層１０１及び低ドープのｎ型ＧａＮ層１０２を順に結晶成長させ、続いて、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層１０２上に高ドープのｎ型ＧａＮ層、すなわちｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層１０３、多重量子井戸型構造（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）であるＧａＮ／ＩｎＧａＮ活性層１０４、及びｐ型ＧａＮ層１０５を順次結晶成長させる。その後、前記ｐ型ＧａＮ層１０５上にｐ型電極１０６を形成する。

その後、前記ｐ型電極１０６上にメッキシード（ｓｅｅｄ）層（図示せず）を形成し、前記メッキシード層上に、電解メッキまたは無電解メッキ法等により構造支持層１０７を形成する。ここで、前記メッキシード層は、前記構造支持層１０７を形成するためのメッキ工程の際に、メッキ結晶核の機能を果たし、前記構造支持層１０７は、最終的なＬＥＤ素子の支持層及び電極としての機能を果たす。

次に、図１Ｂに示すように、レーザーリフトオフ工程により、前記サファイア基板１００を除去する。

その後に、図１Ｃに示すように、前記サファイア基板１００の除去工程により露出されたアンドープのＧａＮ層１０１及び低ドープのｎ型ＧａＮ層１０２を除去し、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層１０３を露出させる。前記アンドープのＧａＮ層１０１及び低ドープのｎ型ＧａＮ層１０２の除去工程は、高ドープのｎ型ＧａＮ層である前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層１０３が後続して形成されるｎ型電極１１０とコンタクトをなすようにし、ｎ型電極１１０のコンタクト抵抗を減少させ、動作電圧を減少させるために行うものであって、通常のエッチング工程により行われることができる。

その後、図１Ｄに示すように、前記露出されたｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層１０３上に、ｎ型電極１１０を形成する。ここで、上記のように、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層１０３上に前記ｎ型電極１１０を直接形成する前に、図示のように、電流拡散効果を増加させるためのｎ型透明電極１０８、及び光効率を向上させるためのｎ型反射電極１０９を順に形成することもできる。

しかしながら、上述のような従来の技術に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法においては、次のような問題がある。図２は、従来の技術に係る問題を説明するための断面図である。

従来の技術に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法によれば、前記サファイア基板１００が除去されて露出された前記アンドープのＧａＮ層１０１及び低ドープのｎ型ＧａＮ層１０２のエッチング工程の際に、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層１０２とその下部に存在するｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層１０３とのエッチング度の差がほとんどないため、図２に示すように、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層１０３の表面が一部エッチングされて、ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層１０３の全体的な厚さ及び表面状態が均一にならない。そして、このように、ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層１０３の表面に損傷が生じた状態において、上記のｎ型透明電極１０８またはｎ型電極１１０が形成される場合、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層１０３とコンタクトされる電極のコンタクト抵抗及び動作電圧が増加し、発光効率が低下するという問題が生じる。

本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層の損傷を防止することによって、ｎ型電極のコンタクト抵抗を安定に確保し、動作電圧を減少させ、発光効率を上げることのできる垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子及びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成すべく、本発明に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子によれば、構造支持層と、前記構造支持層上に形成されたｐ型電極と、前記ｐ型電極上に形成されたｐ型ＧａＮ層と、前記ｐ型ＧａＮ層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層と、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層上に、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層の一部を露出させるように形成されたエッチング停止層と、前記エッチング停止層により露出された前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層上に形成されたｎ型電極と、を備える。

ここで、前記エッチング停止層が、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層のエッチング比と互いに異なるエッチング比を有する物質からなることを特徴とする。

そして、前記エッチング停止層が、ＩＩＩ−Ｖ，ＩＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−ＶＩＩ族系の半導体化合物で構成された群の中から選択される少なくとも１つからなることを特徴とする。

また、前記エッチング停止層の表面が、凹凸状を有することを特徴とする。

また、前記エッチング停止層を備える前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層と前記ｎ型電極との間に順に形成されたｎ型透明電極及びｎ型反射電極をさらに備えることを特徴とする。

そして、本発明に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法によれば、サファイア基板上にアンドープのＧａＮ層、低ドープのｎ型ＧａＮ層、エッチング停止層、ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層、活性層及びｐ型ＧａＮ層を順に形成するステップと、前記ｐ型ＧａＮ層上にｐ型電極を形成するステップと、前記ｐ型電極上に構造支持層を形成するステップと、前記サファイア基板をＬＬＯ工程により除去するステップと、前記サファイア基板が除去された前記アンドープのＧａＮ層及び低ドープのｎ型ＧａＮ層をエッチングするステップと、前記エッチング停止層を選択的にエッチングし、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層の少なくとも一部を露出させるステップと、前記露出されたｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層上にｎ型電極を形成するステップと、を含む。

ここで、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層が、１０ ^１８ ｃｍ ^−３ 以下のドープ濃度を有することを特徴とする。

そして、前記エッチング停止層が、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層及び前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層のエッチング比と互いに異なるエッチング比を有する物質から形成されることを特徴とする。

また、前記エッチング停止層が、ＩＩＩ−Ｖ，ＩＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−ＶＩＩ族系の半導体化合物で構成された群の中から選択される少なくとも１つを利用して形成されることを特徴とする。

また、前記エッチング停止層を選択的にエッチングし、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層の一部を露出させた後に、前記エッチング後に残留されたエッチング停止層の表面を凹凸状に形成するステップをさらに含むことを特徴とする。

また、前記ｎ型電極を形成する前に、前記エッチング停止層を備える前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層上に、ｎ型透明電極及びｎ型反射電極を順に形成するステップをさらに含むことを特徴とする。

本発明に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子及びその製造方法によれば、低ドープのｎ型ＧａＮ層とｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層との間に、これらと互いに異なるエッチング比を有するエッチング停止層をさらに形成することによって、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層のエッチング工程時に、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層が損傷されるのを防止できる。したがって、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層とコンタクトされるｎ型電極のコンタクト抵抗を安定に確保することができ、動作電圧を減少させ得るという効果がある。

また、前記エッチング停止層の表面に凹凸状を形成することによって、活性層から発光して前記エッチング停止層に到達する光を様々な角度に散乱させることで、ＬＥＤ素子の発光効率を増加させ得る。

以下、本発明の好ましい実施の形態を、添付図面に基づき詳細に説明する。

垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の構造に関する実施の形態

図３及び図４は、本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の構造を示す断面図である。

まず、図３に示すように、本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の最下部には、ＬＥＤ素子の支持層及び電極としての機能を果たす構造支持層２０７が形成されている。

前記構造支持層２０７上には、メッキシード層（図示せず）及びｐ型電極２０６が順に形成されており、前記ｐ型電極２０６上には、ｐ型ＧａＮ層２０５及び多重量子井戸型構造であるＧａＮ／ＩｎＧａＮ活性層２０４が順に形成されている。ここで、前記ｐ型電極２０６は、電極の機能及び反射機能を同時に行うように、反射率の高い金属からなることが好ましい。また、前記活性層２０４は光が発生する層であって、一般に、７００〜９００℃の範囲の温度において、１，０００Å程度の厚さに成長する層である。

前記活性層２０４上には、ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３が形成されており、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３上には、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３の一部を露出させるエッチング停止層３００が形成されている。

ここで、前記エッチング停止層３００は、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３のエッチング比と互いに異なるエッチング比を有する物質からなり、例えば、ＩＩＩ−Ｖ，ＩＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−ＶＩＩ族系の半導体化合物で構成された群の中から選択される少なくとも１つからなることが好ましい。

前記エッチング停止層３００を備える前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３上には、電流拡散現象を向上させるためのｎ型透明電極２０８、及び光効率を向上させるためのｎ型反射電極２０９が順に形成されており、前記ｎ型反射電極２０９上には、ｎ型電極２１０が形成されている。ここで、前記ｎ型透明電極２０８及びｎ型反射電極２０９は形成されていなくても良く、こういう場合には、前記エッチング停止層３００により露出された前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３部分の上に、前記ｎ型電極２１０が直接コンタクトされるように形成されることができる。

一方、前記エッチング停止層３００の表面は、図４に示すように、凹凸状を有することもでき、こういう場合、活性層２０４から発光し、前記エッチング停止層３００に到達する光を様々な角度に散乱させて、ＬＥＤ素子の発光効率を増加させ得る。

垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法に関する実施の形態

以下には、上述のような本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法について説明する。

図５Ａ〜図５Ｅは、本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。

図５Ａに示すように、サファイア基板２００上にアンドープのＧａＮ層２０１及び低ドープのｎ型ＧａＮ層２０２を順に結晶成長させる。前記低ドープのｎ型ＧａＮ層２０２は、１０ ^１８ ｃｍ ^−３ 以下のドープ濃度を有することが好ましい。続いて、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層２０２上にエッチング停止層３００、高ドープのｎ型ＧａＮ層であるｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３、多重量子井戸型構造であるＧａＮ／ＩｎＧａＮ活性層２０４、及びｐ型ＧａＮ層２０５を順に形成する。ここで、前記エッチング停止層３００は、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層２０２及びｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３のエッチング比と互いに異なるエッチング比を有する物質から形成し、例えば、ＩＩＩ−Ｖ，ＩＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−ＶＩＩ族系の半導体化合物で構成された群の中から選択される少なくとも１つを利用して形成することが好ましい。

その後、前記ｐ型ＧａＮ層２０５上にｐ型電極２０６及びメッキシード層（図示せず）を順に形成し、前記メッキシード層上に、電解メッキまたは無電解メッキ法等により構造支持層２０７を形成する。前記メッキシード層は、上述のように、前記構造支持層２０７の形成のためのメッキ工程におけるメッキ結晶核の機能を行うものであり、前記構造支持層２０７は、最終的なＬＥＤ素子の支持層及び電極としての機能を行うものである。

一方、本実施の形態では、前記構造支持層２０７として、メッキシード層を結晶核として用いて形成したメッキ層を説明しているが、これに限定されず、前記構造支持層２０７は、上記のように、最終的なＬＥＤ素子の支持層及び電極としての機能を行うものであって、シリコン（Ｓｉ）基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板または金属層などからなることができる。また、前記金属層は、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）、電子線蒸着（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）、スパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、化学気相蒸着（ＣＶＤ）などの方式により形成されたことが使用可能である。

次に、図５Ｂに示すように、ＬＬＯ工程により前記サファイア基板２００を除去する。

その後に、図５Ｃに示すように、前記サファイア基板２００の除去工程により露出された前記アンドープのＧａＮ層２０１及び低ドープのｎ型ＧａＮ層２０２をエッチングする。ここで、本発明の実施の形態によれば、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層２０２の下部に、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層２０２とエッチング比の異なる他のエッチング停止層３００が存在することによって、前記アンドープのＧａＮ層２０１及び低ドープのｎ型ＧａＮ層２０２のエッチング工程の際に、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３がエッチング損傷を受けることを防止できる。

その後、図５Ｄに示すように、前記エッチング停止層３００を選択的にエッチングし、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３の少なくとも一部を露出させる。

すなわち、前記エッチング停止層３００のエッチング工程は、図示のように、前記エッチング停止層３００の一部のみをエッチングすることで、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３の一部を露出させ得るが、前記エッチング停止層３００の全体をエッチングして前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３の全体を露出させることもできる。このとき、上記のように、前記エッチング停止層３００の全体ではない一部のみをエッチングする場合、後続のｎ型電極２１０が形成される領域と対応するｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３部分を露出させる。

ここで、前記エッチング停止層３００は、上述のように、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３と互いに異なるエッチング比を有しているため、前記エッチング停止層３００のエッチング工程の際、ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３に損傷を与えずに、エッチング停止層３００のみを選択的に除去できる。

一方、本実施の形態では、前記エッチング停止層３００の一部エッチング工程後に、図４に示すように、エッチング後に残留するエッチング停止層３００の表面を凹凸状に形成することもできる。このようにすれば、活性層２０４から発光して前記エッチング停止層３００に到達する光を様々な角度に散乱させて、ＬＥＤ素子の発光効率を増加させることができる。

次に、図５Ｅに示すように、前記エッチング停止層３００を備える前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３上に、電流拡散効果を向上させるためのｎ型透明電極２０８、及び光効率を向上させるためのｎ型反射電極２０９を順に形成した後に、前記ｎ型反射電極２０９上にｎ型電極２１０を形成する。

ここで、前記ｎ型透明電極２０８及びｎ型反射電極２０９の形成工程は省略でき、こういう場合には、前記エッチング後に残留したエッチング停止層３００により露出された前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３の部分上に、前記ｎ型電極２１０が直接コンタクトされるように形成できる。

上述のように、本発明の実施の形態によれば、低ドープのｎ型ＧａＮ層２０２とｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３との間に、これらと互いに異なるエッチング比を有するエッチング停止層３００をさらに形成することによって、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層２０２のエッチング工程時に、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３が損傷または除去されるのを防止できる。

したがって、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層２０３上に形成されるｎ型透明電極２０８またはｎ型電極２１０のコンタクト抵抗を安定に確保でき、動作電圧を減少させることができる。

また、本発明の実施の形態では、前記エッチング停止層３００の表面を凹凸状に形成することによって、前記活性層２０４から発光して前記エッチング停止層３００に到達する光を様々な角度に散乱させて、ＬＥＤ素子の発光効率を増加させ得るという長所がある。

上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。

従来の技術に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。 従来の技術に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。 従来の技術に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。 従来の技術に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。 従来の技術に係る問題点を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。 本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。 本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。 本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。 本発明の実施の形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。

符号の説明

２００ サファイア基板
２０１ アンドープのＧａＮ層
２０２ 低ドープのｎ型ＧａＮ層
２０３ ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層
２０４ 活性層
２０５ ｐ型ＧａＮ層
２０６ ｐ型電極
２０７ 構造支持層
２０８ ｎ型透明電極
２０９ ｎ型反射電極
２１０ ｎ型電極
３００ エッチング停止層

Claims (6)

1. サファイア基板上にアンドープのＧａＮ層、低ドープのｎ型ＧａＮ層、エッチング停止層、ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層、活性層及びｐ型ＧａＮ層を順に形成するステップと、
   前記ｐ型ＧａＮ層上にｐ型電極を形成するステップと、
   前記ｐ型電極上に構造支持層を形成するステップと、
   前記サファイア基板をＬＬＯ工程により除去するステップと、
   前記サファイア基板が除去された前記アンドープのＧａＮ層及び低ドープのｎ型ＧａＮ層をエッチングするステップと、
   前記エッチング停止層を選択的にエッチングし、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層の少なくとも一部を露出させるステップと、
   少なくとも前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層の露出した部分に、ｎ型透明電極及びｎ型反射電極を順に形成するステップと、
   前記ｎ型反射電極上にｎ型電極を形成するステップと、を含み、
   前記エッチング停止層は、前記低ドープのｎ型ＧａＮをエッチングするステップで前記低ドープのｎ型ＧａＮ層をエッチングする条件でのエッチング速度が、前記低ドープのｎ型ＧａＮ層のエッチング速度より遅い物質から形成される
   垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法。
2. 前記ｎ型透明電極は、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層の露出した部分及び前記エッチング停止層の上方を覆って形成され、
   前記エッチング停止層上に形成された前記ｎ型透明電極の少なくとも一部は、前記ｎ型反射電極から露出する
   請求項１に記載の垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法。
3. 前記低ドープのｎ型ＧａＮ層が、１０ ^１８ ｃｍ ^−３ 以下のドープ濃度を有する請求項１または２に記載の垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法。
4. 前記エッチング停止層が、ＩＩＩ−ＶＩまたはＩＩＩ−ＶＩＩ族系の半導体化合物を利用して形成される請求項１から３のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法。
5. 前記エッチング停止層を選択的にエッチングし、前記ｎ型電極コンタクト用ｎ型ＧａＮ層の一部を露出させた後に、
   前記エッチング後に残留されたエッチング停止層の表面を凹凸状に形成するステップをさらに含む請求項１から４のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法。
6. 前記エッチング停止層を選択的にエッチングするステップで、前記エッチング停止層の全体がエッチングされる請求項１に記載の垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法。

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